JPH10200253A - リフロー炉 - Google Patents

リフロー炉

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JPH10200253A
JPH10200253A JP157397A JP157397A JPH10200253A JP H10200253 A JPH10200253 A JP H10200253A JP 157397 A JP157397 A JP 157397A JP 157397 A JP157397 A JP 157397A JP H10200253 A JPH10200253 A JP H10200253A
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JP
Japan
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gas
temperature
furnace
chamber
air
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Application number
JP157397A
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English (en)
Inventor
Shinichi Maruyama
新市 丸山
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH10200253A publication Critical patent/JPH10200253A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494Heating methods for reflowing of solder

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリント基板上の電子部品の温度を上げ過ぎ
てしまうことなく半田リフローを行う。 【解決手段】 炉室7内の空気は循環パイプ8を通じて
循環して炉室7内に導入され、循環パイプ8を通ってい
る間に冷却され、IRヒータ9の照射されている基板3
に吹付けられる。基板3上の電子部品がこの空気により
冷やされ、しかも遠赤外線により半田リフローは行われ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を炉室内
に設けられた赤外線ヒータの加熱でプリント基板にリフ
ロー半田付けするリフロー炉に関する。
【0002】
【従来の技術】この種リフロー炉として、特開平8−1
39444号公報に記載されたものが知られている。こ
の従来技術によれば、プリント基板に電子部品が半田付
けされる場合には遠赤外線ヒータによる加熱及び熱風に
よる加熱の両方が行われる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来技術
では、熱風の温度がどうしても高くなる傾向があり、熱
風の温度が高くなると特に基板上の電子部品の温度が上
がってしまい、電子部品を痛めてしまう恐れがあった。
【0004】そこで本発明は、プリント基板上の電子部
品の温度を上げ過ぎてしまうことなく半田リフローを行
うことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、電子
部品を炉室内に設けられた赤外線ヒータの加熱でプリン
ト基板にリフロー半田付けするリフロー炉において、炉
室内の熱ガスを炉室外に排出して冷却し再度炉室内に導
入する熱ガス循環路を設けたものである。
【0006】このように構成したことにより、炉室内の
熱ガスが循環路を通る間に外気により冷却され炉室内の
雰囲気温度が上昇することがない。
【0007】また本発明は、請求項1に記載のリフロー
炉において、前記ガス循環路から炉室内に導入したガス
をプリント基板に吹付ける吹付け手段を設けたものであ
る。
【0008】このように構成することにより、基板上の
電子部品に低温ガスが吹付けられ電子部品の温度は下が
るが、基板自体は赤外線ヒータの照射熱により加熱され
る。
【0009】また本発明は、請求項1または2に記載の
リフロー炉において、前記ガス循環路内または炉室内の
ガスを加熱するガス加熱ヒータを前記赤外線ヒータとは
別個に設けたものである。
【0010】このように構成することで、冷却用のガス
の温度が下がり過ぎた場合でも赤外線ヒータとは別個に
温度を上げることができる。
【0011】また本発明は、請求項3に記載のリフロー
炉において、前記ガス加熱ヒータは前記ガス循環路から
炉室内に導入され前記基板に吹付けられる前のガスを加
熱するものである。
【0012】このように構成することで、吹付けられる
ガスの温度を追随性良く変更できる。
【0013】また本発明は、請求項3に記載のリフロー
炉において、前記ガス加熱ヒータは前記ガス循環路から
炉室内に導入され前記吹付け手段によりプリント基板に
吹付けられる前のガスを加熱するものである。
【0014】このように構成することで、吹付けられる
ガスの温度を追随性良くしかも一様な温度に変更でき
る。
【0015】また本発明は、請求項4または5に記載の
リフロー炉において、前記炉室内のガス温度を検出する
温度検出手段と、該温度検出手段の検出結果に基づき前
記ガス加熱ヒータを制御する制御手段を設けたものであ
る。
【0016】このように構成することで、ガスを所望の
温度にすることができる。
【0017】また本発明は、請求項6に記載のリフロー
炉において、前記温度検出手段は前記赤外線ヒータに加
熱されない位置に設けられたものである。
【0018】このように構成することで、ガス雰囲気の
温度を正確に検出して正確な調整が可能となる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下本発明の一実施形態を図に基
づき詳述する。
【0020】図1に示すリフロー炉1は搬送コンベア2
に搬送されてくるプリント基板3上の電子部品を該基板
3にリフロー半田付けするものである。図1に示すのは
基板3上の半田(クリーム半田が印刷等により塗布され
ている。)を溶融させて実際に電子部品を基板のパター
ン部に半田付けするリフロー部4であり、図1には示さ
ないがプリント基板3の搬送の上流側には、リフロー部
4に達するまでに基板3の温度をある程度まで上げる予
備加熱部が設けられている。
【0021】リフロー部4は壁6で仕切られた炉室7及
び該炉室7内の熱せられた空気を炉室7外に排出して外
気中で冷却させ再度炉室7内に導入させて循環させる循
環路としての循環パイプ8とから構成されている。炉室
7は基板3を受け入れる部分及び排出する部分が開口し
て構成されている。循環パイプ8は実際には、図1中で
炉室7の背面側を通るが図示の都合上図1の位置に示し
ている。
【0022】炉室7から循環パイプ8に空気を循環させ
るために熱風循環ブロワ5が循環パイプ8中に設けられ
ている。
【0023】炉室7内には、コンベア2が搬送中のプリ
ント基板3の表面を加熱するためのIRヒータ9が搬送
コンベア2の上部に該コンベア2に沿って多数個配設さ
れている。IRヒータ9は遠赤外線を基板3に向かって
照射するものであり、これにより基板3の表面は通常2
30°C程度に加熱するものである。遠赤外線の照射に
よる加熱であれば熱風のみでは加熱しすぎるアルミ電解
コンデンサもその表面が赤外線を反射するためあまり加
熱されることがなく、他の電子部品も加熱され過ぎるこ
とがない。但し、炉室7内の空気そのものの温度もIR
ヒータ9により上昇するため、その熱風雰囲気中ではこ
れら電子部品の温度が上がってしまう恐れがある。この
ため、炉室7内の空気を循環パイプ8を介して循環さ
せ、炉室7内の空気が加熱されすぎないようにしている
ものである。
【0024】IRヒータ9は夫々隔離壁10により隔離
されており、隔離壁10の上方の攪拌室11と下方のリ
フロー室12に炉室7は分離されている。従って、遠赤
外線は攪拌室11には照射されない。攪拌室11には、
循環パイプ8から流入された空気を攪拌してプリント基
板3の方向即ちリフロー室12内に吹付ける吹付け手段
としての攪拌ファン14が設けられている。プリント基
板3に吹付けられる低温空気の温度はプリント基板3の
種類(熱の吸収のしやすさの違いによる種類等)または
該基板3に搭載されている部品の種類(熱の吸収のしや
すさまたは耐熱性の程度)によって異なるが150°C
から190°Cの範囲程度が望ましい。この低温空気は
各隔離壁10の間に形成された開口15を通って搬送中
のプリント基板3に吹付けられる。プリント基板3に吹
付けられた空気はリフロー室12内を通って、循環パイ
プ8に排出される。攪拌ファン14は炉室7から循環パ
イプ8への空気の循環をより円滑にする役割も果たして
いる。攪拌ファン14を設けなくても循環ブロワ5によ
り空気は流れるが、より円滑に流して確実にプリント基
板3に吹付け電子部品を冷却するために攪拌ファン14
が空気を吹付けている。
【0025】また、攪拌室11の攪拌ファン14の上方
には循環パイプ8から導入された低温空気を暖めるため
のガス加熱ヒータとしてのヒータ16が設けられてい
る。循環パイプ8を通る間に冷え過ぎた空気を前述する
ような適正な温度まで暖めることが目的である。ヒータ
16は空気の循環経路中のいずれの位置にあってもプリ
ント基板3に吹付けられる温度を調整することが可能で
あるが、攪拌室11にあることが基板3に吹き付けられ
る直前の空気を暖めることができ温度調節の追随性をよ
くするためにはよい。また、攪拌ファン14がこのヒー
タ16に暖められた空気を攪拌することにより一様の温
度となった空気をプリント基板3に吹付けられる。
【0026】このように、IRヒータ9により基板周辺
の空気が暖められても新しい低温空気が吹出されて循環
するため、基板3の表面の温度は適正な温度に保たれ、
しかも電子部品が破損することがない。
【0027】また、図2に示すように循環する空気の温
度を検出するための温度検出センサ18が前記開口15
中に設けられている。この位置に設置することで、IR
ヒータ9による温度上昇の影響を受けることなく、流れ
る空気の正確な温度を検出することができ、この結果に
より図3に示す制御手段としてのCPU19がROM2
0に格納されたプログラムに従って、RAM21に記憶
された適正温度等を示すデータに基づいて、インターフ
ェース22を介してヒータ16の温度を制御する。循環
パイプ8の周りの外気の温度変化によりパイプ8内を流
れる空気の冷却の程度が変わり、攪拌室11内に導入さ
れる空気の温度が変化することに対応するためである。
センサ18の位置は攪拌室11に導入された直後の空気
の温度を計測する位置でもよいが、基板3に吹付ける温
度が計測できる直前位置である開口15に設置すること
がよい。また、IRヒータ9の直近位置にも温度センサ
が設けられており(図示せず)、温度の制御がなされ
る。
【0028】以下動作について説明する。
【0029】基板実装ラインを構成する上流工程で、プ
リント基板3に塗布印刷されたクリーム半田上に種々の
電子部品が表面実装される。
【0030】次に、該基板3が搬送コンベア2に搬送さ
れ、リフロー炉1内に供給される。
【0031】リフロー炉1内の図示しない予備加熱部の
炉内にて加熱されてある程度の温度になされたプリント
基板3は搬送コンベア2に搬送されリフロー部4内に搬
入される。
【0032】次に、プリント基板3はIRヒータ9から
の遠赤外線の照射によりさらに加熱される。同時に、攪
拌ファン14に送られた空気が開口15を通って基板3
に吹き付けられ、電子部品の周辺の雰囲気温度を冷却
し、電子部品が必要以上に加熱されることを抑え、基板
3の表面のみが加熱されクリーム半田が溶融して電子部
品の各端子が基板3のパターンにリフロー半田付けされ
る。
【0033】次に、基板3は炉室7の反対側より搬送コ
ンベア2に排出搬送される。
【0034】また、リフロー部4では温度検出センサ1
8が常に空気の温度を検出しており、温度が下がり過ぎ
た場合にはCPU19の制御によりヒータ16が空気の
加熱を行い、適正な温度に保つようにしている。
【0035】尚、本実施形態では、循環パイプ8により
炉室7内の空気を循環させて冷却させているが、外気を
直接取り込むことも考えられる。しかしながら、外気を
直接取り込むのでは適切な温度まで昇温するのに温度差
があり過ぎまた、外気温自体の変化も大きく温度調整が
難しくなるのに対して、循環させるのであれば、冷却さ
れた温度はそれほど下がらず外気に比べればその変化の
程度も小さいため、適正な温度の維持が行い易い。
【0036】また、外気あるいは循環パイプ8により冷
却された空気等のガスをプリント基板3の所定の部分に
スポット的に当てることも考えられるが、本実施形態の
ものはこのようなスポット的なものではなく炉室7内の
空気が全体的に均一に冷却され、各開口15からは同一
温度の空気が吹き出される。
【0037】また、本実施形態では、炉室7内は外気と
同じ空気のガス雰囲気であったが、窒素ガスの雰囲気で
あっても同様に循環させることができる。
【0038】また、本実施形態ではIRヒータ9が照射
する遠赤外線によりプリント基板3の加熱をする場合に
ついて説明したが、近赤外線を照射するヒータを用いる
場合であっても、同様に循環させて雰囲気温度を上げ過
ぎないようにできる。
【0039】
【発明の効果】以上のように本発明は、炉室内の熱ガス
が循環路を通る間に外気により冷却され炉室内の雰囲気
温度が上昇することがないようにすることができ、プリ
ント基板上の電子部品の温度を上げ過ぎてしまうことな
く半田リフローを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】リフロー炉の内部を示す破断側面図である。
【図2】IRヒータ部を示す拡大側面図である。
【図3】リフロー炉の制御ブロック図である。
【符号の説明】
4 リフロー部 7 炉室 8 循環パイプ(ガス循環路) 9 IRヒータ(赤外線ヒータ) 14 攪拌ファン(吹付け手段) 15 開口 16 ヒータ(ガス加熱ヒータ) 18 温度検出センサ(温度検出手段) 19 CPU(制御手段)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子部品を炉室内に設けられた赤外線ヒ
    ータの加熱でプリント基板にリフロー半田付けするリフ
    ロー炉において、 炉室内の熱ガスを炉室外に排出して冷却し再度炉室内に
    導入する熱ガス循環路を設けたことを特徴とするリフロ
    ー炉。
  2. 【請求項2】 前記ガス循環路から炉室内に導入したガ
    スをプリント基板に吹付ける吹付け手段を設けたことを
    特徴とする請求項1に記載のリフロー炉。
  3. 【請求項3】 前記ガス循環路内または炉室内のガスを
    加熱するガス加熱ヒータを前記赤外線ヒータとは別個に
    設けたことを特徴とする請求項1または2に記載のリフ
    ロー炉。
  4. 【請求項4】 前記ガス加熱ヒータは前記ガス循環路か
    ら炉室内に導入され前記基板に吹付けられる前のガスを
    加熱するものであることを特徴とする請求項3に記載の
    リフロー炉。
  5. 【請求項5】 前記ガス加熱ヒータは前記ガス循環路か
    ら炉室内に導入され前記吹付け手段によりプリント基板
    に吹付けられる前のガスを加熱するものであることを特
    徴とする請求項3に記載のリフロー炉。
  6. 【請求項6】 前記炉室内のガス温度を検出する温度検
    出手段と、該温度検出手段の検出結果に基づき前記ガス
    加熱ヒータを制御する制御手段を設けたことを特徴とす
    る請求項4または5に記載のリフロー炉。
  7. 【請求項7】 前記温度検出手段は前記赤外線ヒータに
    加熱されない位置に設けられたことを特徴とする請求項
    6に記載のリフロー炉。
JP157397A 1997-01-08 1997-01-08 リフロー炉 Pending JPH10200253A (ja)

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