JP2004290785A

JP2004290785A - 触媒担体

Info

Publication number: JP2004290785A
Application number: JP2003085265A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Hayashi; 季之林; Katsufumi Inoue; 勝文井上
Original assignee: Calsonic Kansei Corp
Current assignee: Marelli Corp
Priority date: 2003-03-26
Filing date: 2003-03-26
Publication date: 2004-10-21

Abstract

【課題】耐久性の向上を図り、且つ、ウォッシュコートによる目詰まりも防止できる触媒担体を提供する。
【解決手段】オフセット波板３と平板２とを交互に積層配置してこれらの仕切りによって多数の担体セル４がガス流れ方向Ｐに沿って連続的で、且つ、オフセット状態に配置された触媒担体であって、オフセット波板３は、ガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに沿って底辺部５、第１斜辺部６ａ、６ｂ、天辺部７ａ〜７ｄ及び第２斜辺部８ａ、８ｂが繰り返し形成され、且つ、この連続パターンがガス流れ方向Ｐに連続的に形成されていると共に、第１斜辺部６ａ及び第２斜辺部８ｂは、そのいずれか一方側のみがオフセットしない部分を間に挟んでガス流れ方向Ｐの所定間隔置きにオフセットされ、このオフセットによってガス流れ方向Ｐに沿って密度粗の担体セル４と密度密の担体セル４とが交互に繰り返し配置されている。
【選択図】図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、内燃機関の排気ガス中に含まれる有害成分を浄化する触媒コンバータに使用される触媒担体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、触媒担体としては、図１０〜１２に示すようなものが知られている（特許文献１参照。）。触媒担体５０は、図１１に示すような帯状の平板５１の一端側と帯状のオフセット波板５２（同じく図１１に示す）の一端側とを重ね合わせた状態で巻き回して、図１０に示すような円柱形状に形成されている。この触媒担体５０は、平板５１とオフセット波板５２とによって略ハニカム構造を有し、図１１及び図１２に示すように多数の担体セル５３がガス流れ方向Ｐ及びその直交方向Ｓに三次元的に形成されている。
【０００３】
平板５１は、図１１に示すように、ガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに沿って波形状を有し、その波形状はオフセット波板５２に対して相対的に小さな波高の略正弦波である。
【０００４】
オフセット波板５２は、図１１及び図１２に示すように、ガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに沿って底辺部５４、第１斜辺部５５ａ、５５ｂ、天辺部５６ａ、５６ｂ及び第２斜辺部５７ａ、５７ｂがその順序で繰り返し形成されていると共に、第１斜辺部５５ａ、５５ｂ及び第２斜辺部５７ａ、５７ｂの両方は、ガス流れ方向Ｐの所定間隔置きにガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに交互にオフセットされている。このオフセットによってガス流れ方向Ｐに隣接する第１斜辺部５５ａと第１斜辺部５５ｂとの間、及び、隣接する第２斜辺部５７ａと第２斜辺部５７ｂとの間には共に切込み開口部５８、５９が形成されている。また、第１斜辺部５５ａ、５５ｂと第２斜辺部５７ａ、５７ｂのオフセットによってガス流れ方向Ｐに沿って各担体セル５３が一定間隔置きに交互にガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓにオフセットされている。このように形成された触媒担体５０に触媒を担持する処理が施され、排気ガスの流通経路に設置される。
【０００５】
上記した構成において、排気ガスが触媒担体５０中の各担体セル５３内を通過し、この通過の際に排気ガス内の有害成分が触媒に接触して浄化される。ここで、ガス流れ方向Ｐに沿って連接される各担体セル５３がガス流れ方向Ｐに対しその直交方向Ｓに交互にオフセットされているので、排気ガスが担体セル５３からこれに隣接する下流の担体セル５３に移動する際にガス流れが拡散され、排気ガス内の有害成分が触媒と接触する頻度が高められる。このようにして、担体セル５３がガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓにオフセットされていないものに較べて触媒浄化率の向上が図られている。
【０００６】
また、同様な構成を有するオフセット波板を使用した触媒担体としては、例えば、特許文献２にも開示されている。
【０００７】
さらに、他の従来の触媒担体６０としては、図１３に示すようなものがある（例えば、特許文献３参照。）。この触媒担体６０のオフセット波板６０ａは、図１３に示すように、ガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに沿って底辺部６１、第１斜辺部６２ａ、６２ｂ、天辺部６３ａ、６３ｂ及び第２斜辺部６４ａ、６４ｂがこの順序で繰り返し形成されていると共に、第１斜辺部６２ａ、６２ｂ及び第２斜辺部６４ａ、６４ｂの両方は、ガス流れ方向Ｐの所定間隔置きに交互にガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓで、且つ、共に軸Ｌを中心に左右対称にオフセットされている。このオフセットによってガス流れ方向Ｐに隣接する第１斜辺部６２ａと第１斜辺部６２ｂとの間、及び、隣接する第２斜辺部６４ａと第２斜辺部６４ｂとの間には切込み開口部６５、６６が共に形成されている。また、このオフセットによってガス流れ方向Ｐに沿って連続される担体セル６７は、比較的低セル密度（密度粗）と比較的高セル密度（密度密）とが交互に繰り返し配置されている。
【０００８】
また、第１斜辺部６２ａ、６２ｂ、天辺部６３ａ、６３ｂ及び第２斜辺部６４ａ、６４ｂは、その軸（中心線）Ｌを境として左右部分がガス流れ方向Ｐに１／２ピッチだけオフセットされている。このオフセットによって、各担体セル６７は、斜めに傾斜されたスペースに形成されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−６３４１８号公報、第１頁、図１
【００１０】
【特許文献２】
特開平６−１９８１９７号公報、第１頁、図３
【００１１】
【特許文献３】
特開２００１−９６１７０号公報、第１頁、図１
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１１に示した従来の触媒担体５０では、ガス流れ方向Ｐに隣接する担体セル５３を形成するオフセット波板５２の連結箇所は、天辺部５６ａ、５６ｂのみによって連結されている。そして、図１１及び図１２に示すように、天辺部５６ａ、５６ｂの連結幅Ｗ１は、第１斜辺部５５ａ、５５ｂ及び第２斜辺部５７ａ、５７ｂのオフセット量に依存することから切込み開口部５８、５９の幅Ｄ１に反比例する。つまり、第１斜辺部５５ａ、５５ｂ及び第２斜辺部５７ａ、５７ｂのオフセット量を大きくすると、切込み開口部の幅Ｄ１が大きくなるが、天辺部５６ａ、５６ｂの連結幅Ｗ１が小さくなって構造体としての強度が低下し、耐久性に問題がある。一方、第１斜辺部５５ａ、５５ｂ及び第２斜辺部５７ａ、５７ｂのオフセット量を小さくすると、天辺部５６ａ、５６ｂの連結幅Ｗ１が広くなるが、切込み開口部５８、５９の幅Ｄ１が小さくなって触媒コーティングの際、切込み開口部５８、５９に目詰まりが発生するという問題がある。
【００１３】
また、図１３に示した従来の触媒担体６０は、第１斜辺部６２ａ、６２ｂ、天辺部６３ａ、６３ｂ及び第２斜辺部６４ａ、６４ｂがその中心線Ｌを境として左右部分でガス流れ方向Ｐに１／２ピッチだけオフセットされているため、図１１に示した触媒担体５０に比べ構造体としての強度は高い。つまり、図１３に示すように、ガス流れ方向Ｐに隣接する担体セル６７を形成するオフセット波板６０ａの箇所は、図１１に示した触媒担体５０と同様にガス流れ方向Ｐに隣接する天辺部６３ａ、６３ｂに加え中心線Ｌ上においても天辺部６３ａ、６３ｂによって連結されているため、強度的な向上が図られている。しかしながら、比較的低密度な担体セル６７に対し、触媒コーティング時に目詰まりを発生させないように十分なオフセット量を確保すると、比較的高密度な担体セル６７において触媒コーティング時に目詰まりが発生するという問題が生じ、また、これを避けるために比較的高密度な担体セル６７およびオフセット量を大きくすると、比較的低密度な担体セル６７は大きくなりすぎ、十分な触媒性能を得ることができない。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、耐久性の向上を図ると共に、触媒のウォッシュコートによる目詰まりも防止できる高性能な触媒担体を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、オフセット波板と平板とを交互に積層配置してこれらの仕切りによって多数の担体セルがガス流れ方向Ｐに沿って連続的で、且つ、オフセット状態に配置された触媒担体であって、前記オフセット波板は、ガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに沿って底辺部、第１斜辺部、天辺部及び第２斜辺部がこの順序で繰り返し形成され、且つ、この連続パターンがガス流れ方向Ｐに連続的に形成されていると共に、前記第１斜辺部及び前記第２斜辺部は、オフセットしない部分を間に挟んでガス流れ方向Ｐの所定間隔置きに、そのいずれか一方のみがガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓにオフセットされており、このオフセットによってガス流れ方向Ｐに沿って比較的低セル密度の前記担体セルと比較的高セル密度の前記担体セルとが交互に繰り返し配置されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の触媒担体であって、比較的高セル密度の前記担体セルの前記天辺部の幅寸法Ｗ１は、比較的低セル密度の前記担体セルの前記天辺部の幅寸法Ｗ２に対して、０．２≦（Ｗ１／Ｗ２）＜１の比率の範囲内に設定したことを特徴とする。
【００１７】
請求項３の発明は、請求項２記載の触媒担体であって、Ｗ１：Ｗ２＝１：２程度に設定したことを特徴とする。
【００１８】
請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３記載のいずれか一項に記載された触媒担体であって、前記第１斜辺部と前記第２斜辺部は、互いに１つ置きに交互にオフセットされていることを特徴とする。
【００１９】
請求項５の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載された触媒担体であって、前記第１斜辺部と前記第２斜辺部は、いずれか一方を連続してオフセット位置に配置し、次に他方を連続してオフセット位置に配置し、このパターンの繰り返しにより互いに２つ以上置きに交互にオフセットされていることを特徴とする。
【００２０】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、ガス流れ方向Ｐに隣接する比較的低セル密度の担体セルと比較的高セル密度の担体セルとを形成するオフセット波板の連結箇所は、その双方の天辺部の箇所で比較的高セル密度の天辺部の幅で連結すると共に、第１斜辺部と第２斜辺部のいずれか一方の部分が連続して連結するため、構造的に強く耐久性に優れている。また、第１斜辺部や第２斜辺部のオフセット量を大きくしても天辺部間の連結幅が同じであるため、強度をほとんど低下させることなく切込み開口部の幅を所定以上の幅にできる。このため、請求項１記載の発明によれば、耐久性の向上と触媒のウォッシュコートによる目詰まり防止とを共に実現できる。
【００２１】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の発明と同様に、耐久性の向上と目詰まり防止とを共に実現できる。
【００２２】
請求項３記載の発明によれば、請求項１記載の発明の効果に加え、切込み開口部が広く設定されるため、セル密度が５００ｃｐｓｉである高セル密度の場合にも、ウォッシュコートのコーティング時に切込み開口部が目詰まりすることがない。
【００２３】
請求項４記載の発明によれば、請求項１〜請求項３の発明の効果に加え、排気ガスを効率的に拡散できる。
【００２４】
請求項５記載の発明によれば、請求項１〜請求項３の発明の効果に加え、第１斜辺部及び第２斜辺部のいずれか一方が少なくとも４つの担体セルの部分に亘って連続的に配置されるため、耐久性の更なる向上を図ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る触媒担体の詳細を図面に示す実施の形態に基づいて説明する。
【００２６】
（第１の実施の形態）
図１〜図６は、本発明に係る触媒担体の第１の実施の形態を示している。なお、図１は触媒担体の斜視図、図２は触媒担体の内部構造であり、図１のＡ部を展開した拡大展開斜視図、図３はオフセット波板の一部を示す斜視図、図４はオフセット波板の正面図、図５は図３のＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４断面を上から順にガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに揃えて並べた断面図、図６はオフセット波板の平面図である。
【００２７】
図１に示すように、触媒担体１Ａは、帯状の平板２及び帯状のオフセット波板３の一端側を重ね合わせた状態で巻き回して円柱形状に形成されている。図２に示すように、平板２とオフセット波板３とは交互に積層された状態で配置され、隣接する平板２とオフセット波板３との仕切りによって多数の担体セル４がガス流れ方向Ｐ及びその直交方向Ｓに三次元的に形成されている。隣接する平板２とオフセット波板３との間の接触部分は、拡散接合などによって接合されている。
【００２８】
オフセット波板３は、図３及び図４に詳しく示すように、ガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに沿って底辺部５、第１斜辺部６ａ、６ｂ、天辺部７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ及び第２斜辺部８ａ、８ｂがこの順序で繰り返し形成されている。この底辺部５、斜辺部６ａ、６ｂ、天辺部７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ及び斜辺部８ａ、８ｂの連続パターンは、ガス流れ方向Ｐに沿って連続的に形成されていると共に、第１斜辺部６ａ及び第２斜辺部８ｂは、ガス流れ方向Ｐに沿ってオフセットしない部分を間に挟んでその一方側がガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに交互にオフセットされている。
【００２９】
さらに、図５を用いてその詳細を説明する。下記する第１パターン〜第４パターンの担体セル４にはそれぞれ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの符号を図５に限り付して明確化する。図５に示すように、第１斜辺部６ａ、天辺部７ａ、第２斜辺部８ａによって形成される第１パターンの担体セル４ａと、第１斜辺部６ｂ、天辺部７ｂ、第２斜辺部８ａによって形成される第２パターンの担体セル４ｂと、第１斜辺部６ｂ、天辺部７ｃ、第２斜辺部８ｂによって形成される第３パターンの担体セル４ｃと、第１斜辺部６ｂ、天辺部７ｄ、第２斜辺部８ａによって形成される第４パターンの担体セル４ｄとがガス流れ方向Ｐに沿ってこの順序で繰り返し形成されている。
【００３０】
オフセット波板３には、第１パターンの担体セル４ａを形成する箇所と第２パターンの担体セル４ｂを形成する箇所との間、及び、第４パターンの担体セル４ｄを形成する箇所と第１パターンの担体セル４ａを形成する箇所との間に、第１斜辺部６ａ、６ｂのオフセットｄによって切込み開口部９が形成されている。一方、第２斜辺部８ａ側は連続しているため、切込み開口部は形成されない。さらに、オフセット波板３には、第２パターンの担体セル４ｂを形成する箇所と第３パターンの担体セル４ｃを形成する箇所との間、及び、第３パターンの担体セル４ｃを形成する箇所と第４パターンの担体セル４ｄを形成する箇所との間に、第２斜辺部８ａ、８ｂのオフセットｄによって切込み開口部１０が形成されているが、上記同様にして、第１斜辺部６ｂ側は連続しているため、切込み開口部は形成されない。
【００３１】
そして、ガス流れ方向Ｐに隣接する各パターンの担体セル４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは互いにオフセット状態に形成され、このオフセットによってガス流れ方向Ｐに沿って密度粗の担体セル４ａ、４ｃ（第１パターンと第３パターン）と密度密の担体セル４ｂ、４ｄ（第２パターンと第４パターン）とが交互に繰り返し配置されている。また、ガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに隣接される担体セル４列同士は、互いに粗密の配列が逆に配置されている。
【００３２】
また、天辺部７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄの各幅寸法は、第１斜辺部６ａ、６ｂと第２斜辺部８ａ、８ｂの各オフセット量ｄに依存し、密度密の担体セル４ｂ、４ｄの天辺部７ｂ、７ｄの幅寸法Ｗ１は、密度粗の担体セル４ａ、４ｃの天辺部７ａ、７ｃの幅寸法Ｗ２に対して、０．２≦（Ｗ１／Ｗ２）＜１の比率の範囲内に設定されている。この実施の形態では、Ｗ１：Ｗ２＝１：２程度に設定されている。
【００３３】
このように形成された触媒担体１Ａの各担体セル４の内壁面に触媒を担持する処理が施される。
【００３４】
上記構成において、排気ガスが触媒担体１Ａ中の各担体セル４（図５の４ａ〜４ｄ）内を通過し、この通過の際に排気ガス内の有害成分が触媒に接触して浄化される。ここで、オフセット波板３のオフセット配列及び担体セル４（図５の４ａ〜４ｄ）の粗密配列によって、排気ガスが担体セル４（図５の４ａ〜４ｄ）からこれに隣接する下流の担体セル４（図５の４ａ〜４ｄ）に移動する際にガス流れが有効に拡散される。これによって、排気ガス内の有害成分が触媒と接触する頻度が高められ、良好な排気ガス浄化が行われる。
【００３５】
そして、上記触媒担体１Ａでは、ガス流れ方向Ｐに隣接する密度粗の担体セル４ａ、４ｃと密度密の担体セル４ｂ、４ｄとを形成するオフセット波板３の連結箇所は、その双方の天辺部７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄの箇所で密度密の天辺部７ｂ、７ｄの幅Ｗ１で連結すると共に、第１斜辺部６ｂと第２斜辺部８ａのいずれか一方の部分が連続して連結するため、構造的に強く耐久性に優れている。また、第１斜辺部６ａ、６ｂや第２斜辺部８ａ、８ｂのオフセット量ｄを大きくしても天辺部７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ間の連結幅が同じであるため、強度をほとんど低下させることなく切込み開口部９、１０の幅を所定以上の幅にできる。以上より、耐久性の向上とウォッシュコートによる目詰まり防止とを共に実現できる。
【００３６】
上記第１の実施の形態では、密度密の担体セル４ｂ、４ｄの天辺部７ｂ、７ｄの幅寸法Ｗ１と密度粗の担体セル４ａ、４ｃの天辺部７ａ、７ｃの幅Ｗ２との比率を、Ｗ１：Ｗ２＝１：２程度に設定したので、切込み開口部９、１０が広く設定される。従って、セル密度が５００ｃｐｓｉである高密度セルの場合にも、ウォッシュコートのコーティング時に切込み開口部９、１０が目詰まりすることを防止できる。
【００３７】
上記第１の実施の形態では、第１斜辺部６ａと第２斜辺部８ｂは、互いに１つ置きに交互にオフセットされているので、排気ガスを効率的に拡散できる。
【００３８】
（第２の実施の形態）
図７〜図９は本発明の第２の実施の形態を示し、図７はオフセット波板の平面図、図８は図７のＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４断面を上から順にガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに揃えて並べた断面図、図９は図７のＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４断面を上から順にガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに揃えて並べた断面図である。
【００３９】
図７〜図９に示すように、この第２の実施の形態のオフセット波板１１では、上述した第１の実施の形態と同様に、第１斜辺部６ａ及び第２斜辺部８ｂが、ガス流れ方向Ｐに沿ってオフセットしない部分を間に挟んでその一方側が２つ置きにガス流れ方向Ｐの直交方向Ｓに交互にオフセットされている。つまり、第１斜辺部６ａと第２斜辺部８ｂのいずれか一方が２つ連続してオフセット位置に配置され、次に他方が２つ連続してオフセット位置に配置され、このパターンの繰り返しにより互いに２つ置きに交互にオフセットされている。
【００４０】
さらに、図８及び図９を用いてその詳細を説明する。下記する第１パターン〜第８パターンの担体セル４にはそれぞれ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈの符号を付して明確化する。図８及び図９に示すように、第１斜辺部６ａ、天辺部７ａ、第２斜辺部８ａによって形成される第１パターンの担体セル４ａと、第１斜辺部６ｂ、天辺部７ｂ、第２斜辺部８ａによって形成される第２パターンの担体セル４ｂと、第１斜辺部６ａ、天辺部７ｃ、第２斜辺部８ａによって形成される第３パターンの担体セル４ｃと、第１斜辺部６ｂ、天辺部７ｄ、第２斜辺部８ａによって形成される第４パターンの担体セル４ｄと、第１斜辺部６ｂ、天辺部７ｅ、第２斜辺部８ｂによって形成される第５パターンの担体セル４ｅと、第１斜辺部６ｂ、天辺部７ｆ、第２斜辺部８ａによって形成される第６パターンの担体セル４ｆと、第１斜辺部６ｂ、天辺部７ｇ、第２斜辺部８ｂによって形成される第７パターンの担体セル４ｇと、第１斜辺部６ｂ、天辺部７ｈ、第２斜辺部８ａによって形成される第８パターンの担体セル４ｈとがガス流れ方向Ｐに沿ってこの順序で繰り返し形成されている。
【００４１】
オフセット波板１１には、第１パターンの担体セル４ａを形成する箇所と第２パターンの担体セル４ｂを形成する箇所との間、及び、第２パターンの担体セル４ｂを形成する箇所と第３パターンの担体セル４ｃを形成する箇所との間、第３パターンの担体セル４ｃを形成する箇所と第４パターンの担体セル４ｄを形成する箇所との間、及び、第８パターンの担体セル４ｈを形成する箇所と第１パターンの担体セル４ａを形成する箇所との間に、第１斜辺部６ａ、６ｂのオフセットによって切込み開口部（図示せず）が形成されている。一方、第２斜辺部８ａ側は連続しているため、切込み開口部は形成されない。さらに、第４パターンの担体セル４ｄを形成する箇所と第５パターンの担体セル４ｅを形成する箇所との間、第５パターンの担体セル４ｅを形成する箇所と第６パターンの担体セル４ｆを形成する箇所との間、及び、第６パターンの担体セル４ｆを形成する箇所と第７パターンの担体セル４ｇを形成する箇所との間、及び、第７パターンの担体セル４ｇを形成する箇所と第８パターンの担体セル４ｈを形成する箇所との間に、第２斜辺部８ａ、８ｂのオフセットによって切込み開口部（図示せず）が形成されているが、上記同様にして、第１斜辺部６ｂ側は連続しているため、切込み開口部は形成されない。
【００４２】
他の構成は、上述した第１の実施の形態と同様であるため、説明を省略する。
【００４３】
そして、この第２の実施の形態の場合でも、ガス流れ方向Ｐに隣接する密度粗の担体セル４ａ、４ｃ、４ｅ、４ｇと密度密の担体セル４ｂ、４ｄ、４ｆ、４ｈとを形成するオフセット波板１１の連結箇所は、その隣接する天辺部７ａ〜７ｈの箇所で高密度の天辺部７ｂ、７ｄ、７ｆ、７ｈの幅Ｗ１で連結すると共に、第１斜辺部６ｂと第２斜辺部８ａのいずれか一方の部分が連続して連結するため、構造的に強く耐久性に優れている。また、第１斜辺部６ａ、６ｂや第２斜辺部８ａ、８ｂのオフセット量を大きくしても天辺部７ａ〜７ｈ間の連結幅が同じであるため、強度をほとんど低下させることなく切込み開口部（図示せず）の幅を所定以上の幅にできる。以上より、耐久性の向上とウォッシュコートによる目詰まり防止とを共に実現できる。
【００４４】
なお、上記した第２の実施の形態では、第１斜辺部６ａと第２斜辺部８ｂが、互いに２つ置きに交互にオフセットされているので、第１斜辺部６ｂ及び第２斜辺部８ａのいずれか一方が４つの担体セル（４ａ〜４ｈの内の連続した４つ）の部分に亘って連続的に配置される。従って、耐久性の更なる向上を図ることができる。尚、第１斜辺部６ａと第２斜辺部８ｂは、互いに３つ置き以上に交互にオフセット配置しても良い。
【００４５】
また、上記した第１及び第２の実施の形態では、平板２はフラットなものを適用したが、微小な波形状を有するものであっても良い。本発明では、平板２には若干の波形状を有するものも含む。
【００４６】
さらに、上記した第１及び第２実施の形態では、平板２及びオフセット波板３、１１の一端側を重ね合わせた状態で巻き回して円筒形状に形成されているが、平板２及びオフセット波板３、１１の一端側を重ね合わせた状態でＳ字状に交互に折曲することによって形成することもでき、種々の作製手順を採用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す触媒担体の斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示す触媒担体の内部構造であり、図１のＡ部を展開した拡大展開斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態を示すオフセット波板の一部斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態を示すオフセット波板の正面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態を示し、図３のＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４断面を上から順にガス流れ方向の直交方向に揃えて並べた断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態を示すオフセット波板の平面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態を示すオフセット波板の平面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態を示し、図７のＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４断面を上から順にガス流れ方向の直交方向に揃えて並べた断面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態を示し、図７のＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４断面を上から順にガス流れ方向の直交方向に揃えて並べた断面図である。
【図１０】従来の触媒担体の斜視図である。
【図１１】従来の触媒担体の内部構造の斜視図である。
【図１２】従来のオフセット波板の正面図である。
【図１３】従来のオフセット波板の斜視図である。
【符号の説明】
１Ａ触媒担体
２平板
３、１１オフセット波板
４、４ａ〜４ｈ担体セル
６ａ、６ｂ第１斜辺部
７ａ〜７ｈ天辺部
８ａ、８ｂ第２斜辺部
Ｐガス流れ方向
Ｓガス流れ方向の直交方向

Claims

オフセット波板（３）、（１１）と平板（２）とを交互に積層配置してこれらの仕切りによって多数の担体セル（４）がガス流れ方向（Ｐ）に沿って連続的で、且つ、オフセット状態に配置された触媒担体（１Ａ）であって、
前記オフセット波板（３）、（１１）は、ガス流れ方向（Ｐ）の直交方向（Ｓ）に沿って底辺部（５）、第１斜辺部（６ａ）、（６ｂ）、天辺部（７ａ）〜（７ｄ）及び第２斜辺部（８ａ）、（８ｂ）がこの順序で繰り返し形成され、且つ、この連続パターンがガス流れ方向（Ｐ）に連続的に形成されていると共に、前記第１斜辺部（６ａ）及び前記第２斜辺部（８ｂ）は、オフセットしない部分を間に挟んでガス流れ方向（Ｐ）の所定間隔置きに、そのいずれか一方のみがガス流れ方向（Ｐ）の直交方向にオフセットされており、このオフセットによってガス流れ方向（Ｐ）に沿って比較的低セル密度の前記担体セル（４）と比較的高セル密度の前記担体セル（４）とが交互に繰り返し配置されていることを特徴とする触媒担体（１Ａ）。
請求項１記載の触媒担体（１Ａ）であって、
比較的高セル密度の前記担体セル（４）の前記天辺部（７ｂ）、（７ｄ）の幅寸法Ｗ１は、比較的低セル密度の前記担体セル（４）の前記天辺部（７ａ）、（７ｃ）の幅寸法Ｗ２に対して、０．２≦（Ｗ１／Ｗ２）＜１の比率の範囲内に設定したことを特徴とする触媒担体（１Ａ）。
請求項２記載の触媒担体（１Ａ）であって、
Ｗ１：Ｗ２＝１：２程度に設定したことを特徴とする触媒担体（１Ａ）。
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載された触媒担体（１Ａ）であって、
前記第１斜辺部（６ａ）と前記第２斜辺部（８ｂ）は、互いに１つ置きに交互にオフセットされていることを特徴とする触媒担体（１Ａ）。
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載された触媒担体（１Ａ）であって、
前記第１斜辺部（６ａ）と前記第２斜辺部（８ｂ）は、いずれか一方を連続してオフセット位置に配置され、他方を連続してオフセット位置に配置し、このパターンの繰り返しにより互いに複数毎に交互にオフセットされていることを特徴とする触媒担体（１Ａ）。