JP2004531891A - スリップを有しないウエハボートを製造する装置及び方法 - Google Patents
スリップを有しないウエハボートを製造する装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004531891A JP2004531891A JP2003505980A JP2003505980A JP2004531891A JP 2004531891 A JP2004531891 A JP 2004531891A JP 2003505980 A JP2003505980 A JP 2003505980A JP 2003505980 A JP2003505980 A JP 2003505980A JP 2004531891 A JP2004531891 A JP 2004531891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- coating
- wafer boat
- ceramic
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 218
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims abstract description 14
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 11
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- -1 quartz Chemical compound 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/14—Substrate holders or susceptors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67306—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
【0001】
本発明は、半導体の製造に関する。さらに詳しく述べると、本発明は、例えばスロットのようなウエハ支持構造体を備えたものであって、保護用のセラミックコーティングを塗被し、かつ各スロットのためのポストコーティング表面仕上げを有するウエハ接触面を規定するためにポストコーティング仕上げプロセスに供されたウエハボートに関する。
【背景技術】
【0002】
その他の材料、例えばシリコンゲルマニウム(SiGe)又はガリウム砒素(GaAs)を使用してもよいけれども、現在のところ、シリコン(Si)がエレクトロニクス産業で最も重要な半導体である。超大規模集積(VLSI)回路技術(すなわち、1個のチップについて約100,000個までの素子)や超々大規模集積(ULSI)回路技術(すなわち、1個のチップについて約100,000個よりも多数の、場合によっては109個を上回る数の素子)は、それらのほとんど全部のものがシリコンをベースに作られている。
【0003】
ここで、VLSI回路やULSI回路の加工をシリコン基板上において実施する場合、シリコン基板が非常に高度の結晶完成度又は純度を有していることが臨界的である。すなわち、結晶状態にある固体において、それらの固体を構成する原子は、周期的な状態で空間的に配列されている。もしもその周期的な配列が固体の全体を通じて存在したとすると、物質は、それが単一の結晶から構成されているものとして規定される。結晶中において原子が周期的に配列されていることは、格子と呼ばれている。非常に高度な結晶完成度の場合、その単一の結晶シリコン格子について見て、シリコン基板が最低量の不純物及び結晶欠陥を有することが必要である。
【0004】
一般的に述べて、原料、例えば石英岩は、電子品グレードのポリシリコン(EGS)に精製され、そして溶融される。次いで、溶融したEGSから単結晶のシリコンインゴットを成長させるためにシリコンの単結晶を使用する。次いで、シリコンインゴットをスライス及び研磨(ポリッシング)してシリコンウエハを得る。シリコンウエハは基板を提供するものであり、そのウエハの上に、一連の複雑なウエハ加工プロセスを経て、VLSI又はULSI回路が最終的に作り込まれる。
【0005】
シリコン材料の技術において、シリコンウエハのサイズが増加しつつあることは、最も明らかとなっている傾向の1つである。現在では、大半の150mm及び200mmのウエハ用途に置き換わって、300mm直径のウエハが究極的に使用されることが期待されるに至っている。また、極く近い将来において、400mmのウエハもおそらく導入されるということも予見されている。生産性を維持するためにより大直径のウエハを使用する場合、半導体の製造業者にいくつかの大きなチャレンジが強いられることとなる。例えば、大型のウエハを取り扱うことのできる装置を備えた設備、例えば垂直型の炉を構築しなければならない。また、大面積についてより小型サイズの特徴をプリントするため、新しいパターニング法を開発しなければならない。さらに、この大型のウエハは、梱包時やその他の構造的な変形に対する耐性を向上させるため、より肉厚でなければならない。さらにまた、大型のウエハは、より重量があるので、自動化されたウエハ搬送システムを使用することも必要である。
【0006】
シリコンウエハはより大型化しかつより重くなりつつあるので、不純物や格子に対する構造的な欠陥を防止するという課題、すなわち、非常に高度の結晶完成度を維持するという課題がより臨界的なものとなっている。このような構造的な欠陥であって、300mmもしくはそれよりも大型のシリコンウエハにおいて特に問題となっているものが、格子構造体におけるスリップ(すべり)のことである。
【0007】
シリコンウエハにおけるスリップは、そのウエハに加えられた応力の関数としてある。この応力は、機械的(例えば、摩擦的に導入される)及び(又は)熱的であることができる。ウエハに対して応力が加わった場合、そのウエハの結晶格子が弾性変形を被り、固体の結晶として存在しなくなり、応力の開放を通じて元の状態へと復帰する。しかし、応力のあるものは、結晶格子における塑性変形もしくは永久変形であるところのスリップを誘導し、応力が開放された場合にもスリップはそのまま残留する。スリップは、シリコンの弾性限界(あるいは、降伏強度)があるレベルを上回った場合や格子が永久的に整合不良となった場合に発生する。
【0008】
スリップは、熱処理炉でシリコンウエハを高温処理する間(炉処理作業)において一般的であるが、これは、熱応力が処理温度に比例するからである。ウエハにおいて脆性から延性に挙動が遷移する温度は、一般的には約720〜1,000℃の範囲内である。そのために、スリップは、熱的あるいは機械的応力のいずれによって導かれたものであろうとも、720℃を上回る温度において特に問題を引き起こすものとなっている。
【0009】
ウエハボートは、ウエハを支持するためのデバイスであり、半導体ウエハの処理の間に炉処理にさらされる。水平に列をなして並べられたウエハ群を支持するため、水平型のウエハボートが一般的に設計されており、また、これらのウエハボートは、高温処理のため、水平型の炉管に装入される。垂直型のウエハボートは、垂直に重ね合わされたウエハ群を支持するために一般的に設計されており、垂直型の炉管に装入される。通常、例えば300mmのような大直径のシリコンウエハの場合、垂直型のウエハボートがより一般的に使用されている。なぜなら、垂直型の炉は、水平型の炉よりも設置面積が小さく、そのために経費のかかる製造スペースをより小さくすることができるからである。さらに、垂直型の炉は、一般的に、水平型の炉に比較してより良好な温度のコントロールが立証されている。
【0010】
ウエハボートは、一般的にセラミック材料から構成されている。イオン結合もしくは共有結合を通じて結合されているセラミック材料は、通常、金属及び非金属元素の両方を含有する複合化合物からなっているのが一般的である。セラミックスは、通常、硬く、脆性があり、高融点な材料であり、また、電気的及び熱的伝導性が低く、化学的及び熱的安定性が良好であり、そして圧縮強度が大である。セラミック材料の例としては、石英、炭化ケイ素(SiC)及び再結晶SiCがある。このような再結晶SiCのあるものは、米国Worcester, MA在のSaint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc.からCRYSTARTMなる商品名で商業的に入手可能である。この材料は、炭化ケイ素セラミックであって、高純度のシリコン金属が含浸されている。
【0011】
ウエハボートの表面は、シリコンウエハと接触しかつそれらのウエハの重量を支持するものであって、典型的にはウエハ接触面と呼ばれている。多数個のシリコンウエハを保持するように設計されたウエハボートの場合、ウエハ接触面は、通常、ウエハボートのウエハスロット中に配置され、それぞれのシリコンウエハを受理するようにサイズが付与される。単一のウエハを保持するように(より一般的には、大直径のウエハ用に使用するために)設計されたウエハボートの場合、ウエハ接触面は、ウエハボートのその他の構造体、例えば***形状のウエハ支持パッドの上に配置してもよい。加熱及び冷却中、すなわち、熱処理工程の間にウエハ接触面とシリコンウエハの間に摩擦力が発生し、この摩擦力が機械的応力の発生源となり、スリップを誘導可能である。ウエハは、ウエハボートに使用されている一般的なセラミック材料が単結晶シリコンとは異なる熱膨脹係数を有しているので、熱サイクルの間にウエハ接触面上で望ましくない摺動を起こし、これによって機械的応力が増大し、スリップを誘導可能となる。これは特に、より重量のある300mmのウエハについて720℃を上回る炉処理工程の時に起こり得る。
【0012】
ウエハボートに関連したもう1つの問題点は、電子品グレードのシリコン処理のために必要とされる高純度レベルをボートの本体全部について維持することが非常に困難であり、費用がかかるということである。すなわち、高温時、ボートの本体に含まれる不純物、例えば鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、ナトリウム、カルシウムなどがウエハにマイグレート(移動)し、その汚染を引き起こすことが可能である。このことを防止するため、ボートを寸法的に見て寸足らずの状態で構築し、そして例えばSiCのような高純度セラミックの保護コーティングを化学的蒸着(CVD)法を使用してコーティングしている。典型的には、SiCコーティングは、公称60μmの厚さであり、そのコーティングを通る不純物のマイグレーションを適切に防止するため、最低で30〜40μmの厚さを有していなければならない。コーティングそのものにおいて必要とされる純度レベルは、一般的に100万分の1(1ppm)もしくはそれ以下である。
【0013】
しかしながら、問題となることに、CVDコートした後のボートは、1.0μmよりも厚い表面仕上げを有しているのが一般的である。この使途のため、あらゆる表面仕上げは数μmで設計されることとなり、また、公称的には記号“Ra”で表されるところの標準最大粗面高さ指数(standard maximum roughness height index)、すなわち、算術平均を有することとなる。300mmもしくはそれよりも大型のウエハの場合、この比較的に粗い表面仕上げがあるため、より高い温度処理において過度の摩擦力を生じることが可能であり、これによってスリップを引き起こし得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
より大きなウエハサイズの場合にスリップの問題を解決する試みにおいて、従来のボートは、CVDコーティングを備えないように構築されており、また、摩擦を低減するため、ウエハ接触面を機械加工して高度に平滑な表面仕上げ、例えば0.4μm未満、を達成している。しかし、判明しているところによると、このようなボートの本体全部について純度レベルをコントロールするとして、必要なレベル、例えば1ppmもしくはそれ未満で維持することは困難である。結果として、これらの従来のボートは非常に高価なものとなっている。さらに加えて、シリコンウエハ中への不純物のマイグレーションを防止してウエハの非常に高い結晶純度を約束するのに必要とされる厳しい要件をこれらの従来のボートが満足させ得るか否かということが問題点としてある。
【0015】
したがって、大直径のシリコンウエハでスリップを引き起こす摩擦力を低減することができ、かつシリコンウエハの処理を行うのに必要とされる純度レベルを妥当なコストで維持することができる改良されたウエハボートが必要となっている。
【課題を解決するための手段】
【0016】
本発明は、ウエハ支持構造体、例えばスロットを有するウエハボートであって、それらの支持構造体が保護セラミックコーティングでコーティングされており、かつそれぞれの支持構造体についてポストコーティング表面仕上げをもったウエハ接触面を規定するためにポストコーティング仕上げプロセスにさらされているウエハボートを提供することによって、従来の技術を上回る利点及び代替策をもたらすことができる。セラミックコーティングは、ウエハボートから被処理シリコンウエハに至る不純物のマイグレーションを実質的に防止し得る予め定められた厚さ、すなわち、不純物マイグレーションの防止厚さを有している。さらに、ウエハ接触面のポストコーティング表面仕上げは、スリップが発生するのを実質的に防止することができる。このウエハボートは、ボートの本体全部とは対照的に、コーティングの純度のみを非常に高い純度レベルで維持すればよいので、妥当なコストでもって製造することができる。
【0017】
本発明の1つの例示的な態様を参照すると、シリコンウエハを支持するためのウエハボートを提供することによって上述の及びその他の利点を達成することができる。ウエハボートは、シリコンウエハをその上に支持するためのサイズをもった少なくとも1個のウエハ支持構造体を有するセラミック本体を包含する。セラミックコーティングは、不純物マイグレーション防止厚さを有し、ウエハ接触面を備えている。ウエハ接触面は、ポストコーティング表面仕上げを有しており、これをもってシリコンウエハにおけるスリップが実質的に防止されている。
【0018】
ウエハボートは、典型的には、垂直型のウエハボートであり、300mmもしくはそれよりも大きな直径をもったシリコンウエハを受理するためのサイズを付与されたスロットであるところのウエハ支持構造体を有している。本発明の態様は、大型サイズのシリコンウエハにおいて720℃もしくはそれよりも高い温度に達する熱処理工程の間にスリップが発生するのを防止するのにとりわけ有用である。
【0019】
製造方法の例示的態様について見ると、本発明は、シリコンウエハをその上に支持するためのサイズをもった少なくとも1個のウエハ支持構造体を備えたウエハボートのセラミック本体を提供する方法を包含する。次いで、コーティングプロセスを利用して、ウエハ支持構造体の表面に保護セラミックコーティングを塗被する。次いで、保護セラミックコーティングを仕上げプロセスに供することによってウエハ接触面を規定する。セラミックコーティングは、不純物のマイグレーションを防止する厚さを有している。さらに、セラミックコーティングのウエハ接触面は、シリコンウエハにおけるスリップを実質的に防止するポストコーティング表面仕上げを有している。
【0020】
コーティングプロセスの1態様は、化学的気相成長(CVD)法を包含している。表面仕上げプロセスの1態様は、機械加工処理及び(又は)レーザーカット処理を包含している。
【発明を実施するための最良の形態】
【0021】
図1及び図2を参照すると、本発明による垂直型ウエハボートが10でもって一般的に示されている。ウエハボートの全体10、すなわち、ウエハボートの本体は、再結晶化したSiCの鋳型物から構成されており、3本の支持ロッド12、ベース14及びトッププレート16を包含する。
【0022】
ベース14は、一般的には円板の形状を有しており、予め定められた直径をもった一般的に水平な平板状のベースプレート18を包含する。ベース14はまた、ベースプレート18の下面から下向きに延在する垂直リム20を包含する。リム20は、ベースプレート18と同心的であり、かつそれよりも小さな直径を有しており、したがって、水平なベースプレート18の外周部が垂直なリム20から突き出て環状リップ21を規定している。中央の孔24から、半径方向に外側に向かって膨脹スロット22が切り込まれている。膨脹スロット22は、ベースプレート18の外周部ならびにリム20を通って延在している。スロット22は、熱処理中に、例えば炉処理工程中にベース14の熱膨張や熱収縮を可能とするものである。垂直リム20はまた、一対の矩形に付形されたノッチ26を有している。ノッチ26は、炉処理工程の間にウエハボート10を垂直炉(図示せず)に配置する場合にそのウエハボートを正確に位置決めするためのものである。
【0023】
支持ロッド12は、一般的に矩形の断面を有する長尺の構造体である。支持ロッド12の外側のエッジ27は、ベースプレート18の外周部と同一面にあり、また、予め定められた直径、例えば300mmのシリコンウエハを受理するため、ベースプレート18の上に支持ロッド12が配列されている。ロッド12は、それらの下部末端28においてベースプレート18の上面に溶着されており、そこから上方に向かって実質的に垂直に延在している。
【0024】
支持ロッド12の上部末端30は、トッププレート16の下面に溶着されている。ここで、トッププレート16は、U字形の平板であり、ベースプレート18に対して実質的に平行に延在している。トッププレート16は、それがU字形であるため、膨脹スロット22がベース14に対して行っているのとまったく同じ形でもって、高温での熱処理中に膨脹及び収縮が可能である。支持ロッド12、ベース14及びトッププレート16は一緒に溶着されるように設計されているけれども、その他の組み立て技術、例えば部品を一緒にボルト締めしたり、プレスにより嵌合したり、化学的に接合したりする技術もまた本発明の範囲内である。
【0025】
図3を参照すると、支持ロッド12は、多数個のセラミックアーム32を包含する。セラミックアーム32は、支持ロッド12の外側のエッジ27に近接して固定された末端部35を有している。セラミックアーム32は、その固定された末端部35からベースプレート18の中央部の一般的方向に向かって延在しており、かつベースプレート18に関して一般的に平行である。対をなすアーム32は、それぞれ、予め定められた直径、例えば300mm及び関連の厚さをもったシリコンウエハを受理するためのサイズをもったウエハスロット34を規定している。本発明の目的のため、アームは、シリコンウエハと接触し、その重量を支持する表面(ウエハ接触面)をもった任意の構造体であると考えられるべきである。そのために、支持ロッド12のうちの、最下端のスロット34の下方に位置しかつそれを規定するアーム部分33もまた、アームとして考えられるべきである。ウエハボードの本体10は、高純度SiCからなるCVDによる保護コーティング36の余地、例えば1ppm未満を残すため、少なくともその臨界的寸法、例えばスロット34を取り囲む領域において寸法的に寸足らず(寸法不足)であるように成形に供される。なお、この態様では、多数個のウエハを保持するように設計されたウエハ接触面付きのスロットを備えたウエハボートについて記載するけれども、当業者に明らかであるように、その他の構造のウエハボートがウエハ接触面を有していてもよい。例えば、単一のウエハを保持するように設計されたウエハボートの場合、リングの上に***形状のパッドを含んでもよく、この場合にはそれらのパッドの頂部表面がウエハ接触面となる。
【0026】
保護コーティング36は、ウエハボート10の本体の全体を通じて1.0μmよりも大きな表面仕上げを包含するのが一般的である。しかし、それぞれのウエハスロット34の下面に配置されるCVDコーティング36は、予め定められた量のセラミックコーティングを除去するため、ポストコーティング仕上げプロセス、例えば機械加工又はレーザーカットにさらされる。従って、この仕上げプロセスの結果、約60μmの公称厚さを有するそれぞれのセラミックアーム32及び35の上に保護コーティングが与えられる。さらに、保護コーティングは、ポストコーティング表面仕上げ、すなわち、ポストコーティング仕上げプロセスによって得られた約0.4μmの表面仕上げを有するそれぞれのアーム32及び33についてウエハ接触面38を包含する。有利なことに、SiC保護コーティングは、ウエハボート10の本体中の不純物が炉処理工程の間にコーティング36を通ってシリコンウエハ(図示せず)中にマイグレートするのを防止するに十分な厚さ、例えば最低で30μm、を有している。さらに、それぞれのウエハ接触面38のポストコーティング表面仕上げは、ウエハ接触面38とシリコンウエハとの間の摩擦係数を下げて、高温での熱処理工程中に、すなわち、温度が720℃に達する処理工程中にスリップが発生する可能性を実質的になくすることができる。なお、この態様ではウエハボート10の本体全部について保護コーティング36を適用することについて説明したけれども、ちょうどスロット34を取り囲む領域に対して保護コーティング36を適用し、その領域においてウエハ接触面38を配置することも本発明の範囲内である。
【0027】
この態様ではCVDによるSiC保護コーティングが示されているけれども、当業者に明らかなように、その他のセラミックコーティング、例えばシリコン窒化物(Si3N4)を使用してもよい。さらに、保護コーティングの厚さは、不純物がそれを通過してシリコンウエハにマイグレートするのを防止するという主たる機能が奏される限りにおいて変化させてもよい、すなわち、不純物マイグレーションの防止厚さ。さらに加えて、ウエハ接触面のポストコーティング表面仕上げは、特に高温での熱処理工程の間、摩擦係数が低下せしめられてスリップが実質的に防止される限りにおいて、上記した0.4μmから変更することが可能である。
【0028】
ウエハボート10は、垂直型であるものについて上記したけれども、水平型のウエハボートが本発明の範囲内であることは当業者に明らかであろう。また、この例示的な態様においては直径300mmのウエハ用のサイズをもったウエハボートについて説明を行ったけれども、本発明によるウエハボートは、同じようにその他のウエハ直径、例えば150mm、200mm又は400mmのためのサイズをもっていてもよい。さらに加えて、ウエハボートは、再結晶のSiC以外のセラミックス、例えば石英、焼結SiC又はポリシリコンからなっていてもよい。
【0029】
図4を参照すると、本発明による垂直型ウエハボートの別の態様が40でもって一般的に示されている。この場合に、ウエハボート40は、ベース42、トッププレート44、そして4本の支持ロッド46を包含する。さらに、トッププレート44は、一般的にはリングの形状を有しており、高温熱処理工程中における膨脹と収縮を可能とするため、膨脹スロット48を包含する。ベース42は、一般的には円の形状を有しており、膨脹スロット50を包含する。ベース42の外周部には、4個のマウント用スロット52からなるセットが形成されている。組み立て時、ロッド46の下部末端がベース42の底面と同一面となるように、支持ロッド46をそれぞれのマウント用スロット52に圧入する。
【0030】
図5を参照すると、本発明に従う典型的な製造方法のフローチャートが60でもって一般的に示されている。原料のSiC粒子62を脱イオン水と混合してSiCスラリー64を調製する。このスラリーを予め作製しておいた石膏型68に注加し、次いで工程70で加工を行って鋳型品を製造する。次いで、鋳型品、すなわち、素材(未加工)の状態にある支持ロッド12、ベース14及びトッププレート16を型から取り出し、素材の仕上げ工程72に移行する。ここで、それらの最終的な形状に近いパーツが得られる。素材仕上げの後、個々のパーツを再結晶化プロセス74に供する。すなわち、素材仕上げの完了したパーツを高温焼成工程に供し、セラミック粒子を一緒に結合させ、焼結してブランク(素材片)を形成する。次いで、ブランクの機械加工前の検査を行い、損傷の有無や許容されるパーツであるか否かをチェックする。必要に応じて、ブランクを機械加工工程78に供してさらに微細な構造を提供し、かつ適当な寸法的許容値を満足させる。次いで、未加工のバーツを酸浴80中でクリーニングして不純物を除去する。次いで、ボート10の部品について部品の組立て前検査82を実施する。その後、支持ロッド12、ベース14及びトッププレート16を組立てプロセス84、例えば溶着、ボルト締め、圧入又は化学的接合に供して、未加工のウエハボート10を形成する。その後、ウエハボート10をシリコン含浸プロセス86に供する。ここでは、SiC製のセラミックウエハボート10に高純度のシリコン金属を含浸させて多孔性のキャビティをそれで充填し、ウエハボート10の密度が完全状態となるまでもっていく。シリコン含浸プロセス86の後、ウエハボート10の表面をサンドブラスト処理88して、不純物や過剰量のシリコンを除去する。次いで、サンドブラスト処理でもってウエハボート10の表面が粗くなるので、ウエハボートの臨界的な部品についてもう1回の機械加工90を行い、ボート10の臨界的寸法を許容範囲内のものとする。
【0031】
この時点において、セラミックボート10は、そのボートの臨界的な寸法よりも所定の量だけ寸法的に寸足らずであることが、特に、ボート10の表面がシリコンウエハに接触しかつそれを支持する場所、すなわち、ウエハ接触面38において、必須である。これはすなわち、保護コーティング、この場合には高純度のCVD炭化ケイ素コーティング、を適用するための余地を残さなければならないからである。そのために、機械加工後のボート部品を検査プロセス92に供し、機械加工プロセスの正確度を確認する。次いで、ボート10の本体中の不純物がシリコンウエハ中にマイグレーションするのを防止するため、CVD法によってSiCコーティング94を適用する。典型的には、ボート10の本体全部の上にSiCコーティングを100μmまでの公称厚さで適用する。
【0032】
ウエハ接触面38をポストコーティング仕上げプロセス96、例えば機械加工又はレーザーカットに供するのが有利であり、これによって、予め定められた量のコーティングを除去し、ウエハ接触面38を約0.4μmRaに仕上げることができる(ポストコーティング表面仕上げ)。典型的には、この工程96において、CVDによる保護SiCコーティングを公称60μmの厚さまで減厚する。保護コーティングは、いずれの場合であっても、不純物のマイグレーションを適切に防止するため、予め定められた最小の厚さを有していなければならない。この最小の限度は、CVDによるSiCコーティングで一般的に30〜40μmである。また、ポストコーティング表面仕上げは、ウエハ接触面38とシリコンウエハの間の摩擦係数をスリップが本質的に防止されるポイントまで低下させるため、予め定められた限度を下回らねばならない。典型的には、ポストコーティング表面仕上げは、少なくとも0.4μm未満でなければならない。
【0033】
ポストコーティング仕上げプロセス96の後、ウエハボート10を最終検査98に供する。その後、仕上げ後のウエハボートを最終的な酸クリーニングに供し、梱包し、出荷100の準備をする。
【0034】
この態様において、製造プロセス60を主として鋳型処理を参照して説明したけれども、当業者が認めることができるように、ウエハボート10の製造のためにその他の製造プロセスを利用してもよい。例えば、ウエハボートの製造プロセスは、主として、機械加工、加圧成形又は押出し成形プロセスであってもよい。
【0035】
以上において好ましい態様を示し、説明したけれども、それらの態様に対して、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく種々の変更や置き換えを行うことができる。よって、本発明は一例を記載したものであり、限定されるものではないということが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】本発明による垂直型ウエハボートの例示的1態様を示した斜視図である。
【図2】図1のウエハボートの側面図である。
【図3】図2のウエハボートの円形部分Eの断面図である。
【図4】本発明によるウエハボートの別の1態様を示した斜視図である。
【図5】本発明によるウエハボートを製造するための1つの製造フローチャートを示した例示的模式図である。
Claims (27)
- シリコンウエハを支持するためのウエハボートであって、
シリコンウエハをその上に支持するためのサイズをもった少なくとも1個のウエハ支持構造体を有するセラミック本体、及び
前記ウエハ支持構造体の1表面の上に配置されたものであって、不純物のマイグレーションを防止する厚さ及びウエハ接触面を有し、かつ前記ウエハ接触面がポストコーティング表面仕上げを有するセラミックコーティング、
を含み、その際、前記ウエハ接触面のポストコーティング表面仕上げでもってシリコンウエハにおけるスリップが実質的に防止されていることを特徴とするウエハボート。 - 前記ウエハ支持構造体が、シリコンウエハを内部に受理するサイズをもった少なくとも1個のウエハスロットを含むことを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 前記ウエハ接触面のポストコーティング表面仕上げでもって300mmもしくはそれよりも大きな直径をもったシリコンウエハにおけるスリップが実質的に防止されていることを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 前記ウエハ接触面のポストコーティング表面仕上げでもって、720℃もしくはそれよりも高温に達する熱処理の間、シリコンウエハにおけるスリップが実質的に防止されていることを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 前記セラミック本体が、石英、炭化ケイ素(SiC)及び再結晶SiCのいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 前記セラミックコーティングがSiCを含むことを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 前記セラミックコーティングにおいて、不純物のマイグレーションを防止するその厚さが30μm厚よりも大きいかもしくはそれに実質的に等しいことを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 前記セラミックコーティングにおいて、不純物のマイグレーションを防止するその厚さが公称60μm厚であることを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 前記セラミックコーティングの純度レベルが実質的に1ppmもしくはそれ以下であることを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 前記ウエハ接触面において、そのポストコーティング表面仕上げが、0.4μmよりも小さいかもしくはそれに実質的に等しいことを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 前記ウエハボートが垂直型ウエハボートであることを特徴とする請求項1に記載のウエハボート。
- 一般的に水平なベースと、
前記ベースから一般的に垂直に延在しておりかつ前記ベースに関して一般的に平行に延在した少なくとも一対のアームを有している支持ロッドとを備え、
前記対をなすアームでもって少なくとも1個のウエハスロットが規定されていることを特徴とする請求項2に記載のウエハボート。 - 前記支持ロッドが、シリコンウエハを受理するサイズをそれぞれ有する多数個のスロットを規定する多数個のアームを備えており、それぞれのスロットが、その上に配置されたセラミックコーティングを備えて多数個のウエハ接触面を規定しており、かつそれぞれのウエハ接触面が、ポストコーティング表面仕上げを有していることを特徴とする請求項12に記載のウエハボート。
- 前記支持ロッドが多数個の支持ロッドを含むことを特徴とする請求項12に記載のウエハボート。
- 前記支持ロッドの上部末端に付設されたトッププレートを含むことを特徴とする請求項12に記載のウエハボート。
- 前記ベースが、支持ロッドが応力緩和スロット及び位置決めノッチを含むことを特徴とする請求項12に記載のウエハボート。
- シリコンウエハを支持するためのウエハボートを製造する方法であって、下記の工程:
シリコンウエハをその上に支持するためのサイズをもった少なくとも1個のウエハ支持構造体を有するウエハボート用セラミック本体を提供すること、
前記ウエハ支持構造体の表面に保護セラミックコーティングをコーティングすること、及び
前記保護セラミックコーティングを仕上げ処理してウエハ接触面を規定するとともに、その際、前記保護セラミックコーティングが不純物のマイグレーションを防止する厚さを有しかつ前記ウエハ接触面がポストコーティング表面仕上げを有し、そして前記ポストコーティング表面仕上げでもってシリコンウエハにおけるスリップが実質的に防止されていること、
を含むことを特徴とするウエハボートの製造方法。 - 前記コーティング工程が、化学的気相成長(CVD)法を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記仕上げ処理工程が、機械加工処理及びレーザーカット処理のいずれか1つを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記セラミック本体の提供工程が、石英本体、SiC本体及び再結晶SiC本体のいずれか1つを提供することを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記コーティング工程が、SiCをコーティングすることを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記仕上げ処理工程において、前記セラミックコーティングを仕上げ処理して、実質的に30μm以上である不純物のマイグレーションを防止する厚さを付与することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記仕上げ処理工程において、前記セラミックコーティングを仕上げ処理して、公称60μmである不純物のマイグレーションを防止する厚さを付与することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記コーティング工程において、1ppmよりも小さいかもしくは実質的にそれに等しい純度レベルをもったセラミックコーティングをコーティングすることを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記仕上げ処理工程において、前記セラミックコーティングを仕上げ処理して、0.4μmよりも小さいかもしくはそれに実質的に等しいポストコーティング表面仕上げをもったウエハ接触面を規定することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記セラミック本体の臨界的寸法を寸法的に、予め定められた大きさだけ寸足らずとし、かつ
寸足らずとした前記臨界的寸法を、予め定められた厚さで施された前記保護セラミックコーティングで補填することを特徴とする請求項17に記載の方法。 - 下記の工程:
SiCを成形型で加工して、支持ロッド、ベース及びトッププレートを含む未加工の本体部品の1セットを製造すること、
前記本体部品のセットを再結晶化プロセスに供すること、
前記本体部品のセットを組み立てて仕上げ前のセラミック本体を形成すること、
前記セラミック本体に高純度のシリコン金属を含浸すること、
前記セラミック本体をサンドブラスト処理すること、
前記セラミック本体を機械加工すること、
前記セラミック本体の全体に高純度SiCをCVD法によってコーティングすること、及び
前記セラミック本体をポストCVD仕上げして前記ウエハ接触面を規定すること、
を含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/884,720 US20020130061A1 (en) | 2000-11-02 | 2001-06-19 | Apparatus and method of making a slip free wafer boat |
PCT/US2002/017654 WO2002103759A1 (en) | 2001-06-19 | 2002-06-05 | Apparatus and method of making a slip free wafer boat |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004531891A true JP2004531891A (ja) | 2004-10-14 |
Family
ID=25385235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003505980A Pending JP2004531891A (ja) | 2001-06-19 | 2002-06-05 | スリップを有しないウエハボートを製造する装置及び方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020130061A1 (ja) |
EP (1) | EP1405333B1 (ja) |
JP (1) | JP2004531891A (ja) |
KR (1) | KR100578709B1 (ja) |
CN (1) | CN100350551C (ja) |
AT (1) | ATE488865T1 (ja) |
DE (1) | DE60238324D1 (ja) |
WO (1) | WO2002103759A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008021974A (ja) * | 2006-05-26 | 2008-01-31 | Cree Inc | 高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
JP2017005112A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | クアーズテック株式会社 | ウエハボート及びその製造方法 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6811040B2 (en) * | 2001-07-16 | 2004-11-02 | Rohm And Haas Company | Wafer holding apparatus |
US20030233977A1 (en) * | 2002-06-20 | 2003-12-25 | Yeshwanth Narendar | Method for forming semiconductor processing components |
WO2004025721A1 (ja) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | 基板収納容器 |
US6825123B2 (en) * | 2003-04-15 | 2004-11-30 | Saint-Goban Ceramics & Plastics, Inc. | Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby |
US7501370B2 (en) | 2004-01-06 | 2009-03-10 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | High purity silicon carbide wafer boats |
US20050145584A1 (en) * | 2004-01-06 | 2005-07-07 | Buckley Richard F. | Wafer boat with interference fit wafer supports |
US20050205502A1 (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-22 | Brown Steven A | Rails for semiconductor wafer carriers |
JP2005340480A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Nippon Oil Corp | 基板カセット用サポートバー |
TWI248909B (en) * | 2004-10-12 | 2006-02-11 | Au Optronics Corp | A cassette for placing multiple-sized substrate |
US8128078B2 (en) * | 2005-03-09 | 2012-03-06 | Ihi Corporation | Jig |
CN101253614B (zh) * | 2005-07-08 | 2011-02-02 | 埃塞斯特科技有限公司 | 工件支撑结构及其使用设备 |
US7828158B2 (en) * | 2005-07-14 | 2010-11-09 | Displays Plus, Inc. | Merchandise dispensing apparatus providing theft deterrence |
KR101165466B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2012-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 캐리어 및 이를 구비한 공정 장치 |
US20080000851A1 (en) * | 2006-06-02 | 2008-01-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Apparatus with fillet radius joints |
JP2009543352A (ja) * | 2006-06-30 | 2009-12-03 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | ウェハプラットフォーム |
US8058174B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-11-15 | Coorstek, Inc. | Method for treating semiconductor processing components and components formed thereby |
KR101039151B1 (ko) | 2008-12-23 | 2011-06-07 | 주식회사 테라세미콘 | 보트 |
US9153466B2 (en) * | 2012-04-26 | 2015-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat |
TWD161688S (zh) * | 2012-12-27 | 2014-07-11 | 日立國際電氣股份有限公司 | 半導體製造裝置用晶舟 |
TWD163542S (zh) * | 2013-03-22 | 2014-10-11 | 日立國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置用晶舟 |
TWD166332S (zh) * | 2013-03-22 | 2015-03-01 | 日立國際電氣股份有限公司 | 基板處理裝置用晶舟之部分 |
JP1537630S (ja) * | 2014-11-20 | 2015-11-09 | ||
JP1537313S (ja) * | 2014-11-20 | 2015-11-09 | ||
JP1537312S (ja) * | 2014-11-20 | 2015-11-09 | ||
JP1563649S (ja) * | 2016-02-12 | 2016-11-21 | ||
CN110071064A (zh) * | 2018-01-22 | 2019-07-30 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种改善外延片污染印记的方法 |
JP7030604B2 (ja) * | 2018-04-19 | 2022-03-07 | 三菱電機株式会社 | ウエハボートおよびその製造方法 |
USD846514S1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-04-23 | Kokusai Electric Corporation | Boat of substrate processing apparatus |
USD847105S1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-04-30 | Kokusai Electric Corporation | Boat of substrate processing apparatus |
USD908102S1 (en) * | 2019-02-20 | 2021-01-19 | Veeco Instruments Inc. | Transportable semiconductor wafer rack |
USD908103S1 (en) * | 2019-02-20 | 2021-01-19 | Veeco Instruments Inc. | Transportable semiconductor wafer rack |
CN110211914A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-09-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种半导体制品的承载方法、传输方法、制造方法及其用途 |
JPWO2022009430A1 (ja) * | 2020-07-10 | 2022-01-13 | ||
TWI751806B (zh) * | 2020-11-25 | 2022-01-01 | 松勁科技股份有限公司 | 立式爐管及用於其之立式晶舟 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3951587A (en) * | 1974-12-06 | 1976-04-20 | Norton Company | Silicon carbide diffusion furnace components |
JPH0774839B2 (ja) * | 1991-09-30 | 1995-08-09 | 東芝セラミックス株式会社 | Sor用ミラー |
DE4429825C1 (de) * | 1994-08-23 | 1995-11-09 | Heraeus Quarzglas | Beschichtetes Bauteil aus Quarzglas |
CN1079577C (zh) * | 1995-05-05 | 2002-02-20 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 半导体晶圆片用的竖直支架 |
US5904892A (en) * | 1996-04-01 | 1999-05-18 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Tape cast silicon carbide dummy wafer |
JPH09306980A (ja) * | 1996-05-17 | 1997-11-28 | Asahi Glass Co Ltd | 縦型ウエハボート |
US5904778A (en) * | 1996-07-26 | 1999-05-18 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors |
JP3686193B2 (ja) * | 1996-11-20 | 2005-08-24 | 株式会社ブリヂストン | 帯状部材のセンタリング方法及び装置 |
KR100284567B1 (ko) * | 1997-04-15 | 2001-04-02 | 후지이 아키히로 | 수직 웨이퍼 보트 |
JP3494554B2 (ja) * | 1997-06-26 | 2004-02-09 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体用治具およびその製造方法 |
US5931666A (en) * | 1998-02-27 | 1999-08-03 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Slip free vertical rack design having rounded horizontal arms |
JP2000119079A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-04-25 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体熱処理用Si−SiC製部材およびその製造方法 |
US6171400B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-01-09 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier |
JP2001048667A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-20 | Asahi Glass Co Ltd | セラミックス部品の接合方法 |
-
2001
- 2001-06-19 US US09/884,720 patent/US20020130061A1/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-06-05 JP JP2003505980A patent/JP2004531891A/ja active Pending
- 2002-06-05 KR KR1020037016503A patent/KR100578709B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-06-05 EP EP02741833A patent/EP1405333B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-05 DE DE60238324T patent/DE60238324D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-05 WO PCT/US2002/017654 patent/WO2002103759A1/en active Application Filing
- 2002-06-05 AT AT02741833T patent/ATE488865T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-06-05 CN CNB028122801A patent/CN100350551C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008021974A (ja) * | 2006-05-26 | 2008-01-31 | Cree Inc | 高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
JP2017005112A (ja) * | 2015-06-10 | 2017-01-05 | クアーズテック株式会社 | ウエハボート及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1405333B1 (en) | 2010-11-17 |
ATE488865T1 (de) | 2010-12-15 |
KR20040010727A (ko) | 2004-01-31 |
EP1405333A1 (en) | 2004-04-07 |
DE60238324D1 (de) | 2010-12-30 |
WO2002103759A1 (en) | 2002-12-27 |
US20020130061A1 (en) | 2002-09-19 |
KR100578709B1 (ko) | 2006-05-12 |
CN100350551C (zh) | 2007-11-21 |
CN1518756A (zh) | 2004-08-04 |
EP1405333A4 (en) | 2009-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004531891A (ja) | スリップを有しないウエハボートを製造する装置及び方法 | |
KR100816180B1 (ko) | 반도체 기판용 열처리 치구 및 반도체 기판의 열처리 방법 | |
JP4105628B2 (ja) | 弧状ウェハ支持アームを備えたウェハ・ボート | |
US20050145584A1 (en) | Wafer boat with interference fit wafer supports | |
US7501370B2 (en) | High purity silicon carbide wafer boats | |
JP5063797B2 (ja) | 吸着部材、吸着装置および吸着方法 | |
JP5071217B2 (ja) | 縦型熱処理用ボートおよびそれを用いたシリコンウエーハの熱処理方法 | |
WO2006118774A2 (en) | Silicon shelf towers | |
JP2007207842A (ja) | 静電チャック装置 | |
US6536608B2 (en) | Single cast vertical wafer boat with a Y shaped column rack | |
JP4380689B2 (ja) | 縦型熱処理用ボートおよびそれを用いた半導体ウエーハの熱処理方法 | |
EP1238755B1 (en) | Table of wafer polisher, method of polishing wafer, and method of manufacturing semiconductor wafer | |
JP4003906B2 (ja) | シリコン単結晶半導体ウエハ加熱処理用治具及びこれを用いたシリコン単結晶半導体ウエハ加熱処理用装置 | |
US7055702B1 (en) | Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat | |
KR20010062144A (ko) | 열처리용 기판 보유 지지구, 기판 열처리 장치 및 기판의열처리 방법 | |
JP2005311291A (ja) | 縦型ボート | |
US20040067354A1 (en) | Tray for vapor phase step | |
JP4360114B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造装置及び当該製造装置を用いた炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP4255019B2 (ja) | 熱処理用部材 | |
JP2000103677A (ja) | 半導体熱処理用シリコン含浸炭化珪素質材料及びその製造方法 | |
US20070054424A1 (en) | Semiconductor heating heater holder and semiconductor manufacturing apparatus | |
JP2004327576A (ja) | 気相工程用トレー | |
JP2008198800A (ja) | 熱処理用治具 | |
JP2004182999A (ja) | 気相工程用トレーカバー |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070417 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070717 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071017 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080701 |