JP2004163020A - 加熱炉 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理品Wを炉内の搬送装置2で搬送しながら加熱する加熱炉において、搬送される処理品Wの両側にサイドヒーター4を搬送方向に沿って設置した構成の加熱炉とする。サイドヒーター4としてシーズヒーターを使用し、その発熱部を炉内の予熱昇温領域と本加熱昇温領域に位置させ、処理品の部分的な温度差を充分抑制する。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は加熱炉に関し、例えば電子部品を実装した基板等を加熱して半田付けを行うリフロー炉等として好適に使用される加熱炉に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の一般的な遠赤外線加熱方式のリフロー炉は、図5に示すように、電子部品が実装された基板などの処理品Wを炉内で搬送しながら、上下の遠赤外線ヒーターH,Hで該処理品Wを加熱し、半田をリフローさせて電子部品を半田付けするものである。このリフロー炉の内部は、処理品Wを半田のリフロー温度より低い温度まで予め加熱する予熱領域と、半田のリフロー温度以上に加熱する本加熱領域とに分かれており、処理品Wが本加熱領域において高温に加熱される時間を短くして電子部品の熱破壊等を防止しているが、後述するように、処理品Wを全体に均一な温度に加熱し難いため、部分的に予熱不足や半田付け不良を生じる恐れがあった。
【0003】
一方、炉内に配置した温度センサを用いて、ヒーターでは制御しきれない基板の端部や高熱容量の電子部品の加熱温度を予測し、この加熱温度に過不足がある場合には、加熱補助装置によって部分的に加熱または冷却を行い、適正な加熱温度に制御するようにしたリフロー炉も提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平9−219582号公報(第2−3頁)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図5に示すように上下の遠赤外線ヒーターH,Hで処理品Wを加熱する上記の一般的なリフロー炉では、処理品Wに部分的な温度差が生じ、ヒーターH,Hの中央部に対応する処理品WのB点部分( 中央部分) の温度よりも、ヒーターH,Hの両端部に対応する処理品WのA点部分( 両端部分) の温度の方が低くなるため、このA点部分で加熱不足や半田付け不良を生じる恐れがあった。このような処理品Wの部分的な温度差は、リフロー炉の予熱領域のうちの最初の昇温領域(予熱昇温領域)と本加熱昇温領域(リフロー領域)において特に大きくなる。
【0006】
この温度差の問題は、従来の熱風循環加熱方式のリフロー炉や、遠赤外線加熱方式と熱風循環加熱方式を併用したリフロー炉においても、処理品の両端部の熱が搬送装置に奪われる等の理由から、多少とも生じるものである。
【0007】
これに対し、特許文献1のリフロー炉は、電子部品を実装した基板の端部の加熱温度を温度センサで予測し、加熱補助装置により部分的に加熱または冷却を行って適正な加熱温度に制御するため、上記の温度差の問題をある程度は解決できる。けれども、加熱補助装置として、高温空気を供給する第一パイプ、低温空気を供給する第二パイプ、流量調整バルブなどを組み合わせた複雑な補助加熱ノズルユニットをリフロー炉に組み込む必要があり、しかも、温度センサの測定温度から基板端部の加熱温度を予測して適正な設定温度と比較しながら、流量調整バルブを計算された時間と流量分だけ開閉して高温空気又は低温空気を供給することにより温度制御を行うため、リフロー炉の内部構造や制御方法が複雑化するという問題があった。
【0008】
本発明は上記の問題に対処すべくなされたもので、その目的とするところは、炉内の構造や制御方法を複雑化することなく簡易な補助加熱手段を付設するだけで処理品の部分的な温度差を充分抑制することができる加熱炉を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、処理品を炉内の搬送装置で搬送しながら加熱する加熱炉において、搬送される処理品の両側にサイドヒーターを搬送方向に沿って設置したことを特徴とするものである。
【0010】
このような本発明の加熱炉は、処理品の両端部をサイドヒーターで補助的に加熱することにより、処理品の両端部と中央部との温度差を大幅に抑制することができる。従って、本発明の加熱炉をリフロー炉として使用すれば、処理品の両端部の加熱不足や半田付け不良の心配を解消することができる。
【0011】
本発明の加熱炉においては、サイドヒーターとしてシーズヒーターを使用することが好ましい。このシーズヒーターは細いパイプ状のヒーターであるから、搬送される処理品の両側に該ヒーターを搬送方向に沿って簡単に取付けることができ、このようにシーズヒーターを取付けても嵩張ったり邪魔になったりすることがなく、炉内の構造や制御方法が複雑化することもない。
【0012】
本発明の加熱炉においては、シーズヒーターの発熱部を炉内の予熱昇温領域と本加熱昇温領域に位置させることが好ましい。既述したように、炉内の予熱昇温領域や本加熱昇温領域は処理品の部分的な温度差が大きくなる領域であるから、この領域にシーズヒーターの発熱部を位置させると、処理品の部分的な温度差を効率良く抑制することが可能となる。
【0013】
また、本発明の加熱炉は 炉内の搬送装置の上下に、処理品を加熱する遠赤外線ヒーターを設置したものであることが好ましい。このような遠赤外線加熱方式の加熱炉にサイドヒーターを組み込むと、熱風循環加熱方式の加熱炉や併用方式の加熱炉にサイドヒーターを組み込むよりも、処理品の部分的な温度差の抑制効果が顕著になるので、特に有効である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の具体的な実施形態を詳述する。
【0015】
図1は本発明の加熱炉の一実施形態を示す一部破断側面図、図2は図1のX−X線に沿った拡大断面図、図3はシーズヒーターを取付けた炉内の搬送装置を示す部分斜視図、図4はシーズヒーターの断面図である。
【0016】
この実施形態の加熱炉は遠赤外線加熱方式のリフロー炉1を例示したもので、図1に示すように、その炉内には処理品W(例えば電子部品を実装したプリント基板等)をリフロー炉1の入口1aから出口のシューター1bに向かって搬送する搬送装置2が設けられている。
【0017】
この搬送装置2は、図2、図3に示すように、左右一対の搬送用チェーン2a,2aと、このチェーン2a,2aを摺動自在に支持する左右一対の溝型レール2b,2bとを備えたもので、チェーン2a,2aの各素子には、処理品Wの両端部を支持する支持ピン2c,2cが内側に向かって突設されている。このチェーン2a,2aはいずれも、図1に示すように、リフロー炉1の入口1a付近のスプロケット2d、出口付近のスプロケット2e、駆動用のスプロケット2f、ガイド用のスプロケット2g,2hに巻き掛けられており、モーターMで駆動用のスプロケット2fを起動させると、各チェーン2aが矢印で示すように回動し、その支持ピン2cに載置された処理品Wが入口1aから出口のシューター1bまで搬送されるようになっている。
【0018】
また、この搬送装置2は、図2に示すように、片側の搬送用チェーン2aと溝型レール2bを搬送方向と直交する方向(左右方向)に移動させることによって幅調節ができるため、幅調節の可能な範囲内であれば処理品Wの幅寸法が大きくても小さくても搬送できるようになっている。
【0019】
図1に示すように、炉内の搬送装置2の上下には、遠赤外線ヒーター3a,3b,3c,3dが設置されている。入口1a側の遠赤外線ヒーター3aは、処理品Wを予熱してリフロー温度より低い温度まで昇温させる予熱昇温用ヒーターであり、その隣りの遠赤外線ヒーター3b,3cは、予熱された処理品Wの温度を保つ予熱保温用ヒーターである。そして、炉内中央の遠赤外線ヒーター3dは、予熱された処理品Wをリフロー温度以上に加熱して半田付けを行う本加熱昇温用ヒーターである。
【0020】
炉内の遠赤外線ヒーター3a,3b,3cが設置された領域は予熱領域であって、そのうち、遠赤外線ヒーター3aが設置された領域は予熱昇温領域であり、遠赤外線ヒーター3b,3cが設置された領域は予熱保温領域である。そして、炉内の遠赤外線ヒーター3dが設置された領域は、本加熱昇温領域(リフロー領域)であり、この本加熱昇温領域よりも出口側の領域は冷却領域であって、冷却装置(不図示)が組み込まれている。
【0021】
図2、図3に示すように、搬送装置2によって搬送される処理品Wの両側には、サイドヒーターとして合計8本の細いパイプ状のシーズヒーター4が搬送方向に沿って設けられている。即ち、これらのシーズヒーター4は、搬送装置2の左右の溝型レール2b,2bのそれぞれの上面に取付金具(不図示)を用いて前後に2本ずつ計4本取付けられると共に、左右の溝型レール2b,2bのそれぞれの内側面にも取付金具(不図示)を用いて前後に2本ずつ計4本取付けられており、これらの溝型レール上面のシーズヒーター4と溝型レール内側面のシーズヒーター4によって処理品Wの両端部が表側も裏側も加熱されるようになっている。このように細いパイプ状のシーズヒーター4を搬送装置2の溝型レール2b,2bに取付けても、嵩張ったり邪魔になったりすることがなく、炉内の構造が複雑化することもない。
【0022】
このシーズヒーター4は、図4に示すように、金属製の鞘管4aの内部に線状の抵抗発熱体4bを挿通して絶縁材4cを充填した、外径が5〜25mm程度の細いパイプ状のヒーターであって、抵抗発熱体4bはシーズヒーターの発熱部4dのみに挿通されており、非発熱部には発熱体4bに代えて電気抵抗の小さな導線が挿通されている。そして、このシーズヒーター4の発熱部4dが前述の予熱昇温領域(遠赤外線ヒーター3aが設置されている領域)と本加熱昇温領域(遠赤外線ヒーター3dが設置されている領域)にそれぞれ位置するように、搬送装置2の左右の溝型レール2b,2bに沿ってシーズヒーター4が4本ずつ合計8本取付けられている。各シーズヒーター4には熱電対(不図示)が取付けられており、その発熱部4dの温度を測定して各シーズヒーター4を個別制御できるようになっている。
【0023】
以上のような構成のリフロー炉1において、その入口1aから処理品W(電子部品を実装したプリント基板等)を搬送装置2に供給して一定の速度で搬送すると、処理品Wは予熱昇温領域の遠赤外線ヒーター3a,3aの間を通過するときに該ヒーター3a,3aによって加熱されると共に、左右両側のシーズヒーター4の発熱部4dにより補助的に加熱されて、リフロー温度より低い所定の予熱温度まで急激に温度が上昇する。このとき、シーズヒーター4の発熱部4dによる補助加熱がなければ、処理品Wの中央部と両端部の間に約30℃の温度差が生じるが、このリフロー炉1では、両側のシーズヒーター4の発熱部4dによって処理品Wの両端部を補助的に加熱するため、温度差を10℃以内に抑制することができる。
【0024】
予熱された処理品Wは、保温用の遠赤外線ヒーター3b,3cによって所定の予熱温度に保温されたまま本加熱昇温領域(リフロー領域)まで搬送され、遠赤外線ヒーター3d,3dによって加熱されると共に、左右両側のシーズヒーター4の発熱部4dにより補助的に加熱されて、半田のリフロー温度以上の設定温度まで急激に昇温し、処理品Wの電子部品の半田付けが行われる。このとき、シーズヒーター4の発熱部4dによる補助加熱がなければ、処理品Wの中央部と両端部の間に約20℃の温度差が生じるが、このリフロー炉1では、両側のシーズヒーター4の発熱部4dによって処理品Wの両端部を補助的に加熱するため、温度差を6℃以内に抑制することができる。従って、処理品Wの端部の加熱不足や半田付け不良の心配が解消され、同一処理品Wにおける部分的な品質のバラツキをなくすことができる。
【0025】
半田付けされた処理品Wは冷却領域に搬送されて冷却され、リフロー炉1の出口のシューター1bから取り出されて次の工程に移送される。
【0026】
また、このリフロー炉1は、前述したように処理品Wの幅寸法が小さい場合でも搬送装置2の幅寸法を縮小して搬送しながら加熱処理できるものであるが、このように搬送装置2の幅を縮小して処理品Wを搬送すると、図2に示すように、処理品Wが遠赤外線ヒーター3d,3dの片側(図2では左側)に偏った部分を通過することになるため、処理品Wの中央部と両端部に温度差が生じるだけでなく、処理品Wの両端部間にも温度差が生じ、遠赤外線ヒーター3d,3dの中央に近い方の処理品Wの端部(図2では右側の端部)の温度が反対側の端部の温度よりも高くなる。しかし、このように処理品Wの両端部間に温度差が生じる場合であっても、このリフロー炉1は、既述したようにそれぞれのシーズヒーター4を個別制御できるので、処理品Wの温度が低い方の端部を加熱するシーズヒーター4(図2では左側のシーズヒーター4)の温度を上げたり、温度が高い方の端部を加熱するシーズヒーター4(図2では右側のシーズヒーター4)の温度を下げたりすることによって、処理品Wの両端部をほぼ均等な温度に加熱することができる。
【0027】
以上、代表的な実施形態として遠赤外線加熱方式のリフロー炉を挙げて本発明の加熱炉を説明したが、本発明は、他の波長域を用いた輻射加熱方式や熱風循環加熱方式のリフロー炉その他の加熱炉、更にはこれらのいずれかの方式を併用した併用方式のリフロー炉その他の加熱炉などにも適用可能である。また、サイドヒーターとして、シーズヒーター以外のコンパクトな抵抗発熱ヒーターや遠赤外線ヒーターなどを取付けても勿論よい。
【0028】
【発明の効果】
本発明の加熱炉は、処理品の両端部をサイドヒーターで補助的に加熱することにより、処理品の両端部と中央部との温度差を充分抑制することができるので、例えばリフロー炉とする場合には、処理品の両端部の加熱不足や半田付け不良の心配を解消することができ、同一処理品における部分的な品質のバラツキをなくすことができるといった効果を奏する。そして、サイドヒーターとしてシーズヒーターを使用したものは、処理品の両側に搬送方向に沿って該ヒーターを簡単に取付けることができ、このように取付けても嵩張ったり邪魔になったりすることがなく、炉内の構造や制御方法が複雑化することもないといった効果を奏し、更に、シーズヒーターをその発熱部が炉内の予熱昇温領域と本加熱昇温領域に位置するように取付けたものは、処理品の部分的な温度差を効率良く抑制できるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の加熱炉の一実施形態を示す一部破断側面図である。
【図2】図1のX−X線に沿った拡大断面図である。
【図3】シーズヒーターを取付けた炉内の搬送装置を示す部分斜視図である。
【図4】シーズヒーターの断面図である。
【図5】従来の遠赤外線加熱方式の加熱炉の要部説明図である。
【符号の説明】
1 リフロー炉(加熱炉)
2 炉内の搬送装置
2a 搬送用チェーン
2b 溝型レール
2c 支持ピン
3a,3b,3c,3d 遠赤外線ヒーター
4 シーズヒーター(サイドヒーター)
4d 発熱部
W 処理品
Claims (4)
- 処理品を炉内の搬送装置で搬送しながら加熱する加熱炉において、搬送される処理品の両側にサイドヒーターを搬送方向に沿って設置したことを特徴とする加熱炉。
- サイドヒーターがシーズヒーターである請求項1に記載の加熱炉。
- シーズヒーターの発熱部が炉内の予熱昇温領域と本加熱昇温領域に位置している請求項2に記載の加熱炉。
- 炉内の搬送装置の上下に、処理品を加熱する遠赤外線ヒーターが設置されている請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の加熱炉。
Priority Applications (1)
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Publications (1)
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Country | Link |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2002
- 2002-11-14 JP JP2002330429A patent/JP2004163020A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2010136902A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Roth & Rau Ag | In-line gas-phase diffusion furnace |
EP2276057A1 (en) | 2009-05-29 | 2011-01-19 | Roth & Rau AG | In-line gas-phase diffusion furnace |
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JP2013200077A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Kyushu Nissho:Kk | 加熱装置 |
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