JP2013187229A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、基板上に供給された凝固対象液を凝固した後、凝固対象液よりも高温の融解液により凝固対象液の凝固体を融解して除去することにより、基板表面に付着した汚染物質を除去する基板処理技術に関する。 In the present invention, after the coagulation target liquid supplied on the substrate is coagulated, the coagulated substance of the coagulation target liquid is melted and removed by a melting liquid having a temperature higher than that of the coagulation target liquid. The present invention relates to a substrate processing technique that removes the substrate.
従来より、基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための処理の1つとして凍結洗浄技術が知られている。この技術では、基板表面に供給された凝固対象液を凝固させ、この凝固体を融解除去することにより基板表面からパーティクル等を凝固体とともに除去している。例えば特許文献1に示す基板処理装置においては、雰囲気遮断手段に設けられたノズルから凝固対象液としてのDIW(DeIonized Water:脱イオン水)が供給された後、これをDIWの凝固点よりも温度の低い冷却ガスによって凝固させ、その後、凝固対象液を吐出するノズルと同じノズルから融解液としてのDIWを供給して凝固体の融解除去を行っている。
Conventionally, a freeze cleaning technique is known as one of the processes for removing contaminants such as particles adhering to the substrate surface. In this technique, the liquid to be solidified supplied to the substrate surface is solidified, and the solidified body is melted and removed to remove particles and the like from the substrate surface together with the solidified body. For example, in the substrate processing apparatus shown in
上記した凍結洗浄技術においては、凝固体の融解が迅速に行われないと、凝固体が融解して生じた液の中に凝固体の小塊が存在する状態となり、このような小塊が基板表面に形成されているパターンにダメージを与えるおそれがある。そこで、凝固対象液よりも温度の高い融解液を凝固体に供給することで、融解除去の効率化が図られている。しかしながら、上記のように同じノズルから凝固対象液および融解液が基板上に供給される場合には、凝固対象液の供給を停止した後にノズル内に残留している凝固対象液の残液が悪影響を及ぼすおそれがあった。すなわち、融解液が凝固対象液の残液と混ざることで融解液の初期温度が低くなり、その結果、凝固体の融解に要する時間が増大するという問題があった。 In the above-described freeze-cleaning technology, if the solidified body is not melted quickly, the solidified body is present in the liquid formed by melting the solidified body, and such a small body is in the substrate. There is a risk of damaging the pattern formed on the surface. In view of this, the melting removal efficiency is improved by supplying a molten liquid having a higher temperature than the solidification target liquid to the solidified body. However, when the solidification target liquid and the melt are supplied onto the substrate from the same nozzle as described above, the residual liquid of the solidification target liquid remaining in the nozzle after the supply of the solidification target liquid is stopped is adversely affected. There was a risk of affecting. That is, when the melt is mixed with the remaining liquid of the solidification target liquid, the initial temperature of the melt is lowered, and as a result, there is a problem that the time required for melting the solidified body increases.
この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、基板上に供給された凝固対象液を凝固した後、凝固対象液よりも高温の融解液により凝固対象液の凝固体を融解して除去する基板処理装置および基板処理方法において、凝固体に供給される融解液の初期温度の低下を抑制し、基板処理を良好に行うことを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and after coagulating the coagulation target liquid supplied on the substrate, the coagulation body of the coagulation target liquid is melted and removed with a melt higher in temperature than the coagulation target liquid. An object of the substrate processing apparatus and the substrate processing method is to satisfactorily perform substrate processing by suppressing a decrease in the initial temperature of the melt supplied to the solidified body.
この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するために、基板上に供給された凝固対象液を凝固した後、凝固対象液よりも高温の融解液により凝固対象液の凝固体を融解して除去する基板処理装置であって、略水平に保持された基板の上面に対向する基板対向面と、基板の上面中央部に向けて凝固対象液および融解液を吐出する液供給ノズルとを有する雰囲気遮断手段と、液供給ノズルに凝固対象液および融解液を供給する液供給手段と、基板上に供給された凝固対象液に、凝固対象液の凝固点以下の凝固用気体を供給する凝固用気体供給ノズルと、凝固用気体供給ノズルを支持するアームを有し、当該アームとともに凝固用気体供給ノズルを移動させるノズル駆動機構と、凝固用気体供給ノズルまたはアームに設けられ、液供給ノズルから排出される凝固対象液を受ける排液受け部と、を備え、液供給手段は、基板上への凝固対象液の供給を停止した後、凝固対象液の凝固体への融解液の供給を開始するまでの間に、少なくとも液供給ノズル内に残留している凝固対象液の残液を液供給ノズルから排出し、ノズル駆動機構は、凝固対象液の残液が液供給ノズルから排出されている間、排液受け部を基板の上方かつ液供給ノズルの下方に配置することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention coagulates the coagulation target liquid supplied on the substrate, and then melts the coagulation body of the coagulation target liquid with a melting liquid higher in temperature than the coagulation target liquid. A substrate processing apparatus that removes the liquid to be solidified and a molten liquid toward a central portion of the upper surface of the substrate. Atmosphere shut-off means, liquid supply means for supplying the liquid to be solidified and the melt to the liquid supply nozzle, and coagulation gas for supplying the solidification gas below the freezing point of the liquid to be solidified to the liquid to be solidified supplied on the substrate A supply nozzle and an arm for supporting the coagulation gas supply nozzle; a nozzle drive mechanism for moving the coagulation gas supply nozzle with the arm; and a coagulation gas supply nozzle or arm. A liquid receiving portion for receiving the liquid to be solidified discharged from the substrate, and the liquid supply means stops supplying the liquid to be solidified onto the substrate and then supplies the melt to the solidified body of the liquid to be solidified. Before the start, at least the residual liquid of the coagulation target liquid remaining in the liquid supply nozzle is discharged from the liquid supply nozzle, and the nozzle drive mechanism discharges the residual liquid of the coagulation target liquid from the liquid supply nozzle. During this period, the drainage receiving part is arranged above the substrate and below the liquid supply nozzle.
また、この発明にかかる基板処理方法は、基板上に供給された凝固対象液を凝固した後、凝固対象液よりも高温の融解液により凝固対象液の凝固体を融解して除去する基板処理方法であって、略水平に保持された基板上に、液供給ノズルから凝固対象液を供給する凝固対象液供給工程と、基板上に供給された凝固対象液に、アームで支持された凝固用気体供給ノズルから凝固対象液の凝固点以下の凝固用気体を供給する凝固工程と、凝固対象液の凝固体に、液供給ノズルから融解液を供給する融解工程と、を備え、凝固対象液供給工程の終了時から融解工程の開始時までに、少なくとも液供給ノズル内に残留している凝固対象液の残液を液供給ノズルから排出し、当該排出された残液を凝固用気体供給ノズルまたはアームに設けられた排液受け部で受けることを特徴とする。 Further, the substrate processing method according to the present invention is a substrate processing method in which after the solidification target liquid supplied on the substrate is solidified, the solidified body of the solidification target liquid is melted and removed with a melt higher in temperature than the solidification target liquid. A solidification target liquid supplying step of supplying a liquid to be solidified from a liquid supply nozzle onto a substrate held substantially horizontally, and a solidification gas supported by an arm on the solidification target liquid supplied on the substrate A coagulation step of supplying a coagulation gas below the freezing point of the coagulation target liquid from the supply nozzle, and a melting step of supplying the melt from the liquid supply nozzle to the coagulation body of the coagulation target liquid. From the end to the start of the melting process, at least the residual liquid of the coagulation target liquid remaining in the liquid supply nozzle is discharged from the liquid supply nozzle, and the discharged residual liquid is discharged to the coagulation gas supply nozzle or arm. Provided drainage receiver Wherein the receiving in parts.
本発明(基板処理装置および基板処理方法)によれば、液供給ノズルから基板上への凝固対象液の供給を停止した後、液供給ノズルから基板上に形成された凝固対象液の凝固体への融解液の供給を開始するまでの間に、少なくとも液供給ノズル内に残留している凝固対象液の残液が液供給ノズルから排出される。すなわち、凝固対象液の供給を停止した時点で液供給ノズル内に凝固対象液が残留していたとしても、この残液は、凝固体を融解除去すべく融解液が液供給ノズルから吐出されるまでに液供給ノズルから排出される。したがって、本発明によれば、凝固対象液よりも高温の融解液が少なくとも液供給ノズル内の凝固対象液の残液と混ざることを防止することで、凝固体に供給される融解液の初期温度の低下を抑制することが可能となる。 According to the present invention (the substrate processing apparatus and the substrate processing method), after the supply of the solidification target liquid from the liquid supply nozzle to the substrate is stopped, the solidification target liquid formed on the substrate from the liquid supply nozzle is solidified. Until the supply of the melt is started, at least the residual liquid of the coagulation target liquid remaining in the liquid supply nozzle is discharged from the liquid supply nozzle. That is, even if the solidification target liquid remains in the liquid supply nozzle when the supply of the solidification target liquid is stopped, the remaining liquid is discharged from the liquid supply nozzle to melt and remove the solidified body. Before being discharged from the liquid supply nozzle. Therefore, according to the present invention, the initial temperature of the melt supplied to the solidified body is prevented by preventing the melt higher in temperature than the liquid to be solidified from mixing with at least the remaining liquid of the liquid to be solidified in the liquid supply nozzle. Can be suppressed.
ここで、上記のように凝固対象液の残液を液供給ノズルから排出する場合、排出された残液が凝固前の凝固対象液に落下すると、凝固体形成の妨げとなったり、ゴミが凝固対象液に混入したりするおそれがある。一方、排出された残液が凝固対象液の凝固体に落下すると、融解処理の前に凝固体の一部が融解するおそれがある。そこで、本発明においては、液供給ノズルから排出される凝固対象液の残液が排液受け部で受けられる構成としている。したがって、液供給ノズルから排出された凝固対象液の残液が基板上の凝固対象液や凝固体に落下することを防止して、基板処理を良好に行うことが可能となる。しかも、排液受け部は凝固用気体供給ノズルまたはこれを支持するアームに設けられている。このため、排液受け部用の駆動機構をアームの駆動機構と兼用することができるので、装置の簡素化を図ることが可能となる。 Here, when the residual liquid of the coagulation target liquid is discharged from the liquid supply nozzle as described above, if the discharged residual liquid falls on the coagulation target liquid before solidification, formation of a solidified body may be hindered, or dust may be solidified. There is a risk of mixing into the target liquid. On the other hand, if the discharged residual liquid falls on the solidified body of the liquid to be solidified, a part of the solidified body may be melted before the melting treatment. Therefore, in the present invention, the remaining liquid of the coagulation target liquid discharged from the liquid supply nozzle is configured to be received by the drainage receiving portion. Therefore, it is possible to prevent the residual liquid of the coagulation target liquid discharged from the liquid supply nozzle from dropping on the coagulation target liquid or the solidified body on the substrate and to perform the substrate processing satisfactorily. In addition, the drainage receiving portion is provided on the coagulation gas supply nozzle or the arm that supports it. For this reason, the drive mechanism for the drainage receiving portion can also be used as the drive mechanism for the arm, so that the apparatus can be simplified.
本発明にかかる基板処理装置において、液供給手段は、凝固対象液を液供給ノズルに供給する凝固対象液用流路と、融解液を液供給ノズルに供給する融解液用流路と、凝固対象液用流路および融解液用流路が合流している合流部と液供給ノズルとを接続する接続流路とを備えており、合流部および接続流路に残留している凝固対象液の残液を液供給ノズルから排出すると好適である。このような構成によれば、液供給ノズル内に残留している凝固対象液の残液のみならず、接続流路に残留している凝固対象液の残液も排出される。したがって、融解液を凝固体に供給する際に融解液と混ざる凝固対象液の残液をさらに減らすことができ、凝固体に供給される融解液の初期温度の低下を一層抑制することが可能となる。ここで、液供給手段は凝固対象液用流路および融解液用流路が各々接続される複数の流入ポートを有するマルチポートバルブを備えており、マルチポートバルブの内部に合流部が形成されている構成とすることができる。 In the substrate processing apparatus according to the present invention, the liquid supply means includes a solidification target liquid channel for supplying the solidification target liquid to the liquid supply nozzle, a melt liquid flow path for supplying the melt to the liquid supply nozzle, and a solidification target. The liquid flow path and the melt flow path are joined to each other and a connection flow path that connects the liquid supply nozzle, and the solidification target liquid remaining in the merge part and the connection flow path remains. It is preferable that the liquid is discharged from the liquid supply nozzle. According to such a configuration, not only the residual liquid of the solidification target liquid remaining in the liquid supply nozzle but also the residual liquid of the solidification target liquid remaining in the connection channel is discharged. Therefore, it is possible to further reduce the residual liquid of the coagulation target liquid mixed with the melt when supplying the melt to the solidified body, and to further suppress the decrease in the initial temperature of the melt supplied to the solidified body. Become. Here, the liquid supply means includes a multiport valve having a plurality of inflow ports to which the flow path for the solidification target liquid and the flow path for the melt are respectively connected, and a confluence portion is formed inside the multiport valve. It can be set as a structure.
また、液供給手段は合流部または接続流路を大気に開放する大気開放手段を備えており、液供給ノズルへの凝固対象液および融解液の供給を停止した状態で大気開放手段により合流部または接続流路が大気開放されることで、凝固対象液の残液が自重により液供給ノズルから排出されると好適である。このような構成によれば、凝固対象液の残液を排出するための例えばパージ用の液体や気体を追加的に供給する必要がないので、ランニングコストを抑えることができる。また、凝固対象液の残液は自重により落下するだけなので排出速度を小さくすることができ、排液受け部との衝突時における残液の飛散を抑えることができる。 In addition, the liquid supply means includes an air release means for opening the junction or the connection flow path to the atmosphere, and the supply of the solidification target liquid and the melt to the liquid supply nozzle is stopped by the atmosphere release means in a state where the supply of the solidification target liquid and the melt is stopped. It is preferable that the residual liquid of the coagulation target liquid is discharged from the liquid supply nozzle by its own weight by opening the connection flow path to the atmosphere. According to such a configuration, it is not necessary to additionally supply, for example, a purging liquid or gas for discharging the residual liquid of the coagulation target liquid, so that the running cost can be suppressed. Further, since the residual liquid of the coagulation target liquid simply drops due to its own weight, the discharge speed can be reduced, and scattering of the residual liquid at the time of collision with the drainage receiving portion can be suppressed.
また、液供給手段は、凝固対象液の凝固体に融解液を供給する前に融解液を合流部および接続流路に流通させることで、凝固対象液の残液を融解液により押し出して液供給ノズルから排出するように構成してもよい。このように融解液により凝固対象液の残液を押し出して液供給ノズルから排出することで、融解液の流路上から確実に凝固対象液の残液を排除することができる。 In addition, the liquid supply means pushes the residual liquid of the coagulation target liquid with the melt and supplies the liquid by circulating the melt through the junction and the connection channel before supplying the melt to the solidified body of the coagulation target liquid. You may comprise so that it may discharge from a nozzle. Thus, by extruding the residual liquid of the coagulation target liquid with the melting liquid and discharging it from the liquid supply nozzle, the residual liquid of the coagulation target liquid can be reliably removed from the flow path of the melting liquid.
また、凝固用気体供給ノズルは凝固用気体の供給を基板の上面中央部から開始し、排液受け部は凝固用気体供給ノズルの上部に設けられていると好適である。本発明における液供給ノズルは、基板の上面中央部に向けて凝固対象液および融解液を吐出可能な位置に設けられている。したがって、凝固用気体供給ノズルが基板の上面中央部から凝固用気体の供給を開始する場合には、排液受け部を凝固用気体供給ノズルの上部に設けておくことで、凝固用気体の供給開始時に排液受け部が液供給ノズルの下方に位置することになる。すなわち、凝固用気体の供給開始時に凝固対象液の残液を液供給ノズルから排出し、これを排液受け部で受けることが可能となる。 Further, it is preferable that the coagulation gas supply nozzle starts supplying the coagulation gas from the center of the upper surface of the substrate, and the drainage receiving portion is provided above the coagulation gas supply nozzle. The liquid supply nozzle in the present invention is provided at a position where the liquid to be solidified and the molten liquid can be discharged toward the center of the upper surface of the substrate. Therefore, when the coagulation gas supply nozzle starts supplying the coagulation gas from the center of the upper surface of the substrate, the coagulation gas supply can be performed by providing the drainage receiving portion above the coagulation gas supply nozzle. At the start, the drainage receiving part is located below the liquid supply nozzle. That is, when the supply of the coagulation gas is started, the remaining liquid of the coagulation target liquid can be discharged from the liquid supply nozzle and received by the drainage receiving portion.
また、凝固用気体供給ノズルは凝固用気体の供給を基板の上面中央部よりも周縁部側の位置から開始し、排液受け部は凝固用気体の供給開始時または供給中に液供給ノズルの下に配置されるよう構成してもよい。このように構成することで、凝固用気体供給ノズルが基板の上面中央部から外れた位置から凝固用気体の供給を開始する場合においても、液供給ノズルから排出される凝固対象液の残液を排液受け部により受けることが可能となる。 The coagulation gas supply nozzle starts the supply of the coagulation gas from the position on the peripheral side of the center of the upper surface of the substrate, and the drainage receiver receives the liquid supply nozzle at the start or during the supply of the coagulation gas. You may comprise so that it may be arrange | positioned under. By configuring in this way, even when the coagulation gas supply nozzle starts to supply the coagulation gas from a position off the center of the upper surface of the substrate, the residual liquid of the coagulation target liquid discharged from the liquid supply nozzle is removed. It can be received by the drainage receiving part.
図1は本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着しているパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄処理を実行可能な枚葉式の基板洗浄装置としての基板処理装置である。 FIG. 1 is a view showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing a control configuration of the substrate processing apparatus of FIG. This substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus as a single wafer cleaning apparatus capable of executing a substrate cleaning process for removing contaminants such as particles adhering to the surface Wf of a substrate W such as a semiconductor wafer. .
この基板処理装置は、基板Wに対して洗浄処理を施す処理空間をその内部に有する処理チャンバー1を備え、処理チャンバー1内に基板表面Wfを上方に向けた状態で基板Wを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック2と、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfに向けて液膜を凍結させるための冷却ガスを吐出する冷却ガス吐出ノズル3と、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfに対向配置された遮断部材9が設けられている。処理液としては、薬液または純水やDIW等の洗浄液などが用いられる。
The substrate processing apparatus includes a
スピンチャック2は、回転支軸21がモータを含むチャック回転機構22の回転軸に連結されており、チャック回転機構22の駆動により鉛直方向に延びる回転中心軸A0を中心に回転可能となっている。回転支軸21の上端部には、円盤状のスピンベース23が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット4(図2)からの動作指令に応じてチャック回転機構22を駆動させることによりスピンベース23が回転中心軸A0を中心に回転する。
The
スピンベース23の周縁部付近には、基板Wの周縁部を把持するための複数個のチャックピン24が立設されている。チャックピン24は、円形の基板Wを確実に保持するために3個以上設けてあればよく、スピンベース23の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン24のそれぞれは、基板Wの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持する基板保持部とを備えている。各チャックピン24は、基板保持部が基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Wの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。
Near the periphery of the
そして、スピンベース23に対して基板Wが受渡しされる際には、複数個のチャックピン24を解放状態とし、基板Wに対して洗浄処理を行う際には、複数個のチャックピン24を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン24は基板Wの周縁部を把持してその基板Wをスピンベース23から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Wはその表面(パターン形成面)Wfを上方に向け、裏面Wbを下方に向けた状態で保持される。そして、スピンチャック2が回転中心軸A0回りに回転することで、スピンベース23に保持された基板Wが回転中心軸A0を中心として回転する。
When the substrate W is delivered to the
スピンチャック2の外方には、回動モータ31が設けられている。回動モータ31には、回動軸33が接続されている。また、回動軸33には、アーム35が水平方向に延びるように連結され、アーム35の先端に冷却ガス吐出ノズル3が取り付けられている。そして、制御ユニット4からの動作指令に応じて回動モータ31が駆動されることで、アーム35を回動軸33回りに揺動させることができる。
A
冷却ガス吐出ノズル3はガス供給部64(図2)と接続されており、制御ユニット4からの動作指令に応じてガス供給部64から冷却ガスが冷却ガス吐出ノズル3に供給される。より具体的には、ガス供給部64に設けられた窒素ガス貯留部641から供給される窒素ガスが熱交換器642によりDIWの凝固点よりも低い温度まで冷やされ、こうして冷やされた窒素ガスが冷却ガスとして冷却ガス吐出ノズル3に供給される。そして、冷却ガス吐出ノズル3から基板表面Wfに向けて局部的に冷却ガスが吐出される。
The cooling
図3は冷却ガス吐出ノズルの動作を示す図である。ここで、同図(a)は側面図、同図(b)は平面図である。回動モータ31を駆動してアーム35を揺動させると、冷却ガス吐出ノズル3は基板表面Wfに対向しながら同図(b)の移動軌跡T、つまり基板Wの回転中心軸A0上の中心位置Pcから基板Wの端縁に対向する端縁位置Peに向かう軌跡Tに沿って移動する。また、冷却ガス吐出ノズル3は基板Wの側方に退避した待機位置Psに移動可能となっている。そして、冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させた状態で、制御ユニット4が基板Wを回転させながら冷却ガス吐出ノズル3を中心位置Pcから端縁位置Peに向かって走査移動させることで、基板表面WfのDIWによる液膜LPが部分的に凍結した領域FR(以下「凍結領域FR」と称する)が基板表面Wfの中央部から周縁部へと広がる。
FIG. 3 is a diagram illustrating the operation of the cooling gas discharge nozzle. Here, FIG. 4A is a side view and FIG. 4B is a plan view. When the
図1および図3(a)に示すように、冷却ガス吐出ノズル3の上部には排液受け部37が設けられている。この排液受け部37は、後述する低温DIWの残液をノズル97から排出する際にノズル97の下方に位置し、ノズル97から排出される残液を受けることができるよう構成されている。排液受け部37の底面部または底面部近傍には、排液受け部37に溜まった残液を排出するための排水管39が設けられている。なお、排液受け部37はノズル97から排出される低温DIWの残液を受けることができる容器状のものであればどのような形状でも構わない。また、本実施形態では排液受け部37を冷却ガス吐出ノズル3とは別の部材として設けているが、冷却ガス吐出ノズル3の上部に凹状の受け部を一体的に形成することで排液受け部37を構成することも可能である。
As shown in FIGS. 1 and 3A, a
スピンチャック2の上方には、中心部に開口を有する円盤状の遮断部材9が設けられている。遮断部材9は、その下面(底面)が基板表面Wfと略平行に対向する基板対向面99となっており、その平面サイズは基板Wの直径と同等以上の大きさに形成されている。遮断部材9は略円筒形状を有する支持軸91の下端部に略水平に取り付けられ、支持軸91は水平方向に延びるアーム92により基板Wの回転中心軸A0回りに回転可能に保持されている。また、アーム92には、遮断部材回転機構93と遮断部材昇降機構94が接続されている。
A disc-shaped blocking member 9 having an opening at the center is provided above the
遮断部材回転機構93は、制御ユニット4からの動作指令に応じて支持軸91を基板Wの回転中心軸A0回りに回転させる。また、遮断部材回転機構93は、スピンチャック2に保持された基板Wの回転に応じて基板Wと同じ回転方向でかつ略同じ回転速度で遮断部材9を回転させるように構成されている。
The blocking
また、遮断部材昇降機構94は、制御ユニット4からの動作指令に応じて、遮断部材9をスピンベース23に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット4は遮断部材昇降機構94を作動させることで、基板処理装置に対して基板Wを搬入出させる際には、スピンチャック2の上方の離間位置(図1に示す位置)に遮断部材9を上昇させる。その一方で、基板Wに対して所定の処理を施す際には、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfのごく近傍に設定された対向位置まで遮断部材9を下降させる。
Further, the blocking
支持軸91は中空に仕上げられ、その内部にガス供給管95が挿通され、さらにガス供給管95の内部に液供給管96が挿通されている。ガス供給管95および液供給管96の一方端は遮断部材9の開口まで延びて当該開口に連通されている。また、液供給管96の一方端にノズル97が設けられている。このようにガス供給管95および液供給管96で二重管構造が形成されており、ガス供給管95の内壁面と液供給管96の外壁面の隙間が上記開口につながるガス供給路として機能するとともに、液供給管96の内部がノズル97につながる液供給路として機能する。そして、上記ガス供給路に対してガス供給部64(図2)が接続され、窒素ガス貯留部641から熱交換器642を通さずに供給される窒素ガスが乾燥ガスとして供給される。また、液供給管96の他方端は処理液供給ユニット7と接続されており、液供給管96を介して処理液供給ユニット7からノズル97にDIWが供給される。
The
図4は処理液供給ユニットの構成を示す模式図である。この処理液供給ユニット7は、互いに異なる3種類の温度のDIWをノズル97に対して選択的に供給するものであり、次のように構成されている。この処理液供給ユニット7は、DIWの供給源として、常温のDIW(以下「常温DIW」と称する)を貯留しているDIW貯留部71を有している。このDIW貯留部71に対し、次に説明する低温DIW供給系72、常温DIW供給系73および高温DIW供給系74がそれぞれ接続されており、互いに異なる3種類の温度のDIWが準備される。そして、各DIW供給系72、73、74で準備されたDIWはマルチポートバルブ75を介して選択的にノズル97に供給される。
FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the processing liquid supply unit. The processing
低温DIW供給系72は、DIW貯留部71からの常温DIWを冷却し、常温よりも低温のDIW(以下「低温DIW」と称する)を基板表面Wfに液膜を形成するための凝固対象液としてマルチポートバルブ75の流入ポート751に流入させることが可能となっている。より詳しく説明すると、低温DIW供給系72は、DIW貯留部71とマルチポートバルブ75の流入ポート751とを結ぶ配管721を有しており、配管721には上流側から順にポンプ722、流量調整弁723、熱交換器724が介挿されている。そして、DIW貯留部71に貯留されている常温DIWはポンプ722によって汲み出され、流量調整弁723によって流量が調整される。続いて、流量調整された常温DIWが熱交換器724にて冷却されて低温DIWが生成される。
The low temperature
また、低温DIW供給系72には、マルチポートバルブ75と熱交換器724との間で配管721からスローリーク用の配管726が分岐してスローリーク部725が形成されている。このスローリーク部725には、分岐配管726に開閉弁727および流量調整弁728が介挿されている。制御ユニット4からの動作指令に応じて開閉弁727が開くと、配管721から分岐配管726に低温DIWが流れ込み、その流量を流量調整弁728で調整可能となっている。
In the low-temperature
本実施形態では、流量調整弁728によるスローリーク流量を流量調整弁723により調整された流量よりも小さな微小流量に設定する。こうして配管721からスローリークされた低温DIW(以下「スローリークDIW」と称する)はスローリーク部725から排出される。このようなスローリーク部725を設けることにより、低温DIW供給系72の配管721における低温DIWの凍結を防止するとともに、配管721に低温DIWが滞留して外熱吸収により温度が上昇することを抑制することができる。もちろん、スローリーク部725から排出されたスローリークDIWを流量調整弁723の上流側に戻してスローリークDIWを再利用してもよいことは言うまでもなく、このようにスローリークDIWの再利用によってランニングコストを抑制することができる。開閉弁727は常時開に設定されておりスローリークを行なわない時に閉じられるように制御ユニット4から動作指令される。
In this embodiment, the slow leak flow rate by the flow
常温DIW供給系73は、DIW貯留部71とマルチポートバルブ75の流入ポート752とを結ぶ配管731を有しており、配管731には上流側から順にポンプ732、流量調整弁733が介挿されている。そして、DIW貯留部71に貯留されている常温DIWはポンプ732によって汲み出され、流量調整弁733によって流量が調整される。常温DIW供給系73においては、DIWの温度調整は行われず、DIW貯留部71から供給される常温DIWをそのままリンス液としてマルチポートバルブ75の流入ポート752に流入させることが可能となっている。
The room temperature
高温DIW供給系74は、DIW貯留部71からの常温DIWを加熱し、常温よりも高温のDIW(以下「高温DIW」と称する)を融解液としてマルチポートバルブ75の流入ポート753に流入させることが可能となっている。より詳しく説明すると、高温DIW供給系74は、DIW貯留部71とマルチポートバルブ75の流入ポート753とを結ぶ配管741を有しており、配管741には上流側から順にポンプ742、流量調整弁743、ヒーター744が介挿されている。DIW貯留部71に貯留されている常温DIWはポンプ742によって汲み出され、流量調整弁743によって流量が調整される。続いて、流量調整された常温DIWがヒーター744にて加熱されて高温DIWが生成される。
The high temperature
また、高温DIW供給系74には、マルチポートバルブ75とヒーター744との間で配管741から温水循環用の配管746が分岐し、この配管746がポンプ742の上流側で配管741に合流することで温水循環部745が形成されている。この温水循環部745には、分岐配管746に開閉弁747が介挿されている。制御ユニット4からの動作指令に応じてマルチポートバルブ75の開閉弁763が閉じられた状態で開閉弁747が開くと、配管741から分岐配管746に高温DIWが流れ込む。このように一度昇温された高温DIWが温水循環部745を経てヒーター744よりも上流側に戻されることで、DIWの昇温に要するエネルギーを抑えることが可能となり、ランニングコストを抑制することができる。開閉弁747は、高温DIWの供給を行っている間、すなわちマルチポートバルブ75の開閉弁763が開いている間は、閉状態となるように制御ユニット4から動作指令される。
Further, in the high-temperature
このようにマルチポートバルブ75には、3種類の温度のDIWがそれぞれ流入ポート751、752、753に送り込まれる。これらの流入ポート751、752、753は合流部771に対してそれぞれ接続路756、757、758で接続されており、各接続路756、757、758にはそれぞれ開閉弁761、762、763が介挿されている。このため、制御ユニット4からの動作指令に応じて開閉弁761、762、763が開閉制御されることで所望の温度のDIWが選択的に合流部771に流入する。例えば、マルチポートバルブ75の開閉弁762、763を閉じた状態で開閉弁761が開くと、流量調整された低温DIWが合流部771に流入する。また、開閉弁761、763を閉じた状態で開閉弁762が開くと、流量調整された常温DIWが合流部771に流入する。さらに、開閉弁761、762を閉じた状態で開閉弁763が開くと、流量調整された高温DIWが合流部771に流入する。
As described above, the
この合流部771は、接続路772を介してマルチポートバルブ75の流出ポート754と接続されている。さらに、流出ポート754は液供給管96と接続され、液供給管96の下流端にはノズル97が形成されている。したがって、合流部771に流入したDIWは接続路772および液供給管96を経てノズル97に供給され、ノズル97から基板Wの表面Wfに吐出される。
The
さらに、マルチポートバルブ75では、合流部771が接続路759を介して大気開放ポート755と接続されるとともに、この接続路759に開閉弁765が介挿されている。このため、開閉弁761、762、763を全て閉じて合流部771へのDIWの流入を規制した状態で開閉弁765のみが開成されると、大気開放ポート755と合流部771とが連通し、合流部771が大気開放された状態となる。後で詳しく説明するが、合流部771が大気開放されることで、合流部771に存在する液体には大気開放ポート755側からの大気圧とノズル97側からの大気圧とが作用する。そして、これら両方の大気圧が相殺されることで、合流部771の液体は自重により下方に移動しノズル97から排出される。
Further, in the
以上が本実施形態における処理液供給ユニット7の構成であるが、上記各流量調整弁723、728、733、743の下流側に流量計を取り付けてもよい。そして、流量計での計測結果に基づいて各流量調整弁723、728、733、743をフィードバック制御することにより、各配管におけるDIWの流量をより精密に制御することも可能である。
The above is the configuration of the processing
図5は洗浄処理動作を示すフローチャートであり、図6および図7は洗浄処理動作を模式的に示す図である。本実施形態にかかる基板処理装置では、未処理の基板Wが装置内に搬入されると、制御ユニット4が装置各部を制御して該基板Wに対して一連の洗浄処理が実行される。ここで、基板Wがその表面Wfに微細パターンを形成されたものである場合、該基板表面Wfを上方に向けた状態で基板Wが処理チャンバー1内に搬入され、スピンチャック2に保持される(ステップS101)。なお、このとき遮断部材9は離間位置にあり、基板Wとの干渉を防止している。
FIG. 5 is a flowchart showing the cleaning processing operation, and FIGS. 6 and 7 are diagrams schematically showing the cleaning processing operation. In the substrate processing apparatus according to the present embodiment, when an unprocessed substrate W is carried into the apparatus, the
スピンチャック2に未処理の基板Wが保持されると、遮断部材9が対向位置まで降下され、基板表面Wfに近接配置される(ステップS102)。これにより、基板表面Wfが遮断部材9の基板対向面99に近接した状態で覆われ、基板Wの周辺雰囲気から遮断される。そして、制御ユニット4はチャック回転機構22を駆動させてスピンチャック2を回転させるとともに、マルチポートバルブ75の開閉弁761を開いてノズル97から低温DIWを基板表面Wfに供給する。
When the unprocessed substrate W is held on the
このとき、図6(a)に示すように、基板表面Wfに供給された低温DIWには基板Wの回転に伴う遠心力が作用し、基板Wの径方向外向きに均一に広げられてその一部が基板外に振り切られる。これによって、基板表面Wfの全面にわたって液膜の厚みを均一にコントロールして、基板表面Wfの全体に所定の厚みを有する低温DIWの液膜が形成される(ステップS103)。このときの基板Wの回転数は低温DIWの一部が適切に振り切られるように決めればよく、例えば150rpmとすることができる。なお、液膜形成に際して、上記のように基板表面Wfに供給された低温DIWの一部を振り切ることは必須の要件ではない。例えば、基板Wの回転を停止させた状態あるいは基板Wを比較的低速で回転させた状態で基板Wから液を振り切ることなく基板表面Wfに液膜を形成してもよい。 At this time, as shown in FIG. 6A, the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W acts on the low-temperature DIW supplied to the substrate surface Wf, and the substrate W is uniformly spread outward in the radial direction. A part is shaken off the substrate. Thereby, the thickness of the liquid film is uniformly controlled over the entire surface of the substrate surface Wf, and a low temperature DIW liquid film having a predetermined thickness is formed on the entire surface of the substrate Wf (step S103). The rotation speed of the substrate W at this time may be determined so that a part of the low temperature DIW is appropriately shaken off, and can be set to 150 rpm, for example. In forming the liquid film, it is not an essential requirement to shake off part of the low-temperature DIW supplied to the substrate surface Wf as described above. For example, the liquid film may be formed on the substrate surface Wf without shaking the liquid from the substrate W in a state where the rotation of the substrate W is stopped or in a state where the substrate W is rotated at a relatively low speed.
液膜形成が終了すると、制御ユニット4は開閉弁761を閉じて低温DIWの供給を停止するとともに、遮断部材9を離間位置に退避させる(ステップS104)。その後、冷却ガス吐出ノズル3を待機位置Psから中心位置Pcに移動させる(ステップS105)。そして、図6(b)に示すように、基板表面Wf上の液膜LPに向けて冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスの供給を開始する(ステップS106)。このときの基板Wの回転数としては、冷却ガスの拡散を抑えるため液膜形成時よりも低速(例えば50rpm)とすることが好ましい。なお、冷却ガス吐出ノズル3が中心位置Pcに到達した時点で安定的に冷却ガスの供給が行えるように、冷却ガス吐出ノズル3を待機位置Psから中心位置Pcに移動させる過程において冷却ガスの吐出を開始することも可能である。
When the liquid film formation is completed, the
ここで、制御ユニット4がマルチポートバルブ75の開閉弁761を閉じて低温DIWの供給を停止した時点で、マルチポートバルブ75、液供給管96またはノズル97の内部に低温DIWが残留している場合がある。この場合、後の工程において、融解液としての高温DIWを高温DIW供給系74より供給してノズル97から基板表面Wfに向けて吐出すると、高温DIWが低温DIWの残液と混ざってしまい、高温DIWの初期温度が低下するおそれがある。
Here, when the
そこで、本実施形態においては、次に制御ユニット4からの動作指令によってマルチポートバルブ75の開閉弁765を開き、大気開放ポート755が大気開放される(ステップS107)。このとき、マルチポートバルブ75の開閉弁761、762、763はいずれも閉じられており、ノズル97には低温DIW、常温DIWおよび高温DIWのいずれも供給されていない。したがって、開閉弁765が開状態となることで大気開放ポート755と連通しているマルチポートバルブ75の合流部771には大気圧が作用する。この大気圧は、合流部771に残留している低温DIWの残液だけでなく、合流部771と連結している接続路772、液供給管96およびノズル97の内部に残留している低温DIWの残液にも作用する。これら各部の残液にはノズル97の吐出口側からも大気圧が作用しているが、これは大気開放ポート755を通じて作用する大気圧によって相殺される。その結果、図6(c)に示すように、低温DIWの残液が自重によりノズル97から落下する。
Therefore, in the present embodiment, the open /
このとき、冷却ガス吐出ノズル3の上部に設けられた排液受け部37および遮断部材9の基板対向面99に設けられたノズル97は互いに対向した状態、すなわち排液受け部37がノズル97の下方に位置する状態となっている。したがって、ノズル97から落下した低温DIWの残液は排液受け部37によって受け止められ、基板表面Wfに形成されている液膜LPや凍結領域FRには落下しない。なお、排液受け部37に溜まった低温DIWの残液は排水管39から排出される。
At this time, the
マルチポートバルブ75の開閉弁765が開いている状態、すなわち大気開放ポート755が大気開放された状態を所定の時間維持する。大気開放状態を維持する時間としては、例えばノズル97から低温DIWの残液が排出されるのに要する時間が1秒程度の場合には、余裕を持たせて2秒程度に設定しておくことが望ましい。また、大気開放を行っている間は冷却ガス吐出ノズル3が中心位置Pcに滞在しており、低温DIWの残液は排液受け部37によって受け止められる。
The state where the on-off
その後、マルチポートバルブ75の開閉弁765を閉じて大気開放ポート755を閉塞し(ステップS108)、続いて、冷却ガス吐出ノズル3を端縁位置Peに向けて走査移動させる(ステップS109)。これにより、図7(a)に示すように、液膜LPが部分的に凍結した凍結領域FRが基板表面Wfの中央部から周縁部へと広がる。そして、冷却ガス吐出ノズル3は中心位置Pcから端縁位置Peへと走査移動した後、待機位置Psまで移動し(ステップS110)、続いて、遮断部材9が基板表面Wfに近接配置される(ステップS111)。このとき、図7(b)に示すように、基板表面Wfの液膜全面が凍結して凍結膜FLが形成されている。
Thereafter, the open /
次に、制御ユニット4からの動作指令に応じてマルチポートバルブ75の開閉弁763が開かれる。その結果、図7(c)に示すように、高温DIW供給系74から供給される高温DIWがノズル97から吐出され、凍結膜FLの融解処理が行われる(ステップS112)。このとき、上記のごとく、低温DIWによる液膜形成が完了した時点でマルチポートバルブ75、液供給管96およびノズル97の内部に残留していた低温DIWの残液が、マルチポートバルブ75の大気開放ポート755を大気開放させることでノズル97よりすでに排出されている。したがって、低温DIWの残液と混ざることによる高温DIWの温度低下が抑制され、速やかに融解処理を行うことが可能となる。なお、このときの基板Wの回転数は、融解した凍結膜を遠心力で振り切るため比較的高速にすることが望ましく、例えば800rpmとすることができる。
Next, the open /
続いて、基板Wの両面に対し常温DIWによるリンス処理を行う(ステップS113)。すなわち、制御ユニット4からの動作指令によりマルチポートバルブ75の開閉弁762を開いて常温DIW供給系73から供給される常温DIWをノズル97から吐出するとともに、下面ノズル27から常温DIWを吐出し、基板Wの両面を常温DIWによりリンス処理する。
Subsequently, a rinsing process with room temperature DIW is performed on both surfaces of the substrate W (step S113). That is, the open /
その後、基板Wの両面への常温DIWの供給をともに停止し、基板を乾燥させる乾燥処理を行う(ステップS114)。すなわち、遮断部材9に設けられたノズル97およびスピンベース23に設けられた下面ノズル27から常温の窒素ガス(乾燥ガス)を吐出させながら基板Wを高速度で回転させることにより、基板Wに残留するDIWを振り切り基板Wを乾燥させる。このとき、例えば基板Wがシリコンウェハの場合には、水膜の周縁で酸素とシリコンが反応して生成されるケイ酸によりウォーターマークと呼ばれる模様が発生し、これが基板表面上に欠陥として残ることがある。しかしながら、上記のように基板Wに対して窒素ガスを供給した状態で乾燥処理を行うことで、処理空間から酸素を排除してウォーターマークの発生を防止することができる。こうして乾燥処理が終了すると、処理済みの基板Wを搬出することによって1枚の基板に対する処理が完了する(ステップS115)。
Thereafter, the supply of the room temperature DIW to both surfaces of the substrate W is stopped, and a drying process for drying the substrate is performed (step S114). That is, by rotating the substrate W at a high speed while discharging nitrogen gas (dry gas) at room temperature from the
以上のように、この実施形態では、冷却ガス吐出ノズル3が液膜LPへの冷却ガスの供給を開始すべく中心位置Pcに滞在しているときに、マルチポートバルブ75の大気開放ポート755が大気開放される。その結果、マルチポートバルブ75、液供給管96およびノズル97の内部に残留している低温DIWの残液が自重によりノズル97から排出される。したがって、凍結膜FLに融解液としての高温DIWを供給する際に、高温DIWが低温DIWと混ざることで初期温度が低下してしまうことを抑制し、速やかな融解処理を行うことが可能となる。
As described above, in this embodiment, when the cooling
さらに、ノズル97から排出される低温DIWの残液を受ける排液受け部37が設けられているので、低温DIWの残液が液膜LPに落下して、液膜LPが凍結する際の妨げとなったり、ゴミが液膜LPに混入したりすることを防止できる。また、ノズル97から排出される低温DIWの残液が凍結領域FRに落下して、融解処理の前に凍結領域FRを融解してしまうことを防止できる。しかも、排液受け部37は冷却ガス吐出ノズル3に設けられているため、排液受け部37を移動させるには回動モータ31を駆動させればよく、排液受け部37用の駆動機構を別に設ける必要がないので、装置の簡素化を図ることが可能となる。また、大気開放により低温DIWの残液を排出するので、残液をパージするための液体や気体を追加的に供給する必要がなく、ランニングコストを抑えることができる。また、低温DIWの残液は自重により落下するだけなので排出速度を小さくすることができ、排液受け部37との衝突時における液の飛散を抑えることができる。
Furthermore, since the
以上説明したように、この実施形態においては、冷却ガス吐出ノズル3が本発明の「凝固用気体供給ノズル」に相当し、遮断部材9が本発明の「雰囲気遮断手段」に相当し、ノズル97が本発明の「液供給ノズル」に相当し、回動モータ31が本発明の「ノズル駆動機構」に相当する。また、処理液供給ユニット7および液供給管96が本発明の「液供給手段」として機能しており、配管721および接続路756が本発明の「凝固対象液用流路」として、配管741および接続路758が本発明の「融解液用流路」として、接続路772および液供給管96が本発明の「接続流路」として機能する。また、大気開放ポート755および開閉弁765が協働して本発明の「大気開放手段」として機能する。また、低温DIWが本発明の「凝固対象液」として、高温DIWが本発明の「融解液」として機能する。
As described above, in this embodiment, the cooling
また、図5の処理においては、ステップS103が本発明の「凝固対象液供給工程」に相当し、S106〜S110において冷却ガスを液膜LPに供給している工程が本発明の「凝固工程」に相当し、S112が本発明の「融解工程」に相当する。 In the process of FIG. 5, step S103 corresponds to the “coagulation target liquid supply process” of the present invention, and the process of supplying the cooling gas to the liquid film LP in S106 to S110 is the “coagulation process” of the present invention. S112 corresponds to the “melting step” of the present invention.
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、処理液供給ユニット7にスローリーク部725や温水循環部745を設けたが、これらを省略することも可能である。さらに、処理液供給ユニット7は少なくとも互いに温度の異なる2種類のDIWを供給できればよく、必ずしも3種類の温度のDIWを供給する必要はないし、互いに温度の異なる4種類以上のDIWを供給してもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the processing
また、上記実施形態ではマルチポートバルブ75の内部に合流部771が設けられているが、合流部の形態はこれに限らない。例えば図8に示すように、マルチポートバルブ75を設けずに、配管721、731、741を適当なジョイント等で直接合流させることにより、処理液供給ユニット7を構成することも可能である。このとき、各配管721、731、741にそれぞれ開閉弁781、782、783を介挿し、制御ユニット4からの動作指令に応じて開閉弁781、782、783が開閉制御されることで所望の温度のDIWが選択的に合流部791に流入する。そして、合流部791の上流側において合流部791を大気と連通させる接続配管799を設け、接続配管799に介挿された開閉弁785を制御ユニット4により開閉制御すればよい。なお、合流部791と液供給管96とは接続配管792によって接続されている。
Moreover, in the said embodiment, although the
また、上記実施形態では、冷却ガス吐出ノズル3が中心位置Pcから冷却ガスの供給を開始するとともに、排液受け部37を冷却ガス吐出ノズル3の上部に設けておくことにより、冷却ガスの供給開始時に排液受け部37でノズル97から排出される低温DIWの残液を受けることができるものとした。しかしながら、冷却ガス吐出ノズル3による冷却ガスの供給を、図3において中心位置Pcよりも端縁位置Pe側の位置から開始することも可能である。以下に、この場合について説明する。
In the above embodiment, the cooling
図9(a)に示すように、冷却ガス吐出ノズル3は、冷却ガスの供給を基板表面Wfの中央部から外れた初期位置から開始してもよい。このとき、初期位置において供給された冷却ガスは初期位置を中心として基板表面Wfに沿って広がり、その一部は基板表面Wfの中央部にも及ぶ。その結果、図9(b)に示すように、初期位置から基板表面Wfの回転中心にわたる範囲において液膜LPを凍結することが可能となる。その後、冷却ガス吐出ノズル3を基板表面Wfの周縁部に向かって走査移動することで、基板表面Wfの全域において凍結膜が形成される。このように冷却ガスが基板表面Wfの中央部に及ぶ範囲内で初期位置を設定し、当該初期位置から冷却ガスの供給を開始することで、冷却ガス吐出ノズル3を走査移動させる範囲を狭くすることができ、走査移動に要する時間を短縮してスループットを向上させることが可能となる。
As shown in FIG. 9A, the cooling
上記のように冷却ガスの供給を基板表面Wfの中央部よりも周縁部側の初期位置から開始する場合には、排液受け部37を冷却ガス吐出ノズル3の側方に設けておくことにより、冷却ガスの供給開始時に排液受け部37をノズル97の下方に位置させることができる。そして、この状態でマルチポートバルブ75の大気開放ポート755が大気開放されることにより、図9(b)に示すように、ノズル97から排出される低温DIWの残液を排液受け部37により受けることができる。
As described above, when the supply of the cooling gas is started from the initial position on the peripheral edge side with respect to the central portion of the substrate surface Wf, the
なお、ノズル97から低温DIWの残液を排出させるタイミングは、冷却ガス吐出ノズル3による冷却ガスの供給開始時に限らず、冷却ガスの供給中としてもよい。この場合、排液受け部37を冷却ガス吐出ノズル3またはアーム35の適当な位置に設け、ノズル97から低温DIWの残液が排出されるときに、排液受け部37をノズル97の下方に配置するよう制御すればよい。
The timing of discharging the low temperature DIW residual liquid from the
また、上記実施形態では、大気開放ポート755を大気開放することで、マルチポートバルブ75、液供給管96およびノズル97の内部に残留している低温DIWの残液をノズル97から排出するものとした。しかしながら、低温DIWの残液を排出する方法はこれに限らない。例えば図5のステップS107にて大気開放ポートを開放する代わりに、マルチポートバルブ75の開閉弁763を開いて、マルチポートバルブ75、液供給管96およびノズル97に高温DIWを流通させて、高温DIWにより低温DIWをパージすることも可能である。このように高温DIWにより低温DIWの残液を押し出してノズル97から排出することで、高温DIWの流路上から確実に低温DIWの残液を排除することができる。また、低温DIWの残液をノズル97からパージする場合には、高温DIWのほかに常温DIWや窒素ガス等を用いることも可能である。
Further, in the above embodiment, by releasing the
また、上記実施形態では、基板Wの表面Wfに対して洗浄処理を実行する場合について説明したが、基板Wの裏面Wbに対して適宜必要な処理を行ってもよいことは言うまでもない。例えば、基板Wの裏面Wbに対しても液膜を形成し、これを凍結させて融解除去することにより洗浄処理を施すことも可能である。 In the above embodiment, the case where the cleaning process is performed on the front surface Wf of the substrate W has been described. Needless to say, the necessary process may be performed on the back surface Wb of the substrate W as appropriate. For example, it is also possible to perform a cleaning process by forming a liquid film on the back surface Wb of the substrate W, and freezing it to remove it by melting.
また、上記実施形態では、冷却ガスおよび乾燥ガスとして同一の窒素ガス貯留部から供給されて互いに温度を異ならせた窒素ガスを用いているが、乾燥ガスおよび冷却ガスとしては窒素ガスに限定されない。例えば、乾燥ガスおよび冷却ガスのいずれか一方または両方を他の不活性ガスとしてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although nitrogen gas supplied from the same nitrogen gas storage part and having mutually different temperature is used as cooling gas and drying gas, drying gas and cooling gas are not limited to nitrogen gas. For example, one or both of the drying gas and the cooling gas may be used as another inert gas.
また、上記実施形態の基板処理装置は、DIW貯留部71を装置内部に内蔵しているが、DIWの供給源については装置の外部に設けてもよく、例えば工場内に既設のDIWの供給源を利用するようにしてもよい。また、DIWを温度調整するための既設設備がある場合には、該設備によって温度調整されたDIWを利用するようにしてもよい。
Moreover, although the substrate processing apparatus of the above embodiment has the
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板全般を処理する基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。 The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for photomask, a glass substrate for liquid crystal display, a glass substrate for plasma display, a substrate for FED (Field Emission Display), a substrate for optical disk, a substrate for magnetic disk, a substrate for magneto-optical disk, etc. The present invention can be applied to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing an entire substrate including the substrate.
3 冷却ガス吐出ノズル(凝固用気体供給ノズル)
7 処理液供給ユニット(液供給手段)
9 遮断部材(雰囲気遮断手段)
31 回動モータ(ノズル駆動機構)
35 アーム
37 排液受け部
75 マルチポートバルブ
96 液供給管(接続流路)
97 ノズル(液供給ノズル)
99 基板対向面
721 配管(凝固対象液用流路)
741 配管(融解液用流路)
755 大気開放ポート(大気開放手段)
756 接続路(凝固対象液用流路)
758 接続路(融解液用流路)
765 開閉弁(大気開放手段)
771 合流部
772 接続路(接続流路)
S103 凝固対象液供給工程
S106〜S110 凝固工程
S112 融解工程
W 基板
Wf 基板表面(上面)
3 Cooling gas discharge nozzle (gas supply nozzle for solidification)
7 Treatment liquid supply unit (liquid supply means)
9 Blocking member (atmosphere blocking means)
31 Rotating motor (nozzle drive mechanism)
35
97 nozzle (liquid supply nozzle)
99
741 Piping (flow path for melt)
755 Air release port (atmosphere release means)
756 Connection path (flow path for coagulation target liquid)
758 Connection path (flow path for melt)
765 On-off valve (atmospheric release means)
S103 Solidification target liquid supply process S106 to S110 Solidification process S112 Melting process W Substrate Wf Substrate surface (upper surface)
Claims (8)
略水平に保持された前記基板の上面に対向する基板対向面と、前記基板の上面中央部に向けて前記凝固対象液および前記融解液を吐出する液供給ノズルとを有する雰囲気遮断手段と、
前記液供給ノズルに前記凝固対象液および前記融解液を供給する液供給手段と、
前記基板上に供給された前記凝固対象液に、前記凝固対象液の凝固点以下の凝固用気体を供給する凝固用気体供給ノズルと、
前記凝固用気体供給ノズルを支持するアームを有し、当該アームとともに前記凝固用気体供給ノズルを移動させるノズル駆動機構と、
前記凝固用気体供給ノズルまたは前記アームに設けられ、前記液供給ノズルから排出される前記凝固対象液を受ける排液受け部と、
を備え、
前記液供給手段は、前記基板上への前記凝固対象液の供給を停止した後、前記凝固対象液の凝固体への前記融解液の供給を開始するまでの間に、少なくとも前記液供給ノズル内に残留している前記凝固対象液の残液を前記液供給ノズルから排出し、
前記ノズル駆動機構は、前記凝固対象液の残液が前記液供給ノズルから排出されている間、前記排液受け部を前記基板の上方かつ前記液供給ノズルの下方に配置することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for coagulating a coagulation target liquid supplied on a substrate and then melting and removing the coagulation body of the coagulation target liquid with a melt higher in temperature than the coagulation target liquid,
An atmosphere blocking means having a substrate facing surface facing the upper surface of the substrate held substantially horizontally, and a liquid supply nozzle for discharging the liquid to be solidified and the melt toward the center of the upper surface of the substrate;
Liquid supply means for supplying the liquid to be solidified and the melt to the liquid supply nozzle;
A coagulation gas supply nozzle for supplying a coagulation gas below the freezing point of the coagulation target liquid to the coagulation target liquid supplied on the substrate;
A nozzle driving mechanism that has an arm for supporting the coagulation gas supply nozzle, and moves the coagulation gas supply nozzle together with the arm;
A drainage receiving portion that is provided on the gas supply nozzle for solidification or the arm and receives the liquid to be solidified discharged from the liquid supply nozzle;
With
The liquid supply means stops at least the inside of the liquid supply nozzle after the supply of the liquid to be solidified on the substrate is stopped and before the supply of the molten liquid to the solidified body of the liquid to be solidified is started. Discharging the residual liquid of the coagulation target liquid remaining in the liquid supply nozzle,
The nozzle driving mechanism arranges the drainage receiving portion above the substrate and below the liquid supply nozzle while the residual liquid of the liquid to be solidified is discharged from the liquid supply nozzle. Substrate processing equipment.
略水平に保持された前記基板上に、液供給ノズルから前記凝固対象液を供給する凝固対象液供給工程と、
前記基板上に供給された前記凝固対象液に、アームで支持された凝固用気体供給ノズルから前記凝固対象液の凝固点以下の凝固用気体を供給する凝固工程と、
前記凝固対象液の凝固体に、前記液供給ノズルから前記融解液を供給する融解工程と、
を備え、
前記凝固対象液供給工程の終了時から前記融解工程の開始時までに、少なくとも前記液供給ノズル内に残留している前記凝固対象液の残液を前記液供給ノズルから排出し、当該排出された残液を前記凝固用気体供給ノズルまたは前記アームに設けられた排液受け部で受けることを特徴とする基板処理方法。
A substrate processing method for coagulating a coagulation target liquid supplied on a substrate and then melting and removing the coagulation body of the coagulation target liquid with a melt higher in temperature than the coagulation target liquid,
A coagulation target liquid supply step for supplying the coagulation target liquid from a liquid supply nozzle onto the substrate held substantially horizontally;
A coagulation step of supplying a coagulation gas below the freezing point of the coagulation target liquid from a coagulation gas supply nozzle supported by an arm to the coagulation target liquid supplied on the substrate;
A melting step of supplying the melt from the liquid supply nozzle to the solidified body of the solidification target liquid;
With
From the end of the solidification target liquid supply process to the start of the melting process, at least the residual liquid of the solidification target liquid remaining in the liquid supply nozzle is discharged from the liquid supply nozzle and discharged A substrate processing method, wherein the residual liquid is received by the coagulation gas supply nozzle or a drain receiving part provided in the arm.
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