JP2004253430A - 平面コイルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】平面コイルの小型化、薄型化のために、線間が狭くデッドスペースの少ない高占積率コイルを作製する。
【解決手段】絶縁基板1の少なくとも一方の面にあらかじめ形成した下地導体層2の表面に、コイル部を被覆するようにレジスト5を形成する工程と、レジスト5を形成した以外の部分の下地導体層2をエッチングにより除去する工程と、前記レジスト5を除去する工程と、エッチングによって断面形状がほぼ矩形になった下地導体層2の上に、電気めっきによる導体の形成と局部エッチングを繰り返しながら表面導体層6を積層する工程で構成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】絶縁基板1の少なくとも一方の面にあらかじめ形成した下地導体層2の表面に、コイル部を被覆するようにレジスト5を形成する工程と、レジスト5を形成した以外の部分の下地導体層2をエッチングにより除去する工程と、前記レジスト5を除去する工程と、エッチングによって断面形状がほぼ矩形になった下地導体層2の上に、電気めっきによる導体の形成と局部エッチングを繰り返しながら表面導体層6を積層する工程で構成されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はスピーカのボイスコイルや電気回路のインダクタンス、トランス等に広く利用可能である高占積率の平面コイルの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、電子機器の全般的な小型・薄型化に伴い、これらに用いられる平面コイルについても小型化、薄型化することが強く求められている。そのためには、線間が狭くデッドスペースの少ない、つまり高占積率の平面コイルを製造する必要がある。
【0003】
ここで、占積率について説明しておく。ここで言う占積率とは、平面コイルのコイル導体線条が延びる方向に垂直な断面において、コイル導体線条の配列ピッチを幅とし、コイル導体線条の厚さを高さとする矩形領域に対するコイル導体線条の断面積の比率を意味する。従って、高占積率の平面コイルとするためには、コイル導体線条の断面形状を矩形にしかつ線間を狭くすれば良い。
【0004】
この高占積率の平面コイルの製造のために、従来からプリント配線技術を応用した製造方法が提案されている。その代表的な技術に、サブトラ法とめっきを組み合わせた方法が良く知られている。この方法は、絶縁基板上に予め形成した下地導体層の表面にコイルパターンのレジストを形成した後、レジスト形成部以外の下地導体層をエッチングによって除去し、さらに、レジストを除去した後に残った下地導体層を核にして電気めっきを行うことにより、下地導体層をめっき導体にて補強し、コイル導体線条を作製する。
【0005】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
【0006】
【特許文献1】
特開平7−142254号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
このサブトラ法とめっきを組み合わせた方法は、高占積率の平面コイル製造のための有力な方法ではあるが、直流電流を印加して電気めっきを行うため、下地導体層の上面や側面に比較してコーナーやエッジ部などの電流集中部にめっき導体が厚く形成され、コイル導体線条の断面形状を矩形にするのが困難である。また、コーナーやエッジ部に厚く付いためっき導体が隣接するコイル導体線条と接触しないようにするために、コイルの線間を広くする必要がある。そのため、上述した方法では占積率の向上という点では不十分であった。
【0008】
そこで、本発明は、コイル導体線条の断面形状が正確な矩形で、かつ、線間が狭い高占積率の平面コイルの製造方法を提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、絶縁基板に形成した下地導体層にレジストを形成してエッチングを行い、レジストを除去した後、この下地導体層上に正電流の印加によるめっきとこの正電流より大きい電流密度の逆電流を印加してめっきの一部を局部エッチングすることを同一めっき液中で繰り返して表面導体層を形成して断面形状が矩形のコイル導体線条を形成する方法であり、線間の狭い高占積率の平面コイルを得ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項1に記載の発明は、絶縁基板の少なくとも一方の面に予め形成した下地導体層の表面にコイルとなる部分を被覆するようにレジストを形成する工程と、レジストを形成した以外の部分の下地導体層をエッチングにより除去する工程と、前記レジストを除去し前記エッチングによって断面形状がほぼ矩形となった下地導体層を露出させる工程と、前記下地導体層上に表面導体層を形成するにあたり、正電流の印加によってめっき導体を形成するステップと正電流よりも大きい電流密度の逆電流を印加して前記正電流の印加で形成しためっき導体の一部を局部エッチングするステップとを同一めっき液中で繰り返し、前記下地導体層と前記表面導体層からなる断面形状が矩形のコイル導体線条を形成する工程を有する平面コイルの製造方法である。
【0011】
ここで、本発明の表面導体層の成長のメカニズムを簡単に説明する。まず、下地導体層の上に正電流を印加してめっき導体を形成する。この時、電流集中部にめっき導体が厚く形成されるため、断面形状は、上面の両端のエッジ部が上面や側面よりも盛り上がった形状となる。この盛り上がるめっき導体の大きさは電流密度の大きさと印加時間に比例し、電流密度が大きく印加時間が長くなるほど盛り上がるめっき導体も大きくなる。また、盛り上がるめっき導体の大きさは、下地導体層の幅や高さおよび線間の距離とも相関があり、特に、線間が狭くなるほど顕著に現れる。次に、逆電流を印加して局部エッチングを行うが、この時、逆電流の電流密度を正電流の電流密度よりも大きくすると、電流集中部のめっき導体から優先的にエッチングされるため、上面や側面のめっき導体はほとんど研削されずに、上面の両端のエッジ部の盛り上がっためっき導体が集中的に研削される。従って、盛り上がっためっき導体を集中的に研削するように局部エッチングの条件を設定すれば、下地導体層の断面形状の矩形を相似形で維持したまま表面導体層を積層できることになる。
【0012】
また、直流電流による表面導体層の形成では、線間を狭くすると上面の両端の盛り上がっためっき導体が隣接するコイル線条と接続してショートするため、線間を狭くすることは困難である。しかし、めっき導体の形成と局部エッチングを交互に行って表面導体層を形成すると、下地導体層の断面形状の矩形を維持したまま表面導体層を形成することができるので、直流電流によって表面導体層を形成する場合に比べて、線間を狭くすることができる。
【0013】
このように、断面形状がほぼ矩形の下地導体層の上に表面導体層を形成する際、通常の直流電流による電気めっきではコーナーやエッジ部に電流が集中するため下地導体層の形状を維持したまま表面導体層を形成することは困難であるのに対して、本発明のように電気めっきによるめっき導体の形成と局部エッチングを繰り返して表面導体層を形成すると、電流集中部に形成された余分なめっき導体を局部エッチングによって除去しながら電気めっきによってめっき導体を成長させていくので、核となる下地導体層の断面形状の矩形を相似形で維持したまま表面導体層を形成でき、その結果、コイル導体線条の断面形状が正確な矩形で、かつ、線間の狭い高占積の平面コイルを提供することができる。
【0014】
請求項2に記載の発明は、下地導体層の厚さを20μm〜200μmとする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、下地導体層の厚さを20μm〜200μmにしているため、断面形状が矩形となった下地導体層の電気抵抗は低く、給電部から離れた部分でも均一な厚さの表面導体層が形成できる。
【0015】
請求項3に記載の発明は、表面導体層のめっき導体の形成のために流す正電流の電流密度を3〜6A/dm2とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、下地導体層の矩形を維持したまま、短時間で表面導体層を形成する最適の電流密度である。つまり、電流密度を小さくすると下地導体層の矩形を維持したまま表面導体層を形成しやすいが所定の厚さにするのに時間がかかり、一方、電流密度を大きくしすぎると、局部エッチングによって除去すべき不要な部分が厚く付くため、矩形の維持が困難になってしまう。
【0016】
請求項4に記載の発明は、局部エッチングのために流す負電流の電流密度を表面導体層のめっき導体の形成のために流す正電流の電流密度の2〜3倍とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、局部エッチングのために流す負電流の電流密度をめっき導体の形成のために流す正電流の電流密度の2〜3倍としているために、導体形成時にコーナーやエッジ部などの電流集中部に形成されためっき導体を優先的にエッチングすることができ、核となる下地導体層の矩形となった形状を維持したまま表面導体層を形成することができる。つまり、逆電流の電流密度が正電流の電流密度に近いと、電流集中部のエッチングが不十分となって電流集中部に突起が発生し、一方、逆電流の電流密度が大きすぎると、電流集中部のエッチングが進みすぎるため、コーナーやエッジ部分が丸くなってしまう。
【0017】
請求項5に記載の発明は、正電流の印加時間と逆電流の印加時間の比を10:1〜15:1の範囲とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、下地導体層の矩形を維持したまま、短時間で表面導体層を形成する最適の印加時間の比である。つまり、正電流の印加時間を短くすると下地導体層の矩形を維持したまま表面導体層を形成しやすいが所定の厚さにするのに時間がかかり、一方、正電流の印加時間を長くしすぎると、電流集中部に不要なめっき導体が厚く付きすぎ矩形を維持するのが困難になる。
【0018】
請求項6に記載の発明は、めっき導体の形成と局部エッチングを繰り返す際の1サイクルの所要時間を0.1秒以下とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、1サイクルの所要時間を短くして頻繁にめっき導体の形成とエッチングを繰り返すことにより、核となる下地導体層の矩形となった形状を維持したまま表面導体層を形成することができる。
【0019】
請求項7に記載の発明は、コイル導体線条の表面上に直流電流による電気めっきで平滑導体層を形成する請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、正電流と逆電流を交互に印加しながら形成した表面導体層の粗い表面上に、直流電流による電気めっきで平滑導体層を形成しているため、表面導体層の表面が酸化しにくくなり、コイル導体の電気抵抗の経時変化を防ぐことができる。
【0020】
請求項8に記載の発明は、平滑導体層を形成するための直流電流の電流密度を3A/dm2以下とする請求項7に記載の平面コイルの製造方法であって、直流電流の電流密度を3A/dm2以下にすることによって、給電部近傍と離れた部分との電気めっきバラツキを無くし、かつ核となる下地導体層の矩形を維持したまま平滑導体層を形成することができる。
【0021】
請求項9に記載の発明は、平滑導体層の厚さを表面導体層の厚さよりも薄くする請求項7に記載の平面コイルの製造方法であって、直流電流印加の電気めっきによって形成する平滑導体層の厚さが薄いために、核となる下地導体層の矩形となった形状を維持することができる。
【0022】
請求項10に記載の発明は、表面導体層および/または平滑導体層の形成に用いるめっき液を硫酸銅濃度60〜120g/lの硫酸銅めっき液とする請求項1または7に記載の平面コイルの製造方法であって、この濃度範囲のめっき液を用いると、局部エッチングを効率良く実施できるため、矩形を維持しやすいというだけでなく、経済的かつ液の管理も容易である。
【0023】
以下、本発明の実施の形態における平面コイルの製造方法について、添付図面に従って説明する。
【0024】
(実施の形態1)
図1(A)〜(F)は、本発明の実施の形態1の平面コイル製造プロセスを説明するための概略図である。
【0025】
まず、図1(A)に示すように両面に35μmの下地導体層を形成した厚さ20μmの絶縁基板1を用意した。下地導体層2と絶縁基板1の構成材料は、各々、Cuとポリイミドフィルムである。次に、図1(B)に示すように両面の下地導体層2および絶縁基板1を貫通するように、直径10μmのスルーホール3を設けた。次に、図1(C)に示すように両面の下地導体層の表面にレジスト5でパターンニングした。パターンニングには、10μmのドライフィルムを用い、レジスト幅60μm、レジスト間スペース20μmの螺旋状のパターンを形成した。この際、パターンニングしたレジスト5がスルーホール3を被覆するようにしている。
【0026】
次に図1(D)に示すようにレジスト5で被覆していない部分の下地導体層3を、塩化第2鉄水溶液を用いてエッチング除去した。この際、通常のエッチング時間よりも長くしてオーバーエッチングさせることにより、残った下地導体層2の断面形状を矩形にすることができる。次に、図1(E)に示すようにレジスト5を剥離させた。
【0027】
その後、図1(F)に示すように硫酸銅濃度80g/lの硫酸銅めっき液を用いて、電流密度6A/dm2で印加時間30mSの正電流と、電流密度18A/dm2で印加時間2mSの負電流を交互に印加して、10μmの表面導体層6を形成し、コイル導体線条8を作製した。
【0028】
(実施の形態2)
図2(A)〜(F)は、本発明の実施の形態2の平面コイルの製造プロセスを説明するための概略図である。図2(A)〜(E)までは上述の実施の形態1と全く同じプロセスであり、異なる点は図2(F)に示すプロセスのみである。
【0029】
本発明の実施の形態1では、電流密度6A/dm2で印加時間30mSの正電流と、電流密度18A/dm2で印加時間2mSの負電流を交互に印加して、10μmの表面導体層を形成したが、本発明の実施の形態2では、電流密度6A/dm2で印加時間30mSの正電流と、電流密度18A/dm2で印加時間2mSの負電流を交互に印加して、8μmの表面導体層6を形成した後、図2(F)に示すように電流密度2A/dm2の正電流を印加して2μmの平滑導体層7を形成した。その他の条件は、実施の形態1と同様にしてコイルを形成した。
【0030】
(比較例)
図3(A)〜(F)は、比較技術の平面コイルの製造プロセスを説明するための概略図である。図3(A)〜(E)に示すプロセスは本発明の実施の形態1のプロセスと同じであり、図3(F)のプロセスのみが本発明と異なる。
【0031】
本発明の実施の形態1では、電流密度6A/dm2で印加時間30mSの正電流と、電流密度18A/dm2で印加時間2mSの負電流を交互に印加して、10μmの表面導体層を形成したが、比較例では、電流密度6A/dm2の正電流だけを印加し10μmの表面導体層6を形成した。その他の条件は、実施の形態1と同様にしてコイルを形成した。
【0032】
以上のようにして作製した本実施の形態1,2および比較例の平面コイルの導体線条断面を図4(A)、(B)に示す。図4(A)に示したように、正電流と負電流を交互に印加して表面導体層6を形成した方が、図4(B)に示すように直流電流だけで表面導体層6を形成したものに比べて完全な矩形に近い形状をしている。比較例のものはコーナー部に表面導体層6が厚くめっき形成され矩形とは言いがたい形状となっている。以上のように、本発明の方法によれば、コイル断面がほぼ矩形に近い形状となるため、占積率の高いコイルを得ることができる。
【0033】
なお、本発明の実施の形態1,2では、基板として両面に下地導体層として35μmのCuを形成した厚さ20μmのポリイミドフィルムを用い、スルーホール〜電気めっき工程を経て平面コイルを形成していったが、基板としては下地導体層を片面だけに形成しているものでも良く、また、下地導体層としてはCuに限定されるものではなく、導電性がありかつその後のエッチング工程によって断面形状を矩形にできる材料であれば問題はない。また、基板材料としてはポリイミドフィルムに限定されるものではなく、絶縁性を有しかつ電気めっき液に浸されないものであれば特に制限はない。また、レジストにはドライフィルムを用いたが、エッチング液に対する耐性があれば液状レジストでも可能で、パターンニングの方法についても特に限定するものではない。
【0034】
【発明の効果】
本発明の実施の形態からもわかるように本発明の平面コイルの製造方法は、下地導体層上に表面導体層を形成するにあたり、正電流の印加によってめっき導体を形成するステップと正電流よりも大きい電流密度の逆電流を印加して前記正電流の印加で形成しためっき導体の一部を局部エッチングするステップとを同一めっき液中で繰り返し、下地導体層と表面導体層からなる断面形状が矩形のコイル導体線条を形成するため、核となる下地導体層の矩形を維持したまま表面導体層を形成でき、その結果、高占積率のコイル導体線条を有した平面コイルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)〜(F)本発明の実施の形態1の平面コイルの製造プロセスを示す概略図
【図2】(A)〜(F)本発明の実施の形態2の平面コイルの製造プロセスを示す概略図
【図3】(A)〜(F)比較例の平面コイルの製造プロセスを示す概略図
【図4】(A)本発明の実施の形態1により形成した平面コイルの断面図
(B)比較例の平面コイルの断面図
【符号の説明】
1 絶縁基板
2 下地導体層
3 スルーホール
4 めっき層
5 レジスト
6 表面導体層
7 平滑導体層
8 コイル導体線条
【発明の属する技術分野】
本発明はスピーカのボイスコイルや電気回路のインダクタンス、トランス等に広く利用可能である高占積率の平面コイルの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、電子機器の全般的な小型・薄型化に伴い、これらに用いられる平面コイルについても小型化、薄型化することが強く求められている。そのためには、線間が狭くデッドスペースの少ない、つまり高占積率の平面コイルを製造する必要がある。
【0003】
ここで、占積率について説明しておく。ここで言う占積率とは、平面コイルのコイル導体線条が延びる方向に垂直な断面において、コイル導体線条の配列ピッチを幅とし、コイル導体線条の厚さを高さとする矩形領域に対するコイル導体線条の断面積の比率を意味する。従って、高占積率の平面コイルとするためには、コイル導体線条の断面形状を矩形にしかつ線間を狭くすれば良い。
【0004】
この高占積率の平面コイルの製造のために、従来からプリント配線技術を応用した製造方法が提案されている。その代表的な技術に、サブトラ法とめっきを組み合わせた方法が良く知られている。この方法は、絶縁基板上に予め形成した下地導体層の表面にコイルパターンのレジストを形成した後、レジスト形成部以外の下地導体層をエッチングによって除去し、さらに、レジストを除去した後に残った下地導体層を核にして電気めっきを行うことにより、下地導体層をめっき導体にて補強し、コイル導体線条を作製する。
【0005】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
【0006】
【特許文献1】
特開平7−142254号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
このサブトラ法とめっきを組み合わせた方法は、高占積率の平面コイル製造のための有力な方法ではあるが、直流電流を印加して電気めっきを行うため、下地導体層の上面や側面に比較してコーナーやエッジ部などの電流集中部にめっき導体が厚く形成され、コイル導体線条の断面形状を矩形にするのが困難である。また、コーナーやエッジ部に厚く付いためっき導体が隣接するコイル導体線条と接触しないようにするために、コイルの線間を広くする必要がある。そのため、上述した方法では占積率の向上という点では不十分であった。
【0008】
そこで、本発明は、コイル導体線条の断面形状が正確な矩形で、かつ、線間が狭い高占積率の平面コイルの製造方法を提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、絶縁基板に形成した下地導体層にレジストを形成してエッチングを行い、レジストを除去した後、この下地導体層上に正電流の印加によるめっきとこの正電流より大きい電流密度の逆電流を印加してめっきの一部を局部エッチングすることを同一めっき液中で繰り返して表面導体層を形成して断面形状が矩形のコイル導体線条を形成する方法であり、線間の狭い高占積率の平面コイルを得ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項1に記載の発明は、絶縁基板の少なくとも一方の面に予め形成した下地導体層の表面にコイルとなる部分を被覆するようにレジストを形成する工程と、レジストを形成した以外の部分の下地導体層をエッチングにより除去する工程と、前記レジストを除去し前記エッチングによって断面形状がほぼ矩形となった下地導体層を露出させる工程と、前記下地導体層上に表面導体層を形成するにあたり、正電流の印加によってめっき導体を形成するステップと正電流よりも大きい電流密度の逆電流を印加して前記正電流の印加で形成しためっき導体の一部を局部エッチングするステップとを同一めっき液中で繰り返し、前記下地導体層と前記表面導体層からなる断面形状が矩形のコイル導体線条を形成する工程を有する平面コイルの製造方法である。
【0011】
ここで、本発明の表面導体層の成長のメカニズムを簡単に説明する。まず、下地導体層の上に正電流を印加してめっき導体を形成する。この時、電流集中部にめっき導体が厚く形成されるため、断面形状は、上面の両端のエッジ部が上面や側面よりも盛り上がった形状となる。この盛り上がるめっき導体の大きさは電流密度の大きさと印加時間に比例し、電流密度が大きく印加時間が長くなるほど盛り上がるめっき導体も大きくなる。また、盛り上がるめっき導体の大きさは、下地導体層の幅や高さおよび線間の距離とも相関があり、特に、線間が狭くなるほど顕著に現れる。次に、逆電流を印加して局部エッチングを行うが、この時、逆電流の電流密度を正電流の電流密度よりも大きくすると、電流集中部のめっき導体から優先的にエッチングされるため、上面や側面のめっき導体はほとんど研削されずに、上面の両端のエッジ部の盛り上がっためっき導体が集中的に研削される。従って、盛り上がっためっき導体を集中的に研削するように局部エッチングの条件を設定すれば、下地導体層の断面形状の矩形を相似形で維持したまま表面導体層を積層できることになる。
【0012】
また、直流電流による表面導体層の形成では、線間を狭くすると上面の両端の盛り上がっためっき導体が隣接するコイル線条と接続してショートするため、線間を狭くすることは困難である。しかし、めっき導体の形成と局部エッチングを交互に行って表面導体層を形成すると、下地導体層の断面形状の矩形を維持したまま表面導体層を形成することができるので、直流電流によって表面導体層を形成する場合に比べて、線間を狭くすることができる。
【0013】
このように、断面形状がほぼ矩形の下地導体層の上に表面導体層を形成する際、通常の直流電流による電気めっきではコーナーやエッジ部に電流が集中するため下地導体層の形状を維持したまま表面導体層を形成することは困難であるのに対して、本発明のように電気めっきによるめっき導体の形成と局部エッチングを繰り返して表面導体層を形成すると、電流集中部に形成された余分なめっき導体を局部エッチングによって除去しながら電気めっきによってめっき導体を成長させていくので、核となる下地導体層の断面形状の矩形を相似形で維持したまま表面導体層を形成でき、その結果、コイル導体線条の断面形状が正確な矩形で、かつ、線間の狭い高占積の平面コイルを提供することができる。
【0014】
請求項2に記載の発明は、下地導体層の厚さを20μm〜200μmとする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、下地導体層の厚さを20μm〜200μmにしているため、断面形状が矩形となった下地導体層の電気抵抗は低く、給電部から離れた部分でも均一な厚さの表面導体層が形成できる。
【0015】
請求項3に記載の発明は、表面導体層のめっき導体の形成のために流す正電流の電流密度を3〜6A/dm2とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、下地導体層の矩形を維持したまま、短時間で表面導体層を形成する最適の電流密度である。つまり、電流密度を小さくすると下地導体層の矩形を維持したまま表面導体層を形成しやすいが所定の厚さにするのに時間がかかり、一方、電流密度を大きくしすぎると、局部エッチングによって除去すべき不要な部分が厚く付くため、矩形の維持が困難になってしまう。
【0016】
請求項4に記載の発明は、局部エッチングのために流す負電流の電流密度を表面導体層のめっき導体の形成のために流す正電流の電流密度の2〜3倍とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、局部エッチングのために流す負電流の電流密度をめっき導体の形成のために流す正電流の電流密度の2〜3倍としているために、導体形成時にコーナーやエッジ部などの電流集中部に形成されためっき導体を優先的にエッチングすることができ、核となる下地導体層の矩形となった形状を維持したまま表面導体層を形成することができる。つまり、逆電流の電流密度が正電流の電流密度に近いと、電流集中部のエッチングが不十分となって電流集中部に突起が発生し、一方、逆電流の電流密度が大きすぎると、電流集中部のエッチングが進みすぎるため、コーナーやエッジ部分が丸くなってしまう。
【0017】
請求項5に記載の発明は、正電流の印加時間と逆電流の印加時間の比を10:1〜15:1の範囲とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、下地導体層の矩形を維持したまま、短時間で表面導体層を形成する最適の印加時間の比である。つまり、正電流の印加時間を短くすると下地導体層の矩形を維持したまま表面導体層を形成しやすいが所定の厚さにするのに時間がかかり、一方、正電流の印加時間を長くしすぎると、電流集中部に不要なめっき導体が厚く付きすぎ矩形を維持するのが困難になる。
【0018】
請求項6に記載の発明は、めっき導体の形成と局部エッチングを繰り返す際の1サイクルの所要時間を0.1秒以下とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、1サイクルの所要時間を短くして頻繁にめっき導体の形成とエッチングを繰り返すことにより、核となる下地導体層の矩形となった形状を維持したまま表面導体層を形成することができる。
【0019】
請求項7に記載の発明は、コイル導体線条の表面上に直流電流による電気めっきで平滑導体層を形成する請求項1に記載の平面コイルの製造方法であって、正電流と逆電流を交互に印加しながら形成した表面導体層の粗い表面上に、直流電流による電気めっきで平滑導体層を形成しているため、表面導体層の表面が酸化しにくくなり、コイル導体の電気抵抗の経時変化を防ぐことができる。
【0020】
請求項8に記載の発明は、平滑導体層を形成するための直流電流の電流密度を3A/dm2以下とする請求項7に記載の平面コイルの製造方法であって、直流電流の電流密度を3A/dm2以下にすることによって、給電部近傍と離れた部分との電気めっきバラツキを無くし、かつ核となる下地導体層の矩形を維持したまま平滑導体層を形成することができる。
【0021】
請求項9に記載の発明は、平滑導体層の厚さを表面導体層の厚さよりも薄くする請求項7に記載の平面コイルの製造方法であって、直流電流印加の電気めっきによって形成する平滑導体層の厚さが薄いために、核となる下地導体層の矩形となった形状を維持することができる。
【0022】
請求項10に記載の発明は、表面導体層および/または平滑導体層の形成に用いるめっき液を硫酸銅濃度60〜120g/lの硫酸銅めっき液とする請求項1または7に記載の平面コイルの製造方法であって、この濃度範囲のめっき液を用いると、局部エッチングを効率良く実施できるため、矩形を維持しやすいというだけでなく、経済的かつ液の管理も容易である。
【0023】
以下、本発明の実施の形態における平面コイルの製造方法について、添付図面に従って説明する。
【0024】
(実施の形態1)
図1(A)〜(F)は、本発明の実施の形態1の平面コイル製造プロセスを説明するための概略図である。
【0025】
まず、図1(A)に示すように両面に35μmの下地導体層を形成した厚さ20μmの絶縁基板1を用意した。下地導体層2と絶縁基板1の構成材料は、各々、Cuとポリイミドフィルムである。次に、図1(B)に示すように両面の下地導体層2および絶縁基板1を貫通するように、直径10μmのスルーホール3を設けた。次に、図1(C)に示すように両面の下地導体層の表面にレジスト5でパターンニングした。パターンニングには、10μmのドライフィルムを用い、レジスト幅60μm、レジスト間スペース20μmの螺旋状のパターンを形成した。この際、パターンニングしたレジスト5がスルーホール3を被覆するようにしている。
【0026】
次に図1(D)に示すようにレジスト5で被覆していない部分の下地導体層3を、塩化第2鉄水溶液を用いてエッチング除去した。この際、通常のエッチング時間よりも長くしてオーバーエッチングさせることにより、残った下地導体層2の断面形状を矩形にすることができる。次に、図1(E)に示すようにレジスト5を剥離させた。
【0027】
その後、図1(F)に示すように硫酸銅濃度80g/lの硫酸銅めっき液を用いて、電流密度6A/dm2で印加時間30mSの正電流と、電流密度18A/dm2で印加時間2mSの負電流を交互に印加して、10μmの表面導体層6を形成し、コイル導体線条8を作製した。
【0028】
(実施の形態2)
図2(A)〜(F)は、本発明の実施の形態2の平面コイルの製造プロセスを説明するための概略図である。図2(A)〜(E)までは上述の実施の形態1と全く同じプロセスであり、異なる点は図2(F)に示すプロセスのみである。
【0029】
本発明の実施の形態1では、電流密度6A/dm2で印加時間30mSの正電流と、電流密度18A/dm2で印加時間2mSの負電流を交互に印加して、10μmの表面導体層を形成したが、本発明の実施の形態2では、電流密度6A/dm2で印加時間30mSの正電流と、電流密度18A/dm2で印加時間2mSの負電流を交互に印加して、8μmの表面導体層6を形成した後、図2(F)に示すように電流密度2A/dm2の正電流を印加して2μmの平滑導体層7を形成した。その他の条件は、実施の形態1と同様にしてコイルを形成した。
【0030】
(比較例)
図3(A)〜(F)は、比較技術の平面コイルの製造プロセスを説明するための概略図である。図3(A)〜(E)に示すプロセスは本発明の実施の形態1のプロセスと同じであり、図3(F)のプロセスのみが本発明と異なる。
【0031】
本発明の実施の形態1では、電流密度6A/dm2で印加時間30mSの正電流と、電流密度18A/dm2で印加時間2mSの負電流を交互に印加して、10μmの表面導体層を形成したが、比較例では、電流密度6A/dm2の正電流だけを印加し10μmの表面導体層6を形成した。その他の条件は、実施の形態1と同様にしてコイルを形成した。
【0032】
以上のようにして作製した本実施の形態1,2および比較例の平面コイルの導体線条断面を図4(A)、(B)に示す。図4(A)に示したように、正電流と負電流を交互に印加して表面導体層6を形成した方が、図4(B)に示すように直流電流だけで表面導体層6を形成したものに比べて完全な矩形に近い形状をしている。比較例のものはコーナー部に表面導体層6が厚くめっき形成され矩形とは言いがたい形状となっている。以上のように、本発明の方法によれば、コイル断面がほぼ矩形に近い形状となるため、占積率の高いコイルを得ることができる。
【0033】
なお、本発明の実施の形態1,2では、基板として両面に下地導体層として35μmのCuを形成した厚さ20μmのポリイミドフィルムを用い、スルーホール〜電気めっき工程を経て平面コイルを形成していったが、基板としては下地導体層を片面だけに形成しているものでも良く、また、下地導体層としてはCuに限定されるものではなく、導電性がありかつその後のエッチング工程によって断面形状を矩形にできる材料であれば問題はない。また、基板材料としてはポリイミドフィルムに限定されるものではなく、絶縁性を有しかつ電気めっき液に浸されないものであれば特に制限はない。また、レジストにはドライフィルムを用いたが、エッチング液に対する耐性があれば液状レジストでも可能で、パターンニングの方法についても特に限定するものではない。
【0034】
【発明の効果】
本発明の実施の形態からもわかるように本発明の平面コイルの製造方法は、下地導体層上に表面導体層を形成するにあたり、正電流の印加によってめっき導体を形成するステップと正電流よりも大きい電流密度の逆電流を印加して前記正電流の印加で形成しためっき導体の一部を局部エッチングするステップとを同一めっき液中で繰り返し、下地導体層と表面導体層からなる断面形状が矩形のコイル導体線条を形成するため、核となる下地導体層の矩形を維持したまま表面導体層を形成でき、その結果、高占積率のコイル導体線条を有した平面コイルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)〜(F)本発明の実施の形態1の平面コイルの製造プロセスを示す概略図
【図2】(A)〜(F)本発明の実施の形態2の平面コイルの製造プロセスを示す概略図
【図3】(A)〜(F)比較例の平面コイルの製造プロセスを示す概略図
【図4】(A)本発明の実施の形態1により形成した平面コイルの断面図
(B)比較例の平面コイルの断面図
【符号の説明】
1 絶縁基板
2 下地導体層
3 スルーホール
4 めっき層
5 レジスト
6 表面導体層
7 平滑導体層
8 コイル導体線条
Claims (10)
- 絶縁基板の少なくとも一方の面に予め形成した下地導体層の表面にコイルとなる部分を被覆するようにレジストを形成する工程と、レジストを形成した以外の部分の下地導体層をエッチングにより除去する工程と、前記レジストを除去し前記エッチングによって断面形状がほぼ矩形となった下地導体層を露出させる工程と、前記下地導体層上に表面導体層を形成するにあたり正電流の印加によってめっき導体を形成するステップと正電流よりも大きい電流密度の逆電流を印加して前記正電流の印加で形成しためっき導体の一部を局部エッチングするステップとを同一めっき液中で繰り返し、前記下地導体層と前記表面導体層からなる断面形状が矩形のコイル導体線条を形成する工程を有する平面コイルの製造方法。
- 下地導体層の厚さを20μm〜200μmとする請求項1に記載の平面コイルの製造方法。
- 表面導体層のめっき導体の形成のために流す正電流の電流密度を3〜6A/dm2とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法。
- 局部エッチングのために流す負電流の電流密度を表面導体層のめっき導体の形成のために流す正電流の電流密度の2〜3倍とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法。
- 正電流の印加時間と逆電流の印加時間の比を10:1〜15:1の範囲とする請求項4に記載の平面コイルの製造方法。
- めっき導体の形成と局部エッチングを繰り返す際の1サイクルの所要時間を0.1秒以下とする請求項1に記載の平面コイルの製造方法。
- コイル導体線条の表面上に直流電流による電気めっきで平滑導体層を形成する工程を付加した請求項1に記載の平面コイルの製造方法。
- 平滑導体層を形成するための直流電流の電流密度を3A/dm2以下とする請求項7に記載の平面コイルの製造方法。
- 平滑導体層の厚さを表面導体層の厚さよりも薄くする請求項7に記載の平面コイルの製造方法。
- 表面導体層および/または平滑導体層に用いるめっき液を硫酸銅濃度60g/l〜120g/lの硫酸銅めっき液とする請求項1または7に記載の平面コイルの製造方法。
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