JP2006237617A - リソグラフィ装置、偏光特性を決定する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は、照明系ILと支持体と基板テーブルと投影系PSと検出器14とを含む。この装置は、4分の1波長板などの調整可能な偏光変化素子10と、直線偏光子などの偏光アナライザ12とをさらに含み、偏光変化素子及び偏光アナライザはパターン形成機器が支持体によって保持される位置のビーム経路内に整列配置される。検出器14を使用して、偏光変化素子10の互いに異なる回転向きに対し強度測定を行うことにより、パターン形成機器位置の放射偏光状態の情報を得ることができる。偏光アナライザ12が投影系PSより前に位置するので、検出器14が基板高さなど、投影系PSより後に位置することが測定に影響を及ぼさない。
【選択図】図2
Description
放射ビームを調整するように構成された照明系と、
パターン形成された放射ビームを形成するために、放射ビームの断面内にパターンを付与することが可能なパターン形成機器を支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の目標部分上に、パターン形成された放射ビームを投影するように構成された投影系と、
放射が投影系を通り抜けた後にその放射の強度を測定する検出器と
を含むリソグラフィ装置において、
調整可能な偏光変化素子と、
偏光アナライザと
をさらに含み、
偏光変化素子及び偏光アナライザが、パターン形成機器が支持体によって保持される位置のビーム経路内に整列配置されることを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
放射ビームを調整するように構成された照明系と、
パターン形成された放射ビームを形成するために、放射ビームの断面内にパターンを付与することが可能なパターン形成機器を支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の目標部分上に、パターン形成された放射ビームを投影するように構成された投影系と、
基板位置で放射ビームの波面を測定する干渉センサであって、検出器を有し、パターン形成機器位置でソース・モジュールと連動して作動して放射を調整して投影系のひとみをオーバーフィルする干渉センサと
を含むリソグラフィ装置において、
投影系より前に放射を偏光する調整可能な偏光子をさらに含むことを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
放射ビームを調整するように構成された照明系と、
パターン形成された放射ビームを形成するために、放射ビームの断面内にパターンを付与することが可能なパターン形成機器を支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の目標部分上に、パターン形成された放射ビームを投影するように構成された投影系と、
放射が投影系を通り抜けた後にその放射の強度を測定するための検出器と、
調整可能な偏光変化素子と、
偏光アナライザと
を含み、
偏光変化素子及び偏光アナライザが、パターン形成機器が支持体によって保持される位置の放射ビーム経路内に整列配置されるリソグラフィ装置の少なくとも1つの偏光特性を求める方法において、
偏光変化素子の複数の互いに異なる設定の強度測定を行うために検出器を使用する工程と、
放射が偏光変化素子に遭遇する前に、強度測定から放射の偏光状態についての情報を求める工程と
を含む方法が提供される。
放射ビームを調整するように構成された照明系と、
パターン形成された放射ビームを形成するために、放射ビームの断面内にパターンを付与することが可能なパターン形成機器を支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の目標部分上に、パターン形成された放射ビームを投影するように構成された投影系と、
基板位置で放射ビームの波面を測定する干渉センサであって、検出器を有し、パターン形成機器位置でソース・モジュールと連動して作動して放射を調整して投影系のひとみをオーバーフィルする干渉センサと、
投影系より前に放射を偏光する調整可能な偏光子と
を含むリソグラフィ装置の少なくとも1つの偏光特性を求める方法において、
偏光子の2つの互いに異なる設定に対する放射ビーム波面をそれぞれ測定するために、干渉センサを使用する工程と、
波面測定から、投影系の偏光を生じさせる特性についての情報を求める工程と
を含む方法が提供される。
放射ビームPB(例えば、UV放射又はEUV放射)を調整するように構成された照明系(照明装置)ILと、
パターン形成機器(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、あるパラメータに従ってパターン形成機器を正確に位置決めするように構成された第1の位置決め装置PMに接続された支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTと、
基板(例えば、レジスト被膜のウェハ)Wを保持するように構成され、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えば、ウェハ・テーブル)WTと、
パターン形成機器MAによって放射ビームBに付与されたパターンを、基板Wの目標部分C(例えば、1つ又は複数のダイを含む)上に投影するように構成された投影系(例えば、屈折投影レンズ系)PSとを含む。
ただしE0及びE1は、ゼロ回折次数及び第1回折次数に対する回折効率、kは位相ステップ距離、pは格子周期数(波動単位)、Wは波面収差(波動単位)、ρはひとみ内の位置である。シアリング距離が短い場合、波面位相差は波面の導関数に近似する。ソース・モジュールSMを干渉センサISに対してわずかにずらしながら連続的に強度測定を行うことによって、検出される放射強度は変調する(上記数式内の位相ステップ因子k/pが変更される)。変調信号の第1の調和関数(基本周波数としての格子周期を有する)は、当該回折次数(0及び±1)に対応する。(ひとみ位置の関数としての)位相分布は、当該波面差に対応する。ほぼ直交する2つの方向にシアリングすることによって、2つの方向の波面差を考える。
の偏光手はずを整えて干渉計によるシアリング計測を繰り返す。先の測定と同様に、A0x=0である。一般方程式である数式(17)〜(19)にしたがって、シアリング干渉法を使用して次のパラメータを測定することができる。
Claims (19)
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整するように構成された照明系と、
パターン形成された放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面内にパターンを付与することが可能なパターン形成機器を支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板の目標部分上に、前記パターン形成された放射ビームを投影するように構成された投影系と、
放射が前記投影系を通り抜けた後にその放射の強度を測定する検出器と
調整可能な偏光変化素子と、
偏光アナライザと
を含み、
前記偏光変化素子及び前記偏光アナライザが、前記パターン形成機器が前記支持体によって支持される位置の放射ビーム経路内に整列配置されるリソグラフィ装置。 - 前記偏光変化素子が回転可能及び/又は交換可能であることによって調整可能である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記偏光変化素子が4分の1波長板である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記偏光アナライザが直線偏光子である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記偏光アナライザが互いに空間的に離れた2つの垂直直線偏光放射成分を出力するように構成された偏光ビーム・スプリッタである、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記偏光アナライザが基本的にKDPからなる、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整するように構成された照明系と、
パターン形成された放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面内にパターンを付与することが可能なパターン形成機器を支持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板の目標部分上に、前記パターン形成された放射ビームを投影するように構成された投影系と、
前記基板位置で前記放射ビームの波面を測定する干渉センサであって、検出器を有し、前記パターン形成機器位置でソース・モジュールと連動して作動して放射を調整して前記投影系のひとみをオーバーフィルする干渉センサと
前記投影系より前に前記放射を偏光する調整可能な偏光子と
を含むリソグラフィ装置。 - 前記偏光子が直線偏光子であり、回転可能又は交換可能のうち少なくとも1つであることによって調整可能であり、その結果前記放射を2つの異なる方向に順次偏光する、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記検出器による測定結果を取り入れ、調整可能な素子を制御し、また前記装置の少なくとも1つの偏光特性を計算する制御器をさらに含む、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御器が前記装置の少なくとも1つの計算された偏光特性に応じて前記装置の1つ又は複数の素子をさらに制御する、請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記検出器による測定結果を取り入れ、調整可能な素子を制御し、また前記装置の少なくとも1つの偏光特性を計算する制御器をさらに含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御器が前記装置の少なくとも1つの計算された偏光特性に応じて前記装置の1つ又は複数の素子をさらに制御する、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置の偏光変化素子の互いに異なる複数の設定の強度測定を行うために検出器を使用する工程と、
放射が前記偏光変化素子に遭遇する前に、前記強度測定から前記放射の偏光状態についての情報を求める工程と
を含む、リソグラフィ装置の少なくとも1つの偏光特性を求める方法。 - リソグラフィ装置内においてその投影系より前に位置する調整可能な偏光子の少なくとも2つの互いに異なる設定に対し、前記装置の基板位置における前記放射ビームの波面をそれぞれ測定するために、前記リソグラフィ装置の干渉センサを使用する工程と、
前記波面測定から、前記投影系の偏光を生じさせる特性についての情報を求める工程と
を含む、リソグラフィ装置の少なくとも1つの偏光特性を求める方法。 - 前記投影系の偏光を生じさせる特性についての前記情報がジョーンズ行列の少なくとも1つの要素として表される、請求項14に記載の方法。
- 前記干渉センサがずれ方向に相互に移動する少なくとも2つの波面間にシアリング干渉を提供するために配置された格子を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記調整可能な偏光子の前記少なくとも2つの互いに異なる設定がずれ方向に沿った直線偏光とずれ方向に直交する直線偏光とを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記方法が、前記リソグラフィ装置の投影系のひとみにおける、強度変動の振幅空間分布と、前記調整可能な偏光子の前記少なくとも2つの互いに異なる設定それぞれの平均強度とを測定する工程をさらに含む、請求項16又は17に記載の方法。
- 前記方法が、前記リソグラフィ装置の投影系のひとみにおける、前記調整可能な偏光子の前記少なくとも2つの互いに異なる設定それぞれの強度変動の位相空間分布を測定する工程をさらに含む、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/065,349 | 2005-02-25 | ||
US11/065,349 US7375799B2 (en) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | Lithographic apparatus |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009190966A Division JP2009278133A (ja) | 2005-02-25 | 2009-08-20 | リソグラフィ装置、偏光特性を決定する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006237617A true JP2006237617A (ja) | 2006-09-07 |
JP4979958B2 JP4979958B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=36931662
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006048306A Active JP4979958B2 (ja) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | リソグラフィ装置、偏光特性を決定する方法 |
JP2009190966A Pending JP2009278133A (ja) | 2005-02-25 | 2009-08-20 | リソグラフィ装置、偏光特性を決定する方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009190966A Pending JP2009278133A (ja) | 2005-02-25 | 2009-08-20 | リソグラフィ装置、偏光特性を決定する方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7375799B2 (ja) |
JP (2) | JP4979958B2 (ja) |
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JP2009278133A (ja) | 2009-11-26 |
JP4979958B2 (ja) | 2012-07-18 |
US20060203221A1 (en) | 2006-09-14 |
US20060192937A1 (en) | 2006-08-31 |
US20130176547A1 (en) | 2013-07-11 |
US9170498B2 (en) | 2015-10-27 |
US7375799B2 (en) | 2008-05-20 |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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|
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
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