JP2004309168A - 放射線撮影装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】放射線撮影装置の高温保存時における蛍光体層の層間剥離を防止する構成を提供する。
【解決手段】プラスチック基材A、電磁シールド層1、プラスチック基材B、蛍光体層3、接着層10、光電変換センサ部9、ガラス基板4を順次積層し、基材Aと基材Bを延伸プラスチック材料から構成し、基材Aの延伸方向と基材Bの延伸方向の位相を略90度ずらして積層する。この構成により、装置を高温状態に放置しても延伸プラスチック基材A及び基材Bの熱膨張量とガラス基板4の熱膨張量の差異によって発生する応力が分散され、蛍光体の層間剥離を防止できる。
【選択図】 図1
【解決手段】プラスチック基材A、電磁シールド層1、プラスチック基材B、蛍光体層3、接着層10、光電変換センサ部9、ガラス基板4を順次積層し、基材Aと基材Bを延伸プラスチック材料から構成し、基材Aの延伸方向と基材Bの延伸方向の位相を略90度ずらして積層する。この構成により、装置を高温状態に放置しても延伸プラスチック基材A及び基材Bの熱膨張量とガラス基板4の熱膨張量の差異によって発生する応力が分散され、蛍光体の層間剥離を防止できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線を用いて画像を撮影する放射線撮影装置、特に、高温保存耐久性に優れた放射線撮影装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、増感紙とフィルムの組合せを用いた増感紙−フィルム系によるX線写真撮影法に代わって、新しい放射線撮影法である蛍光板と光電変換撮像素子とを用いたデジタルラジオグラフィによるX線撮影装置が実用化されている。
【0003】
このようなデジタルラジオグラフィによるX線撮影装置には、放射線を可視光に変換する放射線変換シートが用いられている。放射線変換シートとしては、例えば、プラスチック基板上に蛍光体粒子とバインダ樹脂を混合してなる蛍光体層を形成したデジタルX線撮影用放射線変換シートが特開平11−305000号公報、及び特開2000−155198号公報に開示されている。また、蛍光体層を形成する基板としては、安価で耐溶剤性に優れた2軸延伸基板が用いられている。
【0004】
一方、光電変換撮像素子はガラス基板上に薄膜トランジスタや電気配線を含む画素(一辺の大きさが50〜300μm)を2次元的に配置して形成されている。更に、光電変換撮像素子の周囲には、情報の読み取りのためのICが配置されている(特開平10−341013号公報)。
【0005】
また、特開平10−341013号公報には、光電変換撮像素子の外来ノイズの対策として、光電変換素子の表面にX線可視光線変換素子(放射線変換シート)を積層した後、X線可視光線変換素子を形成した基板の蛍光体形成面と反対の表面に導電部材を貼り合わせる技術が開示されている。導電部材として、アルミ箔に2軸延伸ポリエステルが積層した材料が知られている。
【0006】
蛍光体層を形成する基材Aとして、一般に安価で耐溶剤性に優れた延伸高分子フィルムが用いられている。
【0007】
デジタルX線撮影装置の蛍光体はX線光変換効率を高くするため、蛍光体層内の粒子蛍光体のバインダポリマーの含有率を極力少なくしている。 蛍光体層の厚さが200μm、基材Aの厚さは100〜250μm程度である。電磁シールド材料は延伸高分子材料(基材B)(厚さ25〜100μm)に金属箔(厚さ10〜100μm)をラミネートした構造を有している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、光電変換撮像素子が形成されたガラス基板に基材Aに形成された蛍光体層及び基材Bに形成された電磁シールド層をそれぞれ接着剤を介して積層したデジタルX線撮影装置を60℃の高温に数時間放置すると、蛍光体層の内部で蛍光体の層間剥離が発生する場合があった。
【0009】
これは、光電変換撮像素子が形成されたガラス基板の熱膨張係数は10−6 のオーダであり、一方、プラスチック基材A、Bの熱膨張係数は10−5のオーダーであるため、約10倍の熱膨張係数の差異が発生し、凝集力の弱い蛍光体層内で層間剥離が発生するからである。
【0010】
そこで、基材A、基材Bを熱膨張係数の低いガラス基板にすると、X線の透過率が低くなり、撮影画質が低下してしまう。また、光電変換撮像素子の基板をプラスチックにすると、半導体薄膜からなる多層の光電変換撮像素子をプラスチック基板に積層する場合に、光電変換撮像素子形成過程で基板の反りが大きくなり、微細パターンの形成が困難となる問題があった。
【0011】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたもので、その目的は、画質の低下等がなく、簡単に蛍光体層内の層間剥離を防止することが可能な放射線撮影装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、少なくとも、プラスチック基材A/シールド層/プラスチック基材B/蛍光体層/接着層/光電変換撮像素子層/ガラス基板が順次積層され、且つ、前記基材Aと前記基材Bは延伸プラスチック材料からなり、前記基材Aの延伸方向と前記基材Bの延伸方向の位相が、略90度ずらして積層されていることを特徴とする。
【0013】
また、本発明は、前記基材A及び基材Bの材料は2軸延伸ポリエチレンテレフタレートからなることを含んでいる。
【0014】
更に、本発明は、少なくとも、プラスチック基材A/シールド層/プラスチック基材B/蛍光体層/接着層/光電変換撮像素子層/ガラス基板が順次積層され、且つ、前記基材Aと基材Bは延伸プラスチック材料からなり、前記光電変換撮像素子層上に複数の光電変換撮像素子が平面に配列された放射線撮影装置において、前記プラスチック基材A/シールド層/プラスチック基材B/蛍光体層/接着層/光電変換撮像素子層/ガラス基板が長方形形状に形成されていることを含んでいる。
【0015】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明による放射線撮影装置の一実施形態の構成を示す模式的断面図である。図中4はガラス基板であり、ガラス基板4上には光電変換撮像素子を二次元に形成した光電変換センサ部9が形成されている。
【0016】
光電変換センサ部9上には、蛍光体層3を延伸プラスチック材料(基材A)の表面に形成した蛍光板が、接着剤(可視光線透明接着剤)10を用いて接合されている。基材Aは白色反射層である。更に、基材A上には、金属箔からなる電磁シールド層1を延伸プラスチック材料(基材B)7の表面にラミネートした電磁シールド板が、接着剤6を用いて接合されている。基材Bは電磁シールド層1を保護するための保護層であり、絶縁層である。なお、8はアース端子、11は光電変換撮像素子の信号を読み取る等のIC回路基板である。
【0017】
ここで、ガラス基板4上に光電変換センサ部9を形成した光電変換基板、基材A上に蛍光体層3を形成した蛍光板、基材B上に電磁シールド層1を形成した電磁シールド板を接着剤6や接着剤10を用いて積層する過程において、基材Aの延伸方向と基材Bの延伸方向が90°ずらして積層されている。
【0018】
延伸プラスチック材料はロールシート状に製造され、延伸方向(MD方向)と無延伸方向(TD方向)を有しており、延伸方向の熱膨張係数は無延伸方向の熱膨張係数よりも小さい。なお、放射線としてX線を用いているが、α線、β線、γ線等を用いることも可能である。
【0019】
本実施形態では、基材A、基材Bの無延伸方向(TD方向)を平面方向で90°ずらす事によって、放射線撮影装置を40℃以上の高温状態に放置した場合においても、延伸プラスチック基材A及び基材Bの熱膨張量とガラス基板4の熱膨張量の差異によって発生する応力が分散され、蛍光体の層間剥離を防止できる。
【0020】
一方、基材Aと基材Bの延伸方向が同じになるように、光電変換撮像素子が形成されたガラス基板4上に積層すると、ガラス基板4とプラスチック基材A及びBとの熱膨張の差異が無延伸方向(TD方向)で大きくなり、平面光電変センサ基板の一方に応力が集中するため、蛍光体層の層間剥離の問題が生じる。
【0021】
延伸プラスチック基材A、Bとしては、ポリエチレンテレフタレート、ナイロンポリプロピレン、ポリスルフォンを用いる事ができる。特に、耐溶剤性に優れたポリエチレンテレフタレート、ポリスルフォンが好ましい。延伸プラスチック基材A、Bの厚さはX線の透過率を妨げないために1mm以下が好ましい。
【0022】
更には、延伸プラスチック基材A、Bの厚さは、ガラス基板4との熱膨張係数の差異によって発生する蛍光体層3への応力を緩和するため、それぞれ250μm以下が好ましい。厚さが25μm以下になると、積層工程の取り扱いで樹脂表面についた傷が蛍光体層3又は電磁シールド層1に到達し、X線画像に「傷」が現われ、欠陥が生じることがある。
【0023】
放射線変換シートとして用いる蛍光体としては、Gd2O2S:Tb、Y2O2S:Tb、(Gd,Y)2O2S:Tb、La2O2S:Tb、(Gd,Y)2O2S:Tb:Tm、GdTaO4:Tb、Gd2O3・Ta2O5・B2O3:Tb、CaWO4、BaSO4:Pb、LaOBr:Tm、LaOBr:Tb、HfO2:Ti、HfP2O7:CU、CdWO4、YTaO4、YTaO4:Tm、YTaO4:Nb、ZnS:Ag、BaFCl:EuのようなX線励起により高効率な瞬時発光を呈する蛍光体であればいずれも使用できる。
【0024】
一方、輝尽性を利用したイメージングプレート用の放射線撮影用放射線変換シートとしての蛍光体層として使用する場合は、BaFBr:Eu2+、BaFI:Eu2+、BaF(Br,I):Eu2+、ZnS:Cu,Pb、BaO・xAl2O3:Eu2+(但し、0.8≦x≦10)、La2O2S:EU,Sm、SrS:EU,Sm等を始めとする輝尽性蛍光体が使用できる。
【0025】
結合剤としては、硝化綿以外に酢酸セルロース、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、綿状ポリエステル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリアルキル(メタ)アクリレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、ゼラチン等、放射線変換シートの結合剤として知られているものであれば、特に制限はない。
【0026】
バインダポリマーの添加量は1〜10重量%である。蛍光体層の発光量を維持するため、バインダー量は極力小さく設定されている。
【0027】
次に、蛍光板を製造する方法としては、先ず、粒子状蛍光体を硝化綿を始めとする結合剤と共に所定量混合し、これに有機溶剤を加えて適当な粘度の蛍光体塗布液を調製する。この塗布液をロールコーターやドクターブレードコート等によって樹脂基材Aの上に塗布し、その後、乾燥させて蛍光体を形成する。また、塗布、乾燥する工程を繰り返して複数の蛍光体層を形成する場合もある。
【0028】
電磁シールド層1の導電性材料としては、厚さが5μm〜100μmの金属、金属合金、導電性有機物質が好ましい。厚さが1μm以下では電気ノイズの防止効果が低く、100μm以上ではX線の吸収が大きくなり、放射線変換シートへ入射するX線の線量が低下し、放射線撮影装置の感度が低下するからである。導電性材料層としては、X線の透過率が大きい方が好ましい。
【0029】
金属材料としてはマグネシュウム及びマグネシュウム合金、アルミニウム、及びアルミ合金がX線の吸収率が低いので好ましい。電磁シールド層1を導電性有機物質とする場合には、導電性カーボンフィルムを用いることができる。
【0030】
更に、光電変換撮像素子に用いる放射線変換シートの導電性材料層としては、蛍光体層から発生する以外の光、即ち、外部から入射する光が蛍光体層を通過することを遮断する遮光材の効果があることが好ましい。光電変換撮像素子に蛍光体層から発生する光以外の光が入ると、撮影ノイズとして検出されるからである。
【0031】
電磁シールド層1が遮光材として機能する場合には、導電性材料層の可視光線透過率は1%以下、好ましくは0.1%以下が好ましい。
【0032】
また、接着剤10としては、光学的に透明な熱硬化樹脂、粘着材、ホットメルト接着剤、または反応性ホットメルト接着剤が用いられる。波長400〜700nmの光を80%以上透過する接着剤が好ましい。80%以下であると、蛍光体から発生した光が吸収され発光効率が低下し、放射線変換シートの感度低下になるからである。電磁シールド層1はアース端子8に接続されている。
【0033】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。
【0034】
(実施例1)
実施例1では、まず、光電変換基板として、ガラスサイズ460mmX460mm、厚さ1mmのガラス基板の一方の表面上に複数の光電変換撮像素子を2次元的に形成した。
【0035】
また、蛍光板の基材Aとして、酸化チタンを20重量%含有した厚さ188μmのポリエチレンテレフタレートシートを用いた。
【0036】
延伸方向(MD)の熱膨張係数は、1.2×10−5mm/mm/℃
無延伸方向(TD)の熱膨張係数は、1.6×10−5mm/mm/℃
であった。
【0037】
更に、基材Aの表面に塗布する塗布液として、平均粒子径が5μmである、Gd2O2S:Tb蛍光体10重量部、ポリビニルブチラール(結合剤)2重量部及び酢酸エチル(有機溶媒)を2重量部混合し、蛍光体塗布液Aを調製した。
【0038】
次に、平均粒子径が8μmである、Gd2O2S:Tb蛍光体10重量部、ポリビニルブチラール(結合剤)2重量部及び酢酸エチル(有機溶媒)を2重量部混合し、蛍光体塗布液Bを調製した。
【0039】
上記蛍光体層塗布基板Aの表面に、蛍光体塗布液Aを用い、塗布乾燥後の蛍光体塗布重量が30mg/cm2となるようにナイフコータで均一に塗布し、乾燥させて蛍光体を形成した。次に、蛍光体塗布液Bを用い、塗布乾燥後の蛍光体塗布重量が50mg/cm2となるようにナイフコータで均一に塗布し、乾燥させて蛍光体を形成した。全体の蛍光体の塗布重量は80mg/cm2となった。溶剤の乾燥は70℃、10分行うことで蛍光板が得られた。
【0040】
この蛍光板を接着剤10(日東電工性粘着材CS9611)を用いて光電変換センサ部9の表面に積層した。
【0041】
更に、電磁シールド層1として、厚さ100μmの透明ポリエチレンテレフタレートからなる基材Bの一方の表面に厚さ40μmのアルミ箔をドライラミネートした電磁シールド材を準備した。基材BのMD方向を基材AのTD方向に対応するように接着剤6(日東電工CS9611)を用いて基材Aの上に積層した。また、アース線8を接続し、図1に示すように外来ノイズの耐性があるデジタルX線撮影装置を作製した。光電変換センサ部9の周辺には、光電変換撮像素子の信号を読み取る等のIC回路基板11を配置した。
【0042】
(実施例2)
実施例1の基材Aを厚さ125μmの2軸延伸ポリスルフォン、基材Bを厚さ50μmの2軸延伸ポリスルフォンとする以外は実施例1と同様にデジタルX線撮影装置を作製した。
【0043】
(実施例3)
実施例3では実施例1と光電変換基板、蛍光体、電磁シールド材等のサイズを異なせてX線撮影装置を作製した。サイズの違い以外は実施例1と同様である。具体的には、ガラス基板(サイズを460mmX360mm、厚さ1mm)の一方の表面上に2次元的に複数の光電変換撮像素子を形成して光電変換基板を形成した。また、実施例1の蛍光板をサイズ420mm×320mmとした。この際、長辺(420mm)側がMD方向になるようにした。
【0044】
更に、接着剤10を用いて光電変換センサ部の表面に蛍光板を積層した。また、実施例1の構成の電磁シールド材を420mmX320mmとした。この際、320mm側がMD方向、420mm側がTD方向になるようにした。更に、基材Aと基材BのTD方向とMD方向が対応するように電磁シールド板を蛍光板の上に積層してデジタルX線撮影装置を作製した。
【0045】
(比較例1)
実施例1の基材Aと基材BのTD方向またはMD方向が同じ平面になるように積層しデジタルX線撮影装置を作製した。この基材A、Bの方向の違い以外は実施例1と同様に作製した。
【0046】
(比較例2)
実施例3の基材Aと基材BのTD、MD方向が同じ平面になるように積層しデジタルX線撮影装置を作製した。それ以外は実施例3と同様である。
【0047】
図2は実施例1〜3及び比較例1〜2で得られたデジタルX線撮影装置を用いて60℃の保存耐久テストを24時間行った結果を示す。このテストでは蛍光体内の層間剥離の発生確率を測定した。図2から明らかなように実施例1〜3では層間剥離の発生は確認されなかった。一方、比較例1では30%、比較例2では60%の層間剥離が確認され、本発明による層間剥離防止効果を確認できた。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高温放置下においても蛍光体層の層間剥離を防止でき、耐熱性に優れた放射線撮影装置を実現できる。また、蛍光体のバインダ量を低減しても、蛍光体層の層間剥離が発生しないため、バインダ量を減少させて、蛍光体層の発光量を高める事が可能となる。更に、電磁波ノイズによる画像欠陥を少なくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の放射線撮影装置の一実施形態の構成を示す模式的断面図である。
【図2】本発明の実施例と比較例の高温耐久テスト結果を示す図である。
【符号の説明】
1 電磁シールド層(導電部材)
2 基材A
3 蛍光体層
4 ガラス基板
5 X線(放射線)
6 接着剤(粘着材)
7 基材B
8 アース端子
9 光電変換センサ部
10 接着剤(粘着材)
11 IC回路基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線を用いて画像を撮影する放射線撮影装置、特に、高温保存耐久性に優れた放射線撮影装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、増感紙とフィルムの組合せを用いた増感紙−フィルム系によるX線写真撮影法に代わって、新しい放射線撮影法である蛍光板と光電変換撮像素子とを用いたデジタルラジオグラフィによるX線撮影装置が実用化されている。
【0003】
このようなデジタルラジオグラフィによるX線撮影装置には、放射線を可視光に変換する放射線変換シートが用いられている。放射線変換シートとしては、例えば、プラスチック基板上に蛍光体粒子とバインダ樹脂を混合してなる蛍光体層を形成したデジタルX線撮影用放射線変換シートが特開平11−305000号公報、及び特開2000−155198号公報に開示されている。また、蛍光体層を形成する基板としては、安価で耐溶剤性に優れた2軸延伸基板が用いられている。
【0004】
一方、光電変換撮像素子はガラス基板上に薄膜トランジスタや電気配線を含む画素(一辺の大きさが50〜300μm)を2次元的に配置して形成されている。更に、光電変換撮像素子の周囲には、情報の読み取りのためのICが配置されている(特開平10−341013号公報)。
【0005】
また、特開平10−341013号公報には、光電変換撮像素子の外来ノイズの対策として、光電変換素子の表面にX線可視光線変換素子(放射線変換シート)を積層した後、X線可視光線変換素子を形成した基板の蛍光体形成面と反対の表面に導電部材を貼り合わせる技術が開示されている。導電部材として、アルミ箔に2軸延伸ポリエステルが積層した材料が知られている。
【0006】
蛍光体層を形成する基材Aとして、一般に安価で耐溶剤性に優れた延伸高分子フィルムが用いられている。
【0007】
デジタルX線撮影装置の蛍光体はX線光変換効率を高くするため、蛍光体層内の粒子蛍光体のバインダポリマーの含有率を極力少なくしている。 蛍光体層の厚さが200μm、基材Aの厚さは100〜250μm程度である。電磁シールド材料は延伸高分子材料(基材B)(厚さ25〜100μm)に金属箔(厚さ10〜100μm)をラミネートした構造を有している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、光電変換撮像素子が形成されたガラス基板に基材Aに形成された蛍光体層及び基材Bに形成された電磁シールド層をそれぞれ接着剤を介して積層したデジタルX線撮影装置を60℃の高温に数時間放置すると、蛍光体層の内部で蛍光体の層間剥離が発生する場合があった。
【0009】
これは、光電変換撮像素子が形成されたガラス基板の熱膨張係数は10−6 のオーダであり、一方、プラスチック基材A、Bの熱膨張係数は10−5のオーダーであるため、約10倍の熱膨張係数の差異が発生し、凝集力の弱い蛍光体層内で層間剥離が発生するからである。
【0010】
そこで、基材A、基材Bを熱膨張係数の低いガラス基板にすると、X線の透過率が低くなり、撮影画質が低下してしまう。また、光電変換撮像素子の基板をプラスチックにすると、半導体薄膜からなる多層の光電変換撮像素子をプラスチック基板に積層する場合に、光電変換撮像素子形成過程で基板の反りが大きくなり、微細パターンの形成が困難となる問題があった。
【0011】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたもので、その目的は、画質の低下等がなく、簡単に蛍光体層内の層間剥離を防止することが可能な放射線撮影装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、少なくとも、プラスチック基材A/シールド層/プラスチック基材B/蛍光体層/接着層/光電変換撮像素子層/ガラス基板が順次積層され、且つ、前記基材Aと前記基材Bは延伸プラスチック材料からなり、前記基材Aの延伸方向と前記基材Bの延伸方向の位相が、略90度ずらして積層されていることを特徴とする。
【0013】
また、本発明は、前記基材A及び基材Bの材料は2軸延伸ポリエチレンテレフタレートからなることを含んでいる。
【0014】
更に、本発明は、少なくとも、プラスチック基材A/シールド層/プラスチック基材B/蛍光体層/接着層/光電変換撮像素子層/ガラス基板が順次積層され、且つ、前記基材Aと基材Bは延伸プラスチック材料からなり、前記光電変換撮像素子層上に複数の光電変換撮像素子が平面に配列された放射線撮影装置において、前記プラスチック基材A/シールド層/プラスチック基材B/蛍光体層/接着層/光電変換撮像素子層/ガラス基板が長方形形状に形成されていることを含んでいる。
【0015】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明による放射線撮影装置の一実施形態の構成を示す模式的断面図である。図中4はガラス基板であり、ガラス基板4上には光電変換撮像素子を二次元に形成した光電変換センサ部9が形成されている。
【0016】
光電変換センサ部9上には、蛍光体層3を延伸プラスチック材料(基材A)の表面に形成した蛍光板が、接着剤(可視光線透明接着剤)10を用いて接合されている。基材Aは白色反射層である。更に、基材A上には、金属箔からなる電磁シールド層1を延伸プラスチック材料(基材B)7の表面にラミネートした電磁シールド板が、接着剤6を用いて接合されている。基材Bは電磁シールド層1を保護するための保護層であり、絶縁層である。なお、8はアース端子、11は光電変換撮像素子の信号を読み取る等のIC回路基板である。
【0017】
ここで、ガラス基板4上に光電変換センサ部9を形成した光電変換基板、基材A上に蛍光体層3を形成した蛍光板、基材B上に電磁シールド層1を形成した電磁シールド板を接着剤6や接着剤10を用いて積層する過程において、基材Aの延伸方向と基材Bの延伸方向が90°ずらして積層されている。
【0018】
延伸プラスチック材料はロールシート状に製造され、延伸方向(MD方向)と無延伸方向(TD方向)を有しており、延伸方向の熱膨張係数は無延伸方向の熱膨張係数よりも小さい。なお、放射線としてX線を用いているが、α線、β線、γ線等を用いることも可能である。
【0019】
本実施形態では、基材A、基材Bの無延伸方向(TD方向)を平面方向で90°ずらす事によって、放射線撮影装置を40℃以上の高温状態に放置した場合においても、延伸プラスチック基材A及び基材Bの熱膨張量とガラス基板4の熱膨張量の差異によって発生する応力が分散され、蛍光体の層間剥離を防止できる。
【0020】
一方、基材Aと基材Bの延伸方向が同じになるように、光電変換撮像素子が形成されたガラス基板4上に積層すると、ガラス基板4とプラスチック基材A及びBとの熱膨張の差異が無延伸方向(TD方向)で大きくなり、平面光電変センサ基板の一方に応力が集中するため、蛍光体層の層間剥離の問題が生じる。
【0021】
延伸プラスチック基材A、Bとしては、ポリエチレンテレフタレート、ナイロンポリプロピレン、ポリスルフォンを用いる事ができる。特に、耐溶剤性に優れたポリエチレンテレフタレート、ポリスルフォンが好ましい。延伸プラスチック基材A、Bの厚さはX線の透過率を妨げないために1mm以下が好ましい。
【0022】
更には、延伸プラスチック基材A、Bの厚さは、ガラス基板4との熱膨張係数の差異によって発生する蛍光体層3への応力を緩和するため、それぞれ250μm以下が好ましい。厚さが25μm以下になると、積層工程の取り扱いで樹脂表面についた傷が蛍光体層3又は電磁シールド層1に到達し、X線画像に「傷」が現われ、欠陥が生じることがある。
【0023】
放射線変換シートとして用いる蛍光体としては、Gd2O2S:Tb、Y2O2S:Tb、(Gd,Y)2O2S:Tb、La2O2S:Tb、(Gd,Y)2O2S:Tb:Tm、GdTaO4:Tb、Gd2O3・Ta2O5・B2O3:Tb、CaWO4、BaSO4:Pb、LaOBr:Tm、LaOBr:Tb、HfO2:Ti、HfP2O7:CU、CdWO4、YTaO4、YTaO4:Tm、YTaO4:Nb、ZnS:Ag、BaFCl:EuのようなX線励起により高効率な瞬時発光を呈する蛍光体であればいずれも使用できる。
【0024】
一方、輝尽性を利用したイメージングプレート用の放射線撮影用放射線変換シートとしての蛍光体層として使用する場合は、BaFBr:Eu2+、BaFI:Eu2+、BaF(Br,I):Eu2+、ZnS:Cu,Pb、BaO・xAl2O3:Eu2+(但し、0.8≦x≦10)、La2O2S:EU,Sm、SrS:EU,Sm等を始めとする輝尽性蛍光体が使用できる。
【0025】
結合剤としては、硝化綿以外に酢酸セルロース、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、綿状ポリエステル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリアルキル(メタ)アクリレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、ゼラチン等、放射線変換シートの結合剤として知られているものであれば、特に制限はない。
【0026】
バインダポリマーの添加量は1〜10重量%である。蛍光体層の発光量を維持するため、バインダー量は極力小さく設定されている。
【0027】
次に、蛍光板を製造する方法としては、先ず、粒子状蛍光体を硝化綿を始めとする結合剤と共に所定量混合し、これに有機溶剤を加えて適当な粘度の蛍光体塗布液を調製する。この塗布液をロールコーターやドクターブレードコート等によって樹脂基材Aの上に塗布し、その後、乾燥させて蛍光体を形成する。また、塗布、乾燥する工程を繰り返して複数の蛍光体層を形成する場合もある。
【0028】
電磁シールド層1の導電性材料としては、厚さが5μm〜100μmの金属、金属合金、導電性有機物質が好ましい。厚さが1μm以下では電気ノイズの防止効果が低く、100μm以上ではX線の吸収が大きくなり、放射線変換シートへ入射するX線の線量が低下し、放射線撮影装置の感度が低下するからである。導電性材料層としては、X線の透過率が大きい方が好ましい。
【0029】
金属材料としてはマグネシュウム及びマグネシュウム合金、アルミニウム、及びアルミ合金がX線の吸収率が低いので好ましい。電磁シールド層1を導電性有機物質とする場合には、導電性カーボンフィルムを用いることができる。
【0030】
更に、光電変換撮像素子に用いる放射線変換シートの導電性材料層としては、蛍光体層から発生する以外の光、即ち、外部から入射する光が蛍光体層を通過することを遮断する遮光材の効果があることが好ましい。光電変換撮像素子に蛍光体層から発生する光以外の光が入ると、撮影ノイズとして検出されるからである。
【0031】
電磁シールド層1が遮光材として機能する場合には、導電性材料層の可視光線透過率は1%以下、好ましくは0.1%以下が好ましい。
【0032】
また、接着剤10としては、光学的に透明な熱硬化樹脂、粘着材、ホットメルト接着剤、または反応性ホットメルト接着剤が用いられる。波長400〜700nmの光を80%以上透過する接着剤が好ましい。80%以下であると、蛍光体から発生した光が吸収され発光効率が低下し、放射線変換シートの感度低下になるからである。電磁シールド層1はアース端子8に接続されている。
【0033】
【実施例】
次に、本発明の実施例について説明する。
【0034】
(実施例1)
実施例1では、まず、光電変換基板として、ガラスサイズ460mmX460mm、厚さ1mmのガラス基板の一方の表面上に複数の光電変換撮像素子を2次元的に形成した。
【0035】
また、蛍光板の基材Aとして、酸化チタンを20重量%含有した厚さ188μmのポリエチレンテレフタレートシートを用いた。
【0036】
延伸方向(MD)の熱膨張係数は、1.2×10−5mm/mm/℃
無延伸方向(TD)の熱膨張係数は、1.6×10−5mm/mm/℃
であった。
【0037】
更に、基材Aの表面に塗布する塗布液として、平均粒子径が5μmである、Gd2O2S:Tb蛍光体10重量部、ポリビニルブチラール(結合剤)2重量部及び酢酸エチル(有機溶媒)を2重量部混合し、蛍光体塗布液Aを調製した。
【0038】
次に、平均粒子径が8μmである、Gd2O2S:Tb蛍光体10重量部、ポリビニルブチラール(結合剤)2重量部及び酢酸エチル(有機溶媒)を2重量部混合し、蛍光体塗布液Bを調製した。
【0039】
上記蛍光体層塗布基板Aの表面に、蛍光体塗布液Aを用い、塗布乾燥後の蛍光体塗布重量が30mg/cm2となるようにナイフコータで均一に塗布し、乾燥させて蛍光体を形成した。次に、蛍光体塗布液Bを用い、塗布乾燥後の蛍光体塗布重量が50mg/cm2となるようにナイフコータで均一に塗布し、乾燥させて蛍光体を形成した。全体の蛍光体の塗布重量は80mg/cm2となった。溶剤の乾燥は70℃、10分行うことで蛍光板が得られた。
【0040】
この蛍光板を接着剤10(日東電工性粘着材CS9611)を用いて光電変換センサ部9の表面に積層した。
【0041】
更に、電磁シールド層1として、厚さ100μmの透明ポリエチレンテレフタレートからなる基材Bの一方の表面に厚さ40μmのアルミ箔をドライラミネートした電磁シールド材を準備した。基材BのMD方向を基材AのTD方向に対応するように接着剤6(日東電工CS9611)を用いて基材Aの上に積層した。また、アース線8を接続し、図1に示すように外来ノイズの耐性があるデジタルX線撮影装置を作製した。光電変換センサ部9の周辺には、光電変換撮像素子の信号を読み取る等のIC回路基板11を配置した。
【0042】
(実施例2)
実施例1の基材Aを厚さ125μmの2軸延伸ポリスルフォン、基材Bを厚さ50μmの2軸延伸ポリスルフォンとする以外は実施例1と同様にデジタルX線撮影装置を作製した。
【0043】
(実施例3)
実施例3では実施例1と光電変換基板、蛍光体、電磁シールド材等のサイズを異なせてX線撮影装置を作製した。サイズの違い以外は実施例1と同様である。具体的には、ガラス基板(サイズを460mmX360mm、厚さ1mm)の一方の表面上に2次元的に複数の光電変換撮像素子を形成して光電変換基板を形成した。また、実施例1の蛍光板をサイズ420mm×320mmとした。この際、長辺(420mm)側がMD方向になるようにした。
【0044】
更に、接着剤10を用いて光電変換センサ部の表面に蛍光板を積層した。また、実施例1の構成の電磁シールド材を420mmX320mmとした。この際、320mm側がMD方向、420mm側がTD方向になるようにした。更に、基材Aと基材BのTD方向とMD方向が対応するように電磁シールド板を蛍光板の上に積層してデジタルX線撮影装置を作製した。
【0045】
(比較例1)
実施例1の基材Aと基材BのTD方向またはMD方向が同じ平面になるように積層しデジタルX線撮影装置を作製した。この基材A、Bの方向の違い以外は実施例1と同様に作製した。
【0046】
(比較例2)
実施例3の基材Aと基材BのTD、MD方向が同じ平面になるように積層しデジタルX線撮影装置を作製した。それ以外は実施例3と同様である。
【0047】
図2は実施例1〜3及び比較例1〜2で得られたデジタルX線撮影装置を用いて60℃の保存耐久テストを24時間行った結果を示す。このテストでは蛍光体内の層間剥離の発生確率を測定した。図2から明らかなように実施例1〜3では層間剥離の発生は確認されなかった。一方、比較例1では30%、比較例2では60%の層間剥離が確認され、本発明による層間剥離防止効果を確認できた。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、高温放置下においても蛍光体層の層間剥離を防止でき、耐熱性に優れた放射線撮影装置を実現できる。また、蛍光体のバインダ量を低減しても、蛍光体層の層間剥離が発生しないため、バインダ量を減少させて、蛍光体層の発光量を高める事が可能となる。更に、電磁波ノイズによる画像欠陥を少なくすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の放射線撮影装置の一実施形態の構成を示す模式的断面図である。
【図2】本発明の実施例と比較例の高温耐久テスト結果を示す図である。
【符号の説明】
1 電磁シールド層(導電部材)
2 基材A
3 蛍光体層
4 ガラス基板
5 X線(放射線)
6 接着剤(粘着材)
7 基材B
8 アース端子
9 光電変換センサ部
10 接着剤(粘着材)
11 IC回路基板
Claims (1)
- 少なくとも、プラスチック基材A/シールド層/プラスチック基材B/蛍光体層/接着層/光電変換撮像素子層/ガラス基板が順次積層され、且つ、前記基材Aと前記基材Bは延伸プラスチック材料からなり、前記基材Aの延伸方向と前記基材Bの延伸方向の位相が、略90度ずらして積層されていることを特徴とする放射撮影装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003099267A JP2004309168A (ja) | 2003-04-02 | 2003-04-02 | 放射線撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004309168A true JP2004309168A (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=33463785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003099267A Pending JP2004309168A (ja) | 2003-04-02 | 2003-04-02 | 放射線撮影装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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---|---|---|---|---|
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