JP4979299B2 - 光学装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
これにより、ホットプレス時に要求される加工条件は、基板に対して第1ガラス材を接合させる温度、圧力等の条件と、第2金型に対して第2ガラス材を離隔させる温度、圧力等の条件ということになる。そして、第2ガラス材は第1ガラス材よりも金型離隔性が高く、従来のように第1ガラス材を第2金型から離隔させる場合よりも加工条件は緩やかになる。従って、ホットプレス時におけるガラス材の温度、圧力等の加工条件の幅を広げることができる。
前記第2ガラス材は、前記第1ガラス材と反対側に予め光学面が形成されたプレフォームガラスであることが好ましい。
図2に示すように、LED素子2は、フリップチップ型のGaN系半導体材料からなる。LED素子2は、サファイア(Al2O3)からなる成長基板20の表面に、バッファ層21と、n型層22と、発光層23と、p型層24とを順次結晶成長させることによって形成されている。更に、LED素子2は、p型層24の表面に設けられるp電極25と、p型層24からn型層22にわたって一部をエッチングすることにより露出したn型層22に形成されるn電極26とを有する。このLED素子2は、700℃以上でエピタキシャル成長され、その耐熱温度は600℃以上であり、後述する低融点の熱融着ガラスを用いた封止加工における加工温度に対して安定である。LED素子2の熱膨張率αは、5〜7×10−6/℃である。本実施形態においては、LED素子2のサイズは0.34mm×0.34mm×厚さ0.09mmである。
特に、LED素子2から放射状に出射する光のうち、セラミック基板3とのなす角が第2ガラス材18の外面における臨界角θよりも小さいものが、第2ガラス材18の上面18bに入射する程度に、封止部16の水平方向寸法が長く形成されている場合に、外部放射効率の低下を格段に抑制することができる。具体的には、上記臨界角をθ、封止部6の厚さをhとした場合に、上面視にて第2ガラス材18におけるLED素子2から側面18aまでの距離が、2tanθよりも大きい場合に、光取り出し効率を格段に向上させることができる。
封止部26は、セラミック基板3上に形成されLED素子2を封止する第1ガラス材7と、第1ガラス材7上に形成される第2ガラス材28と、を有する。第1ガラス材7は、例えばZnO系の熱融着ガラスからなり、セラミック基板3上にて直方体状に形成される。具体的に、第1ガラス材7は、ガラス転移温度Tgが485℃であり、屈伏点Atが517℃である。第1ガラス材7の厚さは、0.5mmである。
封止部46は、セラミック基板3上に形成されLED素子2を封止する第1ガラス材7と、第1ガラス材7上に形成される第2ガラス材48と、を有する。第1ガラス材7は、例えばZnO系の熱融着ガラスからなり、セラミック基板3上にて直方体状に形成される。具体的に、第1ガラス材7は、ガラス転移温度Tgが485℃であり、屈伏点Atが517℃である。第1ガラス材7の厚さは、0.5mmである。
2 LED素子
3 セラミック基板
3a ビアホール
3b 側面
4 回路パターン
4a 第1導電パターン
4b 第2導電パターン
4c 第3導電パターン
5 スタッドバンプ
6 封止部
7 第1ガラス材
7a 側面
8 第2ガラス材
8a 側面
8b 上面
9 界面
10 中間体
11 LED装置
13 セラミック基板
13b 側面
14 回路パターン
14a 第1導電パターン
14b 外部端子
15 放熱パターン
16 封止部
17 第1ガラス材
17a 側面
18 第2ガラス材
18a 側面
18b 上面
18c 粗面部
19 界面
21 LED装置
26 封止部
28 第2ガラス材
28a 光学面
31 LED装置
36 封止部
38 第2ガラス材
38a 側面
38b 光学面
41 LED装置
46 封止部
48 第2ガラス材
48a 側面
48b 上面
48c 蛍光体
51 LED装置
56 封止部
57 第1ガラス材
57a 側面
57c 蛍光体
61 LED装置
66 封止部
67 第1ガラス材
67a 側面
67c 蛍光体
67d 蛍光体含有領域
67e 透明領域
71 LED装置
76 封止部
77 第1ガラス材
77c 蛍光体
78 第2ガラス材
78a 全反射ミラー部
78b 上面
200 成長基板
210 バッファ層
220 n型層
230 発光層
240 p型層
250 p電極
260 n電極
Claims (12)
- 光学素子が実装された基板の実装面と反対側を第1金型で支持し、
板状の第1ガラス材と、該第1ガラス材より金型離隔性の高い第2ガラス材と、からなる積層体の第1ガラス材と接触しないようにして前記積層体の第2ガラス材側を第2金型で支持し、
前記基板の前記光学素子の実装面と、前記積層体の前記第1ガラス材と、を対向させた状態で、前記第1金型及び前記第2金型を加圧してホットプレス加工を行うことを特徴とする光学装置の製造方法。 - 前記第2ガラス材は、前記第1ガラス材と反対側に予め光学面が形成されたプレフォームガラスであることを特徴とする請求項1に記載の光学装置の製造方法。
- 前記基板の熱膨張率と、前記第1ガラス材の熱膨張率と、前記第2ガラス材の熱膨張率と、が互いに略同等であることを特徴とする請求項1または2に記載の光学装置の製造方法。
- 前記第1ガラス材の熱膨張率は、前記基板の熱膨張率及び前記第2ガラス材よりも小さいことを特徴とする請求項3に記載の光学装置の製造方法。
- 前記第2ガラス材の外面は、前記光学素子へ入射又は前記光学素子から出射する光を光学制御する光学面が形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の光学装置の製造方法。
- 前記第1ガラス材と前記第2ガラス材の少なくとも一方は、所定の波長の光により励起されて波長変換光を発する蛍光材料を含有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の光学装置の製造方法。
- 前記蛍光材料は、蛍光体の粒子であることを特徴とする請求項6に記載の光学装置の製造方法。
- 前記基板は、前記光学素子の実装面に形成される第1導電パターンと、前記光学素子の実装面と反対側に形成される第2導電パターンと、前記基板内を厚さ方向に延び前記第1導電パターン及び前記第2導電パターンを電気的に接続する第3導電パターンとを有することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の光学装置の製造方法。
- 前記光学素子は発光素子であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の光学装置の製造方法。
- 前記第1ガラス材の屈折率が1.6以上であることを特徴とする請求項9に記載の光学装置の製造方法。
- 前記発光素子は、成長基板上にGaN系半導体層を積層して形成されたGaN系LED素子であることを特徴とする請求項9または10に記載の光学装置の製造方法。
- 前記光学素子は受光素子であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の光学装置の製造方法。
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