JP2004170921A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 286
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 256
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 166
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 129
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 31
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 29
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 42
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba] Chemical compound [Sr].[Ba] WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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Abstract
【解決手段】 TFTアレイ基板上に、画素電極、これに接続された半導体層(1a)を含むTFT、該TFTに接続された走査線及びデータ線、そして、誘電体膜を挟持してなる上部電極(300)及び下部電極(71)からなり、該上部電極及び該下部電極の一方が前記画素電極に接続されてなる蓄積容量(70)を備えてなり、前記蓄積容量の断面形状は、凸形状を含んでいる。これにより、図示する立体的部分がないとした場合における蓄積容量よりも、その面積を概ね2HLだけ増大させることができる。
【選択図】 図8
Description
この点も、本発明に係る電気光学装置における高品質な画像表示に大きく貢献することになる。
しかも、本態様によれば、このように高い開口率を維持しえるにもかかわらず、蓄積容量の断面形状が凸形状を含むことから、その容量をも大きくとることが可能となるのである。
これにより、画素電極における電位保持特性は格段に向上し、より高品質な画像を表示することが可能となる。また、平面的に見た場合の、蓄積容量の更なる小面積化が可能となるから、画素開口率の更なる向上を図ることもできる。
まず、本発明の第1実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図1から図4を参照して説明する。
他方、データ線6aは、図2中Y方向に沿って直線的に延びる本線部を有している。なお、半導体層1aの図2中上端は、右方に90度直角に折り曲がるような形状を有しているが、これはデータ線6aを避けて、該半導体層1aと蓄積容量70との電気的接続を図るためである(図3参照)。
以下では、上述の蓄積容量70の構成、より詳しくは、該蓄積容量70が立体的に構成されていることについて、図4及び図5を参照しながら説明する。ここに図5は、図2における符号Qを付した部分に係る蓄積容量70の立体的な構成を示す斜視図である。なお、図5は、図2乃至図4中に示されたすべての構成を図示するものではなく、例えば、蓄積容量70を構成する誘電体膜75や走査線3a等、幾つかの要素について、その図示が適宜省略されたものとなっている。
要は、誘電体膜75を挟んで一対の電極が構成されていればよく、そのような相対的な関係が満たされている限り、具体的にどのような構成を採ろうとも基本的に自由である。
ここに図7は、図5と同趣旨の図であって、その断面形状がテーパ形状となる蓄積容量70Aの斜視図である。
以下では、本発明の電気光学装置の変形形態について、図8乃至図10を参照しながら説明する。ここに図8及び図9は、それぞれ、図2及び図3等と同趣旨の図であって、本変形形態の特徴を現す平面図及び断面図である。また、図10は、図5と同趣旨の図であって、図8における符号Qを付した部分に係る蓄積容量70DFの立体的な構成を示す斜視図である。なお、本変形形態の電気光学装置は、上記の各種実施形態の電気光学装置の画素部における構成と略同様な構成を備えている。したがって、以下では、本変形形態において特徴的な部分のみについて主な説明を加えることとし、残余の部分については、その説明を適宜省略ないし簡略化することとする。
また、走査線3aに代わるゲート電極3aaが形成されるとともに、これと同一膜として中継電極719が形成されている。
これにより、本形態における水平的突出部3bは、半導体層1aに対する遮光機能を発揮するとともに、ゲート電極3aaへの信号供給の機能をも発揮することとなる。
上述においては、蓄積容量70DFの立体的部分が、下側遮光膜11a及びデータ線6aの双方に沿うように形成されていたが、本発明は、このような実施形態のみに限定されるものではなく、その他種々の具体的な態様を採り得る。以下、その他の具体的態様について、順次説明する。
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図15及び図16を参照して説明する。なお、図15は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板20の側からみた平面図であり、図16は図15のH−H´断面図である。
また、対向基板20のコーナー部の少なくとも一箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的に導通をとるための導通材106が設けられている。
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図17は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
2…絶縁膜
3a…走査線
6a…データ線
9a…画素電極
10…TFTアレイ基板
11a…下側遮光膜
16…配向膜
20…対向基板
21…対向電極
22…配向膜
30…TFT
43…第3層間絶縁膜
43A…凸部
50…液晶層
70…蓄積容量
75…誘電体膜
75a…酸化シリコン膜
75b…窒化シリコン膜
70、70A、70DFA、70DFB、70DFC、70DFD…蓄積容量
300、300A、300DFA、300DFB、300DFC、300DFD…容量線(上部電極)
71、71A、71DFA、71DFB、71DFC、71DFD…第1中継層(下部電極)
71a、71AA、71DFAA、71DFBA、71DFCA、71DFDA…凸状部
81、82、83、85、87、89…コンタクトホール
400…シールド層
Claims (14)
- 基板上に、第1方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第2方向に延在する走査線、並びに、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び薄膜トランジスタが積層構造の一部をなして備えられた電気光学装置であって、
前記基板上には更に、
前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、
前記データ線及び前記画素電極間に配置されたシールド層とが、
前記積層構造の一部をなして備えられてなり、
前記蓄積容量を構成する誘電体膜を挟持してなる上部電極及び下部電極は、前記基板の表面に平行な面に沿って積層された第1部分と、前記基板の表面に対して立ち上がった平面に沿って積層された第2部分とを含むことにより、その断面形状が凸形状を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 基板上に、第1方向に延在するデータ線及び該データ線に交差する第2方向に延在する走査線、並びに、前記データ線及び前記走査線の交差領域に対応するように配置された画素電極及び薄膜トランジスタが積層構造の一部をなして備えられた電気光学装置であって、
前記基板上には更に、
前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、
前記データ線及び前記画素電極間に配置された遮光膜とが、
前記積層構造の一部をなして備えられてなり、
前記蓄積容量を構成する誘電体膜を挟持してなる上部電極及び下部電極は、前記基板の表面に平行な面に沿って積層された第1部分と、前記基板の表面に対して立ち上がった平面に沿って積層された第2部分とを含むことにより、その断面形状が凸形状を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 前記シールド層は、前記蓄積容量の上部電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の電気光学装置。
- 前記凸形状は、前記下部電極が前記基板に対して凸状の部分を含むように形成されることにより、形作られていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記下部電極は、光吸収性の導電材料でなることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。
- 前記凸形状は、前記下部電極下に凸状部材が形成されることにより、形作られていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記凸形状は、テーパ形状を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記凸形状の高さは、50〜1000nmであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記画素電極はマトリクス状に配列されてなり、前記走査線及び前記データ線は、前記マトリクス状に対応した遮光領域に形成されており、
前記蓄積容量は前記遮光領域内に形成されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記蓄積容量の前記凸形状は、前記走査線及び前記データ線の少なくとも一方に沿って形成されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記蓄積容量を構成する誘電体膜は、相異なる材料を含む複数の層からなるとともに、そのうちの一の層は他の層に比べて高誘電率材料からなる層を含む積層体を構成していることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記誘電体膜は、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜からなることを特徴とする請求項11に記載の電気光学装置。
- 前記積層構造の一部として、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜が更に備えられており、
前記層間絶縁膜の表面は平坦化処理が施されていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載に記載の電気光学装置。 - 請求項1乃至13のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003321793A JP4186767B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-09-12 | 電気光学装置及び電子機器 |
TW092128603A TWI232697B (en) | 2002-10-31 | 2003-10-15 | Electro-optical device and electronic apparatus |
CNB2003101030082A CN1267775C (zh) | 2002-10-31 | 2003-10-28 | 电光装置和电子设备 |
US10/695,903 US6835955B2 (en) | 2002-10-31 | 2003-10-30 | Electro-optical device and electronic apparatus |
KR1020030076155A KR100566168B1 (ko) | 2002-10-31 | 2003-10-30 | 전기 광학 장치 및 전자 기기 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002318543 | 2002-10-31 | ||
JP2003321793A JP4186767B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-09-12 | 電気光学装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004170921A true JP2004170921A (ja) | 2004-06-17 |
JP4186767B2 JP4186767B2 (ja) | 2008-11-26 |
Family
ID=32715875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003321793A Expired - Lifetime JP4186767B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-09-12 | 電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6835955B2 (ja) |
JP (1) | JP4186767B2 (ja) |
KR (1) | KR100566168B1 (ja) |
CN (1) | CN1267775C (ja) |
TW (1) | TWI232697B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3873610B2 (ja) | 2000-11-17 | 2007-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びにプロジェクタ |
-
2003
- 2003-09-12 JP JP2003321793A patent/JP4186767B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-15 TW TW092128603A patent/TWI232697B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-10-28 CN CNB2003101030082A patent/CN1267775C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-30 US US10/695,903 patent/US6835955B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-30 KR KR1020030076155A patent/KR100566168B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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---|---|
KR100566168B1 (ko) | 2006-03-29 |
TWI232697B (en) | 2005-05-11 |
US20040145541A1 (en) | 2004-07-29 |
TW200414798A (en) | 2004-08-01 |
US6835955B2 (en) | 2004-12-28 |
CN1267775C (zh) | 2006-08-02 |
CN1499468A (zh) | 2004-05-26 |
KR20040038814A (ko) | 2004-05-08 |
JP4186767B2 (ja) | 2008-11-26 |
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JP2004354968A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4186767 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
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R371 | Transfer withdrawn |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |