JP2004326920A - 情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】DWDD、MAMMOS等のメモリ層及びスイッチング層に使用されるTbFe、TbFeCo膜の垂直磁気異方性を大きくする。
【解決手段】コスパッタリングにより成膜する際にTbターゲットとFeを主成分とするターゲットを基板公転回転軸に対して、最も離れるように対称な位置に設ける。
【選択図】 図1
【解決手段】コスパッタリングにより成膜する際にTbターゲットとFeを主成分とするターゲットを基板公転回転軸に対して、最も離れるように対称な位置に設ける。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に記録膜を形成してなる情報記録媒体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板上に記録膜を形成してなる情報記録媒体として、種々の光記録媒体や磁気記録媒体が知られている。光で検出可能な光学的状態の変化に対応させて情報を記録する光記録媒体は高密度化が可能であり、光ディスクや光カードとして実用化されている。光記録媒体上に形成される光学的状態の変化としては、凹凸のピット、反射膜の有無・変形、屈折率変化、磁化反転等がある。このうち、磁化反転は、反射光の偏光状態の変化として検出され、その他の形態では、反射光量の変化として検出される。
【0003】
また、このような光検出方式の場合、記録や再生時に光を所定の場所に導くためにトラッキングとフォーカスという機構が採用されている。その仕組みを構成する要素として通常媒体上に案内溝呼ばれる溝が形成されている。この溝は通常記録には使われない。しかし、近年高密度化するために特開平6−349073号公報に開示されているようにこの溝(グルーブと呼ぶ)にも記録をすること(ランド/グルーブ記録方式と呼ぶ)が提案されている。この場合、グルーブの底面はランド表面及び基板表面に対して平行な平面である。溝は情報トラックが形成されている側から見て凹となっている部分をいう。さらに高密度化を図るためにトラックピッチを小さくして狭トラックを図ることが考えられるが、その際隣接するトラックのデータを破壊しないための工夫として特開平9−161321号公報に開示されているようにランド部と溝部の段差すなわち溝深さを深くすることが提案されている。前述の高密度化は、トラック密度向上に関するものであるが、さらなる高密度化の要望に対して線記録密度の向上が研究されている。これらの要望に答えるものとして、磁気超解像(Magnetic SupserResolution)を利用した光磁気記録媒体の提案がなされており、実用化されているものとしてGIGAMOが挙げられる。さらなる線記録密度向上が可能な媒体として、DWDDやMAMMOSが提案されている。これらの媒体は、光磁気記録媒体であり、材料として希土類−遷移金属非晶質合金が用いられている。
【0004】
これらの媒体のメモリ層(情報を保存する役割をする磁性層)に用いられる材料として、小さい磁区すなわち小さな記録マークでも安定に記録可能な垂直磁気異方性の大きなTbFeCoが用いられている。この磁性層は一般的にスパッタリングにより形成されている。スパッタ装置では、形成しようとする膜の構成元素からなるターゲットが用意され、そのターゲット上に発生させたプラズマによりターゲットから原子を弾き飛ばして基板に付着させ、膜を形成する。一般的なスパッタ装置では、ターゲットに対向する位置に複数の基板を装着した基板ホルダーを配置し、基板ホルダーを自転あるいは自公転させながらスパッタを行なっている。生産用の場合、スパッタ装置の小型化、低コスト化の観点から枚葉式スパッタ装置が生産に用いられている。市販されている装置として、ユナクシス社のスプリンターやアルバック社のSMOがある。これらの装置で前記メモリ層を形成する場合は、ターゲットとして合金ターゲットが用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、前述のDWDDのように小さなマークを記録する媒体に枚葉式スパッタ装置で合金ターゲットにより形成された各層を採用した媒体を作成し、評価を行った。例として本発明者提案の図5に示すような特開平6−290496号公報に開示されている光磁気記録媒体(DWDD媒体)を作成した。その際、第1磁性層(移動層と呼ぶ)としてGdFeCo膜を、第2磁性層(スイッチング層と呼ぶ)としてTbFe膜を、第3磁性層(メモリ層と呼ぶ)としてTbFeCo膜をそれぞれ30nm、10nm、80nm形成した。成膜後、波長405nm、NA0.85の光ヘッドを有する装置で膜面側からランド部にトラッキングを掛けながら、レーザー光を照射してランド部の磁気特性を消失する処理(アニール処理という)を行った。そして、この上に耐摺動性に優れた磁界変調用紫外線硬化樹脂を設けた。この媒体を波長650nm、NA0.65の光ヘッドを有する光ディスク評価装置で記録再生特性を評価した。線速2.4m/s、記録マーク長0.15μのトーン信号を磁界変調記録方式で記録し、再生してジッター値を測定した。ジッター値は、5nsで実用には問題があるレベルで、しかも、再生劣化という最適再生パワーで同じトラックを照射している内にジッターが悪くなるという問題があった。これはメモリ層の不安定性に起因するものである。これに対して、近年特開平11−200042号公報に開示されているようにメモリ層の安定性を高めるため希土類主体の層と遷移金属主体の層とが交互に積層された膜(マルチレイヤー層)が提案されている。そこで、本発明者は、スパッタ装置の低コスト化及び省設置スペース化のため、該マルチレイヤー層形成を前述の枚葉式スパッタ装置への適用を検討してきた。装置コスト及び設置スペースの観点から装置の多チャンバー化を抑制するため及び組成の選択自由度を持たせるため、及び組成の制御性を確保するため、Tb系の材料を成膜するスパッタ室P3(図3)にはTbターゲット、Feターゲット、Coターゲット及び添加元素たとえばCrで構成されるターゲットの4個のターゲットを配置して成膜検討を行なった。マルチレイヤー形成可能な基板ホルダーとして,自公転可能なホルダーを用いた。ターゲットは膜厚分布がよい配置となっており、基板公転回転中心に対してターゲット中心は偏心しており等角度で同心円上に配置されている。本発明者は、上記成膜装置を用いて、前述の本発明者提案の図5に示すような特開平6−290496号公報に開示されている光磁気記録媒体(DWDD媒体)の作成及びプロセス検討を試みた。図2に示すように当初Tbターゲットに隣接してFeターゲットを配置して、前述のDWDD膜を形成し、光磁気記録媒体を作成し特性を評価していた。本発明者提案の特開平6−290496号公報に開示されているように第1磁性層を別のチャンバーP2で形成し,第2磁性層及び第3磁性層を前述のP3で形成していた。下地層及び上地層は,窒化シリコンを形成するスパッタ室P1で形成した。その際、第1磁性層(移動層と呼ぶ)としてGdFeCo膜を、第2磁性層(スイッチング層と呼ぶ)としてTbFe膜を、第3磁性層(メモリ層と呼ぶ)としてTbFeCo膜をそれぞれ30nm、10nm、80nm形成した。成膜後、波長405nm、NA0.85の光ヘッドを有する装置で膜面側からランド部にトラッキングを掛けながら、レーザー光を照射してランド部の磁気特性を消失する処理(アニール処理という)を行った。そして、この上に耐摺動性に優れた磁界変調用紫外線硬化樹脂を設けた。このようなスパッタ装置及びプロセスで作成したDWDD媒体を、波長650nm、NA0.65の光ヘッドを有する光ディスク評価装置で記録再生特性を評価した。線速2.4m/s、記録マーク長0.15μのトーン信号を磁界変調記録方式で記録し、再生してジッター値を測定した。しかし、ジッター値は、4.6nsと実用レベルには十分ではない特性であった。実用レベルとしては、一般的に4.0ns以下が要求される。本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、コスパッタリングにより基板上に小さな記録マークが記録再生可能な多層膜を有する情報記録媒体を形成する成膜方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、情報記録媒体の情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられた基板上に、少なくとも1層の記録層を含む複数の層を有する希土類−遷移金属を使用した情報記録媒体の製造方法において、該記録層の少なくとも一つ以上の記録層が、希土類ターゲット中心軸と鉄のターゲット中心軸が基板公転回転中心軸に対して最も離れた対称な位置に配置された成膜装置により形成されたことを特徴とする情報記録媒体の製造方法により達成される。
【0007】
(作用)
上述の本発明によれば、スイッチング層あるいはメモリ層に用いられているTbFe膜あるいはTbFeCo膜を異方性が大きな膜にでき、小さなマークを安定に記録し、再生できる光磁気記録媒体が作成できる。前述の図2において説明したように従来のターゲット配置によるTbFe膜あるいはTbFeCo膜は異方性が小さく、小さなマークの記録再生が安定しない光磁気記録媒体となってしまう。これは以下の理由によるものと考えられる。
【0008】
基板がターゲットの配置されている円周上より内側にあるため、Tbターゲット及びFeターゲットを用いたコスパッタリングを行って、基板を自転及び自公転させても、Tbの原子が基板上に付着した直後あるいは付着している状態でFeの原子が基板上に付着する状態で、TbFe膜あるいはTbFeCo膜が形成される。基板が回転し、位置がずれてもこのような状態の繰り返しとなる。そのため、Tb及びFe原子が常に混ざり合っている状態で成膜され、Tb主体の層とFe主体の層が交互に積層されたマルチレイヤーにならないため、保磁力が小さくなりその結果としてMsHc積が小さくなり、小さなマークの安定性が悪くなる。DWDD媒体の場合、スイッチング層として採用しているTbFe膜には、大きな磁壁エネルギーが要求される。これは、以下の理由による。メモリ層から転写された磁壁が、移動層に転写されてレーザー光が照射されることによる昇温で生じた温度勾配により発生した磁壁が移動する駆動力が大きく、メモリ層からの磁区を移動層(第1磁性層)に転写する際にスイッチング層の磁壁エネルギーが小さいと温度上昇に伴う移動層の磁壁移動が早く始まり、磁壁抗磁力の膜面内ムラや磁壁駆動力のムラの影響を受けやすく、ジッターの値が悪く即ち再生時の信号振幅の立ち上がり位置の揺らぎが大きくなる。図1に示すような本発明のTbとFeのターゲット配置の場合、従来と異なりTbの原子が基板上に付着した直後あるいは付着している状態でFeの原子が基板上に付着する割合は少なくなった状態で、TbFe膜あるいはTbFeCo膜が形成される。この効果によりマルチレイヤーに近い状態でTbが多い層とFeが多い層との交互積層膜が形成されるため、異方性が大きくなるものと考えられる。図4に一般的に言われている垂直磁気異方性の大きさを表すMs*Hc積の温度依存性を示す。横軸は、絶対温度におけるキュリー温度で規格化した値である。これらの膜は、自転成膜により作成したものである。図4からわかるように本発明のターゲット配置により形成されたTbFe膜のMs*Hc積の方が傾きが大きい。このことはMs*Hc積が従来より大きくなっていることを示している。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した具体的な実施形態を実施例により図面に基づいて説明する。
【0010】
図1は、本発明のターゲット配置を示す模式図である。本図はターゲット個数が4個の場合であるが、3個の場合でも、TbターゲットとFeターゲットが最も離れた対称な位置に配置すればよい。さらに2個の場合でも同様にすればよい。ターゲットを取り付ける公知のマグネトロンカソードの代わりに、材料を蒸発させることが可能な蒸発源を用いてもよい。必要に応じてFeターゲットに予め添加元素やCoを添加したターゲットを用いてもよい。
【0011】
図5は、本発明の光記録媒体の一例を示す模式断面図である。基板の上に第1保護層、第1磁性層、第2磁性層、第3磁性層、第2保護層がこの順に積層されている。基板としては、樹脂、ガラス、または、金属板を用いることができる。樹脂としては、機械特性、転写性等の光ディスク基板の特性を満たす熱可塑性樹脂であれば、特に限定されず、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレフィン等が使用可能である。金属板の場合は,光硬化型樹脂を用いて溝を形成しても良い。溝幅や溝深さは再生時や記録時に使用するレーザービームの波長、情報記録媒体の記憶容量、クロスイレース/クロスライトのパワーマージン、クロストークのマージン、基板の製造マージン等を考慮して決められる。
【0012】
第1保護層は、SiNのような公知の材料が用いられ公知のように基板からの水分や酸素等の不純物ガスによる磁性層の劣化防止と磁気光学効果のエンハンス効果のために設けられる。第2保護層は、公知のように紫外線硬化樹脂等からの不純物等による磁性層劣化防止のために設けられる。第2保護層の上に、公知の紫外線硬化樹脂を設ける。この樹脂の上に潤滑性の高い材料を設けてもよい。
【0013】
情報記録媒体の磁性層を構成する材料としては、GdFeCo、GdFe、TbFe、TbFeCo、DyFeCo等希土類−遷移金属に代表される光磁気材料等公知の材料が使える。耐食性及び磁気異方性及びキュリー温度を制御するため、Cr、Ti、Nb等の添加元素を加えてもよい。
【0014】
【発明の実施の形態】
<実施例1>
本発明の製造方法を特開平6−290496号公報に提案されている記録媒体に適用した例について説明する。この場合、記録膜として少なくとも、第1、第2、第3、第4の磁性層が順次積層されている磁性多層膜を用いる。第1及び第2の磁性層は、周囲温度近傍の温度において、第4の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さい磁性膜からなり、第3の磁性層は、第1、第2及び第4の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなり、第4の磁性層は垂直磁化膜からなっている。第2の磁性層のキュリー温度は,第1の磁性層よりも低く、第3の磁性層よりも高い。
【0015】
グルーブのピッチを0.55μm、段差(深さ)を0.06μmとし、グルーブ部の底面部に0.35μm幅の基板表面に平行な平面を有するフラット部を設けたプラスチック基板を用いた。図3に示される枚葉式スパッタ装置の自公転ホルダーに装着した。各スパッタ装置内を到達真空度:2.0×10−5Pa以下に真空排気した後、P1室にArガス及びN2ガスを導入し、SiN膜を基板を自公転させながら、35nm成膜した。引き続き真空を破らないで他のチャンバー(P2室)に移動し、第1の磁性層及び第2磁性層の構成元素からなる合金ターゲットを用いて磁性膜を成膜した。第1の磁性層としてGdFeCo層を18nm、第2の磁性層としてGdFeCr層を18nmであった。次にP3室に移動し、第3の磁性層としてTbFe層を10nm形成した。形成する際に図1に示すようにTbターゲット中心軸とFeターゲット中心軸が基板回転中心軸に対して、対称な位置にある状態でスパッタリングを行なった。第4の磁性層としてTbFeCo層を第3の磁性層を形成したスパッタ室と同じチャンバーで行ない80nm成膜した。その際,Coターゲットは、前記TbターゲットとFeターゲットとの間にあり、基板回転中心軸からの距離は、3個のターゲットとも同じであった。各磁性層の組成は、CoおよびCrの量を調整し、キュリー温度は、第1の磁性層が290℃補償温度280℃、第2の磁性層が200℃補償温度は室温以下、第3の磁性層が155℃補償温度はキュリー温度以上、第4の磁性層が320℃補償温度は100℃程度となるように設定した。最後に、上地層として前述と同様にSiN層を45nm成膜した。
【0016】
<比較例1>
実施例1において、第3及び第4の磁性層を形成する際に、Feターゲットの位置にCoターゲットを取り付け、Coターゲットの位置にFeターゲットを取り付けた以外は、実施例1と同様のサンプルを作製した。すなわち図2に示すようにTbターゲットとFeターゲットが隣接する配置となっている。
【0017】
これらのディスクを波長405nm、NA0.85の光学ヘッドをもつ評価機で膜面側からレーザー光をランド部にトラッキングを掛けながら照射してランド部をアニール処理した。アニール条件は、線速4.5m/s、アニールパワーを4.6mw〜6.2mwまで、0.1mw刻みで行い、各アニールパワーにつき20トラックずつ行なった。この後、これらのディスクを膜面上にUV硬化樹脂保護コートを形成した。
【0018】
このようにして作製した各サンプルをレーザー波長650nm、対物レンズNA0.65の光学ヘッドを持つドライブ装置にセットし、線速2.4m/sの一定速度で回転させ、半径19mmの位置で記録特性の測定を行った。摺動型磁気ヘッドにより磁界を8MHzで変調しながら、グルーブ上に記録用にDCレーザーを照射して、マーク長0.15μmの繰り返しパターンを磁界変調記録した。この信号を再生パワー2.5mWで再生し、C/Nの記録パワー依存性を各サンプルについて比較した。この際、ランド部の最適なアニールパワーは、各アニールパワーのトラックにそれぞれ記録・再生し、最もジッター値がよいアニールパワーのトラックを選択し、比較した。結果は、ジッターの値として実施例1の媒体は、4.0ns、比較例1の媒体は、4.6nsであった。
【0019】
<実施例2>
実施例1において、第3の磁性層及び第4の磁性層を形成するスパッタ室のターゲットがTb、Fe、Coの3個で、図6に示すようにTbターゲットとFeターゲットが対称な位置にあり、CoターゲットはTbターゲットとFeターゲットの間に設けられているスパッタ室で第3及び第4の磁性層を形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例2の媒体を形成した。
【0020】
<比較例2>
実施例2において、図7に示すようにTb、Fe、Coのターゲットが等配の位置に設けられたスパッタ室を用いて、第3及び第4の磁性層を形成した以外は、実施例2と同様にして、比較例2の媒体を形成した。
【0021】
これらのディスクを実施例1と同様に膜面からアニールし、ディスク特性を評価した。結果は、ジッターの値として実施例2の媒体は、4.0ns、比較例2の媒体は、4.3nsであった。
【0022】
<実施例3>
実施例1において、図8に示すようにTbとFeCoターゲットの2個のターゲットが対称な位置に設けられたスパッタ室を用いて第4の磁性層を形成、FeCoの代わりにFeターゲットを取り付けた図8と同様なターゲット配置を示すスパッタ室を用いて第3の磁性層TbFeを形成した以外は、実施例1と同様にして実施例3の媒体を作成した。
【0023】
<比較例3>
実施例3において、図8とは異なりTbとFeCoターゲットが対称でない位置に設けられたスパッタ室を用いて第4の磁性層を、FeCoの代わりにFeターゲットを取り付けたスパッタ室を用いて第3の磁性層を形成した以外は、実施例3と同様にして比較例3の媒体を作成した。
【0024】
これらのディスクを実施例1と同様に膜面からアニールし、ディスク特性を評価した。
【0025】
結果は、ジッターの値として実施例3の媒体は、4.0ns、比較例3の媒体は、4.3nsであった。
【0026】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の第1の効果は、この結果として、高密度化可能となり、また、媒体ならびに記録装置を低コスト化することができる。
【0027】
本発明の第2の効果は、特開平6−290496号公報に開示されている光磁気記録媒体と組み合わせた場合において、コストアップすることなく、超高密度再生特性を向上させることである。
【0028】
本発明の第3の効果は微小磁区の保存性を向上させ、超高密度記録が可能な媒体を提供することできることである。
【0029】
本発明は例示した媒体に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1におけるターゲット配置図。
【図2】比較例1におけるターゲット配置図。
【図3】本発明において使用した枚葉式成膜機を示す模式図。
【図4】本発明において製造されたTbFe膜のMs*Hc積の温度依存性を示す図。
【図5】本発明において製造される光磁気記録媒体の膜構成を示す模式図。
【図6】本発明の実施例2におけるターゲット配置図。
【図7】比較例2におけるターゲット配置図。
【図8】本発明の実施例3におけるターゲット配置図。
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に記録膜を形成してなる情報記録媒体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板上に記録膜を形成してなる情報記録媒体として、種々の光記録媒体や磁気記録媒体が知られている。光で検出可能な光学的状態の変化に対応させて情報を記録する光記録媒体は高密度化が可能であり、光ディスクや光カードとして実用化されている。光記録媒体上に形成される光学的状態の変化としては、凹凸のピット、反射膜の有無・変形、屈折率変化、磁化反転等がある。このうち、磁化反転は、反射光の偏光状態の変化として検出され、その他の形態では、反射光量の変化として検出される。
【0003】
また、このような光検出方式の場合、記録や再生時に光を所定の場所に導くためにトラッキングとフォーカスという機構が採用されている。その仕組みを構成する要素として通常媒体上に案内溝呼ばれる溝が形成されている。この溝は通常記録には使われない。しかし、近年高密度化するために特開平6−349073号公報に開示されているようにこの溝(グルーブと呼ぶ)にも記録をすること(ランド/グルーブ記録方式と呼ぶ)が提案されている。この場合、グルーブの底面はランド表面及び基板表面に対して平行な平面である。溝は情報トラックが形成されている側から見て凹となっている部分をいう。さらに高密度化を図るためにトラックピッチを小さくして狭トラックを図ることが考えられるが、その際隣接するトラックのデータを破壊しないための工夫として特開平9−161321号公報に開示されているようにランド部と溝部の段差すなわち溝深さを深くすることが提案されている。前述の高密度化は、トラック密度向上に関するものであるが、さらなる高密度化の要望に対して線記録密度の向上が研究されている。これらの要望に答えるものとして、磁気超解像(Magnetic SupserResolution)を利用した光磁気記録媒体の提案がなされており、実用化されているものとしてGIGAMOが挙げられる。さらなる線記録密度向上が可能な媒体として、DWDDやMAMMOSが提案されている。これらの媒体は、光磁気記録媒体であり、材料として希土類−遷移金属非晶質合金が用いられている。
【0004】
これらの媒体のメモリ層(情報を保存する役割をする磁性層)に用いられる材料として、小さい磁区すなわち小さな記録マークでも安定に記録可能な垂直磁気異方性の大きなTbFeCoが用いられている。この磁性層は一般的にスパッタリングにより形成されている。スパッタ装置では、形成しようとする膜の構成元素からなるターゲットが用意され、そのターゲット上に発生させたプラズマによりターゲットから原子を弾き飛ばして基板に付着させ、膜を形成する。一般的なスパッタ装置では、ターゲットに対向する位置に複数の基板を装着した基板ホルダーを配置し、基板ホルダーを自転あるいは自公転させながらスパッタを行なっている。生産用の場合、スパッタ装置の小型化、低コスト化の観点から枚葉式スパッタ装置が生産に用いられている。市販されている装置として、ユナクシス社のスプリンターやアルバック社のSMOがある。これらの装置で前記メモリ層を形成する場合は、ターゲットとして合金ターゲットが用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、前述のDWDDのように小さなマークを記録する媒体に枚葉式スパッタ装置で合金ターゲットにより形成された各層を採用した媒体を作成し、評価を行った。例として本発明者提案の図5に示すような特開平6−290496号公報に開示されている光磁気記録媒体(DWDD媒体)を作成した。その際、第1磁性層(移動層と呼ぶ)としてGdFeCo膜を、第2磁性層(スイッチング層と呼ぶ)としてTbFe膜を、第3磁性層(メモリ層と呼ぶ)としてTbFeCo膜をそれぞれ30nm、10nm、80nm形成した。成膜後、波長405nm、NA0.85の光ヘッドを有する装置で膜面側からランド部にトラッキングを掛けながら、レーザー光を照射してランド部の磁気特性を消失する処理(アニール処理という)を行った。そして、この上に耐摺動性に優れた磁界変調用紫外線硬化樹脂を設けた。この媒体を波長650nm、NA0.65の光ヘッドを有する光ディスク評価装置で記録再生特性を評価した。線速2.4m/s、記録マーク長0.15μのトーン信号を磁界変調記録方式で記録し、再生してジッター値を測定した。ジッター値は、5nsで実用には問題があるレベルで、しかも、再生劣化という最適再生パワーで同じトラックを照射している内にジッターが悪くなるという問題があった。これはメモリ層の不安定性に起因するものである。これに対して、近年特開平11−200042号公報に開示されているようにメモリ層の安定性を高めるため希土類主体の層と遷移金属主体の層とが交互に積層された膜(マルチレイヤー層)が提案されている。そこで、本発明者は、スパッタ装置の低コスト化及び省設置スペース化のため、該マルチレイヤー層形成を前述の枚葉式スパッタ装置への適用を検討してきた。装置コスト及び設置スペースの観点から装置の多チャンバー化を抑制するため及び組成の選択自由度を持たせるため、及び組成の制御性を確保するため、Tb系の材料を成膜するスパッタ室P3(図3)にはTbターゲット、Feターゲット、Coターゲット及び添加元素たとえばCrで構成されるターゲットの4個のターゲットを配置して成膜検討を行なった。マルチレイヤー形成可能な基板ホルダーとして,自公転可能なホルダーを用いた。ターゲットは膜厚分布がよい配置となっており、基板公転回転中心に対してターゲット中心は偏心しており等角度で同心円上に配置されている。本発明者は、上記成膜装置を用いて、前述の本発明者提案の図5に示すような特開平6−290496号公報に開示されている光磁気記録媒体(DWDD媒体)の作成及びプロセス検討を試みた。図2に示すように当初Tbターゲットに隣接してFeターゲットを配置して、前述のDWDD膜を形成し、光磁気記録媒体を作成し特性を評価していた。本発明者提案の特開平6−290496号公報に開示されているように第1磁性層を別のチャンバーP2で形成し,第2磁性層及び第3磁性層を前述のP3で形成していた。下地層及び上地層は,窒化シリコンを形成するスパッタ室P1で形成した。その際、第1磁性層(移動層と呼ぶ)としてGdFeCo膜を、第2磁性層(スイッチング層と呼ぶ)としてTbFe膜を、第3磁性層(メモリ層と呼ぶ)としてTbFeCo膜をそれぞれ30nm、10nm、80nm形成した。成膜後、波長405nm、NA0.85の光ヘッドを有する装置で膜面側からランド部にトラッキングを掛けながら、レーザー光を照射してランド部の磁気特性を消失する処理(アニール処理という)を行った。そして、この上に耐摺動性に優れた磁界変調用紫外線硬化樹脂を設けた。このようなスパッタ装置及びプロセスで作成したDWDD媒体を、波長650nm、NA0.65の光ヘッドを有する光ディスク評価装置で記録再生特性を評価した。線速2.4m/s、記録マーク長0.15μのトーン信号を磁界変調記録方式で記録し、再生してジッター値を測定した。しかし、ジッター値は、4.6nsと実用レベルには十分ではない特性であった。実用レベルとしては、一般的に4.0ns以下が要求される。本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、コスパッタリングにより基板上に小さな記録マークが記録再生可能な多層膜を有する情報記録媒体を形成する成膜方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、情報記録媒体の情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられた基板上に、少なくとも1層の記録層を含む複数の層を有する希土類−遷移金属を使用した情報記録媒体の製造方法において、該記録層の少なくとも一つ以上の記録層が、希土類ターゲット中心軸と鉄のターゲット中心軸が基板公転回転中心軸に対して最も離れた対称な位置に配置された成膜装置により形成されたことを特徴とする情報記録媒体の製造方法により達成される。
【0007】
(作用)
上述の本発明によれば、スイッチング層あるいはメモリ層に用いられているTbFe膜あるいはTbFeCo膜を異方性が大きな膜にでき、小さなマークを安定に記録し、再生できる光磁気記録媒体が作成できる。前述の図2において説明したように従来のターゲット配置によるTbFe膜あるいはTbFeCo膜は異方性が小さく、小さなマークの記録再生が安定しない光磁気記録媒体となってしまう。これは以下の理由によるものと考えられる。
【0008】
基板がターゲットの配置されている円周上より内側にあるため、Tbターゲット及びFeターゲットを用いたコスパッタリングを行って、基板を自転及び自公転させても、Tbの原子が基板上に付着した直後あるいは付着している状態でFeの原子が基板上に付着する状態で、TbFe膜あるいはTbFeCo膜が形成される。基板が回転し、位置がずれてもこのような状態の繰り返しとなる。そのため、Tb及びFe原子が常に混ざり合っている状態で成膜され、Tb主体の層とFe主体の層が交互に積層されたマルチレイヤーにならないため、保磁力が小さくなりその結果としてMsHc積が小さくなり、小さなマークの安定性が悪くなる。DWDD媒体の場合、スイッチング層として採用しているTbFe膜には、大きな磁壁エネルギーが要求される。これは、以下の理由による。メモリ層から転写された磁壁が、移動層に転写されてレーザー光が照射されることによる昇温で生じた温度勾配により発生した磁壁が移動する駆動力が大きく、メモリ層からの磁区を移動層(第1磁性層)に転写する際にスイッチング層の磁壁エネルギーが小さいと温度上昇に伴う移動層の磁壁移動が早く始まり、磁壁抗磁力の膜面内ムラや磁壁駆動力のムラの影響を受けやすく、ジッターの値が悪く即ち再生時の信号振幅の立ち上がり位置の揺らぎが大きくなる。図1に示すような本発明のTbとFeのターゲット配置の場合、従来と異なりTbの原子が基板上に付着した直後あるいは付着している状態でFeの原子が基板上に付着する割合は少なくなった状態で、TbFe膜あるいはTbFeCo膜が形成される。この効果によりマルチレイヤーに近い状態でTbが多い層とFeが多い層との交互積層膜が形成されるため、異方性が大きくなるものと考えられる。図4に一般的に言われている垂直磁気異方性の大きさを表すMs*Hc積の温度依存性を示す。横軸は、絶対温度におけるキュリー温度で規格化した値である。これらの膜は、自転成膜により作成したものである。図4からわかるように本発明のターゲット配置により形成されたTbFe膜のMs*Hc積の方が傾きが大きい。このことはMs*Hc積が従来より大きくなっていることを示している。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した具体的な実施形態を実施例により図面に基づいて説明する。
【0010】
図1は、本発明のターゲット配置を示す模式図である。本図はターゲット個数が4個の場合であるが、3個の場合でも、TbターゲットとFeターゲットが最も離れた対称な位置に配置すればよい。さらに2個の場合でも同様にすればよい。ターゲットを取り付ける公知のマグネトロンカソードの代わりに、材料を蒸発させることが可能な蒸発源を用いてもよい。必要に応じてFeターゲットに予め添加元素やCoを添加したターゲットを用いてもよい。
【0011】
図5は、本発明の光記録媒体の一例を示す模式断面図である。基板の上に第1保護層、第1磁性層、第2磁性層、第3磁性層、第2保護層がこの順に積層されている。基板としては、樹脂、ガラス、または、金属板を用いることができる。樹脂としては、機械特性、転写性等の光ディスク基板の特性を満たす熱可塑性樹脂であれば、特に限定されず、例えば、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、アモルファスポリオレフィン等が使用可能である。金属板の場合は,光硬化型樹脂を用いて溝を形成しても良い。溝幅や溝深さは再生時や記録時に使用するレーザービームの波長、情報記録媒体の記憶容量、クロスイレース/クロスライトのパワーマージン、クロストークのマージン、基板の製造マージン等を考慮して決められる。
【0012】
第1保護層は、SiNのような公知の材料が用いられ公知のように基板からの水分や酸素等の不純物ガスによる磁性層の劣化防止と磁気光学効果のエンハンス効果のために設けられる。第2保護層は、公知のように紫外線硬化樹脂等からの不純物等による磁性層劣化防止のために設けられる。第2保護層の上に、公知の紫外線硬化樹脂を設ける。この樹脂の上に潤滑性の高い材料を設けてもよい。
【0013】
情報記録媒体の磁性層を構成する材料としては、GdFeCo、GdFe、TbFe、TbFeCo、DyFeCo等希土類−遷移金属に代表される光磁気材料等公知の材料が使える。耐食性及び磁気異方性及びキュリー温度を制御するため、Cr、Ti、Nb等の添加元素を加えてもよい。
【0014】
【発明の実施の形態】
<実施例1>
本発明の製造方法を特開平6−290496号公報に提案されている記録媒体に適用した例について説明する。この場合、記録膜として少なくとも、第1、第2、第3、第4の磁性層が順次積層されている磁性多層膜を用いる。第1及び第2の磁性層は、周囲温度近傍の温度において、第4の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さい磁性膜からなり、第3の磁性層は、第1、第2及び第4の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなり、第4の磁性層は垂直磁化膜からなっている。第2の磁性層のキュリー温度は,第1の磁性層よりも低く、第3の磁性層よりも高い。
【0015】
グルーブのピッチを0.55μm、段差(深さ)を0.06μmとし、グルーブ部の底面部に0.35μm幅の基板表面に平行な平面を有するフラット部を設けたプラスチック基板を用いた。図3に示される枚葉式スパッタ装置の自公転ホルダーに装着した。各スパッタ装置内を到達真空度:2.0×10−5Pa以下に真空排気した後、P1室にArガス及びN2ガスを導入し、SiN膜を基板を自公転させながら、35nm成膜した。引き続き真空を破らないで他のチャンバー(P2室)に移動し、第1の磁性層及び第2磁性層の構成元素からなる合金ターゲットを用いて磁性膜を成膜した。第1の磁性層としてGdFeCo層を18nm、第2の磁性層としてGdFeCr層を18nmであった。次にP3室に移動し、第3の磁性層としてTbFe層を10nm形成した。形成する際に図1に示すようにTbターゲット中心軸とFeターゲット中心軸が基板回転中心軸に対して、対称な位置にある状態でスパッタリングを行なった。第4の磁性層としてTbFeCo層を第3の磁性層を形成したスパッタ室と同じチャンバーで行ない80nm成膜した。その際,Coターゲットは、前記TbターゲットとFeターゲットとの間にあり、基板回転中心軸からの距離は、3個のターゲットとも同じであった。各磁性層の組成は、CoおよびCrの量を調整し、キュリー温度は、第1の磁性層が290℃補償温度280℃、第2の磁性層が200℃補償温度は室温以下、第3の磁性層が155℃補償温度はキュリー温度以上、第4の磁性層が320℃補償温度は100℃程度となるように設定した。最後に、上地層として前述と同様にSiN層を45nm成膜した。
【0016】
<比較例1>
実施例1において、第3及び第4の磁性層を形成する際に、Feターゲットの位置にCoターゲットを取り付け、Coターゲットの位置にFeターゲットを取り付けた以外は、実施例1と同様のサンプルを作製した。すなわち図2に示すようにTbターゲットとFeターゲットが隣接する配置となっている。
【0017】
これらのディスクを波長405nm、NA0.85の光学ヘッドをもつ評価機で膜面側からレーザー光をランド部にトラッキングを掛けながら照射してランド部をアニール処理した。アニール条件は、線速4.5m/s、アニールパワーを4.6mw〜6.2mwまで、0.1mw刻みで行い、各アニールパワーにつき20トラックずつ行なった。この後、これらのディスクを膜面上にUV硬化樹脂保護コートを形成した。
【0018】
このようにして作製した各サンプルをレーザー波長650nm、対物レンズNA0.65の光学ヘッドを持つドライブ装置にセットし、線速2.4m/sの一定速度で回転させ、半径19mmの位置で記録特性の測定を行った。摺動型磁気ヘッドにより磁界を8MHzで変調しながら、グルーブ上に記録用にDCレーザーを照射して、マーク長0.15μmの繰り返しパターンを磁界変調記録した。この信号を再生パワー2.5mWで再生し、C/Nの記録パワー依存性を各サンプルについて比較した。この際、ランド部の最適なアニールパワーは、各アニールパワーのトラックにそれぞれ記録・再生し、最もジッター値がよいアニールパワーのトラックを選択し、比較した。結果は、ジッターの値として実施例1の媒体は、4.0ns、比較例1の媒体は、4.6nsであった。
【0019】
<実施例2>
実施例1において、第3の磁性層及び第4の磁性層を形成するスパッタ室のターゲットがTb、Fe、Coの3個で、図6に示すようにTbターゲットとFeターゲットが対称な位置にあり、CoターゲットはTbターゲットとFeターゲットの間に設けられているスパッタ室で第3及び第4の磁性層を形成した以外は、実施例1と同様にして、実施例2の媒体を形成した。
【0020】
<比較例2>
実施例2において、図7に示すようにTb、Fe、Coのターゲットが等配の位置に設けられたスパッタ室を用いて、第3及び第4の磁性層を形成した以外は、実施例2と同様にして、比較例2の媒体を形成した。
【0021】
これらのディスクを実施例1と同様に膜面からアニールし、ディスク特性を評価した。結果は、ジッターの値として実施例2の媒体は、4.0ns、比較例2の媒体は、4.3nsであった。
【0022】
<実施例3>
実施例1において、図8に示すようにTbとFeCoターゲットの2個のターゲットが対称な位置に設けられたスパッタ室を用いて第4の磁性層を形成、FeCoの代わりにFeターゲットを取り付けた図8と同様なターゲット配置を示すスパッタ室を用いて第3の磁性層TbFeを形成した以外は、実施例1と同様にして実施例3の媒体を作成した。
【0023】
<比較例3>
実施例3において、図8とは異なりTbとFeCoターゲットが対称でない位置に設けられたスパッタ室を用いて第4の磁性層を、FeCoの代わりにFeターゲットを取り付けたスパッタ室を用いて第3の磁性層を形成した以外は、実施例3と同様にして比較例3の媒体を作成した。
【0024】
これらのディスクを実施例1と同様に膜面からアニールし、ディスク特性を評価した。
【0025】
結果は、ジッターの値として実施例3の媒体は、4.0ns、比較例3の媒体は、4.3nsであった。
【0026】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の第1の効果は、この結果として、高密度化可能となり、また、媒体ならびに記録装置を低コスト化することができる。
【0027】
本発明の第2の効果は、特開平6−290496号公報に開示されている光磁気記録媒体と組み合わせた場合において、コストアップすることなく、超高密度再生特性を向上させることである。
【0028】
本発明の第3の効果は微小磁区の保存性を向上させ、超高密度記録が可能な媒体を提供することできることである。
【0029】
本発明は例示した媒体に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1におけるターゲット配置図。
【図2】比較例1におけるターゲット配置図。
【図3】本発明において使用した枚葉式成膜機を示す模式図。
【図4】本発明において製造されたTbFe膜のMs*Hc積の温度依存性を示す図。
【図5】本発明において製造される光磁気記録媒体の膜構成を示す模式図。
【図6】本発明の実施例2におけるターゲット配置図。
【図7】比較例2におけるターゲット配置図。
【図8】本発明の実施例3におけるターゲット配置図。
Claims (1)
- 情報記録媒体の情報トラックの両側に、該情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられた基板上に、少なくとも1層の記録層を含む複数の層を有する希土類−遷移金属を使用した情報記録媒体の製造方法において、該記録層の少なくとも一つ以上の記録層が、希土類ターゲット中心軸と鉄を主とするターゲット中心軸が基板公転回転中心軸に対して最も離れた対称な位置に配置された成膜装置により形成されたことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
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