JP2005019966A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
表面にMEMSデバイス11A及びその不図示の配線を形成した半導体チップ10Aを複数配置して成る半導体ウェハ30Aと、封止キャップ20Aを複数配置したキャップ・アレイ・ウェハ40Aとを接着し、そのキャビティCVにMEMSデバイス11Aを封止する。そして、半導体ウェハ30Aを貫通して複数のビアホール13を設けて埋め込み電極14を形成し、さらにバンプ電極15を形成する。以上の工程の後、この構造体を、スクライブラインLに沿って切断することにより、個々のパッケージに分割する。
【選択図】 図3
Description
11B CCD 12 配線 13 ビアホール
14 埋め込み電極 15 バンプ電極
20A,20B 封止キャップ 21A,21B 凹部
30A,30B 半導体ウェハ 40A,40B キャップ・アレイ・ウェハ
SA,SB 被封止デバイス形成領域 CV キャビティ
LGC 論理回路 L スクライブライン
Claims (18)
- 表面に被封止デバイスが形成された半導体チップと、
前記半導体チップの表面に接着され、前記被封止デバイスを、前記半導体チップとそれとの間の空間で形成されるキャビティ内に封止する封止キャップと、を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記封止キャップが、ガラス、シリコン、セラミック、もしくは樹脂のいずれかから成ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記被封止デバイスが、MEMSデバイスであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記被封止デバイスが、赤外線センサであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記被封止デバイスがCCDであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記半導体チップ表面における前記キャビティ外の領域には、前記CCDを制御する論理回路が形成され、この領域に前記封止キャップの凸部が接着されていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記キャビティ内は、真空であることを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記キャビティ内には、不活性ガスが充填されたことを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止キャップの内側には、特定の波長の光を遮断または透過するフィルター機能を有した金属薄膜が形成されたことを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7,8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体チップに貫通されたビアホールに形成された埋め込み電極と、
前記埋め込み電極と前記被封止デバイスとを接続する配線と、を具備したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 表面に被封止デバイスが形成され、スクライブラインによって区画された半導体チップを複数配置して成る半導体ウェハと、凹部が形成された封止キャップを複数配置して成るキャップ・アレイ・ウェハと、を準備し、
前記キャップ・アレイ・ウェハと前記半導体ウェハ表面とを接着させることにより、前記キャップ・アレイ・ウェハの凹部と前記半導体ウェハ表面との間の空間でキャビティを形成すると共に、このキャビティ内に前記被封止デバイスを封止する工程と、
スクライブラインに沿って前記半導体ウェハ及び前記キャップ・アレイ・ウェハを切断することにより、個々のパッケージに分割する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記キャビティ内を真空状態にすることを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 前記キャビティ内に不活性ガスを充填することを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 前記キャップ・アレイ・ウェハの凹部の内面には、特定の波長の光を遮断または透過するフィルター機能を有した金属薄膜を形成したことを特徴とする請求項11,12,13のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体ウェハにビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールに埋め込み電極を形成する工程と、
前記埋め込み電極と前記被封止デバイスとを接続する配線を形成する工程と、を具備したことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。 - 前記キャップ・アレイ・ウェハと前記半導体ウェハの表面とを接着する工程の後に、
前記半導体ウェハをバックグラインドする工程を具備したことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。 - 前記キャップ・アレイ・ウェハと前記半導体ウェハの表面とを接着する工程の後に、
前記キャップ・アレイ・ウェハをバックグラインドする工程を具備したことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。 - 前記キャップ・アレイ・ウェハと前記半導体ウェハの表面とを接着する工程の後に、
前記半導体ウェハと前記キャップ・アレイ・ウェハの両者をバックグラインドする工程を具備したことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004145872A JP2005019966A (ja) | 2003-06-06 | 2004-05-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003161634 | 2003-06-06 | ||
JP2004145872A JP2005019966A (ja) | 2003-06-06 | 2004-05-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005019966A true JP2005019966A (ja) | 2005-01-20 |
JP2005019966A5 JP2005019966A5 (ja) | 2007-06-14 |
Family
ID=34196812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004145872A Pending JP2005019966A (ja) | 2003-06-06 | 2004-05-17 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005019966A (ja) |
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