JP2005101504A - レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】
発光手段の偏光状態に拘らず、又複数の発光素子を具備する発光手段に於いても、又波長の異なる複数のレーザ光線を発する発光素子を具備する発光手段に於いても、確実に而も高精度に射出されるレーザ光線の定出力制御を行えるレーザ装置を提供する。
【解決手段】
レーザ光線５を分割して得られるモニタ光６を基にレーザ発振器１の出力を制御するレーザ装置に於いて、レーザ光線を発する発光手段１１と、前記レーザ光線の光路に配設され該レーザ光線の一部をモニタ光として反射する光束分割手段３と、前記モニタ光を受光する受光手段４を具備し、前記光束分割手段は前記レーザ光線に対して入射したレーザ光線の偏光状態に拘らず反射率が略一定となる入射角の反射面を有する。
【選択図】 図３

Description

本発明はレーザ装置、特にレーザ出力制御を行うレーザ装置に関するものである。

図１３によりレーザの出力制御を行っている従来のレーザ装置について概略を説明する。

図１３中、１はレーザ発振器、２は電源、制御部を含む駆動装置、３は光束分割手段、４は前記光束分割手段３に対向して設けられた受光器である。

前記レーザ発振器１から出力されるレーザ光線５の光路中に前記光束分割手段３が４５゜の反射面を持つ様に配設され、該光束分割手段３は前記レーザ光線５の一部、例えば２％〜５％を反射し、該レーザ光線５の大部分を透過する。前記受光器４は前記光束分割手段３で反射された反射光６（以下モニタ光６）を受光し、受光強度信号として前記駆動装置２に入力する。

該駆動装置２は前記モニタ光６の光強度が一定となる様に前記レーザ発振器１を定出力制御（ＡＰＣ：Ａｕｔｏ ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｔｒｏｌ）する。

図１４は前記レーザ発振器１が半導体レーザ励起固体レーザである場合を示している。図１４中、図１３中で示したものと同一のものには同符号を付してある。又、図１４で示すレーザ発振器１は、半導体レーザからのレーザ光線の周波数を変換する内部共振型ＳＨＧ方式のＬＤ励起固体レーザである。

図１４中、８は発光部、９は光共振部である。前記発光部８は発光手段としてＬＤ発光器１１、集光レンズ１２を具備し、更に前記光共振部９は第１の誘電体反射膜１３が形成されたレーザ結晶１４、非線形光学媒質（ＮＬＯ）１５、第２の誘電体反射膜１６が形成された凹面鏡１７を具備している。前記光共振部９に於いてレーザ光線でポンピングし、共振、増幅して出力している。尚、前記レーザ結晶１４としては、Ｎｄ：ＹＶＯ4 、前記非線形光学媒質１５としてはＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ：リン酸チタニルカリウム）が挙げられる。

前記ＬＤ発光器１１は、例えば励起光として波長８０９nmの直線偏光のレーザ光線を射出する為のものであり、発光素子として半導体レーザ１１ａが使用されている。尚、レーザ発光手段は半導体レーザに限ることなく、レーザ光線を生じさせることができれば、何れのレーザ発光手段をも採用することができる。

前記レーザ結晶１４は光の増幅を行う為のものである。該レーザ結晶１４には、発振線が１０６４nmのＮｄ：ＹＶＯ4 が使用される。その他、Ｎｄ3+イオンをドープしたＹＡＧ（イットリウム アルミニウム ガーネット）等が採用され、ＹＡＧは、９４６nm、１０６４nm、１３１９nm等の発振線を有している。又、発振線が７００〜９００nmのＴｉ（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）等を使用することもできる。

前記第１の誘電体反射膜１３は、前記ＬＤ発光器１１からのレーザ光線に対して高透過であり、且つ前記レーザ結晶１４の発振波（基本波）に対して高反射であると共に、波長変換光、例えば第２次高調波（ＳＨＧ：ＳＥＣＯＮＤ ＨＡＲＭＯＮＩＣ ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ）に対しても高反射となっている。

前記凹面鏡１７は、前記レーザ結晶１４に対向する様に構成されており、前記凹面鏡１７の前記レーザ結晶１４側は、適宜の半径を有する凹球面鏡の形状に加工されており、前記第２の誘電体反射膜１６が形成されている。該第２の誘電体反射膜１６は、前記レーザ結晶１４の発振波（基本波）に対して高反射であり、ＳＨＧに対して高透過となっている。

上述した様に、前記レーザ結晶１４の前記第１の誘電体反射膜１３と、前記凹面鏡１７の前記第２の誘電体反射膜１６とを組合わせ、前記ＬＤ発光器１１からのレーザ光線を前記集光レンズ１２を介して前記レーザ結晶１４をポンピングさせると、該レーザ結晶１４の前記第１の誘電体反射膜１３と、前記第２の誘電体反射膜１６との間で光が往復し、光を長時間閉込めることができるので、光を共振させて増幅させることができる。

前記レーザ結晶１４の前記第１の誘電体反射膜１３と、前記凹面鏡１７とから構成された光共振器内に前記非線形光学媒質１５が挿入されている。該非線形光学媒質１５にレーザ光線の様に強力なコヒーレント光が入射すると、光周波数を２倍にする第２次高調波（ＳＨＧ）が発生する。該第２次高調波（ＳＨＧ）の発生は、ＳＥＣＯＮＤ ＨＡＲＭＯＮＩＣ ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮと呼ばれている。従って、前記レーザ発振器１からは、波長５３２nmのレーザ光線が射出される。

前記したレーザ発振器１は前記非線形光学媒質（以下波長変換素子）１５を、前記レーザ結晶１４と前記凹面鏡１７とから構成された光共振器内に挿入しているので、内部型ＳＨＧと呼ばれており、変換出力は、励起光電力の２乗に比例するので、光共振器内の大きな光強度を直接利用できるという効果がある。

図１４で示した固体レーザ装置に於いて、前記波長変換素子１５で発生した第２次高調波（以下波長変換光）は前記波長変換素子１５の前記凹面鏡１７側の端面、及び前記レーザ結晶１４側の端面の両方から射出される。前記凹面鏡１７側の端面から射出された波長変換光は、直接前記第２の誘電体反射膜１６、前記凹面鏡１７を透過して射出される。又、前記レーザ結晶１４側から射出された波長変換光は前記レーザ結晶１４を透過して前記第１の誘電体反射膜１３で反射され、前記波長変換素子１５、前記第２の誘電体反射膜１６、前記凹面鏡１７を透過して射出される。

前記レーザ結晶１４には波長板作用があり、前記波長変換光が前記レーザ結晶１４を透過することで、偏光面が回転し楕円偏光となる。従って、前記凹面鏡１７から射出される波長変換光は、楕円偏光成分、即ちＰ直線偏光、Ｓ直線偏光の両直線偏光成分を含むレーザ光線となる。

Ｐ直線偏光、Ｓ直線偏光はそれぞれ反射面に対する入射角度により反射率が変化するという特性を持っている。図１５は、Ｐ直線偏光、Ｓ直線偏光の入射角の変化に対応した反射率の変化を示している。図１５から、Ｐ直線偏光、Ｓ直線偏光共に入射角が０から略１０°迄は反射率が略一定であり、Ｓ直線偏光については入射角が９０°迄漸次増加し、Ｐ直線偏光については約５６°迄反射率が減少し、約５６°で反射率が略０となり、以降９０°迄増加し、入射角９０°でＳ直線偏光と反射率が一致する。

又、図１６に示される様に、反射面に反射防止膜（ＡＲコート）を施した場合、成膜した反射防止膜の反射抑止波長λ1 が、対象波長λ0 よりずれた場合Ｐ直線偏光とＳ直線偏光とでは反射率の相違が生じ、反射率の相違はずれ量に対応して増大してくる。

又、Ｐ直線偏光成分、Ｓ直線偏光成分の割合は、前記レーザ発振器１の温度によって変化する。従って、光路に対して４５°に配設されている前記光束分割手段３で反射されるレーザ光線は、出力されるレーザ光線５の光強度が一定であっても、Ｐ直線偏光成分、Ｓ直線偏光成分の割合の変動により、モニタ光６の光強度が変動することになる。例えば、入射角５６°の近傍ではＰ偏光成分は殆ど反射されず、受光されるのはＳ偏光のみとなり、実際のレーザ光線の強度は検出し得ない。この為、高い精度で定出力制御を行えないという問題があった。

又、複数の半導体レーザ１１ａを具備した発光手段に於いて、定出力制御を行う場合、個々の半導体レーザ１１ａの定出力制御を行うことは困難であるので、全体の定出力制御を行うことになる。特に、半導体レーザ１１ａを列、或はマトリックス状に配列した半導体レーザアレイでは、個々の半導体レーザ１１ａを独立して発光させることはできず、個々の半導体レーザ１１ａを定出力制御することはできない。この為、個々の半導体レーザ１１ａの個々の出力変動、Ｐ直線偏光成分、Ｓ直線偏光成分の割合を監視することは困難であり、上記した光束分割手段３によりモニタ光６を得て、レーザ発振器１の出力制御を行うことは困難であり、又精度が悪いという問題がある。従って、従来では定電流制御を行うに止まっている。

更に又、波長の異なる（色の異なる）レーザ光線を発する複数の半導体レーザ１１ａを具備した発光手段を用いる場合に於いて、前記光束分割手段３での光損失を抑制する為、該光束分割手段３の反射面に反射防止膜を形成する場合、複数の波長に対する反射防止膜の形成は困難であり、又高価なものとなる。尚、適正な反射防止膜を形成しても２％以下の反射率はあり、モニタ光６の光量としては充分である。

特開平９−２５８２８０号

本発明は斯かる実情に鑑み、発光手段の偏光状態に拘らず、又複数の発光素子を具備する発光手段に於いても、又波長の異なる複数のレーザ光線を発する発光素子を具備する発光手段に於いても、確実に而も高精度に射出されるレーザ光線の定出力制御を行える様にするものである。

本発明は、レーザ光線を分割して得られるモニタ光を基にレーザ発振器の出力を制御するレーザ装置に於いて、レーザ光線を発する発光手段と、前記レーザ光線の光路に配設され該レーザ光線の一部をモニタ光として反射する光束分割手段と、前記モニタ光を受光する受光手段を具備し、前記光束分割手段は前記レーザ光線に対して入射したレーザ光線の偏光状態に拘らず反射率が略一定となる入射角の反射面を有するレーザ装置に係り、又前記入射角は約１０°以下であるレーザ装置に係り、又前記発光手段が、半導体レーザ励起固体レーザを有するレーザ装置に係り、又前記発光手段が、複数の半導体レーザ励起固体レーザを有するレーザ装置に係り、又複数の半導体レーザは複数の波長の異なるレーザ光線を発するレーザ装置に係り、又前記発光手段を収納するケースを具備し、前記光束分割手段は前記ケースのレーザ光線照射窓に設けられた透明部材であるレーザ装置に係るものである。

又本発明は、前記光束分割手段からの前記モニタ光を前記受光手段に導く導光光学手段を具備するレーザ装置に係り、又前記光束分割手段は、入射角が１０°以下になる様設けられたファイバ端面であるレーザ装置に係るものである。

又本発明は、前記導光光学手段は導光ファイバであるレーザ装置に係り、又前記導光ファイバに反射鏡を介してモニタ光が入射される様にしたレーザ装置に係り、更に又前記導光ファイバの端面内面に先端周面からモニタ光が入射する様にしたレーザ装置に係るものである。

本発明によれば、レーザ光線を分割して得られるモニタ光を基にレーザ発振器の出力を制御するレーザ装置に於いて、レーザ光線を発する発光手段と、前記レーザ光線の光路に配設され該レーザ光線の一部をモニタ光として反射する光束分割手段と、前記モニタ光を受光する受光手段を具備し、前記光束分割手段は前記レーザ光線に対して入射したレーザ光線の偏光状態に拘らず反射率が略一定となる入射角の反射面を有するので、照射されるレーザ光線の偏光状態が変動してもモニタ光は照射される光強度を正確に反映し、精度の高い出力制御を行うことが可能となる。

又、本発明によれば、前記光束分割手段の反射面をレーザ光線に対し前記入射角に設定すると、反射率は波長に対しても変化しないので、波長の異なる複数のレーザ光線を発する発光素子を具備する発光手段に於いても、確実に而も高精度に射出されるレーザ光線の定出力制御を行うことができる。

又、本発明によれば、前記導光光学手段は導光ファイバであるので、受光器の配設位置の自由度が向上し、モジュールの小型化が図れる等の優れた効果を発揮する。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。

図１、図２に於いて、本発明の第１の実施の形態を説明する。

図１中、図１３中で示したものと同等のものには同符号を付してある。

レーザ発振器１が発するレーザ光線５の光路上に光束分割手段３を配設する。該光束分割手段３は、前記レーザ光線５が反射面に略１０°以内の角度で入射する様に、設けられている。前記光束分割手段３に対向して設けられ、前記光束分割手段３からの反射光を受光する受光器（受光手段）４が設けられている。

図１５に見られる様に、反射面に対してレーザ光線が略１０°以内の入射角で入射した場合、反射率はＰ直線偏光、Ｓ直線偏光共に一定である。更に、本発明者は、レーザ光線が略１０°以内の入射角で入射した場合、波長に拘らずＰ直線偏光、Ｓ直線偏光共に反射率が一定であることも確認している。

本発明は、このレーザ光線の反射特性を利用したものである。

即ち、前記光束分割手段３の反射面にレーザ光線５が略１０°以内の角度で入射する様になっているので、該レーザ光線５の偏光状態が変動し、Ｐ直線偏光成分、Ｓ直線偏光成分の割合が変化したとしても、Ｐ直線偏光、Ｓ直線偏光のそれぞれの反射率は変化しないので、前記光束分割手段３で反射されるレーザ光線、即ちモニタ光６は常に前記レーザ光線５の光強度を正確に反映するものとなる。

従って、駆動装置２は、受光器４から入力される受光信号を基に該受光器４の受光強度が一定となる様に前記レーザ発振器１の出力を制御することで、レーザ発振器１を高精度で定出力制御することができる。

尚、前記光束分割手段３は、前記レーザ光線５を僅かに反射できればよいので、例えば前記レーザ発振器１等を収納する筐体のレーザ光線射出窓を閉塞する為に設けられた透明部材、例えばガラスを利用してもよい。射出窓のガラスを前記レーザ光線５に対して約１０°以下に傾けて取付け、ガラスからの反射光をモニタ光６として利用してもよい。

図３は図１４で示した半導体レーザ励起固体レーザに本発明を実施した第２の実施の形態を示している。図３中、図１４中で示したものと同等のものには同符号を付してある。

図３で示すレーザ発振器１は、半導体レーザからのレーザ光線の周波数を変換する内部共振型ＳＨＧ方式のＬＤ励起固体レーザであり、ＬＤ発光器１１から発せられた励起光がレーザ結晶１４で基本光に変換され、更に基本光が非線形光学媒質１５で第２次高調波に波長変換される。

前記ＬＤ発光器１１、前記レーザ結晶１４、前記非線形光学媒質１５、凹面鏡１７等は一体化されたレーザ発振器１として構成され、電子冷却素子（ＴＥＣ）等の冷却器１９に設置される。

駆動装置２は入出力部２１を介して前記ＬＤ発光器１１、前記冷却器１９を駆動制御可能であり、前記ＬＤ発光器１１、前記第１の誘電体反射膜１３、前記非線形光学媒質１５の温度を検出する温度センサ２２が設けられ、該温度センサ２２及び受光器４は前記入出力部２１を介して前記駆動装置２に接続されている。

尚、図３中、２３は凹面鏡１７に対向して設けられたフィルタであり、該フィルタ２３は前記レーザ発振器１から漏れ出る不要な励起光や基本波等の赤外光をカットし、ＳＨＧ光のみを出射させる。

前記レーザ発振器１、前記入出力部２１、前記冷却器１９は密閉、好ましくは液密となっているケース２４に収納され、モジュール化される。該ケース２４のレーザ光線射出窓には光束分割手段３が光路に対して約１０°以下の角度を有する様に設けられ、前記光束分割手段３で反射されたモニタ光６が前記受光器４に入射する様になっている。

半導体レーザ１１ａから射出された励起光は、前記レーザ結晶１４により基本光に変換され、更に前記非線形光学媒質１５で波長変換され波長変換光が発生する。波長変換光の一部は、前記非線形光学媒質１５の第２の誘電体反射膜１６側の端面から直接該第２の誘電体反射膜１６を経て照射されるが、波長変換光の残りは前記レーザ結晶１４を透過し、第１の誘電体反射膜１３で反射され、前記非線形光学媒質１５を透過して前記第２の誘電体反射膜１６を経て照射される。前記レーザ結晶１４には波長板作用があるので、波長変換光の残りが前記レーザ結晶１４を透過することで、射出される波長変換光の残りはＰ直線偏光成分、Ｓ直線偏光成分を含む楕円偏光となる。

前記レーザ発振器１から射出される波長変換光（レーザ光線５）の一部は前記光束分割手段３により反射され、該光束分割手段３で反射された前記モニタ光６は前記受光器４で受光され、受光信号が前記入出力部２１を介して前記駆動装置２に送出される。該駆動装置２は受光信号を基に前記入出力部２１を介して前記ＬＤ発光器１１の出力を制御する。又、前記ＬＤ発光器１１、前記レーザ結晶１４、前記非線形光学媒質１５の温度は前記温度センサ２２により検出され、該温度センサ２２の検出温度に基づき前記冷却器１９が前記入出力部２１を介して駆動制御され、前記ＬＤ発光器１１、前記レーザ結晶１４、前記非線形光学媒質１５が所定温度に維持される様に冷却される。

前記レーザ光線５は楕円偏光となっており、又前記レーザ結晶１４の波長板作用は該レーザ結晶１４の温度によって変化するので、前記レーザ光線５のＰ直線偏光成分、Ｓ直線偏光成分の割合も変化する。

前記光束分割手段３の反射面は前記レーザ光線５に対して約１０°以下の傾きを有しているので、前記光束分割手段３の反射率はＰ直線偏光、Ｓ直線偏光に対して一定であり、前記光束分割手段３で反射される前記モニタ光６は前記レーザ光線５の光強度を正確に反映したものとなる。従って、前記駆動装置２は前記レーザ発振器１を定出力制御により精度よく駆動することができる。

図４は第３の実施の形態を示しており、該第３の実施の形態ではＬＤ発光器１１が複数の半導体レーザ１１ａを直線的或はマトリックス状に有し、更に各半導体レーザ１１ａに対応するレーザ結晶１４と非線形光学媒質１５を一体化し、前記レーザ結晶１４の端面に第１の誘電体反射膜１３を形成し、前記非線形光学媒質１５の端面に第２の誘電体反射膜１６を形成し、レーザ発振器１をチップ化したものを直線的或はマトリックス状に配列して波長変換部２５を構成したものである。

個々の前記半導体レーザ１１ａから発せられる励起光は円柱状のコリメートレンズ２６により略平行光束とされ、前記波長変換部２５に入射され、波長変換され、更にコリメートレンズ２７により１本のレーザ光線５′に束ねられ、光ファイバ等の導光手段２８に入射される。前記レーザ光線５′が入射する様に光束分割手段３が設けられ、該光束分割手段３は全ての前記レーザ光線５′に対して約１０°以下の入射角となる様に設置される。

尚、個々の前記半導体レーザ１１ａは同一波長のレーザ光線を発するものでもよく、或は波長の異なるレーザ光線を発するものでもよい。波長の異なる半導体レーザ１１ａを用いる場合、半導体レーザ１１ａの点滅により、種々の色のレーザ光線を照射することができ、本発明を投影機等の光源に対しても実施可能となる。

図４で示される第３の実施の形態は、比較的高いレーザ光線強度を要求する場合、例えばレーザ手術装置の様な医療機械に実施される。複数のレーザ光線５が束ねられて使用される様な場合、個々のレーザ光線について定出力制御するよりは束ねられたレーザ光線５′の総合出力の定出力制御を実施することが好ましい。

前記光束分割手段３で反射されたモニタ光６は、個々のレーザ光線５の偏光状態、波長に拘らず、それぞれのレーザ光線５について同一の反射率で反射されるので、レーザ光線５′が前記光束分割手段３で反射されたモニタ光６は、レーザ光線５′の総合出力に正確に対応したものとなる。

而して、個々のレーザ光線５の偏光状態、波長の長短に拘らず、正確にレーザ光線５′の総合出力について精度の高い定出力制御を行うことができる。

尚、本実施の形態では、別途光束分割手段３を設けることなく、前記導光手段２８の入射側の端面をレーザ光線の入射角に対して１０°以下となる様に設定し、前記導光手段２８の端面を光束分割手段３としてもよい。

図５、図６は第４の実施の形態を示しており、該第４の実施の形態では発光手段が複数の半導体レーザ１１ａを具備した場合で、光束分割手段３はレーザ光線５が束ねられる前の状態で分割する様に配設されたものである。該第４の実施の形態では、前記光束分割手段３で分割されたモニタ光６を受光器４に導く導光光学手段２９を具備している。該導光光学手段２９を設けることで、受光器４が設けられる位置の制約が少なくなり、設計上の自由度が増す効果がある。

図７（Ａ）は前記導光光学手段２９として集光レンズ３１を用いた場合を示しており、図７（Ｂ）は導光光学手段２９として射出側に向って断面が減少する台形プリズム３２を用いた場合を示しており、図７（Ｃ）は導光光学手段２９として射出側に向って断面が減少する中空部材であり、内面が反射面となっているダクト３３を用いた場合を示しており、図７（Ｄ）は導光光学手段２９として回折光学部材３４を用いたものである。

図８は第５の実施の形態を示しており、前記光束分割手段３で反射されたモニタ光６を受光器４に導く導光光学手段２９として、反射鏡３５，３６，３７を用いたものである。該反射鏡３５，３６，３７で順次反射させ、前記モニタ光６を前記受光器４に導くことで、該受光器４を前記光束分割手段３の近傍に配設する必要が無くなり、前記受光器４の設置に自由度が増し、モジュール３８の小型化が進められる。

尚、前記反射鏡３５，３６，３７は、前記反射鏡３５又は前記反射鏡３５，３６のみとして、前記反射鏡３５で反射されたモニタ光６、或は前記反射鏡３６で反射されたモニタ光６を光ファイバ等の導光手段で前記受光器４に導いてもよい。

図９、図１０は第６の実施の形態を示しており、図８中で示される前記反射鏡３５としてマイクロミラー３９を用い、光ファイバ４１の一端面を該マイクロミラー３９に対峙させ、該マイクロミラー３９で反射したモニタ光６を前記光ファイバ４１に入射させ、該光ファイバ４１によりモニタ光６を前記受光器４に導く様にしたものである。第６の実施の形態では前記光ファイバ４１の端面を前記光束分割手段３の近傍に配設できることから、モニタ光６が拡散する前にモニタ光６を前記光ファイバ４１に入射させることができるので、前記光ファイバ４１の配設位置精度は厳しくなく、前記モジュール３８の製作が容易になる。

更に、図１１、図１２は第７の実施の形態を示しており、該第７の実施の形態では、前記マイクロミラー３９を省略し、光ファイバ４１のみでモニタ光６を受光器４に導く様にしたものである。

前記光ファイバ４１の端面４１ａを所要の角度とし、該端面４１ａの内面（光ファイバ４１内部側の面）を先端周面４１ｂを透して前記光束分割手段３に対峙させたものである。

前記光束分割手段３で分割されたモニタ光６は前記先端周面４１ｂを透って前記光ファイバ４１に入射し、前記端面４１ａで反射され、前記光ファイバ４１内部を伝播し、前記受光器４に導かれる。

第７の実施の形態では、前記レーザ発振器１と前記光束分割手段３との間は前記光ファイバ４１の先端部が入るだけの隙間があればよく、前記モジュール３８を更に小型化できる。尚、前記端面４１ａに効率よくモニタ光６が入射できる様、先端周面４１ｂにＡＲ膜（反射防止膜）をコートしてもよい。

尚、第６、第７の実施の形態に於ける導光光学手段２９は、光ファイバに代えアクリル樹脂等の透光性を有する材料（導光ファイバ）であってもよい。

本発明の第１の実施の形態を示す概略構成図である。 該本発明の第１の実施の形態に於ける光束分割手段部分の説明図である。 本発明の第２の実施の形態を示す概略構成図である。 本発明の第３の実施の形態を示す概略構成図である。 本発明の第４の実施の形態を示す概略構成を示す平面図である。 該本発明の第４の実施の形態を示す概略立面図である。 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は導光光学手段を示す説明図である。 本発明の第５の実施の形態を示す概略構成を示す平面図である。 本発明の第６の実施の形態を示す概略構成図である。 該本発明の第６の実施の形態の要部拡大図である。 本発明の第７の実施の形態を示す概略構成図である。 該本発明の第７の実施の形態の要部拡大図である。 従来例を示す概略構成図である。 他の従来例を示す概略構成図である。 入射角に対応した偏光の反射率を示す線図である。 反射防止膜を施した場合の、波長と反射率との関係を示す線図である。

符号の説明

１ レーザ発振器
２ 駆動装置
３ 光束分割手段
４ 受光器
５ レーザ光線
６ モニタ光
１１ ＬＤ発光器
１３ 第１の誘電体反射膜
１４ レーザ結晶
１５ 非線形光学媒質
１６ 第２の誘電体反射膜
１９ 冷却器
２２ 温度センサ
２９ 導光光学手段
３５ 反射鏡
３６ 反射鏡
３７ 反射鏡
３８ モジュール
３９ マイクロミラー
４１ 光ファイバ

Claims (11)

1. レーザ光線を分割して得られるモニタ光を基にレーザ発振器の出力を制御するレーザ装置に於いて、レーザ光線を発する発光手段と、前記レーザ光線の光路に配設され該レーザ光線の一部をモニタ光として反射する光束分割手段と、前記モニタ光を受光する受光手段を具備し、前記光束分割手段は前記レーザ光線に対して入射したレーザ光線の偏光状態に拘らず反射率が略一定となる入射角の反射面を有することを特徴とするレーザ装置。
2. 前記入射角は約１０°以下である請求項１のレーザ装置。
3. 前記発光手段が、半導体レーザ励起固体レーザを有する請求項１のレーザ装置。
4. 前記発光手段が、複数の半導体レーザ励起固体レーザを有する請求項１のレーザ装置。
5. 複数の半導体レーザは複数の波長の異なるレーザ光線を発する請求項４のレーザ装置。
6. 前記発光手段を収納するケースを具備し、前記光束分割手段は前記ケースのレーザ光線照射窓に設けられた透明部材である請求項１のレーザ装置。
7. 前記光束分割手段からの前記モニタ光を前記受光手段に導く導光光学手段を具備する請求項１のレーザ装置。
8. 前記光束分割手段は、入射角が１０°以下になる様設けられたファイバ端面である請求項１のレーザ装置。
9. 前記導光光学手段は導光ファイバである請求項７のレーザ装置。
10. 前記導光ファイバに反射鏡を介してモニタ光が入射される様にした請求項９のレーザ装置。
11. 前記導光ファイバの端面内面に先端周面からモニタ光が入射する様にした請求項９のレーザ装置。

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