JP2005019401A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る有機電界発光素子は、基板1及びトランジスタ100、200の上に形成された絶縁膜12と、非発光領域の絶縁膜12の上に形成された金属保護膜10と、発光領域3の絶縁膜12の上に形成された第1電極11と、第1電極11の上に形成された発光層と、発光層上に形成された第2電極を含む。金属保護膜10によって、非発光領域に存在する回路部8の紫外線による損傷を防止することが可能となる。
【選択図】図1
Description
図1(a)〜(c)は、本発明の第1実施形態における有機電界発光素子を示す図である。図1(a)に示すように、基板1上にパッド部2、発光領域3、および回路部8が形成されている。ここで、パッド部2はゲートパッド、データパッドなどで構成され、発光領域3は多数の画素で構成される。回路部8は、ゲートドライバーまたはデータドライバーとして非発光領域に形成される。第1実施形態における有機電界発光素子は、紫外線による回路部8の損傷を防止するために、発光領域3の外部にある回路部8上に形成された金属保護膜10を含む。金属保護膜10は、パッド部2と発光領域3を除いた残りの領域に形成される。
図2(a)〜(c)は、本発明の第2実施形態における有機電界発光素子を示す図である。図2(a)に示すように、基板1上にパッド部2、発光領域3、及び回路部8が形成されている。第2実施形態における有機電界発光素子は、紫外線による回路部8の損傷を防止するために、発光領域3の外部にある回路部8上に形成された金属保護膜20を含む。図2(b)に示すように、金属保護膜20は、発光領域2の外部にある薄膜トランジスタ100などの素子上にのみ選択的に形成される。第2実施形態において、金属保護膜20を除いた残りの構成は第1実施形態と同様である。
図3(a)〜(c)は、本発明の第3実施実施形態における有機電界発光素子を示す。図3(a)に示すように、基板1上にパッド部2、発光領域3、及び回路部8が形成されている。第3実施形態における有機電界発光素子は、紫外線による回路部8の損傷を防止するために、発光領域3の外部にある回路部8上に形成された金属保護膜30を含む。金属保護膜30は、パッド部2と発光領域3を除いた残りの領域に形成される。
図4(a)〜(c)は、本発明の第4実施形態における有機電界発光素子を示す図である。図4(a)に示すように、基板1上にパッド部2、発光領域3、回路部8が形成されている。第4実施形態における有機電界発光素子は、紫外線による回路部8の損傷を防止するために、発光領域3の外部にある回路部8上に形成された金属保護膜20を含む。図4(b)に示すように、金属保護膜40は発光領域2の外部にある薄膜トランジスタ100などの素子上にのみ選択的に形成される。金属保護膜40は、画素電極11と同じ物質で同時に形成される。第4実施形態において、金属保護膜40を除いた残りの構成は第3実施形態と同様である。
2 パッド部
3 発光領域
7 層間絶縁膜
8 回路部
10、20、30、40 金属保護膜
11 画素電極
12 保護膜
14 絶縁膜
15 有機EL層
16 共通電極
100、200 トランジスタ
Claims (18)
- 発光領域と非発光領域とに分けられた基板の上に形成されたトランジスタと、
前記基板及び前記トランジスタの上に形成された絶縁膜と、
前記非発光領域の前記絶縁膜の上に形成された金属保護膜と、
前記発光領域の前記絶縁膜の上に形成された第1電極と、
前記第1電極の上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された第2電極と、
を含むことを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記金属保護膜は、前記非発光領域のトランジスタ上にある前記絶縁膜の一定領域に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属保護膜と前記第1電極は、同じ物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属保護膜と前記第1電極の材料は、Cr、Cu、W、Au、Ni、Ag、Ti、Taで構成される物質群から選択されることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属保護膜と前記第1電極は、互いに異なる物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属保護膜は不透明な金属物質で形成され、前記第1電極は透明な金属物質で形成されることを特徴とする請求項5に記載の有機電界発光素子。
- 前記金属保護膜は、ゲートパッドまたはデータパッドと電気的に接続することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極は、前記絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して前記発光領域のトランジスタと接続することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記発光領域のトランジスタ上にある前記絶縁膜及び前記第1電極の一定領域に形成された絶縁膜を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- (a)発光領域と非発光領域とに分けられた基板上にトランジスタを形成する段階と、
(b)前記基板及び前記トランジスタの上に絶縁膜を形成する段階と、
(c)前記発光領域の前記絶縁膜の上に第1電極を形成し、前記非発光領域の前記絶縁膜の上に金属保護膜を形成する段階と、
(d)前記第1電極の上に発光層を形成する段階と、
(e)前記発光層の上に第2電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜の全面上に金属物質層を形成した後、前記金属物質層を選択的に取り除いて、前記第1電極及び前記金属保護膜を同時に形成することを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記金属物質層の材料は、Cr、Cu、W、Au、Ni、Ag、Ti、Taで構成される物質群から選択されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記金属保護膜は、前記非発光領域のトランジスタ上にある前記絶縁膜の一定領域に形成されることを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記金属保護膜は、ゲートパッドまたはデータパッドと電気的に接続することを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記発光領域のトランジスタ部を露出させるために、前記絶縁膜を貫くコンタクトホールを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記発光領域のトランジスタ上にある前記絶縁膜及び前記第1電極の一定領域に絶縁膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1電極を透明な金属物質で形成することを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記金属保護膜を不透明な金属物質で形成することを特徴とする請求項10に記載の有機電界発光素子の製造方法。
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