JP2005116732A - 露光装置及び露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法 - Google Patents

露光装置及び露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法 Download PDF

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Abstract

【課題】露光装置を分解することなく装置内部に含まれる光学系のミュラー行列を測定する。
【解決手段】 光源装置1からの光束を、第1偏光変換装置2により、ポワンカレ球上で直交する関係にある複数の偏光光に順次変換して出力する。投影光学系6等にこの偏光光を通過させ、光検出部8で光強度を検出する。第2偏光変換装置7内の直線偏光子の方位角を45×n°(nは整数)に設定し、1/4波長板の挿脱を切り替えて、複数の光強度の検出を行なう。得られた複数の光強度のデータに基づき投影光学系6等による変換後の偏光光のストークスパラメータを演算し、さらに投影光学系6のミュラー行列(M)を演算する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、露光装置及び露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法に関する。
半導体集積回路の微細化の要求に伴い、露光装置の露光波長も短波長化が要求されており、現在では、ArFエキシマレーザ(193nm)やF2レーザ(157nm)等も実用化段階に入ってきている。このような短波長の露光光を使用する場合、光学系を構成する光学部材(レンズ等)の材料には、良好な透過率を考慮して、フッ化カルシウム結晶(蛍石)が用いられることが多くなっている。しかし、蛍石は複屈折性が大きく、また、入射された光の偏光方向によって波面収差が発生したり、或いは波面を***させ、光の干渉性を低下させたりするという難点がある。このため、収差の小さい光学系を設計するためには、光学系の複屈折の大きさを数値的に把握しておく必要がある。
平面的な光学部材の複屈折の大きさを示すには、複屈折の方向(方位角)θと位相差Δとを同定することが一般的に行なわれている。この方法は、曲面を有する光学部材(レンズ等)を複数有する光学系の複屈折性を表現するのには適当でない。このため、複屈折性を有する光学系の特性を示すには、一般的にジョーンズ行列やミュラー行列が使用される。
ジョーンズ行列は、ジョーンズベクトルで表現され得る完全偏光を通過させる光学素子の光学特性を表現する2行2列の行列である。ジョーンズベクトルは、電場ベクトル(E)=(E、E)を、振幅a、a及び位相差δにより、次のように表現するものである。
このようなジョーンズベクトルで表現され得る完全偏光の光が、光学素子を通過して何らかの変換を受ける場合において、その光学素子の特性を表したものがジョーンズ行列である。例えば、方位角θ=0°の偏光子のジョーンズ行列は、次のように表現される。
ジョーンズ行列は、完全偏光(非偏光成分を含まない光)のみを取り扱うことができ、非偏光成分を含む部分偏光を取り扱うことができない。このため、非偏光成分の発生が不可避な蛍石レンズを含む光学系の複屈折特性の表現には、非偏光成分をも取り扱うことができるミュラー行列が適している。ミュラー行列は、ストークスパラメータで表現された部分偏光が通過する光学素子の光学特性を表現する4行4列の行列である。
ストークスパラメータは、sを光の全強度、sを0°直線偏光成分の強度、sを45°直線偏光成分の強度、sを右回り円偏光成分の強度として、次のように表し、特に完全偏光に対しては次のように表わされる。
このストークスパラメータでは、(s −(s +s +s ))1/2は非偏光成分を表している。すなわち、ストークスパラメータによれば、非偏光成分を含む部分偏光をも表現することができる。
このようなストークスパラメータで表現される部分偏光の光が、光学素子を通過して何らかの変換を受ける場合において、その光学素子の特性を表したものがミュラー行列である。例えば、方位角θ=0°の偏光子のミュラー行列(P)は、次のように表現される。なお、以下では、方位角θのミュラー行列を、記号(Pθ)と表わすこととする。
このミュラー行列が測定できれば、あらゆる偏光の光に対して、光学素子がどのように偏光状態を変換するのかを簡単に計算することが可能になる。ミュラー行列を、単一の光学部材について測定する装置としては、例えば特許文献1等に記載されたミュラー偏光解析計などが知られている。
特表2000−502461号公報(第19〜22頁、図1〜4等)
しかし、特許文献1等に記載のミュラー偏光解析計では、単一の光学部材を測定対象とするものであり、例えば露光装置等に組み込み済みの、複数の光学部材からなる光学系等を測定対象にするものではない。
近年、露光装置においては、投影するパターンのコントラストを高める等の目的のため、特定の偏光方向の露光光を投影することが行なわれている。しかし、投影光学系で生じる複屈折や非偏光成分が無視できない場合、この複屈折の大きさや非偏光成分を定量的に評価し、これを考慮に入れた露光光の偏光方向を選択しなければ、露光光の偏光方向が所望の通りにならないことが生じ得る。また、露光装置の投影光学系等の特性は、経年変化や汚れの付着等により変化し得る。従って、露光装置の投影光学系等のミュラー行列を、露光装置を分解することなく測定することが望まれていた。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、露光装置を分解することなく装置内部に含まれる光学系のミュラー行列を測定することができる方法、及びそのような露光装置を提供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明に係る露光装置は、光束を発する光源と、被露光体上に形成するマスクパターンを備えたフォトマスクと、前記光束を前記フォトマスクに導く照明光学系と、前記マスクパターンの像を前記被露光体上に投影するための投影光学系とを備えた露光装置において、前記光束をポワンカレ球上で直交する関係にある複数の偏光光のいずれかに順次変換して出力する第1の偏光変換装置と、前記投影光学系による前記マスクパターンの像の結像位置の近傍に載置され前記偏光光が前記照明光学系と前記フォトマスクと前記投影光学系とを通過した後の変換偏光光の光強度を検出する光強度検出部と、直線偏光子及び直線移相子を含み前記変換偏光光の光路に挿入される第2の偏光変換装置と、前記直線偏光子の方位角及び前記直線移相子の挿脱又は方位角を切り替えることにより前記光強度検出部で検出される前記光強度の複数のデータを取得して、得られた複数の光強度のデータに基づき前記変換偏光光のストークスパラメータを演算するパラメータ演算部と、演算された前記変換偏光光のストークスパラメータ及び前記第1偏光変換装置から出力された前記偏光光のストークスパラメータとに基づいて前記第2偏光変換装置が挿入された位置の手前に存在する光学系のミュラー行列を演算するミュラー行列演算部とを備えたことを特徴とする。
このとき、前記直線偏光子は、方位角を45×n°(nは整数)に設定可能とすることができる。また、パラメータ演算部は、前記直線移相子を離脱させるか又は前記直線偏光子と方位角を一致させると共に前記直線偏光子の方位角を0°、90°、45°及び−45°に設定してそれぞれの方位角において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、前記直線移相子を前記直線偏光子の方位角と異なる所定の方位角で挿入すると共に前記直線偏光子の方位角を0°及び90°の間、又は45°及び−45°の間で切り替えて、この切り替えの前後において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、これらの光強度のデータに基いて、前記変換偏光光のストークスパラメータを演算するように構成することができる。あるいは、前記パラメータ演算部は、前記直線移相子を離脱させるか又は前記直線偏光子と方位角を一致させると共に前記直線偏光子の方位角を0°及び90°に設定してそれぞれの方位角において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、これらの光強度のデータに基いて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算し、前記直線移相子を離脱させるか又は前記直線偏光子と方位角を一致させると共に前記直線偏光子の方位角を45°及び−45°に設定してそれぞれの方位角において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、これらの光強度のデータに基いて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算し、前記直線移相子を前記直線偏光子の方位角と異なる所定の方位角で挿入すると共に前記直線偏光子の方位角を0°及び90°の間、又は45°及び−45°の間で切り替えて、この切り替えの前後において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、これらの光強度のデータに基づいて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算するように構成することもできる。
この発明に係る露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法は、光源からの光束を照明光学系によりフォトマスクに導き、このフォトマスクに形成されたマスクパターンを投影光学系を介して被露光体に露光する露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法であって、前記光束をポワンカレ球上で直交する関係にある複数の偏光光に順次変換して出力する偏光変換ステップと、前記偏光光を前記照明光学系、前記フォトマスク又は前記投影光学系に入射させて前記光学系が有するミュラー行列に基づく変換を行なって変換偏光光を得るステップと、直線偏光子を前記変換偏光光の光路に挿入し、その方位角を適宜切り替えると共に、この直線偏光子に加えて直線移相子を前記変換偏光光の光路において所定の方位角で適宜挿入する切り替えステップと、前記切り替えステップによる切り替え状態毎に前記変換偏光光の光強度を前記マスクパターンの像の結像位置の近傍において測定する光強度測定ステップと、得られた複数の光強度に基づき前記変換偏光光のストークスパラメータを演算するパラメータ演算ステップと、演算された前記変換偏光光のストークスパラメータ及び前記偏光変換ステップによる前記偏光光のストークスパラメータとに基づいて前記直線偏光子又は前記直線移相子よりも上流にある光学系のミュラー行列を演算するミュラー行列演算ステップとを備えたことを特徴とする。
本発明に係る露光装置によれば、ポワンカレ球上で直交する関係にある複数の偏光光が、順次照明光学系、フォトマスク、及び投影光学系を通過して変換偏光光に変換され、この変換偏光光の光強度が光強度検出部により検出される。
変換偏光光のストークスパラメータは、第2偏光変換装置の直線偏光子の方位角及び直線移相子の挿脱又は方位角を切り替えることにより光強度検出部で得られる複数の光強度データに基づき、パラメータ演算部において演算される。演算された変換偏光光のストークスパラメータ及び前記第1偏光変換装置から出力された前記偏光光のストークスパラメータとに基づいて、前記第2偏光変換装置が挿入された位置の手前に存在する光学系のミュラー行列が演算される。従って、本願発明によれば、露光装置内部に組み込まれた光学系のミュラー行列を、装置を分解等することなく測定することができ、これにより、投影光の偏光方向を、測定されたミュラー行列に合わせて選択することが可能となり、露光装置の性能の向上に寄与することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態が適用される露光装置100の構成を示す。
図1に示すように、この露光装置100は、光源装置1、第1偏光変換装置2、照明光学系3、フォトマスク5、投影光学系6、第2偏光変換装置7、光検出器8、演算制御部11、ドライバ12、ドライバ13及びA/D変換器14とを備えている。図1において、10はウェーハなどの被露光体が載置される結像面である。光源装置1は、所定の波長を有し所定の方向に偏光された露光光を出射する、例えばレーザ光源装置であり、ここでは、水平方向すなわち0°方向の直線偏光の露光光を出射するものとする。照明光学系3、フォトマスク5及び投影光学系6は、公知のものと同様であるので、詳細な説明は省略する。
第1偏光変換装置2及び第2偏光変換装置7は、投影光学系6等のミュラー行列を測定するため、通過する光束の偏光状態に変化を与える機能を有するものである。従って、第1偏光変換装置2及び第2偏光変換装置7は、投影光学系6等のミュラー行列の測定時にのみ露光装置100の光学系中に挿入され、通常時(例えば露光動作時)には光路外へ離脱される。光路外に離脱させる代わりに、通過する光束の偏光状態の変化がゼロになるように設定することも可能である。
第1偏光変換装置2は、光源装置1からの出射された露光光の偏光方向を変換するためのものであり、図2に示すように、1/2波長板21と、1/4波長板22とを備えている。1/2波長板21は、照明光学系3の光軸O周りに回転可能に保持され、これにより、その方位角が22.5度刻みで変更することができるようになっている。なお、1/2波長板21の代わりに、偏光解消板と方位角を変更可能な直線偏光子の組合せを利用してもよい。1/4波長板22も同様に、照明光学系3の光軸O周りに回転可能に保持され、これにより、その方位角が45度刻みで変更することができるようになっている。具体的には、1/2波長板21の方位角と1/4波長板22の方位角とを次に示す〔表1〕の左側のように設定すると、この第1偏光変換装置2を通過した偏光光(S(i))(i=1〜6)の偏光方向を〔表1〕の右側のように変換することができる。 1/4波長板22は、円偏光を第1偏光変換装置2から出射させる場合に、直線偏光子21を通過した光束の偏光方向に対し方位角が45°となるようにして挿入され、それ以外の場合には、直線偏光子21を通過した光束の偏光方向と方位角が一致するようにして挿入される。なお、1/2波長板21及び1/4波長板22の回転の制御は、演算制御部11からの制御信号に基づき、ドライバ12が行う。また、1/2波長板21と、1/4波長板22とは、光源装置1への戻り光の発生を防止するため、僅かに光軸に対し傾けたハの字型に配置される。
すなわち、この実施の形態で第1偏光偏光装置2から射出される偏光光(S(1))、(S(2))、(S(3))、(S(4))、(S(5))、(S(6))は、図3に示すように、ポワンカレ球PB上で、ポワンカレ球PBと座標軸X、Y、Zとの6つの交点により表現される。これらの偏光光(S(1))、(S(2))、(S(3)、(S(4))、(S(5))、(S(6))は、ストークスベクトルにより、次の[数5]のように表現される。
ただし、偏光光(S(1))、(S(2))、(S(3))、(S(4))、(S(5))、(S(6))は、必ずしも図3に示すような組合せである必要はなく、ポワンカレ球PB上で互いに直交する関係にある光、及びそれらと原点対称である光の組合せであればよい。例えば、楕円偏光の光を利用しても構わない。
また、第2偏光変換装置7は、図4に示すように、1/4波長板71と、直線偏光子72とを備えている。1/4波長板71は、その方位角が−45°に固定されると共に、図5に示すように、光路内に挿脱自在に保持されている。また、直線偏光子72は、光軸Oを中心として回転自在に保持され、その方位角が45°刻みで変更できるようにされている。また、第2偏光変換装置7は、それ自体露光装置100の光路から挿脱可能とされ、測定対象とする光学系等の位置に応じてその挿入位置を変更可能にされている。なお、1/4波長板71の挿脱の制御及び直線偏光子72の回転の制御は、演算制御部11からの制御信号に基づき、ドライバ13が行う。
ここで、この第2の偏光変換装置7が無いとした場合に、上記の偏光光(S(1))、(S(2))、(S(3))、(S(4))、(S(5))及び(S(6))が投影光学系6を通過して変換を受けた後の偏光光(変換偏光光)を、それぞれ(S(1)’)、(S(2)’)、(S(3)’)、(S(4)’)、(S(5)’)及び(S(6)’)とする。
本実施の形態では、1/4波長板71の挿入及び離脱、及び直線偏光子72の方位角の変更を後述のように行なうことにより、変換偏光光(S(1)’)、(S(2)’)、(S(3)’)、(S(4)’)、(S(5)’)及び(S(6)’)の光検出器8上での受光状態を変化させる。光検出器8は、図1に示すように、投影光学系6によるマスクパターン5の像の形成位置である結像面10の近傍に配置されている。この受光状態の変化に基づき、後述するように変換偏光光(S(1)’)、(S(2)’)、(S(3)’)、(S(4)’)、(S(5)’)及び(S(6)’)の偏光状態をストークスベクトルとして検出する。光検出器8の検出信号は、A/D変換器14により演算制御部11に入力される。演算制御部11は、この検出信号と、その際の第1偏光変換装置2及び第2偏光変換装置7の制御状態とに基づき、変換偏光光(S’)のストークスパラメータを演算すると共に、投影光学系6等のミュラー行列を決定する。
偏光光(S)と、変換偏光光(S’)との関係は、投影光学系6の光学特性を示すミュラー行列(M)により、次のように表現され得る。
従って、偏光光(S(1)’)、(S(2)’)、(S(3)’)、(S(4)’)、(S(5)’)及び(S(6)’)がストークスベクトルとして検出されると、ミュラー行列(M)の各列の各列の要素は、次の[数7]〜[数10]のようにして演算することができる。
次に、本実施の形態において、投影光学系6のミュラー行列(M)を測定する手順を説明する。
まず、第1偏光変換装置2の1/2波長板21及び1/4波長板22の方位角を調整して、偏光光(S(i))(i=1〜6)を射出させ、ミュラー行列(M)が未知である投影光学系6を通過させて変換偏光光(S(i)’)に変換させた後、光検出器8で受光する。第2偏光変換装置7は、図1に示す通り、測定対象である投影光学系6の直後に配置する。
この状態において、まず、第2偏光変換装置7の1/4波長板71は光路から離脱させ、直線偏光子72の方位角を0°と90°に設定し、それぞれの方位角において光検出器8の出力信号を得る。方位角0°の直線偏光子のミュラー行列(P)及び方位角90°の直線偏光子のミュラー行列(P90)は、それぞれ上述の[数4]、次の[数11]のように表現される。
従って、直線偏光子72の方位角を0°と90°に設定した場合の光検出器8上での偏光光(PS’)及び(P90S’)のストークスパラメータは、次の[数12]、[数13]のように表わされる。
このとき光検出器8で測定される光強度は、それぞれ、次に示す[数14]及び[数15]のようになる。
従って、s’、s’は、次のように決定できる。
同様に、s’、s’は、第2偏光変換装置7の1/4波長板71は光路から離脱させ、直線偏光子71の方位角を45°と−45°(又は135°)に設定し、それぞれの方位角において光検出器8の出力信号を得ることにより演算できる。なお、方位角45°の直線偏光子のミュラー行列(P45)及び方位角−45°の直線偏光子のミュラー行列(P−45)は、それぞれ次の[数18]、次の[数19]のように表現される。
従って、s’、s’を求めるのと同様の手法により、s’、s’を次の式により求めることができる。
次に、s’を測定するため、第2偏光変換装置7において、方位角−45°の1/4波長板71を挿入すると共に、直線偏光子71の方位角を0°と90°の間で切り替え、それぞれの方位角において光検出器8で受光される光の光強度を測定する。
ここで、方位角θの1/4波長板のミュラー行列(Qθ)は、
と表わされる。従って、露光光(S’)が、方位角−45°の1/4波長板71と、方位角が0°又は90°の直線偏光子72とを通過して生成される露光光(P−45S’)及び(P90−45S’)のストークスパラメータは、次の[数23]、[数24]のように表わされる。
’とs’とは、以下のようにして決定される。
このようにして、変換偏光光(S’)のストークスパラメータの要素s’〜s’が求まると、上記[数7]〜[数10]により、投影光学系6のミュラー行列(M)の各列の要素が求められる。
なお、この第1の実施の形態では、第1偏光変換装置2において1/2波長板21と1/4波長板22を使用し、1/2波長板21は照明光学系3の光軸O周りにその方位角を22.5度刻みで変更することで、光源装置1からの出射光を所望の偏光状態に変換したが、これに変えて、第1偏光変換装置2は方位角が45度刻みで変更可能な旋光子と1/4波長板で構成されていても良い。
また、この第1の実施の形態では、第2偏光変換装置7において1/4波長板71を使用しているが、これは一例であり、一般的には2つの直交する電気ベクトルに位相差Δを与える直線移相子が使用し得る。
また、この第1の実施の形態では、s’を測定するため、第2偏光変換装置7において、方位角−45°の1/4波長板71を挿入すると共に、直線偏光子71の方位角を0°と90°の間で切り替えていたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、方位角90°の1/4波長板71を挿入すると共に、直線偏光子71の方位角を45°と−45°の間で切り替えるようにしてもよい。
また、第1の実施の形態では、1/4波長板71が不要な場合は光路から離脱させていたが、離脱させる代わりに直線偏光子72と方位角を一致させるだけとしてもよい。
また、直線偏光子72の方位角を切り替えると共に1/4波長板71の挿脱又は方位角を切り替える代わりに、直線偏光子72の方位角は例えば0°に固定し、1/4波長板71の方位角を変更しつつ、光強度を測定するようにしてもよい。
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態を説明する。
第1の実施の形態では、光軸Oに沿った投影光学系6のミュラー行列を測定する。これに対し第2の実施の形態では、周期や方向を変えた回折格子パターンを備えたフォトマスク5を用いて投影光学系6の瞳内の様々な方向に光を飛ばし、これにより、投影光学系5の瞳内でのミュラー行列の分布を測定する。
このため、1/4波長板71に対しても変換偏光光(S’)が斜めに入射する。一般に1/4波長板では、入射光の入射角に応じてリタ−デーションが変化する。このため、1/4波長板71に斜めに変換偏光光(S’)が入射する場合、1/4波長板71は一般的な直線偏光子として取り扱われる必要がある。このため、本実施の形態では、変換偏光光(S’)のストークスパラメータの要素のうちs’を測定する場合、1/4波長板71を方位角−45°、45°の2条件で測定し、それぞれの方位角において、更に直線偏光子71の方位角を0°と90°とで切り替える。これにより、1/4波長板71のリタ−デーションが光の入射角により変化したとしても、s’を高精度に測定することができる。
変換偏光光(S’)のストークスパラメータの要素s’、s’、s’の測定については、第1の実施の形態と同様に、直線偏光子72の方位角を適宜変更することにより、測定することが可能である。
本実施の形態におけるs’の測定手順を具体的に説明する。
まず、1/4波長板71の方位角を45°に設定して光路に挿入し、この状態において直線偏光子72の方位角を0°に設定する。このとき、方位角が45°に設定された1/4波長板72に斜め方向から変換偏光光(S’)が入射する場合における1/4波長板72のミュラー行列を(RΔ45)(リタ−ダンスΔ)とすると、第2偏光変換装置7を通過する光(PΔ45S’)は、
と表現され、光検出器8で検出される光強度I(PΔ45S’)は、次の[数28]のように表現することができる。
同様に、1/4波長板71の方位角を45°、直線偏光子72の方位角を90°に設定した場合、第2偏光変換装置7を通過して光検出器8で検出される光I(P90Δ45S’)は、次の[数30]のように表現することができる。
また、1/4波長板71を方位角−45°に設定し、更に直線偏光子71の方位角を0°と90°とで切り替えて、次に示す[数30]、[数31]で表現される光強度を有する光を、光検出器8で検出する。ただし、(RΔ-45)は、方位角が−45°に設定された1/4波長板72に斜め方向から変換偏光光(S’)が入射する場合の、1/4波長板71のミュラー行列である。
従って、例えば、[数30]から[数29]を減算して得られる[数32]と、事前に第1の実施の形態と同様の方法で測定したs´とから1/4波長板71の実際のリタ−ダンスΔが求められる。
さらに、[数29]から[数31]を減算して得られる[数33]と、この求められたリタ−ダンスΔとに基づき、s´を決定することができる。このようにして、1/4波長板のリタ−ダンスの入射角依存性を考慮することで、図6に示すような測定結果が期待できる。図6において、円は投影光学系6の開口数NAを示している。
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態を、図7に基づいて説明する。
第1及び第2の実施の形態では、フォトマスク5には偏光特性が無いことを前提に投影光学系6のミュラー行列を測定していた。しかし、フォトマスクは、研磨加工などの工程により複屈折を持つに至ることがあり、或いはフォトマスクを露光装置に固定する際に応力複屈折を生じたりすることがある。そこで、本実施の形態では、このような偏光特性を有するフォトマスク5を直線移相子とみなし、そのミュラー行列(RΔθ)を投影光学系6とは別途演算する。
フォトマスク5のミュラー行列(RΔθ)を演算するため、本実施の形態では、図7に示すように、直線偏光子15をフォトマスク5の下流側、具体的にはフォトマスク5と投影光学系6の間に配置する。この直線偏光子15は、2つの方位角で挿入可能にされており、ここでは、方位角が0°と45°の2通りに設定され得るものとする。0°、45°それぞれの方位角において、第1偏光変換装置2から、2通りの偏光光(ここでは、右回り円偏光(S(3))、左回り円偏光(S(6))とする)を出射させ、この4つの組合せから、光検出器8において4通りの光強度を検出し、この検出結果に基づき、ミュラー行列(RΔθ)を演算する。なお、第2偏光変換装置7は、光路外に離脱されているのが好ましいが、光路内に挿入したままとしてもよい。
フォトマスク5のミュラー行列(RΔθ)を演算する具体的な手順を次に述べる。
まず、第1偏光変換装置2から右回り円偏光(S(3))を出射し、また、直線偏光子15の方位角を0°に設定する。投影光学系6のミュラー行列を(M)(ここでは、偏光特性を有するフォトマスク5を含まない、投影光学系6のみのミュラー行列を意味している)とすると、光検出部8に達する偏光変換光(MPΔθ(3))は、次の[数34]により表現され、光検出部8で検出される光強度ICWは、下記の[数35]で表現される。
同様に、第1偏光変換装置2から左回り円偏光(S(6))を出射し且つ直線偏光子15の方位角を0°に設定した場合に光検出部8で検出される光強度I0、CCWは、下記の[数36]で表現される。
同様に、第1偏光変換装置2から右回り円偏光(S(3))を出射し且つ直線偏光子15の方位角を45°に設定した場合に光検出部8で検出される光強度I45、CWは、下記の[数37]で表現される。
同様に、第1偏光変換装置2から左回り円偏光(S(6))を出射し且つ直線偏光子15の方位角を45°に設定した場合に光検出部8で検出される光強度I45、CCWは、下記の[数38]で表現される。
この[数35]〜[数38]から、フォトマスク5を直線移相子とみなした場合の方位角θとリタ-ダンスΔが、投影光学系6のみのミュラー行列(M)とは独立に、次に示す[数39]、[数40]のように決定される。
[数40]に示すリタ-ダンスΔの符号(+、−)は、計算だけからは決定できない。しかし、フォトマスク5をクランプした際に生じる応力複屈折の符号は十分に予測可能であるため、これらの予測との比較から容易に符号を決定することができる。
こうして求められた方位角θとリタ-ダンスΔとから、フォトマスク5のミュラー行列(RΔθ)を決定することができる。
フォトマスク5が偏光特性を有する場合、第1、第2の実施の形態に示す方法により測定されたミュラー行列((M´)とする)は、実際の投影光学系6のみのミュラー行列(M)とは、以下の関係にある。
従って、実際の投影光学系6のみのミュラー行列(M)は、(RΔθ)の逆行列(RΔθ −1)を利用して、次のようにして決定することができる。
[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態を、図8に基づいて説明する。本実施の形態では、フォトマスク5だけでなく、照明光学系3にも偏光特性がある場合に、投影光学系6のミュラー行列を高精度に測定することを意図している。
またこの実施の形態では、照明光学系3とフォトマスク5とを1つの光学素子とみなし、そのミュラー行列を(R)とする。
照明光学系3が、第3の実施の形態におけるフォトマスク5と同様に直線移相子とみなせる場合、(R)は、
とおくことができる。任意のRΔθを何回かけてもこの形で表現できるからである。この照明光学系3とフォトマスク5の合計のミュラー行列(R)を決定できれば、第3の実施の形態と同様に投影光学系6のみのミュラー行列(M)を決定することができる。
図8に示すように、フォトマスク5と投影光学系6との間には、直線偏光子15´と1/4波長板16との組合せからなる第3偏光変換装置9が配置される。この第3偏光変換装置9は、第2の偏光変換装置7と同様の構成を有しているので、第2偏光変換装置7を結像面10からフォトマスク5と投影光学系6との間に移動させて、第3偏光変換装置として使用するようにしてもよい。勿論、第2偏光変換装置7はそのままとし、新たに第3偏光変換装置を設けることも可能である。
この第3偏光変換装置9の直線偏光子15´は、方位角が0°と90°との間の2通りに切り替え可能にされ、また、1/4波長板16は、光路から離脱された状態(又は直線偏光子15´と方位角が一致させられた状態)と、方位角−45°で光路に挿入された状態とを切り替え可能にされている。
本実施の形態では、直線偏光子15´の方位角を0°に設定し且つ1/4波長板16を光路から離脱させた状態において、第1偏光変換装置2から0°直線偏光(S(1))と90°直線偏光(S(4))を出射させることによりミュラー行列(R)の要素r11を演算する。
まず、0°直線偏光(S(1))を投影した場合、投影光学系6のみのミュラー行列を(M)であるとして、光検出器8に到達する変換偏光光は、
と表現され、光検出器8で検出される変換偏光光の光強度は、
と表現される。次に、第1偏光変換装置2から出力される偏光光のみを0°直線偏光(S(1))から90°直線偏光(S(4))に変更した場合、光検出器8で検出される変換偏光光の光強度は、
と表現される。この[数45]、[数46]とから、r11を次の[数47]のように演算することができる。
同様に、r12は、直線偏光子15´の方位角を0°に設定し且つ1/4波長板16を光路から離脱させた状態において、第1偏光変換装置2から45°直線偏光(S(2))と−45°直線偏光(S(5))とを順次出射させることにより、次の[数48]のように演算することができる。
同様に、r13は、直線偏光子15´の方位角を0°に設定し且つ1/4波長板16を光路から離脱させた状態において、第1偏光変換装置2から右回り円偏光(S(3))と左回り円偏光(S(6))とを順次出射させることにより、次の[数49]のように演算することができる。
また、r21は、直線偏光子15´の方位角を45°に設定し且つ1/4波長板16を光路から離脱させた状態において、第1偏光変換装置2から0°直線偏光(S(1))と90°直線偏光(S(4))とを順次出射させることにより、次の[数50]のように演算することができる。
またr22は、直線偏光子15´の方位角を45°に設定し且つ1/4波長板16を光路から離脱させた状態において、第1偏光変換装置2から45°直線偏光(S(2))と−45°直線偏光(S(5))とを順次出射させることにより、次の[数51]のように演算することができる。
同様に、r23は、直線偏光子15´の方位角を45°に設定し且つ1/4波長板16を光路から離脱させた状態において、第1偏光変換装置2から右回り円偏光(S(3))と左回り円偏光(S(6))とを順次出射させることにより、次の[数52]のように演算することができる。
一方、r31、r32、r33を演算する場合には、1/4波長板16を、方位角−45°で光路に挿入する。
まず、r31は、直線偏光子15´の方位角を0°に設定し且つ1/4波長板16を方位角−45°で光路に挿入した状態において、第1偏光変換装置2から0°直線偏光(S(1))90°直線偏光(S(6))とを順次出射させることにより演算することができる。
0°直線偏光(S(1))出射した場合には、光検出器8に到達する変換偏光光は、
と表現され、光検出器8で検出される変換偏光光の光強度は、
と表現される。第1偏光変換装置2から出力される偏光光を90°直線偏光(S(4))に変更した場合、光検出器8で検出される変換偏光光の光強度は、
となる。この[数54]、[数55]とから、r31を次の[数56]のように演算することができる。
同様に、r32は、直線偏光子15´の方位角を0°に設定し且つ1/4波長板16を方位角−45°で光路に挿入させた状態において、第1偏光変換装置2から45°直線偏光(S(2))と−45°直線偏光(S(5))とを順次出射させることにより、次の[数57]のように演算することができる。
同様に、r33は、直線偏光子15´の方位角を0°に設定し且つ1/4波長板16を方位角−45°で光路に挿入させた状態において、第1偏光変換装置2から右回り円偏光(S(3))と左回り円偏光(S(6))を順次出射させることにより、次の[数58]のように演算することができる。
このようにして、照明光学系3とフォトマスク5を1つの光学系とみなした場合のミュラー行列(R)が決定できるため、この(R)の逆行列を用いて補正することで、投影光学系6のみのミュラー行列(M)を、以下の[数59]のようにして決定することができる。
なお、第3偏光変換装置9については、上記した第2偏光変換装置7に関する様々な変更と同様の変更が適用し得る。例えば、1/4波長板16の代わりに、位相差Δを与える直線移相子が一般的に使用し得る。また、直線偏光子15´の方位角を切り替えると共に1/4波長板16の挿脱又は方位角を切り替える代わりに、直線偏光子15´の方位角は例えば0°に固定し、1/4波長板16の方位角を変更しつつ、光強度を測定するようにしてもよい。
[第5の実施の形態]
次に、本発明の第5の実施の形態を説明する。この実施の形態では、
照明光学系3とフォトマスク5とを1つの光学素子と見た場合に、それが任意の偏光素子、すなわちミュラー行列(R)が、
で表わされる場合について説明する。例えば、照明光学系3の内部に偏光解消板等の光学素子が組み込まれている場合を想定している。[数60]では、行列(R)の左上の要素r00を1としている。r00は、非偏光を入射させたときの出射光の強度、すなわち、この光学系の透過率に相当し、他の全ての要素はr00の係数倍で表わすことができるためである。
本実施の形態では、図8に示す露光装置の構成において、直線偏光子15´の方位角を2通り(例えば0°と90°、あるいは45°と−45°等)に切り替え、且つそれぞれの方位角について第1偏光変換装置2からポワンカレ球PB上で原点対称な2種類の偏光光(例えば(S(1))と(S(4))、又は(S(2))と(S(5))、又は(S(3))と(S(6))等)を照明光学系3に入射させることにより、この[数60]に示すミュラー行列(R)の要素を演算する。
まず、(R)の要素r11、r12、r13の演算の手法について説明する。直線偏光子15´の方位角を0°又は90°のいずれかとし、且つそれぞれの方位角において、偏光光(S(1))、(S(4))を順次第1偏光変換装置2から出射させる。
まず、直線偏光子15´の方位角0°と、偏光光(S(1))の方位角との組合せにより、次の[数61]が得られる。
また、直線偏光子15´の方位角0°と、偏光光(S(4))の方位角との組合せにより、次の[数62]が得られる。
この[数61]と[数62]の和と差の比をとると、
となる。この比を、
とおく。同様に、直線偏光子15´の方位角を90°に設定すると共に、偏光光(S(1))、(S(4))を投影することにより、次の[数65]が得られる。
その他の照明条件についても、同様にして、次に示す[数66]〜[数69]
従って、r10が決定できれば、以上の[数66]〜[数69]を用いて、次の[数70]〜[数72]のようにしてr11、r12、r13を演算することができる。
また、r21、r22、r23を求めるには、直線偏光子15´の方位角を45°及び−45°とし、かつ、それぞれの方位角において、ポワンカレ球PB上で原点対称である2種類の偏光光を出射させる。これにより、次の[数73]〜[数78]が得られ、更に、この[数73]〜[数78]において、r20を決定することにより、r21、r22、r23が次の[数79]〜[数82]のように求められる。
また、r31、r32、r33を求めるには、1/4波長板16を方位角−45°にして光路に挿入すると共に直線偏光子15´の方位角を0°及び90°とし、かつ、それぞれの直線偏光子15´の方位角において、ポワンカレ球PB上で原点対称である2種類の偏光光を出射させる。これにより、これにより、次の[数82]〜[数87]が得られ、更に、この[数82]〜[数87]において、r30を決定することにより、r31、r32、r33が次の[数88]〜[数90]のように求められる。
一方、r01、r02、r03は、以下の[数91]〜[数93]のようにして共通に算出される。
以上のように、r10、r20、r30を決定できれば、照明光学系3とフォトマスク5を含む光学系全体のミュラー行列(R)を、投影光学系6のミュラー行列(M)とは独立に同定することができる。これらr10、r20、r30は、上記の関係式より次の[数94]〜[数96]で表わされる。
但し、各係数は、次の[数97]のようにおいた。
このようにして、照明光学系3とフォトマスク5とからなる光学系のミュラー行列(R)が求まると、この逆行列(R−1)を用いて、第1の実施の形態に示す方法で測定された、照明光学系3から投影光学系6までの全光学系のミュラー行列(M´)を、以下のように補正することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、様々な変更、追加等が可能である。例えば、上記実施の形態では、ポワンカレ球PB上で直交する関係にある3つの偏光光(S(1))〜(S(3))と、これらとポワンカレ球PB上で原点対称である偏光光(S(4))〜(S(6))の計6種類の偏光光を入射させていたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、3つの直交関係にある偏光光(S(1))〜(S(3))の他には、偏光光(S(4))〜(S(6))のうちの任意の1つのみを入射させ、4種類の偏光光のみを測定対象としての光学系に入射させるだけでも十分である。
6種類の投影光(S(1))〜(S(6))を、ミュラー行列(M)を有する光学系により変換した変換偏光光(S(1)´)〜(S(6)´)は、次のように表わされる。
例えば(S(1)´)と(S(4)´)とから、ミュラー行列(M)の2行目及び2行目は、次のようにして求められる。
このようにしてミュラー行列(M)の4行のうち2行が求まれば、残りの2行は残り2つの変換偏光光(S(2))と(S(3))、又は(S(5))と(S(6))により求められる。
本発明の第1の実施の形態が適用される露光装置100の構成を示す。 第1偏光変換装置2の構成を示す。 第1偏光偏光装置2から射出される偏光光(S(1))、(S(2))、(S(3))、(S(4))、(S(5))、(S(6))を、ポワンカレ球PB上で表現している。 第2偏光変換装置7の構成を示す。 第2偏光変換装置7の構成を示す。 ミュラー行列(M)の測定結果の一例を示す。 本発明の第3の実施の形態が適用される露光装置100の構成を示す。 本発明の第4の実施の形態が適用される露光装置100の構成を示す。
符号の説明
100・・・露光装置、 1・・・光源装置、 2・・・第1偏光変換装置、 3・・・照明光学系、 5・・・フォトマスク、 6・・・投影光学系、 7・・・第2偏光変換装置、 8・・・光検出器、 9・・・第3偏光変換装置、 10・・・結像面、 11・・・演算制御部、 12・・・ドライバ、 13・・・ドライバ、 14・・・A/D変換器、 15、15´・・・直線偏光子、 16・・・1/4波長板、 21・・・1/2波長板、 22・・・1/4波長板、 PB・・・ポワンカレ球、 71・・・1/4波長板、 72・・・直線偏光子

Claims (19)

  1. 光束を発する光源と、
    被露光体上に形成するマスクパターンを備えたフォトマスクと、
    前記光束を前記フォトマスクに導く照明光学系と、
    前記マスクパターンの像を前記被露光体上に投影するための投影光学系と
    を備えた露光装置において、
    前記光束をポワンカレ球上で直交する関係にある複数の偏光光のいずれかに順次変換して出力する第1の偏光変換装置と、
    前記投影光学系による前記マスクパターンの像の結像位置の近傍に載置され前記偏光光が前記照明光学系と前記フォトマスクと前記投影光学系とを通過した後の変換偏光光の光強度を検出する光強度検出部と、
    直線偏光子及び直線移相子を含み前記変換偏光光の光路に挿入される第2の偏光変換装置と、
    前記直線偏光子の方位角及び前記直線移相子の挿脱又は方位角を切り替えることにより前記光強度検出部で検出される前記光強度の複数のデータを取得して、得られた複数の光強度のデータに基づき前記変換偏光光のストークスパラメータを演算するパラメータ演算部と、
    演算された前記変換偏光光のストークスパラメータ及び前記第1偏光変換装置から出力された前記偏光光のストークスパラメータとに基づいて前記第2偏光変換装置が挿入された位置の手前に存在する光学系のミュラー行列を演算するミュラー行列演算部と
    を備えたことを特徴とする露光装置。
  2. 前記直線偏光子は、方位角を45×n°(nは整数)に設定可能とされた 請求項1記載の露光装置。
  3. 前記パラメータ演算部は、
    前記直線移相子を離脱させるか又は前記直線偏光子と方位角を一致させると共に前記直線偏光子の方位角を0°、90°、45°及び−45°に設定してそれぞれの方位角において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、
    前記直線移相子を前記直線偏光子の方位角と異なる所定の方位角で挿入すると共に前記直線偏光子の方位角を0°及び90°の間、又は45°及び−45°の間で切り替えて、この切り替えの前後において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、
    これらの光強度のデータに基いて、前記変換偏光光のストークスパラメータを演算することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  4. 前記パラメータ演算部は、
    前記直線移相子を離脱させるか又は前記直線偏光子と方位角を一致させると共に前記直線偏光子の方位角を0°及び90°に順次設定してそれぞれの方位角において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、これらの光強度のデータに基いて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算し、
    前記直線移相子を離脱させるか又は前記直線偏光子と方位角を一致させると共に前記直線偏光子の方位角を45°及び−45°に順次設定してそれぞれの方位角において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、これらの光強度のデータに基いて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算し、
    前記直線移相子を前記直線偏光子の方位角と異なる所定の方位角で挿入すると共に前記直線偏光子の方位角を0°及び90°の間、又は45°及び−45°の間で切り替えて、この切り替えの前後において前記光強度検出部で検出された光強度のデータを取得し、これらの光強度のデータに基づいて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  5. 前記直線移相子は、1/4波長板である請求項1乃至4いずれか1項に記載の露光装置。
  6. 前記1/4波長板は、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算する場合において、第1の方位角と、この第1の方位角とは90°異なる第2の方位角とで挿入され、前記パラメータ演算部は、それぞれの方位角において光強度のデータを得て、前記変換偏光光のストークスパラメータを演算する請求項5記載の露光装置。
  7. 前記光源が発する前記光束は直線偏光光であり、
    前記第1の偏光変換装置は、偏光回転素子及び1/4波長板により構成され、
    前記1/4波長板は、直線偏光を円偏光に変換する場合に、前記偏光回転素子を通過した前記光束の偏光方向に対し方位角が45°となるようにして挿入され、それ以外の場合には前記光束の変更方向と方位角が一致するようにして挿入されるか又は前記光束の光路から離脱される
    ことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  8. 前記偏光回転素子は、前記光束を基準として方位角を22.5度おきに変化させることができるように構成された1/2波長板である請求項7記載の露光装置。
  9. 前記偏光回転素子は、前記光束を基準として方位角を45度おきに変化させることができるように構成された1/2波長板である請求項7記載の露光装置。
  10. 前記偏光回転素子は、偏光解消素子と方位角を変更可能な直線偏光子とから構成された請求項7記載の露光装置。
  11. 前記フォトマスクと前記投影光学系との間に、方位角を45×n°(nは整数)に設定可能とされた直線偏光子及び直線移相子を含む第3の偏光変換装置を配置することができるように構成されたことを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  12. 前記パラメータ演算部は、前記第3の偏光変換装置の前記直線偏光子の方位角と前記第3偏光変換装置の前記直線移相子の挿脱又は方位角とを複数通りの状態に切り替えると共に前記それぞれの状態においてポワンカレ球上で原点対称な2種類の偏光光のいずれかを前記第1の偏光変換装置から出射させることにより前記光強度検出部から複数通りの光強度のデータを取得し、この複数通りの光強度データに基づき前記フォトマスク及び前記照明光学系のミュラー行列のパラメータを演算する請求項11記載の露光装置。
  13. 光源からの光束を照明光学系によりフォトマスクに導き、このフォトマスクに形成されたマスクパターンを投影光学系を介して被露光体に露光する露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法であって、
    前記光束をポワンカレ球上で直交する関係にある複数の偏光光に順次変換して出力する偏光変換ステップと、
    前記偏光光を前記照明光学系、前記フォトマスク又は前記投影光学系に入射させて前記光学系が有するミュラー行列に基づく変換を行なって変換偏光光を得るステップと、
    直線偏光子を前記変換偏光光の光路に挿入し、その方位角を適宜切り替えると共に、この直線偏光子に加えて直線移相子を前記変換偏光光の光路において所定の方位角で適宜挿入する切り替えステップと、
    前記切り替えステップによる切り替え状態毎に前記変換偏光光の光強度を前記マスクパターンの像の結像位置の近傍において測定する光強度測定ステップと、
    得られた複数の光強度に基づき前記変換偏光光のストークスパラメータを演算するパラメータ演算ステップと、
    演算された前記変換偏光光のストークスパラメータ及び前記偏光変換ステップによる前記偏光光のストークスパラメータとに基づいて前記直線偏光子又は前記直線移相子よりも上流にある光学系のミュラー行列を演算するミュラー行列演算ステップと
    を備えたことを特徴とする、露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法。
  14. 前記直線偏光子は、方位角を45×n°(nは整数)に設定される請求項13記載の、露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法。
  15. 前記切り替えステップは、
    前記直線移相子を離脱させるか又は前記直線偏光子と方位角を一致させると共に前記直線偏光子の方位角を0°、90°、45°及び−45°に切り替える切り替え状態と、
    前記直線移相子を前記直線偏光子の方位角と異なる所定の方位角で挿入すると共に前記直線偏光子の方位角を0°及び90°の間、又は45°及び−45°の間で切り替える切り替え状態と
    を実現するものである、請求項13記載の露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法。
  16. 前記切り替えステップにおいて、前記直線移相子を離脱させるか又は前記直線偏光子と方位角を一致させると共に前記直線偏光子の方位角を0°及び90°に設定し、前記光強度測定ステップにおいて、0°、90°それぞれの方位角において前記変換偏光光の光強度のデータを取得し、前記パラメータ演算ステップにおいて、これらの光強度のデータに基いて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算し、
    前記切り替えステップにおいて、前記直線移相子を離脱させるか又は前記直線偏光子と方位角を一致させると共に前記直線偏光子の方位角を45°及び−45°に設定し、前記光強度測定ステップにおいて、45°、−45°それぞれの方位角において前記変換偏光光の光強度のデータを取得し、前記パラメータ演算ステップにおいて、これらの光強度のデータに基いて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算し、
    前記切り替えステップにおいて、前記直線移相子を前記直線偏光子の方位角とは異なる所定の方位角で挿入すると共に前記直線偏光子の方位角を0°及び90°の間、又は45°及び−45°の間で切り替え、前記光強度測定ステップにおいて、この切り替えの前後における前記変換偏光光の光強度のデータを取得し、これらの光強度のデータに基づいて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算する
    ことを特徴とする請求項13記載の露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法。
  17. 前記直線移相子は1/4波長板であり、前記切り替えステップにおいて、前記変換偏光光のストークスパラメータ(s’、s’、s’、s’)のs’及びs’を演算するため、前記1/4波長板は、第1の方位角と、この第1の方位角とは90°異なる第2の方位角とで挿入され、前記パラメータ演算ステップでは、それぞれの方位角において光強度のデータを得て、前記変換偏光光のストークスパラメータを演算する請求項16記載の露光装置。
  18. 前記切り替えステップにおいて、前記直線偏光子及び前記直線移相子を前記フォトマスク下流側に挿入して、この状態で前記パラメータ演算ステップを実行して、前記フォトマスク及び/又は前記照明光学系のミュラー行列を演算する請求項12乃至16いずれか1項に記載の、露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法。
  19. 前記切り替えステップにおいて、前記直線偏光子の方位角と前記直線移相子の挿脱又は方位角とを複数通りの状態に切り替えると共に、
    前記パラメータ演算ステップでは、前記それぞれの状態においてポワンカレ球上で原点対称な2種類の偏光光のいずれかを前記第1の偏光変換装置から出射させることにより前記光強度検出部から複数通りの光強度のデータを取得し、この複数通りの光強度データに基づき前記フォトマスク及び/又は前記照明光学系のミュラー行列のパラメータを演算する、請求項18記載の、露光装置の光学系のミュラー行列を測定する方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237617A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、偏光特性を決定する方法
JP2007188927A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2007242903A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Sony Corp 半導体露光装置、露光光偏光状態観測方法および半導体装置の製造方法
JP2008544507A (ja) * 2005-06-13 2008-12-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 偏光アナライザ、偏光センサおよびリソグラフィ装置の偏光特性を判定するための方法
EP2009500A2 (en) 2007-06-25 2008-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7564553B2 (en) 2005-12-01 2009-07-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Polarization evaluation mask, polarization evaluation method, and polarization determination device
US7675629B2 (en) 2006-09-12 2010-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using a common path interferometer to form an interference pattern and a processor to calculate optical characteristics of projection optics using the interference pattern
US7688424B2 (en) 2007-09-11 2010-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method
US7796257B2 (en) 2006-01-13 2010-09-14 National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology Measuring apparatus, measuring method, and characteristic measurement unit
WO2013042679A1 (ja) * 2011-09-19 2013-03-28 株式会社ニコン 照明光学装置、光学系ユニット、照明方法、並びに露光方法及び装置
US8559009B2 (en) 2011-02-18 2013-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Image calculation method

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006011296A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Toshiba Corp 偏光素子、偏光素子の製造方法、及び露光装置の評価方法
US7271874B2 (en) * 2004-11-02 2007-09-18 Asml Holding N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
JP4942301B2 (ja) * 2004-11-30 2012-05-30 新光電気工業株式会社 直接露光装置および直接露光方法
JP2006279017A (ja) * 2005-03-02 2006-10-12 Canon Inc 露光装置及び方法、計測装置、並びに、デバイス製造方法
KR100949170B1 (ko) * 2005-06-13 2010-03-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 수동 레티클 툴, 리소그래피 장치 및 리소그래피 툴 내의디바이스를 패터닝하는 방법
KR20080018203A (ko) * 2005-06-24 2008-02-27 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 조명 시스템의 편광의 특성을 기술하기 위한 방법 및디바이스
US20070261452A1 (en) * 2006-01-05 2007-11-15 Harbert Charles S Aeration or air floors and methods for constructing and using such floors
WO2007111159A1 (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology 光学特性計測装置及び光学特性計測方法、並びに、光学特性計測ユニット
JP5033015B2 (ja) * 2008-02-15 2012-09-26 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
TW201129854A (en) * 2009-08-07 2011-09-01 Toshiba Kk Polarization evaluation mask, exposure device, and polarization evaluation method
US8427645B2 (en) * 2011-01-10 2013-04-23 Nanometrics Incorporated Mueller matrix spectroscopy using chiroptic
US11029253B2 (en) * 2017-03-30 2021-06-08 Applied Materials Israel Ltd. Computerized method for configuring an inspection system, computer program product and an inspection system
US10816649B1 (en) * 2017-09-14 2020-10-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Temporally multiplexed LADAR polarimeter
US11010881B2 (en) 2018-05-16 2021-05-18 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Second-harmonic patterned polarization-analyzed reflection confocal microscope
JP2020122930A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 キヤノン株式会社 計測装置、露光装置及び物品の製造方法
CN110954481B (zh) * 2019-11-13 2022-07-01 天津大学 导管偏振敏感光学相干层析成像优化平均偏振解调方法
CN113281267B (zh) * 2021-05-14 2022-05-20 华中科技大学 一种双旋转补偿器型穆勒矩阵椭偏仪***参数的校准方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5072126A (en) * 1990-10-31 1991-12-10 International Business Machines Corporation Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens
US5661560A (en) * 1993-08-23 1997-08-26 Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation Elliptical light measuring method
US6208415B1 (en) * 1997-06-12 2001-03-27 The Regents Of The University Of California Birefringence imaging in biological tissue using polarization sensitive optical coherent tomography
JP4629869B2 (ja) * 1998-02-20 2011-02-09 ハインズ インスツルメンツ インコーポレイテッド 複屈折特性測定方法および装置
CN1272622C (zh) * 1998-04-22 2006-08-30 株式会社理光 双折射测定方法及其装置
WO2002103310A1 (en) * 2001-06-18 2002-12-27 Hinds Instruments, Inc Birefringence measurement at deep-ultraviolet wavelengths
US6844972B2 (en) * 2001-10-30 2005-01-18 Mcguire, Jr. James P. Reducing aberration in optical systems comprising cubic crystalline optical elements
JP3679774B2 (ja) * 2002-03-29 2005-08-03 キヤノン株式会社 複屈折測定装置及び方法
US7420675B2 (en) * 2003-06-25 2008-09-02 The University Of Akron Multi-wavelength imaging system

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237617A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、偏光特性を決定する方法
JP4717112B2 (ja) * 2005-06-13 2011-07-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 偏光アナライザ、偏光センサおよびリソグラフィ装置の偏光特性を判定するための方法
JP2008544507A (ja) * 2005-06-13 2008-12-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 偏光アナライザ、偏光センサおよびリソグラフィ装置の偏光特性を判定するための方法
JP4691594B2 (ja) * 2005-06-13 2011-06-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. パッシブレチクルツール、リソグラフィ装置およびリソグラフィツール内のデバイスをパターニングする方法
JP2008546219A (ja) * 2005-06-13 2008-12-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. アクティブレチクルツールおよびリソグラフィ装置
JP2008546218A (ja) * 2005-06-13 2008-12-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影システムおよび投影レンズ偏光センサ
JP2008547190A (ja) * 2005-06-13 2008-12-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. パッシブレチクルツール、リソグラフィ装置およびリソグラフィツール内のデバイスをパターニングする方法
JP4739411B2 (ja) * 2005-06-13 2011-08-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ投影システムおよび投影レンズ偏光センサ
JP4820870B2 (ja) * 2005-06-13 2011-11-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. アクティブレチクルツールおよびリソグラフィ装置
US7564553B2 (en) 2005-12-01 2009-07-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Polarization evaluation mask, polarization evaluation method, and polarization determination device
US7593102B2 (en) 2005-12-01 2009-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Polarization evaluation mask, polarization evaluation method, and polarization determination device
JP2007188927A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7796257B2 (en) 2006-01-13 2010-09-14 National University Corporation Tokyo University Of Agriculture And Technology Measuring apparatus, measuring method, and characteristic measurement unit
JP2007242903A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Sony Corp 半導体露光装置、露光光偏光状態観測方法および半導体装置の製造方法
US7675629B2 (en) 2006-09-12 2010-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using a common path interferometer to form an interference pattern and a processor to calculate optical characteristics of projection optics using the interference pattern
US7956987B2 (en) 2007-06-25 2011-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2009500A2 (en) 2007-06-25 2008-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7688424B2 (en) 2007-09-11 2010-03-30 Canon Kabushiki Kaisha Measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method
US8559009B2 (en) 2011-02-18 2013-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Image calculation method
WO2013042679A1 (ja) * 2011-09-19 2013-03-28 株式会社ニコン 照明光学装置、光学系ユニット、照明方法、並びに露光方法及び装置

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