JP2004210353A

JP2004210353A - Plastic film for packaging semiconductor sealing material, and semiconductor device

Info

Publication number: JP2004210353A
Application number: JP2002381943A
Authority: JP
Inventors: Hironori Ikeda; 博則池田
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2002-12-27
Filing date: 2002-12-27
Publication date: 2004-07-29

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plastic film for packaging a semiconductor sealing material capable of preventing moisture absorption of the semiconductor sealing material without requiring any reduction in pressure when the semiconductor sealing material is packaged. <P>SOLUTION: The present invention relates to a plastic film for packaging a semiconductor sealing material. Each of a layer composed of low density polyethylene with a density of 0.910 to 0.939 g/cm<SP>3</SP>and a high density polyethylene with a density of 0.940 to 0.965 g/cm<SP>3</SP>is laminated at least every one. It is possible to restrict a moisture permeability under a combination of a layer composed of the aforesaid low density polyethylene and the aforesaid high density polyethylene which show a substantial different density. Additionally, it is possible to prevent moisture absorption at the semiconductor sealing material without requiring any necessity of pressure reduction when the semiconductor sealing material is packaged. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体封止材料を包装するためのプラスチックフィルム及び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子などの電子部品の封止材料（半導体封止材料）として、セラミックや熱硬化性樹脂が一般的に用いられている。中でもエポキシ樹脂を封止材料として用いる方法が、経済性と性能とのバランスの点において好ましいとの理由から、従来より広く行われている。
【０００３】
半導体素子の樹脂封止は、例えば、金属製リードフレーム上に半導体素子を搭載し、この半導体素子とリードフレームとをボンディングワイヤー等を用いて電気的に接続した後に、金型を使用して半導体素子全体及びリードフレームの一部を樹脂で封止成形することにより行われている。
【０００４】
そして樹脂封止して得られた半導体パッケージ（半導体装置）は、その樹脂の硬化反応を完全なものとするためポストキュアがされ、その後、ディップ半田付け法やリフロー半田付け法等によって基板に実装されるのである。
【０００５】
しかし半田付けの際に、半導体素子と封止材料との熱膨張率の違いや封止材料中に含まれていたわずかな水分の気化による水蒸気爆発によって、半導体パッケージにクラックが生じてしまうことがあった。そのため、封止材料の熱膨張率を低減して半導体素子との熱膨張率の差を小さくしたり、封止材料の吸湿量を抑えたりして、封止材料に様々な工夫が凝らされている。
【０００６】
特に、封止材料を製造する工程中では、封止材料の吸湿を防ぐ目的で様々な措置がなされているが、封止材料を製造した後、これを成形現場に配送するまでの間においては、封止材料の吸湿を防ぐための有効な措置が取られていない。すなわち、製造して得られた封止材料を包装フィルムで包装し、これを外装ケースに詰めて梱包した後にこのケースを成形現場に配送するまでの間に、外気に含まれる水分が外装ケース及び包装フィルムを透過し、この水分を封止材料が吸収してしまうという問題が生じている。
【０００７】
そこで、例えば、密度が０．９１０〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３の高圧法低密度ポリエチレン（Ｈ−ＬＤＰＥ）からなる層のみで形成される包装用プラスチックフィルムによって、封止材料を包装することが行われているが、このような方法では、近年の封止材料の吸湿率に対する厳しい要求には十分に応えることができない。
【０００８】
また、一層フィルムのほか、多層フィルムによって、封止材料を包装することも行われているが（例えば、特許文献１参照。）、保管中における封止材料の吸湿の低減は、封止材料を充填した上記フィルムの袋内を減圧することによって、副次効果として期待できるにすぎないものであった。
【０００９】
【特許文献１】
特開２０００−２３６０４９号公報（特許請求の範囲、段落番号［０００６］、［０００７］）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、半導体封止材料を包装する際に減圧の必要性がなく、半導体封止材料の吸湿を防止することができる半導体封止材料包装用プラスチックフィルム、また、上記効果のほか、半導体封止材料を包装する際に作業性を損なわない半導体封止材料包装用プラスチックフィルム及び半導体装置を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る半導体封止材料包装用プラスチックフィルムは、半導体封止材料を包装するためのプラスチックフィルムであって、密度が０．９１０〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３の低密度ポリエチレンからなる層と、密度が０．９４０〜０．９６５ｇ／ｃｍ^３の高密度ポリエチレンからなる層とをそれぞれ少なくとも１層ずつ積層して成ることを特徴とするものである。
【００１２】
また請求項２の発明は、請求項１において、高密度ポリエチレンからなる層の両側に低密度ポリエチレンからなる層を積層すると共に、各層の厚みが５０μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１３】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、低密度ポリエチレンが、中低圧法により重合して得られる密度が０．９１８〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３の中低圧法低密度ポリエチレンであることを特徴とするものである。
【００１４】
また請求項４に係る半導体装置は、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体封止材料包装用プラスチックフィルムにより包装していた半導体封止材料を用いて半導体素子を封止して成ることを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１６】
本発明に係る半導体封止材料包装用プラスチックフィルムは、半導体封止材料を包装するためのプラスチックフィルムである。このプラスチックフィルムは、密度が０．９１０〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３の低密度ポリエチレン（ｌｏｗｄｅｎｓｉｔｙｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ，ＬＤＰＥと略す）からなる層と、密度が０．９４０〜０．９６５ｇ／ｃｍ^３の高密度ポリエチレン（ｈｉｇｈｄｅｎｓｉｔｙｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ，ＨＤＰＥと略す）からなる層とをそれぞれ少なくとも１層ずつ積層して、隣接する層同士を圧着することによって、形成することができる。一般に知られているが、ＬＤＰＥは、溶液重合（オートクレーブ型）、気相重合（流動床型、撹拌床型）、スラリー重合（ループ型、オートクレーブ型）、塊状重合（オートクレーブ型、チューブラー型）によって得ることができ、またＨＤＰＥは、溶液重合（オートクレーブ型）、気相重合（流動床型、撹拌床型）、スラリー重合（ループ型、オートクレーブ型）によって得ることができる。
【００１７】
なお、密度が０．９１０ｇ／ｃｍ^３未満のポリエチレンや、密度が０．９６５ｇ／ｃｍ^３を超えるポリエチレンは、実質的には重合するのが困難であるため、本発明においてはＬＤＰＥの密度の下限を０．９１０ｇ／ｃｍ^３と、ＨＤＰＥの密度の上限を０．９６５ｇ／ｃｍ^３としている。また、ＬＤＰＥの密度の上限とＨＤＰＥの密度の下限との差を少なくとも０．００１ｇ／ｃｍ^３としておかなければ、後述するような透湿性の抑制という効果を得ることはできないものである。
【００１８】
図１は本発明の実施の形態の一例を示すものであり、ＬＤＰＥからなる層（ＬＤＰＥ層１）とＨＤＰＥからなる層（ＨＤＰＥ層２）とをそれぞれ１層ずつ積層して得られる２層構造の最も簡単なプラスチックフィルムの具体例である。このように、密度が大きく異なるＬＤＰＥ層１とＨＤＰＥ層２とを組み合わせることによって、透湿性を抑えたプラスチックフィルムを形成することができるものである。従って、このプラスチックフィルムで形成された袋に半導体封止材料を封入すれば、外気中の水分が袋内に浸入するのを抑制することができ、半導体封止材料の吸湿を防止することができるものである。上記袋に半導体封止材料を封入する際、袋内を減圧状態にしてもよいが、減圧状態にしなくても、密度が大きく異なるＬＤＰＥ層１とＨＤＰＥ層２との組み合わせにより、外気中の水分が袋内に浸入するのを十分に抑制することができるものである。
【００１９】
図１に示すような２層構造のプラスチックフィルムで袋を形成する場合、ＬＤＰＥ層１とＨＤＰＥ層２のうち、いずれの層が内側又は外側となってもよい。つまり、内容物となる半導体封止材料に接するのは、上記いずれの層であってもよい。
【００２０】
ＬＤＰＥ層１とＨＤＰＥ層２の厚みは、いずれも１０〜５０μｍであることが好ましい。厚みが１０μｍ未満であると、プラスチックフィルムの透湿性が高まるおそれがあり、逆に厚みが５０μｍを超えると、プラスチックフィルムが硬くなるおそれがあり、このプラスチックフィルムで袋を形成しても封をする際の作業性が悪化する可能性がある。ただし、ＬＤＰＥ層１とＨＤＰＥ層２とをそれぞれ少なくとも１層ずつ積層して得られるプラスチックフィルム全体の厚みは、５０μｍ以上１００μｍ未満であることが好ましい。プラスチックフィルム全体の厚みが５０μｍ未満であると、プラスチックフィルムの透湿性が高まるおそれがあり、逆にプラスチックフィルム全体の厚みが１００μｍ以上であると、このプラスチックフィルムで形成した袋が硬くなり、袋の開封口をしばって粘着テープで封をする際の作業性が悪化するおそれがある。
【００２１】
ちなみに、従来において半導体封止材料を包装するにあたっては、密度が０．９１０〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３の高圧法低密度ポリエチレン（Ｈ−ＬＤＰＥ）からなる層のみで形成される包装用プラスチックフィルムが用いられていた。その際、透湿性を抑えるために包装用プラスチックフィルムの厚みを１００μｍ以上にすると、この包装用プラスチックフィルムで形成した袋が硬くなり、封をする際の作業性が悪化するものであり、逆に作業性を確保するために包装用プラスチックフィルムの厚みを１００μｍ未満にすると、包装用プラスチックフィルムの透湿性が増加し、近年の封止材料の吸湿率に対する厳しい要求には十分に応えることができなくなるものである。
【００２２】
本発明においては、ＬＤＰＥ層１とＨＤＰＥ層２とを組み合わせることによって、３層以上の構造のプラスチックフィルムを形成することができるが、既述のように各層の厚みの下限とプラスチックフィルム全体の厚みの上限とを考慮すると、層数の上限は１０層となる。３層以上の多層構造のプラスチックフィルムにおいて、ＬＤＰＥ層１が複数隣接していたり、あるいはＨＤＰＥ層２が複数隣接していたりしてもよいが、ＬＤＰＥ層１とＨＤＰＥ層２とは交互に積層されていることが好ましい。このように、密度が大きく異なるＬＤＰＥ層１とＨＤＰＥ層２とを隣接して積層することによって、透湿性の抑制という効果が得られるものであり、複数のＬＤＰＥ層１が隣接していることや複数のＨＤＰＥ層２が隣接していることは、単にＬＤＰＥ層１やＨＤＰＥ層２の厚みが増加していることと同視し得るからである。
【００２３】
図２は本発明の実施の形態の他例を示すものであり、ＨＤＰＥ層２の両側にＬＤＰＥ層１を積層して得られる３層構造のプラスチックフィルムの具体例である。このようにして得られるプラスチックフィルムは、図１に示すプラスチックフィルムよりも、透湿性が抑えられているものである。従って、この３層構造のプラスチックフィルムで形成された袋に半導体封止材料を封入すれば、外気中の水分が袋内に浸入するのをさらに抑制することができ、半導体封止材料の吸湿を十分に防止することができるものである。このような効果が得られるのは、密度が大きく異なるＬＤＰＥ層１とＨＤＰＥ層２とが隣接する箇所が、図１に示す２層構造のプラスチックフィルムでは１箇所であるのに対し、図２に示す３層構造のプラスチックフィルムでは２箇所であり、後者のプラスチックフィルムの方が多いからである。なお、ＬＤＰＥ層１の両側にＨＤＰＥ層２を積層しても３層構造のプラスチックフィルムを得ることができるが、このプラスチックフィルムは２層のＨＤＰＥ層２によって強度が大きくなってごわごわするため、ＨＤＰＥ層２の両側にＬＤＰＥ層１を積層して得られる３層構造のプラスチックフィルムの方が好ましい。
【００２４】
なお、図２に示す３層構造のプラスチックフィルムにおいて、ＨＤＰＥ層２とＬＤＰＥ層１の各層の厚みは１０〜５０μｍである。各層の厚みが１０μｍ未満であると、３層構造であってもプラスチックフィルムの透湿性が高まるおそれがあり、逆に各層の厚みが５０μｍを超えると、プラスチックフィルム全体が厚くなって硬くなるおそれがあり、このプラスチックフィルムで袋を形成しても封をする際の作業性が悪化する可能性がある。プラスチックフィルム全体の厚みは、５０μｍ以上１００μｍ未満であることが好ましい。プラスチックフィルム全体の厚みが５０μｍ未満であると、プラスチックフィルムの透湿性が高まるおそれがあり、逆にプラスチックフィルム全体の厚みが１００μｍ以上であると、このプラスチックフィルムで形成した袋が硬くなり、袋の開封口をしばって粘着テープで封をする際の作業性が悪化するおそれがある。
【００２５】
ここで、上述したＬＤＰＥは、重合時の圧力の高低によって、高圧法ＬＤＰＥ（Ｈ−ＬＤＰＥと略す）と中低圧法ＬＤＰＥ（Ｌ−ＬＤＰＥと略す）とに大別することができる。Ｈ−ＬＤＰＥは、重合時の圧力を１５２〜３０４ＭＰａ（１５００〜３０００ａｔｍ）として高圧法により重合して得られるものであり、またＬ−ＬＤＰＥは、重合時の圧力を５１ＭＰａ（５００ａｔｍ）以上１５２ＭＰａ（１５００ａｔｍ）未満として中低圧法により重合して得られるものである。本発明においてプラスチックフィルムを形成するにあたって、ＬＤＰＥとしては、Ｈ−ＬＤＰＥよりもＬ−ＬＤＰＥを用いる方が好ましく、このＬ−ＬＤＰＥの中でも密度が０．９１８〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３であるものを用いる方がより好ましい。Ｈ−ＬＤＰＥとＬ−ＬＤＰＥを比較すると、Ｈ−ＬＤＰＥの分子構造は長鎖の分岐が多いのに対し、Ｌ−ＬＤＰＥの分子構造は長鎖の分岐が少なく短鎖の分岐が多いことから、Ｌ−ＬＤＰＥは、Ｈ−ＬＤＰＥに比べて透湿性が低く、引っ張り強度が高い。よって、ＬＤＰＥとしてＬ−ＬＤＰＥを用いるようにすれば、ＬＤＰＥ層１を薄く形成することができ、プラスチックフィルムが硬くなるのを防止することができるものであり、また、このようにＬＤＰＥ層１を薄く形成したとしても、透湿性の増加を抑えることができると共に、引っ張り強度に優れたプラスチックフィルムを形成することができるものである。しかも、あらかじめＬ−ＬＤＰＥの密度の下限を０．９１０ｇ／ｃｍ^３から０．９１８ｇ／ｃｍ^３に引き上げておけば、上記の効果をさらに高く得ることができるものである。
【００２６】
そして、上記のようにして得られる２層以上の多層構造のプラスチックフィルムを用いて半導体封止材料を包装することができるが、具体的には例えば、上記プラスチックフィルムを用いて多層構造の袋（多層ポリエチレン袋）を作製し、この袋に半導体封止材料を入れた後に、袋内に空気が入らないように袋の開封口をねじって粘着テープで封をすることによって、半導体封止材料を包装することができる。半導体封止材料は製造直後に上記の袋に封入し、この袋は成形直前まで開封しないのが望ましい。これにより、半導体封止材料の製造直後から成形直前までにおける吸湿を防止することができるものである。また、袋内には吸湿剤としてシリカゲル（例えば、シリカゲル入りの小袋）を同梱しておくことが望ましい。これにより、袋内に存在する空気中の水分を吸湿剤によって捕捉することができ、半導体封止材料の吸湿を最も効果的に防止することができるものである。なお、半導体封止材料の形態は、特に限定されるものではなく、粉末状、粉粒状、タブレット状のいずれの形態であってもよい。
【００２７】
本発明においてプラスチックフィルムによって包装される半導体封止材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、離型剤、シランカップリング剤、難燃剤、着色剤、シリコーン可撓剤等を配合して得られるものを挙げることができる。以下、これらの成分の具体的な内容について説明する。
【００２８】
エポキシ樹脂としては、Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ブロム含有エポキシ樹脂等を用いることができる。エポキシ樹脂の配合量は半導体封止材料全量に対して７〜３５重量％の範囲に設定することができる。
【００２９】
硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等の各種多価フェノール化合物やナフトール化合物を用いることができる。
【００３０】
ここで、エポキシ樹脂と硬化剤との当量比は０．５〜１．５が好ましく、０．８〜１．２がより好ましい。
【００３１】
硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類のほか、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリメチルホスフィン等の有機ホスフィン類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の三級アミン、無水トリメリット酸等を併用することができる。
【００３２】
無機充填材としては、結晶・溶融シリカのほか、アルミナ、窒化珪素等を用いることができる。無機充填材の配合量は半導体封止材料全量に対して６０〜９３重量％の範囲に設定することができる。
【００３３】
離型剤としては、天然カルナバ（カルナバワックス）、脂肪酸アミド、ステアリン酸、モンタン酸アミド、脂肪酸エステル、カルボキシル基含有ポリオレフィン等を用いることができる。
【００３４】
シランカップリング剤としては、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプトシランのほか、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のグリシドキシシラン、アミノシラン等を併用することができる。
【００３５】
難燃剤としては、三酸化アンチモンを加えることができ、着色剤としては、カーボンブラックを加えることができる。
【００３６】
そして、既述のプラスチックフィルムにより包装していた半導体封止材料を用いて半導体素子を封止成形することによって、半導体装置を製造することができる。例えば、ＩＣ等の半導体素子を搭載したリードフレームをトランスファー成形用金型にセットし、トランスファー成形を行うことによって、半導体素子を半導体封止材料で封止した半導体装置を製造することができるものである。ここで、半導体封止材料を製造直後に既述の袋に封入し、この袋を成形直前に開封するようにしておけば、上記のようにして得られる半導体装置において、半導体素子を封止している半導体封止材料の吸湿は十分に抑制されているので、半導体装置をディップ半田付け法やリフロー半田付け法等によって基板に実装する際に、半導体装置にクラックが生じなくなるものである。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００３８】
（Ｈ−ＬＤＰＥ）
高圧法低密度ポリエチレン（Ｈ−ＬＤＰＥ）は、１５２〜３０４ＭＰａ（１５００〜３０００ａｔｍ）の圧力で、エチレンをラジカル重合させることによって得た。このようにして得たＨ−ＬＤＰＥの密度は０．９２５ｇ／ｃｍ^３であった。
【００３９】
（Ｌ−ＬＤＰＥ）
中低圧法低密度ポリエチレン（Ｌ−ＬＤＰＥ）は、１５２ＭＰａ（１５００ａｔｍ）以下の圧力で、溶液重合又は気相重合（流動床型）によってエチレンをイオン反応させることによって得た。このようにして得たＨ−ＬＤＰＥの密度は０．９２０ｇ／ｃｍ^３であった。
【００４０】
（ＨＤＰＥ）
高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）は、１０ＭＰａ（１００ａｔｍ）以下の圧力で、気相重合（流動床型）によってエチレンをイオン反応させることによって得た。このようにして得たＨＤＰＥの密度は０．９５０ｇ／ｃｍ^３であった。
【００４１】
上記のようにして得たＨ−ＬＤＰＥ、Ｌ−ＬＤＰＥ、ＨＤＰＥを用いて、以下のようなポリエチレン袋を作製した。
【００４２】
（実施例１）
厚み５０μｍのＨ−ＬＤＰＥ層１と厚み５０μｍのＨＤＰＥ層２とをそれぞれ１層ずつ積層して圧着させることによって、図１に示すような２層構造のプラスチックフィルムを形成し、これを用いて２層ポリエチレン袋を作製した。この２層ポリエチレン袋の厚みは１００μｍであった。
【００４３】
（実施例２）
厚み５０μｍのＬ−ＬＤＰＥ層１と厚み５０μｍのＨＤＰＥ層２とをそれぞれ１層ずつ積層して圧着させることによって、図１に示すような２層構造のプラスチックフィルムを形成し、これを用いて２層ポリエチレン袋を作製した。この２層ポリエチレン袋の厚みは１００μｍであった。
【００４４】
（実施例３）
厚み３３μｍのＨＤＰＥ層２の両側に厚み３３μｍのＨ−ＬＤＰＥ層１を積層して圧着させることによって、図２に示すような３層構造のプラスチックフィルムを形成し、これを用いて３層ポリエチレン袋を作製した。この３層ポリエチレン袋の厚みは９９μｍであった。
【００４５】
（実施例４）
厚み３３μｍのＨＤＰＥ層２の両側に厚み３３μｍのＬ−ＬＤＰＥ層１を積層して圧着させることによって、図２に示すような３層構造のプラスチックフィルムを形成し、これを用いて３層ポリエチレン袋を作製した。この３層ポリエチレン袋の厚みは９９μｍであった。
【００４６】
（比較例１）
厚み１００μｍのＨＤＰＥ層のみによって、１層構造のプラスチックフィルムを形成し、これを用いて１層ポリエチレン袋を作製した。この１層ポリエチレン袋の厚みは１００μｍであった。
【００４７】
（比較例２）
厚み５０μｍのＨ−ＬＤＰＥ層と厚み５０μｍのＬ−ＬＤＰＥ層とをそれぞれ１層ずつ積層して圧着させることによって、２層構造のプラスチックフィルムを形成し、これを用いて２層ポリエチレン袋を作製した。この２層ポリエチレン袋の厚みは１００μｍであった。
【００４８】
（封止材料の製法）
上記のようにして得たポリエチレン袋に入れるための封止材料を製造するにあたって、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、離型剤、シランカップリング剤、難燃剤、着色剤を用いた。これらの成分の具体的な内容は以下の通りである。
【００４９】
エポキシ樹脂として、Ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である住友化学工業（株）製「ＥＳＣＮ１９５ＸＬ」（エポキシ当量１９５）、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂である大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ７２００」（エポキシ当量２６１）、ブロム化エポキシ樹脂である住友化学工業（株）製「ＥＳＢ４００Ｔ」（エポキシ当量４００）を用いた。
【００５０】
硬化剤として、フェノールノボラック樹脂である荒川化学（株）製「タマノール７５２」（水酸基当量１０４）を用いた。
【００５１】
硬化促進剤として、和光純薬工業（株）製の１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）を用いた。
【００５２】
無機充填材として、結晶シリカ（平均粒径２５μｍ）を用いた。
【００５３】
離型剤として、カルナバワックスを用いた。
【００５４】
シランカップリング剤として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランである信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」を用いた。
【００５５】
難燃剤として、三酸化アンチモンを用いた。
【００５６】
着色剤として、カーボンブラックを用いた。
【００５７】
そして、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、離型剤、シランカップリング剤、難燃剤、着色剤を配合し、これをミキサーやブレンダー等で均一に混合した後に、さらにニーダーやロールで加熱、混練した。次に、混練物を冷却固化し、これを粉砕することによって粉粒状の封止材料を得た。その後、この粉粒状の封止材料を打錠することによって、直径１３ｍｍφの円柱型タブレット（５．５ｇ）を製造した。なお、上記各成分の配合量は表１に示す通りである。
【００５８】
【表１】

【００５９】
（封止材料の包装）
実施例１〜４及び比較例１、２の各ポリエチレン袋にタブレット状にした封止材料を１５ｋｇ入れ、ポリエチレン袋内に空気が入らないように、ポリエチレン袋の口をねじり、粘着テープで封をすることによって、封止材料を包装した。
【００６０】
（評価項目）
上記のように封止材料を包装したポリエチレン袋を、温度２５℃、湿度６０％の条件下において２４時間保管した。その後、以下のような測定をした。
【００６１】
▲１▼封止材料の吸水量（加熱減量）
まずアルミカップに封止材料を１０ｇ計り取り、これを温度１７５℃で１時間加熱処理した。次に処理後の封止材料をデシケーター中で冷却した後に、重量を計った。そして、処理前の重量（１０ｇ）から処理後の重量を差し引き、処理前の重量に対する割合（百分率）を求めた。
【００６２】
▲２▼ショアＤ硬度
保管後の封止材料を用いて６０ＱＦＰの半導体パッケージを成形した。そして成形直後の半導体パッケージについて、半導体素子と封止材料との接着面の剪断強度をショアＤ測定器を用いて測定した。なお、上記半導体パッケージの成形条件は以下の通りである。
【００６３】
金型温度：１７５℃
注入圧力：６．８６ＭＰａ（７０ｋｇｆ／ｃｍ^２）
成形時間：５０秒
ショット数：１ショット
▲３▼ＱＦＰ表面状態
上記の６０ＱＦＰの半導体パッケージの表面の状態を観察した。そして、表面にクラック等による欠けが全くみられないものを「○」、表面にクラック等による欠けがみられるものを「欠け」として判定した。
【００６４】
以上の評価項目の結果を表２に示す。
【００６５】
【表２】

【００６６】
表２にみられるように、実施例１〜４と比較例１、２とを比較すると、実施例１〜４の方が封止材料の加熱減量が小さいことから、実施例１〜４の各ポリエチレン袋の方が透湿性が抑制されていることが確認される。このように、実施例１〜４の各ポリエチレン袋の方が透湿性が低いので、これらのポリエチレン袋によって包装されていた封止材料を用いた方が、ショアＤ硬度が高く、かつ表面状態が良好な半導体装置を得ることができることも実証された。
【００６７】
また、実施例１と実施例２との比較及び実施例３と実施例４との比較により、Ｈ−ＬＤＰＥよりもＬ−ＬＤＰＥを用いた方が、上記の効果をより高く得ることができることが確認される。
【００６８】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る半導体封止材料包装用プラスチックフィルムは、半導体封止材料を包装するためのプラスチックフィルムであって、密度が０．９１０〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３の低密度ポリエチレンからなる層と、密度が０．９４０〜０．９６５ｇ／ｃｍ^３の高密度ポリエチレンからなる層とをそれぞれ少なくとも１層ずつ積層するので、密度が大きく異なる上記低密度ポリエチレンからなる層と上記高密度ポリエチレンからなる層との組み合わせによって、透湿性を抑えることができ、半導体封止材料を包装する際に減圧の必要性がなく、半導体封止材料の吸湿を防止することができるものである。
【００６９】
また請求項２の発明は、高密度ポリエチレンからなる層の両側に低密度ポリエチレンからなる層を積層するので、密度が大きく異なる低密度ポリエチレンからなる層と高密度ポリエチレンからなる層とが隣接する箇所が多くなることによって、透湿性をさらに抑えることができるものであり、また各層の厚みが５０μｍ以下であるので、半導体封止材料包装用プラスチックフィルムが硬くならず、このプラスチックフィルムによる包装の作業性を損なうことがなくなるものである。
【００７０】
また請求項３の発明は、低密度ポリエチレンが、中低圧法により重合して得られる密度が０．９１８〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３の中低圧法低密度ポリエチレンであるので、低密度ポリエチレンからなる層を薄く形成することができ、半導体封止材料包装用プラスチックフィルムが硬くなるのを防止することができるものであり、また、このように低密度ポリエチレンからなる層を薄く形成したとしても、透湿性の増加を抑えることができると共に、引っ張り強度を高く得ることができるものである。
【００７１】
また請求項４に係る半導体装置は、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体封止材料包装用プラスチックフィルムにより包装していた半導体封止材料を用いて半導体素子を封止するので、半導体封止材料の吸湿が十分に抑制されていることによって、半田付けの際に半導体装置にクラックが生じなくなるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の他例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ＬＤＰＥ層
２ＨＤＰＥ層[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a plastic film for packaging a semiconductor sealing material and a semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
Ceramics and thermosetting resins are generally used as sealing materials (semiconductor sealing materials) for electronic components such as semiconductor elements. Above all, a method using an epoxy resin as a sealing material is more widely used than ever because it is preferable in terms of balance between economy and performance.
[0003]
The resin sealing of the semiconductor element is performed, for example, by mounting the semiconductor element on a metal lead frame, electrically connecting the semiconductor element to the lead frame using a bonding wire or the like, and then using a mold to mold the semiconductor. This is performed by sealing and molding the entire element and a part of the lead frame with resin.
[0004]
The semiconductor package (semiconductor device) obtained by resin sealing is post-cured to complete the curing reaction of the resin, and then mounted on a substrate by dip soldering or reflow soldering. It is done.
[0005]
However, at the time of soldering, cracks may occur in the semiconductor package due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the semiconductor element and the sealing material, or due to the steam explosion caused by the vaporization of a small amount of moisture contained in the sealing material. there were. Therefore, the sealing material is reduced in thermal expansion coefficient to reduce the difference in thermal expansion coefficient from the semiconductor element, or the amount of moisture absorbed by the sealing material is suppressed, and various efforts are made to the sealing material. I have.
[0006]
In particular, during the process of manufacturing the sealing material, various measures have been taken in order to prevent moisture absorption of the sealing material, but after the manufacturing of the sealing material, until it is delivered to the molding site. However, no effective measures have been taken to prevent moisture absorption of the sealing material. That is, the sealing material obtained by manufacturing is wrapped in a packaging film, and after packing this in an outer case and before delivering this case to the molding site, the moisture contained in the outside air contains the outer case and There is a problem that the moisture penetrates the packaging film and this moisture is absorbed by the sealing material.
[0007]
Therefore, for example, when the density is 0.910 to 0.939 g / cm ³ The encapsulating material is packaged with a plastic film for packaging formed only of a layer made of high-pressure low-density polyethylene (H-LDPE). However, in such a method, a recent encapsulating material is used. Cannot meet the strict requirements for the moisture absorption rate.
[0008]
In addition, a sealing material is wrapped with a multilayer film in addition to a single-layer film (for example, see Patent Document 1). By reducing the pressure in the bag of the filled film, only a side effect can be expected.
[0009]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-236049 (Claims, paragraph numbers [0006], [0007])
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above points, and does not require decompression when packaging a semiconductor encapsulating material, and can prevent moisture absorption of the semiconductor encapsulating material. Another object of the present invention is to provide a film, a plastic film for packaging a semiconductor sealing material, and a semiconductor device which do not impair workability when packaging the semiconductor sealing material, in addition to the above effects.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The plastic film for packaging a semiconductor sealing material according to claim 1 of the present invention is a plastic film for packaging a semiconductor sealing material, and has a density of 0.910 to 0.939 g / cm. ³ And a layer having a density of 0.940 to 0.965 g / cm. ³ And at least one layer of high-density polyethylene.
[0012]
The invention of claim 2 is characterized in that, in claim 1, layers of low-density polyethylene are laminated on both sides of the layer of high-density polyethylene, and the thickness of each layer is 50 μm or less.
[0013]
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the low-density polyethylene has a density of 0.918 to 0.939 g / cm obtained by polymerization by a medium-low pressure method. ³ Characterized by a medium-to-low pressure method low density polyethylene.
[0014]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which a semiconductor element is sealed using a semiconductor sealing material packaged with the plastic film for packaging a semiconductor sealing material according to any one of the first to third aspects. It is characterized by the following.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
[0016]
The plastic film for packaging a semiconductor sealing material according to the present invention is a plastic film for packaging a semiconductor sealing material. This plastic film has a density of 0.910 to 0.939 g / cm ³ Made of low density polyethylene (abbreviated as LDPE), and a density of 0.940 to 0.965 g / cm. ³ And a layer made of high-density polyethylene (abbreviated as HDPE) is laminated at least one by one, and the adjacent layers are press-bonded to each other. As is generally known, LDPE is used for solution polymerization (autoclave type), gas phase polymerization (fluidized bed type, stirred bed type), slurry polymerization (loop type, autoclave type), bulk polymerization (autoclave type, tubular type). HDPE can be obtained by solution polymerization (autoclave type), gas phase polymerization (fluidized bed type, stirred bed type), or slurry polymerization (loop type, autoclave type).
[0017]
The density is 0.910 g / cm ³ Less than polyethylene or density of 0.965g / cm ³ Is difficult to polymerize substantially, so in the present invention, the lower limit of the density of LDPE is 0.910 g / cm. ³ And the upper limit of the density of HDPE is 0.965 g / cm. ³ And Further, the difference between the upper limit of the density of LDPE and the lower limit of the density of HDPE is at least 0.001 g / cm. ³ Otherwise, the effect of suppressing moisture permeability as described below cannot be obtained.
[0018]
FIG. 1 shows an example of an embodiment of the present invention, and has a two-layer structure obtained by laminating a layer made of LDPE (LDPE layer 1) and a layer made of HDPE (HDPE layer 2) one by one. Is a specific example of the simplest plastic film. As described above, by combining the LDPE layer 1 and the HDPE layer 2 having greatly different densities, a plastic film with reduced moisture permeability can be formed. Therefore, by encapsulating the semiconductor encapsulating material in the bag formed of the plastic film, it is possible to suppress moisture in the outside air from entering the bag, and to prevent moisture absorption of the semiconductor encapsulating material. Things. When the semiconductor encapsulating material is sealed in the bag, the inside of the bag may be reduced in pressure. However, even if the pressure is not reduced, the combination of the LDPE layer 1 and the HDPE layer 2, which have greatly different densities, may cause moisture in the outside air to be reduced. Can sufficiently be prevented from penetrating into the bag.
[0019]
When the bag is formed of a plastic film having a two-layer structure as shown in FIG. 1, any of the LDPE layer 1 and the HDPE layer 2 may be inside or outside. That is, any of the above-mentioned layers may be in contact with the semiconductor encapsulating material as the content.
[0020]
Each of the LDPE layer 1 and the HDPE layer 2 preferably has a thickness of 10 to 50 μm. When the thickness is less than 10 μm, the moisture permeability of the plastic film may be increased. On the contrary, when the thickness exceeds 50 μm, the plastic film may be hardened. Workability may deteriorate. However, the thickness of the entire plastic film obtained by laminating at least one layer of each of the LDPE layer 1 and the HDPE layer 2 is preferably 50 μm or more and less than 100 μm. If the thickness of the entire plastic film is less than 50 μm, the moisture permeability of the plastic film may increase. Conversely, if the thickness of the entire plastic film is 100 μm or more, the bag formed of the plastic film becomes hard, There is a possibility that the workability at the time of closing the opening and sealing with an adhesive tape may be deteriorated.
[0021]
Incidentally, conventionally, when packaging a semiconductor sealing material, the density is 0.910 to 0.939 g / cm. ³ Plastic film for packaging formed only by a layer made of high-pressure low-density polyethylene (H-LDPE). At that time, if the thickness of the plastic film for packaging is set to 100 μm or more in order to suppress moisture permeability, the bag formed of the plastic film for packaging becomes hard, and the workability at the time of sealing deteriorates. When the thickness of the plastic film for packaging is set to less than 100 μm in order to ensure workability, the moisture permeability of the plastic film for packaging increases, and it is not possible to sufficiently meet recent severe demands on the moisture absorption rate of the sealing material. Things.
[0022]
In the present invention, a plastic film having a structure of three or more layers can be formed by combining the LDPE layer 1 and the HDPE layer 2, but as described above, the lower limit of the thickness of each layer and the thickness of the entire plastic film are determined. In consideration of the upper limit, the upper limit of the number of layers is 10 layers. In a plastic film having a multilayer structure of three or more layers, a plurality of LDPE layers 1 or a plurality of HDPE layers 2 may be adjacent to each other, but the LDPE layers 1 and the HDPE layers 2 are alternately laminated. Is preferred. Thus, by laminating the LDPE layer 1 and the HDPE layer 2 having different densities adjacent to each other, an effect of suppressing moisture permeability can be obtained. This is because that the plurality of HDPE layers 2 are adjacent to each other can be regarded as simply increasing the thickness of the LDPE layer 1 or the HDPE layer 2.
[0023]
FIG. 2 shows another example of the embodiment of the present invention, and is a specific example of a plastic film having a three-layer structure obtained by laminating an LDPE layer 1 on both sides of an HDPE layer 2. The plastic film thus obtained has a lower moisture permeability than the plastic film shown in FIG. Therefore, by encapsulating the semiconductor encapsulating material in the bag formed of the plastic film having the three-layer structure, it is possible to further suppress the infiltration of moisture in the outside air into the bag, and to reduce the moisture absorption of the semiconductor encapsulating material. It can be sufficiently prevented. Such an effect is obtained because the LDPE layer 1 and the HDPE layer 2 having greatly different densities are adjacent to each other in the two-layered plastic film shown in FIG. This is because there are two places in the plastic film having the three-layer structure shown, and the latter is more common. It should be noted that a plastic film having a three-layer structure can be obtained by laminating the HDPE layer 2 on both sides of the LDPE layer 1. However, the strength of the plastic film is increased by the two HDPE layers 2 and the plastic film is hardened. A plastic film having a three-layer structure obtained by laminating the LDPE layer 1 on both sides of the layer 2 is more preferable.
[0024]
In the plastic film having a three-layer structure shown in FIG. 2, the thickness of each of the HDPE layer 2 and the LDPE layer 1 is 10 to 50 μm. When the thickness of each layer is less than 10 μm, the moisture permeability of the plastic film may increase even in a three-layer structure. Conversely, when the thickness of each layer exceeds 50 μm, the entire plastic film may become thick and hard. In some cases, even if a bag is formed from this plastic film, the workability during sealing may be deteriorated. The thickness of the entire plastic film is preferably 50 μm or more and less than 100 μm. If the thickness of the entire plastic film is less than 50 μm, the moisture permeability of the plastic film may increase. Conversely, if the thickness of the entire plastic film is 100 μm or more, the bag formed of the plastic film becomes hard, There is a possibility that the workability at the time of closing the opening and sealing with an adhesive tape may be deteriorated.
[0025]
Here, the above-mentioned LDPE can be roughly classified into a high-pressure LDPE (abbreviated as H-LDPE) and a medium-low pressure LDPE (abbreviated as L-LDPE) depending on the level of pressure during polymerization. H-LDPE is obtained by performing polymerization by a high-pressure method with a polymerization pressure of 152 to 304 MPa (1500 to 3000 atm), and L-LDPE is obtained by performing a polymerization at a pressure of 51 MPa (500 atm) to 152 MPa (1500 atm). ) Is obtained by polymerization by a medium-low pressure method. In forming a plastic film in the present invention, it is preferable to use L-LDPE rather than H-LDPE as the LDPE, and the density of the L-LDPE is from 0.918 to 0.939 g / cm. ³ It is more preferable to use the following. Comparing H-LDPE and L-LDPE, the molecular structure of H-LDPE has many long-chain branches, whereas the molecular structure of L-LDPE has few long-chain branches and many short-chain branches. L-LDPE has lower moisture permeability and higher tensile strength than H-LDPE. Therefore, if L-LDPE is used as LDPE, the LDPE layer 1 can be formed thin, and the plastic film can be prevented from becoming hard. Even if it is formed thin, it is possible to suppress an increase in moisture permeability and to form a plastic film having excellent tensile strength. In addition, the lower limit of the density of L-LDPE is set to 0.910 g / cm. ³ To 0.918 g / cm ³ The above effect can be further enhanced by raising the value to.
[0026]
The semiconductor encapsulating material can be packaged using a plastic film having a multilayer structure of two or more layers obtained as described above. Specifically, for example, a bag having a multilayer structure using the plastic film ( Multi-layer polyethylene bag), and after the semiconductor encapsulating material is put in the bag, the opening of the bag is twisted and sealed with an adhesive tape so that air does not enter into the bag, thereby sealing the semiconductor encapsulating material. Can be packaged. The semiconductor encapsulating material is sealed in the above-mentioned bag immediately after production, and this bag is preferably not opened until immediately before molding. This makes it possible to prevent moisture absorption from immediately after the production of the semiconductor encapsulating material to immediately before the molding. Further, it is desirable that silica gel (for example, a small bag containing silica gel) be enclosed in the bag as a moisture absorbent. Thus, moisture in the air present in the bag can be captured by the moisture absorbent, and moisture absorption of the semiconductor sealing material can be most effectively prevented. The form of the semiconductor encapsulating material is not particularly limited, and may be any of powder, powder, and tablet.
[0027]
The semiconductor encapsulating material packaged by the plastic film in the present invention is not particularly limited, for example, an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, a release agent, a silane coupling agent, Examples thereof include those obtained by blending a flame retardant, a coloring agent, a silicone flexible agent and the like. Hereinafter, the specific contents of these components will be described.
[0028]
As the epoxy resin, an O-cresol novolak type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a bisphenol type epoxy resin, a bromo-containing epoxy resin, or the like can be used. The compounding amount of the epoxy resin can be set in the range of 7 to 35% by weight based on the total amount of the semiconductor sealing material.
[0029]
As the curing agent, various polyhydric phenol compounds such as a phenol novolak resin, a cresol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a naphthol aralkyl resin, and a naphthol compound can be used.
[0030]
Here, the equivalent ratio of the epoxy resin to the curing agent is preferably 0.5 to 1.5, and more preferably 0.8 to 1.2.
[0031]
Examples of the curing accelerator include imidazoles such as 2-methylimidazole and 2-phenylimidazole, organic phosphines such as triphenylphosphine, tributylphosphine and trimethylphosphine, and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene. Tertiary amines such as -7 (DBU), triethanolamine and benzyldimethylamine, and trimellitic anhydride can be used in combination.
[0032]
As the inorganic filler, alumina, silicon nitride, or the like can be used in addition to crystalline and fused silica. The compounding amount of the inorganic filler can be set in the range of 60 to 93% by weight based on the total amount of the semiconductor sealing material.
[0033]
As the release agent, natural carnauba (carnauba wax), fatty acid amide, stearic acid, montanic acid amide, fatty acid ester, carboxyl group-containing polyolefin and the like can be used.
[0034]
As the silane coupling agent, besides mercaptosilanes such as γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, glycidoxysilanes such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, aminosilanes and the like can be used in combination.
[0035]
Antimony trioxide can be added as a flame retardant, and carbon black can be added as a coloring agent.
[0036]
Then, a semiconductor device can be manufactured by encapsulating and molding a semiconductor element using the semiconductor encapsulating material packaged with the plastic film described above. For example, a semiconductor device in which a semiconductor element is sealed with a semiconductor sealing material can be manufactured by setting a lead frame on which a semiconductor element such as an IC is mounted in a transfer molding die and performing transfer molding. is there. Here, the semiconductor encapsulating material is sealed in the above-described bag immediately after production, and if this bag is opened just before molding, the semiconductor element is sealed in the semiconductor device obtained as described above. Since the moisture absorption of the semiconductor encapsulating material is sufficiently suppressed, cracks do not occur in the semiconductor device when the semiconductor device is mounted on a substrate by a dip soldering method, a reflow soldering method, or the like.
[0037]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples.
[0038]
(H-LDPE)
High-pressure low-density polyethylene (H-LDPE) was obtained by radical polymerization of ethylene at a pressure of 152 to 304 MPa (1500 to 3000 atm). The density of the H-LDPE thus obtained is 0.925 g / cm ³ Met.
[0039]
(L-LDPE)
Medium-low pressure low density polyethylene (L-LDPE) was obtained by subjecting ethylene to an ion reaction by solution polymerization or gas phase polymerization (fluidized bed type) at a pressure of 152 MPa (1500 atm) or less. The density of the H-LDPE thus obtained is 0.920 g / cm ³ Met.
[0040]
(HDPE)
High-density polyethylene (HDPE) was obtained by subjecting ethylene to an ion reaction by gas phase polymerization (fluidized bed type) at a pressure of 10 MPa (100 atm) or less. The density of HDPE thus obtained is 0.950 g / cm ³ Met.
[0041]
Using the H-LDPE, L-LDPE, and HDPE obtained as described above, the following polyethylene bags were produced.
[0042]
(Example 1)
An H-LDPE layer 1 having a thickness of 50 μm and an HDPE layer 2 having a thickness of 50 μm are each laminated one by one and pressed to form a two-layer plastic film as shown in FIG. A layered polyethylene bag was made. The thickness of this two-layer polyethylene bag was 100 μm.
[0043]
(Example 2)
An L-LDPE layer 1 having a thickness of 50 μm and an HDPE layer 2 having a thickness of 50 μm are laminated one by one and pressed to form a two-layer plastic film as shown in FIG. A layered polyethylene bag was made. The thickness of this two-layer polyethylene bag was 100 μm.
[0044]
(Example 3)
By laminating a 33 μm-thick H-LDPE layer 1 on both sides of a 33 μm-thick HDPE layer 2 and pressing the same, a three-layered plastic film as shown in FIG. Was prepared. The thickness of the three-layer polyethylene bag was 99 μm.
[0045]
(Example 4)
A 33 μm thick L-LDPE layer 1 is laminated on both sides of a 33 μm thick HDPE layer 2 and pressed to form a three-layer plastic film as shown in FIG. Was prepared. The thickness of the three-layer polyethylene bag was 99 μm.
[0046]
(Comparative Example 1)
A single-layer plastic film was formed using only the 100 μm-thick HDPE layer, and a single-layer polyethylene bag was prepared using the plastic film. The thickness of this one-layer polyethylene bag was 100 μm.
[0047]
(Comparative Example 2)
A 50 μm-thick H-LDPE layer and a 50 μm-thick L-LDPE layer were each laminated one by one and pressed to form a two-layer plastic film, which was used to produce a two-layer polyethylene bag. . The thickness of this two-layer polyethylene bag was 100 μm.
[0048]
(Production method of sealing material)
In producing the sealing material for putting in the polyethylene bag obtained as described above, an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, a release agent, a silane coupling agent, a flame retardant, and a colorant are used. Using. The specific contents of these components are as follows.
[0049]
As the epoxy resin, "ESCN195XL" (epoxy equivalent: 195) manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. which is an O-cresol novolac type epoxy resin, and "HP7200" manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. which is a dicyclopentadiene type epoxy resin. Epoxy equivalent 261) and a brominated epoxy resin "ESB400T" (epoxy equivalent 400) manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. were used.
[0050]
A phenol novolak resin “Tamanol 752” (hydroxyl equivalent: 104), which is a phenol novolak resin, was used as a curing agent.
[0051]
As a curing accelerator, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 (DBU) manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was used.
[0052]
Crystalline silica (average particle size: 25 μm) was used as the inorganic filler.
[0053]
Carnauba wax was used as a release agent.
[0054]
As a silane coupling agent, “KBM403” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, was used.
[0055]
Antimony trioxide was used as a flame retardant.
[0056]
Carbon black was used as a coloring agent.
[0057]
Then, an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, a release agent, a silane coupling agent, a flame retardant, and a colorant are compounded, and after uniformly mixing the mixture with a mixer or a blender, a kneader or the like is further added. The mixture was heated and kneaded with a roll. Next, the kneaded material was cooled and solidified, and this was pulverized to obtain a granular sealing material. Thereafter, the powdery and granular sealing material was tableted to produce a columnar tablet (5.5 g) having a diameter of 13 mmφ. The amounts of the components are as shown in Table 1.
[0058]
[Table 1]

[0059]
(Packaging of sealing material)
15 kg of the tablet-like sealing material was put into each of the polyethylene bags of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2, and the mouth of the polyethylene bag was twisted so that air did not enter the polyethylene bag, and the polyethylene bag was sealed with an adhesive tape. By doing so, the sealing material was packaged.
[0060]
(Evaluation item)
The polyethylene bag in which the sealing material was packaged as described above was stored for 24 hours under conditions of a temperature of 25 ° C. and a humidity of 60%. Thereafter, the following measurement was performed.
[0061]
(1) Water absorption of sealing material (heat loss)
First, 10 g of a sealing material was weighed out in an aluminum cup, and this was heated at a temperature of 175 ° C. for 1 hour. Next, the treated sealing material was cooled in a desiccator and weighed. Then, the weight after the treatment was subtracted from the weight before the treatment (10 g) to obtain a ratio (percentage) to the weight before the treatment.
[0062]
(2) Shore D hardness
A semiconductor package of 60 QFP was molded using the sealing material after storage. Then, for the semiconductor package immediately after molding, the shear strength of the bonding surface between the semiconductor element and the sealing material was measured using a Shore D measuring device. The molding conditions for the semiconductor package are as follows.
[0063]
Mold temperature: 175 ° C
Injection pressure: 6.86 MPa (70 kgf / cm ² )
Molding time: 50 seconds
Number of shots: 1 shot
(3) QFP surface condition
The state of the surface of the 60QFP semiconductor package was observed. Then, those having no chipping due to cracks or the like on the surface were judged as “○”, and those having chipping due to cracks or the like on the surface were judged as “chip”.
[0064]
Table 2 shows the results of the above evaluation items.
[0065]
[Table 2]

[0066]
As can be seen from Table 2, when Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 are compared, Examples 1 to 4 have smaller heating loss of the sealing material, and thus each of Examples 1 to 4 It is confirmed that the polyethylene bag has more suppressed moisture permeability. As described above, since the polyethylene bags of Examples 1 to 4 have lower moisture permeability, using the sealing material packaged by these polyethylene bags has higher Shore D hardness and surface condition. It has also been demonstrated that a good semiconductor device can be obtained.
[0067]
In addition, by comparing Example 1 with Example 2 and comparing Example 3 with Example 4, it is found that the use of L-LDPE rather than H-LDPE can achieve higher effects described above. It is confirmed.
[0068]
【The invention's effect】
As described above, the plastic film for packaging a semiconductor sealing material according to claim 1 of the present invention is a plastic film for packaging a semiconductor sealing material, and has a density of 0.910 to 0.939 g / cm. ³ And a layer having a density of 0.940 to 0.965 g / cm. ³ Since at least one layer each of the high-density polyethylene layer and the high-density polyethylene layer are laminated, moisture permeability can be suppressed by a combination of the low-density polyethylene layer and the high-density polyethylene layer having greatly different densities. There is no need for decompression when packaging the semiconductor encapsulating material, and the semiconductor encapsulating material can be prevented from absorbing moisture.
[0069]
According to the second aspect of the present invention, since a layer made of low-density polyethylene is laminated on both sides of a layer made of high-density polyethylene, a portion where the layer made of low-density polyethylene and the layer made of high-density polyethylene are adjacent to each other has greatly different densities. , The moisture permeability can be further suppressed, and since the thickness of each layer is 50 μm or less, the plastic film for packaging semiconductor encapsulant does not become hard, and the workability of packaging with this plastic film Is not impaired.
[0070]
The invention according to claim 3 is characterized in that the low-density polyethylene has a density of 0.918 to 0.939 g / cm obtained by polymerization by a medium-low pressure method. ³ Since the low-density polyethylene is a medium-low pressure method, a layer made of low-density polyethylene can be formed thinly, and the plastic film for packaging a semiconductor sealing material can be prevented from becoming hard. Even if the layer made of low-density polyethylene is formed thin as described above, it is possible to suppress an increase in moisture permeability and obtain a high tensile strength.
[0071]
According to a fourth aspect of the present invention, a semiconductor device is sealed using a semiconductor sealing material packaged with the plastic film for packaging a semiconductor sealing material according to any one of the first to third aspects. Since the moisture absorption of the sealing material is sufficiently suppressed, cracks do not occur in the semiconductor device during soldering.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view showing another example of the embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 LDPE layer
2 HDPE layer

Claims

半導体封止材料を包装するためのプラスチックフィルムであって、密度が０．９１０〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３の低密度ポリエチレンからなる層と、密度が０．９４０〜０．９６５ｇ／ｃｍ^３の高密度ポリエチレンからなる層とをそれぞれ少なくとも１層ずつ積層して成ることを特徴とする半導体封止材料包装用プラスチックフィルム。A plastic film for packaging semiconductor encapsulating material, and a layer density is low density polyethylene 0.910~0.939g / cm ^3, density of 0.940~0.965g / cm ³ High What is claimed is: 1. A plastic film for packaging a semiconductor encapsulating material, wherein at least one layer made of high density polyethylene is laminated.

高密度ポリエチレンからなる層の両側に低密度ポリエチレンからなる層を積層すると共に、各層の厚みが５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止材料包装用プラスチックフィルム。The plastic film for packaging a semiconductor encapsulating material according to claim 1, wherein a layer made of low-density polyethylene is laminated on both sides of the layer made of high-density polyethylene, and each layer has a thickness of 50 µm or less.

低密度ポリエチレンが、中低圧法により重合して得られる密度が０．９１８〜０．９３９ｇ／ｃｍ^３の中低圧法低密度ポリエチレンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体封止材料包装用プラスチックフィルム。The semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the low-density polyethylene is a medium-low pressure low-density polyethylene having a density obtained by polymerization by a medium-low pressure method of 0.918 to 0.939 g / cm ^3. Plastic film for packaging materials.

請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体封止材料包装用プラスチックフィルムにより包装していた半導体封止材料を用いて半導体素子を封止して成ることを特徴とする半導体装置。A semiconductor device comprising a semiconductor element sealed using the semiconductor sealing material packaged with the plastic film for packaging a semiconductor sealing material according to claim 1.