JP2004213002A - 有機電界発光素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の有機電界発光素子は、第1基板に薄膜トランジスタアレー部を構成し、第1基板と合着される第2基板に有機発光部を構成する二重プレイト(dual plate)構造である。前記薄膜トランジスタアレー部に構成された第1連結電極と前記発光部の第2電極が接触されるようにし、前記連結電極を通して薄膜トランジスタアレー部の信号が前記発光部に伝達されるようにする。なお、前記発光部の第1電極に信号を伝達する共通電極は薄膜トランジスタアレー部の外廓に構成し、共通電極と前記第1電極を連結する第2連結電極が更に構成される。
前述した構成で、第2連結電極と前記発光部の接触を防止するために、前記薄膜トランジスタアレー部の外廓、即ち共通電極が形成された外側にダミー画素を追加して形成する。前記ダミー画素は前記第2電極を形成する工程中使用されるマスクのアラインマージンの役割をする。
【選択図】 図6
Description
なお、製造工程が単純であるために生産原価を既存のLCDより多く減らすことができる長所もある。
前記データパッド部(E)と平行な表示領域の一側には共通電極(39)を構成する。
これにより良品の薄膜トランジスタを製造するのに要した諸経費および原材料費の損失に繋がり、全体的な収率が低下する問題点を有していた。
図示したように、本発明に従う有機電界発光素子(99)は、薄膜トランジスタアレー部が構成された第1基板(100)と有機発光部が構成された第2基板(200)とで構成され、前記2基板(200)はシーラント(300)を通して合着される。
以下、図6を参照して前述したような平面構成を有する有機電界発光素子の概略的な断面構成を説明する。
図示したように、本発明に従う有機電界発光素子(99)は、透明な第1基板(100)と第2基板(200)をシーラント(sealant)(300)を通して合着し構成する。
122 : ドレイン電極
126 : 共通電極
130 : 第1連結電極
132 : 第2連結電極
200 : 第2基板(下部基板)
202 : 第1電極(陽極電極)
203 : 補助絶縁パターン
204 : 隔壁
206 :発光層
208 : 第2電極
300 : シールパターン
Claims (34)
- 互いに対向して離隔されており、多数の画素領域とダミー画素領域を含む表示部と周辺部を有する第1基板と第2基板と;前記第1基板の内面に形成され、前記多数の画素領域のそれぞれと隣接する多数の駆動薄膜トランジスタと;前記多数の駆動薄膜トランジスタのそれぞれに連結される第1連結電極と;前記第2基板の内面に形成される第1電極と;前記第1電極上部の多数の画素領域と前記ダミー画素領域のそれぞれのふちに形成される隔壁と;前記第1電極上部に形成される有機発光層と;前記有機発光層上部の前記多数の画素領域と前記ダミー画素領域のそれぞれに形成される第2電極において、前記多数の画素領域のそれぞれに形成される前記第2電極は、前記第1連結電極と連結される第2電極と;前記第1基板と第2基板を付着させるシーラントを含むことを特徴とする有機電界発光素子。
- 前記第1基板内面の周辺部に形成されるパッドと;前記パッドに連結され、前記第1連結電極と同一層、同一物質で構成される第2連結電極を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記ダミー画素領域の第2電極は、電気的にフローティングされることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記多数の駆動薄膜トランジスタのそれぞれは、駆動アクティブ層、駆動ゲート電極、駆動ソースおよび駆動ドレイン電極を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記多数の駆動薄膜トランジスタのそれぞれは、駆動アクティブ層、駆動ゲート電極、駆動ソースおよび駆動ドレイン電極を含み、前記パッドは、前記駆動ソースおよび駆動ドレイン電極と同一な物質で構成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記多数の駆動薄膜トランジスタに連結され、それぞれがスイッチングアクティブ層、スイッチングゲート電極、スイッチングソースおよびスイッチングドレイン電極を含む多数のスイッチング薄膜トランジスタを更に含むことを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子。
- 前記駆動アクティブ層とスイッチングアクティブ層は、多結晶シリコンで構成することを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。
- 前記スイッチングソース電極は前記データ配線と連結され、前記スイッチングドレイン電極は前記駆動ゲート電極と連結され、前記スイッチングゲート電極はゲート配線と連結されることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。
- 前記駆動薄膜トランジスタと連結される電源配線を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記駆動薄膜トランジスタに連結されるストレージキャパシタを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極は前記有機発光層に正孔を注入する陽極であり、前記第2電極は前記有機発光層電子を注入する陰極であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極は、インジウム-錫-酸化物(ITO)とインジウム-亜鉛-酸化物(IZO)のうちの一つで構成されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子。
- 前記第2電極は、カルシウム(Ca)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)のうちの一つで構成されることを特徴とする請求項11に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1連結電極と第2連結電極間に形成され、前記第2電極と同一な物質で構成される補助電極を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。
- 前記ダミー画素領域は前記多数の画素領域を取り囲むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極と前記隔壁中少なくとも一つの間に形成される補助絶縁層を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 多数の画素領域とダミー画素領域を含む表示部と周辺部を有する第1基板を準備する段階と;前記第1基板上部に前記多数の画素領域のそれぞれと隣接した多数の駆動薄膜トランジスタを形成する段階と;前記多数の駆動薄膜トランジスタのそれぞれに連結される第1連結電極を形成する段階と;第2基板上部に第1電極を形成する段階と;前記第1電極上部の多数の画素領域と前記ダミー画素領域のそれぞれのふちに隔壁を形成する段階と;前記第1電極上部に有機発光層を形成する段階と;前記有機発光層上部の前記多数の画素領域と前記ダミー画素領域のそれぞれに第2電極を形成する段階に於いて、前記多数の画素領域のそれぞれに形成される前記第2電極が前記第1連結電極と連結されるように第2電極を形成する段階と;前記第1基板と第2基板をシーラントで付着させる段階を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1基板内面の周辺部にパッドを形成する段階と;前記パッドに連結され、前記第1基板および2基板を合着する時前記第1電極と連結される第2連結電極を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記多数の駆動薄膜トランジスタのそれぞれは、駆動アクティブ層、駆動ゲート電極、駆動ソースおよび駆動ドレイン電極を含むことを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記多数の駆動薄膜トランジスタのそれぞれは、駆動アクティブ層、駆動ゲート電極、駆動ソースおよび駆動ドレイン電極を含み、前記パッドは、前記駆動ソースおよび駆動ドレイン電極と同時に形成されることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記多数の駆動薄膜トランジスタに連結され、それぞれがスイッチングアクティブ層、スイッチングゲート電極、スイッチングソースおよびスイッチングドレイン電極を含む多数のスイッチング薄膜トランジスタを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項19に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記駆動アクティブ層とスイッチングアクティブ層は多結晶シリコンで構成することを特徴とする請求項21に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記スイッチングソース電極は前記データ配線と連結され、前記スイッチングドレイン電極は前記駆動ゲート電極と連結され、前記スイッチングゲート電極はゲート配線と連結されることを特徴とする請求項21に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記駆動薄膜トランジスタと連結される電源配線を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記駆動薄膜トランジスタに連結されるストレージキャパシタを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1電極は前記有機発光層に正孔を注入する陽極であり、前記第2電極は前記有機発光層に電子を注入する陰極であることを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1電極はインジウム-錫-酸化物(ITO)とインジウム-亜鉛-酸化物(IZO)のうちの一つで構成されることを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第2電極はカルシウム(Ca)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)のうちの一つで構成されることを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1連結電極と第2連結電極間に、前記第2電極と同時に補助電極を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ダミー画素領域は前記多数の画素領域を取り囲むことを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1電極と前記隔壁のうちの少なくとも一つの間に補助絶縁層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 多数の画素領域とダミー画素領域を含む表示部と周辺部を有する第1基板上部に第1絶縁層を形成する段階と;前記第1絶縁層上部の前記多数の画素領域のそれぞれに、多結晶シリコンで構成されソースおよびドレイン領域を含むアクティブ層を形成する段階と;前記アクティブ層上部に第2絶縁層を形成する段階と;前記アクティブ層に対応する前記第2絶縁層上部にゲート電極を形成する段階と;前記ゲート電極上部に第3絶縁層を形成する段階と;前記第3絶縁層上部に、前記ソース領域を露出させる第1コンタクトホールと前記ドレイン領域を露出させる第2コンタクトホールを有する第4絶縁層を形成する段階と;前記第4絶縁層上部に、前記第1コンタクトホールを通して前記ソース領域に連結されるソース電極と、前記第2コンタクトホールを通して前記ドレイン領域に連結されるドレイン電極を形成する段階と;前記ソースおよびドレイン電極上部に、前記ドレイン電極を露出させる第3コンタクトホールを有する第5絶縁層を形成する段階と;前記第5絶縁層上部に、前記第3コンタクトホールを通して前記ドレイン電極と連結される第1連結電極を形成する段階と;前記表示部と周辺部を有する第2基板上部に第1電極を形成する段階と;前記第1電極上部の多数の画素領域と前記ダミー画素領域のそれぞれのふちに隔壁を形成する段階と;前記第1電極上部に有機発光層を形成する段階と;前記有機発光層上部の前記多数の画素領域のそれぞれに第2電極を形成する段階と;シーラントを利用して前記第1連結電極が前記第2電極と接触するように前記第1基板と第2基板を付着させる段階を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第1絶縁層、第3絶縁層、第4絶縁層および第5絶縁層は、前記第1基板内面の前記ダミー画素領域に順序とおりに形成されることを特徴とする請求項32に記載の有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第4絶縁層上部の周辺部にパッドを形成する段階において、前記第5絶縁層は前記パッドを露出させる第4コンタクトホールおよび5コンタクトホールを有するようにパッドを形成する段階と;前記第5絶縁層上部に、前記パッドに前記第4コンタクトホールを通して連結され、前記第1基板および2基板を合着する時前記第1電極と連結される第2連結電極を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項32に記載の有機電界発光素子の製造方法。
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