JP2003286597A - Substrate-treating apparatus and plating apparatus equipped with the same - Google Patents
Substrate-treating apparatus and plating apparatus equipped with the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハなど
の基板の周縁部をエッチングまたは洗浄するための基板
処理装置およびそれを備えたメッキ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for etching or cleaning a peripheral portion of a substrate such as a semiconductor wafer, and a plating apparatus including the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程では、
半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面
にメッキにより銅薄膜が形成されることがある。ウエハ
を搬送するためのロボットハンドはウエハの周縁部を把
持するため、銅薄膜がウエハの周縁部まで形成されてい
ると、ロボットハンドに銅が付着する。この銅はロボッ
トハンドにより他の工程に持ち込まれて汚染源となる。
このため、ウエハ表面に銅薄膜を形成した後、ウエハの
周縁部の銅薄膜を除去する必要がある。2. Description of the Related Art For example, in a semiconductor device manufacturing process,
A copper thin film may be formed on a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”) by plating. Since the robot hand for transferring the wafer grips the peripheral portion of the wafer, if the copper thin film is formed up to the peripheral portion of the wafer, copper adheres to the robot hand. This copper is brought into another process by the robot hand and becomes a pollution source.
Therefore, it is necessary to remove the copper thin film on the peripheral portion of the wafer after forming the copper thin film on the wafer surface.
【０００３】ウエハ周縁部の薄膜を除去するための先行
技術は、主として３つある。第１の先行技術は、ウエハ
を水平に保持して回転させながら、細管からウエハの周
縁部に向かってエッチング液を吐出し、同時に純水を上
方から基板中心部近傍に供給する技術である。この先行
技術によれば、ウエハの回転数、エッチング液の流量、
および純水の流量を調整することにより、ウエハの周縁
部においてほぼ一定の幅（エッチング幅）で薄膜をエッ
チングできる。There are mainly three prior arts for removing the thin film on the peripheral portion of the wafer. The first prior art is a technology in which the etching liquid is discharged from the narrow tube toward the peripheral edge of the wafer while the wafer is held horizontally and rotated, and at the same time, pure water is supplied from above to the vicinity of the center of the substrate. According to this prior art, the number of rotations of the wafer, the flow rate of the etching solution,
By adjusting the flow rate of pure water and the pure water, the thin film can be etched with a substantially constant width (etching width) at the peripheral portion of the wafer.
【０００４】第２の先行技術は、ウエハ表面にウエハの
径よりわずかに小さな径を有するＯリング状のシール部
材を押し当て、ウエハ周縁部にエッチング液を供給する
技術である。エッチング液はシール部材によりウエハ表
面の内方領域への侵入を阻まれ、ウエハ周縁部の薄膜の
みがエッチングされる。第３の先行技術は、ウエハ表面
の全面に保護コーティング層を形成し、薄膜を除去した
い部分の保護コーティング層を取り除いて、露出した薄
膜をエッチングにより除去するものである。保護コーテ
ィング層は、エッチングの後すべて取り除かれる。The second prior art is a technology in which an O-ring seal member having a diameter slightly smaller than the diameter of the wafer is pressed against the surface of the wafer to supply the etching liquid to the peripheral portion of the wafer. The etchant is prevented from entering the inner region of the wafer surface by the seal member, and only the thin film on the peripheral portion of the wafer is etched. The third prior art is to form a protective coating layer on the entire surface of the wafer, remove the portion of the protective coating layer where the thin film is desired to be removed, and remove the exposed thin film by etching. The protective coating layer is completely removed after etching.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、第１の先行
技術では、エッチング処理が施される領域は、純水とエ
ッチング液との境界で決まるので、エッチング幅を精度
よく制御することができなかった。また、所望のエッチ
ング幅でエッチングするための条件、すなわち、ウエハ
の回転数、エッチング液の流量、および純水の流量など
を、試行錯誤で決めなければならなかった。However, in the first prior art, the region to be etched is determined by the boundary between the pure water and the etching solution, so that the etching width cannot be controlled accurately. It was Further, the conditions for etching with a desired etching width, that is, the number of rotations of the wafer, the flow rate of the etching solution, the flow rate of pure water, and the like have to be determined by trial and error.
【０００６】第２の先行技術においては、シール部材は
ウエハ表面との接触により摩耗するので、頻繁に交換し
なければならなかった。また、シール部材をウエハに押
しつけたとき、シール部材を構成する材料がウエハ表面
に転写されて痕が残り、転写された材料が後のアニール
工程での汚染源となるという問題があった。第３の先行
技術においては、保護コーティング層を形成する工程、
保護コーティング層の一部を取り除く工程、およびエッ
チング後残りの保護コーティング層を取り除く工程が必
要であり、工程および装置の構成が複雑になる。In the second prior art, the seal member was abraded by the contact with the wafer surface and had to be replaced frequently. Further, when the seal member is pressed against the wafer, there is a problem that the material forming the seal member is transferred to the surface of the wafer to leave a trace, and the transferred material becomes a contamination source in a subsequent annealing process. In the third prior art, a step of forming a protective coating layer,
A step of removing a part of the protective coating layer and a step of removing the remaining protective coating layer after etching are required, which complicates the process and the device configuration.
【０００７】そこで、この発明の目的は、基板周縁部の
処理幅の精度が高い基板処理装置を提供することであ
る。この発明の他の目的は、基板周縁部を所望の処理幅
で処理するための条件出しが簡単にできる基板処理装置
を提供することである。この発明のさらに他の目的は、
頻繁に部材を交換せずに基板周縁部を処理できる基板処
理装置を提供することである。Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which the processing width of the peripheral portion of the substrate is high. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of easily setting conditions for processing a peripheral portion of a substrate with a desired processing width. Yet another object of the present invention is to
It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of processing a peripheral portion of a substrate without frequently changing members.
【０００８】この発明のさらに他の目的は、基板の汚染
を少なくして基板周縁部を処理できる基板処理装置を提
供することである。この発明のさらに他の目的は、単純
な工程で基板周縁部の処理ができる基板処理装置を提供
することである。この発明のさらに他の目的は、簡単な
構成で基板周縁部の処理ができる基板処理装置を提供す
ることである。Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of processing the peripheral portion of a substrate with less contamination of the substrate. Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of processing the peripheral portion of a substrate by a simple process. Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of processing the peripheral portion of a substrate with a simple structure.
【０００９】この発明のさらに他の目的は、メッキが施
された基板の周縁部の処理幅の精度が高いメッキ装置を
提供することである。この発明のさらに他の目的は、メ
ッキが施された基板の周縁部を所望の処理幅で処理する
ための条件出しが簡単にできるメッキ装置を提供するこ
とである。この発明のさらに他の目的は、頻繁に部材を
交換せずにメッキが施された基板の周縁部を処理できる
メッキ装置を提供することである。Still another object of the present invention is to provide a plating apparatus in which the processing width of the peripheral portion of the plated substrate is high. Still another object of the present invention is to provide a plating apparatus capable of easily setting conditions for processing a peripheral portion of a plated substrate with a desired processing width. Still another object of the present invention is to provide a plating apparatus capable of processing the peripheral portion of a plated substrate without frequently changing members.
【００１０】この発明のさらに他の目的は、基板の汚染
を少なくしてメッキが施された基板の周縁部を処理でき
るメッキ装置を提供することである。この発明のさらに
他の目的は、メッキ後単純な工程で基板周縁部の処理が
できるメッキ装置を提供することである。この発明のさ
らに他の目的は、簡単な構成でメッキが施された基板の
周縁部を処理できるメッキ装置を提供することである。Still another object of the present invention is to provide a plating apparatus capable of treating the peripheral portion of a plated substrate with less contamination of the substrate. Still another object of the present invention is to provide a plating apparatus capable of processing a peripheral portion of a substrate by a simple process after plating. Still another object of the present invention is to provide a plating apparatus capable of processing a peripheral portion of a plated substrate with a simple structure.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
課題を解決するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）を保持する基板保持機構（３１）と、この基板保
持機構に保持された基板の周縁部を挿入可能な溝（４，
５）を有する処理部材（２，３）と、上記溝の内部に形
成された吐出口から処理液（Ｌ）を吐出させる処理液吐
出手段（１７，１７Ａ，１８，１８Ａ）と、上記溝の内
部に形成された吸入口（３０）から処理液を吸入する処
理液吸入手段（１９，１９Ａ，２０，２０Ａ）とを備え
たことを特徴とする基板処理装置（１３，１４，２６）
である。The invention according to claim 1 for solving the above-mentioned problems is a substrate holding mechanism (31) for holding a substrate (W), and a substrate holding mechanism for holding the substrate (W). Groove (4
5) having a treatment member (2, 3), treatment liquid ejecting means (17, 17A, 18, 18A) for ejecting the treatment liquid (L) from the ejection port formed inside the groove, and the groove Substrate processing apparatus (13, 14, 26), comprising: processing liquid suction means (19, 19A, 20, 20A) for sucking the processing liquid from a suction port (30) formed inside.
Is.
【００１２】なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じ。処理液を吐出口から吐出させると、溝の内部に処
理液が供給される。また、処理液を吸入口から吸入する
と、溝の内部の処理液が排出される。したがって、処理
液の供給量と排出量とがバランスしていると、溝の内部
にはほぼ一定の量の処理液が存在することになる。The alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies in this section below. When the processing liquid is discharged from the discharge port, the processing liquid is supplied inside the groove. Further, when the processing liquid is sucked through the suction port, the processing liquid inside the groove is discharged. Therefore, when the supply amount and the discharge amount of the processing liquid are balanced, a substantially constant amount of the processing liquid exists inside the groove.
【００１３】内部に処理液が存在する溝に基板の周縁部
を挿入することにより、基板の周縁部を処理液により処
理できる。この際、処理液が存在する領域はほぼ溝の内
部の一定の領域に限られており、時間とともに変化しな
いので、基板周縁部の処理幅の精度は高い。また、基板
を所望の処理幅で処理するための条件出しは、基板周縁
部の溝への挿入量（挿入深さ）を調整することによって
行えるので簡単である。By inserting the peripheral portion of the substrate into the groove in which the processing liquid exists, the peripheral portion of the substrate can be processed with the processing liquid. At this time, the region in which the processing liquid exists is substantially limited to a certain region inside the groove and does not change with time, so that the processing width of the peripheral portion of the substrate is highly accurate. In addition, condition determination for processing the substrate with a desired processing width can be performed easily by adjusting the amount of insertion (insertion depth) into the groove at the peripheral edge of the substrate.
【００１４】基板周縁部を処理するにあたって、基板に
接触して摩耗するシール部材は不要である。すなわち、
この基板処理装置は、頻繁な交換を要する部材を必要と
しない。また、基板に接触して転写される部材を要しな
いので、基板の汚染も少なくできる。さらに、基板にコ
ーティング層を形成することも不要であり、単純な工程
で基板周縁部を処理できる。このため、装置構成を簡単
にできる。基板周縁部を処理するにあたって、先に溝の
内部を処理液で満たしてから基板周縁部を溝に挿入して
もよく、基板周縁部を溝に挿入してから溝の内部に処理
液を満たしてもよい。When processing the peripheral portion of the substrate, a seal member that comes into contact with the substrate and is worn away is unnecessary. That is,
This substrate processing apparatus does not require a member that requires frequent replacement. Further, since a member that is brought into contact with and transferred to the substrate is not required, contamination of the substrate can be reduced. Furthermore, it is not necessary to form a coating layer on the substrate, and the peripheral portion of the substrate can be processed by a simple process. Therefore, the device configuration can be simplified. In processing the peripheral portion of the substrate, the inside of the groove may be first filled with the processing liquid and then the peripheral portion of the substrate may be inserted into the groove. Alternatively, the peripheral portion of the substrate may be inserted into the groove and then the processing liquid may be filled inside the groove. May be.
【００１５】処理液は、たとえば、エッチング液とする
ことができる。これにより、たとえば、基板（たとえ
ば、半導体ウエハ）の表面に形成された薄膜（たとえ
ば、銅薄膜）を、基板周縁部についてのみ選択的に除去
できる。また、処理液は洗浄液であってもよい。これに
より、基板周縁部に付着した汚染物質（たとえば、金属
イオン）を除去できるから、基板をハンドリングするロ
ボットのハンドを汚染することを防止できる。The processing liquid can be, for example, an etching liquid. Thereby, for example, a thin film (for example, a copper thin film) formed on the surface of a substrate (for example, a semiconductor wafer) can be selectively removed only at the peripheral portion of the substrate. Further, the processing liquid may be a cleaning liquid. As a result, contaminants (for example, metal ions) attached to the peripheral portion of the substrate can be removed, so that it is possible to prevent the robot hand that handles the substrate from being contaminated.
【００１６】請求項２記載の発明は、上記処理部材が撥
水性を有していることを特徴とする請求項１記載の基板
処理装置である。処理部材が撥水性を有することによ
り、溝から処理液が流れ出し難くなる。処理部材全体を
撥水性の材料で構成してもよく、処理部材の表面のみが
撥水性を有するように表面処理されていてもよい。撥水
性の材料としては、たとえば、フッ素樹脂を用いること
ができる。The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing member has water repellency. Since the treatment member has water repellency, it is difficult for the treatment liquid to flow out from the groove. The entire treatment member may be made of a water-repellent material, or only the surface of the treatment member may be surface-treated so as to have water repellency. As the water repellent material, for example, a fluororesin can be used.
【００１７】請求項３記載の発明は、上記基板保持機構
に保持された基板の周縁部と上記処理部材とを相対的に
移動することによって、上記処理部材の溝内の処理液に
よる処理位置を当該基板の周縁部に沿って変化させる処
理位置移動手段（３５）をさらに備えたことを特徴とす
る請求項１または２記載の基板処理装置である。この発
明によれば、処理部材の溝が基板周縁部の一部に対応す
るで長さを有していた場合あっても、処理位置を移動さ
せることにより基板周縁部を全周にわたって処理でき
る。According to a third aspect of the present invention, the processing position of the processing liquid in the groove of the processing member is changed by relatively moving the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding mechanism and the processing member. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising processing position moving means (35) for changing along the peripheral portion of the substrate. According to the present invention, even when the groove of the processing member has a length corresponding to a part of the peripheral portion of the substrate, the peripheral portion of the substrate can be processed over the entire circumference by moving the processing position.
【００１８】処理対象の基板がウエハのような円形基板
である場合、処理位置移動手段は基板保持機構に保持さ
れた基板を一定の面内で回転させる基板回転機構であっ
てもよい。基板回転機構により基板をその中心のまわり
に回転させながら基板周縁部の処理を行うことができ
る。この場合、円形基板の周縁部に対する処理部材の相
対的な移動方向は、円形基板の接線方向となる。また、
この場合、処理部材は移動させる必要がなく、基板の周
縁部を全周にわたって容易に処理できる。When the substrate to be processed is a circular substrate such as a wafer, the processing position moving means may be a substrate rotating mechanism for rotating the substrate held by the substrate holding mechanism within a certain plane. The substrate rotating mechanism allows the substrate peripheral portion to be processed while rotating the substrate around its center. In this case, the relative movement direction of the processing member with respect to the peripheral portion of the circular substrate is the tangential direction of the circular substrate. Also,
In this case, it is not necessary to move the processing member, and the peripheral portion of the substrate can be easily processed over the entire circumference.
【００１９】基板が多角形（たとえば、正方形や長方
形）である場合は、基板を固定しておく一方で、処理部
材を移動機構により基板の周縁部に沿って移動させる構
成としてもよい。請求項４記載の発明は、上記吐出口お
よび上記吸入口が、上記処理部材による処理位置に対す
る基板の周縁部の相対移動方向に沿って配置されている
ことを特徴とする請求項３記載の基板処理装置である。When the substrate has a polygonal shape (for example, a square or a rectangle), the substrate may be fixed and the processing member may be moved along the peripheral edge of the substrate by a moving mechanism. The invention according to claim 4 is characterized in that the discharge port and the suction port are arranged along a relative movement direction of a peripheral portion of the substrate with respect to a processing position by the processing member. It is a processing device.
【００２０】この発明によれば、溝の中で処理液が流れ
る方向と基板の周縁部の処理位置に対する相対移動方向
とは平行になる。したがって、基板の周縁部の処理を施
す領域と周縁部以外の処理を施さない領域との境界を明
確に（シャープに）できる。請求項５記載の発明は、上
記処理部材において、上記吸入口が上記吐出口よりも上
記処理部材による処理位置に対する基板の周縁部の相対
移動方向に関して下流側に配されていることを特徴とす
る請求項４記載の基板処理装置である。According to the present invention, the direction in which the processing liquid flows in the groove is parallel to the relative movement direction of the peripheral portion of the substrate with respect to the processing position. Therefore, it is possible to clearly (sharply) the boundary between the region to be processed on the peripheral portion of the substrate and the region to be processed other than the peripheral portion. The invention according to claim 5 is characterized in that, in the processing member, the suction port is arranged downstream of the discharge port with respect to a relative movement direction of a peripheral portion of the substrate with respect to a processing position by the processing member. The substrate processing apparatus according to claim 4.
【００２１】この発明によれば、溝の中で処理液が流れ
る方向と処理位置に対する基板の周縁部の相対移動方向
とはほぼ同じである。このため、処理液と基板との間の
相対的な移動速度は小さく、溝の内部の処理液が基板に
よりかき乱され難い。したがって、基板の周縁部の処理
を施す領域と周縁部以外の処理を施さない領域との境界
を明確に（シャープに）できる。また、溝の内部の処理
液が跳ね飛ばされて、基板の内方の領域に処理液が接す
る事態も起こり難い。According to the present invention, the direction in which the processing liquid flows in the groove and the relative movement direction of the peripheral portion of the substrate with respect to the processing position are substantially the same. Therefore, the relative moving speed between the processing liquid and the substrate is small, and the processing liquid inside the groove is less likely to be disturbed by the substrate. Therefore, it is possible to clearly (sharply) the boundary between the region to be processed on the peripheral portion of the substrate and the region to be processed other than the peripheral portion. Further, it is unlikely that the processing liquid inside the groove is splashed and the processing liquid comes into contact with the inner region of the substrate.
【００２２】請求項６記載の発明は、上記処理部材が複
数設けられていて、それぞれの上記処理部材の上記溝に
１枚の基板を同時に挿入可能であることを特徴とする請
求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であ
る。複数の処理部材を用いて１枚の基板を処理すること
により、基板１枚あたりの処理時間を短縮できる。請求
項７記載の発明は、上記基板保持機構に保持された基板
にリンス液を供給するリンス液供給手段（３９，３９
Ｂ，４０）をさらに備えたことを特徴とする請求項１な
いし６のいずれかに記載の基板処理装置である。The invention according to claim 6 is characterized in that a plurality of the processing members are provided, and one substrate can be simultaneously inserted into the groove of each of the processing members. The substrate processing apparatus described in any one of 1. By processing one substrate using a plurality of processing members, the processing time per substrate can be shortened. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided rinse liquid supply means (39, 39) for supplying a rinse liquid to the substrate held by the substrate holding mechanism.
B, 40) is further provided, The substrate processing apparatus in any one of Claim 1 thru | or 6 characterized by the above-mentioned.
【００２３】リンス液供給手段は、たとえば、処理位置
移動手段が基板回転機構である場合に、基板回転機構に
より回転されている基板の表面の中心近傍にリンス液を
吐出するものであってもよい。このような基板処理装置
により、たとえば、リンス液供給手段により基板表面に
リンス液を供給しながら、処理部材により、たとえば、
エッチング液で基板周縁部のエッチング処理を施すこと
ができる。この場合、エッチング液が基板表面の内方に
跳ねて飛んだ場合でも、基板表面にはリンス液が流れて
いるのでエッチング液が直接基板に接することはない。
したがって、基板表面の内方の領域において不所望なエ
ッチングがされることがない。リンス液は、たとえば、
純水であってもよい。The rinsing liquid supply means may be one that discharges the rinsing liquid near the center of the surface of the substrate rotated by the substrate rotating mechanism when the processing position moving means is the substrate rotating mechanism, for example. . With such a substrate processing apparatus, for example, while supplying the rinsing liquid to the substrate surface by the rinsing liquid supplying means, the rinsing liquid is supplied by the processing member, for example,
The peripheral edge of the substrate can be etched with an etching solution. In this case, even if the etching solution splashes inward on the substrate surface, the rinsing solution flows on the substrate surface, so that the etching solution does not come into direct contact with the substrate.
Therefore, undesired etching is not performed in the region inside the substrate surface. The rinse liquid is, for example,
It may be pure water.
【００２４】請求項８記載の発明は、上記処理部材を、
上記基板保持機構に保持された基板に対して平行に移動
させて基板と上記処理部材との間隔を変化させる移動機
構（１５，１６）をさらに備えたことを特徴とする請求
項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置である。
移動機構により処理部材を移動させて、溝に対する基板
周縁部の挿入量（挿入深さ）を調整して、所望の処理幅
に調整できる。According to an eighth aspect of the present invention, the processing member comprises:
8. The moving mechanism (15, 16) for moving the substrate held by the substrate holding mechanism in parallel to change the distance between the substrate and the processing member, further comprising: The substrate processing apparatus according to any one of the claims.
The processing member can be moved by the moving mechanism to adjust the insertion amount (insertion depth) of the peripheral portion of the substrate into the groove to adjust the processing width to a desired value.
【００２５】また、移動機構により処理部材を移動させ
て、基板周縁部が溝に挿入された処理位置と処理部材が
基板の側方に退避した退避位置との間で、処理部材を移
動させることができるようにしておくことが好ましい。
これにより、処理部材を退避位置に移動して、基板の搬
入／搬出を行うことができる。請求項９記載の発明は、
上記基板保持機構に保持された基板の周囲を取り囲むよ
うに配置可能なガード部材（１２）をさらに備えたこと
を特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板
処理装置である。Further, the processing member is moved by the moving mechanism so that the processing member is moved between the processing position where the peripheral portion of the substrate is inserted into the groove and the retracted position where the processing member is retracted to the side of the substrate. It is preferable to be able to.
As a result, the processing member can be moved to the retracted position to carry in / out the substrate. The invention according to claim 9 is
9. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a guard member (12) that can be arranged so as to surround the periphery of the substrate held by the substrate holding mechanism.
【００２６】この発明によれば、たとえば、基板が回転
されていて基板から遠心力により振り切られて飛んだ処
理液やリンス液をガード部材で受けることができる。請
求項１０記載の発明は、上記処理部材を支持するアーム
（８，９）をさらに備え、上記アームが上記ガード部材
を貫通して配されていることを特徴とする請求項９記載
の基板処理装置（２６）である。この基板処理装置が移
動機構を備えている場合、移動機構はアームをその長さ
方向に沿って移動させることにより、処理部材を移動さ
せることができる。このような構成により、アームがガ
ード部材を回避するように上方から処理部材を支持する
ように構成されていた場合と比べて、高さ方向に関して
装置を小型化できる。According to the present invention, for example, the substrate can be rotated and the guard member can receive the processing liquid and the rinse liquid which are spun off from the substrate by centrifugal force and flown. The invention according to claim 10 further comprises an arm (8, 9) for supporting the processing member, wherein the arm is arranged so as to penetrate the guard member. The device (26). When this substrate processing apparatus includes a moving mechanism, the moving mechanism can move the processing member by moving the arm along the length direction thereof. With such a configuration, the device can be downsized in the height direction as compared with the case where the arm is configured to support the processing member from above so as to avoid the guard member.
【００２７】アームの内部には、溝の内部に処理液を供
給する処理液供給配管および溝の内部の処理液を吸入し
て排出する処理液排出配管が挿通されていてもよい。処
理液供給配管や処理液排出配管自体に剛性を持たせてア
ームとして機能させるようにしてもよい。請求項１１記
載の発明は、基板にメッキを施すメッキ処理部（２１，
２２）と、このメッキ処理部で表面に薄膜が形成された
基板に対して、周縁部の薄膜をエッチングにより除去す
るために、上記処理液としてエッチング液を用いた請求
項１ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置とを備
えたことを特徴とするメッキ装置である。A processing liquid supply pipe for supplying the processing liquid into the groove and a processing liquid discharge pipe for sucking and discharging the processing liquid inside the groove may be inserted through the inside of the arm. The treatment liquid supply pipe and the treatment liquid discharge pipe may be made rigid to function as an arm. According to an eleventh aspect of the present invention, a plating processing part (21,
22) and an etching liquid is used as the processing liquid for removing the peripheral thin film by etching with respect to the substrate having a thin film formed on the surface by the plating treatment. And a substrate processing apparatus described in 1 ..
【００２８】このメッキ装置によれば、メッキ処理部で
基板の表面にメッキ処理を施した後、基板処理装置で基
板周縁部の薄膜をエッチングにより除去でき、請求項１
ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置と同様の効
果を奏することができる。According to this plating apparatus, after the surface of the substrate is plated by the plating unit, the thin film on the peripheral portion of the substrate can be removed by etching by the substrate processing unit.
The effects similar to those of the substrate processing apparatus according to any one of items 1 to 10 can be obtained.
【００２９】[0029]
【発明の実施の形態】以下では、添付図面を参照して、
本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、
本発明の一実施形態に係るメッキ装置のレイアウトを示
す図解的な平面図である。このメッキ装置は、基板の一
例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」とい
う。）Ｗに対して、その表面に銅薄膜を形成した後、ウ
エハ周縁部の銅薄膜を除去するための装置である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, referring to the accompanying drawings,
Embodiments of the present invention will be described in detail. Figure 1
It is a schematic plan view showing a layout of a plating apparatus according to an embodiment of the present invention. This plating apparatus is an apparatus for forming a copper thin film on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”) W, which is an example of a substrate, and then removing the copper thin film on the peripheral portion of the wafer. is there.
【００３０】このメッキ装置は、未処理のウエハＷおよ
び処理後のウエハＷを収納するためのカセットＣが所定
方向に沿って複数個配列されるカセット載置部１と、ウ
エハＷに対してメッキ処理を施して銅薄膜を形成する複
数（この実施形態では２つ）のメッキ処理部２１，２２
と、メッキ処理が施されたウエハＷの周縁部の銅薄膜を
エッチングにより除去した後、洗浄および乾燥する複数
（この実施形態では２つ）のエッチング処理部２３，２
４とを備えている。エッチング処理部２３，２４は、そ
れぞれエッチング装置１３，１４を備えている。In this plating apparatus, a cassette mounting portion 1 in which a plurality of cassettes C for accommodating unprocessed wafers W and processed wafers W are arranged in a predetermined direction, and the wafer W is plated. Plural (two in this embodiment) plated portions 21 and 22 that are subjected to treatment to form a copper thin film
And a plurality of (two in this embodiment) etching processing portions 23, 2 which are cleaned and dried after the copper thin film on the peripheral portion of the plated wafer W is removed by etching.
4 and. The etching processing units 23 and 24 include etching devices 13 and 14, respectively.
【００３１】複数のメッキ処理部２１，２２および複数
のエッチング処理部２３，２４は、直線搬送路２７の両
側に沿って配列されており、直線搬送路２７には、この
直線搬送路２７に沿って往復移動可能な主搬送ロボット
２５が設けられている。また、カセット載置部１の近傍
には、カセットＣの整列方向に沿って移動可能なインデ
クサロボット１１が設けられており、このインデクサロ
ボット１１は主搬送ロボット２５との間でウエハＷの受
け渡しを行うことができる。The plurality of plating processing parts 21 and 22 and the plurality of etching processing parts 23 and 24 are arranged along both sides of the linear transport path 27, and the linear transport path 27 is provided along the linear transport path 27. A main transfer robot 25 capable of reciprocating is provided. In addition, an indexer robot 11 that is movable in the alignment direction of the cassettes C is provided in the vicinity of the cassette placing unit 1, and the indexer robot 11 transfers the wafer W to and from the main transfer robot 25. It can be carried out.
【００３２】未処理のウエハＷは、インデクサロボット
１１によってカセットＣから１枚ずつ取り出されて、主
搬送ロボット２５に受け渡される。主搬送ロボット２５
は、メッキ処理部２１，２２のいずれかに未処理のウエ
ハＷを搬入する。メッキ処理が施されたウエハＷは、主
搬送ロボット２５により、メッキ処理部２１，２２のい
ずれかからエッチング処理部２３，２４のいずれかに搬
入される。エッチング処理、洗浄および乾燥が終了した
ウエハＷは、主搬送ロボット２５によってエッチング処
理部２３，２４のいずれかから搬出され、インデクサロ
ボット１１に受け渡された後、カセット載置部１に載置
されたカセットＣに収容される。The unprocessed wafers W are taken out from the cassette C one by one by the indexer robot 11 and transferred to the main transfer robot 25. Main transport robot 25
Carries an unprocessed wafer W into either of the plating processing parts 21 and 22. The wafer W that has been subjected to the plating processing is carried into the etching processing section 23 or 24 from either the plating processing section 21 or 22 by the main transfer robot 25. The wafer W, which has been subjected to etching processing, cleaning and drying, is carried out from the etching processing section 23 or 24 by the main transfer robot 25, transferred to the indexer robot 11, and then mounted on the cassette mounting section 1. It is accommodated in the cassette C.
【００３３】図２は、エッチング装置１３，１４の共通
の構成を示す図解的な斜視図である。ほぼ円筒状の洗浄
カップ１２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転す
るスピンチャック３１が備えられている。スピンチャッ
ク３１は、ウエハＷの周縁部に接触することなく、ウエ
ハＷの底面中央部のみを吸着することにより、ウエハＷ
を保持できるようになっている。スピンチャック３１は
鉛直方向に沿って配された回転軸３４を有しており、回
転軸３４には回転駆動機構３５からの回転駆動力が伝達
されるようになっている。FIG. 2 is a schematic perspective view showing a common structure of the etching apparatuses 13 and 14. A spin chuck 31 that holds and rotates the wafer W substantially horizontally is provided in the cleaning cup 12 having a substantially cylindrical shape. The spin chuck 31 attracts only the central portion of the bottom surface of the wafer W without coming into contact with the peripheral portion of the wafer W, so that the wafer W
Can be held. The spin chuck 31 has a rotary shaft 34 arranged along the vertical direction, and the rotary drive force from a rotary drive mechanism 35 is transmitted to the rotary shaft 34.
【００３４】洗浄カップ１２には、この洗浄カップ１２
を昇降させる昇降機構３２が結合されていて、スピンチ
ャック３１の上部が洗浄カップ１２内に収容された状態
と洗浄カップ１２の上端より高い状態とにできるように
なっている。スピンチャック３１の上方には、ノズル４
０が配置されている。ノズル４０には純水配管３９が連
通接続されており、純水配管３９には純水供給源が接続
されている。純水配管３９にはバルブ３９Ｂが介装され
ており、バルブ３９を開くことによりノズル４０から純
水を吐出して、スピンチャック３１に保持されたウエハ
Ｗに純水を供給できるようになっている。The cleaning cup 12 includes the cleaning cup 12
An elevating mechanism 32 for elevating and lowering the spin chuck 31 is connected so that the upper portion of the spin chuck 31 can be placed in the cleaning cup 12 and higher than the upper end of the cleaning cup 12. Above the spin chuck 31, the nozzle 4
0 is placed. A pure water pipe 39 is connected to the nozzle 40, and a pure water supply source is connected to the pure water pipe 39. A valve 39B is interposed in the pure water pipe 39, and by opening the valve 39, pure water can be discharged from the nozzle 40 and the pure water can be supplied to the wafer W held by the spin chuck 31. There is.
【００３５】ノズル４０にはノズル移動機構３７が結合
されている。このノズル移動機構３７により、ノズル４
０をスピンチャック３１に保持されたウエハＷの上方の
処理位置およびその側方の退避位置の間で移動できるよ
うになっている。スピンチャック３１に保持されたウエ
ハＷの側方に位置するように、２つのエッチング処理部
材２，３が配されている。エッチング処理部材２，３
は、フッ素樹脂でできており撥水性を有している。エッ
チング処理部材２とエッチング処理部材３とは、ウエハ
Ｗの中心を挟んで互いに対向して配置されている。エッ
チング処理部材２，３のウエハＷ側の側面には、ウエハ
Ｗの表面に沿う水平方向に延びる溝４，５が形成されて
おり、ウエハＷの周縁部は溝４，５内に挿入できるよう
になっている。A nozzle moving mechanism 37 is connected to the nozzle 40. With this nozzle moving mechanism 37, the nozzle 4
0 can be moved between the processing position above the wafer W held by the spin chuck 31 and the retreat position on the side thereof. Two etching processing members 2 and 3 are arranged so as to be located on the side of the wafer W held by the spin chuck 31. Etching members 2, 3
Is made of fluororesin and has water repellency. The etching processing member 2 and the etching processing member 3 are arranged to face each other with the center of the wafer W interposed therebetween. Grooves 4 and 5 extending in the horizontal direction along the surface of the wafer W are formed on the side surface of the etching processing members 2 and 3 on the wafer W side, and the peripheral edge of the wafer W can be inserted into the grooves 4 and 5. It has become.
【００３６】エッチング処理部材２，３の上部には鉛直
方向に延びる鉛直アーム６，７がそれぞれ結合されてお
り、鉛直アーム６，７の上端には、互いに反対方向に水
平方向に延びる水平アーム８，９がそれぞれ結合されて
いる。水平アーム８，９には、アーム移動機構１５，１
６がそれぞれ結合されており、水平アーム８，９をそれ
らの長さ方向に沿う方向に移動できるようになってい
る。これにより、エッチング処理部材２，３を、ウエハ
Ｗの周縁部が溝４，５に挿入された処理位置および処理
位置から退避してウエハＷから離れた退避位置との間で
移動させることができる。Vertical arms 6 and 7 extending in the vertical direction are respectively coupled to the upper portions of the etching processing members 2 and 3, and horizontal arms 8 extending horizontally in opposite directions are provided at the upper ends of the vertical arms 6 and 7. , 9 are respectively coupled. The horizontal arms 8 and 9 have arm moving mechanisms 15 and 1, respectively.
6 are connected to each other so that the horizontal arms 8 and 9 can be moved in the direction along their length. As a result, the etching processing members 2 and 3 can be moved between the processing position where the peripheral edge of the wafer W is inserted into the grooves 4 and 5 and the retreat position away from the wafer W by retreating from the processing position. .
【００３７】鉛直アーム６，７および水平アーム８，９
の内部には、溝４，５の内部空間に連通接続されたエッ
チング液供給配管１７，１８およびエッチング液排出配
管１９，２０がそれぞれ挿通されている。エッチング液
供給配管１７，１８およびエッチング液排出配管１９，
２０は、エッチング液Ｌが収容された回収槽３８に接続
されている。エッチング液供給配管１７，１８は、回収
槽３８内の底部近傍まで延設されている。エッチング液
供給配管１７，１８には、ポンプ１７Ａ，１８Ａがそれ
ぞれ介装されており、ポンプ１７Ａ，１８Ａを作動させ
ることにより、回収槽３８内のエッチング液Ｌを溝４，
５の内部空間に送ることができる。Vertical arms 6, 7 and horizontal arms 8, 9
Etching liquid supply pipes 17 and 18 and etching liquid discharge pipes 19 and 20 which are connected to the inner spaces of the grooves 4 and 5 are inserted into the inside of the chamber. Etching liquid supply pipes 17, 18 and etching liquid discharge pipes 19,
20 is connected to a recovery tank 38 containing the etching liquid L. The etching liquid supply pipes 17 and 18 are extended to near the bottom of the recovery tank 38. Pumps 17A and 18A are provided in the etching liquid supply pipes 17 and 18, respectively. By operating the pumps 17A and 18A, the etching liquid L in the recovery tank 38 is removed from the grooves 4 and 4.
5 can be sent to the internal space.
【００３８】エッチング液排出配管１９，２０には、ポ
ンプ１９Ａ，２０Ａがそれぞれ介装されており、ポンプ
１９Ａ，２０Ａを作動させることにより、溝４，５の内
部空間にあるエッチング液Ｌを吸引して回収槽３８に送
ることができる。回収槽３８から溝４，５の内部空間へ
供給されるエッチング液Ｌの流量と、溝４，５の内部空
間から吸引されるエッチング液Ｌの流量とがほぼ等しく
なるようにポンプ１７Ａ，１８Ａ，１９Ａ，２０Ａが調
整されている。Pumps 19A and 20A are provided in the etching liquid discharge pipes 19 and 20, respectively. By operating the pumps 19A and 20A, the etching liquid L in the internal spaces of the grooves 4 and 5 is sucked. It can be sent to the recovery tank 38. The pumps 17A, 18A, 18A, 18A, 18A 19A and 20A are adjusted.
【００３９】回転駆動機構３５、昇降機構３２、アーム
移動機構１５，１６、ノズル移動機構３７、およびポン
プ１７Ａ，１８Ａ，１９Ａ，２０Ａの動作は、制御部１
０により制御される。図３（ａ）は、エッチング処理部
材３の構造を示す図解的な平面図であり、図３（ｂ）は
図３（ａ）のIII−III切断線断面図である。エッチング
液排出配管２０は、エッチング液供給配管１８よりも、
ウエハWの回転進行方向（ウエハＷの周縁部の移動方
向）に関して下流側に配されている。エッチング液排出
配管２０は、吸入口３０を介して溝５の内部空間に連通
接続されている（図３（ｂ））。同様に、エッチング液
供給配管１８も吐出口を介して溝５の内部空間に連通接
続されている。The operation of the rotary drive mechanism 35, the elevating mechanism 32, the arm moving mechanisms 15 and 16, the nozzle moving mechanism 37, and the pumps 17A, 18A, 19A and 20A is performed by the control unit 1.
Controlled by 0. 3A is a schematic plan view showing the structure of the etching member 3, and FIG. 3B is a sectional view taken along the line III-III of FIG. 3A. The etching liquid discharge pipe 20 is
The wafer W is arranged on the downstream side with respect to the rotation advancing direction (the moving direction of the peripheral portion of the wafer W). The etching solution discharge pipe 20 is connected to the internal space of the groove 5 through the suction port 30 (FIG. 3B). Similarly, the etching liquid supply pipe 18 is also connected to the internal space of the groove 5 through the discharge port.
【００４０】同様に、エッチング処理部材２（図３で
は、図示を省略）において、エッチング液排出配管１９
は、エッチング液供給配管１７に対してウエハWの回転
進行方向下流側に配されている。エッチング液排出配管
１９は、吸入口を介して溝４の内部空間に連通接続され
ており、エッチング液供給配管１７は吐出口を介して溝
４の内部空間に連通接続されている。エッチング処理部
材２，３のウエハＷの中心に対向する側の端面は、平面
視においてウエハＷの周縁に沿う凹状円弧形状を有して
いる。これにより、溝４，５内において、ウエハＷの周
縁部とエッチング液Ｌとの接触幅が長い距離にわたって
正確に規定される。Similarly, in the etching treated member 2 (not shown in FIG. 3), the etching liquid discharge pipe 19 is used.
Is arranged on the downstream side of the etching liquid supply pipe 17 in the direction in which the wafer W rotates. The etching liquid discharge pipe 19 is connected to the internal space of the groove 4 through the suction port, and the etching liquid supply pipe 17 is connected to the internal space of the groove 4 through the discharge port. The end faces of the etching processing members 2 and 3 on the side facing the center of the wafer W have a concave arc shape along the peripheral edge of the wafer W in a plan view. As a result, the contact width between the peripheral portion of the wafer W and the etching liquid L is accurately defined in the grooves 4 and 5 over a long distance.
【００４１】処理部材２，３が処理位置にあるとき、ウ
エハＷの表面と溝５（４）内壁の上面および下面との間
隔は、たとえば、１ｍｍ程度に調整されている。図２お
よび図３を参照して、エッチング装置１３，１４により
ウエハＷの周縁部をエッチングするときは、先ず、制御
部１０によりアーム移動機構１５，１６およびノズル移
動機構３７が制御されて、エッチング処理部材２，３お
よびノズル４０が退避位置に退避される。When the processing members 2 and 3 are at the processing position, the distance between the surface of the wafer W and the upper and lower surfaces of the inner wall of the groove 5 (4) is adjusted to about 1 mm, for example. Referring to FIGS. 2 and 3, when the peripheral portions of wafer W are etched by etching apparatuses 13 and 14, first, controller 10 controls arm moving mechanisms 15 and 16 and nozzle moving mechanism 37 to perform etching. The processing members 2, 3 and the nozzle 40 are retracted to the retracted position.
【００４２】続いて、制御部１０により昇降機構３２が
制御されて洗浄カップ１２が下降されて、スピンチャッ
ク３１の上部が洗浄カップ１２の上端より高くされる。
そして、主搬送ロボット２５の搬送アームにより、メッ
キ処理部２１，２２でメッキ処理が施されたウエハＷが
搬入されて、ウエハＷの中心が回転軸３４の中心軸上に
のるようにウエハＷがスピンチャック３１に保持され
る。ウエハＷは、メッキ処理が施された面が上方に向け
られて保持される。Then, the controller 10 controls the elevating mechanism 32 to lower the cleaning cup 12 so that the upper part of the spin chuck 31 is higher than the upper end of the cleaning cup 12.
Then, the transfer arm of the main transfer robot 25 carries in the wafer W plated by the plating units 21 and 22, and the center of the wafer W is on the central axis of the rotation shaft 34. Are held by the spin chuck 31. The wafer W is held with its plated surface facing upward.
【００４３】その後、制御部１０によりアーム移動機構
１５，１６およびノズル移動機構３７が制御されて、エ
ッチング処理部材２，３およびノズル４０が処理位置に
移動される。これにより、ウエハＷの周縁部が溝４，５
に挿入された状態となる。溝４，５へのウエハＷ周縁部
の挿入量（挿入深さ）Ｄ（図３（ｂ）参照）は、ウエハ
Ｗ周縁部において薄膜を除去するエッチング幅により決
められる。すなわち、エッチング幅が大きい場合は挿入
量Ｄは大きくされ、エッチング幅が小さい場合は挿入量
Ｄは小さくされる。After that, the control unit 10 controls the arm moving mechanisms 15 and 16 and the nozzle moving mechanism 37 to move the etching processing members 2 and 3 and the nozzle 40 to the processing position. As a result, the peripheral portion of the wafer W has grooves 4, 5
It will be in the state of being inserted into. The insertion amount (insertion depth) D (see FIG. 3B) of the peripheral edge of the wafer W into the grooves 4 and 5 is determined by the etching width for removing the thin film at the peripheral edge of the wafer W. That is, when the etching width is large, the insertion amount D is increased, and when the etching width is small, the insertion amount D is decreased.
【００４４】そして、制御部１０により昇降機構３２が
制御されて洗浄カップ１２が上昇される。これにより、
スピンチャック３１に保持されたウエハＷの側方は洗浄
カップ１２で囲まれた状態となる。続いて、制御部１０
により回転駆動機構３５が制御されて、スピンチャック
３１に保持されたウエハＷが回転される。そして、制御
部１０によりポンプ１７Ａ，１８Ａ，１９Ａ，２０Ａが
作動される。これにより、回収槽３８から溝４，５内に
エッチング液Ｌが供給されると同時に溝４，５内のエッ
チング液Ｌは排出されて回収槽３８に回収される。この
ようにエッチング液Ｌは所定の経路に沿って循環する。
このとき、溝４，５内はエッチング液Ｌでほぼ満たされ
た状態となる。エッチング処理部材２，３は撥水性を有
しているので、エッチング液Ｌはエッチング処理部材
２，３の表面を伝って溝４，５から流れ出し難くなって
いる。The controller 10 controls the elevating mechanism 32 to raise the cleaning cup 12. This allows
The side of the wafer W held by the spin chuck 31 is surrounded by the cleaning cup 12. Then, the control unit 10
Thus, the rotation drive mechanism 35 is controlled, and the wafer W held by the spin chuck 31 is rotated. Then, the control unit 10 operates the pumps 17A, 18A, 19A, 20A. As a result, the etching liquid L is supplied from the recovery tank 38 into the grooves 4 and 5, and at the same time, the etching liquid L in the grooves 4 and 5 is discharged and recovered in the recovery tank 38. In this way, the etching liquid L circulates along a predetermined path.
At this time, the grooves 4 and 5 are almost filled with the etching liquid L. Since the etching-processed members 2 and 3 have water repellency, it is difficult for the etching solution L to flow out from the grooves 4 and 5 along the surfaces of the etching-processed members 2 and 3.
【００４５】さらに、制御部１０の制御によりバルブ３
９Ｂが開かれて、ウエハＷの表面の中心近傍に純水が供
給される。純水は、遠心力によりウエハＷの周縁部へと
拡がりウエハＷの上側表面のほぼ全面を覆う。ウエハＷ
の周縁部は溝４，５内に挿入されているので、ウエハＷ
表面の銅薄膜のうち周縁部のものはエッチング液Ｌに溶
解される。ウエハＷは回転しているので、ウエハＷの周
縁部とエッチング処理部材２，３による処理位置との相
対変位が生じ、その結果、ウエハＷ周縁部は全周にわた
ってエッチングされる。処理位置の移動方向は、ウエハ
Ｗ周縁の接線方向となる。Further, the valve 3 is controlled by the control unit 10.
9B is opened, and pure water is supplied near the center of the surface of the wafer W. The pure water spreads to the peripheral edge of the wafer W by centrifugal force and covers almost the entire upper surface of the wafer W. Wafer W
Since the peripheral portion of the wafer W is inserted into the grooves 4 and 5, the wafer W
Of the copper thin film on the surface, the peripheral one is dissolved in the etching liquid L. Since the wafer W is rotating, relative displacement occurs between the peripheral portion of the wafer W and the processing positions of the etching processing members 2 and 3, and as a result, the peripheral portion of the wafer W is etched over the entire circumference. The moving direction of the processing position is the tangential direction of the peripheral edge of the wafer W.
【００４６】エッチング処理部材２，３において、エッ
チング液排出配管１９，２０はエッチング液供給配管１
７，１８よりウエハWの回転進行方向下流側に配されて
いるので、溝４，５内におけるエッチング液Ｌの流れの
方向と、ウエハＷの回転進行方向とは一致している。し
たがって、溝４，５内のエッチング液ＬとウエハＷとの
間の相対的な移動速度は小さく、エッチング液Ｌは回転
するウエハＷによってかき乱され難い。したがって、ウ
エハＷ周縁部のエッチングを施す領域と周縁部以外のエ
ッチングを施さない領域（デバイス形成領域）との境界
をシャープにできる。In the etching members 2 and 3, the etching liquid discharge pipes 19 and 20 are the etching liquid supply pipe 1
Since it is arranged on the downstream side of the rotation advancing direction of the wafer W with respect to 7 and 18, the flow direction of the etching liquid L in the grooves 4 and 5 coincides with the rotation advancing direction of the wafer W. Therefore, the relative moving speed between the etching liquid L in the grooves 4 and 5 and the wafer W is small, and the etching liquid L is not easily disturbed by the rotating wafer W. Therefore, it is possible to sharpen the boundary between the region to be etched at the peripheral portion of the wafer W and the region (device forming region) other than the peripheral region to be etched.
【００４７】また、溝４，５の内部のエッチング液Ｌが
跳ね飛ばされて、ウエハＷ内方の領域にエッチング液Ｌ
が接する事態も起こり難い。仮にエッチング液Ｌが跳ね
飛ばされても、ウエハＷ表面には純水が流されているの
で、ウエハＷ表面の内方の領域の銅薄膜がエッチング液
Ｌにエッチングされることはない。このように一定時間
エッチング液Ｌを流してウエハＷ周縁部の銅薄膜のエッ
チングを継続した後、制御部１０はポンプ１７Ａ，１８
Ａを停止するように制御して、溝４，５内へのエッチン
グ液Ｌの供給を停止する。これにより、溝４，５内には
エッチング液Ｌが存在しない状態となり、ウエハＷ周縁
部のエッチング処理は終了する。そして、制御部１０は
ポンプ１９Ａ，２０Ａの動作を止めるように制御する。Further, the etching liquid L inside the grooves 4 and 5 is splashed off and the etching liquid L is applied to the region inside the wafer W.
It is unlikely that they will come into contact with each other. Even if the etching liquid L is spattered, pure water is flown on the surface of the wafer W, so that the copper thin film in the inner region of the surface of the wafer W is not etched by the etching liquid L. In this way, the etching solution L is flown for a certain period of time to continue the etching of the copper thin film on the peripheral portion of the wafer W, and then the control unit 10 controls the pumps 17A and 18A.
The supply of the etching liquid L into the grooves 4 and 5 is stopped by controlling A to stop. As a result, the etching liquid L does not exist in the grooves 4 and 5, and the etching process of the peripheral portion of the wafer W is completed. Then, the control unit 10 controls to stop the operation of the pumps 19A and 20A.
【００４８】一方、バルブ３９Ｂは開放された状態が維
持され、ウエハＷ表面への純水の供給は続けられる。こ
れにより、周縁部を含むウエハＷ表面の全面が純水によ
り洗浄される。一定時間、純水の供給が継続されてウエ
ハＷ表面が洗浄された後、制御部１０の制御によりバル
ブ３９Ｂが閉じられて純水の供給が停止される。そし
て、制御部１０により回転駆動機構３５が制御されてス
ピンチャック３１が一定時間高速回転されて、ウエハＷ
の水分の振り切り乾燥が行われた後、スピンチャック３
１の回転が停止される。On the other hand, the valve 39B is maintained in the open state, and the pure water is continuously supplied to the surface of the wafer W. As a result, the entire surface of the wafer W including the peripheral portion is washed with pure water. After the pure water supply is continued for a certain period of time to clean the surface of the wafer W, the valve 39B is closed by the control of the control unit 10 to stop the pure water supply. Then, the rotation drive mechanism 35 is controlled by the control unit 10 to rotate the spin chuck 31 at a high speed for a predetermined time, and the wafer W
After the water is shaken off and dried, the spin chuck 3
The rotation of 1 is stopped.
【００４９】その後、制御部１０により昇降機構３２が
制御されて、洗浄カップ１２の上端がスピンチャック３
１に保持されたウエハＷより低くなるように洗浄カップ
１２が下方に移動される。そして、制御部１０によりア
ーム移動機構１５，１６およびノズル移動機構３７が制
御されて、エッチング処理部材２，３およびノズル４０
が退避位置に移動され、主搬送ロボット２５の搬送アー
ムにより処理済みのウエハＷが搬出されて、１枚のウエ
ハＷの周縁部のエッチング処理が終了する。処理済みの
ウエハＷは周縁部に銅薄膜が存在しないので、以後の工
程でロボットハンドにより周縁部を把持されてもロボッ
トハンドに銅が付着することはない。After that, the control unit 10 controls the elevating mechanism 32 so that the upper end of the cleaning cup 12 is rotated by the spin chuck 3.
The cleaning cup 12 is moved downward so as to be lower than the wafer W held at 1. Then, the control unit 10 controls the arm moving mechanisms 15 and 16 and the nozzle moving mechanism 37, and the etching processing members 2 and 3 and the nozzle 40.
Is moved to the retreat position, the processed wafer W is unloaded by the transfer arm of the main transfer robot 25, and the etching process for the peripheral portion of one wafer W is completed. Since the copper thin film does not exist on the peripheral edge of the processed wafer W, copper does not adhere to the robot hand even if the peripheral edge is gripped by the robot hand in the subsequent steps.
【００５０】以上の実施形態のエッチング装置１３，１
４は、２つのエッチング処理部材２，３を備えているの
で、１つのエッチング処理部材２（３）を備えたエッチ
ング装置と比べて、エッチング処理に要する時間を短縮
できる。エッチング液Ｌが存在する領域はほぼ溝４，５
の内部に限られるので、ウエハＷ周縁部のエッチング幅
の精度は高い。また、ウエハＷを所望のエッチング幅で
エッチング処理するための条件出しは、ウエハＷ周縁部
の溝４，５への挿入量（挿入深さ）Ｄの調整程度で済む
ため簡単である。Etching apparatus 13, 1 of the above embodiment
Since 4 includes two etching processing members 2 and 3, the time required for the etching processing can be shortened as compared with an etching apparatus including one etching processing member 2 (3). The regions where the etching liquid L is present are almost grooves 4, 5
Since the inside of the wafer W is limited, the etching width of the peripheral portion of the wafer W has high accuracy. Further, the condition setting for performing the etching process on the wafer W with a desired etching width is simple because it is sufficient to adjust the insertion amount (insertion depth) D into the grooves 4 and 5 at the peripheral edge of the wafer W.
【００５１】さらに、このエッチング装置１３，１４
は、ウエハＷ周縁部を処理する際にウエハＷに接触して
摩耗するシール部材などは有していない。すなわち、こ
のエッチング装置１３，１４は、頻繁に交換する部材を
有していない。これにより、ウエハＷの汚染も少なくで
きる。また、エッチング処理を施さない領域の銅薄膜を
エッチング液Ｌから保護するためのコーティング層を形
成する工程は不要であり、単純な工程でウエハＷ周縁部
を処理できる。このため、装置の構成も簡単である。Further, the etching devices 13 and 14
Does not have a seal member or the like that is worn by contacting the wafer W when processing the peripheral portion of the wafer W. That is, the etching devices 13 and 14 do not have members that are frequently replaced. Thereby, the contamination of the wafer W can be reduced. Further, the step of forming the coating layer for protecting the copper thin film in the region not subjected to the etching process from the etching solution L is unnecessary, and the peripheral portion of the wafer W can be processed by a simple process. Therefore, the structure of the device is simple.
【００５２】ウエハＷ周縁部のエッチング時には、エッ
チング液Ｌは回収槽３８を介して循環し、所定の経路以
外にはほとんど流出しない。したがって、エッチング液
Ｌは有効に再利用される。以上の実施形態において、ウ
エハＷ周縁部を処理するにあたって、先にウエハＷ周縁
部を溝４，５に挿入してから溝４，５にエッチング液Ｌ
を満たしているが、溝４，５の内部をエッチング液Ｌで
満たしてからウエハＷ周縁部を溝４，５に挿入してもよ
い。At the time of etching the peripheral portion of the wafer W, the etching liquid L circulates through the recovery tank 38, and hardly flows out through a predetermined path. Therefore, the etching liquid L is effectively reused. In the above embodiment, when processing the peripheral portion of the wafer W, the peripheral portion of the wafer W is first inserted into the grooves 4 and 5, and then the etching solution L is inserted into the grooves 4 and 5.
However, the periphery of the wafer W may be inserted into the grooves 4 and 5 after the insides of the grooves 4 and 5 are filled with the etching liquid L.
【００５３】図４は、図１の構成において、エッチング
装置１３，１４に代えて用いることができるエッチング
装置２６の構成を示す図解的な斜視図であり、図５はそ
の図解的な部分断面図である。図４および図５におい
て、図２または図３に示す実施形態によるエッチング装
置１３，１４に対応する部分は同一符号を付して説明を
省略する。このエッチング装置２６は鉛直アームを有し
ておらず、エッチング処理部材２，３は直接水平アーム
８，９に結合されている。水平アーム８，９は、洗浄カ
ップ１２を貫通して配されており、アーム移動機構１
５，１６により水平アーム８，９の長手方向に沿って移
動できるようになっている。FIG. 4 is a schematic perspective view showing the structure of an etching device 26 which can be used in place of the etching devices 13 and 14 in the structure of FIG. 1, and FIG. 5 is a schematic partial sectional view thereof. Is. 4 and 5, parts corresponding to the etching apparatuses 13 and 14 according to the embodiment shown in FIG. 2 or 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. The etching device 26 does not have a vertical arm, and the etching members 2 and 3 are directly connected to the horizontal arms 8 and 9. The horizontal arms 8 and 9 are arranged so as to pass through the cleaning cup 12, and the arm moving mechanism 1
The movable arms 5 and 16 can be moved along the longitudinal direction of the horizontal arms 8 and 9.
【００５４】図２または図３に示す実施形態によるエッ
チング装置１３，１４では、昇降機構３２は洗浄カップ
１２に結合されていたが、この実施形態のエッチング装
置２６ではスピンチャック３１に保持されたウエハＷを
昇降可能に昇降機構３３が結合されている。これによ
り、スピンチャック３１の上部が洗浄カップ１２内に収
容された状態と洗浄カップ１２の上端より高い位置に配
された状態とをとり得るようになっている。In the etching apparatuses 13 and 14 according to the embodiment shown in FIG. 2 or 3, the elevating mechanism 32 is coupled to the cleaning cup 12, but in the etching apparatus 26 of this embodiment, the wafer held by the spin chuck 31 is held. An elevating mechanism 33 is coupled so that W can be moved up and down. As a result, the upper portion of the spin chuck 31 can be placed in the cleaning cup 12 or in a position higher than the upper end of the cleaning cup 12.
【００５５】水平アーム８，９は、洗浄カップ１２内で
はベローズ３６（図５参照。図４では図示を省略し
た。）に覆われている。これにより、水平アーム８，９
の水平方向移動を可能としつつ、エッチング液Ｌなどの
薬液から水平アーム８，９が保護されている。このエッ
チング装置２６は、エッチング装置１３，１４の鉛直ア
ーム６，７や水平アーム８，９のように、洗浄カップ１
２の上端より高い位置には部材が配されていないので、
高さ方向に関して小型化が可能である。The horizontal arms 8 and 9 are covered with a bellows 36 (see FIG. 5, not shown in FIG. 4) in the cleaning cup 12. As a result, the horizontal arms 8 and 9
The horizontal arms 8 and 9 are protected from the chemical liquid such as the etching liquid L while allowing the horizontal movement of the horizontal arms 8 and 9. This etching device 26, like the vertical arms 6 and 7 and the horizontal arms 8 and 9 of the etching devices 13 and 14, has the cleaning cup 1
No members are placed higher than the upper end of 2, so
Miniaturization is possible in the height direction.
【００５６】この実施形態のエッチング装置２６におい
て、主搬送ロボット２５の搬送アームによってウエハＷ
の搬入／搬出をする際は、制御部１０によりアーム移動
機構１５，１６およびノズル移動機構３７が制御されて
エッチング処理部材２，３およびノズル４０が退避位置
に退避される。そして、制御部１０により昇降機構３３
が制御されて、スピンチャック３１の上部が洗浄カップ
１２の上端より高い位置に配される。この状態で主搬送
ロボット２５の搬送アームからスピンチャック３１へと
ウエハＷが受け渡される。ウエハＷ周縁部のエッチング
処理については、第１の実施形態によるエッチング装置
１３，１４によるエッチング処理と同様に実施できる。In the etching apparatus 26 of this embodiment, the wafer W is moved by the transfer arm of the main transfer robot 25.
When carrying in / out the wafer, the control unit 10 controls the arm moving mechanisms 15 and 16 and the nozzle moving mechanism 37 to retract the etching processing members 2 and 3 and the nozzle 40 to the retracted position. Then, the control unit 10 causes the lifting mechanism 33.
Is controlled so that the upper portion of the spin chuck 31 is disposed at a position higher than the upper end of the cleaning cup 12. In this state, the wafer W is transferred from the transfer arm of the main transfer robot 25 to the spin chuck 31. The etching process on the peripheral portion of the wafer W can be performed in the same manner as the etching process by the etching apparatuses 13 and 14 according to the first embodiment.
【００５７】本発明は以上の実施形態に限定されず、た
とえば、エッチング処理部材２，３の数は１つでもよく
３つ以上であってもよい。エッチング液Ｌによるウエハ
Ｗ周縁部のエッチング処理中、必ずしもウエハＷ表面に
純水を流す必要はなく、エッチング終了後にのみ純水を
流して洗浄してもよい。ウエハＷ周縁部の処理はエッチ
ング以外に洗浄であってもよい。この場合、エッチング
液Ｌの代わりに洗浄液を用いることができる。The present invention is not limited to the above embodiment, and the number of the etching-processed members 2 and 3 may be one or three or more, for example. During the etching process of the peripheral portion of the wafer W with the etching liquid L, it is not always necessary to flow pure water on the surface of the wafer W, and pure water may be flowed and cleaned only after the etching is completed. The treatment of the peripheral portion of the wafer W may be cleaning other than etching. In this case, a cleaning liquid can be used instead of the etching liquid L.
【００５８】また、処理対象の基板は円形でなくてもよ
く、液晶表示装置用ガラス基板等の角形基板であっても
よい。この場合、処理部材（エッチング処理部材２，
３）を基板の周囲に沿って移動させる機構を設けてもよ
い。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で
種々の変更を施すことが可能である。The substrate to be processed does not have to be circular, and may be a rectangular substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device. In this case, the processing member (etching processing member 2,
A mechanism for moving 3) along the periphery of the substrate may be provided. In addition, various changes can be made within the scope of the matters described in the claims.
【図１】本発明の一実施形態に係るメッキ装置のレイア
ウトを示す図解的な平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing a layout of a plating apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】エッチング装置の構成を示す図解的な斜視図で
ある。FIG. 2 is a schematic perspective view showing a configuration of an etching apparatus.
【図３】エッチング処理部材の構造を示す図解的な平面
図および断面図である。FIG. 3 is a schematic plan view and a sectional view showing the structure of an etching-treated member.
【図４】本発明の第２の実施形態に係るメッキ装置が有
するエッチング装置の構成を示す図解的な斜視図であ
る。FIG. 4 is a schematic perspective view showing a configuration of an etching apparatus included in a plating apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】図４に示すエッチング装置の図解的な部分断面
図である。5 is a schematic partial cross-sectional view of the etching apparatus shown in FIG.
２，３ エッチング処理部材 ４，５ 溝 ８，９ 水平アーム １２ 洗浄カップ １３，１４ エッチング装置 １５，１６ アーム移動機構 １７，１８ エッチング液供給配管 １７Ａ，１８Ａ，１９Ａ，２０Ａ ポンプ １９，２０ エッチング液排出配管 ２１，２２ メッキ処理部 ３０ 吸入口 ３１ スピンチャック ３５ 回転駆動機構 ３９ 純水配管 ３９Ｂ バルブ ４０ ノズル Ｗ ウエハ Ｌ エッチング液 2,3 Etching process member 4,5 grooves 8,9 Horizontal arm 12 wash cups 13,14 Etching equipment 15, 16 arm movement mechanism 17, 18 Etching liquid supply pipe 17A, 18A, 19A, 20A pump 19, 20 Etching liquid discharge pipe 21,22 Plating part 30 suction port 31 Spin chuck 35 rotation drive mechanism 39 Pure water piping 39B valve 40 nozzles W wafer L etching liquid
Claims (11)
な溝を有する処理部材と、 上記溝の内部に形成された吐出口から処理液を吐出させ
る処理液吐出手段と、 上記溝の内部に形成された吸入口から処理液を吸入する
処理液吸入手段とを備えたことを特徴とする基板処理装
置。1. A substrate holding mechanism for holding a substrate, a processing member having a groove into which a peripheral portion of the substrate held by the substrate holding mechanism can be inserted, and a processing liquid from a discharge port formed inside the groove. A substrate processing apparatus comprising: a treatment liquid ejecting means for ejecting the treatment liquid; and a treatment liquid suction means for sucking the treatment liquid from an inlet formed inside the groove.
特徴とする請求項１記載の基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing member has water repellency.
部と上記処理部材とを相対的に移動することによって、
上記処理部材の溝内の処理液による処理位置を当該基板
の周縁部に沿って変化させる処理位置移動手段をさらに
備えたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処
理装置。3. The relative movement of the peripheral portion of the substrate held by the substrate holding mechanism and the processing member,
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising processing position moving means for changing the processing position of the processing liquid in the groove of the processing member along the peripheral edge of the substrate.
部材による処理位置に対する基板の周縁部の相対移動方
向に沿って配置されていることを特徴とする請求項３記
載の基板処理装置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the discharge port and the suction port are arranged along a relative movement direction of a peripheral portion of the substrate with respect to a processing position of the processing member.
吐出口よりも上記処理部材による処理位置に対する基板
の周縁部の相対移動方向に関して下流側に配されている
ことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。5. The processing member according to claim 4, wherein the suction port is arranged downstream of the discharge port with respect to the relative movement direction of the peripheral portion of the substrate with respect to the processing position of the processing member. The substrate processing apparatus described.
ぞれの上記処理部材の上記溝に１枚の基板を同時に挿入
可能であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれ
かに記載の基板処理装置。6. The processing member according to claim 1, wherein a plurality of the processing members are provided, and one substrate can be simultaneously inserted into the groove of each processing member. Substrate processing equipment.
ス液を供給するリンス液供給手段をさらに備えたことを
特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処
理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a rinse liquid supply means for supplying a rinse liquid to the substrate held by the substrate holding mechanism.
された基板に対して平行に移動させて基板と上記処理部
材との間隔を変化させる移動機構をさらに備えたことを
特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処
理装置。8. A moving mechanism for moving the processing member in parallel with the substrate held by the substrate holding mechanism to change a distance between the substrate and the processing member. Item 8. The substrate processing apparatus according to any one of Items 1 to 7.
を取り囲むように配置可能なガード部材をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の
基板処理装置。9. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a guard member that can be arranged so as to surround the periphery of the substrate held by the substrate holding mechanism.
備え、 上記アームが上記ガード部材を貫通して配されているこ
とを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。10. The substrate processing apparatus according to claim 9, further comprising an arm supporting the processing member, wherein the arm is arranged to penetrate the guard member.
て、周縁部の薄膜をエッチングにより除去するために、
上記処理液としてエッチング液を用いた請求項１ないし
１０のいずれかに記載の基板処理装置とを備えたことを
特徴とするメッキ装置。11. A plating processing part for plating a substrate, and a substrate having a thin film formed on the surface by the plating processing part for removing a thin film at a peripheral edge portion by etching,
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein an etching solution is used as the processing solution.
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