JP2004302380A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 - Google Patents
電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004302380A JP2004302380A JP2003098254A JP2003098254A JP2004302380A JP 2004302380 A JP2004302380 A JP 2004302380A JP 2003098254 A JP2003098254 A JP 2003098254A JP 2003098254 A JP2003098254 A JP 2003098254A JP 2004302380 A JP2004302380 A JP 2004302380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photosensitive resin
- electro
- convex lens
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【課題】透光性基板の一方の面に複数の光透過窓を備えた反射膜を有し、他方の面に複数のマイクロレンズを有する透光性反射を効率よく、かつ、安価に製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】半透過・反射型の電気光学装置のTFTアレイ基板10の表面側に光透過窓8dを備えた光透過膜8aを形成する一方、その裏面側にネガタイプの感光性樹脂16を塗布する。次に、光反射膜8aをマイクロレンズ形成用露光マスクとして表面側から感光性樹脂16を露光、現像し、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成する。次に、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成した透光性基板10′の裏面を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングし、マイクロレンズ15を形成する。
【選択図】 図8
【解決手段】半透過・反射型の電気光学装置のTFTアレイ基板10の表面側に光透過窓8dを備えた光透過膜8aを形成する一方、その裏面側にネガタイプの感光性樹脂16を塗布する。次に、光反射膜8aをマイクロレンズ形成用露光マスクとして表面側から感光性樹脂16を露光、現像し、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成する。次に、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成した透光性基板10′の裏面を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングし、マイクロレンズ15を形成する。
【選択図】 図8
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透光性基板の一方の面に複数の光透過窓を備えた反射膜を備え、他方の面に複数のマイクロレンズを有する透光性基板を用いた電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、マイクロレンズの形成技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶装置などの電気光学装置は、各種機器の直視型の表示装置として用いられている。このような電気光学装置のうち、反射モードおよび透過モードのいずれのモードでも表示を行うことのできるTFTアクティブマトリクス液晶装置では、図14に示すように、TFTアレイ基板10の表面にマトリクス状に配列された多数の画素100aの各々に、対向基板20の側から入射してきた外光を対向基板20の方に向けて反射するための光反射膜8aが透明な画素電極9aの下層側に形成されている。従って、矢印L1で示すように、対向基板20側から入射した外光をTFTアレイ基板10側で反射し、対向基板20側から出射された光によって反射モードで画像を表示する。また、光反射膜8aには、光透過窓8dが形成されており、バックライト装置から出射された光は、矢印L2で示すように、光透過窓8dを透過して液晶層に入射して対向基板20側から出射することにより透過モードでも画像を表示する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の液晶装置では、光反射膜8aおよび光透過窓8dの面積によって、反射モードでの表示光量、および透過モードでの表示光量が完全に規定されているため、一方のモードでの表示の明るさを高めると、他方のモードでの表示の明るさが犠牲になってしまい、双方のモードで表示の明るさを向上させることができないという問題点がある。
【0004】
そこで、図14に一点鎖線で示すようなマイクロレンズ15を形成しておけば、矢印L3で示すように、バックライト装置から出射された光のうち、光反射膜8aの裏面に向かう光の一部を光透過窓8dの方に向けて屈折させることができるので、反射モードでの表示光量を減少させることなく、透過モードでの表示光量を増大させることができる。しかしながら、従来から知られている技術を種々組み合わせても、このようなマイクロレンズ15を効率よく、かつ、安価に形成することができないという問題点がある。
【0005】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、透光性基板の一方の面に複数の光透過窓を備えた反射膜を有し、他方の面に複数のマイクロレンズを有する透光性反射を効率よく、かつ、安価に製造可能な方法を提供することにある。また、本発明の課題は、このような方法で製造した複数のマイクロレンズを有する透光性基板を用いて形成された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、透光性基板の第1の面および第2の面のうちの第1の面側に、複数の光透過窓を備えた反射膜を有し、前記第2の面側には前記複数の光透過窓と平面的に重なる位置の各々に当該第2の面側から凸レンズ状に張り出した複数のマイクロレンズを有する透光性基板を用いて形成される電気光学装置の製造方法であって、前記第2の面側にネガタイプの感光性樹脂を塗布するマイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程と、前記第1の面側からマイクロレンズ形成用露光マスクを介して前記ネガタイプの感光性樹脂を露光、現像して前記複数の光透過窓と平面的に重なる位置の各々に前記第2の面側から凸レンズ状に張り出した感光性樹脂層を形成する露光現像工程とを有し、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成することを特徴とする。
【0007】
本発明において、透光性基板の第1の面側に光反射膜が形成されているので、第1の面から照射された光を反射することができる。また、透光性基板の第2の面側には、光反射膜の光透過窓と平面的に重なる位置に凸レンズ状のマイクロレンズが形成されているので、第2の面側に照射された光のうち、光反射膜に向かう光をマイクロレンズで屈折させて光透過窓に向かわせることができる。それ故、反射光量を減少させることなく、透過光量を増大させることができる。また、本発明では、透光性基板の第2の面側にネガタイプの感光性樹脂を塗布しておき、この感光性樹脂を第1の面側からマイクロレンズ形成用露光マスクを介して露光、現像し、必要に応じて、現像した感光性樹脂を加熱するだけで、複数の光透過窓と平面的に重なる位置の各々に第2の面側から凸レンズ状に張り出した感光性樹脂層を形成することができる。従って、この凸レンズ状の感光性樹脂層を用いれば、マイクロレンズを効率よく、かつ、安価に形成することができる。
【0008】
例えば、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成するにあたっては、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成した前記透光性基板の前記第2の面を前記凸レンズ状の感光性樹脂層とともにエッチングする。このように構成すると、エッチング後、透光性基板の第2の面には、凸レンズ状の感光性樹脂層の形状がそのまま残り、マイクロレンズが形成されることになる。
【0009】
本発明において、前記マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程を行う前に前記透光性基板の前記第2の面側に透光性の被エッチング層を形成しておくことにより、前記マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程では、前記被エッチング層の表面に前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成し、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成するにあたっては、前記被エッチング層を前記凸レンズ状の感光性樹脂層とともにエッチングしてもよい。このように構成した場合も、エッチング後、非エッチング層によって、透光性基板の第2の面には、凸レンズ状の感光性樹脂層の形状がそのまま残り、マイクロレンズが形成されることになる。
【0010】
本発明において、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成するにあたっては、前記ネガタイプの感光性樹脂として透光性の感光性樹脂を用いることにより、前記凸レンズ状の感光性樹脂層自身によってマイクロレンズを構成してもよい。このように構成すると、ネガタイプの感光性樹脂として透光性の感光性樹脂を用いるだけで、最も少ない工程数でマイクロレンズを形成することができる。
【0011】
本発明において、前記透光性基板に対して前記光透過窓を備えた反射膜を形成した後、前記露光現像工程では、前記反射膜を前記マイクロレンズ形成用露光マスクとして前記第1の面側から前記感光性樹脂を露光することにより、前記第2の面側に前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成する。このように構成すると、マイクロレンズ形成用露光マスクとして、専用の露光マスクが不要である。また、マイクロレンズの形成位置が光透過窓の形成位置と完全一致するので、透過表示光量を増大することができる。
【0012】
本発明において、前記透光性基板に対して前記光透過窓を備えた反射膜を形成する前に、前記露光現像工程では、ポジタイプの感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術により前記光透過窓をエッチング形成するための光透過窓形成用露光マスクを前記マイクロレンズ形成用露光マスクとして用いて前記第1の面側から前記感光性樹脂を露光することにより、前記第2の面側に前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成してもよい。
【0013】
本発明を適用した複数のマイクロレンズを有する透光性基板を用いて形成される電気光学装置では、前記光反射膜によって反射モードでの表示を行うことができる一方、前記光透過窓によって透過モードでの表示を行うことができる。
【0014】
また、本発明を適用した複数のマイクロレンズを有する透光性反射を用いて、電気光学装置を構成する場合には、前記複数のマイクロレンズを有する透光性反射と、該複数のマイクロレンズを有する透光性反射の前記第1の面側に対向配置された他の透光性基板との間に電気光学物質が保持する。このように構成した電気光学装置においても、前記光反射膜によって反射モードでの表示が行うことができる一方、前記光透過窓によって透過モードでの表示を行うことができる。
【0015】
本発明を適用した電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示装置として用いることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
[実施の形態1]
(電気光学装置の基本的な構成)
図1は、本発明を適用した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図2は、図1のH−H′断面図である。図3は、電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0018】
図1および図2において、本形態の電気光学装置100(液晶装置)は、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても表示可能な半透過・反射型液晶装置である。この電気光学装置100では、TFTアレイ基板10(マイクロレンズ付き反射基板)と対向基板20(第2の基板)とがシール材52によって所定の間隔をあけて貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域(液晶封入領域)内には、電気光学物質としての液晶50が挟持されている。シール材52の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り53が形成されている。シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路101、および実装端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。TFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路104の間をつなぐための複数の配線105が設けられており、更に、周辺見切り53の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通材106が形成されている。
【0019】
電気光学装置100をカラー表示用として構成する場合には、対向基板20において、TFTアレイ基板10の各画素電極(後述する)に対向する領域にRGBのカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【0020】
また、電気光学装置100に対して、TFTアレイ基板10の側には偏光板210およびバックライト装置200が配置され、対向基板20の側には偏光板220が配置されている。
【0021】
なお、データ線駆動回路101および走査線駆動回路104をTFTアレイ基板10の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用LSIが実装されたTAB(テープ オートメイテッド、ボンディング)基板をTFTアレイ基板10の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
【0022】
このような構造を有する電気光学装置100の画像表示領域においては、図3に示すように、複数の画素100aがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素100aの各々には、画素電極9a、およびこの画素電極9aを駆動するための画素スイッチング用のTFT30が形成されており、画素信号S1、S2・・・Snを供給するデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画素信号S1、S2・・・Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2・・・Gmをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画素信号S1、S2・・・Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極9aを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、・・・Snは、図2に示す対向基板20の対向電極21との間で一定期間保持される。
【0023】
ここで、液晶50は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶50の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶50の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として電気光学装置100からは画素信号S1、S2、・・・Snに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【0024】
なお、保持された画素信号S1、S2、・・・Snがリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量60を付加することがある。例えば、画素電極9aの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量60により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置100が実現できる。なお、蓄積容量60を形成する方法としては、図3に例示するように、蓄積容量60を形成するための配線である容量線3bとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線3aとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【0025】
(TFTアレイ基板の構成)
図4は、本形態の電気光学装置に用いたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図5は、電気光学装置の画素の一部を図4のA−A′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【0026】
図4において、TFTアレイ基板10上には、複数の透明なITO(Indium Tin Oxide)膜からなる画素電極9aがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極9aに対して画素スイッチング用のTFT30がそれぞれ接続している。また、画素電極9aの縦横の境界に沿って、データ線6a、走査線3a、および容量線3bが形成され、TFT30は、データ線6aおよび走査線3aに対して接続している。すなわち、データ線6aは、コンタクトホールを介してTFT30の高濃度ソース領域1dに電気的に接続している。また、TFT30のチャネル領域1a′に対向するように走査線3aが延びている。なお、蓄積容量60(蓄積容量素子)は、画素スイッチング用のTFT30を形成するための半導体膜1の延設部分1fを導電化したものを下電極とし、この下電極41に、走査線3bと同層の容量線3bが上電極として重なった構造になっている。
【0027】
このように構成した各画素100aには、後述するように、画素電極9aの下層側に、この画素電極9aと略重なる領域に光反射膜8aが形成されている。
【0028】
画素100aのA−A′線における断面は、図5に示すように、TFTアレイ基板10の基体たる透光性基板10′の表面(第1の面側)に、厚さが300nm〜500nmのシリコン酸化膜(絶縁膜)からなる下地保護膜11が形成され、この下地保護膜11の表面には、厚さが50nm〜100nmの島状の半導体膜1aが形成されている。半導体膜1aの表面には、厚さが約50〜150nmのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜2aが形成され、このゲート絶縁膜2aの表面に、厚さが300nm〜800nmの走査線3aがゲート電極として通っている。半導体膜1aのうち、走査線3aに対してゲート絶縁膜2aを介して対峙する領域がチャネル領域1a′になっている。このチャネル領域1a′に対して一方側には、低濃度ソース領域1bおよび高濃度ソース領域1dを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域1cおよび高濃度ドレイン領域1eを備えるドレイン領域が形成されている。
【0029】
画素スイッチング用のTFT30の表面側には、厚さが300nm〜800nmのシリコン酸化膜からなる第1層間絶縁膜4、および厚さが100nm〜300nmのシリコン窒化膜からなる第2層間絶縁膜5(表面保護膜)が形成されている。第1層間絶縁膜4の表面には、厚さが300nm〜800nmのデータ線6aが形成され、このデータ線6aは、第1層間絶縁膜4に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続している。第1層間絶縁膜4の表面にはデータ線6aと同時形成されたドレイン電極6bが形成され、このドレイン電極6bは、第1層間絶縁膜4に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続している。
【0030】
第2層間絶縁膜5の上層には、有機系樹脂などの感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜13a、およびポリシラザンや有機系樹脂などからなる上層側凹凸形成膜7aがこの順に形成され、上層側凹凸形成膜7aの表面には、アルミニウム膜などからなる光反射膜8aが形成されている。この光透過膜8aは、透過モードでの表示を行うための光透過窓8dが形成された反射膜である。また、TFTアレイ基板10の裏面側(TFTアレイ基板10の第2の面側)には、各画素に形成されている光反射膜8aの光透過窓8dと平面的に重なる位置に凸レンズ状のマイクロレンズ15が形成されている。従って、TFTアレイ基板10は、マイクロレンズ付き反射基板として構成されている。
【0031】
光反射膜8aの上層には、ITO膜からなる透明な画素電極9aが形成されている。画素電極9aは、光反射膜8aの表面に直接、積層され、画素電極9aと光反射膜8aとは電気的に接続されている。また、画素電極9aは、上層側凹凸形成膜7aおよび第2層間絶縁膜5に形成されたコンタクトホール5bを介してドレイン電極6bに電気的に接続している。ここで、光反射膜8aは、コンタクトホール5b内には形成されていないが、画素電極9aに接しており、実質、画素電極9aおよびコンタクトホール5bを介してドレイン電極6bに電気的に接続している状態にある。
【0032】
画素電極9aの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜12が形成されている。この配向膜12は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【0033】
また、高濃度ドレイン領域1eからの延設部分1f(下電極)に対しては、ゲート絶縁膜2aと同時形成された絶縁膜(誘電体膜)を介して、走査線3aと同層の容量線3bが上電極として対向することにより、蓄積容量60が構成されている。
【0034】
なお、TFT30は、好ましくは上述のようにLDD構造をもつが、低濃度ソース領域1b、および低濃度ドレイン領域1cに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、TFT30は、ゲート電極(走査線3aの一部)をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のTFTであってもよい。
【0035】
また、本形態では、TFT30のゲート電極(走査線3a)をソース−ドレイン領域の間に1個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に2個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート(ダブルゲート)、あるいはトリプルゲート以上でTFT30を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも1個をLDD構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【0036】
(凹凸パターン8gの構成)
図4および図5において、TFTアレイ基板10では、各画素100aの反射領域には、光反射膜8aの表面に凸部8bおよび凹部8cを備えた凹凸パターン8gが形成されている。
【0037】
このような凹凸パターン8gを構成するにあたって、本形態のTFTアレイ基板10では、光反射膜8aの下層側のうち、光反射膜8aと平面的に重なる領域には、有機系の感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜13aが第2層間絶縁膜5の表面に複数の柱状突起(凹凸)として所定の分布をもって形成され、この下層側凹凸形成膜13aの上層には、ポリシラザンや有機系樹脂などといった流動性材料から形成された絶縁膜からなる上層側凹凸形成膜7aが積層されている。このため、反射膜8aの表面には、下層側凹凸形成膜13aの凹凸に対応する凹凸パターン8gが形成され、この凹凸パターン8gでは、上層側凹凸形成膜7aによって、下層側凹凸形成膜13aのエッジなどが出ないようになっている。 ここで、下層側凹凸形成膜13aにおいて凹凸を形成する柱状突起は、円形、あるいは略多角形の平面形状を有している。
【0038】
なお、上層側凹凸形成膜7aを形成せずに、下層側凹凸形成膜13aを形成した後、ベーク工程を行うことにより、下層側凹凸形成膜13aの凹凸(孔13b)の縁を滑らかにすることもある。
【0039】
(対向基板の構成)
図5において、対向基板20では、TFTアレイ基板10に形成されている画素電極9aの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜23が形成され、その上層側には、ITO膜からなる対向電極21が形成されている。また、対向電極21の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜22が形成され、この配向膜22は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【0040】
(本形態の作用・効果)
このように構成した電気光学装置100では、図5に矢印L2で示すように、バックライト装置(図2を参照)から出射された光のうち、光反射膜8aが形成されていない光透過窓8dに向かう光は、光透過窓8dを介して対向基板20側に透過し、表示に寄与する(透過モード)。
【0041】
また、画素電極9aの下層側には光反射膜8aが形成されているため、図5に矢印L1で示すように、対向基板20側から入射した光をTFTアレイ基板10側で反射し、対向基板20側から出射された光によって画像を表示する(反射モード)。
【0042】
また、本形態では、光反射膜8aの下層側のうち、光反射膜8aと平面的に重なる領域に下層側凹凸形成膜13aを形成し、この下層側凹凸形成膜13aに対応する凹凸を利用して、光反射膜8aの表面に光散乱用の凹凸パターン8gを形成している。また、凹凸パターン8gでは、上層側凹凸形成膜7aによって、下層側凹凸形成膜13aのエッジなどが出ないようになっている。従って、反射モードで画像を表示したとき、散乱反射光で画像を表示するため、視野角依存性が小さい。
【0043】
さらに、本形態では、TFTアレイ基板10の裏面側には、いずれに画素においても、光透過窓8dと平面的に重なる位置に凸レンズ状のマイクロレンズ15が形成されている。このため、図5に矢印L3で示すように、バックライト装置から出射された光のうち、光反射膜8aに向かう光の一部は、マイクロレンズ15によって屈折し、光透過窓8dに向かう。従って、TFTアレイ基板10の裏面側から入射した光のうち、従来なら光反射膜8aに向かうため透過モードでの表示に寄与しなかった光も、一部が光透過窓8dを抜けて表示に寄与することになる。それ故、光透過窓8dの面積を拡大させなくても、透過モードでの表示光量を増大させることができるので、反射モードでの表示の明るさを犠牲にすることなく、透過モードでの表示の明るさを向上することができる。
【0044】
(TFTアレイ基板の製造方法)
本形態に係るTFTアレイ基板10を製造する方法を、図6、図7および9を参照して説明する。但し、本形態のTFTアレイ基板10を製造するにあたって、TFT30などの製造工程は、いわゆる低温プロセスと称せられる方法が採用され、このような方法については、すでに周知であるため、本形態のTFTアレイ基板10の特徴と関連する工程のみを説明する。
【0045】
図6、図7および図8はいずれも、本形態のTFTアレイ基板11の製造方法を示す工程断面図である。なお、図6および図7には、TFT形成領域、および光反射膜形成領域の断面を示してあるが、図8には、光反射膜形成領域の断面のみを示してある。
【0046】
本形態のTFTアレイ基板10を製造するにあたっては、図6(A)に示すように、ガラス製等の透光性基板10′の表面にTFT30を形成した以降、第2層間絶縁膜5にコンタクトホール5bを形成する。
【0047】
次に、第2層間絶縁膜5の表面に、有機系の感光性樹脂13を厚めに塗布した後、感光性樹脂13を露光マスク510を介して露光する。ここで、感光性樹脂13としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図6(A)には、感光性樹脂13としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂13を除去したい部分に対して、露光マスク510の透光部分511を介して紫外線が照射される。
【0048】
次に、露光した感光性樹脂13を現像して、図6(B)に示すように、図5を参照して説明した柱状突起、およびコンタクトホール5bを備えた下層側凹凸形成膜13aを形成する。
【0049】
次に、図6(C)に示すように、第2層間絶縁膜5および下層側凹凸形成膜13aの表面側に、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を塗布した後、焼成して、あるいは有機系樹脂からなる流動性材料7を塗布した後、図6(D)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してのパターニング、あるいは露光、現像により、コンタクトホール5bを備えた上層側凹凸形成膜7aを形成する。
【0050】
なお、ペルヒドロポリシラザンとは無機ポリシラザンの一種であり、大気中で焼成することによってシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料である。たとえば、東燃(株)製のポリシラザンは、−(SiH2 NH)−を単位とする無機ポリマーであり、キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無機ポリマーの有機溶媒溶液(たとえば、20%キシレン溶液)を塗布液としてスピンコート法(たとえば、2000rpm、20秒間)で塗布した後、450℃の温度で大気中で焼成すると、水分や酸素と反応し、CVD法で成膜したシリコン酸化膜と同等以上の緻密な非晶質のシリコン酸化膜を得ることができる。
【0051】
ここで、上層側凹凸形成膜7aは、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、上層側凹凸形成膜7aの表面には、下層側凹凸形成膜13aの凹凸を適度に打ち消して、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン8gが形成される。
【0052】
なお、上層側凹凸形成膜7aを形成せずに、なだらかな形状の凹凸パターン8gを形成する場合には、図6(B)に示す状態でベーク工程を行って、下層側凹凸形成膜13aの縁を滑らかな形状にすればよい。
【0053】
次に、図7(A)に示すように、スパッタ法などによって、上層側凹凸形成膜7aの表面にアルミニウム膜などといった反射性を備えた金属膜8を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、ポジタイプの感光性樹脂からなるレジストマスク557を形成する。
【0054】
次に、レジストマスク557を介して金属膜8にエッチングを行い、図7(B)に示すように、所定領域に光透過窓8dを備えた光反射膜8aを残す。このようにして形成した光反射膜8aの表面には、下層側凹凸形成膜13aの孔13bからなる凹凸によって500nm以上、さらには800nm以上の凹凸パターン8gが形成され、かつ、この凹凸パターン8gは、上層側凹凸形成膜7aによって、エッジのない、なだらかな形状になっている。
【0055】
次に、図7(C)に示すように、光反射膜8aの表面側に、厚さが40nm〜200nmのITO膜9をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク558を形成する。
【0056】
次に、レジストマスク558を介してITO膜9にエッチングを行って、図7(D)に示すように、ドレイン電極6bに電気的に接続する画素電極9aを形成する。
【0057】
しかる後には、図5に示すように、画素電極9aの表面側にポリイミド膜(配向膜12)を形成する。それには、ブチルセロソルブやn−メチルピロリドンなどの溶媒に5〜10重量%のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化(焼成)する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【0058】
その結果、TFTアレイ基板10が完成するが、本形態では、配向膜12を形成する前に、図8(A)〜(D)を参照して説明する工程によってマイクロレンズを形成する。
【0059】
まず、図8(A)に示すように、TFTアレイ基板10(透光性基板10′)の裏面側(第2の面側)にネガタイプの感光性樹脂16を塗布する(マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程)。
【0060】
次に、図8(B)に示すように、マイクロレンズ形成用露光マスクを介してネガタイプの感光性樹脂16を露光した後、現像し、さらに必要に応じて熱処理を行って、図8(C)に示すように、複数の光透過窓8dと平面的に重なる位置の各々に裏面側から凸レンズ状に張り出した感光性樹脂層16aを形成する(露光現像工程)。
【0061】
本形態では、透光性基板10′に対して光透過窓8dを備えた光反射膜8aを形成した後、露光現像工程として、光反射膜8aをマイクロレンズ形成用露光マスクとして表面側(第1の面側)から感光性樹脂16を露光する。その結果、光透過窓8aを介して感光性樹脂16が選択的に露光されるので、感光性樹脂16を現像すると、複数の光透過窓8dと平面的に重なる位置の各々に凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成することができる。
【0062】
次に、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを用いてマイクロレンズ15を形成する。より具体的には、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成した透光性基板10′の裏面を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングする。このように構成すると、エッチング後、透光性基板10′の裏面には、凸レンズ状の感光性樹脂層16aの形状がそのまま残り、マイクロレンズ15が形成されることになる。
【0063】
このように本形態では、光反射膜8aをマイクロレンズ形成用露光マスクとして用いて、表面側から光透過窓8aを介して感光性樹脂16を露光する。従って、専用の露光マスクを用いなくて、光透過窓8aと平面的に重なる位置の感光性樹脂16を選択的に露光することができる。また、マイクロレンズ15の形成位置が光透過窓8aの形成位置と完全に一致するという利点がある。
【0064】
[実施の形態2]
なお、上記形態では、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成した透光性基板10′の裏面を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングすることにより、透光性基板10′の裏面にマイクロレンズ15を形成したが、図9(A)に示すように、マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程を行う前に透光性基板10′の裏面側に透光性の被エッチング層17、例えば、シリコン膜を形成しておくことにより、マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程によって、被エッチング層17の表面に凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成してもよい。
【0065】
このように構成すると、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを用いてマイクロレンズ15を形成する際、図9(B)に示すように、被エッチング層17を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングする。このように構成した場合も、エッチング後、被エッチング層17は、凸レンズ状の感光性樹脂層16aの形状のまま残り、マイクロレンズ15が形成されることになる。
【0066】
[実施の形態3]
上記形態1、2では、透光性基板10′の裏面あるいは被エッチング層17を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングすることにより、マイクロレンズ15を形成したが、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを用いてマイクロレンズ15を形成する方法として、図11に示すように、ネガタイプの感光性樹脂16として透光性の感光性樹脂を用いることにより、凸レンズ状の感光性樹脂層16a自身によってマイクロレンズ15を構成してもよい。このように構成すると、ネガタイプの感光性樹脂16として透光性の感光性樹脂を用いるだけで、最も少ない工程数でマイクロレンズ15を形成することができる。
【0067】
[実施の形態4]
なお、上記形態1、2、3では、透光性基板10′の裏面でマイクロレンズ15が突出した形状になっていたが、実施の形態3を例に図11に示すように、マイクロレンズ15を構成する材料よりも屈折率の小さな接着剤18を介してカバーガラス19を透光性基板10′の裏面側に貼ってもよい。このように構成すると、透光性基板10′の裏面に偏光板210を接着固定することができる。
【0068】
また、カバーガラス19を省略して、透光性基板10′の裏面側に偏光板210を接着固定してもよい。
【0069】
[実施の形態5]
また、実施の形態1ないし5では、透光性基板10′に対して光透過窓8dを備えた光反射膜8aを形成した後、この光反射膜8aをマイクロレンズ形成用露光マスクとして感光性樹脂16を露光したが、透光性基板10′に対して光透過窓8dを備えた光反射膜8aを形成する前に、図7(A)に示すポジタイプのレジストマスクで光透過窓8dをエッチング形成するための光透過窓形成用露光マスクをマイクロレンズ形成用露光マスクとして用いて透光性基板10′の表面側(第1の面側)から感光性樹脂16を露光してもよい。
【0070】
この方法を採用する場合には、まず、図12(A)に示すように、透光性基板10′の裏面側(第2の面側)にネガタイプの感光性樹脂16を塗布する(マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程)。
【0071】
次に、図12(B)に示すように、マイクロレンズ形成用露光マスクとして、図7(A)に示すポジタイプのレジストマスクで光透過窓8dをエッチング形成するための光透過窓形成用露光マスク520を用い、この光透過窓形成用露光マスク520を介して透光性基板10′の表面側(第1の面側)から感光性樹脂16を露光する。
【0072】
次に、ネガタイプの感光性樹脂16を露光した後、現像し、さらに必要に応じて熱処理を行って、図12(C)に示すように、凸レンズ状に張り出した感光性樹脂層16aを形成する(露光現像工程)。
【0073】
次に、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを用いてマイクロレンズ15を形成する。例えば、実施の形態1と同様、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成した透光性基板10′の裏面を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングして、図12(D)に示すように、マイクロレンズ15を形成する。
【0074】
しかる後に、TFT30などを形成した後、図6および図7を参照して説明した工程を行って、下層側凹凸形成層13a、上層側凹凸形成層7a、および光透過窓8dを備えた光反射膜8aを形成する。その結果、光反射膜8aの光透過窓8dと、マイクロレンズ15とは平面的に重なることになる。
【0075】
このような方法でも、光透過窓8dをエッチング形成するためレジストマスク520(ポジタイプの感光性樹脂層)をフォトリソグラフィ技術を用いて形成するのに用いる光透過窓形成用露光マスク520をマイクロレンズ形成用露光マスクとして利用するので、別の露光マスクを準備する必要がないという利点がある。
【0076】
[その他の実施の形態]
上記のいずれの形態も、画素スイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に説明したが、画素スイッチング素子として、MIM(Metal Insulator Metal)素子などの薄膜ダイオード素子(TFD素子/Thin Film Diode素子)を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置、あるいはパッシブマトリクス型の液晶装置、さらには液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【0077】
また、上記形態では、本発明に係る方法で形成したマイクロレンズ付き反射基板を液晶を保持するTFTアレイ基板10として用いたが、例えば、図12を参照した方法で製造したマイクロレンズ付き反射基板については、透過型の電気光学装置の裏面側に配置して、半透過・反射型の電気光学装置を構成するのに用いてもよい。
【0078】
[電気光学装置の電子機器への適用]
このように構成した反射型、あるいは半透過・半反射型の電気光学装置100は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図13(A)、(B)を参照して説明する。
【0079】
図13(A)は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ80は、キーボード81を備えた本体部82と、液晶表示ユニット83とを有する。液晶表示ユニット83は、前述した電気光学装置100を含んで構成される。
【0080】
図13(B)は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機90は、複数の操作ボタン91と、前述した電気光学装置100からなる表示部とを有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】電気光学装置を対向基板の側からみたときの平面図である。
【図2】図1のH−H′線における断面図である。
【図3】電気光学装置において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。
【図4】本発明を適用した電気光学装置において、TFTアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図5】図4のA−A′線に相当する位置で切断したときの画素の断面図である。
【図6】(A)〜(D)は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図7】(A)〜(D)は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法において、図6に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図8】(A)〜(D)は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法において、図7に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図9】(A)、(B)は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す説明図である。
【図10】本発明の実施の形態3に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す説明図である。
【図11】本発明の実施の形態4に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す説明図である。
【図12】(A)〜(E)は、本発明の実施の形態5に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す説明図である。
【図13】(A)、(B)はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ、および携帯電話機の説明図である。
【図14】従来の電気光学装置に用いた画素の一部の断面図である。
【符号の説明】
1a 半導体膜、1a′ チャネル形成用領域、2 ゲート絶縁膜、3a 走査線、3b 容量線、4 第1層間絶縁膜、5 第2層間絶縁膜、6a データ線、6b ドレイン電極、7a 上層側凹凸形成膜、8a 光反射膜(反射膜)、8d 光透過窓、8g 凹凸パターン、9a 画素電極、10 TFTアレイ基板(マイクロレンズ付き透光性基板)、10′ 透光性基板、13a 下層側凹凸形成膜、15 マイクロレンズ、16 ネガタイプの感光性樹脂、16a 凸レンズ状の感光性樹脂、17 被エッチング層、18 接着剤、19 カバーガラス、20 対向基板、21 対向電極、30 画素スイッチング用のTFT、50 液晶、60 蓄積容量、100 電気光学装置、100a 画素、200バックライト装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、透光性基板の一方の面に複数の光透過窓を備えた反射膜を備え、他方の面に複数のマイクロレンズを有する透光性基板を用いた電気光学装置の製造方法、この方法で製造した電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、マイクロレンズの形成技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶装置などの電気光学装置は、各種機器の直視型の表示装置として用いられている。このような電気光学装置のうち、反射モードおよび透過モードのいずれのモードでも表示を行うことのできるTFTアクティブマトリクス液晶装置では、図14に示すように、TFTアレイ基板10の表面にマトリクス状に配列された多数の画素100aの各々に、対向基板20の側から入射してきた外光を対向基板20の方に向けて反射するための光反射膜8aが透明な画素電極9aの下層側に形成されている。従って、矢印L1で示すように、対向基板20側から入射した外光をTFTアレイ基板10側で反射し、対向基板20側から出射された光によって反射モードで画像を表示する。また、光反射膜8aには、光透過窓8dが形成されており、バックライト装置から出射された光は、矢印L2で示すように、光透過窓8dを透過して液晶層に入射して対向基板20側から出射することにより透過モードでも画像を表示する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の液晶装置では、光反射膜8aおよび光透過窓8dの面積によって、反射モードでの表示光量、および透過モードでの表示光量が完全に規定されているため、一方のモードでの表示の明るさを高めると、他方のモードでの表示の明るさが犠牲になってしまい、双方のモードで表示の明るさを向上させることができないという問題点がある。
【0004】
そこで、図14に一点鎖線で示すようなマイクロレンズ15を形成しておけば、矢印L3で示すように、バックライト装置から出射された光のうち、光反射膜8aの裏面に向かう光の一部を光透過窓8dの方に向けて屈折させることができるので、反射モードでの表示光量を減少させることなく、透過モードでの表示光量を増大させることができる。しかしながら、従来から知られている技術を種々組み合わせても、このようなマイクロレンズ15を効率よく、かつ、安価に形成することができないという問題点がある。
【0005】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、透光性基板の一方の面に複数の光透過窓を備えた反射膜を有し、他方の面に複数のマイクロレンズを有する透光性反射を効率よく、かつ、安価に製造可能な方法を提供することにある。また、本発明の課題は、このような方法で製造した複数のマイクロレンズを有する透光性基板を用いて形成された電気光学装置、およびこの電気光学装置を用いた電子機器を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、透光性基板の第1の面および第2の面のうちの第1の面側に、複数の光透過窓を備えた反射膜を有し、前記第2の面側には前記複数の光透過窓と平面的に重なる位置の各々に当該第2の面側から凸レンズ状に張り出した複数のマイクロレンズを有する透光性基板を用いて形成される電気光学装置の製造方法であって、前記第2の面側にネガタイプの感光性樹脂を塗布するマイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程と、前記第1の面側からマイクロレンズ形成用露光マスクを介して前記ネガタイプの感光性樹脂を露光、現像して前記複数の光透過窓と平面的に重なる位置の各々に前記第2の面側から凸レンズ状に張り出した感光性樹脂層を形成する露光現像工程とを有し、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成することを特徴とする。
【0007】
本発明において、透光性基板の第1の面側に光反射膜が形成されているので、第1の面から照射された光を反射することができる。また、透光性基板の第2の面側には、光反射膜の光透過窓と平面的に重なる位置に凸レンズ状のマイクロレンズが形成されているので、第2の面側に照射された光のうち、光反射膜に向かう光をマイクロレンズで屈折させて光透過窓に向かわせることができる。それ故、反射光量を減少させることなく、透過光量を増大させることができる。また、本発明では、透光性基板の第2の面側にネガタイプの感光性樹脂を塗布しておき、この感光性樹脂を第1の面側からマイクロレンズ形成用露光マスクを介して露光、現像し、必要に応じて、現像した感光性樹脂を加熱するだけで、複数の光透過窓と平面的に重なる位置の各々に第2の面側から凸レンズ状に張り出した感光性樹脂層を形成することができる。従って、この凸レンズ状の感光性樹脂層を用いれば、マイクロレンズを効率よく、かつ、安価に形成することができる。
【0008】
例えば、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成するにあたっては、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成した前記透光性基板の前記第2の面を前記凸レンズ状の感光性樹脂層とともにエッチングする。このように構成すると、エッチング後、透光性基板の第2の面には、凸レンズ状の感光性樹脂層の形状がそのまま残り、マイクロレンズが形成されることになる。
【0009】
本発明において、前記マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程を行う前に前記透光性基板の前記第2の面側に透光性の被エッチング層を形成しておくことにより、前記マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程では、前記被エッチング層の表面に前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成し、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成するにあたっては、前記被エッチング層を前記凸レンズ状の感光性樹脂層とともにエッチングしてもよい。このように構成した場合も、エッチング後、非エッチング層によって、透光性基板の第2の面には、凸レンズ状の感光性樹脂層の形状がそのまま残り、マイクロレンズが形成されることになる。
【0010】
本発明において、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成するにあたっては、前記ネガタイプの感光性樹脂として透光性の感光性樹脂を用いることにより、前記凸レンズ状の感光性樹脂層自身によってマイクロレンズを構成してもよい。このように構成すると、ネガタイプの感光性樹脂として透光性の感光性樹脂を用いるだけで、最も少ない工程数でマイクロレンズを形成することができる。
【0011】
本発明において、前記透光性基板に対して前記光透過窓を備えた反射膜を形成した後、前記露光現像工程では、前記反射膜を前記マイクロレンズ形成用露光マスクとして前記第1の面側から前記感光性樹脂を露光することにより、前記第2の面側に前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成する。このように構成すると、マイクロレンズ形成用露光マスクとして、専用の露光マスクが不要である。また、マイクロレンズの形成位置が光透過窓の形成位置と完全一致するので、透過表示光量を増大することができる。
【0012】
本発明において、前記透光性基板に対して前記光透過窓を備えた反射膜を形成する前に、前記露光現像工程では、ポジタイプの感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術により前記光透過窓をエッチング形成するための光透過窓形成用露光マスクを前記マイクロレンズ形成用露光マスクとして用いて前記第1の面側から前記感光性樹脂を露光することにより、前記第2の面側に前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成してもよい。
【0013】
本発明を適用した複数のマイクロレンズを有する透光性基板を用いて形成される電気光学装置では、前記光反射膜によって反射モードでの表示を行うことができる一方、前記光透過窓によって透過モードでの表示を行うことができる。
【0014】
また、本発明を適用した複数のマイクロレンズを有する透光性反射を用いて、電気光学装置を構成する場合には、前記複数のマイクロレンズを有する透光性反射と、該複数のマイクロレンズを有する透光性反射の前記第1の面側に対向配置された他の透光性基板との間に電気光学物質が保持する。このように構成した電気光学装置においても、前記光反射膜によって反射モードでの表示が行うことができる一方、前記光透過窓によって透過モードでの表示を行うことができる。
【0015】
本発明を適用した電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった電子機器の表示装置として用いることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
[実施の形態1]
(電気光学装置の基本的な構成)
図1は、本発明を適用した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図2は、図1のH−H′断面図である。図3は、電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【0018】
図1および図2において、本形態の電気光学装置100(液晶装置)は、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても表示可能な半透過・反射型液晶装置である。この電気光学装置100では、TFTアレイ基板10(マイクロレンズ付き反射基板)と対向基板20(第2の基板)とがシール材52によって所定の間隔をあけて貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域(液晶封入領域)内には、電気光学物質としての液晶50が挟持されている。シール材52の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り53が形成されている。シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路101、および実装端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。TFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路104の間をつなぐための複数の配線105が設けられており、更に、周辺見切り53の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通材106が形成されている。
【0019】
電気光学装置100をカラー表示用として構成する場合には、対向基板20において、TFTアレイ基板10の各画素電極(後述する)に対向する領域にRGBのカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【0020】
また、電気光学装置100に対して、TFTアレイ基板10の側には偏光板210およびバックライト装置200が配置され、対向基板20の側には偏光板220が配置されている。
【0021】
なお、データ線駆動回路101および走査線駆動回路104をTFTアレイ基板10の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用LSIが実装されたTAB(テープ オートメイテッド、ボンディング)基板をTFTアレイ基板10の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
【0022】
このような構造を有する電気光学装置100の画像表示領域においては、図3に示すように、複数の画素100aがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素100aの各々には、画素電極9a、およびこの画素電極9aを駆動するための画素スイッチング用のTFT30が形成されており、画素信号S1、S2・・・Snを供給するデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画素信号S1、S2・・・Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、TFT30のゲートには走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2・・・Gmをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線6aから供給される画素信号S1、S2・・・Snを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極9aを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号S1、S2、・・・Snは、図2に示す対向基板20の対向電極21との間で一定期間保持される。
【0023】
ここで、液晶50は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶50の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶50の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として電気光学装置100からは画素信号S1、S2、・・・Snに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【0024】
なお、保持された画素信号S1、S2、・・・Snがリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量60を付加することがある。例えば、画素電極9aの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ蓄積容量60により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置100が実現できる。なお、蓄積容量60を形成する方法としては、図3に例示するように、蓄積容量60を形成するための配線である容量線3bとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線3aとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【0025】
(TFTアレイ基板の構成)
図4は、本形態の電気光学装置に用いたTFTアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図5は、電気光学装置の画素の一部を図4のA−A′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【0026】
図4において、TFTアレイ基板10上には、複数の透明なITO(Indium Tin Oxide)膜からなる画素電極9aがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極9aに対して画素スイッチング用のTFT30がそれぞれ接続している。また、画素電極9aの縦横の境界に沿って、データ線6a、走査線3a、および容量線3bが形成され、TFT30は、データ線6aおよび走査線3aに対して接続している。すなわち、データ線6aは、コンタクトホールを介してTFT30の高濃度ソース領域1dに電気的に接続している。また、TFT30のチャネル領域1a′に対向するように走査線3aが延びている。なお、蓄積容量60(蓄積容量素子)は、画素スイッチング用のTFT30を形成するための半導体膜1の延設部分1fを導電化したものを下電極とし、この下電極41に、走査線3bと同層の容量線3bが上電極として重なった構造になっている。
【0027】
このように構成した各画素100aには、後述するように、画素電極9aの下層側に、この画素電極9aと略重なる領域に光反射膜8aが形成されている。
【0028】
画素100aのA−A′線における断面は、図5に示すように、TFTアレイ基板10の基体たる透光性基板10′の表面(第1の面側)に、厚さが300nm〜500nmのシリコン酸化膜(絶縁膜)からなる下地保護膜11が形成され、この下地保護膜11の表面には、厚さが50nm〜100nmの島状の半導体膜1aが形成されている。半導体膜1aの表面には、厚さが約50〜150nmのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜2aが形成され、このゲート絶縁膜2aの表面に、厚さが300nm〜800nmの走査線3aがゲート電極として通っている。半導体膜1aのうち、走査線3aに対してゲート絶縁膜2aを介して対峙する領域がチャネル領域1a′になっている。このチャネル領域1a′に対して一方側には、低濃度ソース領域1bおよび高濃度ソース領域1dを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域1cおよび高濃度ドレイン領域1eを備えるドレイン領域が形成されている。
【0029】
画素スイッチング用のTFT30の表面側には、厚さが300nm〜800nmのシリコン酸化膜からなる第1層間絶縁膜4、および厚さが100nm〜300nmのシリコン窒化膜からなる第2層間絶縁膜5(表面保護膜)が形成されている。第1層間絶縁膜4の表面には、厚さが300nm〜800nmのデータ線6aが形成され、このデータ線6aは、第1層間絶縁膜4に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続している。第1層間絶縁膜4の表面にはデータ線6aと同時形成されたドレイン電極6bが形成され、このドレイン電極6bは、第1層間絶縁膜4に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続している。
【0030】
第2層間絶縁膜5の上層には、有機系樹脂などの感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜13a、およびポリシラザンや有機系樹脂などからなる上層側凹凸形成膜7aがこの順に形成され、上層側凹凸形成膜7aの表面には、アルミニウム膜などからなる光反射膜8aが形成されている。この光透過膜8aは、透過モードでの表示を行うための光透過窓8dが形成された反射膜である。また、TFTアレイ基板10の裏面側(TFTアレイ基板10の第2の面側)には、各画素に形成されている光反射膜8aの光透過窓8dと平面的に重なる位置に凸レンズ状のマイクロレンズ15が形成されている。従って、TFTアレイ基板10は、マイクロレンズ付き反射基板として構成されている。
【0031】
光反射膜8aの上層には、ITO膜からなる透明な画素電極9aが形成されている。画素電極9aは、光反射膜8aの表面に直接、積層され、画素電極9aと光反射膜8aとは電気的に接続されている。また、画素電極9aは、上層側凹凸形成膜7aおよび第2層間絶縁膜5に形成されたコンタクトホール5bを介してドレイン電極6bに電気的に接続している。ここで、光反射膜8aは、コンタクトホール5b内には形成されていないが、画素電極9aに接しており、実質、画素電極9aおよびコンタクトホール5bを介してドレイン電極6bに電気的に接続している状態にある。
【0032】
画素電極9aの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜12が形成されている。この配向膜12は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【0033】
また、高濃度ドレイン領域1eからの延設部分1f(下電極)に対しては、ゲート絶縁膜2aと同時形成された絶縁膜(誘電体膜)を介して、走査線3aと同層の容量線3bが上電極として対向することにより、蓄積容量60が構成されている。
【0034】
なお、TFT30は、好ましくは上述のようにLDD構造をもつが、低濃度ソース領域1b、および低濃度ドレイン領域1cに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、TFT30は、ゲート電極(走査線3aの一部)をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のTFTであってもよい。
【0035】
また、本形態では、TFT30のゲート電極(走査線3a)をソース−ドレイン領域の間に1個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に2個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート(ダブルゲート)、あるいはトリプルゲート以上でTFT30を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも1個をLDD構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【0036】
(凹凸パターン8gの構成)
図4および図5において、TFTアレイ基板10では、各画素100aの反射領域には、光反射膜8aの表面に凸部8bおよび凹部8cを備えた凹凸パターン8gが形成されている。
【0037】
このような凹凸パターン8gを構成するにあたって、本形態のTFTアレイ基板10では、光反射膜8aの下層側のうち、光反射膜8aと平面的に重なる領域には、有機系の感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜13aが第2層間絶縁膜5の表面に複数の柱状突起(凹凸)として所定の分布をもって形成され、この下層側凹凸形成膜13aの上層には、ポリシラザンや有機系樹脂などといった流動性材料から形成された絶縁膜からなる上層側凹凸形成膜7aが積層されている。このため、反射膜8aの表面には、下層側凹凸形成膜13aの凹凸に対応する凹凸パターン8gが形成され、この凹凸パターン8gでは、上層側凹凸形成膜7aによって、下層側凹凸形成膜13aのエッジなどが出ないようになっている。 ここで、下層側凹凸形成膜13aにおいて凹凸を形成する柱状突起は、円形、あるいは略多角形の平面形状を有している。
【0038】
なお、上層側凹凸形成膜7aを形成せずに、下層側凹凸形成膜13aを形成した後、ベーク工程を行うことにより、下層側凹凸形成膜13aの凹凸(孔13b)の縁を滑らかにすることもある。
【0039】
(対向基板の構成)
図5において、対向基板20では、TFTアレイ基板10に形成されている画素電極9aの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜23が形成され、その上層側には、ITO膜からなる対向電極21が形成されている。また、対向電極21の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜22が形成され、この配向膜22は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【0040】
(本形態の作用・効果)
このように構成した電気光学装置100では、図5に矢印L2で示すように、バックライト装置(図2を参照)から出射された光のうち、光反射膜8aが形成されていない光透過窓8dに向かう光は、光透過窓8dを介して対向基板20側に透過し、表示に寄与する(透過モード)。
【0041】
また、画素電極9aの下層側には光反射膜8aが形成されているため、図5に矢印L1で示すように、対向基板20側から入射した光をTFTアレイ基板10側で反射し、対向基板20側から出射された光によって画像を表示する(反射モード)。
【0042】
また、本形態では、光反射膜8aの下層側のうち、光反射膜8aと平面的に重なる領域に下層側凹凸形成膜13aを形成し、この下層側凹凸形成膜13aに対応する凹凸を利用して、光反射膜8aの表面に光散乱用の凹凸パターン8gを形成している。また、凹凸パターン8gでは、上層側凹凸形成膜7aによって、下層側凹凸形成膜13aのエッジなどが出ないようになっている。従って、反射モードで画像を表示したとき、散乱反射光で画像を表示するため、視野角依存性が小さい。
【0043】
さらに、本形態では、TFTアレイ基板10の裏面側には、いずれに画素においても、光透過窓8dと平面的に重なる位置に凸レンズ状のマイクロレンズ15が形成されている。このため、図5に矢印L3で示すように、バックライト装置から出射された光のうち、光反射膜8aに向かう光の一部は、マイクロレンズ15によって屈折し、光透過窓8dに向かう。従って、TFTアレイ基板10の裏面側から入射した光のうち、従来なら光反射膜8aに向かうため透過モードでの表示に寄与しなかった光も、一部が光透過窓8dを抜けて表示に寄与することになる。それ故、光透過窓8dの面積を拡大させなくても、透過モードでの表示光量を増大させることができるので、反射モードでの表示の明るさを犠牲にすることなく、透過モードでの表示の明るさを向上することができる。
【0044】
(TFTアレイ基板の製造方法)
本形態に係るTFTアレイ基板10を製造する方法を、図6、図7および9を参照して説明する。但し、本形態のTFTアレイ基板10を製造するにあたって、TFT30などの製造工程は、いわゆる低温プロセスと称せられる方法が採用され、このような方法については、すでに周知であるため、本形態のTFTアレイ基板10の特徴と関連する工程のみを説明する。
【0045】
図6、図7および図8はいずれも、本形態のTFTアレイ基板11の製造方法を示す工程断面図である。なお、図6および図7には、TFT形成領域、および光反射膜形成領域の断面を示してあるが、図8には、光反射膜形成領域の断面のみを示してある。
【0046】
本形態のTFTアレイ基板10を製造するにあたっては、図6(A)に示すように、ガラス製等の透光性基板10′の表面にTFT30を形成した以降、第2層間絶縁膜5にコンタクトホール5bを形成する。
【0047】
次に、第2層間絶縁膜5の表面に、有機系の感光性樹脂13を厚めに塗布した後、感光性樹脂13を露光マスク510を介して露光する。ここで、感光性樹脂13としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図6(A)には、感光性樹脂13としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂13を除去したい部分に対して、露光マスク510の透光部分511を介して紫外線が照射される。
【0048】
次に、露光した感光性樹脂13を現像して、図6(B)に示すように、図5を参照して説明した柱状突起、およびコンタクトホール5bを備えた下層側凹凸形成膜13aを形成する。
【0049】
次に、図6(C)に示すように、第2層間絶縁膜5および下層側凹凸形成膜13aの表面側に、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を塗布した後、焼成して、あるいは有機系樹脂からなる流動性材料7を塗布した後、図6(D)に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してのパターニング、あるいは露光、現像により、コンタクトホール5bを備えた上層側凹凸形成膜7aを形成する。
【0050】
なお、ペルヒドロポリシラザンとは無機ポリシラザンの一種であり、大気中で焼成することによってシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料である。たとえば、東燃(株)製のポリシラザンは、−(SiH2 NH)−を単位とする無機ポリマーであり、キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無機ポリマーの有機溶媒溶液(たとえば、20%キシレン溶液)を塗布液としてスピンコート法(たとえば、2000rpm、20秒間)で塗布した後、450℃の温度で大気中で焼成すると、水分や酸素と反応し、CVD法で成膜したシリコン酸化膜と同等以上の緻密な非晶質のシリコン酸化膜を得ることができる。
【0051】
ここで、上層側凹凸形成膜7aは、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、上層側凹凸形成膜7aの表面には、下層側凹凸形成膜13aの凹凸を適度に打ち消して、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン8gが形成される。
【0052】
なお、上層側凹凸形成膜7aを形成せずに、なだらかな形状の凹凸パターン8gを形成する場合には、図6(B)に示す状態でベーク工程を行って、下層側凹凸形成膜13aの縁を滑らかな形状にすればよい。
【0053】
次に、図7(A)に示すように、スパッタ法などによって、上層側凹凸形成膜7aの表面にアルミニウム膜などといった反射性を備えた金属膜8を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、ポジタイプの感光性樹脂からなるレジストマスク557を形成する。
【0054】
次に、レジストマスク557を介して金属膜8にエッチングを行い、図7(B)に示すように、所定領域に光透過窓8dを備えた光反射膜8aを残す。このようにして形成した光反射膜8aの表面には、下層側凹凸形成膜13aの孔13bからなる凹凸によって500nm以上、さらには800nm以上の凹凸パターン8gが形成され、かつ、この凹凸パターン8gは、上層側凹凸形成膜7aによって、エッジのない、なだらかな形状になっている。
【0055】
次に、図7(C)に示すように、光反射膜8aの表面側に、厚さが40nm〜200nmのITO膜9をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク558を形成する。
【0056】
次に、レジストマスク558を介してITO膜9にエッチングを行って、図7(D)に示すように、ドレイン電極6bに電気的に接続する画素電極9aを形成する。
【0057】
しかる後には、図5に示すように、画素電極9aの表面側にポリイミド膜(配向膜12)を形成する。それには、ブチルセロソルブやn−メチルピロリドンなどの溶媒に5〜10重量%のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化(焼成)する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【0058】
その結果、TFTアレイ基板10が完成するが、本形態では、配向膜12を形成する前に、図8(A)〜(D)を参照して説明する工程によってマイクロレンズを形成する。
【0059】
まず、図8(A)に示すように、TFTアレイ基板10(透光性基板10′)の裏面側(第2の面側)にネガタイプの感光性樹脂16を塗布する(マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程)。
【0060】
次に、図8(B)に示すように、マイクロレンズ形成用露光マスクを介してネガタイプの感光性樹脂16を露光した後、現像し、さらに必要に応じて熱処理を行って、図8(C)に示すように、複数の光透過窓8dと平面的に重なる位置の各々に裏面側から凸レンズ状に張り出した感光性樹脂層16aを形成する(露光現像工程)。
【0061】
本形態では、透光性基板10′に対して光透過窓8dを備えた光反射膜8aを形成した後、露光現像工程として、光反射膜8aをマイクロレンズ形成用露光マスクとして表面側(第1の面側)から感光性樹脂16を露光する。その結果、光透過窓8aを介して感光性樹脂16が選択的に露光されるので、感光性樹脂16を現像すると、複数の光透過窓8dと平面的に重なる位置の各々に凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成することができる。
【0062】
次に、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを用いてマイクロレンズ15を形成する。より具体的には、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成した透光性基板10′の裏面を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングする。このように構成すると、エッチング後、透光性基板10′の裏面には、凸レンズ状の感光性樹脂層16aの形状がそのまま残り、マイクロレンズ15が形成されることになる。
【0063】
このように本形態では、光反射膜8aをマイクロレンズ形成用露光マスクとして用いて、表面側から光透過窓8aを介して感光性樹脂16を露光する。従って、専用の露光マスクを用いなくて、光透過窓8aと平面的に重なる位置の感光性樹脂16を選択的に露光することができる。また、マイクロレンズ15の形成位置が光透過窓8aの形成位置と完全に一致するという利点がある。
【0064】
[実施の形態2]
なお、上記形態では、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成した透光性基板10′の裏面を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングすることにより、透光性基板10′の裏面にマイクロレンズ15を形成したが、図9(A)に示すように、マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程を行う前に透光性基板10′の裏面側に透光性の被エッチング層17、例えば、シリコン膜を形成しておくことにより、マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程によって、被エッチング層17の表面に凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成してもよい。
【0065】
このように構成すると、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを用いてマイクロレンズ15を形成する際、図9(B)に示すように、被エッチング層17を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングする。このように構成した場合も、エッチング後、被エッチング層17は、凸レンズ状の感光性樹脂層16aの形状のまま残り、マイクロレンズ15が形成されることになる。
【0066】
[実施の形態3]
上記形態1、2では、透光性基板10′の裏面あるいは被エッチング層17を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングすることにより、マイクロレンズ15を形成したが、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを用いてマイクロレンズ15を形成する方法として、図11に示すように、ネガタイプの感光性樹脂16として透光性の感光性樹脂を用いることにより、凸レンズ状の感光性樹脂層16a自身によってマイクロレンズ15を構成してもよい。このように構成すると、ネガタイプの感光性樹脂16として透光性の感光性樹脂を用いるだけで、最も少ない工程数でマイクロレンズ15を形成することができる。
【0067】
[実施の形態4]
なお、上記形態1、2、3では、透光性基板10′の裏面でマイクロレンズ15が突出した形状になっていたが、実施の形態3を例に図11に示すように、マイクロレンズ15を構成する材料よりも屈折率の小さな接着剤18を介してカバーガラス19を透光性基板10′の裏面側に貼ってもよい。このように構成すると、透光性基板10′の裏面に偏光板210を接着固定することができる。
【0068】
また、カバーガラス19を省略して、透光性基板10′の裏面側に偏光板210を接着固定してもよい。
【0069】
[実施の形態5]
また、実施の形態1ないし5では、透光性基板10′に対して光透過窓8dを備えた光反射膜8aを形成した後、この光反射膜8aをマイクロレンズ形成用露光マスクとして感光性樹脂16を露光したが、透光性基板10′に対して光透過窓8dを備えた光反射膜8aを形成する前に、図7(A)に示すポジタイプのレジストマスクで光透過窓8dをエッチング形成するための光透過窓形成用露光マスクをマイクロレンズ形成用露光マスクとして用いて透光性基板10′の表面側(第1の面側)から感光性樹脂16を露光してもよい。
【0070】
この方法を採用する場合には、まず、図12(A)に示すように、透光性基板10′の裏面側(第2の面側)にネガタイプの感光性樹脂16を塗布する(マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程)。
【0071】
次に、図12(B)に示すように、マイクロレンズ形成用露光マスクとして、図7(A)に示すポジタイプのレジストマスクで光透過窓8dをエッチング形成するための光透過窓形成用露光マスク520を用い、この光透過窓形成用露光マスク520を介して透光性基板10′の表面側(第1の面側)から感光性樹脂16を露光する。
【0072】
次に、ネガタイプの感光性樹脂16を露光した後、現像し、さらに必要に応じて熱処理を行って、図12(C)に示すように、凸レンズ状に張り出した感光性樹脂層16aを形成する(露光現像工程)。
【0073】
次に、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを用いてマイクロレンズ15を形成する。例えば、実施の形態1と同様、凸レンズ状の感光性樹脂層16aを形成した透光性基板10′の裏面を凸レンズ状の感光性樹脂層16aとともにエッチングして、図12(D)に示すように、マイクロレンズ15を形成する。
【0074】
しかる後に、TFT30などを形成した後、図6および図7を参照して説明した工程を行って、下層側凹凸形成層13a、上層側凹凸形成層7a、および光透過窓8dを備えた光反射膜8aを形成する。その結果、光反射膜8aの光透過窓8dと、マイクロレンズ15とは平面的に重なることになる。
【0075】
このような方法でも、光透過窓8dをエッチング形成するためレジストマスク520(ポジタイプの感光性樹脂層)をフォトリソグラフィ技術を用いて形成するのに用いる光透過窓形成用露光マスク520をマイクロレンズ形成用露光マスクとして利用するので、別の露光マスクを準備する必要がないという利点がある。
【0076】
[その他の実施の形態]
上記のいずれの形態も、画素スイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に説明したが、画素スイッチング素子として、MIM(Metal Insulator Metal)素子などの薄膜ダイオード素子(TFD素子/Thin Film Diode素子)を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置、あるいはパッシブマトリクス型の液晶装置、さらには液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【0077】
また、上記形態では、本発明に係る方法で形成したマイクロレンズ付き反射基板を液晶を保持するTFTアレイ基板10として用いたが、例えば、図12を参照した方法で製造したマイクロレンズ付き反射基板については、透過型の電気光学装置の裏面側に配置して、半透過・反射型の電気光学装置を構成するのに用いてもよい。
【0078】
[電気光学装置の電子機器への適用]
このように構成した反射型、あるいは半透過・半反射型の電気光学装置100は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図13(A)、(B)を参照して説明する。
【0079】
図13(A)は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ80は、キーボード81を備えた本体部82と、液晶表示ユニット83とを有する。液晶表示ユニット83は、前述した電気光学装置100を含んで構成される。
【0080】
図13(B)は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機90は、複数の操作ボタン91と、前述した電気光学装置100からなる表示部とを有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】電気光学装置を対向基板の側からみたときの平面図である。
【図2】図1のH−H′線における断面図である。
【図3】電気光学装置において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。
【図4】本発明を適用した電気光学装置において、TFTアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図5】図4のA−A′線に相当する位置で切断したときの画素の断面図である。
【図6】(A)〜(D)は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図7】(A)〜(D)は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法において、図6に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図8】(A)〜(D)は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法において、図7に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図9】(A)、(B)は、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す説明図である。
【図10】本発明の実施の形態3に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す説明図である。
【図11】本発明の実施の形態4に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す説明図である。
【図12】(A)〜(E)は、本発明の実施の形態5に係る電気光学装置のTFTアレイ基板の製造方法を示す説明図である。
【図13】(A)、(B)はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ、および携帯電話機の説明図である。
【図14】従来の電気光学装置に用いた画素の一部の断面図である。
【符号の説明】
1a 半導体膜、1a′ チャネル形成用領域、2 ゲート絶縁膜、3a 走査線、3b 容量線、4 第1層間絶縁膜、5 第2層間絶縁膜、6a データ線、6b ドレイン電極、7a 上層側凹凸形成膜、8a 光反射膜(反射膜)、8d 光透過窓、8g 凹凸パターン、9a 画素電極、10 TFTアレイ基板(マイクロレンズ付き透光性基板)、10′ 透光性基板、13a 下層側凹凸形成膜、15 マイクロレンズ、16 ネガタイプの感光性樹脂、16a 凸レンズ状の感光性樹脂、17 被エッチング層、18 接着剤、19 カバーガラス、20 対向基板、21 対向電極、30 画素スイッチング用のTFT、50 液晶、60 蓄積容量、100 電気光学装置、100a 画素、200バックライト装置
Claims (9)
- 透光性基板の第1の面および第2の面のうち、第1の面側に、光を透過する複数の光透過窓を備えた反射膜を有し、前記第2の面側には前記複数の光透過窓と平面的に重なる位置の各々に当該第2の面側から凸レンズ状に張り出した複数のマイクロレンズを有する透光性基板を用いて形成される電気光学装置の製造方法であって、
前記第2の面側にネガタイプの感光性樹脂を塗布するマイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程と、
前記第1の面側からマイクロレンズ形成用露光マスクを介して前記ネガタイプの感光性樹脂を露光、現像して前記複数の光透過窓と平面的に重なる位置の各々に前記第2の面側から凸レンズ状に張り出した感光性樹脂層を形成する露光現像工程と、
前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成する工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1において、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成するにあたっては、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成した前記透光性基板の前記第2の面を前記凸レンズ状の感光性樹脂層とともにエッチングすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項1において、前記マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程を行う前に前記透光性基板の前記第2の面側に透光性の被エッチング層を形成しておくことにより、前記マイクロレンズ用感光性樹脂層塗布工程では、前記被エッチング層の表面に前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成し、
前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成するにあたっては、前記被エッチング層を前記凸レンズ状の感光性樹脂層とともにエッチングすることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1において、前記凸レンズ状の感光性樹脂層を用いて前記マイクロレンズを形成するにあたっては、前記ネガタイプの感光性樹脂として透光性の感光性樹脂を用いることにより、前記凸レンズ状の感光性樹脂層自身によってマイクロレンズを構成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記透光性基板に対して前記光透過窓を備えた反射膜を形成した後、前記露光現像工程では、前記反射膜を前記マイクロレンズ形成用露光マスクとして前記第1の面側から前記感光性樹脂を露光することにより、前記第2の面側に前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
- 請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記透光性基板に対して前記光透過窓を備えた反射膜を形成する前に、前記露光現像工程では、
ポジタイプの感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術により前記光透過窓をエッチング形成するための光透過窓形成用露光マスクを前記マイクロレンズ形成用露光マスクとして用いて前記第1の面側から前記感光性樹脂を露光することにより、前記第2の面側に前記凸レンズ状の感光性樹脂層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに規定する方法で製造した電気光学装置であって、
前記光反射膜によって反射モードでの表示を行う一方、前記光透過窓によって透過モードでの表示を行うことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに規定する方法で製造した電気光学装置であって、
前記複数のマイクロレンズを有する透光性反射と、複数のマイクロレンズを有する透光性反射の前記第1の面側に対向配置された他の透光性基板との間に電気光学物質が保持され、
前記光反射膜によって反射モードでの表示を行う一方、前記光透過窓によって透過モードでの表示を行うことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項7または8に規定する電気光学装置を表示装置として用いたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003098254A JP2004302380A (ja) | 2003-04-01 | 2003-04-01 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003098254A JP2004302380A (ja) | 2003-04-01 | 2003-04-01 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004302380A true JP2004302380A (ja) | 2004-10-28 |
Family
ID=33409831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003098254A Withdrawn JP2004302380A (ja) | 2003-04-01 | 2003-04-01 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004302380A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7345821B2 (en) | 2005-09-01 | 2008-03-18 | Seiko Epson Corporation | Microlens substrate, a method for manufacturing the microlens substrate, a liquid crystal panel, and a projection type display apparatus |
US9331099B2 (en) | 2013-08-08 | 2016-05-03 | Seiko Epson Corporation | Substrate for electro-optical apparatus, electro-optical apparatus, and electronic equipment with improved light efficiency and contrast |
-
2003
- 2003-04-01 JP JP2003098254A patent/JP2004302380A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7345821B2 (en) | 2005-09-01 | 2008-03-18 | Seiko Epson Corporation | Microlens substrate, a method for manufacturing the microlens substrate, a liquid crystal panel, and a projection type display apparatus |
US9331099B2 (en) | 2013-08-08 | 2016-05-03 | Seiko Epson Corporation | Substrate for electro-optical apparatus, electro-optical apparatus, and electronic equipment with improved light efficiency and contrast |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100528626B1 (ko) | 반투과·반사형 전기 광학 장치, 전자 기기, 및반투과·반사형 전기 광학 장치의 제조 방법 | |
JP2002323705A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
KR100482488B1 (ko) | 전기 광학 장치, 전자 기기 및 전기 광학 장치의 제조 방법 | |
KR100514507B1 (ko) | 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100674291B1 (ko) | 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
KR100511578B1 (ko) | 반사형 전기 광학 장치 및 전자기기 | |
JP4154880B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法 | |
JP3951694B2 (ja) | 半透過・反射型電気光学装置、電子機器、および半透過・反射型電気光学装置の製造方法 | |
JP2004302380A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 | |
JP2003029275A (ja) | 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 | |
JP3979077B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP4400027B2 (ja) | 半透過・反射型電気光学装置、およびそれを用いた電子機器 | |
JP2004119599A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器 | |
JP2003029298A (ja) | 薄膜半導体装置、電気光学装置、電子機器、薄膜半導体装置並びに電気光学装置の製造方法 | |
JP3858863B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2004045756A (ja) | 半透過・反射型電気光学装置、およびそれを用いた電子機器 | |
JP4371104B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2003195285A (ja) | 反射型電気光学装置、電子機器、および反射型電気光学装置の製造方法 | |
JP2003005173A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2004302379A (ja) | 電気光学装置、およびそれを用いた電子機器 | |
JP2004334155A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2004045754A (ja) | 半透過・反射型電気光学装置、およびそれを用いた電子機器 | |
JP2004117695A (ja) | 半導体装置、電気光学装置、電子機器、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法 | |
JP2003058073A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 | |
JP3932844B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |