JP2004310042A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】線幅及び深さの互いに異なる複数の溝を有するクリシェを用意する段階と、前記複数の溝にレジストを充填する段階と、前記クリシェに充填されたレジストをローラに転写させる段階と、前記ローラに転写されたレジストパターンを基板上に転写させる段階と、を順次行うことで液晶表示素子を製造する。
【選択図】図1A
Description
図示されたように、前記液晶表示素子は、下部基板10と、上部基板20と、これらの間に形成された液晶層15と、から構成されている。
図6A乃至図6Cは、印刷方法を示した工程断面図である。
まず、図6Aに示したように、印刷パターン23が形成されたクリシェ24上にレジスト31を塗布した後、ドクターブレード(doctor blade)32を使用して、前記レジスト31が塗布されたクリシェ24の上面を平坦に掻き取ることによって、印刷パターン23が形成された領域にのみレジスト31を残し、その他の領域のレジスト31は完全に除去する。このとき、前記印刷パターン23は、線幅に関係なく全て同じ深さを有する。
図1A乃至図1Eは、本発明に係る液晶表示素子の製造方法を示した工程手順図で、プリンティング方法によるレジストパターンの形成過程を示したものである。
まず、図2Aに示したように、ガラスまたはプラスチックのような基板101を用意した後、その上部にポリマー(polymer)またはポリイミド(polyimide)のような有機物質や、Niのような金属物質を蒸着してバッファ層103を形成する。次いで、その上部に、スピンコーディング(spin coating)またはロールコーティング(roll coating)方法により、第1フォトレジスト(photoresist)420aを均一に塗布する。
その後、図3Cに示したように、前記基板230aを前記クリシェ200から外すことによって、レジストパターン206a、206bを形成する。
132、232:ドクターブレード
133:ローラ
106a、106b、206a、206b:レジストパターン
500:マスク
Claims (17)
- 線幅及び深さの互いに異なる複数の溝を有するクリシェを用意する段階と、
前記複数の溝にレジストを充填する段階と、
前記クリシェに充填されたレジストをローラに転写させる段階と、
前記ローラに転写されたレジストパターンを基板上に転写させる段階と、
を順次行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 前記複数の溝は、少なくとも2回以上のフォトリソグラフィ工程を通して形成されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記クリシェを用意する段階は、
基板を用意した後、該基板上に有機膜を積層する段階と、
前記有機膜上に第1フォトレジストを塗布した後、パターニングする段階と、
前記第1フォトレジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることによって、該有機膜に少なくとも一つの第1溝を形成する段階と、
前記第1フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記第1溝を含む有機膜の全面に第2フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第2フォトレジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることによって、該有機膜に少なくとも一つの第2溝を形成する段階と、
前記第2フォトレジストパターンを除去する段階と、
からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記有機膜は、ポリマーまたはポリイミドからなる一群より選択されることを特徴とする請求項3記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記基板は、ガラスまたはプラスチック基板であることを特徴とする請求項3記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記クリシェを用意する段階は、
基板を用意する段階と、
前記基板上に金属層を蒸着する段階と、
前記金属層上に第1フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第1フォトレジストパターンをマスクとして前記金属層をエッチングすることによって、該金属層に少なくとも一つ以上の第1溝を形成する段階と、
前記第1フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記第1溝を含む金属層上に第2フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第2フォトレジストパターンをマスクとして前記金属層をエッチングすることによって、該金属層に少なくとも一つ以上の第2溝を形成する段階と、
前記第2フォトレジストパターンを除去する段階と、
からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記クリシェに形成された複数の溝にレジストを充填する段階は、
前記クリシェの表面及び溝の内部にレジストを塗布する段階と、
ドクターブレードを使用して前記クリシェの表面に塗布されたレジストを除去する段階と、
からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記エッチング対象基板は、SiOxまたはSiNxであることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記エッチング対象基板は、少なくとも一層の金属層であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子の製造方法。
- ガラスまたはプラスチック基板を用意する段階と、
前記基板上に線幅及び深さの互いに異なる複数の溝を形成する段階と、
前記複数の溝にレジストを充填する段階と、
前記複数の溝に充填されたレジストをローラに転写させる段階と、
前記ローラに転写されたレジストをエッチング対象層に転写させる段階と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記エッチング対象層をエッチングする段階と、
を順次行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - ガラスまたはプラスチック基板を用意する段階と、
前記基板に有機膜を積層する段階と、
前記有機膜に線幅及び深さの互いに異なる複数の溝を形成する段階と、
前記複数の溝を含む有機膜上にレジストを塗布する段階と、
前記有機膜の表面をドクターブレードにより平坦に掻き取ることによって、各溝の内部にレジストを充填し、その他の領域に塗布されたレジストを除去する段階と、
前記複数の溝に充填されたレジストをローラに転写させる段階と、
前記ローラに転写されたレジストをエッチング対象基板に転写させる段階と、
を順次行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 第1基板を用意する段階と、
前記第1基板に、第1深さ及び第1線幅を有する複数の第1溝を形成する段階と、
前記第1基板に、前記第1深さより深く、且つ前記第1線幅より広い、第2深さ及び第2線幅を有する複数の第2溝を形成する段階と、
それら第1溝及び第2溝にレジストを充填する段階と、
前記第1基板を、エッチング対象基板と合着する段階と、
前記エッチング対象層に熱または圧力を印加する段階と、
前記エッチング対象基板から前記第1基板を分離させることによって、前記エッチング対象層上に、複数の第1溝及び第2溝と対応する領域に複数の第1レジストパターン及び第2レジストパターンを形成し、前記第1レジストパターンの第1厚さは、前記第2レジストパターンの第2厚さより薄く形成する段階と、
を順次行うことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 前記第1レジストパターンの第1線幅は、前記第2レジストパターンの第2線幅より狭いことを特徴とする請求項12記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記第1レジストパターンの第1厚さは、前記第1溝の深さと同じであり、前記第2レジストパターンの第2厚さは、前記第2溝の深さと同じであることを特徴とする請求項13記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記レジストを充填する段階は、
前記複数の第1及び第2溝が形成された第1基板にレジストを塗布する段階と、
ドクターブレードを使用して前記第1基板の表面に塗布されたレジストを除去する段階と、
からなることを特徴とする請求項12記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記エッチング対象基板は、少なくとも一層のSiOxまたはSiNxを含むことを特徴とする請求項12記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記エッチング対象基板は、少なくとも一層の金属層を含むことを特徴とする請求項12記載の液晶表示素子の製造方法。
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