JP2004357094A - 電子部品及びパッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】容易にワイヤボンディングすることができ、且つ信頼性の高い電子部品及びパッケージを安価に提供する。
【解決手段】金属部材を加工した金属部１０Ｃとこれに融着した絶縁部３０Ｃとを有するパッケージ１００Ｃと、パッケージ１００Ｃ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ｃに埋設され且つ一列に配置された第１の外部端子２０と、ＳＡＷデバイスチップ４０を支持する板部材１５Ｃとを有し、金属部１０Ｃは第２の外部端子を構成する窪み部１９を有し、板部材１５Ｃは窪み部１９を覆うように設けられている。一列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｃには凸状に加工されたグランド端子２２Ｃが設けらけれており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線と電気的に接続されている。
【選択図】 図３
【解決手段】金属部材を加工した金属部１０Ｃとこれに融着した絶縁部３０Ｃとを有するパッケージ１００Ｃと、パッケージ１００Ｃ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ｃに埋設され且つ一列に配置された第１の外部端子２０と、ＳＡＷデバイスチップ４０を支持する板部材１５Ｃとを有し、金属部１０Ｃは第２の外部端子を構成する窪み部１９を有し、板部材１５Ｃは窪み部１９を覆うように設けられている。一列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｃには凸状に加工されたグランド端子２２Ｃが設けらけれており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線と電気的に接続されている。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップを気密封止したパッケージを有する電子部品及びパッケージに関し、特に弾性表面波デバイス等のフィルタ部品の帯域外減衰量等の電気的特性改善するために適したパッケージ構造を有する電子部品及びパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、チップを気密封止したパッケージを有する電子部品として、弾性表面波デバイス（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ：以下、ＳＡＷデバイスと略す）がある。ＳＡＷデバイスは、一般的に圧電性素子基板上に形成されたＳＡＷ素子を有するＳＡＷデバイスチップと、これを気密封止するパッケージとを有して構成されている。
【０００３】
このようなＳＡＷデバイスは、例えばテレビジョン（以下、ＴＶと略す）やビデオテープレコーダ（以下、ＶＴＲと略す）やＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉｄｅｏ Ｄｉｓｋ）レコーダや携帯電話機等のフィルタ素子や発振子に広く用いられている。より特定すれば、ＳＡＷデバイスは、例えば４５ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数帯域における無線信号を処理する各種回路、例えば送信用バンドパスフィルタ，受信用バンドパスフィルタ，局部発振フィルタ，アンテナ共用器，中間周波フィルタ，ＦＭ変調器等に広く用いられている。
【０００４】
近年、これらの信号処理機器は小型化が進み、使用されるＳＡＷデバイスなどの電子部品も小型化の要求が強くなってきている。特に、携帯電話機等の携帯用電子機器には面実装で且つ低背のＳＡＷデバイスが要求されるようになってきた。
【０００５】
一般に、ＳＡＷデバイスにおいて面実装を実現するためには、セラミックスを用いたパッケージ構造が使用される（例えば特許文献１参照）。しかしながら、パッケージサイズが大きい場合にはセラミックスパッケージは高価になることが多い。
【０００６】
これに対し、セラミックスを用いることなく比較的安価で実現できるパッケージ構造が提案されている（例えば特許文献２参照）。ここに提案されているパッケージ構造は金属部と絶縁部とを有している。絶縁部は金属部に形成された貫通孔に設けられ、外部接続用のリードはこの絶縁部に埋設されている。パッケージに収容される水晶振動子はその両端で支持されており、振動が妨げられることのないようにパッケージに取り付けられている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−３３６１８６号公報
【特許文献２】
特開２００１−６０８４２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献２に記載のパッケージは、水晶振動子をその両端で支持する構成のため、ＳＡＷデバイスチップのようにダイマウントしつつワイヤボンディングするチップには適さない。
【０００９】
従って、本発明は上記従来技術の問題点を解決し、容易にワイヤボンディングすることができ、且つ信頼性の高い電子部品及びパッケージを安価に提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明は、請求項１記載のように、金属部材を加工した金属部と該金属部に融着した絶縁部とを有するパッケージと、該パッケージ内に収容されるチップとを有する電子部品であって、前記チップに金属細線を介して電気的に接続されると共に、一部が前記絶縁部に埋没された第１の外部端子と、前記チップに金属細線を介して電気的に接続されると共に、前記金属部の一部が凸状に加工されたグランド端子とを有し、前記第１の外部端子における前記チップとの接続部と、前記グランド端子における前記チップとの接続部とが前記チップの接続部と同じ高さとなるように構成される。金属部の一部に設けた凸状をグランド端子として使用することで、チップのグランド配線と金属部とを金属細線を用いて直接的に接続することができるため、電子部品の電気的特性を改善することができる。また、チップを金属部の凸状のグランド端子に接続する構成としたことで、例えばチップを接着材等をも値いてパッケージに固定した場合でも、接着剤の滲み出しによる影響を避けることができ、確実にチップと金属部とを接続することができる。更に、第１の外部端子における接続部とグランド端子における接続部とをチップと同じ高さとすることで、これをワイヤボンディングする際のボンディングツールや金属細線がチップに干渉することを回避でき、安定したワイヤボンディングを容易に行うことが可能となる。
【００１１】
また、請求項１記載の前記電子部品は、請求項２記載のように、前記グランド端子における前記接続部の裏側の凹み部に絶縁材料が充填されることが好ましい。グランド端子の裏側に絶縁材料を充填することで、グランド端子の機械的強度を向上することができるため、これをワイヤボンディングする際にかかる加重や超音波振動等による破損を防止することができる。
【００１２】
また、請求項１記載の前記金属部は、例えば請求項３記載のように、前記チップに電気的に接続されると共に、前記パッケージの第２の外部端子として機能する窪み部を有して構成されても良い。金属部の一部に窪み部（外部に対して凸部）を設けることで、金属部の一部を用いてグランド端子を形成することができ、部品点数を削減し、製造工程を容易化することができる。
【００１３】
また、請求項３記載の前記電子部品は、例えば請求項４記載のように、前記チップを背面から支持すると共に前記窪み部を塞ぐように前記金属部に固定された板部材を有するように構成されてもよい。板部材を設けることで、チップをダイマウントした構成とすることが可能となる。また、この板部材を窪み部を覆う位置に設けることで、この部分を実装領域として使用することが可能となり、電子部品を小型化することができる。
【００１４】
また、請求項４記載の前記板部材は、請求項５記載のように、金属材料で形成されることが好ましい。板部材に金属材料を用いることで、これをグランド配線として使用することが可能となり、部品点数の削減及び製造工程の簡素化を達成できる。
【００１５】
また、請求項１記載の前記電子部品は、請求項６記載のように、前記金属部の外側面に取り付けられ、前記チップと電気的に接続される第２の外部端子を有して構成されても良い。金属部の外側面に第２の外部端子を取り付けた構成とすることで、金属部をグランドに接続させることが可能となる。
【００１６】
また、請求項１記載の前記絶縁部は、請求項７記載のように、ガラス又はガラスセラミックスで形成されていることが好ましい。比較的金属と融着し易く且つ加工が容易なガラスやガラスセラミックスを用いることで、衝撃などに対する耐久性を上げることができ、更にこれを容易に歩留りよく製造することができる。
【００１７】
また、請求項２記載の前記絶縁材料は、請求項８記載のように、ガラス又はガラスセラミックスであることが好ましい。比較的金属と融着し易く且つ加工が容易なガラスやガラスセラミックスを用いることで、衝撃などに対する耐久性を上げることができ、更にこれを容易に歩留りよく製造することができる。
【００１８】
また、請求項１記載の前記金属部は、例えば請求項９記載のように、前記金属部は冷間圧延鋼板又は４２アロイ又はコバールで形成されていてもよい。
【００１９】
また、請求項１から９の何れか１項に記載の前記チップは、例えば請求項１０記載のように、圧電基板上に形成された櫛型電極を有する弾性表面波デバイスチップであってもよい。これにより、上記した効果を得られる弾性表面波デバイスを実現することができる。また、上記のような構成を用いて弾性表面波フィルタを作製することで、帯域外抑圧度を向上することが可能となり、良好な周波数特性を得ることができる。
【００２０】
また、本発明は、請求項１１記載のように、金属材料を加工した金属部と該金属部に融着した絶縁部とを有するパッケージであって、一部が前記絶縁部に埋没された第１の外部端子と、前記金属部の一部が凸状に加工されたグランド端子とを有し、前記第１の外部端子の内部側の接続部と前記グランド端子の内部側の接続部とが同じ高さとなるように構成される。金属部の一部に設けた凸状をグランド端子として使用できる構成とすることで、例えば実装したチップのグランド配線と金属部とを金属細線を用いて直接的に接続することができるため、本発明によるパッケージを用いて作製した電子部品の電気的特性を改善することができる。また、内部に実装したチップを金属部の凸状のグランド端子に接続できる構成としたことで、例えばチップを接着材等をも値いてパッケージに固定した場合でも、接着剤の滲み出しによる影響を避けることができ、チップと金属部とを確実に接続できるパッケージが得られる。更に、第１の外部端子における接続部とグランド端子における接続部とを同じ高さとすることで、例えばこれらと同じ高さとなるチップを実装した場合に、これらをワイヤボンディングする際のボンディングツールや金属細線がチップに干渉することを回避でき、安定したワイヤボンディングを容易に行うことが可能なパッケージを実現できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の理解を助けるために、まず初めに、比較例として、金属部材を加工した金属部とこれに融着した絶縁部とを有するパッケージと、このパッケージ内にダイマウントされたＳＡＷデバイスチップとを有するＳＡＷデバイスを説明する。
【００２２】
図１は、このＳＡＷデバイスを説明するための図である。図１（ａ）はパッケージ１００Ａの平面図である。図１（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０となる後述の板部材を透視して内部を見た様子を示している。図１（ｃ）はＳＡＷデバイスの底面図であり、図１（ｄ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００２３】
図１に示すＳＡＷデバイスは、金属部材を加工した金属部１０Ａと、これに融着した絶縁部３０Ａとを有するパッケージ１００Ａと、パッケージ１００Ａ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する電子部品である。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ａに埋設され且つ一列に配置された第１の外部端子２０と、ＳＡＷデバイスチップ４０を支持する板部材１５Ａとを有する。また、金属部１０Ａは第２の外部端子を構成する窪み部１９を有し、板部材１５Ａは窪み部１９を覆うように設けられている。
【００２４】
より具体的に説明すると、図１に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ａと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ａは金属部１０Ａと絶縁部３０Ａとを有し、パッケージ１００Ａの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ａは金属材料をプレス加工（押し出し加工）して成型したものである。金属部１０Ａの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ａは、パッケージ１００Ａの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ａは複数の窪み部１９を有する。窪み部１９は、パッケージ１００Ａの内部から金属部１０Ａを見た場合に窪んでいる部分であって、パッケージ１００Ａの外側からみれば凸状部分である。窪み部１９の断面はＣ字に似た形状である。窪み部１９はプレス加工で形成される。窪み部１９の外側は平らであって、外部接続用の接続領域を形成している。窪み部１９は第２の外部端子として作用する。従って、第２の外部端子にも窪み部１９と同じ参照番号１９を付す。第２の外部端子１９はパッケージ１００Ａの一部であって、金属部１０Ａの一部である。第２の外部端子１９はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されておらず、パッケージのグランド端子として機能する。実装された状態では、各第２の外部端子１９は同電位（グランド電位）となるが、第２の外部端子１９はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されない。
【００２５】
板部材１５Ａは例えば金属板であってほぼ矩形であり、窪み部１９を覆い隠すように設けられている。板部材１５Ａ上は接合部７０において、パッケージ１００Ａの金属部１０Ａの内側面（内壁）に溶接され、固定されている。板部材１５Ａは、ＳＡＷデバイスチップ４０を搭載（ダイマウント）し、接着するための平坦なスペースを確保するために設けられている。ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０とは、金属細線５０で電気的に接続されている。
【００２６】
パッケージ１００Ａの底面には絶縁部３０Ａが設けられている。絶縁部３０Ａは、パッケージ１００Ａの底面に融着している。絶縁部３０Ａは、貫通孔１８を完全に塞いでいる。絶縁部３０Ａは、貫通孔１８からパッケージ１００Ａの内部に若干突出している。
【００２７】
第１の外部端子２０は、絶縁部３０Ａ内に埋設されている。第１の外部端子２０は絶縁部３０Ａに埋設された状態で、一列に配置された各貫通孔１８を貫通している。第１の外部端子２０は絶縁部３０Ａに融着している。第１の外部端子２０は、板状の金属材料をプレス加工などで成型したものである。第１の外部端子２０の一端は絶縁部３０Ａからキャビティ内部に露出しており、他端はパッケージ１００Ａの底面を構成する。この底面が、外部との接続領域となる。絶縁部３０Ａを金属部１０Ａに溶着する際、第１の外部端子２０はまっすぐな状態にある。絶縁部３０Ａを金属部１０Ａに溶着した後、第１の外部端子２０の両端部を図示するように折り曲げる。従って、第１の外部端子２０の内側面と絶縁部３０Ａとは融着しておらず、僅かな間隙が形成されている。第１の外部端子２０の接続領域と絶縁部３０Ａの露出面と窪み部、つまり第２の外部端子１９とは、パッケージ１００Ａの底面、換言すれば、ＳＡＷデバイスの底面（搭載面）を形成する。この底面はほぼ一様にフラットである。
【００２８】
ＳＡＷデバイスチップ４０は、圧電基板１２上に櫛形電極（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：ＩＤＴ）１３と電極端子１１とがパターニング形成されている。尚、このＳＡＷデバイスチップ４０には、弾性表面波（ＳＡＷ）の反射を低減するためにＩＤＴ１３を覆うように吸音材１４が印刷形成されている。また、ＳＡＷの伝播方向における圧電基板１２の端面での反射によるフィルタ特性の悪化を防止するために、この端面がＳＡＷ伝播方向に対して所定の角度を有するように形成されている場合がある。更に、ＩＤＴ１３は、所望するフィルタ特性を考慮して、その電極指周期や重み付け形状が制御されて設計されている。ＳＡＷデバイスチップ４０で、例えば３０ＭＨｚ〜７５ＭＨｚ帯のＴＶ用中間周波帯フィルタを構成した場合、その大きさは１０ｍｍ×２ｍｍ程度となる。但し、これに限定されず、１．９ＧＨｚ帯のＳＡＷフィルタや２５０ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタ等、様々なフィルタを使用することが可能である。
【００２９】
蓋６０は金属材料を成型したもので、パッケージ１００Ａの外壁のエッジに沿って形成されたフランジ部１６に取り付けられ、パッケージ１００Ａ内部を気密に封止している。
【００３０】
パッケージ１００Ａの金属部１０Ａ，外部端子２０及び蓋６０には、工業標準であるＳＰＣ材（冷間圧延鋼板）や４２アロイやコバールなどの金属を使用することができる。好ましくは、これらの表面にニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）でメッキなどを施す。絶縁部３０Ａには金属と融着し易いガラスやガラスセラミックスなどの絶縁材料を用いることができる。金属細線５０にはＡｕ線やアルミニウム（Ａｌ）線などを用いることができる。蓋６０とパッケージ１００Ａのフランジ部１６との接合には、抵抗加熱溶接、シーム溶接又はレーザー溶接などを用いることができる。
【００３１】
なお、パッケージ１００Ａは少なくとも金属部１０Ａと絶縁部３０Ａとを含んで構成されるが、外部端子２０や更には蓋６０をも含めた構成をパッケージと定義することもできる。
【００３２】
図２は、別の比較例として挙げるＳＡＷデバイスを説明するための図である。図２（ａ）はパッケージ１００Ｂの平面図である。図２（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示している。図２（ｃ）はＳＡＷデバイスの底面図であり、図２（ｄ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。図中、図１に示す構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。本比較例と上記した比較例（図１）とは、第２の外部端子がパッケージの金属部で構成されているのではなく、パッケージとは別部材で形成されている点、及びＳＡＷデバイスチップがパッケージの金属部に直接取り付けられている点で相違する。
【００３３】
より具体的に説明すると、図２に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ｂと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ｂは金属部１０Ｂと絶縁部３０Ｂとを有し、パッケージ１００Ｂの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ｂは金属材料をプレス加工（押し出し加工）して成型したものである。金属部１０Ｂの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ｂは、パッケージ１００Ｂの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ｂは平坦なチップ搭載部１５Ｂを有する。チップ搭載部１５Ｂはプレス加工で形成される。チップ搭載部１５Ｂの外側面は平らであって、ここに複数の第２の外部端子２１が溶接などにより取り付けられている。第２の外部端子２１はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されておらず、パッケージ１００Ｂのグランド端子として機能する。また、第２の外部端子２１は断面がほぼＬ字状であって、接合部７１において金属部１０Ｂと電気的に接続されている。実装された状態では、各第２の外部端子２１は同電位（グランド電位）となる。第２の外部端子２１はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されないので、ダミー端子としても機能する。
【００３４】
以上のような２つの比較例において、図１のＳＡＷデバイスはＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線とパッケージ１００Ａのグランド端子として用いられる第２の外部端子１９とが直接的に接続されていない。また、図２のＳＡＷデバイスはＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線とパッケージ１００Ｂのグランド端子として用いられる第２の外部端子２１とが直接的に接続されていない。これらの理由から、ＳＡＷデバイスの電気的特性の一つである帯域外減衰量が十分に確保できない場合がある。また、しいてパッケージ１００Ａ／１００Ｂの金属部１０Ａ／１０ＢにＳＡＷデバイスのグランド配線を接続するためには、チップ搭載面の金属部分にグランド配線を直接金属ワイヤで接続する必要がある。但し、このチップ搭載面にはＳＡＷデバイスチップ４０をパッケージに接着固定するための接着剤が滲み出している場合があり、金属ワイヤ（金属細線５０）の接続信頼を損なう可能性がある。また、ＳＡＷデバイスチップ４０表面よりも低い位置にあるチップ搭載面に金属ワイヤを接続するとき、ボンディングツールと金属ワイヤとがＳＡＷデバイスチップ４０に干渉するため、安定したワイヤ接続を行うことが難しい場合がある。
【００３５】
そこで本発明では、パッケージの金属部分とＳＡＷデバイスチップ等のチップのグランド配線とを金属細線を用いて接続し、ＳＡＷデバイスなどの電子部品の電気的特性を改善し、容易に安定したワイヤボンディングを行うことができ、且つ小型で信頼性の高い電子部品及びパッケージを安価に実現する。以下、本発明を好適に実施した形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３６】
〔第１実施形態〕
先ず、本発明の第１の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図３は、本実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図である。尚、図３（ａ）はパッケージ１００Ｃの平面図である。図３（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示している。図３（ｃ）は図３（ｂ）のＣ−Ｃ線断面図である。図中、図１及び図２に示す構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。
【００３７】
図３に示すように、本実施形態によるＳＡＷデバイスは、金属部材を加工した金属部１０Ｃとこれに融着した絶縁部３０Ｃとを有するパッケージ１００Ｃと、パッケージ１００Ｃ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する電子部品である。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ｃに埋設され且つ一列に配置された第１の外部端子２０と、ＳＡＷデバイスチップ４０を支持する板部材１５Ｃとを有し、金属部１０Ｃは第２の外部端子を構成する窪み部１９を有し、板部材１５Ｃは窪み部１９を覆うように設けられている。一列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｃには凸状に加工されたグランド端子２２Ｃが設けらけれており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線と電気的に接続されている。
【００３８】
より具体的に説明すると、図３に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ｃと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ｃは金属部１０Ｃと絶縁部３０Ｃとを有し、パッケージ１００Ｃの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ｃは金属材料をプレス加工して成型したものである。金属部１０Ｃの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ｃは、パッケージ１００Ｃの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ｃは複数の窪み部１９を有する。窪み部１９は、パッケージ１００Ｃの内部から金属部１０Ｃを見た場合に窪んでいる部分であって、パッケージ１００Ｃの外側からみれば凸状部分である。窪み部１９の断面はＣ字に似た形状である。窪み部１９はプレス加工で形成される。窪み部１９の外側は平らであって、外部接続用の接続領域を形成している。窪み部１９は第２の外部端子として作用する。第２の外部端子１９はパッケージ１００Ｃの一部であって、金属部１０Ｃの一部である。一列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｃには凸状にプレス加工することで形成されたグランド端子２２Ｃが設けらけれている。このグランド端子２２Ｃの上部はＳＡＷデバイスチップ４０を搭載する方向に平で、ＳＡＷデバイスチップ４０と金属細線５０で接続される端子として作用している。このグランド端子２２Ｃは金属部１０Ｃを介して第２の外部端子１９に繋がっており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線は金属細線５０を介してパッケージのグランド端子２２Ｃに接続されている。
【００３９】
ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０、グランド端子２２Ｃとは、金属細線５０で電気的に接続されている。この接続には、熱圧着や超音波接合などを用いる。金属細線５０を用いた電気的接続の信頼性を高めるために、第１の外部端子２０とグランド端子２２Ｃとの内側の接続部とＳＡＷデバイスチップ４０の接続部（端子）とは、ほぼ同一平面上（同一高さ）にあることが好ましい。ほぼ同一平面又は同一高さとは、高さの相違が±５０μｍ以内であることを意味している。
【００４０】
グランド端子２２Ｃはプレス加工により金属部１０Ｃを凸状に成型しているが、表側の端子の裏側凹部には絶縁部３０Ｃに一体加工された絶縁部材が充填されている。グランド端子２２Ｃ裏面の凹部に絶縁部材が充填されることにより、金属細線５０を接合するときにかかる加重及び超音波振動によりグランド端子２２Ｃが破損することを防いでいる。
【００４１】
以上のように構成した本実施形態によるＳＡＷデバイスの電気的な特性について、図４を用いて以下に説明する。図４は、本実施形態によるＳＡＷデバイスチップ４０を２５０ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタとして作製した場合のＳＡＷデバイスの周波数特性を示している。尚、図中実線は本発明のＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｃとを金属細線５０で電気的に接続した本実施形態によるＳＡＷデバイスの周波数特性を示し、破線はＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及び第２の外部端子１９／２１とを接続していない上記した２つの比較例によるＳＡＷデバイスの周波数特性を示している。図４を参照すると明らかなように、ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｃとを電気的に接続することで、ＳＡＷデバイスの帯域減衰量は１０ｄＢ以上大きく改善されている。但し、この効果は、２５０ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタに限らず、目的に応じて種々変更した周波数帯で同様に得られるものである。
【００４２】
尚、本実施形態においても、上記比較例と同様に、パッケージ１００Ｃの金属部１０ＣにＳＡＷデバイスのグランド配線を接続するために、チップ搭載面の金属部分に直接金属ワイヤで接続する必要があるが、本実施形態では、パッケージ１００Ｃの金属部１０Ｃの一部に凸状に加工されたグランド端子２２Ｃが設けられているため、ＳＡＷデバイスチップ４０をパッケージ１００Ｃに接着固定するための接着剤の滲み出しによる金属細線５０の接続不良を回避することができる。また、この凸状に加工されたグランド端子２２Ｃの高さをＳＡＷデバイスチップ４０とほぼ同じ高さとすることで、ボンディングツールと金属ワイヤとがＳＡＷデバイスチップ４０に干渉することを防止でき、安定したワイヤ接続を行うことができる。
【００４３】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図５は、本実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図である。尚、図５（ａ）はパッケージ１００Ｄの平面図である。図５（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示している。図５（ｃ）は図５（ｂ）のＤ−Ｄ線断面図である。図中、図１から図３に示す構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。
【００４４】
本実施形態によるＳＡＷデバイスは、第１の実施形態によるＳＡＷデバイスと比較して、第２の外部端子がパッケージの金属部で構成されているのではなく、パッケージとは別部材で形成されている点、及びＳＡＷデバイスチップがパッケージの金属部に直接取り付けられている点で相違する。
【００４５】
図５に示すように、本実施形態によるＳＡＷデバイスは、金属部材を加工した金属部１０Ｄとこれに融着した絶縁部３０Ｄとを有するパッケージ１００Ｄと、パッケージ１００Ｄ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する電子部品である。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ｄに埋設されかつ一列に配置された第１の外部端子２０と、金属部１０Ｄの外側面に取り付けられた第２の外部端子２１（図２に示す比較例によるＳＡＷデバイスにおける第２の外部端子２１と同様）とを有し、ＳＡＷデバイスチップ４０は金属部１０Ｄの内側面に取り付けられ、且つ第２の外部端子２１と対向するように配置されている。一列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｄには凸状にプレス加工することで形成されたグランド端子２２Ｄが設けらけれており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線と電気的に接続されている。
【００４６】
より具体的に説明すると、図４に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ｄと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ｄは金属部１０Ｄと絶縁部３０Ｄとを有し、パッケージ１００Ｄの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ｄは金属材料をプレス加工（押し出し加工）して成型したものである。金属部１０Ｄの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ｄは、パッケージ１００Ｄの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ｄは平坦なチップ搭載部１５Ｄを有する。チップ搭載部１５Ｄはプレス加工で形成される。チップ搭載部１５Ｄの外側面は平らであって、ここに複数の第２の外部端子２１が溶接などにより取り付けられている。第２の外部端子２１はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されておらず、パッケージのグランド端子として機能する。また、第２の外部端子２１は断面がほぼＬ字状であって、接合部７１において金属部１０Ｄと電気的に接続されている。実装された状態では、各第２の外部端子２１は同電位（グランド電位）となる。第２の外部端子２１はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されないので、ダミー端子としても機能する。
【００４７】
ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｄとは、金属細線５０で電気的に接続されている。この接続には、熱圧着や超音波接合などを用いる。金属細線５０を用いた電気的接続の信頼性を高めるために、第１の外部端子２０とグランド端子２２Ｄとの内側の接続部とＳＡＷデバイスチップ４０の接続部（端子）とは、ほぼ同一平面上（同一高さ）にあることが好ましい。ほぼ同一平面又は同一高さとは、高さの相違が±５０μｍ以内であることを意味している。
【００４８】
グランド端子２２Ｄはプレス加工により金属部１０Ｄを凸状に成型しているが、表側の端子の裏側凹部には絶縁部３０Ｄに一体加工された絶縁部材が充填されている。グランド端子２２Ｄ裏面の凹部に絶縁部材が充填されることにより、金属細線５０を接合するときにかかる加重及び超音波振動によりグランド端子２２Ｄが破損することを防いでいる。
【００４９】
以上のように構成することで、本実施形態では、ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｄとを電気的に接続できるため、上記した第１の実施形態と同様に、ＳＡＷデバイスの帯域減衰量を１０ｄＢ以上大きく改善することができる（図４参照）。
【００５０】
尚、本実施形態においても、上記比較例と同様に、パッケージ１００Ｄの金属部１０ＤにＳＡＷデバイスのグランド配線を接続するために、チップ搭載面の金属部分に直接金属ワイヤで接続する必要があるが、本実施形態では、パッケージ１００Ｄの金属部１０Ｄの一部に凸状に加工されたグランド端子２２Ｄが設けられているため、ＳＡＷデバイスチップ４０をパッケージ１００Ｄに接着固定するための接着剤の滲み出しによる金属細線５０の接続不良を回避することができる。また、この凸状に加工されたグランド端子２２Ｄの高さをＳＡＷデバイスチップ４０とほぼ同じ高さとすることで、ボンディングツールと金属ワイヤとがＳＡＷデバイスチップ４０に干渉することを防止でき、安定したワイヤ接続を行うことができる。
【００５１】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明の第３の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図６及び図７は、本実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図である。尚、図６（ａ）はパッケージ１００Ｅの平面図である。図６（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示している。図６（ｃ）は図６（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。また、図７は図６（ａ）のＥ’−Ｅ’線断面図である。図中、図１から図３及び図５に示す構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。
【００５２】
本実施形態によるＳＡＷデバイスは、第１及び第２の実施形態によるＳＡＷデバイスと比較して、第１の外部端子がＳＡＷデバイスチップの両側に配置されている点で相違する。
【００５３】
図６及び図７に示すように、本実施形態によるＳＡＷデバイスは、金属部材を加工した金属部１０Ｅとこれに融着した絶縁部３０Ｅとを有するパッケージ１００Ｅと、パッケージ１００Ｅ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する電子部品である。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ｅに埋設されかつＳＡＷデバイスチップ４０の両側に一列に配置された第１の外部端子２０を有している。ＳＡＷデバイスチップ４０の両側に二列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｅには凸状にプレス加工することで形成されたグランド端子２２Ｅが設けらけれており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線と電気的に接続されている。
【００５４】
より具体的に説明すると、図６及び図７に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ｅと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ｅは金属部１０Ｅと絶縁部３０Ｅとを有し、パッケージ１００Ｅの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ｅは金属材料をプレス加工（押し出し加工）して成型したものである。金属部１０Ｅの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ｅは、パッケージ１００Ｅの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ｅは平坦なチップ搭載部１５Ｅを有する。チップ搭載部１５Ｅはプレス加工で形成される。
【００５５】
ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｅとは、金属細線５０で電気的に接続されている。この接続には、熱圧着や超音波接合などを用いる。金属細線５０を用いた電気的接続の信頼性を高めるために、第１の外部端子２０とグランド端子２２Ｅとの内側の接続部とＳＡＷデバイスチップ４０の接続部（端子）とは、ほぼ同一平面上（同一高さ）にあることが好ましい。ほぼ同一平面又は同一高さとは、高さの相違が±５０μｍ以内であることを意味している。
【００５６】
グランド端子２２Ｅはプレス加工により金属部１０Ｅを凸状に成型しているが、表側の端子の裏側凹部には絶縁部３０Ｅに一体加工された絶縁部材が充填されている。グランド端子２２Ｅ裏面の凹部に絶縁部材が充填されることにより、金属細線５０を接合するときにかかる加重及び超音波振動によりグランド端子２２Ｅが破損することを防いでいる。
【００５７】
以上のように構成することで、本実施形態では、ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｅとを電気的に接続できるため、上記した第１の実施形態と同様に、ＳＡＷデバイスの帯域減衰量を１０ｄＢ以上大きく改善することができる（図４参照）。
【００５８】
尚、本実施形態においても、上記比較例と同様に、パッケージ１００Ｅの金属部１０ＥにＳＡＷデバイスのグランド配線を接続するために、チップ搭載面の金属部分に直接金属ワイヤで接続する必要があるが、本実施形態では、パッケージ１００Ｅの金属部１０Ｅの一部に凸状に加工されたグランド端子２２Ｅが設けられているため、ＳＡＷデバイスチップ４０をパッケージ１００Ｅに接着固定するための接着剤の滲み出しによる金属細線５０の接続不良を回避することができる。また、この凸状に加工されたグランド端子２２Ｅの高さをＳＡＷデバイスチップ４０とほぼ同じ高さとすることで、ボンディングツールと金属ワイヤとがＳＡＷデバイスチップ４０に干渉することを防止でき、安定したワイヤ接続を行うことができる。
【００５９】
〔他の実施形態〕
以上、説明した実施形態は本発明の好適な一実施形態にすぎず、本発明はその趣旨を逸脱しない限り種々変形して実施可能である。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、容易にワイヤボンディングすることができ、且つ信頼性の高い安価な電子部品及びパッケージを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＳＡＷデバイスに対する比較例として例示するＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージ１００Ａの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）はＳＡＷデバイスの底面図であり、（ｄ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】本発明のＳＡＷデバイスに対する別の比較例として例示するＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージ１００Ｂの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイス平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）はＳＡＷデバイスの底面図であり、（ｄ）は（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態によるＳＡＷデバイスチップ４０を２５０ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタとして作製した場合のＳＡＷデバイスの周波数特性を示すグラフである。
【図５】本発明の第２の実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージ１００Ｄの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）は（ｂ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージ１００Ｅの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【図７】図６（ａ）に示すＳＡＷデバイスのＥ’−Ｅ’線断面図である。
【符号の説明】
１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ 金属部
１１ 電極端子
１２ 圧電基板
１３ ＩＤＴ
１４ 吸音材
１５Ｃ 板部材
１５Ｄ、１５Ｅ チップ搭載部
１９ 窪み部（第２の外部端子）
２０ 第１の外部端子
２１ 第２の外部端子
２２Ｃ、２２Ｄ、２２Ｅ グランド端子
３０Ｃ、３０Ｄ、３０Ｅ 絶縁部
４０ ＳＡＷデバイスチップ
５０ 金属細線
６０ 蓋
１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ パッケージ
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップを気密封止したパッケージを有する電子部品及びパッケージに関し、特に弾性表面波デバイス等のフィルタ部品の帯域外減衰量等の電気的特性改善するために適したパッケージ構造を有する電子部品及びパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、チップを気密封止したパッケージを有する電子部品として、弾性表面波デバイス（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ：以下、ＳＡＷデバイスと略す）がある。ＳＡＷデバイスは、一般的に圧電性素子基板上に形成されたＳＡＷ素子を有するＳＡＷデバイスチップと、これを気密封止するパッケージとを有して構成されている。
【０００３】
このようなＳＡＷデバイスは、例えばテレビジョン（以下、ＴＶと略す）やビデオテープレコーダ（以下、ＶＴＲと略す）やＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉｄｅｏ Ｄｉｓｋ）レコーダや携帯電話機等のフィルタ素子や発振子に広く用いられている。より特定すれば、ＳＡＷデバイスは、例えば４５ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数帯域における無線信号を処理する各種回路、例えば送信用バンドパスフィルタ，受信用バンドパスフィルタ，局部発振フィルタ，アンテナ共用器，中間周波フィルタ，ＦＭ変調器等に広く用いられている。
【０００４】
近年、これらの信号処理機器は小型化が進み、使用されるＳＡＷデバイスなどの電子部品も小型化の要求が強くなってきている。特に、携帯電話機等の携帯用電子機器には面実装で且つ低背のＳＡＷデバイスが要求されるようになってきた。
【０００５】
一般に、ＳＡＷデバイスにおいて面実装を実現するためには、セラミックスを用いたパッケージ構造が使用される（例えば特許文献１参照）。しかしながら、パッケージサイズが大きい場合にはセラミックスパッケージは高価になることが多い。
【０００６】
これに対し、セラミックスを用いることなく比較的安価で実現できるパッケージ構造が提案されている（例えば特許文献２参照）。ここに提案されているパッケージ構造は金属部と絶縁部とを有している。絶縁部は金属部に形成された貫通孔に設けられ、外部接続用のリードはこの絶縁部に埋設されている。パッケージに収容される水晶振動子はその両端で支持されており、振動が妨げられることのないようにパッケージに取り付けられている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−３３６１８６号公報
【特許文献２】
特開２００１−６０８４２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献２に記載のパッケージは、水晶振動子をその両端で支持する構成のため、ＳＡＷデバイスチップのようにダイマウントしつつワイヤボンディングするチップには適さない。
【０００９】
従って、本発明は上記従来技術の問題点を解決し、容易にワイヤボンディングすることができ、且つ信頼性の高い電子部品及びパッケージを安価に提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明は、請求項１記載のように、金属部材を加工した金属部と該金属部に融着した絶縁部とを有するパッケージと、該パッケージ内に収容されるチップとを有する電子部品であって、前記チップに金属細線を介して電気的に接続されると共に、一部が前記絶縁部に埋没された第１の外部端子と、前記チップに金属細線を介して電気的に接続されると共に、前記金属部の一部が凸状に加工されたグランド端子とを有し、前記第１の外部端子における前記チップとの接続部と、前記グランド端子における前記チップとの接続部とが前記チップの接続部と同じ高さとなるように構成される。金属部の一部に設けた凸状をグランド端子として使用することで、チップのグランド配線と金属部とを金属細線を用いて直接的に接続することができるため、電子部品の電気的特性を改善することができる。また、チップを金属部の凸状のグランド端子に接続する構成としたことで、例えばチップを接着材等をも値いてパッケージに固定した場合でも、接着剤の滲み出しによる影響を避けることができ、確実にチップと金属部とを接続することができる。更に、第１の外部端子における接続部とグランド端子における接続部とをチップと同じ高さとすることで、これをワイヤボンディングする際のボンディングツールや金属細線がチップに干渉することを回避でき、安定したワイヤボンディングを容易に行うことが可能となる。
【００１１】
また、請求項１記載の前記電子部品は、請求項２記載のように、前記グランド端子における前記接続部の裏側の凹み部に絶縁材料が充填されることが好ましい。グランド端子の裏側に絶縁材料を充填することで、グランド端子の機械的強度を向上することができるため、これをワイヤボンディングする際にかかる加重や超音波振動等による破損を防止することができる。
【００１２】
また、請求項１記載の前記金属部は、例えば請求項３記載のように、前記チップに電気的に接続されると共に、前記パッケージの第２の外部端子として機能する窪み部を有して構成されても良い。金属部の一部に窪み部（外部に対して凸部）を設けることで、金属部の一部を用いてグランド端子を形成することができ、部品点数を削減し、製造工程を容易化することができる。
【００１３】
また、請求項３記載の前記電子部品は、例えば請求項４記載のように、前記チップを背面から支持すると共に前記窪み部を塞ぐように前記金属部に固定された板部材を有するように構成されてもよい。板部材を設けることで、チップをダイマウントした構成とすることが可能となる。また、この板部材を窪み部を覆う位置に設けることで、この部分を実装領域として使用することが可能となり、電子部品を小型化することができる。
【００１４】
また、請求項４記載の前記板部材は、請求項５記載のように、金属材料で形成されることが好ましい。板部材に金属材料を用いることで、これをグランド配線として使用することが可能となり、部品点数の削減及び製造工程の簡素化を達成できる。
【００１５】
また、請求項１記載の前記電子部品は、請求項６記載のように、前記金属部の外側面に取り付けられ、前記チップと電気的に接続される第２の外部端子を有して構成されても良い。金属部の外側面に第２の外部端子を取り付けた構成とすることで、金属部をグランドに接続させることが可能となる。
【００１６】
また、請求項１記載の前記絶縁部は、請求項７記載のように、ガラス又はガラスセラミックスで形成されていることが好ましい。比較的金属と融着し易く且つ加工が容易なガラスやガラスセラミックスを用いることで、衝撃などに対する耐久性を上げることができ、更にこれを容易に歩留りよく製造することができる。
【００１７】
また、請求項２記載の前記絶縁材料は、請求項８記載のように、ガラス又はガラスセラミックスであることが好ましい。比較的金属と融着し易く且つ加工が容易なガラスやガラスセラミックスを用いることで、衝撃などに対する耐久性を上げることができ、更にこれを容易に歩留りよく製造することができる。
【００１８】
また、請求項１記載の前記金属部は、例えば請求項９記載のように、前記金属部は冷間圧延鋼板又は４２アロイ又はコバールで形成されていてもよい。
【００１９】
また、請求項１から９の何れか１項に記載の前記チップは、例えば請求項１０記載のように、圧電基板上に形成された櫛型電極を有する弾性表面波デバイスチップであってもよい。これにより、上記した効果を得られる弾性表面波デバイスを実現することができる。また、上記のような構成を用いて弾性表面波フィルタを作製することで、帯域外抑圧度を向上することが可能となり、良好な周波数特性を得ることができる。
【００２０】
また、本発明は、請求項１１記載のように、金属材料を加工した金属部と該金属部に融着した絶縁部とを有するパッケージであって、一部が前記絶縁部に埋没された第１の外部端子と、前記金属部の一部が凸状に加工されたグランド端子とを有し、前記第１の外部端子の内部側の接続部と前記グランド端子の内部側の接続部とが同じ高さとなるように構成される。金属部の一部に設けた凸状をグランド端子として使用できる構成とすることで、例えば実装したチップのグランド配線と金属部とを金属細線を用いて直接的に接続することができるため、本発明によるパッケージを用いて作製した電子部品の電気的特性を改善することができる。また、内部に実装したチップを金属部の凸状のグランド端子に接続できる構成としたことで、例えばチップを接着材等をも値いてパッケージに固定した場合でも、接着剤の滲み出しによる影響を避けることができ、チップと金属部とを確実に接続できるパッケージが得られる。更に、第１の外部端子における接続部とグランド端子における接続部とを同じ高さとすることで、例えばこれらと同じ高さとなるチップを実装した場合に、これらをワイヤボンディングする際のボンディングツールや金属細線がチップに干渉することを回避でき、安定したワイヤボンディングを容易に行うことが可能なパッケージを実現できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の理解を助けるために、まず初めに、比較例として、金属部材を加工した金属部とこれに融着した絶縁部とを有するパッケージと、このパッケージ内にダイマウントされたＳＡＷデバイスチップとを有するＳＡＷデバイスを説明する。
【００２２】
図１は、このＳＡＷデバイスを説明するための図である。図１（ａ）はパッケージ１００Ａの平面図である。図１（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０となる後述の板部材を透視して内部を見た様子を示している。図１（ｃ）はＳＡＷデバイスの底面図であり、図１（ｄ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００２３】
図１に示すＳＡＷデバイスは、金属部材を加工した金属部１０Ａと、これに融着した絶縁部３０Ａとを有するパッケージ１００Ａと、パッケージ１００Ａ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する電子部品である。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ａに埋設され且つ一列に配置された第１の外部端子２０と、ＳＡＷデバイスチップ４０を支持する板部材１５Ａとを有する。また、金属部１０Ａは第２の外部端子を構成する窪み部１９を有し、板部材１５Ａは窪み部１９を覆うように設けられている。
【００２４】
より具体的に説明すると、図１に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ａと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ａは金属部１０Ａと絶縁部３０Ａとを有し、パッケージ１００Ａの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ａは金属材料をプレス加工（押し出し加工）して成型したものである。金属部１０Ａの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ａは、パッケージ１００Ａの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ａは複数の窪み部１９を有する。窪み部１９は、パッケージ１００Ａの内部から金属部１０Ａを見た場合に窪んでいる部分であって、パッケージ１００Ａの外側からみれば凸状部分である。窪み部１９の断面はＣ字に似た形状である。窪み部１９はプレス加工で形成される。窪み部１９の外側は平らであって、外部接続用の接続領域を形成している。窪み部１９は第２の外部端子として作用する。従って、第２の外部端子にも窪み部１９と同じ参照番号１９を付す。第２の外部端子１９はパッケージ１００Ａの一部であって、金属部１０Ａの一部である。第２の外部端子１９はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されておらず、パッケージのグランド端子として機能する。実装された状態では、各第２の外部端子１９は同電位（グランド電位）となるが、第２の外部端子１９はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されない。
【００２５】
板部材１５Ａは例えば金属板であってほぼ矩形であり、窪み部１９を覆い隠すように設けられている。板部材１５Ａ上は接合部７０において、パッケージ１００Ａの金属部１０Ａの内側面（内壁）に溶接され、固定されている。板部材１５Ａは、ＳＡＷデバイスチップ４０を搭載（ダイマウント）し、接着するための平坦なスペースを確保するために設けられている。ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０とは、金属細線５０で電気的に接続されている。
【００２６】
パッケージ１００Ａの底面には絶縁部３０Ａが設けられている。絶縁部３０Ａは、パッケージ１００Ａの底面に融着している。絶縁部３０Ａは、貫通孔１８を完全に塞いでいる。絶縁部３０Ａは、貫通孔１８からパッケージ１００Ａの内部に若干突出している。
【００２７】
第１の外部端子２０は、絶縁部３０Ａ内に埋設されている。第１の外部端子２０は絶縁部３０Ａに埋設された状態で、一列に配置された各貫通孔１８を貫通している。第１の外部端子２０は絶縁部３０Ａに融着している。第１の外部端子２０は、板状の金属材料をプレス加工などで成型したものである。第１の外部端子２０の一端は絶縁部３０Ａからキャビティ内部に露出しており、他端はパッケージ１００Ａの底面を構成する。この底面が、外部との接続領域となる。絶縁部３０Ａを金属部１０Ａに溶着する際、第１の外部端子２０はまっすぐな状態にある。絶縁部３０Ａを金属部１０Ａに溶着した後、第１の外部端子２０の両端部を図示するように折り曲げる。従って、第１の外部端子２０の内側面と絶縁部３０Ａとは融着しておらず、僅かな間隙が形成されている。第１の外部端子２０の接続領域と絶縁部３０Ａの露出面と窪み部、つまり第２の外部端子１９とは、パッケージ１００Ａの底面、換言すれば、ＳＡＷデバイスの底面（搭載面）を形成する。この底面はほぼ一様にフラットである。
【００２８】
ＳＡＷデバイスチップ４０は、圧電基板１２上に櫛形電極（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：ＩＤＴ）１３と電極端子１１とがパターニング形成されている。尚、このＳＡＷデバイスチップ４０には、弾性表面波（ＳＡＷ）の反射を低減するためにＩＤＴ１３を覆うように吸音材１４が印刷形成されている。また、ＳＡＷの伝播方向における圧電基板１２の端面での反射によるフィルタ特性の悪化を防止するために、この端面がＳＡＷ伝播方向に対して所定の角度を有するように形成されている場合がある。更に、ＩＤＴ１３は、所望するフィルタ特性を考慮して、その電極指周期や重み付け形状が制御されて設計されている。ＳＡＷデバイスチップ４０で、例えば３０ＭＨｚ〜７５ＭＨｚ帯のＴＶ用中間周波帯フィルタを構成した場合、その大きさは１０ｍｍ×２ｍｍ程度となる。但し、これに限定されず、１．９ＧＨｚ帯のＳＡＷフィルタや２５０ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタ等、様々なフィルタを使用することが可能である。
【００２９】
蓋６０は金属材料を成型したもので、パッケージ１００Ａの外壁のエッジに沿って形成されたフランジ部１６に取り付けられ、パッケージ１００Ａ内部を気密に封止している。
【００３０】
パッケージ１００Ａの金属部１０Ａ，外部端子２０及び蓋６０には、工業標準であるＳＰＣ材（冷間圧延鋼板）や４２アロイやコバールなどの金属を使用することができる。好ましくは、これらの表面にニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）でメッキなどを施す。絶縁部３０Ａには金属と融着し易いガラスやガラスセラミックスなどの絶縁材料を用いることができる。金属細線５０にはＡｕ線やアルミニウム（Ａｌ）線などを用いることができる。蓋６０とパッケージ１００Ａのフランジ部１６との接合には、抵抗加熱溶接、シーム溶接又はレーザー溶接などを用いることができる。
【００３１】
なお、パッケージ１００Ａは少なくとも金属部１０Ａと絶縁部３０Ａとを含んで構成されるが、外部端子２０や更には蓋６０をも含めた構成をパッケージと定義することもできる。
【００３２】
図２は、別の比較例として挙げるＳＡＷデバイスを説明するための図である。図２（ａ）はパッケージ１００Ｂの平面図である。図２（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示している。図２（ｃ）はＳＡＷデバイスの底面図であり、図２（ｄ）は図２（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。図中、図１に示す構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。本比較例と上記した比較例（図１）とは、第２の外部端子がパッケージの金属部で構成されているのではなく、パッケージとは別部材で形成されている点、及びＳＡＷデバイスチップがパッケージの金属部に直接取り付けられている点で相違する。
【００３３】
より具体的に説明すると、図２に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ｂと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ｂは金属部１０Ｂと絶縁部３０Ｂとを有し、パッケージ１００Ｂの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ｂは金属材料をプレス加工（押し出し加工）して成型したものである。金属部１０Ｂの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ｂは、パッケージ１００Ｂの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ｂは平坦なチップ搭載部１５Ｂを有する。チップ搭載部１５Ｂはプレス加工で形成される。チップ搭載部１５Ｂの外側面は平らであって、ここに複数の第２の外部端子２１が溶接などにより取り付けられている。第２の外部端子２１はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されておらず、パッケージ１００Ｂのグランド端子として機能する。また、第２の外部端子２１は断面がほぼＬ字状であって、接合部７１において金属部１０Ｂと電気的に接続されている。実装された状態では、各第２の外部端子２１は同電位（グランド電位）となる。第２の外部端子２１はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されないので、ダミー端子としても機能する。
【００３４】
以上のような２つの比較例において、図１のＳＡＷデバイスはＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線とパッケージ１００Ａのグランド端子として用いられる第２の外部端子１９とが直接的に接続されていない。また、図２のＳＡＷデバイスはＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線とパッケージ１００Ｂのグランド端子として用いられる第２の外部端子２１とが直接的に接続されていない。これらの理由から、ＳＡＷデバイスの電気的特性の一つである帯域外減衰量が十分に確保できない場合がある。また、しいてパッケージ１００Ａ／１００Ｂの金属部１０Ａ／１０ＢにＳＡＷデバイスのグランド配線を接続するためには、チップ搭載面の金属部分にグランド配線を直接金属ワイヤで接続する必要がある。但し、このチップ搭載面にはＳＡＷデバイスチップ４０をパッケージに接着固定するための接着剤が滲み出している場合があり、金属ワイヤ（金属細線５０）の接続信頼を損なう可能性がある。また、ＳＡＷデバイスチップ４０表面よりも低い位置にあるチップ搭載面に金属ワイヤを接続するとき、ボンディングツールと金属ワイヤとがＳＡＷデバイスチップ４０に干渉するため、安定したワイヤ接続を行うことが難しい場合がある。
【００３５】
そこで本発明では、パッケージの金属部分とＳＡＷデバイスチップ等のチップのグランド配線とを金属細線を用いて接続し、ＳＡＷデバイスなどの電子部品の電気的特性を改善し、容易に安定したワイヤボンディングを行うことができ、且つ小型で信頼性の高い電子部品及びパッケージを安価に実現する。以下、本発明を好適に実施した形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３６】
〔第１実施形態〕
先ず、本発明の第１の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図３は、本実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図である。尚、図３（ａ）はパッケージ１００Ｃの平面図である。図３（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示している。図３（ｃ）は図３（ｂ）のＣ−Ｃ線断面図である。図中、図１及び図２に示す構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。
【００３７】
図３に示すように、本実施形態によるＳＡＷデバイスは、金属部材を加工した金属部１０Ｃとこれに融着した絶縁部３０Ｃとを有するパッケージ１００Ｃと、パッケージ１００Ｃ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する電子部品である。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ｃに埋設され且つ一列に配置された第１の外部端子２０と、ＳＡＷデバイスチップ４０を支持する板部材１５Ｃとを有し、金属部１０Ｃは第２の外部端子を構成する窪み部１９を有し、板部材１５Ｃは窪み部１９を覆うように設けられている。一列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｃには凸状に加工されたグランド端子２２Ｃが設けらけれており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線と電気的に接続されている。
【００３８】
より具体的に説明すると、図３に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ｃと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ｃは金属部１０Ｃと絶縁部３０Ｃとを有し、パッケージ１００Ｃの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ｃは金属材料をプレス加工して成型したものである。金属部１０Ｃの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ｃは、パッケージ１００Ｃの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ｃは複数の窪み部１９を有する。窪み部１９は、パッケージ１００Ｃの内部から金属部１０Ｃを見た場合に窪んでいる部分であって、パッケージ１００Ｃの外側からみれば凸状部分である。窪み部１９の断面はＣ字に似た形状である。窪み部１９はプレス加工で形成される。窪み部１９の外側は平らであって、外部接続用の接続領域を形成している。窪み部１９は第２の外部端子として作用する。第２の外部端子１９はパッケージ１００Ｃの一部であって、金属部１０Ｃの一部である。一列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｃには凸状にプレス加工することで形成されたグランド端子２２Ｃが設けらけれている。このグランド端子２２Ｃの上部はＳＡＷデバイスチップ４０を搭載する方向に平で、ＳＡＷデバイスチップ４０と金属細線５０で接続される端子として作用している。このグランド端子２２Ｃは金属部１０Ｃを介して第２の外部端子１９に繋がっており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線は金属細線５０を介してパッケージのグランド端子２２Ｃに接続されている。
【００３９】
ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０、グランド端子２２Ｃとは、金属細線５０で電気的に接続されている。この接続には、熱圧着や超音波接合などを用いる。金属細線５０を用いた電気的接続の信頼性を高めるために、第１の外部端子２０とグランド端子２２Ｃとの内側の接続部とＳＡＷデバイスチップ４０の接続部（端子）とは、ほぼ同一平面上（同一高さ）にあることが好ましい。ほぼ同一平面又は同一高さとは、高さの相違が±５０μｍ以内であることを意味している。
【００４０】
グランド端子２２Ｃはプレス加工により金属部１０Ｃを凸状に成型しているが、表側の端子の裏側凹部には絶縁部３０Ｃに一体加工された絶縁部材が充填されている。グランド端子２２Ｃ裏面の凹部に絶縁部材が充填されることにより、金属細線５０を接合するときにかかる加重及び超音波振動によりグランド端子２２Ｃが破損することを防いでいる。
【００４１】
以上のように構成した本実施形態によるＳＡＷデバイスの電気的な特性について、図４を用いて以下に説明する。図４は、本実施形態によるＳＡＷデバイスチップ４０を２５０ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタとして作製した場合のＳＡＷデバイスの周波数特性を示している。尚、図中実線は本発明のＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｃとを金属細線５０で電気的に接続した本実施形態によるＳＡＷデバイスの周波数特性を示し、破線はＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及び第２の外部端子１９／２１とを接続していない上記した２つの比較例によるＳＡＷデバイスの周波数特性を示している。図４を参照すると明らかなように、ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｃとを電気的に接続することで、ＳＡＷデバイスの帯域減衰量は１０ｄＢ以上大きく改善されている。但し、この効果は、２５０ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタに限らず、目的に応じて種々変更した周波数帯で同様に得られるものである。
【００４２】
尚、本実施形態においても、上記比較例と同様に、パッケージ１００Ｃの金属部１０ＣにＳＡＷデバイスのグランド配線を接続するために、チップ搭載面の金属部分に直接金属ワイヤで接続する必要があるが、本実施形態では、パッケージ１００Ｃの金属部１０Ｃの一部に凸状に加工されたグランド端子２２Ｃが設けられているため、ＳＡＷデバイスチップ４０をパッケージ１００Ｃに接着固定するための接着剤の滲み出しによる金属細線５０の接続不良を回避することができる。また、この凸状に加工されたグランド端子２２Ｃの高さをＳＡＷデバイスチップ４０とほぼ同じ高さとすることで、ボンディングツールと金属ワイヤとがＳＡＷデバイスチップ４０に干渉することを防止でき、安定したワイヤ接続を行うことができる。
【００４３】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図５は、本実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図である。尚、図５（ａ）はパッケージ１００Ｄの平面図である。図５（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示している。図５（ｃ）は図５（ｂ）のＤ−Ｄ線断面図である。図中、図１から図３に示す構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。
【００４４】
本実施形態によるＳＡＷデバイスは、第１の実施形態によるＳＡＷデバイスと比較して、第２の外部端子がパッケージの金属部で構成されているのではなく、パッケージとは別部材で形成されている点、及びＳＡＷデバイスチップがパッケージの金属部に直接取り付けられている点で相違する。
【００４５】
図５に示すように、本実施形態によるＳＡＷデバイスは、金属部材を加工した金属部１０Ｄとこれに融着した絶縁部３０Ｄとを有するパッケージ１００Ｄと、パッケージ１００Ｄ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する電子部品である。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ｄに埋設されかつ一列に配置された第１の外部端子２０と、金属部１０Ｄの外側面に取り付けられた第２の外部端子２１（図２に示す比較例によるＳＡＷデバイスにおける第２の外部端子２１と同様）とを有し、ＳＡＷデバイスチップ４０は金属部１０Ｄの内側面に取り付けられ、且つ第２の外部端子２１と対向するように配置されている。一列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｄには凸状にプレス加工することで形成されたグランド端子２２Ｄが設けらけれており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線と電気的に接続されている。
【００４６】
より具体的に説明すると、図４に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ｄと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ｄは金属部１０Ｄと絶縁部３０Ｄとを有し、パッケージ１００Ｄの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ｄは金属材料をプレス加工（押し出し加工）して成型したものである。金属部１０Ｄの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ｄは、パッケージ１００Ｄの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ｄは平坦なチップ搭載部１５Ｄを有する。チップ搭載部１５Ｄはプレス加工で形成される。チップ搭載部１５Ｄの外側面は平らであって、ここに複数の第２の外部端子２１が溶接などにより取り付けられている。第２の外部端子２１はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されておらず、パッケージのグランド端子として機能する。また、第２の外部端子２１は断面がほぼＬ字状であって、接合部７１において金属部１０Ｄと電気的に接続されている。実装された状態では、各第２の外部端子２１は同電位（グランド電位）となる。第２の外部端子２１はＳＡＷデバイスチップ４０に直接接続されないので、ダミー端子としても機能する。
【００４７】
ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｄとは、金属細線５０で電気的に接続されている。この接続には、熱圧着や超音波接合などを用いる。金属細線５０を用いた電気的接続の信頼性を高めるために、第１の外部端子２０とグランド端子２２Ｄとの内側の接続部とＳＡＷデバイスチップ４０の接続部（端子）とは、ほぼ同一平面上（同一高さ）にあることが好ましい。ほぼ同一平面又は同一高さとは、高さの相違が±５０μｍ以内であることを意味している。
【００４８】
グランド端子２２Ｄはプレス加工により金属部１０Ｄを凸状に成型しているが、表側の端子の裏側凹部には絶縁部３０Ｄに一体加工された絶縁部材が充填されている。グランド端子２２Ｄ裏面の凹部に絶縁部材が充填されることにより、金属細線５０を接合するときにかかる加重及び超音波振動によりグランド端子２２Ｄが破損することを防いでいる。
【００４９】
以上のように構成することで、本実施形態では、ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｄとを電気的に接続できるため、上記した第１の実施形態と同様に、ＳＡＷデバイスの帯域減衰量を１０ｄＢ以上大きく改善することができる（図４参照）。
【００５０】
尚、本実施形態においても、上記比較例と同様に、パッケージ１００Ｄの金属部１０ＤにＳＡＷデバイスのグランド配線を接続するために、チップ搭載面の金属部分に直接金属ワイヤで接続する必要があるが、本実施形態では、パッケージ１００Ｄの金属部１０Ｄの一部に凸状に加工されたグランド端子２２Ｄが設けられているため、ＳＡＷデバイスチップ４０をパッケージ１００Ｄに接着固定するための接着剤の滲み出しによる金属細線５０の接続不良を回避することができる。また、この凸状に加工されたグランド端子２２Ｄの高さをＳＡＷデバイスチップ４０とほぼ同じ高さとすることで、ボンディングツールと金属ワイヤとがＳＡＷデバイスチップ４０に干渉することを防止でき、安定したワイヤ接続を行うことができる。
【００５１】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明の第３の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図６及び図７は、本実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図である。尚、図６（ａ）はパッケージ１００Ｅの平面図である。図６（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示している。図６（ｃ）は図６（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。また、図７は図６（ａ）のＥ’−Ｅ’線断面図である。図中、図１から図３及び図５に示す構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。
【００５２】
本実施形態によるＳＡＷデバイスは、第１及び第２の実施形態によるＳＡＷデバイスと比較して、第１の外部端子がＳＡＷデバイスチップの両側に配置されている点で相違する。
【００５３】
図６及び図７に示すように、本実施形態によるＳＡＷデバイスは、金属部材を加工した金属部１０Ｅとこれに融着した絶縁部３０Ｅとを有するパッケージ１００Ｅと、パッケージ１００Ｅ内に収容されるＳＡＷデバイスチップ４０とを有する電子部品である。更に、ＳＡＷデバイスチップ４０に電気的に接続されると共に絶縁部３０Ｅに埋設されかつＳＡＷデバイスチップ４０の両側に一列に配置された第１の外部端子２０を有している。ＳＡＷデバイスチップ４０の両側に二列に配置された第１の外部端子２０の両端部の金属部１０Ｅには凸状にプレス加工することで形成されたグランド端子２２Ｅが設けらけれており、ＳＡＷデバイスチップ４０のグランド配線と電気的に接続されている。
【００５４】
より具体的に説明すると、図６及び図７に示すＳＡＷデバイスは、パッケージ１００Ｅと、この中に気密に封止されたＳＡＷデバイスチップ４０とを有する。パッケージ１００Ｅは金属部１０Ｅと絶縁部３０Ｅとを有し、パッケージ１００Ｅの内部キャビティ内にＳＡＷデバイスチップ４０が収容されている。金属部１０Ｅは金属材料をプレス加工（押し出し加工）して成型したものである。金属部１０Ｅの厚さを５０μｍとする。金属部１０Ｅは、パッケージ１００Ｅの主たる外壁を形成する。また、金属部１０Ｅは平坦なチップ搭載部１５Ｅを有する。チップ搭載部１５Ｅはプレス加工で形成される。
【００５５】
ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｅとは、金属細線５０で電気的に接続されている。この接続には、熱圧着や超音波接合などを用いる。金属細線５０を用いた電気的接続の信頼性を高めるために、第１の外部端子２０とグランド端子２２Ｅとの内側の接続部とＳＡＷデバイスチップ４０の接続部（端子）とは、ほぼ同一平面上（同一高さ）にあることが好ましい。ほぼ同一平面又は同一高さとは、高さの相違が±５０μｍ以内であることを意味している。
【００５６】
グランド端子２２Ｅはプレス加工により金属部１０Ｅを凸状に成型しているが、表側の端子の裏側凹部には絶縁部３０Ｅに一体加工された絶縁部材が充填されている。グランド端子２２Ｅ裏面の凹部に絶縁部材が充填されることにより、金属細線５０を接合するときにかかる加重及び超音波振動によりグランド端子２２Ｅが破損することを防いでいる。
【００５７】
以上のように構成することで、本実施形態では、ＳＡＷデバイスチップ４０上の端子と第１の外部端子２０及びグランド端子２２Ｅとを電気的に接続できるため、上記した第１の実施形態と同様に、ＳＡＷデバイスの帯域減衰量を１０ｄＢ以上大きく改善することができる（図４参照）。
【００５８】
尚、本実施形態においても、上記比較例と同様に、パッケージ１００Ｅの金属部１０ＥにＳＡＷデバイスのグランド配線を接続するために、チップ搭載面の金属部分に直接金属ワイヤで接続する必要があるが、本実施形態では、パッケージ１００Ｅの金属部１０Ｅの一部に凸状に加工されたグランド端子２２Ｅが設けられているため、ＳＡＷデバイスチップ４０をパッケージ１００Ｅに接着固定するための接着剤の滲み出しによる金属細線５０の接続不良を回避することができる。また、この凸状に加工されたグランド端子２２Ｅの高さをＳＡＷデバイスチップ４０とほぼ同じ高さとすることで、ボンディングツールと金属ワイヤとがＳＡＷデバイスチップ４０に干渉することを防止でき、安定したワイヤ接続を行うことができる。
【００５９】
〔他の実施形態〕
以上、説明した実施形態は本発明の好適な一実施形態にすぎず、本発明はその趣旨を逸脱しない限り種々変形して実施可能である。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、容易にワイヤボンディングすることができ、且つ信頼性の高い安価な電子部品及びパッケージを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＳＡＷデバイスに対する比較例として例示するＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージ１００Ａの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）はＳＡＷデバイスの底面図であり、（ｄ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】本発明のＳＡＷデバイスに対する別の比較例として例示するＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージ１００Ｂの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイス平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）はＳＡＷデバイスの底面図であり、（ｄ）は（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態によるＳＡＷデバイスチップ４０を２５０ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタとして作製した場合のＳＡＷデバイスの周波数特性を示すグラフである。
【図５】本発明の第２の実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージ１００Ｄの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）は（ｂ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態によるＳＡＷデバイスの構成を示す図であり、（ａ）はパッケージ１００Ｅの平面図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図であって蓋６０を透視して内部を見た様子を示す図であり、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【図７】図６（ａ）に示すＳＡＷデバイスのＥ’−Ｅ’線断面図である。
【符号の説明】
１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ 金属部
１１ 電極端子
１２ 圧電基板
１３ ＩＤＴ
１４ 吸音材
１５Ｃ 板部材
１５Ｄ、１５Ｅ チップ搭載部
１９ 窪み部（第２の外部端子）
２０ 第１の外部端子
２１ 第２の外部端子
２２Ｃ、２２Ｄ、２２Ｅ グランド端子
３０Ｃ、３０Ｄ、３０Ｅ 絶縁部
４０ ＳＡＷデバイスチップ
５０ 金属細線
６０ 蓋
１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ パッケージ
Claims (11)
- 金属部材を加工した金属部と該金属部に融着した絶縁部とを有するパッケージと、該パッケージ内に収容されるチップとを有する電子部品であって、
前記チップに金属細線を介して電気的に接続されると共に、一部が前記絶縁部に埋没された第１の外部端子と、
前記チップに金属細線を介して電気的に接続されると共に、前記金属部の一部が凸状に加工されたグランド端子とを有し、
前記第１の外部端子における前記チップとの接続部と、前記グランド端子における前記チップとの接続部とが前記チップの接続部と同じ高さであることを特徴とする電子部品。 - 前記グランド端子における前記接続部の裏側の凹み部に絶縁材料が充填されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
- 前記金属部は、前記チップに電気的に接続されると共に、前記パッケージの第２の外部端子として機能する窪み部を有することを特徴とする請求項１記載の電子部品。
- 前記チップを背面から支持すると共に前記窪み部を塞ぐように前記金属部に固定された板部材を有することを特徴とする請求項３記載の電子部品。
- 前記板部材は金属材料で形成されていることを特徴とする請求項４記載の電子部品。
- 前記金属部の外側面に取り付けられ、前記チップと電気的に接続される第２の外部端子を有することを特徴とする請求項１記載の電子部品。
- 前記絶縁部はガラス又はガラスセラミックスで形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
- 前記絶縁材料はガラス又はガラスセラミックスであることを特徴とする請求項２記載の電子部品。
- 前記金属部は冷間圧延鋼板又は４２アロイ又はコバールで形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
- 前記チップは圧電基板上に形成された櫛型電極を有する弾性表面波デバイスチップであることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の電子部品。
- 金属材料を加工した金属部と該金属部に融着した絶縁部とを有するパッケージであって、
一部が前記絶縁部に埋没された第１の外部端子と、
前記金属部の一部が凸状に加工されたグランド端子とを有し、
前記第１の外部端子の内部側の接続部と前記グランド端子の内部側の接続部とが同じ高さであることを特徴とするパッケージ。
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