JP2004235628A - InAsP量子井戸層とGax(AlIn)l−xP障壁層とを有するInPベースの高温レーザー - Google Patents
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Abstract
【課題】
閾値電流が小さく高温で良好に動作するレーザ発信器を提供すること。
【解決手段】
本発明は波長1.3μmで高温で動作するレーザー構造(100)とその製造方法を提供する。このレーザー構造(100)はInAsPの量子井戸層を有する。量子井戸層(32)は第1の障壁層(33)と第2の障壁層(34)の間に挟まれる。障壁層(33)(34)は量子井戸層(32)よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。また、各障壁層(33)(34)はGax(AlIn)1-xP(x=0)を含む。この物質はInGaP等の従来の障壁層物質よりもバンドギャップエネルギーが大きい。そのため、伝導帯の不連続性が大きくなり、レーザ構造(100)の閾値電流を増大させることなく、高温性能を向上させることができる。
【選択図】 図1
閾値電流が小さく高温で良好に動作するレーザ発信器を提供すること。
【解決手段】
本発明は波長1.3μmで高温で動作するレーザー構造(100)とその製造方法を提供する。このレーザー構造(100)はInAsPの量子井戸層を有する。量子井戸層(32)は第1の障壁層(33)と第2の障壁層(34)の間に挟まれる。障壁層(33)(34)は量子井戸層(32)よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。また、各障壁層(33)(34)はGax(AlIn)1-xP(x=0)を含む。この物質はInGaP等の従来の障壁層物質よりもバンドギャップエネルギーが大きい。そのため、伝導帯の不連続性が大きくなり、レーザ構造(100)の閾値電流を増大させることなく、高温性能を向上させることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は概して発光素子に関し、詳しくは半導体レーザーに関する。
波長1.3μmで動作する半導体レーザーの主な製造方法では、InP基板上に形成され複数のInAsP歪み量子井戸が用いられる。いずれの半導体レーザーにとっても、デバイスの性能を決定する要因の1つは閾値電流が受ける温度の影響である。
InP基板上に設けられた従来のレーザーの閾値電流および放射効率は、動作温度に強く依存する。具体的には、閾値電流Ithは次の式で定義される。
Ith=IOexp(T/TO) (式1)
ただし、IOは定数、Tは動作温度、TOは特性温度である。式1に示すように、閾値電流Ithは温度比T/TOが増大するのにつれて指数関数的に増大する。従って、TOを非常に大きな値にすれば、閾値電流Ithは温度Tの変化の影響をほとんど受けなくなる。従って、優れた高温特性をレーザーで実現するためには、特性温度TOを大きくすることより、温度の影響を受けにくい特性にすることが望ましい。
従来のInAsP活性領域の場合、量子井戸層のInAsPと障壁層の物質との間の伝導帯バンドオフセットが小さいことが原因で電子閉じ込め能力が低いため、温度性能に制約がある。従ってそれらのレーザーの高温時の性能は満足できるものではない。
例えば、活性領域がInAsPである場合、障壁層物質として用いられる一般的な物質を2つをあげると、InGaPとAlInGaAsがあげられる。InAsP量子井戸層とInGaP障壁層とを有するレーザーは閾値電流が小さいが、これらのレーザーは温度が高くなると劣悪な性能しか示さない。InAsPとInGaPとの間の伝導帯の不連続性に関しては、科学界においてかなり大きな意見の相違がある点に注意する必要がある。
InAsP量子井戸層とAlInGaAs障壁層とを有するレーザーは、InAsP量子井戸層とInGaP障壁層とを有するレーザーよりも閾値電流が大きいが、高温での特性は優れている。その理由は、InAsP/AlInGaAs界面における欠陥の存在である。例えば、それらの欠陥は、量子井戸層または障壁層において無放射部の中心として作用し、閾値電流を増大させ、TOを大きくする場合がある。
また、エピタキシャル成長によって形成されるInAsPの層の品質は、一般に成膜温度が低くなるほど向上する。従って、InAsP量子井戸層を有する活性領域は、比較的低温度で形成される。しかしながら、障壁層物質AlInGaAsの結晶品質を向上させるためには高い成膜温度が必要であり、低い成膜温度では、量子井戸層物質InAsPの上に高品質のAlInGaAs障壁層を作成することが出来ない。
従って、量子井戸層がInAsPである場合、障壁層物質にInGaPやAlInGaAsを使用しても、所望の低い閾値電流や、高温でのレーザー性能を得ることは出来ない。そのため、上述のような欠点を解決したいという産業上の需要がある。
本発明は、高温において波長1.3μmで動作するレーザー構造と、そのようなレーザー構造を製造する方法を提供する。このレーザー構造はInAsPの量子井戸層を含む。量子井戸層は第1の障壁層と第2の障壁層の間に挟まれる。各障壁層の物質は、量子井戸層の物質よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。各障壁層は、Gax(AlIn)1-xPを含む。ただしx=0である。この物質は、InGaP等の従来の障壁層物質よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。そのため、伝導帯の不連続性が大きくなり、レーザー構造の閾値電流を増大させることなく高温での性能を向上させることができる。
本発明、高温において波長1.3μmで動作するレーザー構造を製造方法も提供する。この方法は、InPの基板を設けるステップと、該基板上に下部クラッド層を形成するステップと、下部クラッド層上にGax(AlIn)1-xP(x=0)の第1の障壁層を形成するステップと、第1の障壁層上にInAsPの量子井戸層を形成するステップと、量子井戸層上にGax(AlIn)1-xP(x=0)の第2の障壁層を形成するステップと、第2の障壁層上に上部クラッド層を形成するステップとを含む。
本発明の他の特徴及び/又は利点は、当業者であれば下記の詳細な説明及び添付の図面を参照することにより明らかになるだろう。説明に含まれるそれらの更なる特徴及び利点は、特許請求の範囲によって保護される。
本発明の多数の実施形態は、添付の図面を参照することでより深く理解することが出来る。図面中の要素は必ずしも寸法通りに描いたものでなく、本発明の原理を分かりやすく説明するために強調して描いてある。また、複数の図を通じて、対応する要素には同じ符号を図面に付した。
本発明は、高温下で且つ長波長において良好なレーザー性能を有する改良型レーザー構造を提供する。このレーザー構造は、Gax(AlIn)1-xPの障壁層(x=0)を有するInAsPの量子井戸層が配置された活性領域を有する。本発明は、温度の影響を受けない特性を持つ1.3μmレーザーの生成に使用することが可能な、InAsP量子井戸とGax(AlIn)1-xP障壁層とを有するレーザー構造を提供する。
図1に示すように、レーザー構造100の第1の実施例はInP基板10を含む。該基板上には、エピタキシャル成長によりn−InPクラッド層20、活性領域30、p−InPクラッド層40、及びp−InGaAsキャップ層60が形成される。活性領域30は、単一量子井戸構造を含む。単一量子井戸構造は、InAsPの歪み量子井戸へテロ構造活性層32を含む。InAsP量子井戸層32は、脇から障壁層33と34で挟まれる。障壁層はGax(AlIn)1-xP(x≧0)から成る。代替実施形態では、活性領域30がn層のInAsP量子井戸層と(n+1)層のGax(AlIn)1-xP障壁層(x≧0)とから成る多重量子井戸構造を含む場合もある点に注意して欲しい。
InGaP中のGaの一部又は全てをAlに置換することにより、量子井戸層32の物質と障壁層33、34の物質との間における伝導帯及び価電子帯の不連続性が大きくなる。例えば、図2は、歪みInGaPのバンドエネルギーのGaモル分率に対する依存度と、AlInP(すなわちx=0としたときのGax(AlIn)1-xP)のAlモル分率に対する依存度とを示したグラフである。図2は、AlInP障壁層物質がInGaP障壁層物質よりも高いバンドギャップエネルギーを有することを顕著に示している。障壁層33、34の物質AlInP中の所定のモル分率のAlは、InGaP中の同じモル分率のGaよりも高いバンドギャップエネルギーを作り出すという点に、着目して欲しい。従って、量子井戸層32の物質InAsPと障壁層33、34の物質AlInPとの間のバンドオフセットが大きくなる。バンドオフセットを大きくすることにより、レーザーの閾値電流を著しく増大させることなく高温性能を向上させることが可能になる。
図3は、Gaモル分率の関数としての無歪みInGaPとAlモル分率の関数としてのAlInPとの間の伝導帯の不連続性を示すグラフである。詳しくは、この不連続性は、障壁層33、34を所与のGaモル分率を有するInGaPに替えて同じAlモル分率を有するAlInPで構成したときの、InAsP量子井戸層32中の電子に対する増加分の障壁を表している。障壁層33、34の物質であるInGaP中のGaをAlで置換することにより、障壁層のバンドエネルギーは図4に示すように増大する。バンドエネルギーを増大させることにより、InAsP量子井戸32中の障壁層によって得られるキャリア閉じ込め能力が向上し、高温性能が改善される。従って、レーザー構造100は従来の長波長光源に比べて優れた温度特性を有する。
更に、本発明の障壁層33、34の物質AlInPは、従来の障壁層物質AlInGaAsと異なり、燐(P)とアルミニウム(Al)を含む。これらの成分により、本発明の障壁層物質は、Alと砒素(As)を含む物質よりも、低い成膜温度で良好な結晶品質に作成することが可能になる。この特性は、P(PはAsよりも小さい原子である)が反応性のAlに対して強い結合特性を有することから得られる。そのため、Pを成分に含むAl化合物は、Asを成分に含むAl化合物よりも結晶品質が優れている(成膜温度とAlモル分率を一定に維持した場合)。従って、活性領域30の障壁層33、34の物質として、AlInGaAsに替えてAlInPを用いることにより、量子井戸層の障壁層との界面を良好なものにすることができ、一般的には障壁層物質も良好なものになる。結晶品質の向上により、閾値電流も小さくなる。
これに対応して、特定のレーザー用途では、障壁層物質にAlGaInP(すなわちx=1としたときのGax(AlIn)1-xP)を用いるのが好ましい場合がある。なぜなら、AlGaInPの伝導帯エネルギーは、AlInPの伝導体エネルギーとInGaPの伝導帯エネルギーの間にあるからである。こうすることにより、量子井戸層32の物質に対してバンドオフセットが低くなり、活性領域30中のキャリア分布が良好になる。
図5A〜図5Dは、本発明のレーザー構造を製造するプロセス500の一実施形態を示す図である。図5Aに示すように、InPの単結晶から成る基板10を用意する。図5Bにおいて、この基板10上に、n−InP(通常、Si、Se又はTeがドープされている)から成る3μmのクラッド層を600℃でエピタキシャル成長させる。次に図5Cにおいて、クラッド層20の上に活性領域30を形成する。この活性領域30は、xを0としたGax(AlIn)1-xPの障壁層33と、InAsPの量子井戸層32と、xを0としたGax(AlIn)1-xPのもう1つの障壁層34とを成膜することにより形成される。InAsP量子井戸層とGax(AlIn)1-xP障壁層は、通常約550℃で成膜され、それぞれ約10nmの厚さに形成される。次に図5Dに示すように、活性領域30の上にp−InPのクラッド層40を成膜する。このp−InPクラッド層40の厚さは通常3μmであり、約600℃で成膜される。p−InPクラッド層40には通常、ドーパントとしてZnが用いられる。最後にp−InGaAs(Znをドープしたもの)のキャップ層60を成膜する。
代替実施形態において、このレーザー構造は、活性領域の反対側に配置された導波路層を含む場合がある。導波路層はInGaAsPまたはAlInGaAsから形成することができる。
あるいは、活性領域30は、更なる量子井戸層とそれに対応する数の障壁層とから成る複数の量子井戸構造を含んでもよい。通常、InAsP量子井戸層は、InP基板上に成膜された場合、圧縮歪みを有する。InAsPの量子井戸層を有するレーザーでは、この圧縮歪みにより、透明度が低下し、微分利得が大きくなる。このことは、効率が高く高速なデバイスが得られるという重要な可能性を示唆するものである。しかしながら、InAsP量子井戸層における圧縮歪みの大きさ(典型的には、InAsP中のAsが40%のとき約1.25%の歪みが生じる)は、量子井戸層の物質InAsPが歪み限界に到達するまでに追加し得るInAsP量子井戸層の数に制限を与える。従って、この圧縮歪みを相殺するため、障壁層33、34に使用されるGax(AlIn)1-xPに引張歪みが加えられる場合がある。この引張歪みの大きさは、Gax(AlIn)1-xP中のInとGaの相対的な組成を変えることにより容易に変化させることができる。障壁層32、34のGax(AlIn)1-xPにおいてx=0.15としたとき、通常1%の引張歪みが得られる。
本発明の上記の実施形態は、考え得る実施形態の例を説明しただけであり、本発明を分かりやすく理解する目的で提示したものに過ぎない。本発明の上記の実施形態には、本発明の原理から実質的に外れることなく、多数の変更や修正を加えることが可能である。例えば、レーザー構造のInAsP/Gax(AlIn)1-xP活性領域30の外にある層は、数や構成が例示したものと異なっていてもよいと考えられる。エッチングや層順序の入れ替え等、追加の製造工程を実施することも可能である。その結果、本発明に従い、多種のデバイスを形成することが出来る。そのような変更形態や修正形態もすべて本発明の開示範囲に含まれ、特許請求の範囲によって保護されるものとする。
10 基板
20 第1のクラッド層
32 量子井戸層
33 第1の障壁層
34 第2の障壁層
40 第2のクラッド層
60 キャップ層
100 レーザー構造
20 第1のクラッド層
32 量子井戸層
33 第1の障壁層
34 第2の障壁層
40 第2のクラッド層
60 キャップ層
100 レーザー構造
Claims (10)
- 高温で動作可能なレーザー構造(100)であって、第1の障壁層(33)と第2の障壁層(34)との間に挟まれたInAsPの量子井戸層(32)を含み、前記第1の障壁層(33)及び第2の障壁層(34)がGax(AlIn)1-xP(x≧0)を含み、前記第1および第2の障壁層がそれぞれ前記量子井戸層(32)よりも大きいバンドギャップエネルギーを有する、レーザ構造。
- x>0である、請求項1のレーザー構造(100)。
- 前記第1の障壁層(33)の下に配置された第1のクラッド層(20)と、前記第2の障壁層(34)の上に配置された第2のクラッド層(40)とを更に含む、請求項1のレーザー構造(100)。
- 前記第1のクラッド層(20)の下に配置された基板(10)を更に含む、請求項2のレーザー構造(100)。
- 前記基板がInPを含む、請求項4のレーザー構造(100)。
- 前記第2のクラッド層(40)の上に配置されたキャップ層(60)を更に含む、請求項4のレーザー構造(100)。
- 高温で動作可能なレーザー構造(100)を製造する方法(500)であって、
基板(10)を設けるステップと、
前記基板(10)上に第1のクラッド層(20)を形成するステップと、
前記第1のクラッド層(20)の上に、Gax(AlIn)1-xP(x≧0)を含む第1の障壁層(33)を形成するステップと、
前記第1の障壁層(33)の上に、前記第1の障壁層(33)よりも低いバンドギャップエネルギーを有するInAsP量子井戸層(32)を形成するステップと、
前記量子井戸層(32)の上に、前記量子井戸層(32)よりも高いバンドギャップエネルギーを有し、Gax(AlIn)1-xP(x≧0)を含む第2の障壁層(34)を形成するステップと、
前記第2の障壁層(34)の上に第2のクラッド層(40)を形成するステップと、
からなる方法。 - x>0である、請求項7の方法(500)。
- 前記基板(10)がInPを含む、請求項7の方法(500)。
- 前記第2の障壁層(34)の上に、前記第2の障壁層(34)よりも低いバンドギャップエネルギーを有するInAsPから成る第2の量子井戸層を形成するステップと、
前記第2の量子井戸層の上且つ前記第2のクラッド層(40)の下に、前記第2の量子井戸層よりも高いバンドギャップエネルギーを有するGax(AlIn)1-xP(x≧0)の第3の障壁層を形成するステップと、
を更に含む、請求項7の方法(500)。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/354,276 US6730944B1 (en) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | InP based high temperature lasers with InAsP quantum well layers and barrier layers of Gax(ALIn)1-xP |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004235628A true JP2004235628A (ja) | 2004-08-19 |
JP2004235628A5 JP2004235628A5 (ja) | 2007-03-01 |
Family
ID=32176329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004007511A Withdrawn JP2004235628A (ja) | 2003-01-30 | 2004-01-15 | InAsP量子井戸層とGax(AlIn)l−xP障壁層とを有するInPベースの高温レーザー |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6730944B1 (ja) |
EP (1) | EP1443616B1 (ja) |
JP (1) | JP2004235628A (ja) |
DE (1) | DE60311412T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6581195B2 (ja) * | 2014-11-11 | 2019-09-25 | フィニサー コーポレイション | 2段の断熱結合されたフォトニック・システム |
EP4160833A1 (en) | 2015-12-17 | 2023-04-05 | Finisar Corporation | Surface coupled systems |
US10992104B2 (en) | 2015-12-17 | 2021-04-27 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Dual layer grating coupler |
CN110268588B (zh) | 2016-12-06 | 2021-07-20 | 菲尼萨公司 | 具有光学***器的表面耦合激光器 |
US10809456B2 (en) | 2018-04-04 | 2020-10-20 | Ii-Vi Delaware Inc. | Adiabatically coupled photonic systems with fan-out interposer |
US11435522B2 (en) | 2018-09-12 | 2022-09-06 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Grating coupled laser for Si photonics |
US11404850B2 (en) | 2019-04-22 | 2022-08-02 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Dual grating-coupled lasers |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2914210B2 (ja) * | 1995-03-07 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 多重量子井戸構造光半導体装置及びその製造方法 |
JP2003243693A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体受光素子,及び,半導体部品 |
-
2003
- 2003-01-30 US US10/354,276 patent/US6730944B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-18 EP EP03021206A patent/EP1443616B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-18 DE DE60311412T patent/DE60311412T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-01-15 JP JP2004007511A patent/JP2004235628A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1443616A3 (en) | 2005-11-30 |
EP1443616A2 (en) | 2004-08-04 |
US6730944B1 (en) | 2004-05-04 |
EP1443616B1 (en) | 2007-01-24 |
DE60311412D1 (de) | 2007-03-15 |
DE60311412T2 (de) | 2007-10-31 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A761 | Written withdrawal of application |
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