JP2005079884A - 弾性表面波フィルタを用いた分波回路基板及びそれを含む高周波モジュール並びに無線通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】シングルバンド及びデュアルバンド用移動無線端末に好適な小型、かつ低ロスの分波回路基板を提供する。
【解決手段】多層基板103,104,106,110と、送信側と受信側の通過帯域の異なる弾性表面波フィルタ101,102と、前記多層基板104に形成される整合回路105と、整合回路105と弾性表面波フィルタ101,102とを接続するビア導体を具備しており、前記整合回路105は前記弾性表面波フィルタ101,102の実装面の少なくとも下部において、湾曲した形状に形成されている。
【選択図】 図４

Description

本発明は、特にシングルバンド又はデュアルバンド用移動無線端末に好適に用いられる分波回路基板、及びその分波回路基板により構成される高周波モジュール並びに無線通信装置に関するものである。

近年、移動無線端末などに用いられる、送受信信号の各々周波数を選択分離する分波回路基板において、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタを採用したものが多く見られる。ＳＡＷフィルタを用いると、従来の誘電体共振器を用いた分波回路基板よりも小型化が実現でき、移動体無線端末の高機能化を実現できる一因となっている。
さらに、１つの周波数帯（例えば８００MHz 帯）の送受信系を採用するシングルバンド方式の移動体無線端末に対し、デュアルバンド方式（例えば８００MHz 帯と１９００MHz 帯）を採用した移動体無線端末が提案されている。

このデュアルバンド方式の移動体無線端末は、１台の移動体無線端末内に２つの送受信系を搭載するもので、地域性や使用目的等に合った送受信系を選択して送信することができるようにした利便性の高い機器として期待されている。
このような移動体無線端末では、各々部品の小型化が望まれている。特に、アンテナ送受信系の各々周波数を選択する分波回路基板においては、弾性表面波素子やＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）が採用されつつある。これらは比較的小型の共振子であり、その共振子を複数個用いて所望の周波数を通過させるフィルタを構成している。分波回路基板として使用する場合においては、２つ以上のフィルタを使用し、受信信号と送信信号との干渉を防止するための整合回路を介して、アンテナに接続する形態で使用される。

整合回路について、例えば、特開2001-320260号公報には多層パッケージの複数の内層にわたって分割して形成された例が開示されている。整合回路を異なる２層に配置し、かつこの２層に形成した整合回路用線路は、層ごとに違った形状を有している。
このような整合回路を構成する線路は、比較的長くなる傾向にあり、直線的に形成すると分波回路基板が大型になってしまう。また整合回路は、チップインダクタやチップコンデンサといった集中定数素子を用いて形成することが出来るが、この場合においては、伝送ロスが大きくなる欠点がある。
特開2001-320260号公報

整合回路を含む分波回路基板は、上記特開2001-320260号公報のようにパッケージの内部に形成されているが、整合回路を構成するインダクタラインで囲まれているので、パッケージの大型化は否めなく、大型化を防ぐ手段として整合回路をメアンダ形状にて形成する手段や整合回路をチップ部品にて形成する手段もあるが、伝送ロスが大きくなる欠点がある。

本発明は、かかる問題を解消するためになされたもので、弾性表面波フィルタの下部基板において整合回路を形成し、それをインダクタラインを湾曲した形状とすることで分波回路基板が大型化することなく、また伝送ロスを比較的小さくすることが出来る分波回路基板を提供することを目的とする。
さらに本発明は、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路基板から少なくとも電力増幅器までを構成する回路要素を一体化して小型化できるとともに、良好な特性を有する高周波モジュール及び無線通信装置を提供することを目的とする。

本発明の分波回路基板は、多層基板に搭載された送信用弾性表面波フィルタ及び受信用弾性表面波フィルタと、前記アンテナ端子と前記受信用弾性表面波フィルタとの間に介在される整合回路とを備え、前記整合回路は、前記送信用又は受信用弾性表面波フィルタの実装面の下部を含む基板領域において、湾曲した形状に形成されたインダクタラインにより構成されているものである。

図１（ａ）（ｂ）は、送信用及び受信用の弾性表面波フィルタのアンテナ端子からみたＳ１１（反射）特性(700MHzから960MHz)をそれぞれ示している。図１（ａ）に示すように送信用の弾性表面波フィルタの阻止域は881.5MHz付近、通過域は836.5MHz付近である。図１（ｂ）に示すように受信用の弾性表面波フィルタの阻止域は836.5MHz付近、通過域は881.5MHz付近である。

このとき、受信用の弾性表面波フィルタの阻止域(836.5MHz付近)における位相角を、送信用の弾性表面波フィルタの阻止域(881.5MHz付近)における位相角と複素共役の関係ならしめるために、前記整合回路により、送信用の弾性表面波フィルタの阻止域位相角をスミスチャートの実軸対象となる位相角へ回転させる（図１（ｃ）参照）。
整合回路は直線形状の場合長くなるが、本発明では、多層基板の内層に湾曲した形状にて形成することで、小型かつ低損失の整合回路を実現している。

なお、前記送信用及び受信用弾性表面波フィルタは、それぞれパッケージに収納された状態で前記多層基板上に実装されていてもよく、それぞれパッケージに収納されず、多層基板上に実装された単体の弾性表面波素子により構成されていてもよい。
また、前記整合回路は、多層基板中の少なくとも一層に形成されていてもよく、又は２以上の層にまたがった形で形成されていてもよい。後者の場合は、層間ビア導体で各層の整合回路を接続する必要がある。

整合回路を構成するインダクタラインは、湾曲した形状に形成されていればよい。インダクタラインの形状例を図２に示す。斜線の領域は、整合回路形成領域を示している。
図２（ａ）は、多層基板の一層上に形成されたスパイラル状のインダクタライン１を示す。黒丸の端点は、層間ビア導体を通して送信用又は受信用弾性表面波フィルタに接続される（以下他の図２において同じ）。

図２（ｂ）は、正弦波状のインダクタライン１を示す。図２（ｃ）は、角形スパイラル状のインダクタライン１を示す。図２（ｄ）は、整合回路形成領域をインダクタライン１の一部で一重に囲んだ場合を示す。図２（ｅ）は、実施形態に近いインダクタライン１の複雑な形状を示す。
図２（ｆ）は、インダクタライン１を、多層の基板にわたってソレノイド状に巻回した形状を示し、図２（ｇ）は多層の基板にわたってミアンダ状に構成した形状を示す。図２（ｆ）のメリットは、（ａ）や（ｃ）に比べて整合回路の面積を小さくできることである。図２（ｇ）のメリットは、（ｂ）に比べて整合回路の面積を小さくできることである。

以上のうち、図２（ａ），（ｃ），（ｅ）は、整合回路形成領域の周囲が、整合回路を構成するインダクタラインの一部で囲まれているものである。図２（ｄ）は、整合回路形成領域の一部が、整合回路を構成するインダクタラインの一部で囲まれているものである。
前記整合回路を、前記図２に例示したようなインダクタラインと、多層基板上に実装されたチップコンデンサ部品とで構成することも可能である。この場合、コンデンサを使用することにより、インダクタラインを短くでき、多層基板内に形成される整合回路の面積を小さくできる。

また、本発明の高周波モジュールは、以上に説明した整合回路の他に、増幅回路を備え、かつ前記増幅回路が多層基板の表面又は内部に搭載されているものである。前記増幅回路に加えて、方向性結合器（カプラ）を搭載していてもよい。
このように、整合回路に加えて、増幅回路や方向性結合器などを同一多層基板に実装または、内層することで小型の高周波モジュールを実現することが出来る。

さらにまた、帯域の異なる２組の分波回路基板を用いて、それぞれに増幅回路と方向性結合器を備えたデュアルバンドの高周波モジュールを実現することも出来る。
前記増幅回路の前段に第２の送信用弾性表面波フィルタを配置し、この第２の送信用弾性表面波フィルタを多層基板に搭載して高周波モジュールとることも可能である。
前記いずれかの分波回路基板を用いたり、前記いずれかの高周波モジュールを用いたりして、携帯端末器などの無線通信装置を構成することができる。

以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図３は、移動体無線端末における本発明の高周波モジュールＡのブロック図である。図中破線が本発明に係る分波回路基板Ｂを示す。分波回路基板Ｂは、受信用ＳＡＷフィルタ101、送信用ＳＡＷフィルタ102、整合回路105を含む回路である。その分波回路基板Ｂの受信出力端子をＰ４、送信入力端子をＰ３、アンテナ端子をＰ１で表している。

図３において、アンテナANTから受信された受信信号は、アンテナ端子Ｐ１、整合回路105を通って、受信入力端子Ｐ２を経由して、受信用ＳＡＷフィルタ101に入り、ろ波された後、受信出力端子Ｐ４を経由して受信信号端子Ｒに出力される。受信信号端子Ｒから出力された受信信号は、受信系の整合回路123を通って低雑音増幅器（図示せず）に入力される。

一方、送信信号端子Ｔから入力される送信信号は、第２の送信用ＳＡＷフィルタ124を通り、増幅回路122で電力増幅され、方向性結合器121を経て、送信入力端子Ｐ３を経由して、送信用ＳＡＷフィルタ102に入り、アンテナ端子Ｐ１を通り、アンテナANTから送信される。前記第２の送信用ＳＡＷフィルタ124は、必ずしも必須のものではないが、送信用ＳＡＷフィルタ102の機能補助、送信信号のノイズ除去、波形整形のためにあったほうが好ましい。

図４は、分波回路基板Ｂの基板構成を示す分解斜視図である。分波回路基板Ｂは、上から第一層103，第二層104，第三層106，第四層110からなる誘電体多層基板で構成されている。
101は受信用の弾性表面波フィルタ、102は送信用の弾性表面波フィルタであり、これらは多層基板の第一層103上に実装される。弾性表面波フィルタ101,102を接続するための端子は、第一層103上に４つずつ合計８個設けられている。これらのうち、弾性表面波フィルタ101に接続される端子は、前記図３に示した受信入力端子Ｐ２、受信出力端子Ｐ４及び接地端子である。弾性表面波フィルタ102に接続される端子は、前記図３に示した送信入力端子Ｐ３、アンテナ端子Ｐ１及び接地端子である。なお、符号Ｇは接地端子を表す。

第二層104には、第一層103からビアを介して、アンテナ端子Ｐ１と弾性表面波フィルタ101の受信入力端子Ｐ２とを接続する整合回路105が形成されている。この整合回路105は、誘電体基板上に曲がって形成された導体線路（ストリップライン）パターンからなる。この曲がった形状により、整合回路105のコンパクト化を実現している。送信入力端子Ｐ３、受信出力端子Ｐ４は、第一層103のビア、第二層104のビアを介して、第三層106に中継される。

第三層106にはビアランド108,109,107があり、これらは、第二層104のビアを介して、前記アンテナ端子Ｐ１、送信入力端子Ｐ３、受信出力端子Ｐ４に接続されている。
そして、これらのビアランド108,109,107は、第三層106のビアを介して裏面パターン110に接続される。第四層110は、前記第一層103〜第三層106のビアを介して、アンテナ端子Ｐ１、受信出力端子Ｐ４、送信入力端子Ｐ３に接続される外部端子、及び接地導体を有している。

ここで、前記多層基板の製法を簡単に説明する。多層基板は、誘電体層を複数層積層してなる誘電体基板と、その表面や内部に導体からなる配線導体層が形成されてなる。例えば、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板に対して、銅箔などの導体によって配線導体層を形成し、同時に焼成したもの、または、セラミック材料などの無機系誘電体基板に種々の配線導体層を誘電体基板と同時に焼成したものが用いられる。

上記セラミック材料としては、（１）Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＣなどを主成分とする焼成温度が１１００℃以上のセラミック材料、（２）金属酸化物の混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料、（３）ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種が選択される。

前記（２）の混合物としては、ＢａＯ−ＴｉＯ₂系、Ｃａ−ＴｉＯ₂系、ＭｇＯ−ＴｉＯ₂系等のセラミック材料が用いられる。これらのセラミック材料に、ＳｉＯ₂、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＣｕＯ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃等の助剤を適宜添加したものも用いられる。前記（３）のガラス組成物としては、少なくともＳｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、具体的には、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＲＯ系、ＳｉＯ₂−ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＲＯ系、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＲＯ系、ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＲＯ系、さらにはこれらの系にＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｐｂ、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂等を配合した組成物が挙げられる。

また、前記（３）のガラスとしては、焼成処理することによっても非晶質ガラス、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出する結晶化ガラスなどが用いられる。また、前記（３）におけるセラミックフィラーとしては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂（クォーツ、クリストバライト）、フォルステライト、コージェライト、ムライト、ＺｒＯ₂、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＣ、ＭｇＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃などのチタン酸塩の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ガラス２０〜８０質量％、フィラー２０〜８０質量％の割合で混合されることが望ましい。

一方、配線導体層は、誘電体基板と同時焼成して形成するために、誘電体基板を形成するセラミック材料の焼成温度に応じて種々組み合わせられる。例えば、セラミック材料が前記（１）の場合、タングステン、モリブデン、マンガン、銅の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。また、低抵抗化のために、銅などとの混合物としてもよい。セラミック材料が前記（２）（３）の低温焼成セラミック材料を用いる場合、銅、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする低抵抗導体材料が用いられる。

誘電体基板は、誘電率を高くすることで、小さな面積でも充分な静電容量を得ることができるため、ストリップライン長を短縮して、全体構造の小型化に供することができる。また、配線や線路などを低損失の低抵抗導体によって形成できることから、上記（１），（２）の低温焼成セラミック材料によって形成することが望ましい。
図５は、整合回路105がない場合の受信用弾性表面波フィルタ101のＳ（透過）パラメータＳ21の周波数特性図であり、図６は整合回路105を付加した場合の受信用弾性表面波フィルタ101の周波数特性図である。図５の測定にあたっては、第一層103の端子Ｐ２と第四層110の端子Ｐ４との間にプローブを当てて測定した。図６の測定にあたっては、第四層110の端子Ｐ１，Ｐ４間にプローブを当てて測定した。

図６の整合回路105を付加した場合、図５と比べて伝送ロスが大きくならず良好な特性が得られていることが分かる。
図７は本発明の他の実施の形態に係る分波回路基板Ｂの基板構成を示す分解斜視図である。
図７の実施の形態では、受信用ＳＡＷフィルタ、送信用ＳＡＷフィルタとして、パッケージを使用せず、弾性表面波素子単体を多層基板上に実装した場合を想定している。

111は受信用の弾性表面波素子、112は送信用の弾性表面波素子であり、それぞれ多層基板の第一層103上に実装する。弾性表面波素子111,112と第一層103の電極パターンＰ１〜Ｐ４等はワイヤーボンディングにて接続される。
第二層104には、第一層103からビアを介して、アンテナ端子Ｐ１と弾性表面波フィルタ101の受信入力端子Ｐ２とを接続する整合回路105が形成されている。この整合回路105も、図４と同様、誘電体基板上に湾曲して形成された導体線路パターンからなる。前記送信入力端子Ｐ３、受信出力端子Ｐ４は、第一層103のビア、第二層104のビアを介して、第三層106に中継される。

第三層106にはビアランド108,109,107があり、これらは、第二層104のビアを介して、前記アンテナ端子Ｐ１、送信入力端子Ｐ３、受信出力端子Ｐ４に接続されている。そして、これらのビアランド108,109,107は、第三層106のビアを介して第四層110の裏面パターンに接続される。第四層110は、前記第一層103〜第三層106のビアを介して、アンテナ端子Ｐ１、受信出力端子Ｐ４、送信入力端子Ｐ３に接続される外部端子、及び接地導体を有している。

この図７の実施形態は、図４の実施形態と比べて、受信用ＳＡＷフィルタ、送信用ＳＡＷフィルタとして、パッケージを使用せず、弾性表面波素子単体を多層基板上に実装したところが違っているのみであり、図４の実施形態と同様、誘電体基板上に湾曲して形成された導体線路パターンからなる整合回路105を用いているところは、同様である。
図８は、本発明の他の実施の形態に係る分波回路基板Ｂの基板構成を示す分解斜視図である。

図８の実施の形態では、ストリップラインとチップコンデンサ部品とで整合回路を形成しているところが特徴である。これに対して図４の実施の形態では、ストリップラインからなる整合回路105を使用している。
図８の分波回路基板Ｂの基板構成を説明する。受信用と送信用の弾性表面波フィルタ101,102を多層基板の第一層103に実装する。受信用の弾性表面波フィルタ101の入力端Ｐ２とＧＮＤパターン114との間にチップコンデンサ115を実装し、送信用の弾性表面波フィルタ102の出力端（つまりアンテナ端子）Ｐ１とＧＮＤパターン116との間にチップコンデンサ117を実装する。多層基板の第二層103及び第三層106には、それぞれ略スパイラル形状のインダクタライン118、119が形成されている。両インダクタライン118、119は、第二層103のビアＰ５を介して互いに接続されている。そして、インダクタライン119の一端Ｐ２は、第二層103及び第一層103のビアを介して受信用の弾性表面波フィルタ101の入力端Ｐ２と接続される。インダクタライン118の他端Ｐ１は、第一層103のビアを介して送信用の弾性表面波フィルタ102の出力端Ｐ１と接続されている。

以上のような構成により、アンテナ端子Ｐ１と受信用の弾性表面波フィルタ101の入力端子Ｐ２との間に、インダクタライン118、119を直列に接続し、チップコンデンサ115,117を並列に接続した整合回路が形成される。チップコンデンサ115,117を使用しているので、インダクタライン118、119のインダクタンスを小さく設定してもよい。したがって、図８のインダクタライン118、119の長さは図４、図７のそれに比べて短く、その形状もより単純になっている。したがって多層基板内の整合回路の容積を小さくすることができる。

図９は、このようにインダクタライン118,119とチップコンデンサ部品116,115で形成した整合回路を示す等価回路図である。
なお、前記図７に示した単体の弾性表面波素子111,112を多層基板上に実装した分波回路基板Ｂにおいても、図９のようなストリップラインとチップ部品で構成した整合回路を採用しても良い。

図１０は、以上に説明した分波回路基板Ｂを含む高周波モジュールの基板構成を示す分解斜視図である。多層基板の右半分に、以上に説明した分波回路基板Ｂが形成されている。多層基板の第一層103の左側には、電力増幅器120が実装されている。第二層104には整合回路105と方向性結合器の主線路121があり、第三層106には方向性結合器の副線路122があり各々ビアを介して接続される。図３中の２点破線が本実施例の高周波モジュールである。このように、多層基板中に、整合回路105とその他の回路部品を備えて、小型の高周波モジュールを実現することが出来る。

以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではない。例えば、図４などにおいて、第２の送信用ＳＡＷフィルタ124を第一層103上に載置してもよい。また図１０において、チップ状の弾性表面波フィルタ101,102,124を、図７に示したような単体の弾性表面波素子で構成することも出来、整合回路105については、図８に示したようなストリップラインとチップコンデンサ部品の複合で形成することも出来る。その他、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。

送信用及び受信用の弾性表面波フィルタのアンテナ端子からみたＳ１１（反射）特性を示すスミス図表である。（ａ）は送信用フィルタ、（ｂ）は受信用フィルタ、（ｃ）は整合回路を取り付けた受信用フィルタの特性図である。 インダクタラインの形状例を示す平面図（ａ）〜（ｅ）、及び斜視図（ｆ）（ｇ）である。 移動体無線端末等に用いる本発明の高周波モジュールＡの回路構成を示すブロック図である。 本発明の第１の実施形態に係る分波回路基板Ｂの基板構成を示す分解斜視図である。 整合回路105を付加しない場合の受信用弾性表面波フィルタ101のＳ２１（透過）特性図である。 整合回路105を付加した場合の受信用弾性表面波フィルタ101のＳ２１（透過）特性図である。 本発明の他の実施の形態に係る、単体の弾性表面波素子を多層基板上に実装した場合の分波回路基板Ｂの基板構成を示す分解斜視図である。 本発明の他の実施の形態に係る、ストリップラインとチップコンデンサ部品で整合回路を形成した場合の分波回路基板Ｂの基板構成を示す分解斜視図である。 ストリップラインとチップコンデンサ部品で形成した整合回路の等価回路図である。 分波回路基板Ｂを含む高周波モジュールＡの基板構成を示す分解斜視図である。

符号の説明

101受信用ＳＡＷフィルタ
102送信用ＳＡＷフィルタ
105整合回路
122増幅回路
121 方向性結合器
103体多層基板の第一層
104第二層
106第三層
110 第四層
107,108,109 ビアランド
118,119 インダクタライン
116,115 チップコンデンサ部品
120 電力増幅器
Ａ 高周波モジュール
Ｂ 分波回路基板
Ｐ１ アンテナ端子
Ｐ２ 受信入力端子
Ｐ３ 送信入力端子
Ｐ４ 受信出力端子
Ｒ 受信信号端子

Claims (18)

1. アンテナ端子に接続され、アンテナ端子に出力する送信信号及びアンテナ端子から入力される受信信号を分波する分波回路を搭載する基板であって、
   前記分波回路が、多層基板に搭載された送信用弾性表面波フィルタ及び受信用弾性表面波フィルタと、前記アンテナ端子と前記受信用弾性表面波フィルタとの間に介在される整合回路とを備え、
   前記整合回路は、前記送信用又は受信用弾性表面波フィルタの実装面の下部を含む基板領域において、湾曲した形状に形成されたインダクタラインにより構成されていることを特徴とする分波回路基板。
2. 前記送信用及び受信用弾性表面波フィルタが、それぞれパッケージに収納された状態で前記多層基板上に実装されている請求項１記載の分波回路基板。
3. 前記送信用及び受信用弾性表面波フィルタが、それぞれパッケージに収納されず、多層基板上に実装された単体の弾性表面波素子により構成されている請求項１記載の分波回路基板。
4. 前記整合回路が多層基板中の少なくとも一層に、又はそれ以上の層にまたがった形で形成されていることを特徴とする請求項１記載の分波回路基板。
5. 整合回路形成領域の周囲が、整合回路を構成するインダクタラインの一部で囲まれている請求項１記載の分波回路基板。
6. 整合回路形成領域の一部が、整合回路を構成するインダクタラインの一部で囲まれている請求項１記載の分波回路基板。
7. 前記整合回路が、多層基板中の少なくとも一層以上に形成されたインダクタラインと、多層基板上に実装されたチップコンデンサ部品とで形成されていることを特徴とする請求項１記載の分波回路基板。
8. アンテナ端子に接続され、アンテナ端子に出力する送信信号及びアンテナ端子から入力される受信信号を分波する分波回路と、送信信号を増幅する増幅回路とを多層基板に搭載した高周波モジュールであって、
   前記分波回路が、多層基板に搭載された送信用弾性表面波フィルタ及び受信用弾性表面波フィルタと、前記アンテナ端子と前記受信用弾性表面波フィルタとの間に介在される整合回路とを備え、
   前記整合回路は、前記送信用又は受信用弾性表面波フィルタの実装面の下部を含む基板領域において、湾曲した形状に形成されたインダクタラインにより構成され、かつ前記増幅回路が多層基板の表面又は内部に搭載されていることを特徴とする高周波モジュール。
9. 方向性結合器が、多層基板の表面又は内部に搭載されている請求項８記載の高周波モジュール。
10. 前記送信用及び受信用弾性表面波フィルタが、それぞれパッケージに収納された状態で前記多層基板上に実装されている請求項８記載の高周波モジュール。
11. 前記送信用及び受信用弾性表面波フィルタが、それぞれパッケージに収納されず、多層基板上に実装された単体の弾性表面波素子により構成されている請求項８記載の高周波モジュール。
12. 前記整合回路が多層基板中の少なくとも一層に、又はそれ以上の層にまたがった形で形成されている請求項８記載の高周波モジュール。
13. 整合回路形成領域の周囲が、整合回路を構成するインダクタラインの一部で囲まれている請求項８記載の高周波モジュール。
14. 整合回路形成領域の一部が、整合回路を構成するインダクタラインの一部で囲まれている請求項８記載の高周波モジュール。
15. 前記整合回路が、多層基板中の少なくとも一層以上に形成されたインダクタラインと、多層基板上に実装されたチップコンデンサ部品とで形成されている請求項８記載の高周波モジュール。
16. 前記増幅回路の前段に第２の送信用弾性表面波フィルタを配置し、この第２の送信用弾性表面波フィルタを多層基板に搭載した請求項８記載の高周波モジュール。
17. 前記請求項１〜７記載のいずれかの分波回路基板を搭載していることを特徴とする携帯端末器などの無線通信装置。
18. 前記請求項８〜１６記載のいずれかの高周波モジュールを搭載していることを特徴とする携帯端末器などの無線通信装置。

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