JP2005039122A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】
耐湿性、耐光性が良好で、ガラスに気泡の巻き込みが少なく、内部応力の緩和を図れるとともに信頼性に優れる発光装置を提供する。
【解決手段】LED素子3の角部を斜辺状にカットした斜辺部32を設ける。軟化した低融点ガラスを一体化させるときにガラスの乱流が生じにくくなり、そのことによってガラスの均一性が保たれるとともに空気を巻き込むことを防ぐことができ、残留気泡の少ない発光装置1とすることができる。また、応力の集中しやすい鋭角な角部をカットすることで、ヒートショックによるガラス封止部2のクラックが生じることを防げる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、光源である発光ダイオード(Light-Emitting Diode:以下「LED」という。)をガラス等の不透湿性の材料で封止して構成される発光装置に関する。
従来、LED素子を光源として構成される発光装置がある。このような発光装置として、エポキシ樹脂等の封止材料でLED素子の周囲を覆って一体化したものがある。
上記したエポキシ樹脂は、入手が容易で成形性に優れることから、近年、発光装置の封止材料として広く用いられているが、LED素子から放射される強い光を受けることによって次第に黄変し、着色されてしまうことが知られている。このような着色が生じると、LED素子から放射される光が吸収されて発光装置の光出力を低下させるという問題がある。
かかる問題を解決するものとして、耐湿性を有するガラス層でLED素子を封止するとともに、このガラス層に蛍光体を含有させた発光装置がある(例えば、特許文献1参照。)。
図9は、特許文献1に示される発光装置を示す縦断面図である。
この発光装置50は、配線導体51および52と、配線導体52に形成されるカップ53と、カップ53内の底部53Aに接着されるLED素子54と、LED素子54の電極部と配線導体51および52とを電気的に接続するワイヤ55と、カップ53内に設けられるLED素子54を封止するガラス層56と、ガラス層56に含有される蛍光物質56Aと、光透過性を有して全体を封止する砲弾形状の封止樹脂57とを有する。
このような構成によると、LED素子54がカップ53に注入されたガラス層56によって包囲されるので、封止材料の黄変や着色による光の減衰が生じることを防げるとともに、水分の透過が防止されるので蛍光体の劣化を防止することができる。
特開平11−204838号公報(第1図)
しかし、従来の発光装置によると、以下のような問題がある。
(1)封止材料であるガラスの粘度が樹脂と比較して大であるため、LED素子の封止時に気泡を巻き込み易く、また、一旦巻き込んだ気泡を分離しにくいことからガラス層に残留気泡が生じてしまうという問題がある。
(2)LED素子のガラス封止に300℃を超える加工温度を伴うことにより、LED素子との熱膨張率の差に基づく応力や、封止加工に起因する加工後の材料内部残留応力が生じるため、ヒートショック等によってガラスにクラックが生じ易くなるという問題がある。
従って、本発明の目的は、耐湿性、耐光性が良好で、ガラスに気泡の巻き込みが少なく、内部応力の緩和を図れるとともに信頼性に優れる発光装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、所定の波長の光を放射する発光素子部を封止材料からなる封止部で封止して形成される発光装置において、
前記封止部の内部応力を緩和する応力緩和部を前記発光素子部に設けたことを特徴とする発光装置を提供する。
このような構成によれば、封止材料による発光素子部の封止後に、封止部に対する内部応力の局部集中による損壊を防げる。
前記応力緩和部は、前記発光素子部の角部を斜辺状にカットすることによって形成するようにしても良い。
前記封止部は、前記封止材料としてガラスを用いても良い。
前記封止部は、前記光を所定の方向に放射させる光学形状を有するようにしても良い。
前記封止部は、少なくとも2層のガラス層を積層して形成される複合ガラスを加熱プレスすることによって前記光を放射する前記発光素子部と一体化することができる。
前記複合ガラスは、前記光によって励起される薄膜状の蛍光体層を前記少なくとも2層のガラス層に介在させるようにしても良い。
前記複合ガラスは、前記光によって励起される蛍光錯体を含有した蛍光錯体含有ガラス層を含んでいても良い。
本発明の発光装置によれば、LED素子の外形を封止部の内部応力が集中しにくい形状としたため、耐湿性、耐光性が良好で、ガラスに気泡の巻き込みが少なく、内部応力の緩和を図れるとともに信頼性を高めることができる。
以下に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光装置であり、(a)は中心部分における縦断面図、(b)はLED素子の拡大した側面図である。
この発光装置1は、図1(a)に示すように透明なガラス材によって形成されるガラス封止部2と、所定の波長の光を放射するLED素子3と、LED素子3を搭載するサブマウント素子4と、LED素子3に電力を供給する配線導体であるリードフレーム5と、リードフレーム5の下面を保護するガラス封止部6とを有する。
ガラス封止部2は、屈折率n=1.5、熱膨張率16×10-6の透明な低融点ガラスを使用して形成されている。また、ガラス封止部2は加熱プレスによって所望の配光特性に応じたドーム状の光学形状に成形されるとともに、リードフレーム5上に融着固定されてLED素子3を密封している。なお、ガラス封止部2は、配光特性に応じた光学形状を有していなくても良い。
LED素子3は、図1(b)に示すようにAl23からなる基板30上にGaN発光層31を有するフリップチップ型の発光素子であり、熱膨張率は7×10-6で発光波長は380nmである。このLED素子3は、発光観測面側の角部(4方向)が斜辺状にカットされた斜辺部32を有しており、電極部を図示しないAuバンプを介してサブマウント素子4に形成された配線パターンと電気的に接続されている。なお、このLED素子3のサイズは0.32×0.32mmである。
サブマウント素子4は、Al23によって形成されており、熱膨張率は13×10-6で、その表面には銅箔によって図示しない配線パターンが形成されている。配線パターンはLED素子3の電極部と電気的に接合されるとともにリードフレーム5とはんだ接合されている。
リードフレーム5は、銅あるいは銅合金によって形成されており、熱膨張率は16×10-6で、表面にAuめっき処理が施されている。サブマウント素子4と接合される先端部分は、サブマウント素子4の厚さに応じた段部5Aが設けられており、この段部5Aにはんだ接合されたサブマウント素子4の上面とリードフレーム5の上面とが略平坦な面を形成するようになっている。なお、導電性が所望の特性を満たすものであれば銅以外の材料(例えば、鉄系合金)で形成されていても良い。
ガラス封止部6は、ガラス封止部2を構成する低融点ガラスと同一のガラス材によって形成されており、上記した加熱プレスに基づいてガラス封止部2と一体化することによりリードフレーム5の下面を保護するようになっている。
図2は、図1のLED素子およびその周囲を示す部分拡大図である。
サブマウント素子4は、LED素子3の搭載側に設けられる配線パターン40と、リードフレーム5との接合側に設けられる配線パターン41と、サブマウント素子4を貫通して配線パターン40と41とを電気的に接続するスルーホール42とを有し、配線パターン41は、段部5Aとの間に設けられるはんだ7によってリードフレーム5と電気的に接続されている。配線パターン40は、Auバンプ3Aを介してLED素子3の電極部(図示せず)と電気的に接続されている。
図3は、図2に示すLED素子を上方(発光観測面側)から見た状態を示す図である。
LED素子3は、正方形状に形成されたサブマウント素子4の中央に位置して搭載されている。また、サブマウント素子4の表面に設けられた配線パターン40は、ガラスとの優れた密着性を有し、そのことによってLED素子3の周囲のガラス密着性を高めている。なお、配線パターン40の形状は、図示するようなパターンに限定されず、例えば、サブマウント素子4の露出が少なくなるようなパターンで形成しても良い。
このような発光装置1を形成するには、まず、銅合金の条材をプレス加工に基づいて打ち抜き加工することによりリードフレーム5を形成する。次に、リードフレーム5の段部5Aにサブマウント素子4を位置決めする。次に、リードフレーム5と配線パターン41とをはんだ7で接合する。次に、LED素子3の電極部を配線パターン40に対して位置決めする。次に、LED素子3の電極部と配線パターン40とをAuバンプ3Aで電気的に接合する。次に、リードフレーム5の上下に板状の低融点ガラスを配置する。次に、N2雰囲気にて減圧しながら低融点ガラスをLED素子3にダメージが及ばない温度の加熱プレスによって成形しながらリードフレーム5の上面および下面に密着させる。このとき、軟化した低融点ガラスがLED素子3の表面、サブマウント素子4の表面、およびリードフレーム5の表面に密着する。このようにしてガラス封止部2および6が予め定めた形状となるように一体化し、余分となるガラスを分離して発光装置1の形態とする。次に、発光装置1をリードフレーム5から切り離す。
上記した第1の実施の形態によると、LED素子3の角部を斜辺状にカットした斜辺部32を設けているので、108〜1010ポイズ程度に軟化した低融点ガラスを一体化させるときにガラスの乱流が生じにくくなり、そのことによってガラスの均一性が保たれるとともに空気の巻き込みを防ぐことができ、残留気泡の少ない発光装置1とすることができる。また、内部応力の集中しやすい鋭角な角部をカットすることで、ヒートショックによるガラス封止部2のクラックが生じることを防げる。なお、この加工は、ウエハーダイシングの際、これに適した刃を用いることで容易に実現できる。
更に、上記した第1の実施の形態では、発光観測面側の4方向について斜辺部32を設けたLED素子3を説明したが、これに加えてLED素子3の側面側の角部についてもカットする構成とすることで、LED素子3周囲の気泡低減性、、ガラスの均一性、およびクラック防止性をより向上させることができる。
また、第1の実施の形態では、ガラス封止部2は透明な低融点ガラスによって形成されるものとしたが、このガラス封止部2が着色されたものであっても良い。
また、サブマウント素子4の接合については、上記したはんだ7による接合のほかに、低融点ガラス加工温度では溶融しない銀ろうによる接合であっても良く、リードフレーム5に対してサブマウント素子4を接合した後にLED素子3をサブマウント素子4に搭載するようにしても良い。
図4は、第2の実施の形態に係るLED素子の側面図である。
このLED素子3は、発光観測面側の4方向をカットする代わりに曲面状の曲面部33を形成したものである。
上記した第2の実施の形態によると、曲面状の曲面部33を設けることで軟化したガラスを加熱プレスで一体化するときの乱流をより効果的に抑えることが可能になる。また、クラックが生じることをより防ぐことが可能になる。なお、発光観測面側の4方向に加えて、LED素子3の側面側の角部についても曲面状に形成することで、LED素子3周囲の気泡低減性、およびガラスの均一性をより向上させることができる。
図5は、第3の実施の形態に係る発光装置の中心部分における縦断面図である。
この発光装置1は、第1の実施の形態で説明したガラス封止部2に代えて、透明なガラス封止部8Aと、蛍光錯体801を含有したガラス封止部8Bと、ガラス封止部8Aおよび8との間に設けられて蛍光体800からなる蛍光体層8Cとを有する波長変換部8を備えた波長変換装置を構成している。
ガラス封止部8Bは、蛍光錯体801としてエルビウム(Er3+)を含有する蛍光錯体含有ガラスであり、蛍光錯体801は、LED素子3から放射される光に基づいて励起されて励起光を放射する。
蛍光体層8Cは、ガラス封止部8Aを形成する低融点ガラスにスクリーン印刷等によって薄膜状に形成され、これを加熱処理して乾燥させることによって形成されている。
このような波長変換部8は、以下のように形成する。
(1)蛍光体層形成工程
まず、低融点ガラスからなるガラスシートを用意する。このガラスシートは、長尺方向に複数のLED素子3を配置することが可能な長さを有して形成されていることが好ましい。次に、増粘材として約1%のニトロセルロースを含むn−酢酸ブチルに蛍光体800を溶解した蛍光体溶液を作成し、この溶液をガラスシートの表面にLED素子3の配置間隔に応じたピッチでスクリーン印刷して薄膜状に付着させる。次に、蛍光体溶液を印刷されたガラスシートを加熱処理して溶剤分を除去することにより蛍光体層8Cを形成する。なお、加熱処理を減圧雰囲気中で行うことがより好ましい。
(2)複合ガラス形成工程
次に、Er3+を含有する蛍光錯体ガラスシートを用意し、蛍光体層形成工程で作製した蛍光体層8Cを挟み込むようにして配置する。なお、蛍光体層8Cを有するガラスシートおよび蛍光錯体ガラスシートは同一の形状であることが好ましいが、異なる形状を有していても良い。次に、蛍光体層8Cを有するガラスシートおよび蛍光錯体ガラスシートを減圧雰囲気中で加熱プレスすることによって熱融着させる。蛍光体層8Cは、熱融着された2枚のガラスシートの境界部分に位置するように層状に設けられる。
このようにして形成された複合ガラスは、加熱プレスに基づいてLED素子3およびリードフレーム5と一体化される。蛍光体層8Cは、LED素子3の外形に応じて変形し、LED素子3から一定の距離の位置に層状に配置される。
上記した第3の実施の形態によると、第1の実施の形態の好ましい効果に加えて蛍光体層8Cの厚さおよびLED素子3からの距離を一定に保つことができ、蛍光錯体の励起に基づいてガラス封止部8Bから放射される励起光とあわせて波長変換性の良好な発光装置1とすることができる。なお、本実施の形態では、波長変換部8が蛍光錯体含有ガラスおよび蛍光体層を含むものを説明したが、蛍光錯体含有ガラスのみを有する波長変換部8、あるいは蛍光体層のみを有する波長変換部8であっても良い。
図6は、第4の実施の形態に係る発光装置の中心部分における縦断面図である。
この発光装置1は、第1の実施の形態で説明したリードフレーム5に代えて、セラミック基板9を用いたものである。
セラミック基板9は、LED素子3の搭載側に設けられる配線パターン40と、セラミック基板9を介して配線パターン40の反対側に設けられる配線パターン41と、セラミック基板9を貫通して配線パターン40と41とを電気的に接続するスルーホール42とを有し、配線パターン40は、Auバンプ3Aを介してLED素子3の電極部(図示せず)と電気的に接続されている。
上記した第4の実施の形態によると、セラミック基板9に第1の実施の形態で説明したLED素子3を搭載するようにしたので、リードフレーム5を用いる場合と比較して発光装置1を高密度で製造することが可能になり、生産性に優れるとともに製造コストを安価とすることができる。また、このようにして製造された発光装置1はダイシング等によって分離されてもガラス部分にクラックが生じにくいという特徴を有する。
図7は、第5の実施の形態に係る発光装置であり、(a)は中心部分における縦断面図、(b)はLED素子の拡大した側面図である。
この発光装置1は、第1の実施の形態で説明したLED素子3の基板30をGaNとしたフリップチップ型のLED素子3を用いたものである。
上記した第5の実施の形態によると、GaNからなる基板30は、n=2.4と屈折率が大であるので、光取出効率を大することができ、Al23からなる基板30では外部放射できなかった光をGaN発光層31から外部へ放射させることを可能にする。更に、LED素子3が直方体形状では、LED素子3の界面へ臨界角以上でしか入射しないモードが存在するが、GaN発光層31に設けられた斜辺部32は上記したモードに対してGaN発光層31からの光の放射を可能にするので、光の放射ロスを低減させることができる。
なお、基板30についてはGaNに限定されず、GaN発光層31と同等の屈折率を有するSiC等によって形成された基板30であれば良い。
図8は、第6の実施の形態に係るLED素子の発光エリアと光の放射を示す図である。
このLED素子3は、発光エリアを略素子サイズより小なる図示するような発光エリアAとしたものであり、GaN発光層31から放射される1次光が外部に放射される確率が理想状態に近いものとなり、そのことによってLED素子3からの光取出効率を更に向上させることができる。また、前述の実施の形態と同様に電極が下面にあるフリップチップ型の発光素子であり、下面以外には電極等のLED素子3からの光取出しを妨げるものは存在しない。
なお、上記した各実施の形態では、屈折率n=1.5の低融点ガラスを用いてLED素子3を封止する構成としたが、例えば、屈折率n=1.9の高屈折率ガラスを用いることで、LED素子3の発光エリアを略素子サイズとしたような場合でもLED素子3内に光が篭るようなことがなくなり、光取出効率を高めることができる。このため、通電量の増大に対して光出力が飽和することがないので、発光装置1の大出力化を図ることができる。
また、LED素子3を封止する封止材料として、ガラスを用いた構成を説明したが、エポキシ等の樹脂からなる封止部についても内部応力を緩和することが可能であることは言うまでもなく、そのことによって樹脂封止部の割れを防止することができる。
本発明の第1の実施の形態に係る発光装置であり、(a)は中心部分における縦断面図、(b)はLED素子の拡大した側面図である。 図1のLED素子およびその周囲を示す部分拡大図である。 図2に示すLED素子を上方(発光観測面側)から見た状態を示す図である。 第2の実施の形態に係るLED素子の側面図である。 第3の実施の形態に係る発光装置の中心部分における縦断面図である。 第4の実施の形態に係る発光装置の中心部分における縦断面図である。 第5の実施の形態に係る発光装置であり、(a)は中心部分における縦断面図、(b)はLED素子の拡大した側面図である。 第6の実施の形態に係るLED素子の発光エリアと光の放射を示す図である。 特許文献1に示される発光装置を示す縦断面図である。
符号の説明
1、発光装置 2、ガラス封止部 2A、蛍光体層 3A、バンプ
3、LED素子 4、サブマウント素子 5、リードフレーム
5A、段部 6、ガラス封止部 8、波長変換部 8A、ガラス封止部
8B、ガラス封止部 8C、蛍光体層 9、セラミック基板
30、基板 31、発光層 32、斜辺部 33、曲面部
40、配線パターン 41、配線パターン 42、スルーホール
50、発光装置 51、配線導体 52、配線導体 53、カップ
53A、底部 54、素子 55、ワイヤ 56、ガラス層
56A、蛍光物質 57、封止樹脂 800、蛍光体
801、蛍光錯体

Claims (7)

  1. 所定の波長の光を放射する発光素子部を封止材料からなる封止部で封止して形成される発光装置において、
    前記封止部の内部応力を緩和する応力緩和部を前記発光素子部に設けたことを特徴とする発光装置。
  2. 前記応力緩和部は、前記発光素子部の角部を斜辺状にカットすることによって形成されることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記封止部は、前記封止材料としてガラスを用いることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  4. 前記封止部は、前記光を所定の方向に放射させる光学形状を有することを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  5. 前記封止部は、少なくとも2層のガラス層を積層して形成される複合ガラスを加熱プレスすることによって前記光を放射する前記発光素子部と一体化することを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  6. 前記複合ガラスは、前記光によって励起される薄膜状の蛍光体層を前記少なくとも2層のガラス層に介在させてなることを特徴とする請求項5記載の発光装置。
  7. 前記複合ガラスは、前記光によって励起される蛍光錯体を含有した蛍光錯体含有ガラス層を含むことを特徴とする請求項5記載の発光装置。
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