JP2005039256A - 電気化学セルおよびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 小型・薄型化を容易とする電気化学セルの提供。
【解決策】 樹脂材料からなり箱状に形成されたベース部材11と、金属材料からなりベース部材11の内部から外部に貫通固定される導電性端子15と、金属材料からなりベース部材11に固定される枠部材12と、枠部材12に溶接されるカバー部材13で電気化学セルを構成した。
【選択図】 図1

Description

本発明は非水電解質電池および電気二重層原理を利用した電気二重層キャパシタ等の電気化学セルおよびその製造方法に関する。
非水電解質電池および電気二重層キャパシタ等の電気化学セルは、時計機能のバックアップ電源や半導体メモリのバックアップ電源、マイクロコンピュータやICメモリ等の電子装置の予備電源、ソーラ時計の電池、モータ駆動用の電源などとして使用されている。近年の電気化学セルは、半導体メモリの不揮発化、時計機能素子の低消費電力化により、容量、電流ともにそれほど大きなものの必要性が減ってきている。むしろ、電気化学セルのニーズとしては、ICや水晶、SAWデバイス等と同様に、はんだクリームを塗布した実装基板に部品を載置し、はんだ融点(200〜260℃)に温度設定されたリフロー炉で実装する要求が強くなっている。また、ICや水晶、SAWデバイス等とともに高密度実装が要求され、小型・薄型化構造が求められている。
従来、非水電解質電池および電気二重層キャパシタ等の電気化学セルは、コインやボタンのような形状の金属ケースでパッケージングされていた(例えば、特許文献1 参照。)。
図12に、従来の電気化学セルを説明する断面図を示す。電極としての正極活物質601、負極活物質603とセパレータ602を収納するための上端面側が円形に開口したステンレスの正極ケース61と、絶縁性の樹脂からなる円形のガスケット62を介して正極ケース61と勘合する円形の負極ケース63で構成されている。また、表面実装を必要とする場合は、正極ケース61に溶接される正極端子65aと、負極ケース63に溶接される負極端子65bとを有していた。
特開2002−190427号公報
以上に述べた従来の非水電解質電池および電気二重層キャパシタ等の電気化学セルは、はんだリフローでの耐熱性を確保するため、円形に開口した正極ケース61と円形の負極ケース63で円環状のガスケット62を押しつぶすことでカシメる封止構造がおこなわれていた。電気化学セルの耐熱性と封止性を確保するためには、コインやボタンのような形状であった。ところが、実装基板に配置されるICや水晶、SAWデバイスなどのパッケージは角型であるため、コイン型の電気化学セルを配置すると隙間が生じる。この隙間を有効に使えば、電気化学セルの蓄積容量は2割強の増加が見込める。また、正極ケース61は金属材料で成形されているが、負極端子65bと正極ケース61とは接触すると短絡してしまうため、隙間を確保しなければならない。すなわち、図6に示すように負極端子65bは正極ケース61の外径よりも外側に張り出す必要があり、実装基板上の占有スペースがさらに増えてしまうこととなった。したがって、実装基板上に配置した際、デッドスペースが生じて占有面積が増え、実装基板上の単位面積あたりの容量を高めることは困難であった。また、正極ケース61および負極ケース63に正極端子65aや負極端子65bを取り付ける場合、図12に示すようにそれぞれの部品を重ね合わせて溶接するため、電気化学セルの総厚が増してしまい薄型化が困難となるとともに、正極・負極端子を取り付けるための工数も増えて高価なものとなっていた。
本発明は、電気化学セルの形状自由度を高め、小型・薄型化を容易とするとともに高容量を実現し、はんだリフロー温度に耐えること、部品数および工数を減らして安価とすることを目的とするものである。
そして、本発明は上記目的を達成するために、
セパレータと、セパレータの上下面に配置された一対の電極と、セパレータ及び一対の電極に含浸された電解質を収容する容器からなる電気化学セルであって、容器が、底部と底部の外周に沿って底部の上面に設けられた側部とを一体形成したベース部材と、底部の上面に設けられ、ベース部材の内側から外側へ貫通し、底部と接する面と反対側の面が一対の電極の一方と接する金属材料からなる導電性端子と、側部上面の全周にわたって接合される、金属材料からなる枠部材と、枠部材のベース部材と接する面と反対側の面の全周にわたって接合され、金属材料からなるカバー部材と、を備えたことを特徴とするものである。
また、一端がカバー部材の側面に延設されたカバー接続端子を有することを特徴とするものである。
また、カバー端子の他端の一部および、導電性端子のベース部材から延出している一端の一部が互いに同一平面上にある面を有することを特徴とするものである。
また、一端が枠部材の側面に延設された枠接続端子を有することを特徴とするものである。
また、枠接続端子端子の他端の一部および、導電性端子のベース部材から延出している一端の一部が互いに同一平面上にある面を有することを特徴とするものである。
また、一端が枠部材の側面に延設され、側部の上端部から側部と底部の接する面を介して底部の底面へと貫通することを特徴とするものである。
また、他端もしくは導電性端子の一端が底部の下面に接し、かつ、側部からそれぞれ端子の厚さよりも外側に突出しないことを特徴とするものである。
また、導電性端子がステンレス若しくはアルミニウムからなる材料で構成されていることを特徴とするものである。
また、枠部材及びカバー部材がステンレス、アルミニウム、及びFeNi合金のいずれかからなる材料で構成されていることを特徴とするものである。
また、導電性端子がステンレスで枠部材及びカバー部材がFeNi合金で構成されていることを特徴とするものである。
また、カバー部材と枠部材とが溶接されていることを特徴とするものである。
また、枠部材とカバー部材にニッケル若しくは銀合金のロー材を被覆し、枠部材とカバー部材とが溶接されていることを特徴とするものである。
また、枠部材とカバー部材とを重ね合わせて溶接する接合部の少なくとも一部に接合幅の狭い部位を設け、電気化学セルの内部圧が高まった際に電解質を排出する開口が形成されることを特徴とするものである。
また、ベース部材がエポキシ系、ポリイミド系、ポリスチレン系、ポリフェニレンサルファイド系、ポリエステル系、ポリアミド系、及びポリエーテル系の何れかからなる材料で構成されていることを特徴とするものである。
また、ベース部材もしくはカバー部材の少なくとも1箇所に厚さの薄い部位を設け、電気化学セルの内部圧が高まった際に電解質を排出する開口が形成されることを特徴とするものである。
また、第2の課題解決手段はセパレータとセパレータを介して対向する一対の電極を収納するベース部材と、ベース部材を貫通する導電性端子と、ベース部材に接合される枠部材と、枠部材に接合されるカバー部材とを有する電気化学セルの製造方法において、フープに形成された枠部材をベース部材の成形型内に配置する工程と、導電性端子をベース部材の成形型内に配置する工程と、成形型内に樹脂材料を注入してベース部材を箱状に成形する工程と、導電性端子と枠部材とが接合されたベース部材を容器として組み立てる工程と、一対の電極のうち一方の電極を導電性端子に接着する工程と、一方の電極の導電性端子と接する面と対向する面にパレータと一対の電極のうち他方の電極を配置する工程と、枠部材とカバー部材とを重ね合わせ、加熱手段を用いて溶接する工程とを有するものである。
また、導電性端子と枠部材とが接合されたベース部材を容器として組み立てる工程の後に、フープに通電して枠部材にロー材をめっきする工程を有するものである。
また、枠部材が金属箔に複数個連続して成形され、ガイド穴を設けた金属箔のフープと、枠部材の一部がブリッジを有し、枠部材とカバー部材とを重ね合わせ、加熱手段を用いて溶接する工程の前もしくは後に金属箔のフープからブリッジを切り離す工程を有するものである。
また、フープに形成された枠部材を切り離す際、フープと枠部材とをつなぐ少なくとも1つの部位を残し、該枠部材から延出する枠接続端子とすることを特徴とするものである。
また、ベース部材は、200℃以上の温度で1分間以上の過熱において形状を保持する耐熱性を有する樹脂部品であることを特徴とするものである。
また、第3の課題解決手段はセパレータとセパレータを介して対向する一対の電極を収納するベース部材と、ベース部材を貫通する導電性端子と、ベース部材に接合される枠部材と、枠部材に接合されるカバー部材とを有する電気化学セルの製造方法において、フープに形成された導電性端子をベース部材の成形型内に配置する工程と、枠部材をベース部材の成形型内に配置する工程と、成形型内に樹脂材料を注入してベース部材を箱状に成形する工程と、枠部材と導電性端子とが接合されたベース部材を容器として組み立てる工程と、一対の電極のうち一方の電極を導電性端子に接着する工程と、一方の電極の導電性端子と接する面と対向する面にパレータと一対の電極のうち他方の電極を配置する工程と、枠部材とカバー部材とを重ね合わせ、加熱手段を用いて溶接する工程とを有するものである。
また、導電性端子と枠部材とが接合されたベース部材を容器として組み立てる工程の後に、フープに通電して枠部材にロー材をめっきする工程を有するものである。
また、導電性端子が金属箔に複数個連続して成形され、ガイド穴を設けた金属箔のフープと、導電性端子の一部がブリッジを有し、枠部材とカバー部材とを重ね合わせ、加熱手段を用いて溶接する工程の前もしくは後に金属箔のフープからブリッジを切り離す工程を有するものである。
また、フープに形成された導電性端子を切り離す際、フープと導電性端子とをつなぐ少なくとも1つの部位を残し、該枠部材から延出する枠接続端子とすることを特徴とするものである。
また、ベース部材は、200℃以上の温度で1分間以上の過熱において形状を保持する耐熱性を有する樹脂部品であることを特徴とするものである。
また、第4の課題解決手段はセパレータと、セパレータを介して対向する一対の電極と、セパレータ及び一対の電極に含浸された電解質とを収納する容器とからなる電気化学セルであって、一対の電極とセパレータと電解質とを収納する箱状の樹脂材料からなるベース部材と、実装基板に設けたランドに表面実装される導電性端子と接続端子とを有し、導電性端子と接続端子の長さまたは形状の違いにより正極、負極を識別することを特徴とするものである。
また、導電性端子と接続端子はベース部材の下端面より突出し、実装基板に接続されることを特徴とするものである。
また、導電性端子と接続端子はベース部材の側壁よりそれぞれ端子の厚さよりも外側に突出しないことを特徴とするものである。
また、導電性端子と接続端子のそれぞれ実装基板に接続される接合部に錫、ニッケル、銀のめっき膜を有することを特徴とするものである。
また、ベース部材は、200℃以上の温度で1分間以上の過熱において形状を保持する耐熱性を有する樹脂部品であることを特徴とするものである。
上記の課題解決手段による作用は次の通りである。すなわち、一対の電極とセパレータと電解質とをベース部材の凹部に収納し、カバー部材と枠部材を重ね合わせて接合することで、任意の形状の電気化学セルとはんだリフロー温度に耐える封止構造が実現する。
また、正極と負極は導電性端子とカバー接続端子、もしくは、枠接続端子で実装基板に接続される。電気化学セルの構成としては、ベース部材が導電性端子とカバー接続端子、もしくは、枠接続端子とを絶縁する。したがって、ベース部材の下端面に導電性端子とカバー接続端子、もしくは、枠接続端子とを配置することが可能となり、実装基板上のデッドスペースは極力小さくでき、高容量となる。
また、枠接続端子は、枠部材、もしくは、カバー部材から延出する構造としたため、電気化学セルの総厚が増すことなく薄型化される。正極・負極端子を取り付けるための工数も不要となる。
上述したように本発明は、電気化学セルの形状自由度を高め、小型・薄型化を容易とするとともに、高容量を実現し、はんだリフロー温度に耐えること、部品数および工数を減らして安価とするという効果を発揮するものである。
以下、本発明の実施の形態を図1〜12に基づいて説明する。
図1および図2、図3においては、11は凹部11aを有する箱状に形成された樹脂材料からなるベース部材で、ベース部材11の凹部11aの内側から外側に、ベース部材11の壁面を貫通する導電性端子15と、ベース部材11と接合された枠部材12で容器を構成する。また、正極活物質101と導電性端子15とは導電性接着剤で貼りあわせ、凹部11aにセパレータ102と図示しない電解質を収納する。また、負極活物質102とカバー部材13とは導電性接着剤で貼りあわせ、枠部材12とカバー部材13とを重ね合わせて溶接する。また、導電性端子15にはステンレス、もしくは、アルミニウムを用い、枠部材12とカバー部材13にはステンレス、もしくは、アルミニウム、FeNi合金が用いられる。
ここで、導電性端子の材質としては、ステンレスであれば19Cr−9Ni鋼、18Cr−12Ni−Mo−Cu鋼など、アルミニウム、アルミニウム合金などから、プレス性や切削性、溶接性に適合する金属が用いられる。枠部材とカバー部材の材質としては、ステンレスであれば19Cr−9Ni鋼、18Cr−12Ni−Mo−Cu鋼など、アルミニウム、アルミニウム合金など、FeNi合金であれば、42アロイ、FeNiCo合金などが含まれる。また、カバー部材と枠部材とを溶接する方法としては、YAGレーザ、半導体レーザ、ランプ加熱などの光吸収を用いる方法、カバー部材に超音波振動子を押し当てて枠部材との間を擦り合わせ、摩擦熱を用いる方法、カバー部材もしくはカバー部材と枠部材に通電して加熱する抵抗加熱を用いる方法が用いられる。また、カバー部材と枠部材の接合材としてロー材を用いることも含まれており、ロー材としては、Niめっき、Snメッキ、もしくはAgCu合金などが用いられる。ここで、カバー部材と枠部材それぞれのロー材を接合しやすくするため、ロー材の表面にAu、もしくは、Pt、などのフラッシュめっきを施すことも含まれる。
また、ベース部材の材料は絶縁性の樹脂であれば適用できるが、エポキシ系、ポリイミド系の耐熱を有する熱硬化性樹脂や、ポリスチレン系、ポリフェニレンサルファイド系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリエーテル系の熱可塑樹脂が、剛性、耐熱性の面から適している。ここで、ポリスチレン系としてはシンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド系としてはリニア型および架橋型ポリフェニレンサルファイド、ポリエステル系としては液晶ポリマーの呼称の全芳香族ポリエステル、ポリアミド系としてはナイロン、ポリエーテル系としてはポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルイミド、などが選択される。また、これら樹脂にガラス繊維、マイカ、セラミックス微粉等を添加したものも用いられる。
また、ベース部材と導電性端子と枠部材で構成される容器に収納する電気化学セルの発電要素としては、非水電解質電池であれば、正極活物質にリチウム含有マンガン酸化物、リチウム含有コバルト酸化物、リチウム含有チタン酸化物、負極活物質に炭素、リチウム合金、遷移金属酸化物、シリコン酸化物など従来から知られているものを用いることが出来る。電気二重層キャパシタでは正極及び負極活物質に活性炭を用いることができる。
また、セパレータとしては、大きなイオン透過度を有し、所定の機械的強度を有する絶縁膜が用いられる。リフロー炉での実装を考慮するとガラス繊維が安定して用いることができるが、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミドなどの樹脂を用いることもできる。セパレータの孔径、厚みは特に限定されないが、使用機器の電流値と電気化学セルの内部抵抗にもとづき決定する設計的事項である。また、セラミックスの多孔質体を用いることもできる。
電解液の溶媒としては、電気二重層キャパシタや非水二次電池を例とすると、従来の非水溶媒が用いられる。この非水溶媒には、環状エステル類、鎖状エステル類、環状エーテル類、鎖状エーテル類、等が含まれる。リフロー実装を考慮すると、γ―ブチロラクトン(γBL)やプロピレンカーボネート(PC)、エチレンカーボネート(EC)、等から選ばれる単独または複合物で用いることができる。
電解質としては、(C254PBF4、(C374PBF4、(CH3)(C253NBF4、(C254NBF4、(C254PPF6、(C254PCF3SO4、(C254NPF6、過塩素酸リチウム(LiClO4)、六フッ化リン酸リチウム(LiPF6)、ホウフッ化リチウム(LiBF4)、六フッ化砒素リチウム(LiAsF6)、トリフルオロメタスルホン酸リチウム(LiCF3SO3)、ビストリフルオロメチルスルホニルイミドリチウム[LiN(CF3SO22]、チオシアン塩、アルミニウムフッ化塩などのリチウム塩、 等の一種以上の塩を用いることができる。ポリエチレンオキサイド誘導体かポリエチレンオキサイド誘導体を含むポリマー、ポリプロピレンオキサイド誘導体やポリプロピレンオキサイド誘導体を含むポリマー、リン酸エステルポリマー、PVDF等と非水溶媒、支持塩と併用しゲル状または固体状で用いることが含まれる。また、LiS/SiS2/Li4SiO4の無機固体電解質を用いることが含まれる。またピリジン系や脂環式アミン系、脂肪族アミン系のイオン性液体やアミジン系などの常温溶融塩でもよい。これらを用いると、カバー部材と枠部材との溶接をおこなう際の蒸気の発生を抑えることに効果がある。
また、ベース部材の安全弁機能としては、ベース部材の壁面厚さを部分的に薄くすることが含まれる。また、枠部材とカバー部材とを溶接する接合部に設ける安全弁機能としては、局所的に接合の弱い部位を形成することが含まれる。安全弁機能は、過電流、もしくは、外部からの加熱などの異常発生時において、内圧上昇のガスを逃がす役目を果たし、破裂などの事故を回避する。本発明においては、コストが高くなることなく電気化学セルに安全弁機能を追加することができる。
本発明の実施の形態では、ベース部材11と導電性端子15との接合部、ベース部材11と枠部材12との接合部は形状によらず密着し、また、枠部材12とカバー部材13との溶接においても、金属接合による封止性が得られるため、形状の制約はない。すなわち、ベース部材11が角箱型の収納容器であっても、外部からの湿度の浸入を防ぐとともに、はんだ融点(200〜260℃)に温度設定されたリフロー炉を通過させた後も電気化学セルの特性を維持することができる。
図1に本発明の電気化学セルの構成図を示す。また、図2に本発明の電気化学セルの外観図を示す。また、図3に本発明の電気化学セルの断面図を示す。
本実施例では、ベース部材11はエポキシを、導電性端子15はステンレスの18Cr−12Ni−Mo−Cu鋼を用いた。また、導電性端子15がベース部材11の外壁に延出する部位には、実装基板とはんだ接合を容易とするために錫めっきを施した。枠部材12とカバー部材13は42Ni-Fe合金を用いた。また、活物質は市販の活性炭に導電剤としてのカーボンブラックと、バインダーとしてPTFEを混練して作製した。混練物をロールプレスで圧延してシート状にし、切断して正極活物質101と負極活物質103とした。電解質は(C254NBF4を、PCに溶かしたものを用いた。ここで、電気化学セルの組立方法としては、ベース部材成形型内に導電性端子15と枠部材12を配置し、エポキシ樹脂を注入して凹部11aを有する箱状のベース部材11を成形する。導電性端子15と正極活物質101とを接着したのち、凹部11aにセパレータ102を収めた。次に、負極活物質103を接着したカバー部材13と枠部材12とを重ねあわせ、抵抗加熱工法のシーム溶接をおこなった。
電気化学セルの封止性を評価するため、フッ素系液体に浸漬してリークテストをおこなったところ、10-5atm・cc/sec以上の封止性を有していることがわかった。また、この電気化学セルを、第1ゾーンが160℃・2分、第2ゾーンが200℃以上の時間が1分でピーク温度が260℃のリフロー炉を通してはんだ付けをおこない、はんだ付け前と後での特性に変化がないことを確認した。
図4に本発明の電気化学セルの外観図を示す。また、図5に本発明の電気化学セルの断面図を示す。
カバー端子は、一端がカバー部材の側面に接続されて延出し、ベース部材の側面に平行になるように折り曲げられ、ベース部材の側面に沿って底部のほうへと伸びている。他端は、ランドに接する面で折り曲げられ、ベース部材の下面と略同一平面上にランドと接する面をもつ。また、導電性端子の一端は容器内の底面に設置され、他端は容器外へと貫通して延出している。この他端もランドに接する面で折り曲げられ、ベース部材の下面と略同一平面上にランドと接する面をもっている。
ベース部材31はエポキシを、導電性端子35はステンレスの18Cr−12Ni−Mo−Cu鋼を用いた。また、カバー部材33にはカバー接続端子33aを延出させた。導電性端子35がベース部材11の外壁に延出する部位とカバー接続端子33aには、実装基板とはんだ接合を容易とするために錫めっきを施した。枠部材32とカバー部材33は42Ni-Fe合金を用いた。また、活物質は市販の活性炭に導電剤としてのカーボンブラックと、バインダーとしてPTFEを混練して作製した。混練物をロールプレスで圧延してシート状にし、切断して正極活物質301と負極活物質303とした。電解質は(C254NBF4を、PCに溶かしたものを用いた。
また、カバー部材33にニッケルめっきを2μm、金めっきを0.5μm被覆し、枠部材32にニッケルめっき2μmを被覆して抵抗加熱工法のシーム溶接をおこなった。ここで、カバー部材33と枠部材32に被覆したニッケルめっきがロー材として機能し、気密封止がなされた。このように作製した電気化学セルの封止性を評価するため、フッ素系液体に浸漬してリークテストをおこなったところ、10-5atm・cc/sec以上の封止性を有していることがわかった。また、この電気化学セルを、第1ゾーンが160℃・2分、第2ゾーンが200℃以上の時間が1分でピーク温度が260℃のリフロー炉を通してはんだ付けをおこない、はんだ付け前と後での特性に変化がないことを確認した。
ベース部材11は、熱可塑性樹脂のポリフェニレンサルファイドでベース部材11を成形した。また、導電性端子15にはアルミニウムを用いた。また、導電性端子15がベース部材11の外壁に延出する部位には、実装基板とはんだ接合を容易とするためにニッケルめっきを施した。枠部材12とカバー部材13は42Ni-Fe合金を用いた。また、活物質は市販の活性炭に導電剤としてのカーボンブラックと、バインダーとしてPTFEを混練して作製した。混練物をロールプレスで圧延してシート状にし、切断して正極活物質101と負極活物質103とした。電解質は(C254NBF4を、PCに溶かしたものを用いた。また、カバー部材13にニッケルめっきを2μm、金めっきを0.5μm被覆し、枠部材12にニッケルめっき2μmを被覆して抵抗加熱工法のシーム溶接をおこなった。ここで、カバー部材13と枠部材12に被覆したニッケルめっきがロー材として機能し、気密封止がなされた。
このように作製した電気化学セルの封止性を評価するため、フッ素系液体に浸漬してリークテストをおこなったところ、10-5atm・cc/sec以上の封止性を有していることがわかった。また、この電気化学セルを、第1ゾーンが160℃・2分、第2ゾーンが200℃以上の時間が1分でピーク温度が260℃のリフロー炉を通してはんだ付けをおこない、はんだ付け前と後での特性に変化がないことを確認した。
図6に本発明の電気化学セルの外観図を示す。また、図7に本発明の電気化学セルの断面図を示す。
枠接続端子は、一端が枠部材の側面に接続されて延出し、ベース部材の側面に平行になるように折り曲げられ、ベース部材の側面に沿って底部のほうへと伸びている。他端は、ランドに接する面で折り曲げられ、ベース部材の下面と略同一平面上にランドと接する面をもつ。また、導電性端子の一端は容器内の底面に設置され、他端は容器外へと貫通して延出している。この他端もランドに接する面で折り曲げられ、ベース部材の下面と略同一平面上にランドと接する面をもっている。
本実施例では、枠部材52から延出する枠接続端子52aと、導電性端子55がベース部材51の外壁に延出する部位とが同一平面上に位置する構成とした。ここで、電気化学セルの組立方法としては、ベース部材成形型内に導電性端子55と枠部材52を配置し、エポキシ樹脂を注入して凹部51aを有する箱状のベース部材51を成形する。導電性端子55と正極活物質501とを導電性接着剤で接着したのち、凹部51aにセパレータ502を収めた。次に、負極活物質503を導電性接着剤で接着したカバー部材53と枠部材52とを重ねあわせ、抵抗加熱工法のシーム溶接をおこなった。枠部材52から延出する枠接続端子52aの付近では溶接の熱量が逃げてしまうため、制御する電流量を増やす工夫をおこない、密閉構造をつくった。
このように作製した電気化学セルの封止性を評価するため、フッ素系液体に浸漬してリークテストをおこなったところ、10-5atm・cc/sec以上の封止性を有していることがわかった。また、この電気化学セルを、第1ゾーンが160℃・2分、第2ゾーンが200℃以上の時間が1分でピーク温度が260℃のリフロー炉を通してはんだ付けをおこない、はんだ付け前と後での特性に変化がないことを確認した。
図8に本発明の電気化学セルの製造方法を説明するフロー図を示す。また、図9に本発明の電気化学セルの製造方法を説明する外観図を示す。
フープに形成した枠部材52をベース部材成形型内に配置する(工程801)。導電性端子55をベース部材成形型内に配置する(工程802)。次に、ベース部材成形型内に樹脂材料を注入して凹部51aを有する箱状にベース部材51を成形するとともに、導電性端子55と枠部材52とを容器として組み立てる(工程803)。次に、フープに通電して枠部材52にロー材をめっきする(工程804)。一対の電極とセパレータと電解質とをベース部材の凹部51aに収納する(工程805)。枠部材52と図示しないカバー部材を重ね合わせて、加熱手段を用いて溶接する(工程806)。
ここで、導電性端子55にはステンレスの18Cr−12Ni−Mo−Cu鋼を用いた。また、枠部材52は42Ni-Fe合金の薄板を用いてプレス加工をおこない、フープを作製した。プレス加工では、各工程においてワークの位置決めにも用いる送り穴59の加工と、枠部材53を保持するためのブリッジ58を残した窓抜き加工をおこなった。また、ベース部材51の樹脂材料はエポキシを用いた。熱硬化性樹脂のエポキシはベース部材成形型を加熱して硬化した。この際、ベース部材成形型内に配置した導電性端子55と枠部材52とはベース部材51のエポキシに密着するとともに、所望の形状に成形が可能である。また、枠部材52にめっきするロー材は、ニッケルを用い、2μmの厚さに被覆した。また、カバー部材には42Ni-Fe合金を用い、ニッケルめっきを2μmの厚さに被覆した。ここで、加熱手段としては抵抗加熱を用い、具体的には、ローラ形状の電極2本用意し、カバー部材の両端にバランスよく押し当てて電極間に通電した。電極とカバー部材の接触部が発熱し、カバー部材のニッケルめっきが溶融、枠部材52のニッケルめっきが溶融、ニッケルめっきの固化とともにカバー部材と枠部材52が接合するプロセスをローラ形状の電極が転がることで繰り返される。この溶接の後、枠部材52とつながるブリッジ58をフープから切り離し、電気化学セルを作製した。この電気化学セルをフッ素系液体に浸漬してリークテストをおこなったところ、10-5atm・cc/sec以上の封止性を有していることがわかった。また、この電気化学セルを、第1ゾーンが160℃・2分、第2ゾーンが200℃以上の時間が1分でピーク温度が260℃のリフロー炉を通してはんだ付けをおこない、特性に変化がないことを確認した。
図10に本発明の電気化学セルの外観図を示す。また、図11に本発明の電気化学セルの断面図を示す。
本実施例では、実装基板77に形成した正極側配線パターン77aと負極側配線パターン77bに本発明の電気化学セルを接合した。電気化学セルの構成としては、枠部材72から延出する枠接続端子72aと、導電性端子75がベース部材71の外壁に延出する部位とが同一平面上に位置する構成とした。ここで、電気化学セルの組立方法としては、ベース部材成形型内に導電性端子75と枠部材72を配置し、エポキシ樹脂を注入して凹部71aを有する箱状のベース部材71を成形する。導電性端子75と正極活物質701とを導電性接着剤で接着したのち、凹部71aにセパレータ702を収めた。次に、負極活物質703を導電性接着剤で接着したカバー部材73と枠部材72とを重ねあわせ、抵抗加熱工法のシーム溶接をおこなった。さらに、ベース部材71の下端面に突出した導電性端子75と枠接続端子72aを向かい合う内側に曲げた。この後、正極側配線パターン72a、負極側配線パターン72bのランドに載置し、予備加熱180℃・10分、加熱240℃・1分のリフロー炉に通してはんだ付けをおこなった。
このように作製した電気化学セルの封止性を評価するため、フッ素系液体に浸漬してリークテストをおこなったところ、10-5atm・cc/sec以上の封止性を有していることがわかった。また、この電気化学セルは、第1ゾーンが160℃・2分、第2ゾーンが200℃以上の時間が1分でピーク温度が260℃のリフロー炉を通してはんだ付けをおこない、はんだ付け前と後での特性に変化がないことを確認した。
電気化学セルの小型化に有利であることを確認するため、ベース部材51の外形は幅3mm、長さ5mmとし、ベース部材51の底面からカバー部材上面までの厚さを1mmで作製した。フープのフレームにはφ1mmのガイド穴59を設け、ガイド穴59と10μmの隙間をもってはめ合うガイドピンを挿入して位置決めし、電極とセパレータと電解質を組み込んだのち、枠部材52とカバー部材を重ね合わせて溶接した。これら部材の組み込みや溶接において20μm以内の位置ずれであった。この結果、ベース部材51の外形形状にばらつきがあった場合でも枠部材52とブリッジ58でつながるフープのフレームに設けたガイド穴59の位置が精度良く加工されているため、電極とセパレータと電解質の組み込みやカバー部材の溶接が容易にできる。すなわち、電気化学セルの小型化に有利な製造方法であることを確認した。また作製した電気化学セルを、実施例1から6までと同様の評価を行った。評価方法としては第1ゾーンが160℃・2分、第2ゾーンが200℃以上の時間が1分でピーク温度が260℃のリフロー炉を通してはんだ付けをおこない、はんだ付け前と後での漏液がないことを確認し、容量に変化がないことを確認した。容量の測定条件は、2.5Vで30分充電した後、20μAの電流で放電した。結果を表1に示す。
図12に外径φ3mm、厚み0.8mmの従来のコイン型電気化学セルを示す。コイン型セルは正極と負極が同一面にはないため、正極缶61へ厚み0.1mmの金属板による正極端子65aを、負極缶63へ厚み0.1mmの金属板による負極端子65bを溶接し、実装面積が幅3mm、長さ5mmで厚みを1mmとし、表面実装タイプの端子付きコイン型電気化学セルを作製した。この電気化学セルを、実施例1から7までと同様の評価を行った。評価方法としては第1ゾーンが160℃・2分、第2ゾーンが200℃以上の時間が1分でピーク温度が260℃のリフロー炉を通してはんだ付けをおこない、はんだ付け前と後での漏液がないことを確認し、容量に変化がないことを確認した。容量の測定条件は、2.5Vで30分充電した後、20μAの電流で放電した。結果を表1に示す。
Figure 2005039256
本発明の電気化学セルの構成図である。 本発明の電気化学セルの外観図である。 本発明の電気化学セルの断面図である。 本発明の電気化学セルの外観図である。 本発明の電気化学セルの断面図である。 本発明の電気化学セルの外観図である。 本発明の電気化学セルの断面図である。 本発明の電気化学セルの製造方法を説明するフロー図である。 本発明の電気化学セルの製造方法を説明する外観図である。 本発明の電気化学セルの外観図である。 本発明の電気化学セルの断面図である。 従来の電気化学セルの断面図である。
符号の説明
11、31、51・・・ベース部材
12,32、52・・・枠部材
13、33・・・カバー部材
15、35、55・・・導電性端子
61・・・正極缶
62・・・ガスケット
63・・・負極缶
65a・・・正極端子
65b・・・負極端子
601・・・正極
602・・・セパレータ
603・・・負極

Claims (30)

  1. セパレータと、前記セパレータの上下面に配置された一対の電極と、前記セパレータ及び前記一対の電極に含浸された電解質を収容する容器からなる電気化学セルであって、
    前記容器が、底部と前記底部の外周に沿って前記底部の上面に設けられた側部とを一体形成したベース部材と、
    前記底部の上面に設けられ、前記ベース部材の内側から外側へ貫通し、前記底部と接する面と反対側の面が前記一対の電極の一方と接する金属材料からなる導電性端子と、
    前記側部上面の全周にわたって接合される、金属材料からなる枠部材と、
    前記枠部材の前記ベース部材と接する面と反対側の面の全周にわたって接合され、金属材料からなるカバー部材と、を備えたことを特徴とする電気化学セル。
  2. 一端が前記カバー部材の側面に延設されたカバー接続端子を有することを特徴とする請求項1記載の電気化学セル。
  3. 前記カバー端子の他端の一部および、前記導電性端子の前記ベース部材から延出している一端の一部が互いに同一平面上にある面を有することを特徴とする請求項2記載の電気化学セル。
  4. 一端が前記枠部材の側面に延設された枠接続端子を有することを特徴とする請求項1記載の電気化学セル。
  5. 前記枠接続端子の他端の一部および、前記導電性端子の前記ベース部材から延出している一端の一部が互いに同一平面上にある面を有することを特徴とする請求項4記載の電気化学セル。
  6. 一端が前記枠部材の側面に延設され、前記側部の上端部から前記側部と前記底部の接する面を介して前記底部の底面へと貫通することを特徴とする請求項5に記載の電気化学セル。
  7. 前記他端もしくは前記導電性端子の一端が前記底部の下面に接し、かつ、前記側部からそれぞれ端子の厚さよりも外側に突出しないことを特徴とする請求項2から6のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  8. 前記導電性端子がステンレス若しくはアルミニウムからなる材料で構成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  9. 前記枠部材及び前記カバー部材がステンレス、アルミニウム、及びFeNi合金のいずれかからなる材料で構成されていることを特徴とする請求項8記載の電気化学セル。
  10. 前記導電性端子がステンレスで前記枠部材及び前記カバー部材がFeNi合金で構成されていることを特徴とする請求項9記載の電気化学セル。
  11. 前記カバー部材と前記枠部材とが溶接されていることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  12. 前記枠部材と前記カバー部材にニッケル若しくは銀合金のロー材を被覆し、前記枠部材と前記カバー部材とが溶接されていることを特徴とする請求項11記載の電気化学セル。
  13. 前記枠部材と前記カバー部材とを重ね合わせて溶接する接合部の少なくとも一部に接合幅の狭い部位を設け、電気化学セルの内部圧が高まった場合前記電解質を排出する開口が形成されることを特徴とする請求項12記載の電気化学セル。
  14. 前記ベース部材がエポキシ系、ポリイミド系、ポリスチレン系、ポリフェニレンサルファイド系、ポリエステル系、ポリアミド系、及びポリエーテル系の何れかからなる材料で構成されていることを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  15. 前記ベース部材もしくは前記カバー部材の少なくとも1箇所に厚さの薄い部位を設け、電気化学セルの内部圧が高まった場合前記電解質を排出する開口が形成されることを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  16. セパレータと前記セパレータを介して対向する一対の電極を収納するベース部材と、前記ベース部材を貫通する導電性端子と、前記ベース部材に接合される枠部材と、前記枠部材に接合されるカバー部材とを有する電気化学セルの製造方法において、
    フープに形成された前記枠部材を前記ベース部材の成形型内に配置する工程と、
    前記導電性端子を前記ベース部材の成形型内に配置する工程と、
    前記成形型内に樹脂材料を注入してベース部材を箱状に成形する工程と、
    前記導電性端子と前記枠部材とが接合されたベース部材を容器として組み立てる工程と、
    前記一対の電極のうち一方の電極を前記導電性端子に接着する工程と、
    前記一方の電極の前記導電性端子と接する面と対向する面に前記パレータと前記一対の電極のうち他方の電極を配置する工程と、
    前記枠部材と前記カバー部材とを重ね合わせ、加熱手段を用いて溶接する工程とを有する電気化学セルの製造方法。
  17. 前記導電性端子と枠部材とが接合されたベース部材を容器として組み立てる工程の後に、前記フープに通電して前記枠部材にロー材をめっきする工程を有する請求項16に記載の電気化学セルの製造方法。
  18. 前記枠部材が金属箔に複数個連続して成形され、ガイド穴を設けた金属箔のフープと、前記枠部材の一部がブリッジを有し、前記枠部材と前記カバー部材とを重ね合わせ、加熱手段を用いて溶接する工程の前もしくは後に金属箔のフープからブリッジを切り離す工程を有する請求項17記載の電気化学セルの製造方法。
  19. 前記フープに形成された前記枠部材を切り離す際、前記フープと前記枠部材とをつなぐ少なくとも1つの部位を残し、該枠部材から延出する枠接続端子とすることを特徴とする請求項18記載の電気化学セルの製造方法。
  20. 前記ベース部材は、200℃以上の温度で1分間以上の過熱において形状を保持する耐熱性を有する樹脂部品である請求項16から19のいずれか一項に記載の方法で製造する電気化学セル。
  21. セパレータと前記セパレータを介して対向する一対の電極を収納するベース部材と、前記ベース部材を貫通する導電性端子と、前記ベース部材に接合される枠部材と、前記枠部材に接合されるカバー部材とを有する電気化学セルの製造方法において、
    フープに形成された前記導電性端子を前記ベース部材の成形型内に配置する工程と、
    前記枠部材を前記ベース部材の成形型内に配置する工程と、
    前記成形型内に樹脂材料を注入してベース部材を箱状に成形する工程と、
    前記枠部材と前記導電性端子とが接合されたベース部材を容器として組み立てる工程と、
    前記一対の電極のうち一方の電極を前記導電性端子に接着する工程と、
    前記一方の電極の前記導電性端子と接する面と対向する面に前記パレータと前記一対の電極のうち他方の電極を配置する工程と、
    前記枠部材と前記カバー部材とを重ね合わせ、加熱手段を用いて溶接する工程とを有する電気化学セルの製造方法。
  22. 前記導電性端子と枠部材とが接合されたベース部材を容器として組み立てる工程の後に、前記フープに通電して前記枠部材にロー材をめっきする工程を有する請求項21に記載の電気化学セルの製造方法。
  23. 前記導電性端子が金属箔に複数個連続して成形され、ガイド穴を設けた金属箔のフープと、前記導電性端子の一部がブリッジを有し、前記枠部材と前記カバー部材とを重ね合わせ、加熱手段を用いて溶接する工程の前もしくは後に金属箔のフープからブリッジを切り離す工程を有する請求項22記載の電気化学セルの製造方法。
  24. 前記フープに形成された前記導電性端子を切り離す際、前記フープと前記導電性端子とをつなぐ少なくとも1つの部位を残し、該枠部材から延出する枠接続端子とすることを特徴とする請求項23記載の電気化学セルの製造方法。
  25. 前記ベース部材は、200℃以上の温度で1分間以上の過熱において形状を保持する耐熱性を有する樹脂部品である請求項21から24のいずれか一項に記載の方法で製造する電気化学セル。
  26. セパレータと、前記セパレータを介して対向する一対の電極と、前記セパレータ及び前記一対の電極に含浸された電解質とを収納する容器とからなる電気化学セルであって、
    前記一対の電極と前記セパレータと前記電解質とを収納する箱状の樹脂材料からなるベース部材と、
    実装基板に設けたランドに表面実装される導電性端子と接続端子とを有し、
    前記導電性端子と前記接続端子の長さまたは形状の違いにより正極、負極を識別することを特徴とする電気化学セル。
  27. 前記導電性端子と前記接続端子は前記ベース部材の下端面より突出し、実装基板に接続されることを特徴とする請求項26記載の電気化学セル。
  28. 前記導電性端子と前記接続端子は前記ベース部材の側壁よりそれぞれ端子の厚さよりも外側に突出しないことを特徴とする請求項27記載の電気化学セル。
  29. 前記導電性端子と前記接続端子のそれぞれ実装基板に接続される接合部に錫、ニッケル、銀のめっき膜を有することを特徴とする請求項26から28のいずれか一項に記載の電気化学セル。
  30. 前記ベース部材は、200℃以上の温度で1分間以上の過熱において形状を保持する耐熱性を有する樹脂部品である請求項26から29のいずれか一項に記載の電気化学セル。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269946A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Sii Micro Parts Ltd キャパシタおよびその製造方法
WO2007086569A1 (ja) * 2006-01-30 2007-08-02 Kyocera Corporation 蓄電体用容器ならびにそれを用いた電池および電気二重層キャパシタ
JP2008536262A (ja) * 2005-03-22 2008-09-04 シン バッテリー テクノロジーズ,インク. 画像フレームを利用する印刷可能な薄型電気化学セルおよびその製造方法
WO2011115003A1 (ja) * 2010-03-17 2011-09-22 太陽誘電株式会社 電気化学デバイス
JP2012186458A (ja) * 2011-02-15 2012-09-27 Seiko Instruments Inc 電気化学素子及びその製造方法
WO2012141231A1 (ja) * 2011-04-15 2012-10-18 株式会社 村田製作所 固体電池
KR101222872B1 (ko) 2011-08-08 2013-01-25 비나텍주식회사 케이스 단자를 갖는 슈퍼 커패시터 및 그의 제조 방법
WO2013047462A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 株式会社 村田製作所 電池収容構造体
JP2014195052A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Seiko Instruments Inc 電気化学セルおよびその製造方法
JP2014195053A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Seiko Instruments Inc 電気化学セルおよびその製造方法
JP2014195051A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Seiko Instruments Inc 電気化学セルおよびその製造方法
US9027242B2 (en) 2011-09-22 2015-05-12 Blue Spark Technologies, Inc. Cell attachment method
US9444078B2 (en) 2012-11-27 2016-09-13 Blue Spark Technologies, Inc. Battery cell construction
US9693689B2 (en) 2014-12-31 2017-07-04 Blue Spark Technologies, Inc. Body temperature logging patch
US9782082B2 (en) 2012-11-01 2017-10-10 Blue Spark Technologies, Inc. Body temperature logging patch
US10849501B2 (en) 2017-08-09 2020-12-01 Blue Spark Technologies, Inc. Body temperature logging patch

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1998077B (zh) * 2004-05-20 2010-06-16 斯班逊有限公司 半导体装置的制造方法及半导体装置
JP4903421B2 (ja) * 2005-02-23 2012-03-28 京セラ株式会社 セラミック容器およびこれを用いた電池または電気二重層キャパシタ
CN101142643B (zh) 2005-07-29 2011-06-22 精工电子有限公司 电化学电池
JP5082220B2 (ja) * 2005-10-05 2012-11-28 トヨタ自動車株式会社 燃料電池システム
US8058719B2 (en) * 2007-03-23 2011-11-15 Microsemi Corporation Integrated circuit with flexible planer leads
US8018042B2 (en) * 2007-03-23 2011-09-13 Microsemi Corporation Integrated circuit with flexible planar leads
WO2009053088A1 (de) * 2007-10-24 2009-04-30 Merck Patent Gmbh Optoelektronische vorrichtung
DE102008017454B4 (de) * 2008-04-05 2010-02-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit hermetisch dichter Schaltungsanordnung und Herstellungsverfahren hierzu
KR101067168B1 (ko) * 2009-10-13 2011-09-22 삼성전기주식회사 칩형 전기 이중층 커패시터 및 그 제조방법
US8993149B2 (en) 2010-06-04 2015-03-31 A123 Systems Llc Crimped, prismatic battery structure
KR101108855B1 (ko) * 2010-06-23 2012-01-31 삼성전기주식회사 전기 화학 커패시터
CN103503096B (zh) * 2011-05-12 2016-10-19 精工电子有限公司 电化学电池
KR20130006934A (ko) * 2011-06-27 2013-01-18 삼성전기주식회사 에너지 저장 장치 및 그 제조방법 그리고 에너지 저장 장치용 단위 셀
CN102984905B (zh) * 2012-12-04 2016-08-03 茂硕电源科技股份有限公司 一种led密封电源及其密封方法
JP6450612B2 (ja) * 2015-03-11 2019-01-09 日本特殊陶業株式会社 電子部品装置およびその製造方法
US11830672B2 (en) 2016-11-23 2023-11-28 KYOCERA AVX Components Corporation Ultracapacitor for use in a solder reflow process
CN110249400B (zh) * 2017-02-03 2021-07-13 日本蓄电器工业株式会社 固体电解电容器及其制造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6232623A (ja) * 1985-08-05 1987-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH05315189A (ja) * 1992-04-01 1993-11-26 Nec Corp モールド外装型電気二重層コンデンサ及びその製造方法
JPH09283387A (ja) * 1996-04-12 1997-10-31 Fuji Elelctrochem Co Ltd 電気二重層コンデンサ
JPH10144279A (ja) * 1996-11-07 1998-05-29 Fuji Elelctrochem Co Ltd 角形電気化学素子の防爆構造
JPH1154387A (ja) * 1997-07-30 1999-02-26 Tdk Corp チップ型電気二重層キャパシタ
JPH11191520A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Tdk Corp チップ型電気二重層コンデンサ
JP2001216952A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Seiko Instruments Inc 非水電解質電池および電気二重層キャパシタ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52112729A (en) * 1976-03-12 1977-09-21 Furukawa Battery Co Ltd Method of airrtightly bonding ceramic member of ceramic sealing cover of battery to metallic member
US6025087A (en) * 1998-02-19 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Battery mounting and testing apparatuses, methods of forming battery mounting and testing apparatuses, battery-powered test configured electronic devices, and methods of forming battery-powered test configured electronic devices
DE19837909C2 (de) * 1998-08-20 2001-05-17 Implex Hear Tech Ag Schutzvorrichtung für eine mehrfach nachladbare elektrochemische Batterie
JP3684305B2 (ja) * 1998-09-17 2005-08-17 日本オプネクスト株式会社 半導体レーザ結合装置および半導体受光装置
JP4785282B2 (ja) * 2000-10-11 2011-10-05 セイコーインスツル株式会社 リフローはんだ付け実装可能な電気二重層キャパシタの製造方法
JP4020296B2 (ja) * 2000-12-21 2007-12-12 キヤノン株式会社 イオン伝導構造体、二次電池及びそれらの製造方法
JP3737389B2 (ja) * 2001-06-19 2006-01-18 京セラ株式会社 バッテリー

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6232623A (ja) * 1985-08-05 1987-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH05315189A (ja) * 1992-04-01 1993-11-26 Nec Corp モールド外装型電気二重層コンデンサ及びその製造方法
JPH09283387A (ja) * 1996-04-12 1997-10-31 Fuji Elelctrochem Co Ltd 電気二重層コンデンサ
JPH10144279A (ja) * 1996-11-07 1998-05-29 Fuji Elelctrochem Co Ltd 角形電気化学素子の防爆構造
JPH1154387A (ja) * 1997-07-30 1999-02-26 Tdk Corp チップ型電気二重層キャパシタ
JPH11191520A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Tdk Corp チップ型電気二重層コンデンサ
JP2001216952A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Seiko Instruments Inc 非水電解質電池および電気二重層キャパシタ

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008536262A (ja) * 2005-03-22 2008-09-04 シン バッテリー テクノロジーズ,インク. 画像フレームを利用する印刷可能な薄型電気化学セルおよびその製造方法
JP2006269946A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Sii Micro Parts Ltd キャパシタおよびその製造方法
WO2007086569A1 (ja) * 2006-01-30 2007-08-02 Kyocera Corporation 蓄電体用容器ならびにそれを用いた電池および電気二重層キャパシタ
JP5112885B2 (ja) * 2006-01-30 2013-01-09 京セラ株式会社 蓄電体用容器ならびにそれを用いた電池および電気二重層キャパシタ
US9023510B2 (en) 2010-03-17 2015-05-05 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electrochemical device
WO2011115003A1 (ja) * 2010-03-17 2011-09-22 太陽誘電株式会社 電気化学デバイス
JP2011198823A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Taiyo Yuden Co Ltd 電気化学デバイス
JP2012186458A (ja) * 2011-02-15 2012-09-27 Seiko Instruments Inc 電気化学素子及びその製造方法
WO2012141231A1 (ja) * 2011-04-15 2012-10-18 株式会社 村田製作所 固体電池
JP5804053B2 (ja) * 2011-04-15 2015-11-04 株式会社村田製作所 固体電池
JPWO2012141231A1 (ja) * 2011-04-15 2014-07-28 株式会社村田製作所 固体電池
KR101222872B1 (ko) 2011-08-08 2013-01-25 비나텍주식회사 케이스 단자를 갖는 슈퍼 커패시터 및 그의 제조 방법
US9027242B2 (en) 2011-09-22 2015-05-12 Blue Spark Technologies, Inc. Cell attachment method
US10074830B2 (en) 2011-09-30 2018-09-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Battery housing structure
JP5561439B2 (ja) * 2011-09-30 2014-07-30 株式会社村田製作所 電池収容構造体
WO2013047462A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 株式会社 村田製作所 電池収容構造体
US10617306B2 (en) 2012-11-01 2020-04-14 Blue Spark Technologies, Inc. Body temperature logging patch
US9782082B2 (en) 2012-11-01 2017-10-10 Blue Spark Technologies, Inc. Body temperature logging patch
US9444078B2 (en) 2012-11-27 2016-09-13 Blue Spark Technologies, Inc. Battery cell construction
JP2014195051A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Seiko Instruments Inc 電気化学セルおよびその製造方法
JP2014195053A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Seiko Instruments Inc 電気化学セルおよびその製造方法
JP2014195052A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Seiko Instruments Inc 電気化学セルおよびその製造方法
US9693689B2 (en) 2014-12-31 2017-07-04 Blue Spark Technologies, Inc. Body temperature logging patch
US10631731B2 (en) 2014-12-31 2020-04-28 Blue Spark Technologies, Inc. Body temperature logging patch
US10849501B2 (en) 2017-08-09 2020-12-01 Blue Spark Technologies, Inc. Body temperature logging patch

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US7541111B2 (en) 2009-06-02

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