JP2005078979A - El装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】この発明は、外部からの液体及びガスの浸入によるエレクトロルミネッセンス層の劣化を防止することができるEL装置を提供することを課題とする。
【解決手段】EL素子2の発光領域の周りには、この発光領域の外周全体を囲むようにダム部材3が形成されている。陽極5の第1電極取出し部2b及び陰極7の第2電極取出し部2cが存在しない部分ではガラス基板1と封止膜4との間の界面上に、第1電極取出し部2bが存在する部分では封止膜4と第1電極取出し部2bとの間の界面上に、さらに、第2電極取出し部2bが存在する部分では第2電極取出し部2cとガラス基板1と間の界面上にそれぞれダム部材3が形成されている。これらの界面に水分やガスが浸入しても、ダム部材3によりこれら水分及びガスが吸収されてダム部材3の内側にまで浸入することが防止される。
【選択図】図2

Description

この発明は、EL(エレクトロルミネッセンス)装置に係り、特に防湿性の向上に関する。
従来、無機EL装置や有機EL装置などのEL装置は、自己発光を行ない、高輝度の画面を得ることができるため、薄型、軽量の携帯機器等のディスプレイや照明装置として広く実用化が進められている。このEL装置は、基板上に少なくとも一方が透明性電極からなる一対の電極層とそれらの間に挟まれたエレクトロルミネッセンス層とを有するEL素子が形成された構造を有している。
このようなEL装置においては、水分やガスの浸入によってEL素子のエレクトロルミネッセンス層がダメージを受け、画質の劣化や寿命の短縮化を招く虞があるため、外部からの水分やガスの浸入を防ぐ目的でEL素子の表面を封止膜で覆うことが提案されている。
例えば、特許文献1には、EL素子の表面にポリシラザンを塗布してシリカ膜あるいはシリカ系膜を形成し、これを封止膜とする技術が開示されている。
特開2002−222691号公報
しかしながら、上述のようにEL素子の表面を封止膜で覆う場合、この膜自体の遮蔽性が優れていても、封止膜と基板との間の界面を通って外部から水分やガスが浸入してエレクトロルミネッセンス層にダメージを与える虞があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされたもので、外部からの水分及びガスの浸入によるエレクトロルミネッセンス層の劣化を防止することができるEL装置を提供することを目的とする。
この発明に係るEL装置は、基板上に第1の電極層とエレクトロルミネッセンス層と第2の電極層とが順次積層形成されると共にこれら第1の電極層及びエレクトロルミネッセンス層及び第2の電極層の表面上を覆う封止膜を有するEL装置において、封止膜と基板との間に配置されることにより液体及び/又はガスが外部から封止膜と基板との間に存在する界面に浸入してエレクトロルミネッセンス層に至ることを防止するダム部材を備えるものである。
封止膜と基板との間に存在する界面に外部から浸入してきた液体及びガスをダム部材で遮断することにより、これら液体及びガスがエレクトロルミネッセンス層に到達することが防止される。
ここで、エレクトロルミネッセンス層とは、第1及び第2の電極の間に設けられた、発光に寄与する層全体を意味する。
ダム部材は、エレクトロルミネッセンス層の外周全体を囲むように形成されることが好ましい。エレクトロルミネッセンス層の外周全体がダム部材により囲まれているため、外部からエレクトロルミネッセンス層への液体及びガスの浸入が効果的に防止される。
第2の電極層は、基板上においてエレクトロルミネッセンス層の外部にまで延出すると共にその上面が封止膜により覆われた電極取出し部を有し、この第2の電極層の電極取出し部と基板との間の界面上にダム部材が形成されていることが好ましい。同様に、第1の電極層も、基板上においてエレクトロルミネッセンス層の外部にまで延出すると共にその上面が封止膜により覆われた電極取出し部を有し、この第1の電極層の電極取出し部と封止膜との間の界面上にダム部材が形成されていることが好ましい。
このようにすれば、第2の電極層の電極取出し部と基板との間の界面、及び第1の電極層の電極取出し部と封止膜との間の界面に外部から液体やガスが浸入しても、これら液体及びガスはダム部材により遮断される。
また、ダム部材を液体及び/又はガスを吸収する材料から形成することが好ましい。外部から界面に浸入してきた液体やガスをダム部材により吸収することによりそれ以上の進行を遮断することができる。
ダム部材をエレクトロルミネッセンス層の材料と同じ材料から構成することがより好ましい。
このようにすれば、マスクを用いてダム部材とエレクトロルミネッセンス層とを同時に形成することができる。
また、ダム部材を、基板の材料と同じ材料から構成すると共に基板上に突出するように形成することができる。ダム部材は基板と一体でこの基板上に突出しているので、界面に外部から浸入してきた液体及びガスはダム部材により遮断される。
さらに、ダム部材は、第1の電極層と第2の電極層とを互いに絶縁する絶縁膜としても機能することができる。
この発明によれば、封止膜と基板との間に配置されることにより液体及び/又はガスが外部から封止膜と基板との間に存在する界面に浸入してエレクトロルミネッセンス層に至ることを防止するダム部材を備えたので、界面に浸入してきた液体及びガスはダム部材により遮断されてエレクトロルミネッセンス層にまで到達せず、これにより外部からの液体やガスの浸入によるエレクトロルミネッセンス層の劣化を防止することができる。
以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
実施の形態1.
図1に、この発明の実施の形態1に係るEL装置の平面図を示す。透明なガラス基板1の上にEL素子2が配置されている。このEL素子2は、ほぼ矩形の発光領域2aを有しており、発光領域2aの周りにはこの発光領域2aの外周全体を囲むようにダム部材3が形成されている。また、これらEL素子2及びダム部材3の表面全体が封止膜4により覆われている。さらに、EL素子2は、発光領域2aの外部に延出した第1電極取出し部2b及び第2電極取出し部2cを有している。
次に、図1におけるA−A線に沿う断面図を図2(a)に、B−B線に沿う断面図を図2(b)に、C−C線に沿う断面図を図2(c)にそれぞれ示す。
図2(a)〜(c)に示されるように、EL素子2は、ガラス基板1の表面上に形成された第1の電極層となる陽極5と、陽極5の上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層6と、有機エレクトロルミネッセンス層6の上に形成された第2の電極層となる陰極7とから構成されている。なお、これら陽極5、有機エレクトロルミネッセンス層6及び陰極7の積層体により図1のEL素子2における発光領域2aが形成されている。
ここで、第1電極取出し部2b及び第2電極取出し部2cが存在しない部分では、図2(a)に示されるように、封止膜4が発光領域2aの外部に位置するガラス基板1の表面上にまで配置されており、これら封止膜4とガラス基板1との間の界面上にダム部材3が形成されている。
また、図2(b)に示されるように、第1電極取出し部2bが陽極5から延出して発光領域2aの外部に位置するガラス基板1の表面上に配置されている。また、この第1電極取出し部2bの表面上に封止膜4が位置し、これら第1電極取出し部2bと封止膜4との間の界面上にダム部材3が形成されている。
さらに、図2(c)に示されるように、第2電極取出し部2cが陰極7から延出して発光領域2aの外部に位置するガラス基板1の表面上に配置され、これら第2電極取出し部2cとガラス基板1との間の界面上にダム部材3が形成されている。なお、この第2電極取出し部2cの表面上に封止膜4が位置している。また、陽極5の縁部が有機エレクトロルミネッセンス層6で覆われることにより陽極5と陰極7とが互いに絶縁されている。
ここで、ダム部材3は、有機エレクトロルミネッセンス層6を構成する材料と同じ材料から形成されており、外部から界面を通って浸入する水分及び/又はガスに対して高い吸収特性を有している。また、このダム部材3は高さ50nm〜500nm程度に形成されることが好ましく、発光領域2aの外周部から所定距離だけ離れた位置に形成されることが好ましい。
また、ガラス基板1は可視光に対して透明または半透明の材料から形成されればよく、ガラスの他、このような条件を満たす樹脂を用いることもできる。
EL素子2の陽極5は、電極としての機能を有し且つ少なくとも可視光に対して透明または半透明であればよく、例えばITOがその材料として採用される。有機エレクトロルミネッセンス層6の材料としては、少なくともAlqやDCMなどの公知の有機発光材料が含有される。また、電極間には、電子輸送層やホール輸送層等の公知の有機EL装置に採用される一または複数の層も適宜形成でき、各層は公知の材料から適宜形成される。陰極7は、電極としての機能を有し且つ少なくとも可視光に対して反射性を有すればよく、例えばAl、Cr、Mo、Al合金、Al/Mo積層体等を採用することができる。各層は、真空蒸着法などの公知の薄膜形成法によって形成すればよい。
さらに、封止膜4としては、酸化膜や窒化膜等を用いることができ、湿式法または乾式法により形成することができる。また、この封止膜4を複数の膜から構成してもよい。
このEL装置では、ガラス基板1のEL素子2とは反対側の主面が光の出射面になっている。すなわち、有機エレクトロルミネッセンス層6で発した光が直接陽極5へ、あるいは陰極7で反射した後に陽極5へ入射し、さらにガラス基板1を透過して出射される。
次に、この実施の形態1に係るEL装置の作用について説明する。図2(a)に示されるように、陽極5の第1電極取出し部2b及び陰極7の第2電極取出し部2cが存在しない部分では、ガラス基板1と封止膜4との間の界面上にダム部材3が形成されているため、このガラス基板1と封止膜4との間の界面に外部から水分やガスが浸入しても、ダム部材3によりこれら水分及びガスが吸収されてダム部材3の内側にまで浸入することが防止される。
同様に、図2(b)に示されるように、第1電極取出し部2bが存在する部分では、封止膜4と第1電極取出し部2bとの間の界面上にダム部材3が形成されているため、この封止膜4と第1電極取出し部2bとの間の界面に外部から水分やガスが浸入しても、ダム部材3によりこれら水分及びガスが吸収されてダム部材3の内側にまで浸入することが防止される。
さらに、図2(c)に示されるように、第2電極取出し部2bが存在する部分では、第2電極取出し部2cとガラス基板1と間の界面上にダム部材3が形成されているため、この第2電極取出し部2cとガラス基板1との間の界面に外部から水分やガスが浸入しても、ダム部材3によりこれら水分及びガスが吸収されてダム部材3の内側にまで浸入することが防止される。
すなわち、EL素子2の有機エレクトロルミネッセンス層6の外周全体を囲むようにダム部材3が形成されており、封止膜4とガラス基板1との間に存在する界面に外部から浸入してきた水分及びガスがこのダム部材3により吸収されるため、これら水分及びガスが有機エレクトロルミネッセンス層6にまで到達することが防止される。従って、有機エレクトロルミネッセンス層6にダメージを与えることが回避される。
また、図2(c)に示されるように、陰極7の第2電極取出し部2cとガラス基板1との間の界面上にダム部材3が形成されているため、このダム部材3の上部において、第2電極取出し部2cと封止膜4との間の界面が上方に向かって凸状に突出した形状となっている。このため、外部から第2電極取出し部2cと封止膜4との間の界面に水分やガスが浸入しても、この界面の突出した部分により水分やガスの進行が妨げられて、それより内側に浸入しにくくなる。
次に、上述のようなEL装置の製造方法について説明する。図3(a)に示されるように、ガラス基板1の表面上に第1電極取出し部2bを有する陽極5を形成する。
次に、図3(b)に示されるように、2つのマスクを用いて有機エレクトロルミネッセンス層6とダム部材3とを別々に形成する。すなわち、陽極5の表面上に矩形パターンの有機エレクトロルミネッセンス層6を形成すると共に、この有機エレクトロルミネッセンス層6の外周全体を囲むようなダム部材3をガラス基板1上に形成する。このとき、ダム部材3は陽極5の第1電極取出し部2bの表面上を通るように形成される。
さらに、図3(c)に示されるように、有機エレクトロルミネッセンス層6の表面上に第2電極取出し部2cを有する陰極7を形成し、その後、これら陽極5、有機エレクトロルミネッセンス層6、陰極7及びダム部材3の表面上を覆うように封止膜4を形成する。なお、陰極7の第2電極取出し部2cはダム部材3の一部を跨ぐように形成される。
これにより、EL装置が製造される。
また、上述の実施の形態1において、ダム部材3は有機エレクトロルミネッセンス層6の材料と同じ材料から形成されていたが、これに限るものではなく、液体及び/又はガスを吸収する材料から形成されていれば、上述の実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
実施の形態2.
次に、図4を参照して本発明の実施の形態2に係るEL装置を説明する。この実施の形態2は、図1に示した実施の形態1のEL装置において、発光領域2aから離れて配置されるダム部材3の代りに、発光領域2aの周縁部に配置されるダム部材11を備えるものである。ここで、図4(a)〜(c)はそれぞれ図1におけるA−A線、B−B線及びC−C線に沿った断面図に対応している。なお、このダム部材11は、外部から界面を通って浸入する水分及び/又はガスに対して高い吸収特性を有している。
このように、発光領域2aの周縁部にダム部材11を形成しても、図4(a)に示される封止膜4とガラス基板1との間の界面、図4(b)に示される陽極5の第1電極取出し部2bと封止膜4との間の界面、及び図4(c)に示される陰極7の第2電極取出し部2cとガラス基板1との間の界面に浸入してきた水分やガスはこのダム部材11により吸収されるため、実施の形態1と同様に、水分及びガスが有機エレクトロルミネッセンス層6に到達することを防止することができる。
また、このダム部材11を、電気的絶縁性材料から形成すれば、ダム部材11を陽極5と陰極7とを互いに絶縁する絶縁膜としても機能させることができる。
実施の形態3.
次に、図5を参照して本発明の実施の形態3に係るEL装置を説明する。この実施の形態3は、図1に示した実施の形態1のEL装置において、ダム部材3の代りに、ガラス基板1と一体に形成されるダム部材21を備えるものである。ここで、図5(a)〜(c)はそれぞれ図1におけるA−A線、B−B線及びC−C線に沿った断面図に対応している。
ダム部材21は、ガラス基板1と同じ材料から構成され、ガラス基板1上に突出するように形成される。すなわち、図5(a)に示される封止膜4とガラス基板1との間の界面上、図5(b)に示される陽極5の第1電極取出し部2bとガラス基板1との間の界面上、及び図5(c)に示される陰極7の第2電極取出し部2cとガラス基板1との間の界面上にそれぞれダム部材21が突出するように形成される。このようにダム部材21がガラス基板1と一体でこの基板1上に突出しているので、それらの界面に浸入してきた水分及びガスはダム部材21により遮断される。
また、図5(b)に示される第1電極取出し部2bと封止膜4との間の界面、及び図5(c)に示される第2電極取出し部2cと封止膜4との間の界面は、ダム部材21の上部において、上方に向かって凸状に突出した形状となっているため、外部からこれらの界面に水分やガスが浸入しても、これらの界面の突出した部分により水分やガスの進行が妨げられる。
これにより、外部から浸入してきた水分及びガスが有機エレクトロルミネッセンス層6に到達することが防止される。
なお、このようなダム部材21は、ガラス基板1の表面上にガラスエッチングを施すなどして形成することができる。
なお、上記の実施の形態1〜3では、ガラス基板1上に透明性の陽極5、有機エレクトロルミネッセンス層6及び反射性の陰極7が順次積層され、有機エレクトロルミネッセンス層6で発した光が陽極5及びガラス基板1を透過して出射されるボトムエミッション型の有機EL装置について説明したが、これに限るものではなく、この発明は、基板上に反射性電極、有機エレクトロルミネッセンス層及び透明性電極を順次積層して有機エレクトロルミネッセンス層で発した光が基板とは反対側の透明性電極を透過して出射されるトップエミッション型の有機EL装置にも適用される。この場合、透明性電極の上に封止膜が形成されるが、この封止膜は可視光に対して透明または半透明の材料から形成する必要がある。
また、ダム部材3が有機エレクトロルミネッセンス層6の外周全体を囲む必要は必ずしもなく、有機エレクトロルミネッセンス層6の外周において、ダム部材3が形成されない部分があってもよい。このようにダム部材3が形成されない部分を設ける場合には、ダム部材3を有機エレクトロルミネッセンス層6と同じ材料で構成すると共に、例えば図6に示すようなマスクを用いることにより、ダム部材3と有機エレクトロルミネッセンス層6とを同時に形成することが可能となる。この場合、ダム部材3が形成されない部分はできるだけ小さくすることが望ましい。
また、有機エレクトロルミネッセンス層6が複数の層からなる場合には、ダム部材3は当該複数の層の全ての層から構成されてもよいし、当該複数の層の一部の層から構成されてもよい。
また、以上、有機EL装置について説明したが、この発明は、無機EL装置にも同様にして適用することができる。
この発明の実施の形態1に係るEL装置の構成を示す平面図である。 実施の形態1におけるEL装置を示し、(a)は図1のA−A線に沿った断面図であり、(b)は図1のB−B線に沿った断面図であり、(c)は図1のC−C線に沿った断面図である。 実施の形態1におけるEL装置の製造方法を工程順に示す平面図である。 実施の形態2におけるEL装置を示し、(a)は図1のA−A線に、(b)は図1のB−B線に、(c)は図1のC−C線にそれぞれ対応した断面図である。 実施の形態3におけるEL装置を示し、(a)は図1のA−A線に、(b)は図1のB−B線に、(c)は図1のC−C線にそれぞれ対応した断面図である。 実施の形態1〜3の変形例の製造に使用されるマスクを示す平面図である。
符号の説明
1 ガラス基板、2 EL素子、2a 発光領域、2b 第1電極取出し部、2c 第2電極取出し部、3,11,21 ダム部材、4 封止膜、5 陽極、6 有機エレクトロルミネッセンス層、7 陰極。

Claims (8)

  1. 基板上に第1の電極層とエレクトロルミネッセンス層と第2の電極層とが順次積層形成されると共にこれら第1の電極層及びエレクトロルミネッセンス層及び第2の電極層の表面上を覆う封止膜を有するEL装置において、
    封止膜と基板との間に配置されることにより液体及び/又はガスが外部から前記封止膜と基板との間に存在する界面に浸入してエレクトロルミネッセンス層に至ることを防止するダム部材を
    備えることを特徴とするEL装置。
  2. 前記ダム部材は、エレクトロルミネッセンス層の外周全体を囲むように形成されることを特徴とする請求項1に記載のEL装置。
  3. 第2の電極層は、基板上においてエレクトロルミネッセンス層の外部にまで延出すると共にその上面が封止膜により覆われた電極取出し部を有し、この第2の電極層の電極取出し部と基板との間の界面上に前記ダム部材が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のEL装置。
  4. 第1の電極層は、基板上においてエレクトロルミネッセンス層の外部にまで延出すると共にその上面が封止膜により覆われた電極取出し部を有し、この第1の電極層の電極取出し部と封止膜との間の界面上に前記ダム部材が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のEL装置。
  5. 前記ダム部材は、液体及び/又はガスを吸収する材料から形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のEL装置。
  6. 前記ダム部材は、エレクトロルミネッセンス層の材料と同じ材料から構成されることを特徴とする請求項5に記載のEL装置。
  7. 前記ダム部材は、基板の材料と同じ材料から構成されると共に基板上に突出するように形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のEL装置。
  8. 前記ダム部材は、第1の電極層と第2の電極層とを互いに絶縁する絶縁膜としても機能することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のEL装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100718968B1 (ko) 2006-01-31 2007-05-16 엘지전자 주식회사 전계발광소자 및 그의 제조방법
WO2012102269A1 (ja) * 2011-01-25 2012-08-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置
KR101763616B1 (ko) 2015-07-29 2017-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20170090382A (ko) * 2015-07-29 2017-08-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20220034068A (ko) * 2017-07-24 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
JP2006351462A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Toyota Industries Corp El素子
JP2007026971A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Toyota Industries Corp エレクトロルミネッセンス素子とエレクトロルミネッセンス素子ユニット
JP2007213914A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Canon Inc 有機el素子アレイ
KR100781616B1 (ko) * 2006-04-07 2007-12-05 네오뷰코오롱 주식회사 유리 절연막을 포함하는 디스플레이 장치와 유리 절연막을제조하는 방법 및 유리 절연막을 이용하는 유기전계발광소자의 제조방법
KR102034253B1 (ko) * 2013-04-12 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102218573B1 (ko) * 2013-09-30 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102080296B1 (ko) 2013-12-03 2020-02-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR20160011310A (ko) * 2014-07-21 2016-02-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102376966B1 (ko) * 2015-08-11 2022-03-22 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20180061866A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN107180852B (zh) * 2017-05-18 2019-11-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种触控显示面板及显示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3278611B2 (ja) * 1998-05-18 2002-04-30 日本電気株式会社 有機el素子の封止方法
US6992439B2 (en) * 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
KR100413450B1 (ko) * 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
JP4019690B2 (ja) * 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
US6936131B2 (en) * 2002-01-31 2005-08-30 3M Innovative Properties Company Encapsulation of organic electronic devices using adsorbent loaded adhesives
US20050248270A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Eastman Kodak Company Encapsulating OLED devices

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100718968B1 (ko) 2006-01-31 2007-05-16 엘지전자 주식회사 전계발광소자 및 그의 제조방법
WO2012102269A1 (ja) * 2011-01-25 2012-08-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置
US8823256B2 (en) 2011-01-25 2014-09-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and illumination device
KR101763616B1 (ko) 2015-07-29 2017-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20170090382A (ko) * 2015-07-29 2017-08-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9954200B2 (en) 2015-07-29 2018-04-24 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
US10468628B2 (en) 2015-07-29 2019-11-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
US11258039B2 (en) 2015-07-29 2022-02-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
KR102370352B1 (ko) 2015-07-29 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US11925055B2 (en) 2015-07-29 2024-03-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
KR20220034068A (ko) * 2017-07-24 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102528305B1 (ko) 2017-07-24 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

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