JP2004241433A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数種の処理液をそれぞれ他種の処理液を混入させることなく分別回収する。
【解決手段】スピンチャック１を収容した処理カップ５の底面には、４つの円筒状仕切壁５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄがスピンチャック１の周囲を取り囲んで立設されている。最も内側の円筒状仕切壁５Ａは、スピンチャック１に保持されたウエハＷの下面側周縁よりも少しだけ低い高さまで形成されている。この円筒状仕切壁５Ａの上方には、円筒状仕切壁５Ａの上端縁と所定の隙間Ｓを空けて、円筒状仕切壁５Ａとほぼ同じ内径を有する円筒状部材６が配置されている。処理カップ５の上方には、開口部７４，７５を有するスプラッシュガード７が設けられている。スプラッシュガード７には、昇降駆動機構８が結合されており、この昇降駆動機構８によってスプラッシュガード７を昇降させて、開口部７４，７５を隙間Ｓに対向させることができる。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複数種の処理液を用いて基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板の表面に処理液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置の中には、処理液の消費量の低減を図るために、基板の処理に用いた後の処理液を回収して、その回収した処理液（回収液）を以降の処理に再利用できるように構成されたものがある。
【０００３】
処理液を再利用可能な構成の基板処理装置は、たとえば、下記特許文献１（実開昭６３−１１１９６０号公報）に開示されている。下記特許文献１に開示された装置は、図５に示すように、基板の一例としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗをほぼ水平に保持して、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転する回転台９１と、この回転台９１を収容した３つの処理カップ９２，９３，９４とを備えている。回転台９１は、処理カップ９２，９３，９４に対して昇降可能に構成されている。３つの処理カップ９２，９３，９４は、ほぼ円形な底面およびその底面の周縁から立ち上がった側面を有する容器状で互いに容積を異ならせて形成されていて、処理カップ９２内に処理カップ９３が収容され、この処理カップ９３内に処理カップ９４が収容されることにより、いわゆる３重構造をなしている。処理カップ９２，９３，９４の側面の上端部は、それぞれ内方に向けて傾斜しており、各側面の上端縁は、回転台９１の回転軸線を中心軸線とする円筒面上に上下に適当な間隔を空けて位置している。また、処理カップ９２，９３の底面には、それぞれ図示しない第１および第２の回収液処理設備へと延びた回収ライン９５，９６が接続され、処理カップ９４の底面には、図示しない廃液処理設備へと延びた廃液ライン９７が接続されている。
【０００４】
このような構成の基板処理装置では、ウエハＷの表面に複数種の処理液を順次に供給して、そのウエハＷの表面に対して複数種の処理液による処理を順次に施すことができ、また、処理に用いた複数種の処理液を分別して回収することができる。すなわち、回転台９１を上昇させて、ウエハＷの端面を処理カップ９２の上端縁と処理カップ９３の上端縁との間に対向させ、この状態で回転台９１（ウエハＷ）を回転させつつ、その回転しているウエハＷの表面に第１の処理液を供給することにより、ウエハＷの表面に第１の処理液による処理を施すことができる。ウエハＷの表面に供給されて処理に用いられた第１の処理液は、ウエハＷの周縁から外方（側方）へと飛散する。ウエハＷの端面が処理カップ９２の上端縁と処理カップ９３の上端縁との間に対向していることにより、そのウエハＷから飛散する第１の処理液を、処理カップ９２の上端縁と処理カップ９３の上端縁との間を通して処理カップ９２で受けることができ、処理カップ９２に接続された回収ライン９５を通して第１の回収液処理設備に回収することができる。また、ウエハＷの端面を処理カップ９３の上端縁と処理カップ９４の上端縁との間に対向させ、この状態で回転台９１を回転させつつ、その回転しているウエハＷの表面に第２の処理液を供給することにより、ウエハＷの表面に第２の処理液による処理を施すことができる。そして、その処理に用いられた第２の処理液を、処理カップ９３の上端縁と処理カップ９４の上端縁との間を通して処理カップ９３で受け、処理カップ９３に接続された回収ライン９６を通して第２の回収液処理設備に回収することができる。
【０００５】
さらに、第１または第２の処理液による処理の後にウエハＷの表面をリンス液（純水）で水洗する場合には、ウエハＷの端面を処理カップ９４の内面に対向させた状態で、この状態で回転台９１を回転させつつ、その回転しているウエハＷの表面にリンス液を供給する。このとき、ウエハＷから飛散するリンス液は第１または第２の処理液含むので、処理カップ９４で受けられて、その処理カップ９４に接続された廃液ライン９７を通して廃液処理設備へと廃液される。
【０００６】
【特許文献１】
実開昭６３−１１１９６０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のような構成では、第１の処理液による処理時に、第１の処理液の飛沫の一部が、処理カップ９３の上端縁と処理カップ９４の上端縁との間を通して処理カップ９３内に進入し、この結果、処理カップ９２に回収される第１の処理液（回収液）に第２の処理液が混入してしまう。また、第２の処理液による処理時には、第２の処理液の飛沫の一部が、処理カップ９２の上端縁と処理カップ９３の上端縁との間を通して処理カップ９２内に進入し、この結果、処理カップ９３に回収される第２の処理液（回収液）に第１の処理液が混入してしまう。
【０００８】
他種の処理液が混入した回収液は、予定された処理能力を発揮できないので、そのような回収液をウエハＷの処理に再利用すると、処理不足などの処理不良を生じるおそれがある。
そこで、この発明の目的は、複数種の処理液をそれぞれ他種の処理液を混入させることなく分別回収することができる基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、複数種の処理液をそれぞれ他種の処理液を混入させることなく分別回収し、その回収された複数種の処理液を再利用して基板に良好な処理を施すことができる基板処理方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、複数種の処理液を用いて基板（Ｗ）を処理する基板処理装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板保持手段（１）と、この基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第１の処理液を供給する第１処理液供給手段（２）と、上記基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第２の処理液を供給する第２処理液供給手段（３）と、上記基板保持手段の周囲をそれぞれ取り囲むように形成されて、上記基板保持手段に保持されて回転している基板から飛散する処理液を受け取るための複数の開口部（７４，７５）と、この複数の開口部と上記基板保持手段との間において、上記基板保持手段の周囲を取り囲むように配置されており、上記複数の開口部のそれぞれに選択的に対向可能なスリット孔（Ｓ）が形成された筒状シャッタ部材（５Ａ，６）と、この筒状シャッタ部材と上記複数の開口部とを相対的に昇降移動させて、上記スリット孔が対向する開口部を切り替えるための相対昇降移動手段（８）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
上記の構成によれば、スリット孔を所定の開口部に対向させることにより、第１の処理液による処理時に基板から飛散する第１の処理液を、スリット孔を通して当該開口部に進入させることができる。したがって、当該開口部に進入した第１の処理液を回収すれば、その回収した第１の処理液を以降の処理に再利用することができる。一方、第２の処理液による処理時には、第１の処理液による処理時にスリット孔が対向する開口部とは別の開口部にスリット孔を対向させることにより、基板から飛散する第２の処理液を、スリット孔を通して当該別の開口部に進入させることができる。したがって、当該別の開口部に進入した第２の処理液を回収すれば、その回収した第２の処理液を以降の処理に再利用することができる。
【００１１】
スリット孔（筒状シャッタ部材）の機能により、第２の処理液による処理時に、第１の処理液を進入させるべき開口部に第２の処理液が進入することはないから、その開口部を通して回収される第１の処理液に第２の処理液が混入することがない。よって、第１の処理液による処理時に回収した第１の処理液を再利用しても、基板の表面に第１の処理液による良好な処理を施すことができる。また同様に、第１の処理液による処理時に、第２の処理液を進入させるべき開口部に第１の処理液が進入することはないから、その開口部を通して回収される第２の処理液に第１の処理液が混入することがない。よって、第２の処理液による処理時に回収した第２の処理液を再利用しても、基板の表面に第２の処理液による良好な処理を施すことができる。
【００１２】
なお、請求項２に記載のように、上記筒状シャッタ部材は、上記スリット孔が上記基板保持手段の周囲の空間と上記複数の開口部のうちの１の開口部内の空間とを連通させている状態で、上記基板保持手段の周囲の空間と残りの開口部内の空間とを隔絶させるものであることが好ましい。この構成により、第１の処理液を進入させるべき開口部に第２の処理液が進入したり、第２の処理液を進入させるべき開口部に第１の処理液が進入したりすることを確実に防止することができる。また、第１の処理液による処理時に、第２の処理液を進入させるべき開口部から基板の周囲に第２の処理液を含む雰囲気が流入（逆流）したり、第２の処理液による処理時に、第１の処理液を進入させるべき開口部から基板の周囲に第１の処理液を含む雰囲気が流入したりすることを防止できる。
【００１３】
請求項３記載の発明は、複数種の処理液をそれぞれ繰り返し用いて基板（Ｗ）を処理する基板処理方法であって、基板保持手段（１）に保持されて回転している基板の表面に第１の処理液を供給する第１処理液供給工程と、上記基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第２の処理液を供給する第２処理液供給工程と、上記基板保持手段の周囲をそれぞれ取り囲むように形成されて、上記基板保持手段に保持されて回転している基板から飛散する処理液を受け取るための複数の開口部（７４，７５）と、この複数の開口部と上記基板保持手段との間において、上記基板保持手段の周囲を取り囲むように配置された筒状シャッタ部材（５Ａ，６）とを相対的に昇降移動させて、上記第１処理液供給工程と上記第２処理液供給工程とで、上記筒状シャッタ部材に形成されたスリット孔（Ｓ）が対向する開口部を切り替える工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００１４】
この方法によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウエハＷの表面に第１および第２の処理液を順次に供給して、そのウエハＷの表面に対して洗浄処理を施すための装置であって、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に第１の処理液を供給するための第１処理液ノズル２と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に第２の処理液を供給するための第２処理液ノズル３と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面にリンス液を供給するためのリンス液ノズル４とを備えている。
【００１６】
ウエハＷの表面に対する洗浄処理が、ウエハＷの表面から主に有機物汚染を除去するための処理である場合、第１および第２の処理液として、たとえば、それぞれＳＣ１（ＮＨ_４ＯＨ＋Ｈ_２Ｏ_２＋Ｈ_２Ｏの混合液）およびＳＣ２（ＨＣｌ＋Ｈ_２Ｏ２＋Ｈ_２Ｏの混合液）を用いることができる。また、ウエハＷの表面から主に金属汚染を除去するための処理である場合、第１および第２の処理液には、たとえば、それぞれＨＦ（フッ酸）＋ＨＮＯ_３（硝酸）の混合液およびＢＨＦ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ ａｃｉｄ）を用いることができる。さらに、リンス液は、第１または第２の処理液による処理後のウエハＷの表面を洗い流すための液であり、このリンス液には、たとえば、純水を用いることができる。
【００１７】
スピンチャック１としては、たとえば、ウエハＷのデバイス形成面を上方に向けた状態で、そのウエハＷの非デバイス形成面（下面）を真空吸着することにより、ウエハＷをほぼ水平に保持することができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が用いられている。この真空吸着式のスピンチャック１は、たとえば、ウエハＷを保持した状態で、鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷをほぼ水平な面内で回転させることができる。
【００１８】
スピンチャック１は、処理カップ５内に収容されている。処理カップ５の底面には、４つの円筒状仕切壁５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄが、スピンチャック１（ウエハＷ）の回転軸線を中心とする同心円状に、スピンチャック１の周囲を取り囲んで立設されている。これにより、処理カップ５内には、最も内側の円筒状仕切壁５Ａに囲まれたスピンチャック収容空間５１、円筒状仕切壁５Ａとこの円筒状仕切壁５Ａに対向した円筒状仕切壁５Ｂとによって区画された廃液溝５２、円筒状仕切壁５Ｂとこの円筒状仕切壁５Ｂに対向した円筒状仕切壁５Ｃとによって区画された第２処理液回収溝５３、および円筒状仕切壁５Ｃとこの円筒状仕切壁５Ｃに対向した最も外側の円筒状仕切壁５Ｄとによって区画された第１処理液回収溝５４が形成されている。スピンチャック収容空間５１および廃液溝５２には、それぞれ図示しない廃液処理設備へと延びた廃液ライン５５，５６が接続されている。また、第１処理液回収溝５４には、図示しない第１回収液処理設備へと延びた第１回収ライン５７が接続され、第２処理液回収溝５３には、図示しない第２回収液処理設備へと延びた第２回収ライン５８が接続されている。
【００１９】
最も内側の円筒状仕切壁５Ａは、スピンチャック１に保持されたウエハＷの下面側周縁よりも少しだけ低い高さまで形成されている。この円筒状仕切壁５Ａの上方には、円筒状仕切壁５Ａの上端縁と所定の隙間Ｓを空けて、円筒状仕切壁５Ａとほぼ同じ内径を有する円筒状部材６が配置されている。円筒状部材６は、たとえば、円筒状仕切壁５Ａの上端縁に設けられた複数の支持部材（図示せず）によって支持されている。
【００２０】
処理カップ５の上方であって、円筒状部材６の外側には、互いに大きさが異なる３つの傘状部材７１，７２，７３を重ねて構成されたスプラッシュガード７が設けられている。スプラッシュガード７には、たとえば、ボールねじ機構などを含む昇降駆動機構８が結合されており、この昇降駆動機構８によって、スプラッシュガード７を処理カップ５に対して昇降（上下動）させることができる。
傘状部材７１，７２，７３は、それぞれ、スピンチャック１の回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有しており、スピンチャック１の回転軸線を中心軸線とするほぼ円筒状の円筒面７１Ａ，７２Ａ，７３Ａと、この円筒面７１Ａ，７２Ａ，７３Ａの上端縁からスピンチャック１の回転軸線に近づくように斜め上方に傾斜した傾斜面７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂとを有している。
【００２１】
円筒面７１Ａ，７２Ａ，７３Ａは、それぞれ内径が異なり、スピンチャック１の回転軸線を中心とする同軸円筒状に配置されている。円筒面７１Ａ，７１Ｂは、スプラッシュガード７が最上方位置に上昇したときに、下端縁がそれぞれ円筒状仕切壁５Ｄ，５Ｃの上端縁の近傍で第１処理液回収溝５４内に位置し、スプラッシュガード７が最下方位置に下降したときに、それぞれの下端縁が処理カップ５の底面に接触しないような長さを有している。また、円筒面７３Ａは、スプラッシュガード７が最上方位置に上昇したときに、下端縁が円筒状仕切壁５Ｂの上端縁の近傍で第２処理液回収溝５３内に位置し、スプラッシュガード７が最下方位置に下降したときに、その下端縁が処理カップ５の底面に接触しないような長さを有している。
【００２２】
傾斜面７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂの上端縁は、スピンチャック１の回転軸線を中心軸線とする円筒面上に上下に適当な間隔を空けて位置し、これにより、傾斜面７１Ｂの上端縁と傾斜面７２Ｂの上端縁との間には、ウエハＷから飛散する第１の処理液を傾斜面７１Ｂと傾斜面７２Ｂとの間に進入させるための開口部７４が形成され、傾斜面７２Ｂの上端縁と傾斜面７３Ｂの上端縁との間には、ウエハＷから飛散する第２の処理液を傾斜面７２Ｂと傾斜面７３Ｂとの間に進入させるための開口部７５が形成されている。また、傾斜面７２Ｂ，７３Ｂには、それぞれほぼ円筒状の円筒壁７６，７７が垂れ下がった状態に設けられている。円筒壁７６は、スプラッシュガード７が最上方位置に上昇したときに、その下端縁が円筒状仕切壁５Ｃの上端縁の近傍で第２処理液回収溝５３内に位置し、スプラッシュガード７が最下方位置に下降したときに、その下端縁が処理カップ５の底面に接触しないような長さを有している。また、円筒壁７７は、スプラッシュガード７が最上方位置に上昇したときに、その下端縁が円筒状仕切壁５Ｂの上端縁の近傍で廃液溝５２内に位置し、スプラッシュガード７が最下方位置に下降したときに、その下端縁が処理カップ５の底面に接触しないような長さを有している。さらにまた、スプラッシュガード７が最下方位置に下降しても、傾斜面７２Ｂ，７３Ｂはそれぞれ円筒状仕切壁５Ｃ，５Ｂに接触しない。
【００２３】
なお、この実施形態では、傘状部材７１，７２，７３がそれぞれ円筒面７１Ａ，７２Ａ，７３Ａと傾斜面７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂとを有する構成を取り上げているが、傘状部材７１，７２，７３は、倒置した椀形状のものであってもよい。すなわち、傘状部材７１，７２，７３は、上端縁がスピンチャック１の回転軸線を中心軸線とする円筒面上に上下に適当な間隔を空けて位置し、スプラッシュガード７が最上方位置に上昇したときに、それぞれ下端縁が円筒状仕切壁５Ｄ，５Ｃ，５Ｂの上端縁の近傍に位置し、スプラッシュガード７が最下方位置に下降したときに、それぞれ下端縁が処理カップ５の底面に接触しないような湾曲面を有するものであってもよい。
【００２４】
図２は、ウエハＷに対する第１の処理液を用いた処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。第１の処理液による処理時には、スプラッシュガード７を最下方位置まで下降させて、開口部７４を、円筒状仕切壁５Ａと円筒状部材６との間に生じているスリット状の隙間Ｓに対向させる。そして、その状態でスピンチャック１を回転させつつ、その回転しているスピンチャック１上のウエハＷの表面に、第１処理液ノズル２から第１の処理液を供給する。ウエハＷの表面に供給された第１の処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上に拡がり、ウエハＷの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハＷの表面に第１の処理液が隈無く行き渡り、ウエハＷの表面に対する第１の処理液による処理が達成される。
【００２５】
開口部７４が隙間Ｓに対向しているので、ウエハＷの周縁から側方へと飛散した第１の処理液のほとんどは、隙間Ｓを通って、開口部７４から傾斜面７１Ｂと傾斜面７２Ｂとの間に進入し、第１処理液回収溝５４内に集められる。第１処理液回収溝５４に集められた第１の処理液は、第１回収ライン５７を通して第１回収液処理設備に回収され、これ以降に行われる第１の処理液による処理に再利用される。
【００２６】
また、隙間Ｓを通過できず、円筒状仕切壁５Ａよりも内部のスピンチャック収容空間５１に留まった第１の処理液は、スピンチャック収容空間５１の底面で受けられて、廃液ライン５５を通して廃液処理設備へ廃液される。このとき、円筒状仕切壁５Ａが開口部７５に対向しているので、隙間Ｓを通過しなかった第１の処理液が、開口部７５から傾斜面７２Ｂと傾斜面７３Ｂとの間に進入することはない。そのうえ、円筒状仕切壁５Ａが開口部７５に対向し、最内側の傘状部材７３と廃液溝５２との間の空間とスピンチャック収容空間５１とが円筒状仕切壁５Ａで隔絶されていることにより、廃液溝５２や廃液ライン５６内、および第２処理液回収溝５３や第２回収ライン５８内の雰囲気がスピンチャック収容空間５１に流入することがないから、そのような雰囲気が洗浄後のウエハＷを再汚染してしまうおそれもない。
【００２７】
図３は、ウエハＷに対する第２の処理液を用いた処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。第２の処理液による処理時には、スプラッシュガード７を第１の処理液による処理時よりも上昇させて、開口部７５を円筒状仕切壁５Ａと円筒状部材６との間の隙間Ｓに対向させる。そして、その状態でスピンチャック１を回転させつつ、その回転しているスピンチャック１上のウエハＷの表面に、第２処理液ノズル３から第２の処理液を供給する。ウエハＷの表面に供給された第２の処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上に拡がり、ウエハＷの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハＷの表面に第２の処理液が隈無く行き渡り、ウエハＷの表面に対する第２の処理液による処理が達成される。
【００２８】
開口部７５が隙間Ｓに対向しているので、ウエハＷの周縁から側方へと飛散した第２の処理液のほとんどは、隙間Ｓを通って、開口部７５から傾斜面７２Ｂと傾斜面７３Ｂとの間に進入し、第２処理液回収溝５３内に集められる。第２処理液回収溝５３に集められた第２の処理液は、第２回収ライン５８を通して第２回収液処理設備に回収され、これ以降に行われる第２の処理液による処理に再利用される。
【００２９】
また、隙間Ｓを通過しなかった第２の処理液は、スピンチャック収容空間５１の底面で受けられて、廃液ライン５５を通して廃液処理設備へ廃液される。このとき、円筒状部材６が開口部７４に対向しているので、隙間Ｓを通過しなかった第２の処理液が、開口部７４から傾斜面７１Ｂと傾斜面７２Ｂとの間に進入することはない。そのうえ、円筒状部材６が開口部７４に対向し、さらに円筒状部材６によって最内側の傘状部材７３と廃液溝５２との間の空間とスピンチャック収容空間５１とが隔絶されていることにより、廃液溝５２や廃液ライン５６内、および第１処理液回収溝５４や第１回収ライン５７内の雰囲気がスピンチャック収容空間５１に流入することがないから、そのような雰囲気が洗浄後のウエハＷを再汚染してしまうおそれもない。
【００３０】
図４は、第１または第２の処理液による処理後のウエハＷの表面を洗い流すためのリンス処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。第１または第２の処理液による処理の後にウエハＷの表面をリンス液で水洗する場合には、スプラッシュガード７を第２の処理液による処理時よりもさらに上昇させて、最内側の傘状部材７３に囲まれた空間に、円筒状仕切壁５Ａと円筒状部材６との間の隙間Ｓを臨ませる。そして、その状態でスピンチャック１を回転させつつ、その回転しているスピンチャック１上のウエハＷの表面に、リンス液ノズル４からリンス液を供給する。ウエハＷの表面に供給されたリンス液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上に拡がり、ウエハＷの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハＷの表面にリンス液が隈無く行き渡り、ウエハＷの表面がリンス液で洗い流される。
【００３１】
隙間Ｓが傘状部材７３に囲まれた空間に臨んでいるので、ウエハＷの周縁から側方へと飛散したリンス液のほとんどは、隙間Ｓを通って傘状部材７３内に進入し、廃液溝５２内に集められる。廃液溝５２内に集められたリンス液は、廃液ライン５６を通して廃液処理設備へ廃液される。また、隙間Ｓを通過しないリンス液は、スピンチャック収容空間５１の底面で受けられて、廃液ライン５５を通して廃液処理設備へ廃液される。このとき、開口部７４および開口部７５には、円筒状部材６が対向しているので、隙間Ｓを通過しないリンス液が、開口部７４から傾斜面７１Ｂと傾斜面７２Ｂとの間に進入したり、開口部７５から傾斜面７２Ｂと傾斜面７３Ｂとの間に進入したりすることはない。
【００３２】
以上のように、この実施形態によれば、第２の処理液による処理時に、第２の処理液が開口部７４を通って傾斜面７１Ｂと傾斜面７２Ｂとの間に進入することはないから、その開口部７４を通って回収される第１の処理液に第２の処理液が混入することがない。さらに、リンス液が開口部７４を通って傾斜面７１Ｂと傾斜面７２Ｂとの間に進入することもないから、その開口部７４を通って回収される第１の処理液にリンス液が混入することもない。よって、第１の処理液による処理時に回収した第１の処理液を再利用しても、ウエハＷの表面に第１の処理液による良好な処理を施すことができる。
【００３３】
また、第１の処理液による処理時に、第１の処理液が開口部７５を通って傾斜面７２Ｂと傾斜面７３Ｂとの間に進入することはないから、その開口部７５を通って回収される第２の処理液に第１の処理液が混入することがない。さらに、リンス液が開口部７５を通って傾斜面７２Ｂと傾斜面７３Ｂとの間に進入することもないから、その開口部７５を通って回収される第２の処理液にリンス液が混入することもない。よって、第２の処理液による処理時に回収した第２の処理液を再利用しても、ウエハＷの表面に第２の処理液による良好な処理を施すことができる。
【００３４】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することも可能である。たとえば、上記の実施形態では、第１および第２の処理液およびリンス液を用いてウエハＷの表面を洗浄する場合の構成を例にとったが、回収溝および傘状部材を追加して、リンス液以外の３種以上の処理液を用いてウエハＷの表面を洗浄し、その洗浄に用いた処理液を分別して回収可能な構成にしてもよい。なお、通常リンス液を回収することは少ないが、リンス液をも回収したい場合には、廃液溝５２および廃液ライン５６を、第１および第２の処理液を回収する構成と同様に、回収溝および回収ラインとしてもよい。
【００３５】
また、上記の実施形態では、スプラッシュガード７を昇降させる構成を例にとったが、スピンチャック１とスプラッシュガード７との間に、ウエハＷから振り切られた処理液が通過可能なスリット孔を有するシャッタ部材を設け、このシャッタ部材とスピンチャック１とを同時に（一体的に）昇降させることにより、スリット孔を開口部７４，７５または傘状部材７３と廃液溝５２との間の空間に選択的に対向させるようにしてもよい。なお、上記スリット孔は、スピンチャック１が保持するウエハＷの側方に位置するように形成する。また、この場合に、スプラッシュガード７は、処理カップ５に対して固定配置されていてもよいし、シャッタ部材およびスピンチャック１の昇降に合わせて昇降（シャッタ部材およびスピンチャック１の昇降時には、スプラッシュガード７を下降させ、シャッタ部材およびスピンチャック１の下降時には、スプラッシュガード７を上昇）させてもよい。
【００３６】
さらに、ウエハＷに対して洗浄処理を行う装置を例にとったが、この発明は、ウエハＷに対して複数の処理液を用いた処理を行うものであれば何でもよく、たとえば、ウエハＷの表面から不要な薄膜をエッチング液を用いて除去するエッチング処理装置、ウエハＷの表面から不要なポリマー残渣をポリマー除去液を用いて除去するポリマー除去装置、ウエハＷの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置、あるいはウエハＷの表面に現像液を供給してレジスト膜を現像する現像装置などに適用することもできる。
【００３７】
さらにまた、処理対象の基板は、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
【図２】ウエハに対する第１の処理液を用いた処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。
【図３】ウエハに対する第２の処理液を用いた処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。
【図４】第１または第２の処理液による処理後のウエハの表面を洗い流すためのリンス処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。
【図５】従来の基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
【符号の説明】
１ スピンチャック
２ 第１処理液ノズル
３ 第２処理液ノズル
５ 処理カップ
５Ａ 円筒状仕切壁
５Ｂ 円筒状仕切壁
５Ｃ 円筒状仕切壁
５Ｄ 円筒状仕切壁
６ 円筒状部材
７ スプラッシュガード
８ 昇降駆動機構
５３ 第２処理液回収溝
５４ 第１処理液回収溝
７４ 開口部
７５ 開口部
Ｓ 隙間
Ｗ ウエハ

Claims (3)

1. 複数種の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
   基板を保持しつつ回転させる基板保持手段と、
   この基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第１の処理液を供給する第１処理液供給手段と、
   上記基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第２の処理液を供給する第２処理液供給手段と、
   上記基板保持手段の周囲をそれぞれ取り囲むように形成されて、上記基板保持手段に保持されて回転している基板から飛散する処理液を受け取るための複数の開口部と、
   この複数の開口部と上記基板保持手段との間において、上記基板保持手段の周囲を取り囲むように配置されており、上記複数の開口部のそれぞれに選択的に対向可能なスリット孔が形成された筒状シャッタ部材と、
   この筒状シャッタ部材と上記複数の開口部とを相対的に昇降移動させて、上記スリット孔が対向する開口部を切り替えるための相対昇降移動手段と
   を含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 上記筒状シャッタ部材は、上記スリット孔が上記基板保持手段の周囲の空間と上記複数の開口部のうちの１の開口部内の空間とを連通させている状態で、上記基板保持手段の周囲の空間と残りの開口部内の空間とを隔絶させるものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 複数種の処理液をそれぞれ繰り返し用いて基板を処理する基板処理方法であって、
   基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第１の処理液を供給する第１処理液供給工程と、
   上記基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第２の処理液を供給する第２処理液供給工程と、
   上記基板保持手段の周囲をそれぞれ取り囲むように形成されて、上記基板保持手段に保持されて回転している基板から飛散する処理液を受け取るための複数の開口部と、この複数の開口部と上記基板保持手段との間において、上記基板保持手段の周囲を取り囲むように配置された筒状シャッタ部材とを相対的に昇降移動させて、上記第１処理液供給工程と上記第２処理液供給工程とで、上記筒状シャッタ部材に形成されたスリット孔が対向する開口部を切り替える工程と
   を含むことを特徴とする基板処理方法。

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