JP2004511885A5

JP2004511885A5 -

Info

Publication number: JP2004511885A5
Application number: JP2002535177A
Authority: JP
Filing date: 2001-10-09
Publication date: 2005-04-14

Claims

１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する電極。
上記超ナノ結晶体ダイヤモンドがフィルムである請求項１記載の電極。
上記超ナノ結晶体ダイヤモンドは、０．２から２．０ｎｍ幅の結晶粒界と１（Ωｃｍ）^−１以上の周囲温度における伝導性を有する請求項１記載の電極。
周囲温度における伝導性が１０（Ωｃｍ）^−１以上である請求項１記載の電極。
上記フィルムは、２０００Å以上の厚さを有し、かつ実質的にピンホールがない請求項１記載の電極。
上記炭素の供給源が、ＣＨ_４またはその前駆体、Ｃ_２Ｈ_２またはその前駆体、Ｃ_６０化合物のうちの１又は２以上である請求項１記載の電極。
上記炭素が、原料ガス中に体積比で２０％以下含まれている請求項６記載の電極。
原料ガス中における炭素の原子パーセントが約１％であり、その炭素の体積パーセントが２０％以下であり、希ガスと平衡状態にある請求項７記載の電極。
１５ｎｍまたはそれ以下の平均結晶粒径を有しかつ１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素を有し、カーボン源と窒素源を供給し、超ナノ結晶体物質を形成するためのプラズマを発生させるためにそのカーボン源と窒素を希ガス中でエネルギー源に曝して蒸発させることによって作製された電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する電極であって、上記原料ガスには２％以下の炭素が含まれている電極。
上記超ナノ結晶体ダイヤモンドは２０００Å以上の厚さを有するフィルムである請求項１記載の電極。
有毒な物質を有する水溶液を矯正する方法であって、有毒な物質を有する水溶液を、少なくとも一方が１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）^−１以上の周囲温度における伝導性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する２つの電極間の電気ポテンシャルに曝すことを含む方法。
１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）^−１以上の周囲温度における伝導性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンド電極を用いて、神経を横切って電気ポテンシャルを印加することを含む神経を刺激する方法。
１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）^−１以上の周囲温度における伝導性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドを含む電子放射デバイス。
上記デバイスは、フラットディスプレイパネル、質量分析又は電子顕微鏡のような電子装置、ｘ線装置、半導体型センサー又はアクチエーター装置における反動推進エンジン又はセンサーにおける１又は２以上の冷陰極である請求項１３の電子放射デバイス。
アノードとカソードと電解質型水溶液とを有しており、そのアノードとカソードのうちの少なくとも１つは１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素を有し、０．１（Ωｃｍ）^−１以上の周囲温度における伝導性を有する電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する電気化学セル。
１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素を含み、周囲温度において０．１（Ω・ｃｍ）^−１以上の電気伝導性を有する電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
前記超ナノ結晶体ダイヤモンドがフィルムである請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
０．２〜２．０ｎｍの範囲の結晶粒界を有する請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
平均結晶粒径が３〜１５ｎｍの範囲内にある請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
周囲温度において略１（Ω・ｃｍ）^−１以上の電気伝導性を有する請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
周囲温度において略１０（Ω・ｃｍ）^−１以上の電気伝導性を有する請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
周囲温度において略１００（Ω・ｃｍ）^−１以上の電気伝導性を有する請求項１６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
１５ｎｍまたはそれ以下の平均結晶粒径を有しかつ１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素を有し、カーボン源と窒素源を供給し、超ナノ結晶体物質を形成するためのプラズマを発生させるためにそのカーボン源と窒素を希ガス中でエネルギー源に曝して蒸発させることによって作製された電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドからなる表面を有する電極であって、その原料ガスには２％以下の炭素が含まれている電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
上記体積プロセスにおいて３５０℃以上の温度に維持された基板上に成長されたフィルム状のダイヤモンドである請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
炭素源が、ＣＨ_４又はその前駆体、Ｃ_２Ｈ_２又はその前駆体及びＣ_６０化合物の１又は２以上である請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
前記原料ガス中に窒素が２０体積％以上含まれている請求項２５記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
原料ガス中の炭素の原子％が略１％であり、前記原料ガス中に窒素が２０体積％以上含まれている請求項２６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
前記超ナノ結晶体ダイヤモンドは、１００Torr以上のトータル圧力下において３５０℃〜８００℃に維持された基板上に成長されたフィルムからなる請求項２６記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
前記基板は、金属又は非金属からなる請求項２８記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
前記基板は、シリコン又はシリコン酸化物からなる請求項２８記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
周囲温度において０．１（Ω・ｃｍ）^−１以上の電気伝導性を有する請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
周囲温度において１（Ω・ｃｍ）^−１以上の電気伝導性を有する請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
周囲温度において１０（Ω・ｃｍ）^−１以上の電気伝導性を有する請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
周囲温度において１００（Ω・ｃｍ）^−１以上の電気伝導性を有する請求項２３記載の電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンド。
ガス及び希ガスを含む窒素及び炭素の混合ガスをエネルギー源に曝して、窒素組入れ超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを堆積させることからなる電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを製造する方法であって、上記原料ガス中の炭素の原子パーセントは約２％未満であり、窒素は約２体積％から約２５体積％の範囲で存在し、総量で約１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素が存在する超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを製造する方法。
上記炭素源がＣＨ_４またはその前駆体、Ｃ_２Ｈ_２またはその前駆体及びＣ_６０化合物のうちの１以上である請求項３５記載の方法。
上記原料ガス中の炭素の原子パーセントが約１％であり、窒素は総量で約２０体積パーセント以下が存在し、アルゴンと平衡状態である請求項３６記載の方法。
上記電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドが、約８００℃、約１００トールの全圧及び８００ワットのマイクロ波パワーで維持されたＳｉまたはＳｉＯ_２基板上に成長されたフィルムである請求項２７記載の方法。
上記電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドが、周囲温度で約０．１（Ωｃｍ）^−１以上の伝導性を有する請求項３５記載の方法。
上記電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドが、周囲温度で約１（Ωｃｍ）^−１以上の伝導性を有する請求項３５記載の方法。
上記電気伝導性の超ナノ結晶体ダイヤモンドが、周囲温度で約１０（Ωｃｍ）^−１以上の伝導性を有する請求項３５記載の方法。
上記電気伝導性の超ナノ結晶性ダイアモンドが、周囲温度で約１００（Ωｃｍ）^−１以上の伝導性を有する請求項３５記載の方法。
ガス及び希ガスを含む窒素及び炭素の混合ガスをエネルギー源に曝して、窒素組入れ超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを堆積させることからなる既定の伝導性を有する電気伝導性超ナノ結晶体ダイヤモンドフィルムを製造する方法であって、上記原料ガス中の炭素の原子パーセントは約２％未満であり、窒素は約２体積％から約２５体積％の範囲の予め選択した濃度で存在し、約０．０１以上の既定の伝導性を有する総量で約１０^１９原子／ｃｍ^３以上の窒素が存在する超ナノ結晶体ダイヤモンド材料を製造する方法。