JP2004199975A - パターン形成装置およびパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】適切な形状のパターンを形成するパターン形成装置を提供する。
【解決手段】パターン形成装置1は、基板9を保持するステージ3、基板9に向けてパターン形成材料を吐出する吐出部42、吐出されたパターン形成材料にイオンを付与するイオナイザ45、および、基板9上のパターン形成材料の帯電量を測定する電荷測定部46を備える。パターンを形成する際には、まず、イオナイザ45の駆動が開始され、イオンが基板9の表面近傍に供給される。続いて、ステージ3の移動に伴って吐出部42から基板9に向けてパターン形成材料が吐出される。パターン形成材料は帯電した状態にて吐出されるが、イオンにより電荷が除去され、静電気によるパターン形成材料の変形や吐出異常等の発生が抑制される。
【選択図】 図2
【解決手段】パターン形成装置1は、基板9を保持するステージ3、基板9に向けてパターン形成材料を吐出する吐出部42、吐出されたパターン形成材料にイオンを付与するイオナイザ45、および、基板9上のパターン形成材料の帯電量を測定する電荷測定部46を備える。パターンを形成する際には、まず、イオナイザ45の駆動が開始され、イオンが基板9の表面近傍に供給される。続いて、ステージ3の移動に伴って吐出部42から基板9に向けてパターン形成材料が吐出される。パターン形成材料は帯電した状態にて吐出されるが、イオンにより電荷が除去され、静電気によるパターン形成材料の変形や吐出異常等の発生が抑制される。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上にパターンを形成する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、プラズマ表示装置や有機EL表示装置等に用いられるパネルに隔壁のパターンを形成する方法として、サンドブラスト法(フォトリソグラフィ法とも呼ばれる。)、スクリーン印刷法、リフトオフ法等が知られている。しかしながら、これらの方法は煩雑であり、生産コストを増加させる要因となっている。そこで、近年、特許文献1に開示されているように微細な吐出口を有するノズルからペースト状のパターン形成材料を吐出して基板上にパターンを形成する手法が提案されている。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−184303号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記手法において、セラミックス等の絶縁体により形成されるノズルから絶縁性のパターン形成材料が吐出される場合には、吐出時におけるノズルとパターン形成材料との間の摩擦により基板上のパターンが帯電する可能性がある。例えば、図1に示すように、一定ピッチにて配列形成された複数の吐出口902を有するノズル901から基板903(平行斜線を付して図示)上にパターン形成材料が吐出された場合に、吐出されたパターン形成材料904の表面が、例えば、プラスに帯電することがある。この場合に、パターン形成材料の材質によっては、端に位置する吐出口902により吐出されたパターン形成材料において(図1中にて符号904aを付すパターン形成材料)、隣接するパターン形成材料904との間に作用する斥力の影響により断面形状が歪んだり、パターン形成材料904自体が倒れたりする恐れがある。
【0005】
また、吐出口902側の部位はパターン形成材料904とは逆の極性に帯電するため、吐出途上のパターン形成材料が吐出口902の近傍に引き寄せられつつ吐出され、基板903上のパターン形成材料904の形状が変形したり、吐出口902の近傍に付着して、以降のパターン形成材料の吐出に支障を来す恐れがある。さらに、パターン形成材料904が不均一に帯電することも考えられる。
【0006】
一方、絶縁体の基板が使用される場合には、基板自体が帯電する(または、帯電している)可能性があり、基板上に形成されるパターン形成材料が静電気により変形する恐れがある。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、適切な形状のパターンを形成することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、基板を保持する保持部と、基板に向けてパターン形成材料を吐出する吐出口が形成された吐出部と、基板の主面に沿う方向に前記吐出部を前記基板に対して相対的に移動する移動機構と、吐出されたパターン形成材料から静電気を除去する手段とを備える。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のパターン形成装置であって、前記除去する手段が、吐出されたパターン形成材料にイオン化されたガスを付与するイオナイザである。
【0010】
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のパターン形成装置であって、基板上のパターン形成材料の帯電量を測定する電荷測定部と、前記電荷測定部からの出力に基づいて前記イオナイザにより付与されるイオンの量を制御する制御部とをさらに備える。
【0011】
請求項4に記載の発明は、基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、a) 吐出部からパターン形成材料を基板に向けて吐出しつつ前記吐出部を前記基板の主面に沿って相対的に移動する工程と、b) 前記a)工程と並行して吐出されたパターン形成材料にイオン化されたガスを付与する工程とを有する。
【0012】
【発明の実施の形態】
図2は本発明の一の実施の形態に係るパターン形成装置1の概略構成を示す図である。パターン形成装置1は、プラズマ表示装置のガラス基板(以下、「基板」という。)9上に隔壁のパターン(例えば、断面形状の幅が数10μm、高さが数百μmの矩形のパターン)を形成する装置であり、隔壁パターンが形成された基板9は他の工程を介してプラズマ表示装置の組立部品であるパネル(通常、リアパネル)となる。
【0013】
パターン形成装置1は、基台11上にステージ移動機構2が設けられ、ステージ移動機構2により基板9を保持するステージ3が図2中に示すX方向に移動可能とされる。基台11にはステージ3を跨ぐようにしてフレーム12が固定され、フレーム12にはヘッド部4が取り付けられる。
【0014】
ステージ移動機構2は、モータ21にボールねじ22が接続され、さらに、ステージ3に固定されたナット23がボールねじ22に取り付けられた構造となっている。ボールねじ22の上方にはガイドレール24が固定され、モータ21が回転すると、ナット23とともにステージ3がガイドレール24に沿ってX方向に滑らかに移動する。
【0015】
ヘッド部4は、基板9上にペースト状のパターン形成材料を吐出する吐出部42、および、基板9に向けて紫外線を出射する光照射部44を有し、吐出部42および光照射部44はフレーム12に固定されたベース41の下部に取り付けられる。吐出部42はセラミックスにより形成されるノズル43を有し、ノズル43にはY方向に配列された複数の吐出口が形成される。パターン形成材料は、例えば、低軟化点ガラスフリット、紫外線硬化性樹脂、その他、溶剤や添加剤を含んでおり絶縁体であるものが使用される。光照射部44は吐出部42の(−X)側において基板9に向かって光を出射し、各吐出口に対応する光のスポットを基板9上に形成する。なお、ノズル43は必ずしもセラミックスにより形成される必要はない。
【0016】
吐出部42には逆止弁421を有する供給管422が取り付けられ、供給管422は分岐しており、一方がポンプ423に接続され、他方が制御弁424を介してパターン形成材料を貯留するタンク425に接続される。光照射部44は光ファイバ441を介して紫外線を発生する光源ユニット442に接続される。
【0017】
光照射部44の(−X)側にはイオナイザ45がベース41に取り付けられる。イオナイザ45は内部に電極および送風機構を有し(送風口がヘッド部4に設けられ、電極や送風機構はヘッド部4外に設けられてもよい。)、電極によりその近傍の空気を構成する分子(酸素、窒素、水蒸気等)がプラスイオンとマイナスイオン(以下、「イオン」と総称する。)に電離され、送風機構により基板9上に供給される。また、光照射部44と吐出部42との間には、吐出部42から吐出されるパターン形成材料の帯電量を測定する電荷測定部46が設けられる。電荷測定部46はセンサである下端がパターン形成材料に近接した状態とされる。
【0018】
ステージ移動機構2のモータ21、ポンプ423、制御弁424、光源ユニット442、イオナイザ45および電荷測定部46は制御部5に接続され、これらの構成が制御部5により制御されることにより、パターン形成装置1による基板9上への隔壁パターンの形成が行われる。
【0019】
図3はヘッド部4を拡大して示す図である。図3に示すように、ノズル43の先端には吐出口431が形成されており、吐出口431は基板9に向かう方向よりも(−X)側(後述するパターン形成時における進行方向の後側)に傾いた方向を向いている。さらに、ノズル43の先端には基板9の主面に平行な面432が形成され、面432と基板9の主面とが近接した状態とされる。これにより、吐出口431が基板9の主面に近接した状態でパターン形成材料が吐出される。また、イオナイザ45には、ノズル43の先端に向かって開口する送風口451が設けられる。
【0020】
図4はノズル43の下部を(−X)側から(+X)方向を向いて見た様子を示す図である。図4に示すように、複数の吐出口431はY方向に一定のピッチにて配列形成されており、吐出口431の形状は基板9の法線方向(すなわち、Z方向)の高さが、Y方向の幅よりも大きい矩形となっている。
【0021】
図5はパターン形成装置1が隔壁パターンを形成する動作の流れを示す図である。以下、図2ないし図4を参照しながら、図5に沿ってパターン形成動作について説明を行う。
【0022】
まず、基板9がステージ3上に載置され、制御部5の制御によりイオナイザ45の駆動が開始される(ステップS11)。具体的には、イオナイザ45によりイオンが順次生成されつつ、送風口451から送風される空気とともにイオンが放出される。放出されたイオンの大部分は再結合するまでに少なくとも数秒を要するため、イオナイザ45とノズル43との間の基板9の表面近傍にはイオンが浮遊する状態とされる。
【0023】
続いて、光源ユニット442およびステージ移動機構2が制御され、紫外線の出射およびステージの移動が開始される(ステップS12)。吐出部42(正確には、吐出口431)が基板9上のパターン形成の始点上に達すると、吐出部42から基板9に向かってパターン形成材料の吐出が開始される(ステップS13)。吐出部42からのパターン形成材料の吐出は、図2に示す逆止弁421、ポンプ423および制御弁424により行われる。まず、制御部5の制御により制御弁424が開放された状態でポンプ423が吸引動作を行う。このとき、逆止弁421によりパターン形成材料の逆流が阻止されるため、タンク425からポンプ423へとパターン形成材料が引き込まれる。次に、制御部5の制御により制御弁424が閉じられ、ポンプ423が押出動作を行う。これにより、ノズル43から連続的にパターン形成材料が吐出される。
【0024】
パターン形成装置1では、パターン形成材料はノズル43(厳密には、吐出口431へと続くノズル43の内壁)との間の摩擦により、例えば、プラスの静電気を帯びた状態で吐出される。このとき、図6に示すように、吐出されたパターン形成材料91の表面の電荷により、近傍に浮遊する反対の極性のマイナスイオンが引き寄せられ、中和される。すなわち、イオンにより吐出直後のパターン形成材料91から静電気が除去される。また、ノズル43の吐出口431近傍は吐出されたパターン形成材料91とは反対の極性の静電気を帯びた状態とされるが、パターン形成材料91と同様に、近傍に浮遊するイオンにより静電気が除去される。
【0025】
吐出部42に隣接する電荷測定部46では、下方に位置するパターン形成材料91の帯電量(例えば、数10本分のパターンに対応する領域における帯電量)が測定され(ステップS14)、制御部5へと測定結果が出力される。例えば、パターン形成材料91の帯電量が比較的大きい場合には、制御部5の制御によりイオナイザ45の風量が高められる(ステップS15)。これにより、吐出口431近傍に存在するイオンの量が実質的に増大され、後続して吐出されるパターン形成材料の帯電量を減少させることができる。なお、電荷測定部46では、予めキャリブレーションが行われることによりパターン形成材料の電位に基づく帯電量の計測が可能とされる。
【0026】
パターン形成装置1では、ステップS14,S15が繰り返し行われ(ステップS16)、吐出されるパターン形成材料に適切な量のイオンが順次付与される。また、イオナイザ45に異常が発生した場合であっても(例えば、イオンを付与する量が急激に減少したり、生成するプラスイオンとマイナスイオンの比率に異常が生じた場合等)、帯電量の測定が繰り返し行われることにより異常が早急に検出され、不良品が多発することを防止することができる。
【0027】
基板9上の静電気が除去されたパターン形成材料91(または、除去途上のパターン形成材料91)には、吐出部42の基板9に対する相対的な進行方向の後方に配置されている光照射部44からの紫外線が順次照射される。前述のように、パターン形成材料は紫外線により硬化(架橋反応)が開始する紫外線硬化性樹脂を含んでおり、光照射部44によりパターン形成材料91は吐出された直後の断面形状を維持しつつ(すなわち、静電気による変形等の悪影響が生じていない状態で)硬化する。
【0028】
基板9上のパターン形成の終点が吐出部42の真下に達すると(ステップS16)、パターン形成材料の吐出が停止される(ステップS17)。終点近傍のパターン形成材料の硬化を行うために基板9はさらに続けて移動し、その後、紫外線の出射およびステージの移動が停止される(ステップS18)。そして、イオナイザが停止され(ステップS19)、パターン形成装置1によるパターン形成が終了する。
【0029】
以上の工程にて形成された隔壁パターンは他の工程において焼成され、パターン形成材料中の樹脂分が除去されるとともに、低軟化点ガラスフリットが融着して隔壁が形成される。
【0030】
以上のように、パターン形成装置1では、ステージ3の移動に伴って吐出口431から基板9に向けてパターン形成材料が吐出され、これに並行して、吐出されたパターン形成材料91にイオナイザ45からイオン化された空気が付与される。これにより、パターン形成材料91から静電気が除去され、パターン形成時におけるパターン形成材料の変形や吐出異常等の発生が抑制される。その結果、パターン形成装置1では、高精度な隔壁パターンを形成することができる。また、パターン形成材料の種類や吐出条件等が変更された場合であっても、電荷測定部46からの出力に基づいてイオナイザ45が制御されるため、吐出されるパターン形成材料に適切な量のイオンを付与することができる。
【0031】
吐出されたパターン形成材料91は、図7に示すように不均一に帯電する場合も考えられるが、このような場合でも、パターン形成材料91近傍に浮遊するプラスイオンおよびマイナスイオンが、それぞれパターン形成材料91の表面上に生じている逆極性の電荷に引き寄せられ、静電気が適切に除去される。
【0032】
また、基板9自体が均一または不均一に帯電している場合も想定されるが、基板9上に生じた静電気もパターン形成材料と同様に除去されるため、基板9上の静電気がパターン形成材料の形状に悪影響を与えることも抑制される。
【0033】
以上、本発明の実施の形態について説明を行ってきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【0034】
パターン形成材料に付与されるイオン化されたガスは、空気以外のガスを電離させたものでもよい。
【0035】
イオナイザ45は必ずしも送風機構を有する必要はなく、吐出されたパターン形成材料に付与されるイオンの量は、イオンの生成量が変更される等により調整されてもよい。また、プラスイオンまたはマイナスイオンの生成量を個別に制御可能なイオナイザが利用される場合は、電荷測定部46の測定結果に基づいて、プラスイオンまたはマイナスイオンの生成量がそれぞれ変更されてもよい。
【0036】
電荷測定部46では、必ずしもパターン形成材料の表面の電位に基づいて帯電量が計測される必要はなく、実質的に帯電量に相当する物理量が計測されるならば、他の手法が用いられてもよい。
【0037】
パターン形成装置1ではイオナイザ45を用いることにより、パターン形成材料に生じた静電気を容易に除去することが実現されているが、静電気を除去するために他の手法が用いられてもよい。
【0038】
例えば、金属等により形成された導電性のノズルを接地して使用することにより、吐出されるパターン形成材料に生じる静電気が抑制されてもよい。また、パターン形成装置が使用される雰囲気を湿度の高い状態(例えば、湿度60〜70%)としてパターン形成材料から静電気を除去する手法が採用されてもよい。さらに、パターン形成材料に炭素粒子を混合する(例えば、5〜10%混合する)ことでも吐出されるパターン形成材料が帯電することが抑制される。パターン形成材料から静電気を除去するこれらの手法とイオナイザを用いる手法とが併用されてもよい。
【0039】
ヘッド部4とステージ3とは基板9の主面に沿う方向に相対的に移動すればよく、例えば、ステージ3が固定され、ヘッド部4に移動機構が設けられてもよい。
【0040】
パターン形成装置は、有機EL表示装置や液晶表示装置等の他の種類の平面表示装置(フラットパネルディスプレイ)における隔壁や蛍光体等のパターンの形成に利用されてもよい。また、基板9もガラス基板には限定されず、樹脂基板、半導体基板等であってもよい。
【0041】
基板9は、必ずしもステージ3上に載置されることにより保持される必要はなく、例えば、基板9の端部をノズル43に干渉しない範囲で把持する部材により保持されてもよい。
【0042】
【発明の効果】
本発明によれば、吐出されたパターン形成材料から静電気を除去することにより適切な形状のパターンを形成することができる。
【0043】
また、請求項2の発明では、容易に静電気を除去することができる。
【0044】
また、請求項3の発明では、吐出されたパターン形成材料に適切な量のイオンを付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】隔壁パターンに静電気が生じる様子を説明するための図である。
【図2】パターン形成装置の概略構成を示す図である。
【図3】ヘッド部を拡大して示す図である。
【図4】ノズルの下部を示す図である。
【図5】パターンを形成する動作の流れを示す図である。
【図6】隔壁パターンから静電気が除去される様子を説明するための図である。
【図7】隔壁パターンから静電気が除去される様子を説明するための図である。
【符号の説明】
1 パターン形成装置
2 ステージ移動機構
3 ステージ
5 制御部
9,903 基板
42 吐出部
45 イオナイザ
46 電荷測定部
91,904,904a パターン形成材料
431,902 吐出口
S11〜S19 ステップ
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上にパターンを形成する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、プラズマ表示装置や有機EL表示装置等に用いられるパネルに隔壁のパターンを形成する方法として、サンドブラスト法(フォトリソグラフィ法とも呼ばれる。)、スクリーン印刷法、リフトオフ法等が知られている。しかしながら、これらの方法は煩雑であり、生産コストを増加させる要因となっている。そこで、近年、特許文献1に開示されているように微細な吐出口を有するノズルからペースト状のパターン形成材料を吐出して基板上にパターンを形成する手法が提案されている。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−184303号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記手法において、セラミックス等の絶縁体により形成されるノズルから絶縁性のパターン形成材料が吐出される場合には、吐出時におけるノズルとパターン形成材料との間の摩擦により基板上のパターンが帯電する可能性がある。例えば、図1に示すように、一定ピッチにて配列形成された複数の吐出口902を有するノズル901から基板903(平行斜線を付して図示)上にパターン形成材料が吐出された場合に、吐出されたパターン形成材料904の表面が、例えば、プラスに帯電することがある。この場合に、パターン形成材料の材質によっては、端に位置する吐出口902により吐出されたパターン形成材料において(図1中にて符号904aを付すパターン形成材料)、隣接するパターン形成材料904との間に作用する斥力の影響により断面形状が歪んだり、パターン形成材料904自体が倒れたりする恐れがある。
【0005】
また、吐出口902側の部位はパターン形成材料904とは逆の極性に帯電するため、吐出途上のパターン形成材料が吐出口902の近傍に引き寄せられつつ吐出され、基板903上のパターン形成材料904の形状が変形したり、吐出口902の近傍に付着して、以降のパターン形成材料の吐出に支障を来す恐れがある。さらに、パターン形成材料904が不均一に帯電することも考えられる。
【0006】
一方、絶縁体の基板が使用される場合には、基板自体が帯電する(または、帯電している)可能性があり、基板上に形成されるパターン形成材料が静電気により変形する恐れがある。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、適切な形状のパターンを形成することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、基板を保持する保持部と、基板に向けてパターン形成材料を吐出する吐出口が形成された吐出部と、基板の主面に沿う方向に前記吐出部を前記基板に対して相対的に移動する移動機構と、吐出されたパターン形成材料から静電気を除去する手段とを備える。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のパターン形成装置であって、前記除去する手段が、吐出されたパターン形成材料にイオン化されたガスを付与するイオナイザである。
【0010】
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のパターン形成装置であって、基板上のパターン形成材料の帯電量を測定する電荷測定部と、前記電荷測定部からの出力に基づいて前記イオナイザにより付与されるイオンの量を制御する制御部とをさらに備える。
【0011】
請求項4に記載の発明は、基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、a) 吐出部からパターン形成材料を基板に向けて吐出しつつ前記吐出部を前記基板の主面に沿って相対的に移動する工程と、b) 前記a)工程と並行して吐出されたパターン形成材料にイオン化されたガスを付与する工程とを有する。
【0012】
【発明の実施の形態】
図2は本発明の一の実施の形態に係るパターン形成装置1の概略構成を示す図である。パターン形成装置1は、プラズマ表示装置のガラス基板(以下、「基板」という。)9上に隔壁のパターン(例えば、断面形状の幅が数10μm、高さが数百μmの矩形のパターン)を形成する装置であり、隔壁パターンが形成された基板9は他の工程を介してプラズマ表示装置の組立部品であるパネル(通常、リアパネル)となる。
【0013】
パターン形成装置1は、基台11上にステージ移動機構2が設けられ、ステージ移動機構2により基板9を保持するステージ3が図2中に示すX方向に移動可能とされる。基台11にはステージ3を跨ぐようにしてフレーム12が固定され、フレーム12にはヘッド部4が取り付けられる。
【0014】
ステージ移動機構2は、モータ21にボールねじ22が接続され、さらに、ステージ3に固定されたナット23がボールねじ22に取り付けられた構造となっている。ボールねじ22の上方にはガイドレール24が固定され、モータ21が回転すると、ナット23とともにステージ3がガイドレール24に沿ってX方向に滑らかに移動する。
【0015】
ヘッド部4は、基板9上にペースト状のパターン形成材料を吐出する吐出部42、および、基板9に向けて紫外線を出射する光照射部44を有し、吐出部42および光照射部44はフレーム12に固定されたベース41の下部に取り付けられる。吐出部42はセラミックスにより形成されるノズル43を有し、ノズル43にはY方向に配列された複数の吐出口が形成される。パターン形成材料は、例えば、低軟化点ガラスフリット、紫外線硬化性樹脂、その他、溶剤や添加剤を含んでおり絶縁体であるものが使用される。光照射部44は吐出部42の(−X)側において基板9に向かって光を出射し、各吐出口に対応する光のスポットを基板9上に形成する。なお、ノズル43は必ずしもセラミックスにより形成される必要はない。
【0016】
吐出部42には逆止弁421を有する供給管422が取り付けられ、供給管422は分岐しており、一方がポンプ423に接続され、他方が制御弁424を介してパターン形成材料を貯留するタンク425に接続される。光照射部44は光ファイバ441を介して紫外線を発生する光源ユニット442に接続される。
【0017】
光照射部44の(−X)側にはイオナイザ45がベース41に取り付けられる。イオナイザ45は内部に電極および送風機構を有し(送風口がヘッド部4に設けられ、電極や送風機構はヘッド部4外に設けられてもよい。)、電極によりその近傍の空気を構成する分子(酸素、窒素、水蒸気等)がプラスイオンとマイナスイオン(以下、「イオン」と総称する。)に電離され、送風機構により基板9上に供給される。また、光照射部44と吐出部42との間には、吐出部42から吐出されるパターン形成材料の帯電量を測定する電荷測定部46が設けられる。電荷測定部46はセンサである下端がパターン形成材料に近接した状態とされる。
【0018】
ステージ移動機構2のモータ21、ポンプ423、制御弁424、光源ユニット442、イオナイザ45および電荷測定部46は制御部5に接続され、これらの構成が制御部5により制御されることにより、パターン形成装置1による基板9上への隔壁パターンの形成が行われる。
【0019】
図3はヘッド部4を拡大して示す図である。図3に示すように、ノズル43の先端には吐出口431が形成されており、吐出口431は基板9に向かう方向よりも(−X)側(後述するパターン形成時における進行方向の後側)に傾いた方向を向いている。さらに、ノズル43の先端には基板9の主面に平行な面432が形成され、面432と基板9の主面とが近接した状態とされる。これにより、吐出口431が基板9の主面に近接した状態でパターン形成材料が吐出される。また、イオナイザ45には、ノズル43の先端に向かって開口する送風口451が設けられる。
【0020】
図4はノズル43の下部を(−X)側から(+X)方向を向いて見た様子を示す図である。図4に示すように、複数の吐出口431はY方向に一定のピッチにて配列形成されており、吐出口431の形状は基板9の法線方向(すなわち、Z方向)の高さが、Y方向の幅よりも大きい矩形となっている。
【0021】
図5はパターン形成装置1が隔壁パターンを形成する動作の流れを示す図である。以下、図2ないし図4を参照しながら、図5に沿ってパターン形成動作について説明を行う。
【0022】
まず、基板9がステージ3上に載置され、制御部5の制御によりイオナイザ45の駆動が開始される(ステップS11)。具体的には、イオナイザ45によりイオンが順次生成されつつ、送風口451から送風される空気とともにイオンが放出される。放出されたイオンの大部分は再結合するまでに少なくとも数秒を要するため、イオナイザ45とノズル43との間の基板9の表面近傍にはイオンが浮遊する状態とされる。
【0023】
続いて、光源ユニット442およびステージ移動機構2が制御され、紫外線の出射およびステージの移動が開始される(ステップS12)。吐出部42(正確には、吐出口431)が基板9上のパターン形成の始点上に達すると、吐出部42から基板9に向かってパターン形成材料の吐出が開始される(ステップS13)。吐出部42からのパターン形成材料の吐出は、図2に示す逆止弁421、ポンプ423および制御弁424により行われる。まず、制御部5の制御により制御弁424が開放された状態でポンプ423が吸引動作を行う。このとき、逆止弁421によりパターン形成材料の逆流が阻止されるため、タンク425からポンプ423へとパターン形成材料が引き込まれる。次に、制御部5の制御により制御弁424が閉じられ、ポンプ423が押出動作を行う。これにより、ノズル43から連続的にパターン形成材料が吐出される。
【0024】
パターン形成装置1では、パターン形成材料はノズル43(厳密には、吐出口431へと続くノズル43の内壁)との間の摩擦により、例えば、プラスの静電気を帯びた状態で吐出される。このとき、図6に示すように、吐出されたパターン形成材料91の表面の電荷により、近傍に浮遊する反対の極性のマイナスイオンが引き寄せられ、中和される。すなわち、イオンにより吐出直後のパターン形成材料91から静電気が除去される。また、ノズル43の吐出口431近傍は吐出されたパターン形成材料91とは反対の極性の静電気を帯びた状態とされるが、パターン形成材料91と同様に、近傍に浮遊するイオンにより静電気が除去される。
【0025】
吐出部42に隣接する電荷測定部46では、下方に位置するパターン形成材料91の帯電量(例えば、数10本分のパターンに対応する領域における帯電量)が測定され(ステップS14)、制御部5へと測定結果が出力される。例えば、パターン形成材料91の帯電量が比較的大きい場合には、制御部5の制御によりイオナイザ45の風量が高められる(ステップS15)。これにより、吐出口431近傍に存在するイオンの量が実質的に増大され、後続して吐出されるパターン形成材料の帯電量を減少させることができる。なお、電荷測定部46では、予めキャリブレーションが行われることによりパターン形成材料の電位に基づく帯電量の計測が可能とされる。
【0026】
パターン形成装置1では、ステップS14,S15が繰り返し行われ(ステップS16)、吐出されるパターン形成材料に適切な量のイオンが順次付与される。また、イオナイザ45に異常が発生した場合であっても(例えば、イオンを付与する量が急激に減少したり、生成するプラスイオンとマイナスイオンの比率に異常が生じた場合等)、帯電量の測定が繰り返し行われることにより異常が早急に検出され、不良品が多発することを防止することができる。
【0027】
基板9上の静電気が除去されたパターン形成材料91(または、除去途上のパターン形成材料91)には、吐出部42の基板9に対する相対的な進行方向の後方に配置されている光照射部44からの紫外線が順次照射される。前述のように、パターン形成材料は紫外線により硬化(架橋反応)が開始する紫外線硬化性樹脂を含んでおり、光照射部44によりパターン形成材料91は吐出された直後の断面形状を維持しつつ(すなわち、静電気による変形等の悪影響が生じていない状態で)硬化する。
【0028】
基板9上のパターン形成の終点が吐出部42の真下に達すると(ステップS16)、パターン形成材料の吐出が停止される(ステップS17)。終点近傍のパターン形成材料の硬化を行うために基板9はさらに続けて移動し、その後、紫外線の出射およびステージの移動が停止される(ステップS18)。そして、イオナイザが停止され(ステップS19)、パターン形成装置1によるパターン形成が終了する。
【0029】
以上の工程にて形成された隔壁パターンは他の工程において焼成され、パターン形成材料中の樹脂分が除去されるとともに、低軟化点ガラスフリットが融着して隔壁が形成される。
【0030】
以上のように、パターン形成装置1では、ステージ3の移動に伴って吐出口431から基板9に向けてパターン形成材料が吐出され、これに並行して、吐出されたパターン形成材料91にイオナイザ45からイオン化された空気が付与される。これにより、パターン形成材料91から静電気が除去され、パターン形成時におけるパターン形成材料の変形や吐出異常等の発生が抑制される。その結果、パターン形成装置1では、高精度な隔壁パターンを形成することができる。また、パターン形成材料の種類や吐出条件等が変更された場合であっても、電荷測定部46からの出力に基づいてイオナイザ45が制御されるため、吐出されるパターン形成材料に適切な量のイオンを付与することができる。
【0031】
吐出されたパターン形成材料91は、図7に示すように不均一に帯電する場合も考えられるが、このような場合でも、パターン形成材料91近傍に浮遊するプラスイオンおよびマイナスイオンが、それぞれパターン形成材料91の表面上に生じている逆極性の電荷に引き寄せられ、静電気が適切に除去される。
【0032】
また、基板9自体が均一または不均一に帯電している場合も想定されるが、基板9上に生じた静電気もパターン形成材料と同様に除去されるため、基板9上の静電気がパターン形成材料の形状に悪影響を与えることも抑制される。
【0033】
以上、本発明の実施の形態について説明を行ってきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【0034】
パターン形成材料に付与されるイオン化されたガスは、空気以外のガスを電離させたものでもよい。
【0035】
イオナイザ45は必ずしも送風機構を有する必要はなく、吐出されたパターン形成材料に付与されるイオンの量は、イオンの生成量が変更される等により調整されてもよい。また、プラスイオンまたはマイナスイオンの生成量を個別に制御可能なイオナイザが利用される場合は、電荷測定部46の測定結果に基づいて、プラスイオンまたはマイナスイオンの生成量がそれぞれ変更されてもよい。
【0036】
電荷測定部46では、必ずしもパターン形成材料の表面の電位に基づいて帯電量が計測される必要はなく、実質的に帯電量に相当する物理量が計測されるならば、他の手法が用いられてもよい。
【0037】
パターン形成装置1ではイオナイザ45を用いることにより、パターン形成材料に生じた静電気を容易に除去することが実現されているが、静電気を除去するために他の手法が用いられてもよい。
【0038】
例えば、金属等により形成された導電性のノズルを接地して使用することにより、吐出されるパターン形成材料に生じる静電気が抑制されてもよい。また、パターン形成装置が使用される雰囲気を湿度の高い状態(例えば、湿度60〜70%)としてパターン形成材料から静電気を除去する手法が採用されてもよい。さらに、パターン形成材料に炭素粒子を混合する(例えば、5〜10%混合する)ことでも吐出されるパターン形成材料が帯電することが抑制される。パターン形成材料から静電気を除去するこれらの手法とイオナイザを用いる手法とが併用されてもよい。
【0039】
ヘッド部4とステージ3とは基板9の主面に沿う方向に相対的に移動すればよく、例えば、ステージ3が固定され、ヘッド部4に移動機構が設けられてもよい。
【0040】
パターン形成装置は、有機EL表示装置や液晶表示装置等の他の種類の平面表示装置(フラットパネルディスプレイ)における隔壁や蛍光体等のパターンの形成に利用されてもよい。また、基板9もガラス基板には限定されず、樹脂基板、半導体基板等であってもよい。
【0041】
基板9は、必ずしもステージ3上に載置されることにより保持される必要はなく、例えば、基板9の端部をノズル43に干渉しない範囲で把持する部材により保持されてもよい。
【0042】
【発明の効果】
本発明によれば、吐出されたパターン形成材料から静電気を除去することにより適切な形状のパターンを形成することができる。
【0043】
また、請求項2の発明では、容易に静電気を除去することができる。
【0044】
また、請求項3の発明では、吐出されたパターン形成材料に適切な量のイオンを付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】隔壁パターンに静電気が生じる様子を説明するための図である。
【図2】パターン形成装置の概略構成を示す図である。
【図3】ヘッド部を拡大して示す図である。
【図4】ノズルの下部を示す図である。
【図5】パターンを形成する動作の流れを示す図である。
【図6】隔壁パターンから静電気が除去される様子を説明するための図である。
【図7】隔壁パターンから静電気が除去される様子を説明するための図である。
【符号の説明】
1 パターン形成装置
2 ステージ移動機構
3 ステージ
5 制御部
9,903 基板
42 吐出部
45 イオナイザ
46 電荷測定部
91,904,904a パターン形成材料
431,902 吐出口
S11〜S19 ステップ
Claims (4)
- 基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
基板を保持する保持部と、
基板に向けてパターン形成材料を吐出する吐出口が形成された吐出部と、
基板の主面に沿う方向に前記吐出部を前記基板に対して相対的に移動する移動機構と、
吐出されたパターン形成材料から静電気を除去する手段と、
を備えることを特徴とするパターン形成装置。 - 請求項1に記載のパターン形成装置であって、
前記除去する手段が、吐出されたパターン形成材料にイオン化されたガスを付与するイオナイザであることを特徴とするパターン形成装置。 - 請求項2に記載のパターン形成装置であって、
基板上のパターン形成材料の帯電量を測定する電荷測定部と、
前記電荷測定部からの出力に基づいて前記イオナイザにより付与されるイオンの量を制御する制御部と、
をさらに備えることを特徴とするパターン形成装置。 - 基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
a) 吐出部からパターン形成材料を基板に向けて吐出しつつ前記吐出部を前記基板の主面に沿って相対的に移動する工程と、
b) 前記a)工程と並行して吐出されたパターン形成材料にイオン化されたガスを付与する工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
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JP2006026591A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法 |
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-
2002
- 2002-12-18 JP JP2002366189A patent/JP2004199975A/ja active Pending
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