JP7281547B2 - プロセス制御のためのインダイメトロロジ方法及びシステム - Google Patents
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Description
[0001] この出願は、2018年12月31日に出願された米国出願62/787,203の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
1.荷電粒子ビームツールを使用したインダイメトロロジに関連する方法であって、
集積回路の設計を表す第1の設計データに基づいてターゲット設計パターンを選択すること、及び
ターゲット設計パターンから得た設計データを、第1の設計データに基づいている第2の設計データに追加できるように、ターゲット設計パターンを示す設計データを提供すること、を含む方法。
2.第1の設計データが、Graphic Database System(GDS)、Open Artwork System Interchange Standard(OASIS)、又はCaltech Intermediate Form(CIF)データのうちの1つとして表された、条項1の方法。
3.第2の設計データから得た構造をウェーハ上に印刷させること、
荷電粒子ビームツールを使用してウェーハ上の構造を検査すること、
検査に基づいてメトロロジデータ又はプロセス欠陥を特定すること、
をさらに含む、条項1又は2の方法。
4.特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいて、第2の設計データを調整させることをさらに含む、条項3の方法。
5.特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいて、スキャナを調整させることをさらに含む、条項3の方法。
6.特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいて、フォトリソグラフィ装置を調整させることをさらに含む、条項3の方法。
7.特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥が、エッジ配置誤差、重ね合わせずれ、コンタクトホールサイズ変化、及びエッジ粗さのうちの少なくとも1つである、条項3から6のいずれか一項の方法。
8.ターゲット設計パターンを選択することがさらに、
ターゲット設計パターンに関連付けられた特性に基づいて、設計パターン及び対応する特性を含む設計ライブラリからターゲット設計パターンを選択すること、
を含む、条項1から7のいずれか一項の方法。
9.ターゲット設計パターンを選択することがさらに、
1つ以上の潜在的ターゲット設計パターンと関連したプロセスウィンドウ検証データを解析すること、及び
解析の結果に基づいてターゲット設計パターンを選択すること、
を含む、条項1から8のいずれか一項の方法。
10.ターゲット設計パターンを選択することがさらに、
ターゲット設計パターンと関連付けられた設計データを解析すること、及び
解析の結果に基づいてターゲット設計パターンを選択すること、
を含む、条項1から9のいずれか一項の方法。
11.解析がプロセスシミュレーションである、条項10の方法。
12.ターゲット設計パターンを選択することがさらに、
ターゲット設計パターンと第1の設計データとの類似性に基づいてターゲット設計パターンを選択すること、
を含む、条項1から11のいずれか一項の方法。
13.ターゲット設計パターンから得た設計データが、指定位置にある第2の設計データに追加された、条項1から12のいずれか一項の方法。
14.第2の設計データの指定位置が、第2の設計データのコンポーネント間にある、条項13の方法。
15.第1の設計データ及び第2の設計データが、集積回路のレイアウト設計データの異なるバージョンを表す、条項1から14のいずれか一項の方法。
16.インダイメトロロジのためのシステムであって、
検出器を含む荷電粒子ビーム装置と、
検出器から検出信号を受信し、ターゲット設計パターンを含む画像を作成するための回路を含む画像取得部と、
少なくとも1つのプロセッサ及び非一時的コンピュータ可読媒体と、を備え、
非一時的コンピュータ可読媒体が、プロセッサにより実行されるとき、
集積回路の設計を表す第1の設計データに基づいてターゲット設計パターンを選択すること、及び
ターゲット設計パターンから得た設計データを、第1の設計データに基づいている第2の設計データに追加できるように、ターゲット設計パターンを示す設計データを提供すること、
をシステムに行わせる命令を含む、システム。
17.第1の設計データが、Graphic Database System(GDS)、Open Artwork System Interchange Standard(OASIS)、又はCaltech Intermediate Form(CIF)データのうちの1つとして表された、条項16のシステム。
18.命令が、プロセッサにより実行されるとき、
第2の設計レイアウトから得た構造をウェーハ上に印刷させること、
荷電粒子ビームツールを使用してウェーハ上の構造を検査すること、及び
検査に基づいてメトロロジデータ又はプロセス欠陥を特定すること、
をさらにシステムに行わせる、条項16又は17のシステム。
19.命令が、プロセッサにより実行されるとき、特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいて第2の設計データを調整させることをさらにシステムに行わせる、条項18のシステム。
20.命令が、プロセッサにより実行されるとき、特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいてスキャナを調整させることをさらにシステムに行わせる、条項18のシステム。
21.命令が、プロセッサにより実行されるとき、特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいてフォトリソグラフィ装置を調整させることをさらにシステムに行わせる、条項18のシステム。
22.特定されたプロセス欠陥が、エッジ配置誤差、重ね合わせずれ、コンタクトホールサイズ変化、及びエッジ粗さのうちの少なくとも1つである、条項18から21のいずれか一項のシステム。
23.メモリと、
設計パターン及び対応する特性を含む、メモリに格納された設計ライブラリと、
をさらに備えた、条項16から22のいずれか一項のシステム。
24.命令が、プロセッサにより実行されるとき、
1つ以上の潜在的ターゲット設計パターンと関連したプロセスウィンドウ検証データを解析すること、及び
解析の結果に基づいてターゲット設計パターンを選択すること、
をさらにシステムに行わせる、条項16から24のいずれか一項のシステム。
命令が、プロセッサにより実行されるとき、
ターゲット設計パターンと関連付けられた設計データを解析すること、及び
解析の結果に基づいてターゲット設計パターンを選択すること、
をさらにシステムに行わせる、条項16から25のいずれか一項のシステム。
25.解析がプロセスシミュレーションである、条項25のシステム。
26.命令が、プロセッサにより実行されるとき、ターゲット設計パターンと第1の設計データとの類似性に基づいてターゲット設計パターンを選択することをさらにシステムに行わせる、条項16から26のいずれか一項のシステム。
27.ターゲット設計パターンから得た設計データが、指定位置にある第2の設計データに追加された、条項16から27のいずれか一項のシステム。
28.第2の設計データの指定位置が、第2の設計データのコンポーネント間にある、条項28のシステム。
29.第1の設計データ及び第2の設計データが、集積回路のレイアウト設計データの異なるバージョンを表す、条項16から29のいずれか一項のシステム。
30.集積回路の設計を表す第1の設計データに基づいてターゲット設計パターンを選択すること、及び
ターゲット設計パターンから得た設計データを、第1の設計データに基づいている第2の設計データに追加できるように、ターゲット設計パターンを示す設計データを提供すること、
を含む方法をシステムに行わせる、システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットを格納する非一時的コンピュータ可読媒体。
31.第1の設計データが、Graphic Database System(GDS)、Open Artwork System Interchange Standard(OASIS)、又はCaltech Intermediate Form(CIF)データのうちの1つとして表された、条項31のコンピュータ可読媒体。
32.システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットが、
第2の設計データから得た構造をウェーハ上に印刷させること、
荷電粒子ビームツールを使用してウェーハ上の構造を検査すること、及び
検査に基づいてメトロロジデータ又はプロセス欠陥を特定すること、
をさらにシステムに行わせる、条項31又は32のコンピュータ可読媒体。
33.システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットが、特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいて、第2の設計データを調整させることをさらにシステムに行わせる、条項33のコンピュータ可読媒体。
34.システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットが、特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいて、スキャナを調整させることをさらにシステムに行わせる、条項33のコンピュータ可読媒体。
35.システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットが、特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいて、フォトリソグラフィ装置を調整させることをさらにシステムに行わせる、条項33のコンピュータ可読媒体。
36.特定されたメトロロジデータ又はプロセス欠陥が、エッジ配置誤差、重ね合わせずれ、コンタクトホールサイズ変化、及びエッジ粗さのうちの少なくとも1つである、条項33から36のいずれか一項のコンピュータ可読媒体。
37.システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットが、
ターゲット設計パターンに関連付けられた特性に基づいて、設計パターン及び対応する特性を含む設計ライブラリからターゲット設計パターンを選択すること、
をさらにシステムに行わせる、条項31から37のいずれか一項のコンピュータ可読媒体。
38.システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットが、
1つ以上の潜在的ターゲット設計パターンと関連したプロセスウィンドウ検証データを解析すること、及び
解析の結果に基づいてターゲット設計パターンを選択すること、
をさらにシステムに行わせる、条項31から38のいずれか一項のコンピュータ可読媒体。
39.システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットが、
ターゲット設計パターンと関連付けられた設計データを解析すること、及び
解析の結果に基づいてターゲット設計パターンを選択すること、
をさらにシステムに行わせる、条項31から39のいずれか一項のコンピュータ可読媒体。
40.解析がプロセスシミュレーションである、条項40のコンピュータ可読媒体。
41.システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットが、
ターゲット設計パターンと第1の設計データとの類似性に基づいてターゲット設計パターンを選択すること、
をさらにシステムに行わせる、条項31から41のいずれか一項のコンピュータ可読媒体。
42.ターゲット設計パターンから得た設計データが、指定位置にある第2の設計データに追加された、条項31から42のいずれか一項のコンピュータ可読媒体。
43.第2の設計データの指定位置が、第2の設計データのコンポーネント間にある、条項43のコンピュータ可読媒体。
44.第1の設計データ及び第2の設計データが、集積回路のレイアウト設計データの異なるバージョンを表す、条項31から44のいずれか一項のコンピュータ可読媒体。
Claims (13)
- 集積回路の設計を表す第1の設計データに基づいてターゲット設計パターンを選択すること、及び
設計データを第2の設計データに追加できるように、前記ターゲット設計パターンを示す前記設計データを提供することであって、前記第2の設計データは、集積回路のデザインレイアウトを表すデータであり、前記第1の設計データに基づいている、提供すること、
を含む方法をシステムに行わせるための、前記システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な命令の一セットを格納する非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記第1の設計データが、グラフィック・データベース・システム(GDS)、オープン・アートワーク・システム・インターチェンジ・スタンダード(OASIS)、又はカルテック・インターミーディエイト・フォーム(CIF)データのうちの1つとして表された、請求項1のコンピュータ可読媒体。
- 前記システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な前記命令の一セットが、
前記第2の設計データから得た構造がウェーハ上に印刷された後、荷電粒子ビームツールを使用して前記ウェーハ上の前記構造を検査すること、及び
前記検査に基づいてメトロロジデータ又はプロセス欠陥を特定すること、
を前記システムにさらに行わせる、請求項1のコンピュータ可読媒体。 - システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な前記命令の一セットが、特定された前記メトロロジデータ又はプロセス欠陥に基づいて、前記第2の設計データを調整させることを前記システムにさらに行わせる、請求項3のコンピュータ可読媒体。
- 特定された前記メトロロジデータ又はプロセス欠陥が、エッジ配置誤差、重ね合わせずれ、コンタクトホールサイズ変化、及びエッジ粗さのうちの少なくとも1つである、請求項3のコンピュータ可読媒体。
- システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な前記命令の一セットが、
前記ターゲット設計パターンに関連付けられた特性に基づいて、設計パターン及び対応する特性を含む設計ライブラリから前記ターゲット設計パターンを選択すること、
を前記システムにさらに行わせる、請求項1のコンピュータ可読媒体。 - システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な前記命令の一セットが、
前記ターゲット設計パターンと関連付けられた設計データを解析すること、及び
前記解析の結果に基づいて前記ターゲット設計パターンを選択すること、
を前記システムにさらに行わせる、請求項1のコンピュータ可読媒体。 - 前記解析がプロセスシミュレーションを含む、請求項7のコンピュータ可読媒体。
- システムの1つ以上のプロセッサにより実行可能な前記命令の一セットが、
前記ターゲット設計パターンと前記第1の設計データとの類似性に基づいて前記ターゲット設計パターンを選択すること、
を前記システムにさらに行わせる、請求項1のコンピュータ可読媒体。 - 前記ターゲット設計パターンから得た前記設計データが、指定位置にある前記第2の設計データに追加された、請求項1のコンピュータ可読媒体。
- 前記第2の設計データの前記指定位置が、前記第2の設計データのコンポーネント間にある、請求項10のコンピュータ可読媒体。
- インダイメトロロジのためのシステムであって、
検出器を含む荷電粒子ビーム装置と、
前記検出器から検出信号を受信し、ターゲット設計パターンを含む画像を作成するための回路を含む画像取得部と、
少なくとも1つのプロセッサ及び非一時的コンピュータ可読媒体と、を備え、
前記非一時的コンピュータ可読媒体が、前記プロセッサにより実行されるとき、
集積回路の設計を表す第1の設計データに基づいてターゲット設計パターンを選択すること、及び
設計データを第2の設計データに追加できるように、前記ターゲット設計パターンを示す前記設計データを提供することであって、前記第2の設計データは、集積回路のデザインレイアウトを表すデータであり、前記第1の設計データに基づいている、提供すること、
を前記システムに行わせる命令を含む、システム。 - 前記命令が、前記プロセッサにより実行されるとき、
前記第2の設計データから得た構造がウェーハ上に印刷された後に、荷電粒子ビームツールを使用して前記ウェーハ上の前記構造を検査すること、及び
前記検査に基づいてメトロロジデータ又はプロセス欠陥を特定すること、
を前記システムにさらに行わせる、請求項12のシステム。
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