JP2004269985A - 硬質皮膜 - Google Patents
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Abstract
【課題】物理蒸着法を用いて、基材上に、耐酸化性を1000℃以上有するとともに、耐摩耗性が良好な硬質皮膜を形成すること。
【解決手段】被処理物の表面に、Al(アルミニウム)およびCr(クロム)と、La(ランタン),Ce(セリウム),ミッシュメタルを含む希土類元素から選択した元素の1種以上とを主成分とする窒化物または酸窒化物で構成される硬質皮膜を形成した。さらには、金属成分としてB(ホウ素)またはSi(ケイ素)を含んでいてもよい。
【選択図】 図2
【解決手段】被処理物の表面に、Al(アルミニウム)およびCr(クロム)と、La(ランタン),Ce(セリウム),ミッシュメタルを含む希土類元素から選択した元素の1種以上とを主成分とする窒化物または酸窒化物で構成される硬質皮膜を形成した。さらには、金属成分としてB(ホウ素)またはSi(ケイ素)を含んでいてもよい。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、物理蒸着法を用いて基材上に成膜した耐高温酸化性,耐磨耗性を飛躍的に向上させた硬質皮膜に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来イオンプレーティングに代表される物理蒸着法を用いて基板上に高硬度皮膜を形成する技術が開発され、TiN皮膜はその中でも最も実用化が進んでおり、工具、金型、眼鏡等の装飾品等に適用されている。しかし、この皮膜は500℃以上になると、皮膜の酸化が始まるため、高温に曝される部品、工具、金型等には適用出来ない。そこで、この改善策として、TiAlN皮膜が開発され、この皮膜では約800℃までの高温中でも酸化が抑制され使用が可能となったが、それ以上であると上記TiNと同様酸化による皮膜劣化で適用が困難である。さらに高温で使用可能な皮膜として、下記特許文献1に示すAl−Cr−Nが考案され、この皮膜では約1000℃までの高温での使用が可能であるが、密着性の点で問題があり、高荷重が負荷する製品、部品に対しては耐摩耗性の点で課題がある。
【0003】
【特許文献1】
特開平10−25566号(
【特許請求の範囲】)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、以上の従来技術の課題を解決するため研究を進め、従来技術を飛躍的に向上した、耐酸化性かつ耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提案するに至った。すなわち、本発明は、耐酸化性を1000℃以上有し、且つ、耐摩耗性が良好な硬質皮膜を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、被処理物の表面に形成される硬質皮膜において、AlおよびCrと、La,Ce,ミッシュメタルを含む希土類元素から選択した元素の1種以上とを主成分とする窒化物又は酸窒化物である。
上記硬質皮膜の金属成分として、BまたはSiを含んでいてもよい。
上記硬質皮膜を金属成分は、原子%で希土類元素が0.05%以上5%以下、残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることが好ましい。
BまたはSiを金属成分として更に含む場合は、原子%でBまたはSiが1%以上30%以下、希土類元素が0.05%以上5%以下、残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることが好ましい。
また、上記硬質皮膜a層と、TiとAlを主成分とする窒化物でその金属成分のみの原子%がAlが25%以上75%以下、残りがTiである皮膜b層とを交互にそれぞれ1層以上形成し、前記硬質皮膜a層を最外層に形成することができる。
さらに、上記硬質皮膜と基材との間に、TiまたはCrの窒化物からなる層を設けてもよい。
または、上記硬質皮膜と基材との間に、TiまたはCrの窒化物からなる層を設けるとともに、前記皮膜と前記TiまたはCrの窒化物からなる層との間に両組成の混合層を0.1μm以上2μm以下設けてもよい。
なお、この混合層は、前記TiまたはCrの窒化物からなる層を形成するためのコーティング材Xと、前記硬質皮膜を形成するためのコーティング材料Yとを同時に蒸着させる場合に成膜される層であり、コーティング材料Xのアーク電流を徐々に低下させるとともに、コーティング材料Yのアーク電流を一定または徐々に上昇させていくことにより形成される。このようにして形成することにより、コーティング材料Xの成分であるTiまたはCrや、コーティング材料Yの成分であるAl,Cr,希土類元素、Si,Bの成分量が傾斜的に変化した窒化物層が得られる。この窒化物層を混合層といい、言わば前記硬質皮膜と前記TiまたはCrの窒化物との組成が混合状態になっている層をいう。
上記硬質皮膜の形成方法としては、アークイオンプレーティング法などの物理蒸着法により形成することができる。
上記硬質皮膜は、ホブ,ピニオンカッター,ブローチ等の工作機械の工具や金型などに用いることができる。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、本実施の形態による耐酸化性かつ耐摩耗性に優れた硬質皮膜について図面を参照しながら説明する。
初めに本発明がなされた経緯について説明すると以下のとおりである。
TiAlN皮膜は、高温大気中で使用されると、800℃程度で皮膜が酸化され皮膜強度及び密着性が低下する。この酸化状態を分析すると、皮膜成分のAl及びTiが酸化されており、特にTiの酸化物は非常にポーラスであるため、酸素の進入が容易であり厚くなる。このため、上述の皮膜強度及び密着性が低下し、皮膜の剥離に繋がる。
一方、AlCrN皮膜はこの点を改善した皮膜であり、ポーラスで厚く形成するTi成分に代えCrとし、酸素の進入を防止し酸化皮膜を極薄く生成させこの酸化層によりその後の酸化を防止することにより、耐酸化性を向上している。しかしこの皮膜は、Al,Crの酸化物の密着性が低いため、高荷重が負荷する例えば工具に使用した場合剥離が生じ耐摩耗性の点で問題がある。
【0007】
これらの現象を基に本発明では、酸素の進入を防止するすなわち耐酸化性を高めるため、AlおよびCrにLa,Ce,ミッシュメタルを含む希土類元素から選択した元素の1種以上を加えた主成分の窒化物または酸窒化物で構成し、これにより結晶の微細化を図った。すなわち、高温酸化雰囲気に曝された場合、生成する酸化物がAl,Cr,希土類元素の複合酸化皮膜となり、酸素の進入を防止するとともに非常に緻密な複合酸化皮膜であるため、密着性が著しく向上することを見出した。
なお、前記主成分として、BまたはSiを含む場合であっても、高温酸化雰囲気に曝された場合に生成する酸化物がAl,Cr,BまたはSi,希土類元素の複合酸化皮膜となり、密着性が著しく向上することを見出した。
【0008】
図1は、その耐酸化性かつ耐摩耗性に優れた硬質皮膜を基材表面に形成するためのアークイオンプレーティング装置1を示す。このアークイオンプレーティング装置1は、大気と気密なケーシング2を設け、その天井部には、ターゲット3を配設し、ケーシング2の室内12にはテーブル状のホルダー7が配設されている。ホルダー7は、回転軸9を介してモータ8と連結され、ホルダー7はその周方向に回転が可能である。そして、ターゲット3とホルダー7間には、直流電源11が接続され、ターゲット3は電源11の+側と接続され、ホルダー7は電源11の−側に接続されている。
ケーシング2の室内12には、室内12を真空にするための真空ポンプ4が制御バルブ13を介して接続され、また、室内12の不活性ガスを供給するためのアルゴンのガス源5が制御バルブ14を介して接続され、さらに、室内12に窒素または酸素を供給するための窒素ガス源6,酸素ガス源16が制御バルブ15,17を介して接続されている。
【0009】
本実施形態では、ターゲット3はAlおよびCrと、La,Ce,ミッシュメタルなどの希土類元素から選択した元素の1種以上とからなり、また、基板10はSKH−54を用いた。そして、ホルダー7上に基板10を載置し、制御バルブ13〜15のうち、初めに制御バルブ13,14を開き、室内12にアルゴンガスを供給するとともに、室内12を真空引きする。真空引きが完了し、室内12がアルゴン雰囲気になったら、モータ8によりホルダー7を回転させる。次いで、遮断バルブ13,14を閉じてターゲット3とホルダー7間に直流電圧を印加させて、プラズマを発生して室内12温度を上昇させる。室内12温度が一定温度に達したときに、制御バルブ15を開き窒素ガス源6から室内12へ窒素を供給してアーク放電を生じさせる。ここで、窒素とともに酸素を酸素ガス源16から供給してもよい。これにより、基板10の表面に耐高温酸化かつ耐磨耗性に優れた硬質皮膜が形成される。
このような硬質皮膜は、ホブ,ピニオンカッター,ブローチ,金型などの工具や眼鏡などの装飾品に使用することができる。
【0010】
【実施例】
アークイオンプレーティング装置により各種合金ターゲットを用い、白金基材上に膜厚3μmの皮膜を成膜した。成膜条件は、窒素のみを供給する場合は表1,窒素と酸素を供給する場合は表2に示す通りとした。
【0011】
【表1】
【表2】
【0012】
そして、生成した皮膜を、示差熱分析装置を用いて空気気流中(1L/min.),10K/min.の昇温速度で1200℃まで酸化による質量変化を測定し、皮膜の酸化重量増加率を求めた。
各実施例の組成と、比較例及び従来例の測定結果を表3〜表5に示す。
なお、実施例8,21,34および比較例10,23,36は表2に示す条件下で、それ以外は表1に示す条件下でアークイオンプレーティングを行った。
【0013】
【表3】
【0014】
【表4】
【0015】
【表5】
【0016】
ここで、La,Ce,ミッシュメタルを含む希土類元素の役割に着目すると、これらの元素を付加することにより、結晶の微細化の点で密着性に対し大きく影響を与え、また高温酸化雰囲気中に曝された場合には、皮膜層表層部に極めて緻密な酸化物層が形成され、その後の酸化を抑制することとなる。
このとき、前記希土類元素は、金属成分のみの原子%で0.05%以上5%以下で効果を発揮する。0.05%未満であると耐酸化性が不十分であり、5%を超えても表層酸化皮膜がポーラスとなり、耐酸化性が不十分となる。皮膜がもろくなり、衝撃に対し弱くなり剥離の原因となる。
さらに、AlとCrの量については、Al/Cr原子%比が0.3以上3以下で効果を発揮する。0.3未満または3を超えると、耐酸化性が劣化する。
【0017】
また、金属成分としてBまたはSiが含まれる場合には、BまたはSiが金属成分のみの原子%で1%以上30%以下で効果を発揮する。1%未満であると耐磨耗性が劣化し、30%を超えると皮膜が脆くなり、熱あるいは機械的衝撃に対して弱くなるため、皮膜剥離の原因となる。
よって、上記各実施例1〜8,実施例12〜21,実施例25〜34において、本発明の硬質皮膜は耐酸化性に優れていることが判明した。
【0018】
次に、他の実施例として、上記のアークイオンプレーティング装置により、各種合金ターゲットを用い、高速度工具鋼(SKH−54)基材上に硬質皮膜を成膜した。
成膜条件は、窒素のみを供給する場合は表1,窒素と酸素とを供給する場合は表2に示す通りとした。ただし、窒素と酸素とを供給する場合であって、後述する窒化物(TiNまたはCrN)を基板上に成膜する際には、窒素のみを供給した。
また、基材/硬質皮膜間には、窒化物(TiNまたはCrN)を1μm成膜した。前記窒化物と前記硬質皮膜との間に両組成の混合層を設ける場合は、当該混合層と前記窒化物の総膜厚が1μmとなるよう成膜した。なお硬質皮膜の膜厚は3μmとなるよう成膜した。
その後、アルミナボール(φ6)を使用したボールオンディスク摩耗試験を実施し耐摩耗性を評価した。試験条件は、荷重5N、すべり速度100m/s、摺動距離300m、室温、無潤滑である。摩耗量の測定は、摩耗試験後のコーティング層の摩耗深さ及び摩耗幅を測定することにより行った。各実施例の各種合金ターゲットの組成(原子%)は以下の通りである。
【0019】
[実施例39]
ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.15(μm)であり、摩耗幅は0.15(mm)であった。(図2参照)
[実施例40]
図5に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった。なお、2種のコーティング層を2層以上に形成する場合は、a層を最外層に配置する(以下、同様)。
[実施例41]
図6に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.13(mm)であった。
【0020】
[実施例42]
図7に示すように、予め基材にTi窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.15(mm)であった。
[実施例43]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった(図7参照)。
[実施例44]
図8に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.15(mm)であった。
[実施例45]
図9に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.16(mm)であった。
【0021】
[実施例46]
図10に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
[実施例47]
図11に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)とCr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、上記Ti:51%,Al:49%を用いて表1の条件でb層を成膜したのち、実施例46と同一のターゲット材を用いて表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.15(mm)であった。
[実施例48]
図12に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)およびCr(c層のターゲット材)を用い、同時に表1の条件で蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに減少させ、a層,b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、実施例47と同様に、b層及びa層を交互に表1の条件で各10層,合計20層成膜した。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.13(mm)であった。
【0022】
[実施例49]
ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表2に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった。(図2参照)
[実施例50]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成したのち、ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表2に示す条件でアークイオンプレーティングを行ってa層を形成した。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった(図10参照)。
[実施例51]
予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、上記実施例48と同様(ただし、a層,b層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、a層は表2,b層は表1に示す条件下でそれぞれアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.13(mm)であった(図12参照)。
【0023】
[実施例52]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:50%、Cr:49.95%、Ce:0.05%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった(図10参照)。
[実施例53]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:71.2%、Cr:28.7%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.16(mm)であった(図10参照)。
[実施例54]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:24.9%、Cr:75%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.15μmであり、摩耗幅は0.17mmであった(図10参照)。
【0024】
[比較例55]
ターゲットに、Al:50%、Cr:50%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、摩耗深さは0.45(μm)であり、摩耗幅は0.35(mm)であった。
[比較例56]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:50%、Cr:50%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.40(μm)であり、摩耗幅は0.30(mm)であった。
[比較例57]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:49%、Cr:50.99%、Ce:0.01%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.39(μm)であり、摩耗幅は0.28(mm)であった。
【0025】
[実施例58]
ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表1に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.19(mm)であった(図3参照)。
[実施例59]
図13に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.20(mm)であった。
[実施例60]
図14に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.21(mm)であった。
【0026】
[実施例61]
図15に示すように、予め基材にTi窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.18(mm)であった。
[実施例62]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.17(mm)であった(図15参照)。
[実施例63]
図16に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.18(mm)であった。
[実施例64]
図17に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.20(mm)であった。
【0027】
図10に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
[実施例65]
図18に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.23(mm)であった。
[実施例66]
図19に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)とCr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aへ徐々に減少させ、b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、上記Ti:51%,Al:49%を用いて表1の条件でb層を成膜したのち、実施例65と同一のターゲット材を用いて表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.15(μm)であり、摩耗幅は0.25(mm)であった。
[実施例67]
図20に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)およびCr(c層のターゲット材)を用い、同時に表1の条件で蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層,b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、実施例66と同様に、b層及びa層を交互に表1の条件で各10層,合計20層成膜した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.21(mm)であった。
【0028】
[実施例68]
ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表2に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.19(mm)であった(図3参照)。
[実施例69]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットにAl:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表2に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.17(mm)であった(図18参照)。
[実施例70]
予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、実施例66と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、a層は表2,b層は表1に示す条件下でそれぞれアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.20(mm)であった(図20参照)。
【0029】
[実施例71]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:45%、Cr:49.95%、B:5%,Ce:0.05%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.19(mm)であった(図18参照)。
[実施例72]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:43.5%、Cr:48.5%、B:5%、Ce:3%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.21(mm)であった(図18参照)。
【0030】
[比較例73]
ターゲットに、Al:45%、Cr:50%、B:5%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、摩耗深さは0.58(μm)であり、摩耗幅は0.53(mm)であった。
[比較例74]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:45%、Cr:50%、B:5%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.56(μm)であり、摩耗幅は0.51(mm)であった。
[比較例75]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%、Ce:0.01%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.55(μm)であり、摩耗幅は0.50(mm)であった。
【0031】
[実施例76]
ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった(図4参照)。
[実施例77]
図21に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
[実施例78]
図22に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
【0032】
[実施例79]
図23に示すように、予め基材にTi窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.13(mm)であった。
[実施例80]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった(図23参照)。[実施例81]
図24に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
[実施例82]
図25に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった。
図18に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.23(mm)であった。
【0033】
[実施例83]
図26に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:45%,Si:10%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:44.9%,Cr:45%,Si:10%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった。
[実施例84]
図27に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)とCr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。上記Ti:51%,Al:49%を用いて表1の条件でb層を成膜したのち、実施例83と同一のターゲット材を用いて表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった。
[実施例85]
図28に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)およびCr(c層のターゲット材)を用い、同時に表1の条件で蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層,b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、実施例84と同様に、b層及びa層を交互に表1の条件で各10層、合計20層成膜した。その結果、摩耗深さは0.09(μm)であり、摩耗幅は0.10(mm)であった。
【0034】
[実施例86]
ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表2に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.09(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった(図4参照)。
[実施例87]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例83と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表2に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.08(μm)であり、摩耗幅は0.09(mm)であった(図26参照)。
[実施例88]
予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、実施例84と同様(ただし、a層,b層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、a層は表2,b層は表1に示す条件下でそれぞれアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.08(μm)であり、摩耗幅は0.09(mm)であった(図28参照)。
【0035】
[比較例89]
ターゲットに、Al:45%、Cr:45%、Si:10%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、摩耗深さは0.22(μm)であり、摩耗幅は0.24(mm)であった。
[比較例90]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例83と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:45%、Cr:45%、Si:10%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.20(μm)であり、摩耗幅は0.23(mm)であった。
[比較例91]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例83と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後,ターゲットに、Al:50%、Cr:50%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.50(μm)であり、摩耗幅は0.30(mm)であった。
[従来例92]
予め基材にTi窒化物を形成(c層)した後、実施例83と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Ti:51%、Al:49%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.80(μm)であり、摩耗幅は0.40(mm)であった。
【0036】
各実施例39〜54,58〜72,76〜88と各比較例55〜57,73〜75,89〜91及び従来例92の結果を表6〜表8に示すが、本発明の皮膜は耐摩耗性に優れていることが判明した。
【0037】
【表6】
【0038】
【表7】
【0039】
【表8】
【0040】
密着性向上のためには、AlおよびCrに、La,Ce,ミッシュメタルを含む希土類元素から選択した元素の1種以上を複合化させた窒化物または酸窒化物で皮膜を構成すると耐磨耗効果が大きい。このとき、特に金属成分のみの原子%で、前記希土類元素が0.05%以上5%以下、且つ残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることが好ましい(実施例39,49)。また、金属元素として、Al,Cr,前記希土類元素のほかBまたはSiを含んでいてもよい。このとき、金属成分のみの原子%で、BまたはSiが1%以上30%以下、希土類元素が0.05%以上5%以下、且つ残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることが好ましい(実施例58,68、実施例76,86)。
また、上記組成比からなる硬質皮膜a層と、Ti,Alを主成分とする窒化物でその金属成分のみの原子%がAlが25%以上75%以下,残りがTiである皮膜b層とを交互に1層以上形成すると、さらに耐磨耗効果が大きくなる(実施例40〜41,実施例59〜60,実施例77〜78)。このとき、b層のAlが25%未満または75%を超える場合には、硬度低下による皮膜剥離の問題が生じてしまう。
【0041】
さらに、前記硬質皮膜層と基材との間に、TiまたはCrの窒化物層(c層)を設けると基材との密着性が格段に向上する(実施例42〜48,50〜54、実施例61〜67,69〜72、実施例79〜85,87〜88)。特に、基材上のTiまたはCrの窒化物層(c層)と硬質皮膜層(a層又はb層)との間に、a層,c層の両成分またはa〜c層と各成分を含む混合層(d層)を設けると更に密着性が向上する(実施例46〜48,50〜54、実施例65〜67,69〜72、実施例83〜85,87〜88)
【0042】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形及び変更が可能である。
例えば、上記コーティング層の形成に当たっては、物理蒸着法が適用され、その金属蒸発方法である電子銃によるもの、ホロカソードによるもの、スパッタリングによるもの、アーク放電によるもの等があるがこれらの方法には制約はない。
【0043】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明皮膜は高温での耐酸化性が優れており、且つ密着性が良好であるため耐摩耗性も極めて良好であり、被覆した部材、製品の長寿命化が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による耐高温酸化と高耐摩耗性に優れた硬質皮膜を基材に形成するためのアークイオンプレーティング装置の概略図である。
【図2】本発明の実施の形態による硬質皮膜((Al−Cr−希土類元素)の窒化物または酸窒化物)を基材表面にコーティングさせた状態を示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態による硬質皮膜((Al−Cr−B−希土類元素)の窒化物または酸窒化物)を基材表面にコーティングさせた状態を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態による硬質皮膜((Al−Cr−Si−希土類元素)の窒化物または酸窒化物)を基材表面にコーティングさせた状態を示す断面図である。
【図5】図2の実施例において、2種のコーティング層を2層付着させた状態を示す断面図である。
【図6】図2の実施例において、2種のコーティング層を交互に20層付着させた状態を示す断面図である。
【図7】図2の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図8】図5の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図9】図6の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図10】図7の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図11】図8の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図12】図9の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図13】図3の実施例において、2種のコーティング層を2層付着させた状態を示す断面図である。
【図14】図3の実施例において、2種のコーティング層を交互に20層付着させた状態を示す断面図である。
【図15】図3の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図16】図13の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図17】図14の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図18】図15の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図19】図16の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図20】図17の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図21】図4の実施例において、2種のコーティング層を2層付着させた状態を示す断面図である。
【図22】図4の実施例において、2種のコーティング層を交互に20層付着させた状態を示す断面図である。
【図23】図4の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図24】図21の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図25】図22の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図26】図23の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図27】図24の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図28】図25の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 アークイオンプレーティング装置
2 ケーシング
3 ターゲット
4 真空ポンプ
5 ガス源(Ar)
6 ガス源(N2)
7 ホルダー
8 モータ
9 回転軸
10 基材
11 電源
13〜15,17 制御弁
16 ガス源(O2)
a,b,c,d 皮膜(コーティング層)
【発明の属する技術分野】
本発明は、物理蒸着法を用いて基材上に成膜した耐高温酸化性,耐磨耗性を飛躍的に向上させた硬質皮膜に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来イオンプレーティングに代表される物理蒸着法を用いて基板上に高硬度皮膜を形成する技術が開発され、TiN皮膜はその中でも最も実用化が進んでおり、工具、金型、眼鏡等の装飾品等に適用されている。しかし、この皮膜は500℃以上になると、皮膜の酸化が始まるため、高温に曝される部品、工具、金型等には適用出来ない。そこで、この改善策として、TiAlN皮膜が開発され、この皮膜では約800℃までの高温中でも酸化が抑制され使用が可能となったが、それ以上であると上記TiNと同様酸化による皮膜劣化で適用が困難である。さらに高温で使用可能な皮膜として、下記特許文献1に示すAl−Cr−Nが考案され、この皮膜では約1000℃までの高温での使用が可能であるが、密着性の点で問題があり、高荷重が負荷する製品、部品に対しては耐摩耗性の点で課題がある。
【0003】
【特許文献1】
特開平10−25566号(
【特許請求の範囲】)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、以上の従来技術の課題を解決するため研究を進め、従来技術を飛躍的に向上した、耐酸化性かつ耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提案するに至った。すなわち、本発明は、耐酸化性を1000℃以上有し、且つ、耐摩耗性が良好な硬質皮膜を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、被処理物の表面に形成される硬質皮膜において、AlおよびCrと、La,Ce,ミッシュメタルを含む希土類元素から選択した元素の1種以上とを主成分とする窒化物又は酸窒化物である。
上記硬質皮膜の金属成分として、BまたはSiを含んでいてもよい。
上記硬質皮膜を金属成分は、原子%で希土類元素が0.05%以上5%以下、残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることが好ましい。
BまたはSiを金属成分として更に含む場合は、原子%でBまたはSiが1%以上30%以下、希土類元素が0.05%以上5%以下、残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることが好ましい。
また、上記硬質皮膜a層と、TiとAlを主成分とする窒化物でその金属成分のみの原子%がAlが25%以上75%以下、残りがTiである皮膜b層とを交互にそれぞれ1層以上形成し、前記硬質皮膜a層を最外層に形成することができる。
さらに、上記硬質皮膜と基材との間に、TiまたはCrの窒化物からなる層を設けてもよい。
または、上記硬質皮膜と基材との間に、TiまたはCrの窒化物からなる層を設けるとともに、前記皮膜と前記TiまたはCrの窒化物からなる層との間に両組成の混合層を0.1μm以上2μm以下設けてもよい。
なお、この混合層は、前記TiまたはCrの窒化物からなる層を形成するためのコーティング材Xと、前記硬質皮膜を形成するためのコーティング材料Yとを同時に蒸着させる場合に成膜される層であり、コーティング材料Xのアーク電流を徐々に低下させるとともに、コーティング材料Yのアーク電流を一定または徐々に上昇させていくことにより形成される。このようにして形成することにより、コーティング材料Xの成分であるTiまたはCrや、コーティング材料Yの成分であるAl,Cr,希土類元素、Si,Bの成分量が傾斜的に変化した窒化物層が得られる。この窒化物層を混合層といい、言わば前記硬質皮膜と前記TiまたはCrの窒化物との組成が混合状態になっている層をいう。
上記硬質皮膜の形成方法としては、アークイオンプレーティング法などの物理蒸着法により形成することができる。
上記硬質皮膜は、ホブ,ピニオンカッター,ブローチ等の工作機械の工具や金型などに用いることができる。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下、本実施の形態による耐酸化性かつ耐摩耗性に優れた硬質皮膜について図面を参照しながら説明する。
初めに本発明がなされた経緯について説明すると以下のとおりである。
TiAlN皮膜は、高温大気中で使用されると、800℃程度で皮膜が酸化され皮膜強度及び密着性が低下する。この酸化状態を分析すると、皮膜成分のAl及びTiが酸化されており、特にTiの酸化物は非常にポーラスであるため、酸素の進入が容易であり厚くなる。このため、上述の皮膜強度及び密着性が低下し、皮膜の剥離に繋がる。
一方、AlCrN皮膜はこの点を改善した皮膜であり、ポーラスで厚く形成するTi成分に代えCrとし、酸素の進入を防止し酸化皮膜を極薄く生成させこの酸化層によりその後の酸化を防止することにより、耐酸化性を向上している。しかしこの皮膜は、Al,Crの酸化物の密着性が低いため、高荷重が負荷する例えば工具に使用した場合剥離が生じ耐摩耗性の点で問題がある。
【0007】
これらの現象を基に本発明では、酸素の進入を防止するすなわち耐酸化性を高めるため、AlおよびCrにLa,Ce,ミッシュメタルを含む希土類元素から選択した元素の1種以上を加えた主成分の窒化物または酸窒化物で構成し、これにより結晶の微細化を図った。すなわち、高温酸化雰囲気に曝された場合、生成する酸化物がAl,Cr,希土類元素の複合酸化皮膜となり、酸素の進入を防止するとともに非常に緻密な複合酸化皮膜であるため、密着性が著しく向上することを見出した。
なお、前記主成分として、BまたはSiを含む場合であっても、高温酸化雰囲気に曝された場合に生成する酸化物がAl,Cr,BまたはSi,希土類元素の複合酸化皮膜となり、密着性が著しく向上することを見出した。
【0008】
図1は、その耐酸化性かつ耐摩耗性に優れた硬質皮膜を基材表面に形成するためのアークイオンプレーティング装置1を示す。このアークイオンプレーティング装置1は、大気と気密なケーシング2を設け、その天井部には、ターゲット3を配設し、ケーシング2の室内12にはテーブル状のホルダー7が配設されている。ホルダー7は、回転軸9を介してモータ8と連結され、ホルダー7はその周方向に回転が可能である。そして、ターゲット3とホルダー7間には、直流電源11が接続され、ターゲット3は電源11の+側と接続され、ホルダー7は電源11の−側に接続されている。
ケーシング2の室内12には、室内12を真空にするための真空ポンプ4が制御バルブ13を介して接続され、また、室内12の不活性ガスを供給するためのアルゴンのガス源5が制御バルブ14を介して接続され、さらに、室内12に窒素または酸素を供給するための窒素ガス源6,酸素ガス源16が制御バルブ15,17を介して接続されている。
【0009】
本実施形態では、ターゲット3はAlおよびCrと、La,Ce,ミッシュメタルなどの希土類元素から選択した元素の1種以上とからなり、また、基板10はSKH−54を用いた。そして、ホルダー7上に基板10を載置し、制御バルブ13〜15のうち、初めに制御バルブ13,14を開き、室内12にアルゴンガスを供給するとともに、室内12を真空引きする。真空引きが完了し、室内12がアルゴン雰囲気になったら、モータ8によりホルダー7を回転させる。次いで、遮断バルブ13,14を閉じてターゲット3とホルダー7間に直流電圧を印加させて、プラズマを発生して室内12温度を上昇させる。室内12温度が一定温度に達したときに、制御バルブ15を開き窒素ガス源6から室内12へ窒素を供給してアーク放電を生じさせる。ここで、窒素とともに酸素を酸素ガス源16から供給してもよい。これにより、基板10の表面に耐高温酸化かつ耐磨耗性に優れた硬質皮膜が形成される。
このような硬質皮膜は、ホブ,ピニオンカッター,ブローチ,金型などの工具や眼鏡などの装飾品に使用することができる。
【0010】
【実施例】
アークイオンプレーティング装置により各種合金ターゲットを用い、白金基材上に膜厚3μmの皮膜を成膜した。成膜条件は、窒素のみを供給する場合は表1,窒素と酸素を供給する場合は表2に示す通りとした。
【0011】
【表1】
【表2】
【0012】
そして、生成した皮膜を、示差熱分析装置を用いて空気気流中(1L/min.),10K/min.の昇温速度で1200℃まで酸化による質量変化を測定し、皮膜の酸化重量増加率を求めた。
各実施例の組成と、比較例及び従来例の測定結果を表3〜表5に示す。
なお、実施例8,21,34および比較例10,23,36は表2に示す条件下で、それ以外は表1に示す条件下でアークイオンプレーティングを行った。
【0013】
【表3】
【0014】
【表4】
【0015】
【表5】
【0016】
ここで、La,Ce,ミッシュメタルを含む希土類元素の役割に着目すると、これらの元素を付加することにより、結晶の微細化の点で密着性に対し大きく影響を与え、また高温酸化雰囲気中に曝された場合には、皮膜層表層部に極めて緻密な酸化物層が形成され、その後の酸化を抑制することとなる。
このとき、前記希土類元素は、金属成分のみの原子%で0.05%以上5%以下で効果を発揮する。0.05%未満であると耐酸化性が不十分であり、5%を超えても表層酸化皮膜がポーラスとなり、耐酸化性が不十分となる。皮膜がもろくなり、衝撃に対し弱くなり剥離の原因となる。
さらに、AlとCrの量については、Al/Cr原子%比が0.3以上3以下で効果を発揮する。0.3未満または3を超えると、耐酸化性が劣化する。
【0017】
また、金属成分としてBまたはSiが含まれる場合には、BまたはSiが金属成分のみの原子%で1%以上30%以下で効果を発揮する。1%未満であると耐磨耗性が劣化し、30%を超えると皮膜が脆くなり、熱あるいは機械的衝撃に対して弱くなるため、皮膜剥離の原因となる。
よって、上記各実施例1〜8,実施例12〜21,実施例25〜34において、本発明の硬質皮膜は耐酸化性に優れていることが判明した。
【0018】
次に、他の実施例として、上記のアークイオンプレーティング装置により、各種合金ターゲットを用い、高速度工具鋼(SKH−54)基材上に硬質皮膜を成膜した。
成膜条件は、窒素のみを供給する場合は表1,窒素と酸素とを供給する場合は表2に示す通りとした。ただし、窒素と酸素とを供給する場合であって、後述する窒化物(TiNまたはCrN)を基板上に成膜する際には、窒素のみを供給した。
また、基材/硬質皮膜間には、窒化物(TiNまたはCrN)を1μm成膜した。前記窒化物と前記硬質皮膜との間に両組成の混合層を設ける場合は、当該混合層と前記窒化物の総膜厚が1μmとなるよう成膜した。なお硬質皮膜の膜厚は3μmとなるよう成膜した。
その後、アルミナボール(φ6)を使用したボールオンディスク摩耗試験を実施し耐摩耗性を評価した。試験条件は、荷重5N、すべり速度100m/s、摺動距離300m、室温、無潤滑である。摩耗量の測定は、摩耗試験後のコーティング層の摩耗深さ及び摩耗幅を測定することにより行った。各実施例の各種合金ターゲットの組成(原子%)は以下の通りである。
【0019】
[実施例39]
ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.15(μm)であり、摩耗幅は0.15(mm)であった。(図2参照)
[実施例40]
図5に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった。なお、2種のコーティング層を2層以上に形成する場合は、a層を最外層に配置する(以下、同様)。
[実施例41]
図6に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.13(mm)であった。
【0020】
[実施例42]
図7に示すように、予め基材にTi窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.15(mm)であった。
[実施例43]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった(図7参照)。
[実施例44]
図8に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.15(mm)であった。
[実施例45]
図9に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.16(mm)であった。
【0021】
[実施例46]
図10に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
[実施例47]
図11に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)とCr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、上記Ti:51%,Al:49%を用いて表1の条件でb層を成膜したのち、実施例46と同一のターゲット材を用いて表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.15(mm)であった。
[実施例48]
図12に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)およびCr(c層のターゲット材)を用い、同時に表1の条件で蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに減少させ、a層,b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、実施例47と同様に、b層及びa層を交互に表1の条件で各10層,合計20層成膜した。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.13(mm)であった。
【0022】
[実施例49]
ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表2に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった。(図2参照)
[実施例50]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成したのち、ターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、表2に示す条件でアークイオンプレーティングを行ってa層を形成した。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった(図10参照)。
[実施例51]
予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、上記実施例48と同様(ただし、a層,b層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:50%、Cr:49.9%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、a層は表2,b層は表1に示す条件下でそれぞれアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.13(mm)であった(図12参照)。
【0023】
[実施例52]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:50%、Cr:49.95%、Ce:0.05%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.14(mm)であった(図10参照)。
[実施例53]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:71.2%、Cr:28.7%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.16(mm)であった(図10参照)。
[実施例54]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:24.9%、Cr:75%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.15μmであり、摩耗幅は0.17mmであった(図10参照)。
【0024】
[比較例55]
ターゲットに、Al:50%、Cr:50%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、摩耗深さは0.45(μm)であり、摩耗幅は0.35(mm)であった。
[比較例56]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:50%、Cr:50%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.40(μm)であり、摩耗幅は0.30(mm)であった。
[比較例57]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、上記実施例46と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Al:49%、Cr:50.99%、Ce:0.01%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.39(μm)であり、摩耗幅は0.28(mm)であった。
【0025】
[実施例58]
ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表1に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.19(mm)であった(図3参照)。
[実施例59]
図13に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.20(mm)であった。
[実施例60]
図14に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.21(mm)であった。
【0026】
[実施例61]
図15に示すように、予め基材にTi窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.18(mm)であった。
[実施例62]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.17(mm)であった(図15参照)。
[実施例63]
図16に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.18(mm)であった。
[実施例64]
図17に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.20(mm)であった。
【0027】
図10に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:50%,Cr:49.9%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
[実施例65]
図18に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.23(mm)であった。
[実施例66]
図19に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)とCr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aへ徐々に減少させ、b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、上記Ti:51%,Al:49%を用いて表1の条件でb層を成膜したのち、実施例65と同一のターゲット材を用いて表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.15(μm)であり、摩耗幅は0.25(mm)であった。
[実施例67]
図20に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)およびCr(c層のターゲット材)を用い、同時に表1の条件で蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層,b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、実施例66と同様に、b層及びa層を交互に表1の条件で各10層,合計20層成膜した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.21(mm)であった。
【0028】
[実施例68]
ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表2に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.19(mm)であった(図3参照)。
[実施例69]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットにAl:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、表2に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.17(mm)であった(図18参照)。
[実施例70]
予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、実施例66と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%,Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、a層は表2,b層は表1に示す条件下でそれぞれアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.20(mm)であった(図20参照)。
【0029】
[実施例71]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:45%、Cr:49.95%、B:5%,Ce:0.05%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.14(μm)であり、摩耗幅は0.19(mm)であった(図18参照)。
[実施例72]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:43.5%、Cr:48.5%、B:5%、Ce:3%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.21(mm)であった(図18参照)。
【0030】
[比較例73]
ターゲットに、Al:45%、Cr:50%、B:5%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、摩耗深さは0.58(μm)であり、摩耗幅は0.53(mm)であった。
[比較例74]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:45%、Cr:50%、B:5%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.56(μm)であり、摩耗幅は0.51(mm)であった。
[比較例75]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例65と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:50%、B:5%、Ce:0.01%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.55(μm)であり、摩耗幅は0.50(mm)であった。
【0031】
[実施例76]
ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった(図4参照)。
[実施例77]
図21に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
[実施例78]
図22に示すように、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
【0032】
[実施例79]
図23に示すように、予め基材にTi窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.12(μm)であり、摩耗幅は0.13(mm)であった。
[実施例80]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった(図23参照)。[実施例81]
図24に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々1層である。その結果、摩耗深さは0.11(μm)であり、摩耗幅は0.12(mm)であった。
[実施例82]
図25に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、それぞれ表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった。
図18に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.13(μm)であり、摩耗幅は0.23(mm)であった。
【0033】
[実施例83]
図26に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:45%,Si:10%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Cr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後a層として、上述のa層ターゲット材であるAl:44.9%,Cr:45%,Si:10%,Ce:0.1%を用い、表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった。
[実施例84]
図27に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)とCr(c層のターゲット材)とを同時に表1の条件で両材料を蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。上記Ti:51%,Al:49%を用いて表1の条件でb層を成膜したのち、実施例83と同一のターゲット材を用いて表1の条件でa層を成膜した。その結果、摩耗深さは0.10(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった。
[実施例85]
図28に示すように、予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、Al:44.9%,Cr:50%,B:5%,Ce:0.1%(a層のターゲット材)と、Ti:51%,Al:49%(b層のターゲット材)およびCr(c層のターゲット材)を用い、同時に表1の条件で蒸着させ、混合層(d層)を成膜させた。この場合、混合層成膜時のアーク電流は、c層ターゲット部は130Aから100Aに徐々に減少させ、a層,b層ターゲット部は130Aで一定とし、その時間は10分とした。その後、実施例84と同様に、b層及びa層を交互に表1の条件で各10層、合計20層成膜した。その結果、摩耗深さは0.09(μm)であり、摩耗幅は0.10(mm)であった。
【0034】
[実施例86]
ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表2に示す成膜条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、コーティング層aを得た。コーティング層aの摩耗深さは0.09(μm)であり、摩耗幅は0.11(mm)であった(図4参照)。
[実施例87]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例83と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、表2に示す条件でアークイオンプレーティングを行った(a層形成)。その結果、摩耗深さは0.08(μm)であり、摩耗幅は0.09(mm)であった(図26参照)。
[実施例88]
予め基材にCr窒化物(c層)を形成した後、実施例84と同様(ただし、a層,b層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、第1番目の層aとしてターゲットに、Al:44.9%、Cr:45%、Si:10%、Ce:0.1%のものを用い、第2番目の層としてb層に、Ti:51%、Al:49%のものを用い、a層は表2,b層は表1に示す条件下でそれぞれアークイオンプレーティングを行った。a層とb層は各々互い違いに10層宛、併せて20層形成した。その結果、摩耗深さは0.08(μm)であり、摩耗幅は0.09(mm)であった(図28参照)。
【0035】
[比較例89]
ターゲットに、Al:45%、Cr:45%、Si:10%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティングを行った。その結果、摩耗深さは0.22(μm)であり、摩耗幅は0.24(mm)であった。
[比較例90]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例83と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後、ターゲットに、Al:45%、Cr:45%、Si:10%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.20(μm)であり、摩耗幅は0.23(mm)であった。
[比較例91]
予め基材にCr窒化物を形成(c層)した後、実施例83と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成した後,ターゲットに、Al:50%、Cr:50%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.50(μm)であり、摩耗幅は0.30(mm)であった。
[従来例92]
予め基材にTi窒化物を形成(c層)した後、実施例83と同様(ただし、a層ターゲット材は後述のものを使用)に混合層d層を形成後、ターゲットに、Ti:51%、Al:49%のものを用い、表1に示す条件でアークイオンプレーティング(a層形成)を行った。その結果、摩耗深さは0.80(μm)であり、摩耗幅は0.40(mm)であった。
【0036】
各実施例39〜54,58〜72,76〜88と各比較例55〜57,73〜75,89〜91及び従来例92の結果を表6〜表8に示すが、本発明の皮膜は耐摩耗性に優れていることが判明した。
【0037】
【表6】
【0038】
【表7】
【0039】
【表8】
【0040】
密着性向上のためには、AlおよびCrに、La,Ce,ミッシュメタルを含む希土類元素から選択した元素の1種以上を複合化させた窒化物または酸窒化物で皮膜を構成すると耐磨耗効果が大きい。このとき、特に金属成分のみの原子%で、前記希土類元素が0.05%以上5%以下、且つ残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることが好ましい(実施例39,49)。また、金属元素として、Al,Cr,前記希土類元素のほかBまたはSiを含んでいてもよい。このとき、金属成分のみの原子%で、BまたはSiが1%以上30%以下、希土類元素が0.05%以上5%以下、且つ残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることが好ましい(実施例58,68、実施例76,86)。
また、上記組成比からなる硬質皮膜a層と、Ti,Alを主成分とする窒化物でその金属成分のみの原子%がAlが25%以上75%以下,残りがTiである皮膜b層とを交互に1層以上形成すると、さらに耐磨耗効果が大きくなる(実施例40〜41,実施例59〜60,実施例77〜78)。このとき、b層のAlが25%未満または75%を超える場合には、硬度低下による皮膜剥離の問題が生じてしまう。
【0041】
さらに、前記硬質皮膜層と基材との間に、TiまたはCrの窒化物層(c層)を設けると基材との密着性が格段に向上する(実施例42〜48,50〜54、実施例61〜67,69〜72、実施例79〜85,87〜88)。特に、基材上のTiまたはCrの窒化物層(c層)と硬質皮膜層(a層又はb層)との間に、a層,c層の両成分またはa〜c層と各成分を含む混合層(d層)を設けると更に密着性が向上する(実施例46〜48,50〜54、実施例65〜67,69〜72、実施例83〜85,87〜88)
【0042】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形及び変更が可能である。
例えば、上記コーティング層の形成に当たっては、物理蒸着法が適用され、その金属蒸発方法である電子銃によるもの、ホロカソードによるもの、スパッタリングによるもの、アーク放電によるもの等があるがこれらの方法には制約はない。
【0043】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明皮膜は高温での耐酸化性が優れており、且つ密着性が良好であるため耐摩耗性も極めて良好であり、被覆した部材、製品の長寿命化が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による耐高温酸化と高耐摩耗性に優れた硬質皮膜を基材に形成するためのアークイオンプレーティング装置の概略図である。
【図2】本発明の実施の形態による硬質皮膜((Al−Cr−希土類元素)の窒化物または酸窒化物)を基材表面にコーティングさせた状態を示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態による硬質皮膜((Al−Cr−B−希土類元素)の窒化物または酸窒化物)を基材表面にコーティングさせた状態を示す断面図である。
【図4】本発明の実施の形態による硬質皮膜((Al−Cr−Si−希土類元素)の窒化物または酸窒化物)を基材表面にコーティングさせた状態を示す断面図である。
【図5】図2の実施例において、2種のコーティング層を2層付着させた状態を示す断面図である。
【図6】図2の実施例において、2種のコーティング層を交互に20層付着させた状態を示す断面図である。
【図7】図2の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図8】図5の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図9】図6の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図10】図7の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図11】図8の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図12】図9の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図13】図3の実施例において、2種のコーティング層を2層付着させた状態を示す断面図である。
【図14】図3の実施例において、2種のコーティング層を交互に20層付着させた状態を示す断面図である。
【図15】図3の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図16】図13の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図17】図14の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図18】図15の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図19】図16の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図20】図17の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図21】図4の実施例において、2種のコーティング層を2層付着させた状態を示す断面図である。
【図22】図4の実施例において、2種のコーティング層を交互に20層付着させた状態を示す断面図である。
【図23】図4の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図24】図21の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図25】図22の実施例において、基材とコーティング層との間に、Ti窒化物またはCr窒化物を付着させた状態を示す断面図である。
【図26】図23の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図27】図24の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【図28】図25の実施例において、コーティング層とTi窒化物層またはCr窒化物層との間に、混合層dを付着させた状態を示す断面図である。
【符号の説明】
1 アークイオンプレーティング装置
2 ケーシング
3 ターゲット
4 真空ポンプ
5 ガス源(Ar)
6 ガス源(N2)
7 ホルダー
8 モータ
9 回転軸
10 基材
11 電源
13〜15,17 制御弁
16 ガス源(O2)
a,b,c,d 皮膜(コーティング層)
Claims (9)
- 被処理物の表面に形成される硬質皮膜において、AlおよびCrと、La,Ce,ミッシュメタルを含む希土類元素から選択した元素の1種以上とを主成分とする窒化物又は酸窒化物で構成されることを特徴とする硬質皮膜。
- BまたはSiを金属成分として含むことを特徴とする請求項1に記載の硬質皮膜。
- 上記硬質皮膜を金属成分のみの原子%で、希土類元素が0.05%以上5%以下、残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることを特徴とする請求項1に記載の硬質皮膜。
- 上記硬質皮膜を金属成分のみの原子%で、BまたはSiが1%以上30%以下、希土類元素が0.05%以上5%以下、残りのAl,CrがAl/Cr原子%比で0.3以上3以下であることを特徴とする請求項2に記載の硬質皮膜。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の硬質皮膜a層と、TiとAlを主成分とする窒化物でその金属成分のみの原子%がAlが25%以上75%以下,残りがTiである皮膜b層とを交互にそれぞれ1層以上形成し、前記硬質皮膜a層を最外層に形成したことを特徴とする硬質皮膜。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の硬質皮膜と基材との間に、TiまたはCrの窒化物からなる層を設けたことを特徴とする硬質皮膜。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の硬質皮膜と基材との間に、TiまたはCrの窒化物からなる層を設けるとともに、前記硬質皮膜と前記TiまたはCrの窒化物からなる層との間に両組成の混合層を0.1μm以上2μm以下設けたことを特徴とする硬質皮膜。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の硬質皮膜を物理蒸着法により形成したことを特徴とする硬質皮膜。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の硬質皮膜を、工作機械の工具表面に設けたことを特徴とする硬質皮膜。
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