JP2004179323A

JP2004179323A - Device and method for treating substrate

Info

Publication number: JP2004179323A
Application number: JP2002342768A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Araki; 浩之荒木
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-11-26
Filing date: 2002-11-26
Publication date: 2004-06-24

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and a method for treating a substrate which keeps temperature or the like of a treatment liquid provided to the substrate at a given level with no increase in an amount of the treatment liquid and reduction of throughput in the treatment. <P>SOLUTION: The device has an arrangement wherein chemicals which have been pumped up from a chemicals tank 23 and of which the temperature has been controlled by a temperature controller 25 are supplied to a treatment liquid supply nozzle 2 through a chemicals supply path 21, a receiving member 3 is disposed for receiving the treatment liquid which is discharged from the nozzle 2, and a chemicals feedback path 33 extending to the chemicals tank 23 is connected to the receiving member 3. Before starting treatment, the chemicals (temperature controlled liquid) are being circulated through a chemicals circulating path consisting of the chemicals tank 23, the chemicals supply path 21, the receiving member 3 and the chemicals feedback path 33. When a wafer W is received by a spin chuck 1, the receiving member 3 is withdrawn to a position for avoiding the treatment liquid to allow the nozzle 2 to supply the temperature controlled liquid to the wafer W. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、基板に対して処理液を用いた表面処理が施される。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置では、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に処理液を供給する処理液供給ノズルとが備えられていて、スピンチャックに保持された基板が水平面内で回転され、その一方で、処理液供給ノズルから基板の表面に処理液が供給されることにより、基板の表面に処理液による処理が施される。
【０００３】
このような枚葉型の基板処理装置の中には、処理に適した一定温度に調節された処理液（温調液）を用いるものがある。基板に対して温調液を用いた表面処理を施すための装置は、たとえば、本願出願人の先願に係る下記特許文献１に開示されている。
下記特許文献１に開示された装置では、図５に示すように、処理に用いられる処理液は、処理液タンク１０１に貯留されており、処理液供給ノズル１０２には、処理液タンク１０１から延びた処理液供給路１０３が接続されている。処理液供給路１０３の途中部には、処理液タンク１０１側から順に、ポンプ１０４、温度調節器１０５、フィルタ１０６および処理液供給バルブ１０７が介装されている。温度調節器１０５は、処理液タンク１０１から処理液供給ノズル１０２に向けて送られる処理液の温度を処理に適した一定温度に調節するためのものであり、フィルタ１０６は、処理液供給ノズル１０２に向けて送られる温調液中の異物を除去するためのものである。また、処理液供給路１０３には、フィルタ１０６と処理液供給バルブ１０７との間の分岐点Ｊにおいて、処理液帰還路１０８が分岐接続されている。処理液帰還路１０８の先端は、処理液タンク１０１に接続されており、処理液帰還路１０８の途中部には、処理液帰還バルブ１０９が介装されている。
【０００４】
装置の運転中は、ポンプ１０４および温度調節器１０５が常に駆動されており、基板の表面に温調液による処理を施すべき時には、処理液帰還バルブ１０９が閉じられ、処理液供給バルブ１０７が開かれて、処理液供給路１０３を流れる温調液が処理液供給ノズル１０２へと供給される。一方、基板の処理を行わない時（基板の表面への温調液の供給を行わない時）には、処理液供給バルブ１０７が閉じられ、処理液帰還バルブ１０９が開かれて、処理液供給路１０３を流れる温調液が分岐点Ｊから処理液帰還路１０８を通して処理液タンク１０１に戻される。これにより、基板の処理を行わない時には、処理液タンク１０１、処理液供給路１０３および処理液帰還路１０８からなる処理液循環路を温調液が循環することになる。こうして温調液を循環させておくことによって、処理液供給バルブ１０７の開成後、速やかに、基板に供給すべき温調液を処理液供給ノズル１０２に供給することができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２０６９５７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、処理液循環路を温調液が循環している間、処理液供給路１０３の分岐点Ｊよりも処理液供給ノズル１０２側には温調液が流入しないから、分岐点Ｊと処理液供給バルブ１０７との間、さらには処理液供給バルブ１０７と処理液供給ノズル１０２の先端との間に溜まった処理液の温度は低下していく。このため、基板の処理を行わない状態が長い時間続いた場合、処理液供給バルブ１０７の開成直後に、分岐点Ｊと処理液供給ノズル１０２の先端との間の低温の処理液（処理に適した温度よりも低い温度の処理液）が基板に供給されてしまい、その基板における処理品質が悪くなるおそれがあった。
【０００７】
また、基板に対して温調液を用いた表面処理を施すための装置に限らず、基板に対して温度調節されていない処理液を用いた表面処理を施す装置であっても、処理液供給路の処理液供給バルブよりも上流側に処理液帰還路を分岐接続した構造を有している場合、処理品質の悪化の問題を生じるおそれがある。たとえば、処理液としてエッチング液などの薬液が用いられている場合には、基板の処理を行わない状態が長い時間続くと、処理液帰還路の分岐点と処理液供給ノズルの先端との間に溜まった処理液中に薬液成分の析出物が発生し、処理液供給バルブの開成直後に、その薬液成分の析出物（パーティクル）を含む処理液が供給されることによって、基板が汚染されるおそれがある。そのうえ、処理液中の薬液成分が析出すると、その処理液の濃度は低下するため、処理液供給バルブの開成直後は、適正な濃度よりも低濃度の処理液が基板に供給されることになり、洗浄不足やエッチング不足などの処理不良を生じるおそれもある。また、処理液として純水が用いられている場合には、基板の処理を行わない状態が長い時間続くと、処理液帰還路の分岐点と処理液供給ノズルの先端との間に溜まった処理液中にバクテリアなどの雑菌が発生し、処理液供給バルブの開成直後に、その雑菌を含む処理液が供給されることによって、基板が汚染されるおそれがある。
【０００８】
このような問題を回避するために、基板の搬入前に、処理液供給バルブを開いて、処理液帰還路の分岐点と処理液供給ノズルの先端との間に溜まった処理液を廃棄する手法（処理液のプリディスペンス）が考えられる。しかしながら、この手法では、処理液の使用量が増加し、また、プリディスペンスを行う時間分だけ、処理のスループットが低下してしまう。
そこで、この発明の目的は、処理液の使用量の増加および処理のスループットの低下を招くことなく、基板に供給される処理液の条件（温度、濃度など）を一定に保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段（１）と、基板の表面に供給すべき処理液を貯留する貯留槽（２３）と、上記基板保持手段に保持された基板の表面に向けて処理液を吐出するノズル（２；４；６；８）と、このノズルと上記貯留槽とを接続しており、上記貯留槽から上記ノズルへ処理液を供給するための供給路（２１）と、上記ノズルから吐出される処理液を、上記基板保持手段に保持された基板の表面に接触する前に受け取るための受け部材（３；５；７；９）と、この受け部材と上記貯留槽とを接続しており、上記受け部材で受け取られた処理液を上記貯留槽へ帰還させるための帰還路（３３）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
上記の構成によれば、ノズルから吐出される処理液を、受け部材で受け取り、この受け部材から帰還路を通して貯留槽に戻すことができる。つまり、貯留槽、供給路、受け部材および帰還路からなる処理液循環路に処理液を循環させることができる。
【００１１】
貯留槽、供給路、受け部材および帰還路からなる処理液循環路には、処理液が滞留する部分は存在しないから、特に、従来のようにノズルの先端付近で処理液が滞留しないから、処理液循環路に処理液を循環させている状態から基板に対して処理液を供給する状態に切り換えても、温度や濃度の異なる処理液、汚染物質（パーティクルや雑菌）を含む処理液などが基板に供給されることがない。したがって、処理の全期間を通じて、基板の表面に供給される処理液の条件を一定に保つことができるから、基板の表面に対して、高品質な処理を安定して行うことができる。そのうえ、基板への処理液の供給開始前に、ノズルから処理液をプリディスペンスさせる必要がないから、処理液の使用量の増加および処理のスループットの低下を招くこともない。
【００１２】
なお、処理液循環路に処理液を循環させている状態と基板に対して処理液を供給する状態との切換えは、請求項２に記載されているように、上記ノズルから吐出される処理液の供給先を基板表面と上記受け部材とに切り換える切換手段（３１）をさらに含むことによって達成することができる。
上記切換手段は、請求項３に記載されているように、上記ノズルと上記受け部材とを相対的に移動させる相対移動手段（３１）を含んでいてもよく、この場合、上記ノズル（２；４）と上記受け部材（３；５）とを相対的に水平移動させることによって、上記ノズルから吐出される処理液の供給先の切換えが達成されてもよいし、上記ノズル（６）と上記受け部材（７）とを相対的に上下動させることによって、上記ノズルから吐出される処理液の供給先の切換えが達成されてもよい。
【００１３】
一方、上記切換手段は、上記ノズル（８）および受け部材（９）は相対的に固定配置されていて、上記ノズルから吐出される処理液の流速を調整することにより、上記ノズルから吐出される処理液の供給先の切換えを達成するものであってもよい。
また、上記基板処理装置は、請求項４に記載のように、上記供給路に介装されて、上記貯留槽から上記ノズルへ供給される処理液の温度を調節する温度調節器（２５）をさらに含み、この温度調節器によって一定温度に調節された処理液を基板の表面処理に用いるものであってもよい。
【００１４】
請求項５記載の発明は、基板（Ｗ）の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理方法であって、貯留槽（２３）に貯留された処理液を汲み出してノズル（２；４；６；８）に送る工程と、上記ノズルから吐出される処理液を基板の表面に供給する処理液供給工程と、この処理液供給工程が行われていないときに、上記ノズルから吐出される処理液を基板の表面に接触する前に受け部材（３；５；７；９）で受け取って上記貯留槽に帰還させる処理液帰還工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００１５】
この方法によれば、請求項１の発明に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置であって、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷに処理液を供給するための処理液供給ノズル２と、処理液供給ノズル２から吐出された処理液を受けるための受け部材３とを備えている。ウエハＷに対する処理は、処理液を用いた処理であれば、たとえば、エッチング液または洗浄液を用いて、ウエハＷの表面からパーティクルや各種金属不純物などの不要物を除去するエッチング（洗浄）処理であってもよいし、オゾン水または過酸化水素水などを含む酸化性液体を用いて、ウエハＷの表面に酸化膜を形成させる酸化処理であってもよい。
【００１７】
スピンチャック１は、たとえば、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸１１と、スピン軸１１の上端に取り付けられたスピンベース１２と、このスピンベース１２の周縁部に配設された複数本のチャックピン１３とを有していて、複数本のチャックピン１３でウエハＷの端面を協働して挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な状態で保持できる構成になっている。また、スピン軸１１には、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構１４が結合されており、チャックピン１３でウエハＷをほぼ水平に保持した状態で、回転駆動機構１４からスピン軸１１に回転力を入力することによって、ウエハＷをほぼ水平な面内で回転させることができるようになっている。
【００１８】
処理液供給ノズル２には、薬液供給路２１を通して薬液が供給され、また、純水供給路２２を通して純水が供給されるようになっている。薬液は、薬液タンク２３に貯留されていて、この薬液タンク２３からポンプ２４によって汲み出され、薬液供給路２１を処理液供給ノズル２に向けて送られる。薬液供給路２１には、ポンプ２４の下流側に、温度調節器２５、フィルタ２６および薬液バルブ２７が介装されている。温度調節器２５は、薬液供給路２１を処理液供給ノズル２に向けて送られる薬液の温度を処理に適した一定温度に調節するためのものであり、フィルタ２６は、その温度調節器２５によって温度調節された薬液（以下「温調液」という。）中の異物を除去するためのものである。一方、純水供給路２２には、図外の純水供給源からの純水を処理液供給ノズル２に供給したり、その供給を停止したりするための純水バルブ２８が介装されている。
【００１９】
また、処理液供給ノズル２には、たとえば、ボールねじおよびモータを含む昇降駆動機構２９が結合されている。この昇降駆動機構２９の働きにより、処理液供給ノズル２は、スピンチャック１の側方に設定された鉛直線に沿って、スピンチャック１の上方に大きく退避した位置とスピンチャック１に保持されたウエハＷに近接した位置との間で昇降されるようになっている。
受け部材３は、処理液供給ノズル２からの処理液を受け取ることができる容器状に形成されており、受け部材移動用モータ３１によってほぼ水平な面内で揺動されるアーム３２の先端に取り付けられている。受け部材移動用モータ３１は、出力軸３１１が鉛直線に沿うように処理液供給ノズル２のノズルヘッド２ｈの側面に取り付けられており、その出力軸３１１がアーム３２の他端（受け部材３が取り付けられている側とは反対側の端部）に接続されている。受け部材移動用モータ３１の出力軸３１１を所定の角度範囲内で往復回転させることにより、アーム３２を揺動させることができ、これに伴って、受け部材３を、処理液供給ノズル２から吐出される処理液の通過線上の位置（処理液捕獲位置）とその通過線上から外れた位置（処理液退避位置）とに移動させることができる。
【００２０】
受け部材３の底部には、薬液帰還路３３の一端が接続されている。薬液帰還路３３は、処理液供給ノズル２の昇降に伴って伸縮するベローズＢ内を挿通されて、その他端が薬液タンク２３に接続されている。また、薬液帰還路３３には、薬液帰還バルブ３４が介装されている。
ウエハＷに対する処理を開始する前には、処理液供給ノズル２は、ウエハＷの搬入を阻害しないように上方に大きく退避している。また、受け部材３が処理液捕獲位置に配置されて、薬液バルブ２７が開成された状態で、ポンプ２４および温度調節器２５が駆動されている。このとき、純水バルブ２８は閉成されている。さらに、薬液帰還バルブ３４が開成されている。これにより、薬液タンク２３から汲み出された薬液が処理に適した一定温度に調節されて温調液となり、この温調液が薬液供給路２１を通して処理液供給ノズル２に供給される。そして、処理液供給ノズル２から吐出された温調液は、受け部材３によって受け取られ、薬液帰還路３３を通して薬液タンク２３に戻される。つまり、ウエハＷに対する処理を開始する前は、薬液タンク２３、薬液供給路２１、受け部材３および薬液帰還路３３からなる薬液循環路を温調液が循環している。
【００２１】
図示しない搬送ロボットによって処理対象のウエハＷが搬入されてきて、そのウエハＷがスピンチャック１に受け渡されると、昇降駆動機構２９が駆動されて、処理液供給ノズル２がウエハＷの上面に近接した位置まで下降される。また、回転駆動機構１４が駆動されて、スピンチャック１（すなわち、ウエハＷ）が予め定める回転速度で回転される。そして、受け部材移動用モータ３１が駆動されて、受け部材３が処理液捕獲位置から処理液退避位置に移動されることにより、処理液供給ノズル２から回転中のウエハＷの上面中央に温調液が供給される。ウエハＷの上面中央に供給された温調液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面中央から周縁に向けて拡がる。これによって、ウエハＷの上面全域に温調液が行き渡り、ウエハＷの上面全域が温調液による薬液処理（たとえば、エッチング液によるエッチング処理）を受ける。
【００２２】
このように、ウエハＷに対する処理を開始する前に、薬液タンク２３、薬液供給路２１、受け部材３および薬液帰還路３３からなる薬液循環路に温調液を循環させておくことによって、ウエハＷがスピンチャック１に受け渡された後、直ちに、そのウエハＷに温度精度の良い温調液を供給することができ、温調液によるウエハＷの表面処理を開始することができる。また、薬液循環中、薬液供給路２１内や処理液供給ノズル２内に薬液が滞留する部分はないから、ウエハＷに対する処理の開始直後に、処理に適した温度よりも低い温度の薬液や汚染物質（パーティクル）を含む薬液、濃度が低下した薬液がウエハＷに供給されることはなく、薬液処理の全期間を通じて、一定の温度条件、濃度条件およびパーティクル条件（清浄度）を満たした薬液をウエハＷに供給することができる。したがって、ウエハＷの表面に対して、高品質な処理を安定して行うことができる。そのうえ、ウエハＷへの温調液の供給開始前に、処理液供給ノズル２から温調液をプリディスペンスさせる必要がないから、薬液の使用量の増加および処理のスループットの低下を招くこともない。
【００２３】
ウエハＷに対する薬液処理が予め定める時間だけ行われると、ポンプ２４および温度調節器２５が停止されて、薬液バルブ２７が閉成されることにより、処理液供給ノズル２からウエハＷへの温調液の供給が停止される。そして、純水バルブ２８が開成されて、処理液供給ノズル２からウエハＷの上面中央に純水が供給される。このとき、スピンチャック１によるウエハＷの回転は続けられており、処理液供給ノズル２からウエハＷの上面中央に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力によって、そのウエハＷの上面中央から周縁に向けて拡がる。これにより、ウエハＷの上面全域に純水が行き渡り、ウエハＷに付着した薬液を洗い流すためのリンス処理が達成される。また、リンス処理の間は、薬液帰還バルブ３４が閉成されて、薬液タンク２３内の薬液を含む雰囲気が薬液帰還路３３を通って処理室（スピンチャック１を収容したチャンバ）内に流入することが防止されている。
【００２４】
リンス処理が予め定める時間だけ続けられると、純水バルブ２８が閉成され、その後は、ウエハＷを予め定める高回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転させて、ウエハＷに付着している純水の液滴を遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライ工程が行われる。その一方で、受け部材移動用モータ３１が駆動されて、受け部材３が処理液退避位置から処理液捕獲位置に移動され、また、昇降駆動機構２９が駆動されて、処理液供給ノズル２がスピンチャック１の上方に大きく退避した位置まで上昇される。そして、次のウエハＷの処理に備えて、薬液バルブ２７および薬液帰還バルブ３４が開成され、ポンプ２４および温度調節器２５が駆動されることにより、薬液タンク２３、薬液供給路２１、受け部材３および薬液帰還路３３からなる薬液循環路を温調液が循環させられる。
【００２５】
スピンドライ工程は、ウエハＷの表面を乾燥させるのに十分な時間続けられる。スピンドライ工程の終了後は、スピンチャック１の回転が止められて、図示しない搬送ロボットによって、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬出されていく。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、受け部材３を移動させることによって、処理液供給ノズル２から吐出される温調液をウエハＷに供給したり、受け部材３で受け取ったりする構成を取り上げたが、温調液の供給先の切換えは、他の構成によっても達成することができる。
【００２６】
たとえば、図２に示すように、処理対象のウエハＷの上方のほぼ水平な面内で揺動可能に設けられたアーム４１の先端に処理液供給ノズル４を取り付け、そのウエハＷの側方に受け部材５を固定配置して、アーム４１を揺動させることにより、処理液供給ノズル４から吐出される温調液をウエハＷに供給したり、受け部材５で受け取って薬液タンクに帰還させたりするようにしてもよい。この場合、温調液の供給先をウエハＷと受け部材５とに即座に切り換えることができるように、受け部材５には、平面視においてウエハＷの上面の中央付近まで延びた樋部５１が形成されていることが好ましい。
【００２７】
また、受け部材または処理液供給ノズルを水平方向に移動させる構成に限らず、図３に示すように、処理対象のウエハＷの側方または上方に受け部材７を固定配置し、その受け部材７の上方で昇降可能に処理液供給ノズル６を設けて、処理液供給ノズル６を上下動させることにより、温調液の供給先をウエハＷと受け部材７とに切り換えるようにしてもよい。
さらには、受け部材および処理液供給ノズルの両方を固定配置した構成によっても、温調液の供給先の切換えを達成することができる。たとえば、図４に示すように、処理対象のウエハＷの斜め上方に処理液供給ノズル８を固定配置するとともに、その処理液供給ノズル８の先端の下方に受け部材９を固定配置して、処理液供給ノズル８から吐出される温調液の流速を調整することにより、温調液の供給先をウエハＷと受け部材９とに切り換えるようにしてもよい。処理液供給ノズル８から吐出される温調液の流速の調整は、たとえば、処理液供給ノズル８に接続された薬液供給路に流量調整弁を介装しておき、この流量調整弁の開度を制御することにより達成されてもよいし、薬液供給路に介装されたポンプ２４の送液能力を制御することにより達成されてもよい。
【００２８】
また、上記の実施形態において、薬液がウエハＷに供給されるときの流量と比較して、薬液が薬液循環路を循環しているときの流量を、薬液を循環できる程度の小さな流量としてもよい。具体的には、薬液循環時に流量調整弁で流量を抑えたり、ポンプ２４の送液能力を抑制するようにすればよい。
さらにまた、上記の実施形態では、処理対象の基板の一例としてウエハＷを取り上げたが、処理対象の基板は、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの他の種類の基板であってもよい。
【００２９】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】処理液供給ノズルを水平移動させることにより、温調液のウエハへの供給と温調液の受け部材による受け取りとを切り換えるようにした構成について説明するための図解図である。
【図３】処理液供給ノズルを上下動させることにより、温調液のウエハへの供給と温調液の受け部材による受け取りとを切り換えるようにした構成について説明するための図解図である。
【図４】受け部材および処理液供給ノズルの両方を固定配置した構成について説明するための図解図である。
【図５】従来の基板処理装置における配管構造を示す図である。
【符号の説明】
１スピンチャック
２処理液供給ノズル
３受け部材
４処理液供給ノズル
５受け部材
６処理液供給ノズル
７受け部材
８処理液供給ノズル
９受け部材
２１薬液供給路
２３薬液タンク
２５温度調節器
３１受け部材移動用モータ
３３薬液帰還路
Ｗウエハ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate. Substrates to be processed include semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, substrates for magneto-optical disks, substrates for photomasks, and the like.
[0002]
[Prior art]
In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate is subjected to a surface treatment using a treatment liquid. For example, in a single-wafer-type substrate processing apparatus that processes substrates one by one, a spin chuck that horizontally holds and rotates the substrate, a processing liquid supply nozzle that supplies a processing liquid to the substrate held by the spin chuck, and The substrate held by the spin chuck is rotated in a horizontal plane, while the processing liquid is supplied from the processing liquid supply nozzle to the surface of the substrate, thereby processing the surface of the substrate with the processing liquid. Is applied.
[0003]
Some of such single-wafer-type substrate processing apparatuses use a processing liquid (temperature-adjusted liquid) adjusted to a constant temperature suitable for processing. An apparatus for subjecting a substrate to a surface treatment using a temperature control liquid is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-157300, which is a prior application of the present applicant.
In the apparatus disclosed in Patent Document 1, as shown in FIG. 5, a processing liquid used for processing is stored in a processing liquid tank 101, and a processing liquid supply nozzle 102 extends from the processing liquid tank 101. The processing liquid supply path 103 is connected. A pump 104, a temperature controller 105, a filter 106, and a processing liquid supply valve 107 are provided in the middle of the processing liquid supply path 103 in this order from the processing liquid tank 101 side. The temperature controller 105 is for adjusting the temperature of the processing liquid sent from the processing liquid tank 101 to the processing liquid supply nozzle 102 to a constant temperature suitable for processing. This is for removing foreign matter in the temperature-adjusted liquid sent toward. A processing liquid return path 108 is branched and connected to the processing liquid supply path 103 at a branch point J between the filter 106 and the processing liquid supply valve 107. The front end of the processing liquid return path 108 is connected to the processing liquid tank 101, and a processing liquid return valve 109 is interposed in the middle of the processing liquid return path 108.
[0004]
During the operation of the apparatus, the pump 104 and the temperature controller 105 are constantly driven. When the surface of the substrate is to be processed by the temperature control liquid, the processing liquid return valve 109 is closed and the processing liquid supply valve 107 is opened. Then, the temperature-adjusted liquid flowing through the processing liquid supply path 103 is supplied to the processing liquid supply nozzle 102. On the other hand, when the processing of the substrate is not performed (when the supply of the temperature control liquid to the surface of the substrate is not performed), the processing liquid supply valve 107 is closed and the processing liquid return valve 109 is opened, and the processing liquid supply valve 109 is opened. The temperature-adjusted liquid flowing through the path 103 is returned from the branch point J to the processing liquid tank 101 through the processing liquid return path 108. Thus, when the processing of the substrate is not performed, the temperature control liquid circulates through the processing liquid circulation path including the processing liquid tank 101, the processing liquid supply path 103, and the processing liquid return path. By circulating the temperature control liquid in this manner, the temperature control liquid to be supplied to the substrate can be supplied to the processing liquid supply nozzle 102 immediately after the processing liquid supply valve 107 is opened.
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-206957
[Problems to be solved by the invention]
However, while the temperature control liquid is circulating through the processing liquid circulation path, the temperature control liquid does not flow into the processing liquid supply nozzle 102 from the branch point J of the processing liquid supply path 103, so that the branch point J and the processing liquid The temperature of the processing liquid accumulated between the supply valve 107 and between the processing liquid supply valve 107 and the tip of the processing liquid supply nozzle 102 decreases. For this reason, if the state where the processing of the substrate is not performed continues for a long time, the low-temperature processing liquid (suitable for processing) between the branch point J and the tip of the processing liquid supply nozzle 102 immediately after the processing liquid supply valve 107 is opened. The processing liquid having a temperature lower than the temperature of the substrate is supplied to the substrate, and the processing quality of the substrate may be deteriorated.
[0007]
In addition, the apparatus is not limited to an apparatus for performing a surface treatment using a temperature control liquid on a substrate, and may be an apparatus for performing a surface treatment on a substrate using a processing liquid whose temperature is not adjusted. If the path has a structure in which the processing liquid return path is branched and connected upstream of the processing liquid supply valve, there is a possibility that a problem of deterioration in processing quality may occur. For example, when a chemical such as an etching liquid is used as a processing liquid, if a state in which the processing of the substrate is not performed continues for a long time, the distance between the branch point of the processing liquid return path and the tip of the processing liquid supply nozzle is increased. Deposits of the chemical solution component are generated in the accumulated processing solution, and the substrate may be contaminated by supplying the processing solution containing the precipitate (particles) of the chemical solution component immediately after opening the processing solution supply valve. There is. In addition, when the chemical component in the processing solution precipitates, the concentration of the processing solution decreases, and immediately after opening the processing solution supply valve, the processing solution having a lower concentration than the appropriate concentration is supplied to the substrate. In addition, processing defects such as insufficient cleaning and insufficient etching may occur. In addition, when pure water is used as the processing liquid, if the state where the processing of the substrate is not performed continues for a long time, the processing liquid accumulated between the branch point of the processing liquid return path and the tip of the processing liquid supply nozzle. Bacteria such as bacteria are generated in the liquid, and the processing liquid containing the germs is supplied immediately after the processing liquid supply valve is opened, so that the substrate may be contaminated.
[0008]
In order to avoid such a problem, before carrying in the substrate, a processing liquid supply valve is opened and a processing liquid collected between a branch point of the processing liquid return path and a tip of the processing liquid supply nozzle is discarded. (Pre-dispensing of the processing solution) is conceivable. However, in this method, the amount of the processing liquid used increases, and the throughput of the processing decreases by the time for performing the pre-dispensing.
Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing method capable of maintaining constant conditions (temperature, concentration, etc.) of a processing liquid supplied to a substrate without causing an increase in the amount of processing liquid used and a decrease in processing throughput. It is to provide an apparatus and a substrate processing method.
[0009]
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to the surface of the substrate, wherein the substrate holding means holds the substrate. A storage tank (23) for storing a processing liquid to be supplied to the surface of the substrate; and a nozzle (2; 4, 6; 8) for discharging the processing liquid toward the surface of the substrate held by the substrate holding means. A supply path (21) for supplying a processing liquid from the storage tank to the nozzle, and a processing liquid discharged from the nozzle, the substrate holding means being connected to the nozzle and the storage tank. A receiving member (3; 5; 7; 9) for receiving before contacting the surface of the substrate held by the substrate, the receiving member being connected to the storage tank, and the processing being received by the receiving member. Including a return path (33) for returning the liquid to the storage tank. A substrate processing apparatus characterized.
[0010]
It should be noted that the alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components and the like in embodiments described later. Hereinafter, the same applies in this section.
According to the above configuration, the processing liquid discharged from the nozzle can be received by the receiving member, and can be returned from the receiving member to the storage tank through the return path. That is, the processing liquid can be circulated through the processing liquid circulation path including the storage tank, the supply path, the receiving member, and the return path.
[0011]
Since there is no portion where the processing liquid stays in the processing liquid circulation path including the storage tank, the supply path, the receiving member, and the return path, the processing liquid does not stay near the tip of the nozzle as in the related art. Even if the processing liquid is circulated through the liquid circulation path and switched to the state in which the processing liquid is supplied to the substrate, the processing liquid with different temperature and concentration, and the processing liquid containing contaminants (particles and various germs) will not Will not be supplied to Therefore, the conditions of the processing liquid supplied to the surface of the substrate can be kept constant throughout the entire period of the processing, so that high-quality processing can be stably performed on the surface of the substrate. In addition, there is no need to pre-dispense the processing liquid from the nozzle before the supply of the processing liquid to the substrate is started, so that an increase in the amount of the processing liquid used and a decrease in processing throughput are not caused.
[0012]
The switching between the state in which the processing liquid is circulated in the processing liquid circulation path and the state in which the processing liquid is supplied to the substrate is performed by the processing liquid discharged from the nozzle. This can be achieved by further including a switching means (31) for switching the supply destination of the substrate between the substrate surface and the receiving member.
The switching means may include relative movement means (31) for relatively moving the nozzle and the receiving member, in which case the nozzle (2; By relatively moving the receiving member (3; 5) and the receiving member (4) relatively horizontally, the switching of the supply destination of the processing liquid discharged from the nozzle may be achieved, or the nozzle (6) and the receiving member (3; 5) may be switched. By relatively moving the receiving member (7) up and down, the supply destination of the processing liquid discharged from the nozzle may be switched.
[0013]
On the other hand, in the switching means, the nozzle (8) and the receiving member (9) are relatively fixedly arranged, and the switching means adjusts the flow rate of the processing liquid discharged from the nozzle, thereby discharging the processing liquid from the nozzle. Switching of the supply destination of the processing liquid may be achieved.
The substrate processing apparatus may further include a temperature controller (25) interposed in the supply path and configured to control a temperature of the processing liquid supplied from the storage tank to the nozzle. Further, the processing liquid adjusted to a constant temperature by the temperature controller may be used for the surface treatment of the substrate.
[0014]
The invention according to claim 5 is a substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing liquid to the surface of the substrate (W), wherein the processing liquid stored in the storage tank (23) is pumped out and the nozzle (2; 4; 6; 8), a processing liquid supply step of supplying the processing liquid discharged from the nozzle to the surface of the substrate, and a processing liquid discharged from the nozzle when the processing liquid supply step is not performed. A process liquid return step of receiving the process solution by a receiving member (3; 5, 7; 9) before contacting the surface of the substrate and returning the process solution to the storage tank.
[0015]
According to this method, the same effect as that described in relation to the first aspect of the invention can be achieved.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is a single-wafer-type substrate processing apparatus that processes wafers W, which are examples of substrates, one by one. The spin chuck 1 rotates while holding the wafer W substantially horizontally, and the spin chuck 1 A processing liquid supply nozzle 2 for supplying a processing liquid to the wafer W held in the processing liquid, and a receiving member 3 for receiving the processing liquid discharged from the processing liquid supply nozzle 2. The processing on the wafer W is, for example, an etching (cleaning) processing for removing unnecessary substances such as particles and various metal impurities from the surface of the wafer W using an etching liquid or a cleaning liquid if the processing is a processing liquid. Alternatively, an oxidation process of forming an oxide film on the surface of the wafer W using an oxidizing liquid containing ozone water or hydrogen peroxide solution may be used.
[0017]
The spin chuck 1 includes, for example, a spin shaft 11 extending in a substantially vertical direction, a spin base 12 attached to an upper end of the spin shaft 11, and a plurality of chuck pins disposed on a peripheral portion of the spin base 12. 13, the end face of the wafer W is cooperatively pinched by the plurality of chuck pins 13 so that the wafer W can be held in a substantially horizontal state. Further, a rotation drive mechanism 14 including a drive source such as a motor is coupled to the spin shaft 11. The rotation drive mechanism 14 rotates the spin shaft 11 from the rotation drive mechanism 14 while the wafer W is held substantially horizontally by the chuck pins 13. By inputting a force, the wafer W can be rotated in a substantially horizontal plane.
[0018]
The treatment liquid supply nozzle 2 is supplied with a chemical liquid through a chemical liquid supply path 21, and is supplied with pure water through a pure water supply path 22. The chemical solution is stored in a chemical solution tank 23, is pumped out of the chemical solution tank 23 by a pump 24, and is sent to the processing solution supply nozzle 2 through a chemical solution supply path 21. In the chemical supply path 21, a temperature controller 25, a filter 26, and a chemical valve 27 are provided downstream of the pump 24. The temperature controller 25 is for adjusting the temperature of the chemical solution sent to the processing solution supply nozzle 2 to a constant temperature suitable for processing in the chemical solution supply path 21, and the filter 26 is controlled by the temperature controller 25. This is for removing foreign substances in a temperature-controlled chemical solution (hereinafter, referred to as a "temperature control solution"). On the other hand, the pure water supply path 22 is provided with a pure water valve 28 for supplying pure water from a pure water supply source (not shown) to the processing liquid supply nozzle 2 or stopping the supply. I have.
[0019]
Further, an elevating drive mechanism 29 including, for example, a ball screw and a motor is connected to the processing liquid supply nozzle 2. By the operation of the elevation drive mechanism 29, the processing liquid supply nozzle 2 is held by the spin chuck 1 at a position largely retracted above the spin chuck 1 along a vertical line set to the side of the spin chuck 1. The wafer is moved up and down with respect to a position close to the wafer W.
The receiving member 3 is formed in a container shape capable of receiving the processing liquid from the processing liquid supply nozzle 2, and is attached to the tip of an arm 32 that is swung in a substantially horizontal plane by a receiving member moving motor 31. Have been. The receiving member moving motor 31 is attached to the side surface of the nozzle head 2h of the processing liquid supply nozzle 2 so that the output shaft 311 extends along a vertical line. (The end opposite to the side to which it is attached). By rotating the output shaft 311 of the receiving member moving motor 31 in a reciprocating manner within a predetermined angle range, the arm 32 can be swung, and accordingly, the receiving member 3 is ejected from the processing liquid supply nozzle 2. It can be moved to a position on the passing line of the processing liquid to be processed (processing liquid capturing position) and a position off the passing line (processing liquid retreat position).
[0020]
One end of a chemical liquid return path 33 is connected to the bottom of the receiving member 3. The chemical liquid return path 33 is inserted through a bellows B that expands and contracts as the processing liquid supply nozzle 2 moves up and down, and the other end is connected to the chemical liquid tank 23. The chemical liquid return path 33 is provided with a chemical liquid return valve 34.
Before the processing on the wafer W is started, the processing liquid supply nozzle 2 is largely retracted upward so as not to hinder the transfer of the wafer W. Further, the pump 24 and the temperature controller 25 are driven in a state where the receiving member 3 is disposed at the processing liquid capturing position and the chemical liquid valve 27 is opened. At this time, the pure water valve 28 is closed. Further, the chemical liquid return valve 34 is opened. As a result, the chemical pumped from the chemical tank 23 is adjusted to a constant temperature suitable for processing to become a temperature-adjusted liquid, and this temperature-adjusted liquid is supplied to the processing liquid supply nozzle 2 through the chemical liquid supply path 21. Then, the temperature-adjusted liquid discharged from the processing liquid supply nozzle 2 is received by the receiving member 3 and returned to the chemical liquid tank 23 through the chemical liquid return path 33. That is, before the processing on the wafer W is started, the temperature-adjusted liquid is circulated through the chemical liquid circulation path including the chemical liquid tank 23, the chemical liquid supply path 21, the receiving member 3, and the chemical liquid return path 33.
[0021]
When a wafer W to be processed is carried in by a transfer robot (not shown) and the wafer W is transferred to the spin chuck 1, the elevation drive mechanism 29 is driven to move the processing liquid supply nozzle 2 close to the upper surface of the wafer W. Is lowered to the specified position. Further, the rotation drive mechanism 14 is driven, and the spin chuck 1 (that is, the wafer W) is rotated at a predetermined rotation speed. Then, the receiving member moving motor 31 is driven to move the receiving member 3 from the processing liquid capturing position to the processing liquid retracting position, so that the temperature is adjusted to the center of the upper surface of the rotating wafer W from the processing liquid supply nozzle 2. Liquid is supplied. The temperature-adjusted liquid supplied to the center of the upper surface of the wafer W spreads from the center of the upper surface of the wafer W to the periphery thereof due to the centrifugal force caused by the rotation of the wafer W. As a result, the temperature control liquid spreads over the entire upper surface of the wafer W, and the entire upper surface of the wafer W is subjected to a chemical treatment (for example, an etching process using an etchant) using the temperature control liquid.
[0022]
As described above, before the processing on the wafer W is started, the temperature control liquid is circulated through the chemical liquid circulation path including the chemical liquid tank 23, the chemical liquid supply path 21, the receiving member 3, and the chemical liquid return path 33. Immediately after is transferred to the spin chuck 1, a temperature control liquid with high temperature accuracy can be supplied to the wafer W, and the surface treatment of the wafer W with the temperature control liquid can be started. In addition, since there is no portion where the chemical solution stays in the chemical solution supply passage 21 or the processing solution supply nozzle 2 during the circulation of the chemical solution, the chemical solution having a temperature lower than the temperature suitable for the process or the contamination immediately after the start of the process on the wafer W. A chemical solution containing a substance (particles) or a chemical solution with a reduced concentration is not supplied to the wafer W, and a chemical solution that satisfies certain temperature conditions, concentration conditions, and particle conditions (cleanliness) throughout the entire period of chemical solution processing. It can be supplied to the wafer W. Therefore, high quality processing can be stably performed on the surface of the wafer W. In addition, there is no need to pre-dispense the temperature control liquid from the processing liquid supply nozzle 2 before the supply of the temperature control liquid to the wafer W is started, so that an increase in the amount of used chemical liquid and a decrease in processing throughput do not occur. .
[0023]
When the processing of the chemical liquid on the wafer W is performed for a predetermined time, the pump 24 and the temperature controller 25 are stopped, and the chemical liquid valve 27 is closed. Supply is stopped. Then, the pure water valve 28 is opened, and pure water is supplied from the processing liquid supply nozzle 2 to the center of the upper surface of the wafer W. At this time, the rotation of the wafer W by the spin chuck 1 is continued, and the pure water supplied from the processing liquid supply nozzle 2 to the center of the upper surface of the wafer W is centrifugally generated by the rotation of the wafer W, so that the upper surface of the wafer W is removed. It extends from the center to the periphery. Thereby, pure water spreads over the entire upper surface of the wafer W, and a rinsing process for washing away the chemical solution attached to the wafer W is achieved. During the rinsing process, the chemical solution return valve 34 is closed, and the atmosphere containing the chemical solution in the chemical solution tank 23 flows into the processing chamber (the chamber containing the spin chuck 1) through the chemical solution return path 33. That has been prevented.
[0024]
When the rinsing process is continued for a predetermined time, the pure water valve 28 is closed, and thereafter, the wafer W is rotated at a predetermined high rotation speed (for example, 3000 rpm), and the pure water adhering to the wafer W is rotated. A spin-drying step of shaking off and drying the droplets by centrifugal force is performed. On the other hand, the receiving member moving motor 31 is driven, the receiving member 3 is moved from the processing liquid retreat position to the processing liquid capturing position, and the elevating drive mechanism 29 is driven to spin the processing liquid supply nozzle 2. It is raised to a position largely retracted above the chuck 1. Then, in preparation for the next processing of the wafer W, the chemical liquid valve 27 and the chemical liquid return valve 34 are opened, and the pump 24 and the temperature controller 25 are driven, so that the chemical liquid tank 23, the chemical liquid supply path 21, and the receiving member 3 The temperature-adjusted liquid is circulated through the chemical liquid circulation path including the chemical liquid return path 33.
[0025]
The spin drying process is continued for a time sufficient to dry the surface of the wafer W. After the spin dry process, the rotation of the spin chuck 1 is stopped, and the processed wafer W is unloaded from the spin chuck 1 by a transfer robot (not shown).
As described above, one embodiment of the present invention has been described, but the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above-described embodiment, the configuration in which the temperature adjustment liquid discharged from the processing liquid supply nozzle 2 is supplied to the wafer W by the movement of the receiving member 3 or received by the receiving member 3 has been described. Switching of the supply destination of the temperature control liquid can also be achieved by another configuration.
[0026]
For example, as shown in FIG. 2, the processing liquid supply nozzle 4 is attached to the tip of an arm 41 that is swingably provided in a substantially horizontal plane above the wafer W to be processed. By fixedly disposing the receiving member 5 and swinging the arm 41, the temperature-adjusted liquid discharged from the processing liquid supply nozzle 4 is supplied to the wafer W or received by the receiving member 5 and returned to the chemical liquid tank. You may make it. In this case, the receiving member 5 has a gutter portion 51 extending to near the center of the upper surface of the wafer W in plan view so that the supply destination of the temperature control liquid can be immediately switched between the wafer W and the receiving member 5. Preferably, it is formed.
[0027]
In addition, the receiving member 7 is not limited to the configuration in which the receiving member or the processing liquid supply nozzle is moved in the horizontal direction. As shown in FIG. A processing liquid supply nozzle 6 may be provided so as to be able to move up and down, and the processing liquid supply nozzle 6 may be moved up and down to switch the supply destination of the temperature control liquid between the wafer W and the receiving member 7.
Furthermore, switching of the supply destination of the temperature control liquid can also be achieved by a configuration in which both the receiving member and the processing liquid supply nozzle are fixedly arranged. For example, as shown in FIG. 4, the processing liquid supply nozzle 8 is fixedly disposed obliquely above the wafer W to be processed, and the receiving member 9 is fixedly disposed below the tip of the processing liquid supply nozzle 8 to perform processing. The supply destination of the temperature control liquid may be switched between the wafer W and the receiving member 9 by adjusting the flow rate of the temperature control liquid discharged from the liquid supply nozzle 8. The flow rate of the temperature control liquid discharged from the processing liquid supply nozzle 8 is adjusted, for example, by providing a flow rate control valve in a chemical solution supply path connected to the processing liquid supply nozzle 8 and opening the flow rate control valve. May be achieved, or may be achieved by controlling the liquid sending capacity of the pump 24 interposed in the chemical solution supply path.
[0028]
Further, in the above-described embodiment, the flow rate when the chemical solution is circulating in the chemical solution circulation path may be a flow rate that is small enough to circulate the chemical solution, as compared with the flow rate when the chemical solution is supplied to the wafer W. . Specifically, the flow rate may be suppressed by the flow rate adjusting valve during the circulation of the chemical solution, or the liquid sending capacity of the pump 24 may be suppressed.
Furthermore, in the above embodiment, the wafer W is taken up as an example of the substrate to be processed, but the substrate to be processed is not limited to the wafer W, and a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel, Other types of substrates such as a photomask glass substrate may be used.
[0029]
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an illustrative view for describing a configuration in which a processing liquid supply nozzle is horizontally moved to switch between supply of a temperature control liquid to a wafer and reception of a temperature control liquid by a receiving member;
FIG. 3 is an illustrative view for explaining a configuration in which a processing liquid supply nozzle is moved up and down to switch between supply of a temperature control liquid to a wafer and reception of a temperature control liquid by a receiving member;
FIG. 4 is an illustrative view for describing a configuration in which both a receiving member and a processing liquid supply nozzle are fixedly arranged;
FIG. 5 is a view showing a piping structure in a conventional substrate processing apparatus.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 1 spin chuck 2 processing liquid supply nozzle 3 receiving member 4 processing liquid supply nozzle 5 receiving member 6 processing liquid supply nozzle 7 receiving member 8 processing liquid supply nozzle 9 receiving member 21 chemical liquid supply path 23 chemical liquid tank 25 temperature controller 31 receiving member movement Motor 33 Chemical liquid return path W Wafer

Claims

基板の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
基板の表面に供給すべき処理液を貯留する貯留槽と、
上記基板保持手段に保持された基板の表面に向けて処理液を吐出するノズルと、
このノズルと上記貯留槽とを接続しており、上記貯留槽から上記ノズルへ処理液を供給するための供給路と、
上記ノズルから吐出される処理液を、上記基板保持手段に保持された基板の表面に接触する前に受け取るための受け部材と、
この受け部材と上記貯留槽とを接続しており、上記受け部材で受け取られた処理液を上記貯留槽へ帰還させるための帰還路と
を含むことを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to a surface of the substrate,
Substrate holding means for holding a substrate,
A storage tank for storing a processing liquid to be supplied to the surface of the substrate,
A nozzle for discharging a processing liquid toward the surface of the substrate held by the substrate holding means,
A supply path for connecting the nozzle and the storage tank, and supplying a processing liquid from the storage tank to the nozzle,
A receiving member for receiving the processing liquid discharged from the nozzle before contacting the surface of the substrate held by the substrate holding means,
A substrate processing apparatus, comprising: a receiving path connecting the receiving member and the storage tank; and a return path for returning the processing liquid received by the receiving member to the storage tank.

上記ノズルから吐出される処理液の供給先を基板表面と上記受け部材とに切り換える切換手段をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising switching means for switching a supply destination of the processing liquid discharged from the nozzle between the substrate surface and the receiving member.

上記切換手段は、上記ノズルと上記受け部材とを相対的に移動させる相対移動手段を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein said switching means includes a relative moving means for relatively moving said nozzle and said receiving member.

上記供給路に介装されて、上記貯留槽から上記ノズルへ供給される処理液の温度を調節する温度調節器をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a temperature controller interposed in the supply path and configured to control a temperature of the processing liquid supplied from the storage tank to the nozzle. 5. apparatus.

基板の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理方法であって、
貯留槽に貯留された処理液を汲み出してノズルに送る工程と、
上記ノズルから吐出される処理液を基板の表面に供給する処理液供給工程と、
この処理液供給工程が行われていないときに、上記ノズルから吐出される処理液を基板の表面に接触する前に受け部材で受け取って上記貯留槽に帰還させる処理液帰還工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。A substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing liquid to the surface of the substrate,
A step of pumping the processing liquid stored in the storage tank and sending it to the nozzle,
A processing liquid supply step of supplying a processing liquid discharged from the nozzle to the surface of the substrate,
When the processing liquid supply step is not performed, a processing liquid return step of receiving the processing liquid discharged from the nozzle by a receiving member before coming into contact with the surface of the substrate and returning the processing liquid to the storage tank is included. Characteristic substrate processing method.