JP2004158470A - 横型の電界放出型冷陰極装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】横型の電界放出型冷陰極装置は、支持基板16の主面上に横並びに配設されたカソード電極22及びゲート電極24を有する。カソード電極22及びゲート電極24は互いに対向する対向側面22a、24aを有し、カソード電極22の対向側面22a上にエミッタ26が配設される。エミッタ26は、カソード電極22上に形成された金属メッキ層42と、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなると共に金属メッキ層42に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体44と、を有する。
【選択図】 図1
Description
Journal of Applied Physics, Vol.47, 5248 (1976) Tech. Digest of IEDM 85, p 172 (1985)
支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、
を具備し、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、前記微細体は部分的に前記金属メッキ層に埋設されることと、を特徴とする。
支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、
を具備し、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、前記微細体は全体的に前記金属メッキ層に埋設されることと、を特徴とする。
支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、
を具備し、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、前記微細体は棒状であり、前記微細体の50〜100%は、前記カソード電極が配設された前記支持基板の主面に対して±20°の角度範囲内に配向されることと、を特徴とする。
支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、
を具備し、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、前記微細体は棒状且つ中空であり、前記微細体の内部に導電性の材料からなる充填層が配設されることと、を特徴とする。
支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、
前記第1側面に対向するように前記第2側面上に配設されたゲート突出部と、前記ゲート突出部は、前記金属メッキ層と同じ材料からなるゲート金属メッキ層と、前記ゲート金属メッキ層に分散状態で支持され且つ前記微細体と同じ材料からなる複数のゲート微細体とを具備することと、
を具備することを特徴とする。
Claims (14)
- 支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、
を具備し、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、前記微細体は部分的に前記金属メッキ層に埋設されることと、を特徴とする横型の電界放出型冷陰極装置。 - 前記微細体は棒状であり、50nm以下の曲率半径の先端を有することを特徴とする請求項1に記載の横型の電界放出型冷陰極装置。
- 前記微細体は棒状であり、前記微細体の50〜100%は、前記カソード電極が配設された前記支持基板の主面に対して±20°の角度範囲内に配向されることを特徴とする請求項1または2に記載の横型の電界放出型冷陰極装置。
- 前記微細体は棒状且つ中空であり、前記微細体の内部に導電性の材料からなる充填層が配設されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の横型の電界放出型冷陰極装置。
- 前記微細体は粒状であり、100nm以下の半径を有することを特徴とする請求項1に記載の横型の電界放出型冷陰極装置。
- 前記金属メッキ層は抵抗を増加させるための添加物質を含む抵抗バラスト層からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の横型の電界放出型冷陰極装置。
- 前記金属メッキ層は10-8〜10-4Ωの抵抗率を有することを特徴とする請求項6に記載の横型の電界放出型冷陰極装置。
- 前記第1側面に対向するように前記第2側面上に配設されたゲート突出部を更に具備し、前記ゲート突出部は、前記金属メッキ層と同じ材料からなるゲート金属メッキ層と、前記ゲート金属メッキ層に分散状態で支持され且つ前記微細体と同じ材料からなる複数のゲート微細体とを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の横型の電界放出型冷陰極装置。
- 前記支持基板と協働して、前記カソード電極、前記ゲート電極及び前記エミッタを包囲する真空放電空間を形成する包囲部材と、前記カソード電極及び前記ゲート電極と対向する位置で前記包囲部材上に配設されたアノード電極と、を更に具備することを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の横型の電界放出型冷陰極装置。
- 前記包囲部材は前記支持基板に対向する透明な対向基板を具備し、前記真空放電空間内で前記対向基板上に、透明な電極を具備する前記アノード電極と蛍光体層とが積層されることを特徴とする請求項9に記載の横型の電界放出型冷陰極装置。
- 支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、
を具備し、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、前記微細体は全体的に前記金属メッキ層に埋設されることと、を特徴とする横型の電界放出型冷陰極装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、
を具備し、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、前記微細体は棒状であり、前記微細体の50〜100%は、前記カソード電極が配設された前記支持基板の主面に対して±20°の角度範囲内に配向されることと、を特徴とする横型の電界放出型冷陰極装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、
を具備し、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、前記微細体は棒状且つ中空であり、前記微細体の内部に導電性の材料からなる充填層が配設されることと、を特徴とする横型の電界放出型冷陰極装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に配設され且つ第1側面を有するカソード電極と、
前記カソード電極に対して横並びとなるように前記支持基板上に配設され且つ前記第1側面に対して対向する第2側面を有するゲート電極と、
前記第2側面に対向するように前記第1側面上に配設された電子を放出するためのエミッタと、前記エミッタは、前記カソード電極上に形成された金属メッキ層と前記金属メッキ層に分散状態で支持された粒状または棒状の複数の微細体とを具備し、前記微細体は、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト、低仕事関数材料、負の電子親和力材料、金属材料からなる群から選択された材料からなることと、
前記第1側面に対向するように前記第2側面上に配設されたゲート突出部と、前記ゲート突出部は、前記金属メッキ層と同じ材料からなるゲート金属メッキ層と、前記ゲート金属メッキ層に分散状態で支持され且つ前記微細体と同じ材料からなる複数のゲート微細体とを具備することと、
を具備することを特徴とする横型の電界放出型冷陰極装置。
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JP2004061887A JP3774463B2 (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | 横型の電界放出型冷陰極装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7572164B2 (en) | 2004-06-17 | 2009-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing electron-emitting device, methods for manufacturing electron source and image display device using the electron-emitting device |
DE102006013223B4 (de) * | 2005-07-26 | 2011-05-05 | Industrial Technology Research Institute Taiwanese Body Corporate | Feldemissionsanzeigevorrichtung und Verfahren zum Betreiben derselben |
-
2004
- 2004-03-05 JP JP2004061887A patent/JP3774463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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DE102006013223B4 (de) * | 2005-07-26 | 2011-05-05 | Industrial Technology Research Institute Taiwanese Body Corporate | Feldemissionsanzeigevorrichtung und Verfahren zum Betreiben derselben |
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