JP2005101256A - 電力用半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 複数の半導体チップの各主電極電位を揃える事、半導体チップ間に流れる高周波電波を抑制する事、且つ、半導体装置の安定動作を確保する事。
【解決手段】 エミッタ基板３Ａ，３Ｂ上の配線パターン３a及び３bは、アルミワイヤー９Ａ，９Ｂを介して、対応するＩＧＢＴチップ１Ａ，１Ｂのエミッタに接続されており、パターン３a及び３bの互いに対向し合う端部には、突出状の第１、第３パッド部１３ＡＰ１，１３ＢＰ３が接続されている。各基板３Ａ，３Ｂ上には、パッド部１３ＡＰ１，１３ＢＰ３に対向する様に、第２及び第４パッド部１３ＡＰ２，１３ＢＰ４が配設されており、インダクター部材１３Ａ，１３Ｂが電気的に配設されている。同部材１３Ａ，１３Ｂのインダクタンス値は、アルミワイヤー９Ａ，９Ｂ，１１，１２のそれよりも十分に大きい。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置内部に搭載されている複数個のパワー半導体チップが互いに並列接続された電力用半導体装置に関する。例えば、本発明は、パワーモジュールに適用可能な技術を提供する。
装置内に複数のパワー半導体チップを並列に配置した半導体装置においては、電流の導通時、及び、阻止時における複数の半導体チップの電位を揃えるために、出来る限り半導体チップの近傍で、陰極間、及び、陽極間を、ワイヤー配線で接続している。
特開２００１−１８５６７９号公報 特開２００２−１４１４６５号公報 特開２００２−１５３０７９号公報 特開２０００−３１１９８３号公報 特開平９−２７０４９１号公報
しかし、電流の通電、遮断を繰り返す半導体装置においては、通電や遮断時の急峻な電流変化の過程では、半導体チップの特性のバラツキ、配線のインピーダンスの差異に起因して、半導体チップ間に電位差が生じ、そのため、上述のワイヤー配線を通して、チップ間を比較的高周波の電流が流れる。又、急峻な電流変化に伴い半導体装置の内外に磁界が発生し、当該磁界が上述のワイヤー配線等にノイズとして乗ることで、同様に、高周波電流がこの配線に流れる。これらのパワー半導体チップ間配線に流れる高周波電流が過大な場合には、パワー半導体装置の誤動作や複数の半導体チップの不均一動作と言う様な悪影響が惹起され、半導体装置の安定動作の障害となる。
この発明は、斯かる懸案事項を踏まえて創作されたものであり、装置内に複数のパワー半導体チップを搭載する電力用半導体装置において、複数個のパワー半導体チップの電位を合わせるための配線に発生する、高周波の電流を阻止ないしは抑制させる事で、当該半導体装置及びその周辺機器の安定動作を実現させることを、目的とする。
この発明の主題に係る電力用半導体装置は、互いに並列接続される第１及び第２パワー半導体チップと、前記第１パワー半導体チップの一方の主電極と、前記第１パワー半導体チップの前記一方の主電極と同電位にある前記第２パワー半導体チップの一方の主電極とを互いに接続する配線経路とを備え、前記配線経路は、その途中に、インダクター部材を含んでおり、前記インダクター部材は、前記インダクター部材を除く前記配線経路の他の部分のインダクタンス値よりも大きなインダクタンス値を有することを特徴とする。
以下、この発明の主題の様々な具体化を、添付図面を基に、その効果・利点と共に、詳述する。
この発明の主題に係る電力用半導体装置によれば、１）半導体チップの動作時に半導体チップ間電位差に起因して半導体チップ間を流れる高周波電流を、インダクター部材による回路配線の高インピーダンス化によって抑制することが出来、これに伴い本半導体装置の安定動作の確保及び信頼性の向上を図ることが出来る。
本発明の特徴点は、互いに並列接続された複数のパワー半導体チップの同電極間の配線に、アルミワイヤー等のワイヤー配線のインダクタンス値（それ自体無視し得る程の値である）よりも遥かに大きな（つまり、無視し得ない）インダクタンス値を有する、１）インダクター部材（例えばチップインダクターやコイル部品の様なディスクリート部品）を、若しくは、２）配線インダクター部（電気配線自体が有するインダクタンス）を、積極的に導入・配置する点にある。換言すれば、１）第１パワー半導体チップの一方の主電極と、当該第１パワー半導体チップの一方の主電極と同電位にある第２パワー半導体チップの一方の主電極とを互いに接続する配線経路中に含まれるインダクター部材は、当該インダクター部材を除く配線経路の他の部分のインダクタンス値よりも大きなインダクタンス値を有する、若しくは、２）配線経路は、その一部に、当該配線経路のその他の部分におけるインダクタンス値よりも大きなインダクタンス値を有する配線インダクター部を有する。この構成により、イ）電流導通時及び阻止時における電流変化の少ない状態においては、同電極間の配線は低インピーダンスのため、半導体チップ間の電位を容易に合わすことが出来る。ロ）その一方で、電流の通電及び遮断時などの電流変化が大きな状態においては、同電極間の配線が高インピーダンスとなるため、その際にチップ間を流れようとする高周波電流を遮断、あるいは低減することが可能となり、電力用半導体装置の動作の安定性を確保する事が出来る。以下、この様な特徴点を、実施の形態１及び２として、詳述する。
（実施の形態１）
図１及び図２は、各々、本実施の形態に係る電力用半導体装置の内部構成を模式的に示す上面図及び側面図である。又、図３は、本実施の形態に係る電力用半導体装置の内部構成の等価回路を示す図である。尚、図３の等価回路は、後述する実施の形態２に係る電力用半導体装置にも妥当する（符号１３Ａ及び１３Ｂがそれぞれ符号１４Ａ及び１４Ｂに置換わるだけである）。図１乃至図３に示される通り、本装置は、１）主基板ないしは母基板としての、金属ベース板（以下、単に基板と称す）１００と、２）当該基板１００の表面ないしは主面１００Ｓの左側中央領域上に配設された絶縁性のコレクタ基板（第１主電極用第１基板に該当）２Ａと、３）コレクタ基板２Ａの表面上に形成・配設されたコレクタ用配線パターン（第１主電極用第１配線パターンに該当）２ａと、４）コレクタ用配線パターン２ａの対応箇所に電気的に結合（例えば接着）された裏面側のコレクタ領域（図示せず：第１主電極に該当）と、表面側のエミッタ領域（図示せず：第２主電極に該当）と、表面側のゲート領域（図示せず：制御電極に該当）とを有するＩＧＢＴチップ（第１パワー半導体チップに該当：本例では、２個の第１パワー半導体チップが同一基板２Ａ上に搭載されている）１Ａと、５）基板表面１００Ｓの左側上方領域上に別個に搭載・配設された絶縁性のエミッタ基板（第２主電極用第２基板に該当）３Ａと、６）エミッタ基板３Ａの表面上に形成・配設されたエミッタ用配線パターン（第２主電極用第２配線パターンに該当）３ａと、７）基板表面１００Ｓの左側下方領域上に搭載・配設された絶縁性のゲート基板（制御電極用基板）４Ａと、８）ゲート基板４Ａの表面上に形成・配設されたゲート用配線パターン４ａとを、備えている。更に、本装置は、９）エミッタ基板３Ａの表面の他領域（基板端部近傍面）上に配設され且つエミッタ用配線パターン３ａと一体的に接続された突出状の第１インダクター部材用第１パッド部１３ＡＰ１と、１０）エミッタ基板３Ａの表面の右上コーナー近傍領域上に配設されており、従って、配線パターン３ａに直接的に接続されることなく（一体化されることなく）、第１パッド１３ＡＰ１部に対向配置された第１インダクター部材用第２パッド部１３ＡＰ２と、１１）ＩＧＢＴチップ１Ａのエミッタ領域と配線パターン３ａとを互いに電気的に接続する様にボンディングされた第１ワイヤー（例えばアルミワイヤーより成る）９Ａと、１２）第１パッド部１３ＡＰ１と第２パッド部１３ＡＰ２との間に半田付けにより配設された第１インダクター部材１３Ａとを、備えている。そして、コレクタ電極５、エミッタ電極６、制御エミッタ電極７及びゲート電極８が、それぞれ、図示される様に、形成されている。更に、本装置は、第１パワー半導体チップ１Ａと並列接続される第２パワー半導体チップ側の構成部材として、１３）基板表面１００Ｓの右側中央領域上に搭載・配設された絶縁性のコレクタ基板（第１主電極用第３基板に該当）２Ｂと、１４）コレクタ基板２Ｂの表面上に形成・配設されたコレクタ用配線パターン（第１主電極用第３配線パターンに該当）２ｂと、１５）コレクタ用配線パターン２ｂの対応箇所に電気的に結合（例えば接着）された裏面側のコレクタ領域（図示せず：第１主電極に該当）と、表面側のエミッタ領域（図示せず：第２主電極に該当）と、表面側のゲート領域（図示せず：制御電極に該当）とを有するＩＧＢＴチップ（第２パワー半導体チップに該当：本例では、２個の第２パワー半導体チップが同一基板２Ｂ上に搭載されている）１Ｂと、１６）基板表面１００Ｓの右側上方領域上に搭載・配設された絶縁性のエミッタ基板（第２主電極用第４基板に該当）３Ｂと、１７）エミッタ基板３Ｂの表面上に形成・配設されたエミッタ用配線パターン（第２主電極用第４配線パターンに相当）３ｂと、１８）基板表面１００Ｓの右側下方領域上に搭載・配設された絶縁性のゲート基板（制御電極用基板）４Ｂと、１９）ゲート基板４Ｂの表面上に形成・配設されたゲート用配線パターン４ｂとを、備えている。加えて、本装置は、２０）エミッタ基板３Ｂの表面（基板３Ａ側端部の表面）上に形成・配設され且つエミッタ用配線パターン３ｂと一体的に接続された突出状の第２インダクター部材用第３パッド部１３ＢＰ３と、２１）エミッタ基板３Ｂの左上コーナー近傍領域における表面上に配設されており、配線パターン３ｂには一体的に接続されることなく、第３パッド部１３ＢＰ３に対向した第２インダクター部材用第４パッド部１３ＢＰ４と、２２）ＩＧＢＴチップの１Ｂのエミッタ領域とエミッタ用配線パターン３ｂとを互いに接続する第２ワイヤー（例えばアルミワイヤーより成る）９Ｂと、２３）第３パッド部１３ＢＰ３と第４パッド部１３ＢＰ４との間に半田付けにより配設された第２インダクター部材１３Ｂとを、備えている。
更に、本装置は、２４）ワイヤーボンディングによって形成された、第２パッド部１３ＡＰ２と第４パッド部１３ＢＰ４とを互いに接続する第３ワイヤー（例えばアルミワイヤーより成る）１１と、２５）同じくワイヤーボンディングによって形成された、第１配線パターン２ａと第３配線パターン２ｂとを互いに接続する第４ワイヤー（例えばアルミワイヤーより成る）１２とを備えている。ここで、第３ワイヤー１１は、互いに隣接する回路パターン１３ＡＰ２，１３ＢＰ４のそれぞれの隣接端側を接続している。この配線構成により、第３ワイヤー１１のワイヤー長さを最短な値にすることが出来る。同様に、第４ワイヤー１２も、互いに隣接する回路パターン２ａ，２ｂのそれぞれの隣接端側を接続しており、以って、第４ワイヤー１２のワイヤー長を最短化している。尚、参照符号１１及び１２の部材は、第３及び第４ワイヤー１１，１２の様にアルミワイヤーで構成されている必要性はなく、そのインダクタンス値がインダクター部材１３Ａ，１３Ｂのそれらと比較して無視し得る程の小さい値である導電性の板（金属板等）あるいは金属の線材であっても良い。その意味で、第３及び第４ワイヤー１１，１２や、それらに代わる接続配線部材の各々を、「導電性配線部材」と称呼する。要は、導電性配線部材のインダクタンス値＜＜インダクター部材１３Ａ，１３Ｂのインダクタンス値と言う関係が成立すれば良い。本装置においては、第１インダクター部材１３Ａの第１インダクタンス値と、第２インダクター部材１３Ｂの第２インダクタンス値とは共に、第１ワイヤー乃至第４ワイヤー９Ａ，９Ｂ，１１，１２の各々が有するインダクタンス値よりも、相対的に見て十分に大きい値である。即ち、高周波電流が並列接続された両ＩＧＢＴ１Ａ，１Ｂのエミッタ領域間ないしはエミッタ電極間を流れる際に、当該回路配線中のインダクタンス成分がその流れを妨げるバリアと成り得るだけの高インピーダンスを呈する様に、上記第１及び第２インダクタンス値が設定されている。
又、図１の構造においては（後述する図４でも同様）、第１配線パターン２ａと第３配線パターン２ｂとは、それらの中間位置から見て互いに中間対称となる様に隣接配置されており（線対称配置関係）、同じく、第２配線パターン３ａと第４配線パターン３ｂも、それらの中間位置から見て互いに中間対称となる様に隣接配置されている（線対称配置関係）。又、第１及び第２インダクター部材１３Ａ，１３Ｂの両インダクタンス値は、互いに同一値に設定されているのが好ましい。この様な好ましい構成例に設定する場合には、設計及び部材配置・配線が容易となり、装置のコスト低減化をもたらす。
以上の通り、ＩＧＢＴチップ１Ａ，１Ｂからのエミッタ配線を接続したエミッタ基板３Ａ，３Ｂの配線パターン部に、別個のインダクター部材１３Ａ，１３Ｂを配置していると共に、この部位より、隣り合うエミッタ基板間を第３ワイヤー１１で接続している。
本構成により、高周波電流がエミッタ基板間に流れるときに、インダクター部材１３Ａ，１３Ｂが回路配線の高インピーダンス化をもたらすため、その結果、エミッタ基板間に流れる高周波電流が遮断ないしは抑制され、本装置の誤動作あるいはチップ間の不均一動作が抑制される。これにより、安定した動作が確保される。更に、本構成では、エミッタ用配線パターン３ａ，３ｂとは別個に同一基板３Ａ，３Ｂ上にインダクター部材１３Ａ，１３Ｂをそれぞれ配設しているので、高インピーダンス化のためのインダクター設計の自由度を高め得ると言う利点が得られる。即ち、第２主電極用配線パターンとは別個に同一基板上にインダクター部材を配設しているので、高インピーダンス化のためのインダクター設計の自由度を高め得る。
尚、突出した第１パッド部１３ＡＰ１を積極的に設けずに、第１パッド部１３ＡＰ１に相当する部分、つまり、第１インダクター部材１３Ａの一方の電極を半田付けするためのパターン部分を、第２配線パターン３ａの端部自身としても良い。即ち、第２配線パターン３ａの端部が、第１パッド部１３ＡＰ１に相当する部分として兼用されるのである。この様な変形は、第３パッド部１３ＢＰ３についても同様に適用可能である。これらの変形は、後述する変形例１にも妥当する。
＜変形例１＞
図１の特徴的構成部に代えて、あるいは、図１の特徴的構成部に加えて、ＩＧＢＴチップが配置されたコレタタ基板の配線パターンに対して、実施の形態１のインダクター部材１３Ａ，１３Ｂに相当するものを同一基板上に別個に配置した上で、この部位より、隣り合うコレクタ基板の配線パターンを第４ワイヤーで接続することとしても良い。その様な変形例１の構成例を、図１に相当する図４に示す。又、そのときの等価回路を図５に示す。本変形例によれば、高周波電流がコレクタ基板間に流れるときに、インダクター部が高インピーダンスとなるため、コレクタ基板間に流れる高周波電流が遮断あるいは抑制され、本装置の誤動作やチップ間の不均一動作が抑制される事で、安定した動作が確保される。同様に、コレクタ基板間の回路配線に対しても、高インピーダンス化のためのインダクター設計の自由度を高め得ると言う利点が得られる。
（実施の形態２）
本実施の形態においては、実施の形態１における様な別個に設けたインダクター部材の搭載に代えて、ＩＧＢＴチップからの工ミッタ配線を接続したエミッタ基板自体が、その配線パターン部の一部をくし型配線とすることで形成された配線インダクター部１４Ａ，１４Ｂを有する。この部位より、隣り合うエミッタ基板同士は、第３ワイヤー１１で接続される。
本実施の形態の特徴部分のみを抽出して拡大的に描いた構成図が、図６の平面図である。図６に描かれていない部分は、図１中の対応部分と同一である。尚、このときの等価回路は、図３に示される通りである。図６に例示されている通り、本装置における第２主電極用第２配線パターン３ａは、エミッタ基板（第２基板）３Ａの表面上に配設されており、その端部が、他部とは相違した形状（ここでは、くし型構造）を有することにより、第１配線インダクター部１４Ａを形成しており、第１ワイヤー９Ａは、第１パワー半導体チップ１Ａの第２主電極（エミッタ）と第２配線パターン３ａの上記他部とを、互いに接続している。更に、本装置における第２主電極用第４配線パターン３ｂは、エミッタ基板（第４基板）３Ｂの表面上に配設されており、その端部が、他部とは相違した形状（ここでは、くし型構造）を有することにより、第２配線インダクター部１４Ｂを形成しており、第２ワイヤー９Ｂは、第２パワー半導体チップ１Ｂの第２主電極（エミッタ）と第４配線パターン３ｂの上記他部とを、互いに接続している。しかも、第３ワイヤー１１は、第１配線インダクター部１４Ａの端部１４ＡＥと第２配線インダクター部１４Ｂの端部１４ＢＥとを、互いに接続している。又、第４ワイヤー１２は、第１配線パターン２ａと第３配線パターン２ｂとを、互いに接続している。そして、第１配線インダクター部１４Ａの第１インダクタンス値と第２配線インダクター部１４Ｂの第２インダクタンス値とは、共に、第１ワイヤー乃至第４ワイヤー９Ａ，９Ｂ，１１，１２の各々のインダクタンス値よりも、相対的に見て十分に大きな値である。
又、図６の構造においては（後述する図７でも同様）、第１配線パターン２ａと第３配線パターン２ｂとは、それらの中間位置から見て互いに中間対称となる様に隣接配置されており（線対称配置関係）、同じく、第２配線パターン３ａと第４配線パターン３ｂも、それらの中間位置から見て互いに中間対称となる様に隣接配置されている（線対称配置関係）。又、第１及び第２配線インダクター部１４Ａ，１４Ｂの両インダクタンス値は、互いに同一値に設定されているのが好ましい。この様な好ましい構成例に設定する場合には、設計及び部材配置・配線が容易となり、装置のコスト低減化をもたらす。
本実施の形態の動作原理は、基本的に、実施の形態１のそれと同一である。従って、本実施の形態の構成によれば、高周波電流がエミッタ基板間に流れる際に、配線インダクター部が高インピーダンス部となるため、エミッタ基板間に流れる高周波電流が遮断あるいは抑制され、本装置の誤動作やチップ間の不均一動作が抑制される。その結果、安定した動作が確保され得る。
＜変形例２＞
実施の形態２に対しても、変形例１で記載したものと同様の修正を成すことが可能である。その様な変形例の核心部を図７に拡大して示す。図７に示す通り、ＩＧＢＴチップ１Ａ，１Ｂが配置されたコレタタ基板２Ａ，２Ｂの各配線パターン２ａ，２ｂの対向し合う端部には、例えば櫛型状の（各ワイヤーと比較して）高インダクタンス値を有する第１及び第２配線インダクター部１４Ａ，１４Ｂが、形成されている。そして、各配線インダクター部の端部１４ＡＥ，１４ＢＥは、互いに、第４ワイヤー１２で接続されている。従って、隣り合うコレクタ基板を結ぶ回路配線パターン自体が、高インダクタンスの配線インダクターを備えている状態が実現されている。
本変形例によっても、変形例１と同様に、高周波電流がコレクタ基板間に流れるときに、インダクター部が高インピーダンスとなるため、コレクタ基板間に流れる高周波電流が遮断あるいは抑制され、本装置の誤動作やチップ間の不均一動作が抑制される事で、安定した動作が確保される。
以上の通り、本実施の形態及びその変形例によれば、１）実施の形態１と同様に、半導体チップの動作時に半導体チップ間電位差に起因して半導体チップ間を流れる高周波電流を、配線インダクター部の存在による回路配線の高インピーダンス化によって抑制することが出来、これに伴い本半導体装置の安定動作の確保及び信頼性の向上を図ることが出来ると共に、２）主回路パターンの一部を、即ち、各パワー半導体チップのエミッタ電極用配線パターン及び／又はコレクタ電極用配線パターンの一部を配線インダクター部として用いているので、主回路パターンとは別体のインダクター部の配設が不要となり、組立上の生産性に優れた安価なパワー半導体装置を提供することも出来ると言う効果がある。
（付記）
以上、本発明の実施の形態を詳細に開示し記述したが、以上の記述は本発明の適用可能な局面を例示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、記述した局面に対する様々な修正や変形例を、この発明の範囲から逸脱することの無い範囲内で考えることが可能である。例えば、本発明における「パワー半導体チップ」とは、ＩＧＢＴ以外のパワートランジスタ（縦型ＭＯＳＦＥＴ等）や、サイリスタや、あるいは、ダイオード（この場合、特にリカバリー動作時に本発明は効を奏する）を包含し得る概念である。これらの場合、複数の、ダイオード、あるいはトランジスタ、あるいはサイリスタなどのパワー半導体チップを並列に配置する半導体装置において、各半導体チップの陽極基板に、及び／又は、陰極基板に、実施の形態１及び／又は実施の形態２で記載した様な中核的構成部材を施し、同電極基板間をワイヤーで接続する。又、パワー半導体チップの陽極を「第１主電極」と称するならば、その陰極が「第２主電極」に該当し、逆に、陰極を「第１主電極」と称するならば、陽極が「第２主電極」に該当する。又、第１基板２Ａと第３基板２Ｂとを一体化して、第１配線パターン２ａと第３配線パターン２ｂとを一体化しても良い。この変形を図４に適用する場合には、ワイヤー１２に代えて、配線パターンが直接に両インダクター部材１３Ａ、１３Ｂの対応電極を電気的に接続することになる。しかも、両インダクター部材１３Ａ、１３Ｂを１個のインダクター部材に置き換えても良く成る。つまり、インダクター部材の数はすくなくとも１個である。又、第２基板３Ａと第４基板３Ｂとを一体化して、第２配線パターン３ａと第４配線パターン３ｂとを一体化しても良い。この様な変形を図１に適用する場合には、ワイヤー１１に代えて、配線パターンが直接に両インダクター部材１３Ａ、１３Ｂの対応電極を電気的に接続することになる。この変形においても、同様に、両インダクター部材１３Ａ、１３Ｂを１個のインダクター部材に置き換えても良く成る。即ち、インダクター部材の個数は１個以上となる。
本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の内部構成を模式的に示す上面図である。 本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の内部構成を模式的に示す側面図である。 本発明の各実施の形態に係る電力用半導体装置の内部構成の等価回路を示す図である。 本発明の実施の形態１の変形例に係る電力用半導体装置の内部構成を模式的に示す上面図である。 本発明の各変形例に係る電力用半導体装置の内部構成の等価回路を示す図である。 本発明の実施の形態２に係る電力用半導体装置におけるエミッタ基板上配線パターンの構成を模式的に示す上面図である。 本発明の実施の形態２の変形例に係る電力用半導体装置におけるコレクタ基板上配線パターンの構成を模式的に示す上面図である。
符号の説明
１Ａ，１Ｂ 電力用半導体装置内のＩＧＢＴチップ（半導体チップ）、２Ａ，２Ｂ コレクタ基板、２a，２b コレクタ用配線パターン、３Ａ，３Ｂ エミッタ基板、３a，３b エミッタ用配線パターン、４Ａ，４Ｂ ゲート基板、４a，４b ゲート用配線パターン、５ コレクタ電極、６ エミッタ電極、７ 制御エミッタ電極、８ ゲート電極、９Ａ，９Ｂ 第１エミッタ配線（ワイヤ配線）、１０Ａ，１０Ｂ ゲート配線（ワイヤ配線）、１１ 第２エミッタ配線（ワイヤ配線）、１２ コレクタ配線（ワイヤ配線）、１３Ａ，１３Ｂ インダクター部材、１４Ａ，１４Ｂ 配線インダクター部。

Claims (7)

  1. 互いに並列接続される第１及び第２パワー半導体チップと、
    前記第１パワー半導体チップの一方の主電極と、前記第１パワー半導体チップの前記一方の主電極と同電位にある前記第２パワー半導体チップの一方の主電極とを互いに接続する配線経路とを備え、
    前記配線経路は、その途中に、インダクター部材を含んでおり、
    前記インダクター部材は、前記インダクター部材を除く前記配線経路の他の部分のインダクタンス値よりも大きなインダクタンス値を有することを特徴とする、
    電力用半導体装置。
  2. 請求項１記載の電力用半導体装置であって、
    前記第１パワー半導体チップの他方の主電極と、前記第１パワー半導体チップの前記他方の主電極と同電位にある前記第２パワー半導体チップの他方の主電極とを互いに接続する他方の配線経路とを備え、
    前記他方の配線経路は、その途中に、前記他方の配線経路自体のインダクタンス値よりも大きなインダクタンス値を有する個別部品としてのインダクター部材を含むことを特徴とする、
    電力用半導体装置。
  3. 請求項１記載の電力用半導体装置であって、
    前記配線経路は、そのインダクタンス値が前記インダクター部材のそれと比較して無視し得る程の小さい値である導電性配線部材を介して互いに接続された、第１パワー半導体チップ用第１インダクター部材及び第２パワー半導体チップ用第２インダクター部材を、前記インダクター部材として有しており、
    しかも、前記導電性配線部材は、互いに隣接する第１インダクター部材用回路パターン及び第２インダクター部材用回路パターンの互いの隣接端側を接続していることを特徴とする、
    電力用半導体装置。
  4. 請求項３記載の電力用半導体装置であって、
    前記第１パワー半導体チップの前記一方の主電極から前記第１インダクター部材用回路パターンまでの配線経路と、前記第２パワー半導体チップの前記一方の主電極から前記第２インダクター部材用回路パターンまでの配線経路とは、互いに線対称な配置関係に設定されており、
    前記第１インダクター部材のインダクタンス値及び前記第２インダクター部材のインダクタンス値とは互いに等しいことを特徴とする、
    電力用半導体装置。
  5. 互いに並列接続される第１及び第２パワー半導体チップと、
    前記第１パワー半導体チップの一方の主電極と、前記第１パワー半導体チップの前記一方の主電極と同電位にある前記第２パワー半導体チップの一方の主電極とを互いに接続する配線経路とを備え、
    前記配線経路は、その一部に、前記配線経路のその他の部分におけるインダクタンス値よりも大きなインダクタンス値を有する配線インダクター部を有することを特徴とする、
    電力用半導体装置。
  6. 請求項５記載の電力用半導体装置であって、
    前記第１パワー半導体チップの他方の主電極と、前記第１パワー半導体チップの前記他方の主電極と同電位にある前記第２パワー半導体チップの他方の主電極とを互いに接続する他方の配線経路とを備え、
    前記他方の配線経路は、その一部に、前記他方の配線経路のその他の部分におけるインダクタンス値よりも大きなインダクタンス値を有する配線インダクター部を有することを特徴とする、
    電力用半導体装置。
  7. 請求項５記載の電力用半導体装置であって、
    前記配線経路は、そのインダクタンス値が前記配線インダクター部のそれと比較して無視し得る程の小さい値である導電性配線部材を介して互いに接続された、第１パワー半導体チップ用第１配線インダクター部及び第２パワー半導体チップ用第２配線インダクター部を、前記配線インダクター部として有しており、
    前記第１パワー半導体チップの前記一方の主電極から前記第１配線インダクター部と前記導電性配線部材の一端との接続部までの配線経路と、前記第２パワー半導体チップの前記一方の主電極から前記第２配線インダクター部と前記導電性配線部材の他端との接続部までの配線経路とは、互いに線対称な配置関係に設定されており、
    前記第１配線インダクター部のインダクタンス値及び前記第２配線インダクター部のインダクタンス値とは互いに等しいことを特徴とする、
    電力用半導体装置。
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