JP2004140023A

JP2004140023A - 太陽電池およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール

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Publication number: JP2004140023A
Application number: JP2002300769A
Authority: JP
Inventors: Koji Tomita; 富田　孝司; Keiji Shimada; 島田　啓二; Kunio Kamimura; 上村　邦夫; Tsuguyuki Kamiyama; 上山　嗣之
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2002-10-15
Filing date: 2002-10-15
Publication date: 2004-05-13
Anticipated expiration: 2022-10-15
Also published as: JP3850784B2

Abstract

【課題】太陽電池およびそれを用いた太陽電池モジュールの製造工程において割れ難く、しかも製造コストの低い太陽電池およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板および裏面電極を少なくとも具備する太陽電池であって、裏面電極側に溶融シリカ質焼結体層が設けられていることを特徴とする太陽電池により、上記の課題を解決する。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池およびその製造方法ならびに太陽電池モジュールに関する。さらに詳しくは、本発明は、薄くて割れやすい半導体基板により形成された太陽電池およびその製造方法ならびにそれを用いた太陽電池モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
太陽光のような光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池は、地球環境問題に対する関心が高まるにつれ、積極的に種々の構造・構成のものが開発されている。その中でも、シリコンなどの半導体基板を用いた太陽電池は、その変換効率、製造コストなどの優位性により最も一般的に用いられている。
【０００３】
太陽電池用の半導体シリコン基板は、内周刃スライサ、外周刃スライサ、ワイヤーソーなどを用いて、単結晶または多結晶の半導体インゴットから通常３００〜３５０μｍ程度の厚さに切り出される。太陽電池は、基本的に半導体シリコン基板の受光面となる側（表面）にｐｎ接合を形成し、その上に光の入射を増大させるための反射防止膜、電流を取り出すための表面電極を形成し、受光面の反対面となる裏面にも電流を取り出すための裏面電極を形成することにより製造される。
【０００４】
図５は、従来の太陽電池の一例を示す模式図であり、（ａ）は受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）は裏面の平面図、（ｃ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。このような太陽電池の大きさは、例えば、１２５ｍｍ×１２５ｍｍ、厚さ３５０μｍである。
【０００５】
図５の太陽電池１は、次のようにして製造される。
まず、アルカリエッチングにより、ｐ型シリコン基板１ａのスライス時に形成されたダメージ層を除去する。次に、公知の技術により、ｐ型シリコン基板１ａの表面にリンなどのｎ型の不純物を拡散させ、ｐｎ接合をｐ型シリコン基板１ａの表面近傍に形成する。さらに、この上にＣＶＤ法などにより、ＳｉＯ_２などの反射防止膜（図示せず）を形成する。一方、ｐ型シリコン基板１ａの裏面上に、スクリーン印刷法などにより、Ａｌペーストを印刷・焼成し、ｐ＋層（ｐ型の高濃度不純物層［ＢＳＦ（Ｂａｃｋ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｆｉｅｌｄ）層］）と裏面集電電極１ｃを形成する。ＢＳＦ層があると、裏面での少数キャリアを有効に利用できるため、高出力化が図れる。次いで、ｐ型シリコン基板１ａの表面および裏面に、スクリーン印刷法などにより、Ａｇペーストを印刷・焼成し、ｐ型シリコン基板１ａの表面に集電用および接続用の表面電極１ｂと、ｐ型シリコン基板１ａの裏面に接続用の裏面電極１ｄを形成する。その後、はんだディップにより、表面電極１ｂおよび裏面電極１ｄの表面にはんだ層１ｅを形成する。
【０００６】
Ａｌペースト焼成電極は、通常、通常Ａｌ粉末、ガラスフリット、樹脂、溶剤および添加物から構成されるＡｌペーストを、電極を形成する基材に印刷後、例えば、空気中、７００℃で２分間焼成することによって形成される。
また、Ａｇペースト焼成電極は、通常Ａｇ粉末、ガラスフリット、樹脂、溶剤および添加物から構成されるＡｇペーストを、電極を形成する基材に印刷後、例えば、空気中、６００℃で２分間焼成することによって形成される。
【０００７】
太陽電池モジュールは、上記のようにして得られた太陽電池の複数個を、直列、並列または直並列に接続し、封止処理などを施すことにより製造される。
具体的には、導電性の金属板からなるインターコネクタにより複数の太陽電池を接続し、太陽電池がアレイ状に配列された太陽電池ストリングを構成し、この太陽電池ストリングの表面側および裏面側にそれぞれガラス板および裏面フィルムを透明樹脂で接合し、太陽電池ストリングの回路の両端から外部に電流を取り出すための端子を引き出すことにより、太陽電池モジュールが得られる。
【０００８】
しかし、太陽電池モジュールの製造過程において、太陽電池の構成基材であるシリコン基板が割れやすいという問題があった。そこで、金属板、アクリル樹脂またはフッ素樹脂からなる保護板を太陽電池の裏面に貼り付けて、太陽電池を補強する技術が提案された（例えば、特許文献１参照）
【０００９】
【特許文献１】
特開昭６１−１０８１７８号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、太陽電池の構成材料は、熱または薬液に対して十分な強度がないため、上記の従来技術によって太陽電池を製造する場合には、太陽電池の完成後に保護板を貼り付けることになる。したがって、上記の従来技術では、太陽電池の製造工程における割れは解消されない。また、太陽電池の完成後における保護板の貼り付け工程において太陽電池が割れるという問題は依然として解消されない。
【００１１】
また、太陽電池の厚さは一般に３５０μｍ程度であるが、半導体インゴットからの基板の取れ数を増やしてコストの低減化を図るために、更なる太陽電池の薄型化が望まれている。しかし、半導体インゴットからの基板の取れ数を増やして基板を薄くすると、基板の割れの発生率はさらに高まる。
【００１２】
そこで、本発明は、太陽電池およびそれを用いた太陽電池モジュールの製造工程において割れ難く、しかも製造コストの低い太陽電池およびその製造方法を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板および裏面電極を少なくとも具備する太陽電池において、裏面電極側に溶融シリカ質焼結体層を設けることにより、太陽電池およびそれを用いた太陽電池モジュールの製造工程において割れ難く、しかも製造コストの低い太陽電池が得られることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１４】
かくして、本発明によれば、受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板および裏面電極を少なくとも具備する太陽電池であって、裏面電極側に溶融シリカ質焼結体層が設けられていることを特徴とする太陽電池が提供される。
【００１５】
また、本発明によれば、上記の複数個の太陽電池をインターコネクタでアレイ状に電気接続した太陽電池ストリングを含む太陽電池モジュールが提供される。
【００１６】
さらに、本発明によれば、受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板および裏面電極を少なくとも具備する太陽電池の製造方法であって、半導体基板の裏面電極側にＡｌペーストまたはＡｇペーストを塗布し、その上に溶融シリカ質焼結体層を貼り付けた後、ＡｌペーストまたはＡｇペーストを焼成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法が提供される。
【００１７】
また、本発明によれば、受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板および裏面電極を少なくとも具備する太陽電池の製造方法であって、半導体基板の裏面電極側にＡｌペーストを塗布・焼成して、高濃度不純物層と裏面集電電極を形成し、エッチングにより裏面集電電極を除去し、次いで水と混練した溶融シリカ粉末を主成分とする混合物を塗布・焼成し、溶融シリカ質焼結体層を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法が提供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の太陽電池は、受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板および裏面電極を少なくとも具備する太陽電池であって、裏面電極側に溶融シリカ質焼結体層が設けられていることを特徴とする。
以下、本発明の太陽電池の構成およびその製造方法を、実施形態１〜４に基づいて具体的に説明するが、これらの説明により本発明が限定されるものではない。
【００１９】
実施形態１
図１は、本発明の太陽電池（実施形態１）を示す模式図であり、（ａ）は受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）は裏面の平面図、（ｃ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。この太陽電池１は、ｐｎ接合を有する半導体基板（シリコン基板）１ａを含み、その表面（受光面側）には、表面電極１ｂとして慣用的な電流収集用のくし型Ａｇ電極が形成されている。また、半導体基板１ａの裏面は、裏面集電電極（Ａｌ電極）１ｃに覆われ、その上に溶融シリカ質焼結体層２が形成され、太陽電池１が補強されている。図中、１ｅははんだ層である。なお、裏面電極１ｄ（図示せず）は、例えば、裏面周辺部において溶融シリカ質焼結体層２が形成されていない半導体基板１ａまたは裏面集電電極１ｃの部分、好ましくはその両方に重なるように形成される。
【００２０】
図１では、半導体基板として、単結晶のシリコン基板を使用した例を示したが、これに限定されず、太陽電池を形成するための基板であればよく、例えば、多結晶のシリコン基板やＧｅ基板、ＧａＰ、ＩｎＰなどの化合物半導体基板が挙げられる。その厚さは、１００〜５００μｍ程度である。
半導体インゴットから切り出された半導体基板は、表面清浄化のために、予め混酸（フッ酸と硝酸との混酸）エッチングと純水リンスに付すのが好ましい。
半導体基板はｐｎ接合を有するが、これは、第１導電型の半導体基板の表面側に第２導電型の受光面不純物拡散領域が形成されていることを意味する。ここで、第１導電型がｎ型の場合には、第２導電型はｐ型であり、第１導電型がｐ型の場合には、第２導電型はｎ型である。
【００２１】
ｐ型を与える不純物としては、ホウ素、アルミニウムなどが挙げられ、ｎ型を与える不純物としては、リン、砒素などが挙げられる。
半導体基板には、ｐ型ｎ型ともに比抵抗で０．１〜１０Ω・ｃｍのシリコン基板が使用される。
【００２２】
半導体基板の表面側には、特開平７−１３５３３３号公報などの公知の方法により第２導電型の不純物が拡散され、第２導電型の受光面不純物拡散領域が形成される。この領域は、面抵抗が数十Ω程度の範囲に形成されるのが好ましい。
【００２３】
図１では、受光面側の表面電極として、従来の技術で示した慣用的な電流収集用のくし型Ａｇ電極を使用した例を示したが、これに限定されず、一般に太陽電池に用いられる材質、形状およびパターン形状の電極であればよい。裏面集電電極について後述するＡｇペーストと同じ方法で形成される。他の例として、例えば、Ａｇ／Ｐｄ／Ｔｉ積層金属からなる電極が挙げられ、蒸着法、スパッタ法などの公知の方法により形成することができる。
表面電極の形状は、四角形、楕円などが挙げられる。また、そのパターン形状は、くし型以外に格子形、フィシュボーン形が挙げられ、パターンの大きさ、配置ピッチは、使用する半導体基板の導電率、厚さなどのパラメータにより適宜設計すればよい。その膜厚は、数〜数十μｍ程度である。
【００２４】
なお、受光面不純物拡散領域において、表面電極が形成されていない部分には、通常、ＳｉＮ膜のような反射防止膜が形成される。反射防止膜は、プラズマＣＶＤ法などの公知の方法により形成することができ、その膜厚は、０．０５〜０．１μｍ程度である。
【００２５】
本発明の太陽電池における最大の特徴は、裏面電極側に溶融シリカ質焼結体層が設けられていることにある。
図１に示すように、溶融シリカ質焼結体層２は、裏面集電電極１ｃを介して半導体基板１ａに設けられているのが好ましい。その厚さは、５０〜２００μｍ程度が好ましい。裏面集電電極は、溶融シリカ質焼結体層と半導体基板との接着層の役割を果たす。
【００２６】
溶融シリカ質焼結体層となる焼結体は、公知の方法、例えば、特公平１−５４３０１号公報および特開平１０−２６５２５９号公報に記載の方法で形成されたものを用いることができる。
具体的には、溶融シリカ質焼結体層は、溶融シリカを主骨材とする配合物を、鋳込み成形などにより所定の形状に成形し、温度１０５０〜１２５０℃で、０．５〜２０時間焼成することにより得られる。配合物には、機械的強度を向上させるために、溶融シリカ１００重量％に対して５重量％以下の金属粉末が添加されていてもよい。また、溶融シリカ質焼結体層を緻密化するために、水蒸気雰囲気下で焼成したものでもよい。
【００２７】
裏面集電電極は、Ａｌペースト焼成電極またはＡｇペースト焼成電極であるのが好ましい。
図１の太陽電池における裏面集電電極と溶融シリカ質焼結体層は、半導体基板の裏面電極側にＡｌペーストまたはＡｇペーストを塗布し、その上に溶融シリカ質焼結体層を貼り付けた後、ＡｌペーストまたはＡｇペーストを焼成する工程により形成することができる。
ＡｌペーストおよびＡｇペーストは、スクリーン印刷法などの公知の方法により塗布することができる。
Ａｌペーストは、通常、通常Ａｌ粉末、ガラスフリット、樹脂、溶剤および添加物から構成され、その焼成条件は、例えば、空気中、６５０〜７５０℃程度で１〜５分間程度である。また、Ａｇペーストは、通常Ａｇ粉末、ガラスフリット、樹脂、溶剤および添加物から構成され、その焼成条件は、例えば、空気中、５５０〜６５０℃程度で１〜５分間程度である。
また、従来技術で示したように、裏面集電電極１ｃがＡｌ電極の場合、その下部の半導体基板１ａに高濃度のｐ型層（ｐ＋層）が形成されるため、太陽電池の高出力化が図れる。
【００２８】
裏面電極は、上述のＡｇペーストの条件で形成され、特開２０００−１３３８２６号公報などの公知の方法により、裏面周辺部において溶融シリカ質焼結体層２が形成されていない半導体基板１ａまたは裏面集電電極の部分、好ましくはその両方に重なるように形成される。また、裏面電極上には、さらにはんだ層が設けられていてもよい。
【００２９】
また、はんだ層は、はんだディップなどの公知の方法により、表面電極表面に形成される。その膜厚は、１〜１０μｍ程度である。はんだ層は、太陽電池のシリーズ抵抗となる電気抵抗を低下させ、あるいは太陽電池セル接続を容易にさせる。
【００３０】
このようにして補強された本発明の太陽電池は、溶融シリカ質焼結体層の貼り付け工程以降の太陽電池の製造工程において、基板の強度を増大させる効果を有し、さらには太陽電池モジュールの製造工程中に太陽電池にかかる熱応力や機械的外力に対して、太陽電池の強度を増大させる効果を有する。
また、溶融シリカ質焼結体は、機械的強度、耐熱衝撃性および耐食性に優れた安定な材料であるので、太陽電池の信頼性を低下させることはない。さらに、溶融シリカ質焼結体層は、太陽電池の製造工程における熱処理工程、薬液処理工程に耐えるため、溶融シリカ質焼結体層の貼り付け工程を、全体の工程の初期から導入することができ、工程の初期から半導体基板の割れを防止することができる。
【００３１】
実施形態２
図２は、本発明の太陽電池（実施形態２）を示す模式図であり、（ａ）は受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）は裏面の平面図、（ｃ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。この太陽電池１は、図１の太陽電池の構成と殆ど同様であるが、溶融シリカ質焼結体層２が開口部３を有し、この開口部に対応する太陽電池１の裏面に、裏面電極（Ａｇ電極）１ｄが形成されている点が異なる。このような構成により、太陽電池モジュールの製造において、電気的接続用のインターコネクタ（図示しない）の接続が容易になる。好ましくは、開口の一部には裏面集電電極１ｃが形成されており、裏面電極１ｄの一部は、半導体基板１ａに直接形成されるとともに一部は裏面集電電極１ｃの上に形成される。これは、半導体基板１ａに直接形成された部分で密着強度を確保し、裏面集電電極１ｃの上に形成された部分で直列抵抗を小さくできるためである。図示していないが、好ましくは、開口部３には裏面集電電極１ｃが形成されておらず、裏面電極１ｄは、半導体基板１ａに直接形成される。これは、半導体基板１ａ上に形成された方が密着強度が強く、従って、インターコネクタが強い強度で接着されるためである。
したがって、本発明の太陽電池は、溶融シリカ質焼結体層が少なくとも１つの開口部を有するのが好ましく、さらに裏面電極が溶融シリカ質焼結体層の少なくとも１つの開口部に設けられているのが好ましい。
また、裏面電極は、Ａｇペースト焼成電極であるのが好ましい。
【００３２】
図２の太陽電池の製造方法は、図１の太陽電池と殆ど同様であるが、溶融シリカ質焼結体層が少なくとも１つの開口部３を有する点、その少なくとも１つの開口部に裏面電極１ｄを形成する点が異なる。
図２の太陽電池における裏面集電電極、裏面電極および溶融シリカ質焼結体層の部分は、溶融シリカ質焼結体層が、少なくとも１つの開口部を有する焼結体であり、溶融シリカ質焼結体層を貼り付ける前に、半導体基板の裏面電極側における溶融シリカ質焼結体層の少なくとも１つの開口部に対応する部分にＡｇペーストを塗布し、かつその他の部分の少なくとも一部にＡｌペーストを塗布し、その上に溶融シリカ質焼結体層を貼り付けた後、ＡｌペーストおよびＡｇペーストを焼成する工程により形成することができる。
【００３３】
実施形態３
図３は、本発明の太陽電池（実施形態３）を示す模式図であり、（ａ）は受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）は裏面の平面図、（ｃ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。この太陽電池１は、図２の太陽電池の構成と殆ど同様であるが、裏面電極（Ａｇ電極）１ｄが形成されている開口部３以外に、他の開口部３ａを有する点が異なる。このような構成により、裏面集電電極および裏面電極の形成、すなわち、金属ペーストを焼成する際に発生するガスの抜けを促進させることができ、太陽電池の製造がより安定するので好ましい。
図３の太陽電池は、図２の太陽電池と殆ど同様にして製造することができる。
他の開口部の大きさおよび数量は、使用される金属ペーストの材質およびその焼成条件などに合わせて設計することができる。
【００３４】
実施形態４
図４は、本発明の太陽電池（実施形態４）を示す模式図であり、（ａ）は受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）は裏面の平面図、（ｃ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。この太陽電池１は、図１の太陽電池の構成と殆ど同様であるが、裏面集電電極１ｃを有さない点、すなわち溶融シリカ質焼結体層が半導体基板１ａに接して設けられている（直接貼り付けられている）点が異なる。また、この太陽電池１には、第１導電型の半導体基板の裏面側には、第１導電型のＢＳＦ層、（図示せず）が設けられている。なお、裏面電極１ｄ（図示せず）は、例えば、裏面周辺部において溶融シリカ質焼結体層２が形成されていない半導体基板１ａの部分に形成される。
この太陽電池では、溶融シリカ質焼結体層の貼り付けに金属ペーストが不要であり、半導体基板に対して安定して貼り付けることができる。
【００３５】
図４の太陽電池は、半導体基板の裏面電極側にＡｌペーストを塗布・焼成して、高濃度不純物層と裏面集電電極を形成し、エッチングにより裏面集電電極を除去し、次いで水と混練した溶融シリカ粉末を主成分とする混合物を塗布・焼成し、溶融シリカ質焼結体層を形成する工程を含む方法により製造することができる。
【００３６】
上記の工程は、例えば、スクリーン印刷法などの公知の方法により、半導体基板裏面上にＡｌペーストを塗布・焼成してｐ＋層と裏面集電電極を形成した後、フッ酸、塩酸などを用いたエッチングにより裏面集電電極を除去し、次いで水と混練した溶融シリカ粉末を主成分とする粉末を塗布・焼成し、溶融シリカ質焼結体層を形成することからなる。Ａｌペーストおよび溶融シリカ質焼結体層の焼成条件は、図１の太陽電池と同様である。
【００３７】
本発明の太陽電池モジュールは、上記の複数個の太陽電池をインターコネクタでアレイ状に電気接続した太陽電池ストリングを含む。
本発明の太陽電池モジュールは、例えば、ガラス基板上に、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）シートを置き、その上に本発明の太陽電池を、導電性の金属板などからなるインターコネクタでアレイ状に電気接続した太陽電池ストリングを置き、さらにＥＶＡシートを置き、その上に裏面カバーを置き、これらを１５０℃程度で真空ラミネート加工し、電気的に両端となる太陽電池からそれぞれ＋／−の端子を外部に取り出すことにより得られる。
【００３８】
上記の太陽電池モジュールに用いられる太陽電池としては、図２または図３に示されるものが好ましい。すなわち、太陽電池モジュールのインターコネクタは、太陽電池の裏面電極側における溶融シリカ質焼結体層の開口部に設けられた裏面電極と接続されているのが好ましい。
本発明の太陽電池モジュールは、割れにくい太陽電池で構成されているため、モジュール製造工程でも割れ難く、モジュール完成後も太陽電池が割れ難いため、長期的な信頼性が高まる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、溶融シリカ質焼結体層の貼り付け工程以降の太陽電池の製造工程およびそれを用いた太陽電池モジュールの製造工程において割れ難く、しかも製造コストの低い太陽電池およびその製造方法を提供することができる。
また、溶融シリカ質焼結体は、機械的強度、耐熱衝撃性および耐食性に優れた安定な材料であるので、太陽電池の信頼性を低下させることはなく、本発明によって提供される太陽電池を用いて製造される太陽電池モジュールも、その品質や信頼性を低下させることなく、製造コストが改善される。
つまり、溶融シリカ質焼結体層は、太陽電池の製造工程における熱処理工程、薬液処理工程に耐えるため、従来技術では太陽電池が完成した後でないとできなかった太陽電池の補強を、全体の製造工程の初期において行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の太陽電池（実施形態１）を示す模式図、（ａ）受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）裏面の平面図および（ｃ）（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。
【図２】本発明の太陽電池（実施形態２）を示す模式図、（ａ）受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）裏面の平面図および（ｃ）（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。
【図３】本発明の太陽電池（実施形態３）を示す模式図、（ａ）受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）裏面の平面図および（ｃ）（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。
【図４】本発明の太陽電池（実施形態４）を示す模式図、（ａ）受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）裏面の平面図および（ｃ）（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。
【図５】従来の太陽電池の一例を示す模式図、（ａ）受光面となる側（表面）の平面図、（ｂ）裏面の平面図および（ｃ）（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。
【符号の説明】
１　　太陽電池
１ａ　半導体基板（シリコン基板）
１ｂ　表面電極
１ｃ　裏面集電電極
１ｄ　裏面電極
１ｅ　はんだ層
２　　溶融シリカ質焼結体層
３　　開口部
３ａ　他の開口部

Claims

受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板および裏面電極を少なくとも具備する太陽電池であって、裏面電極側に溶融シリカ質焼結体層が設けられていることを特徴とする太陽電池。
溶融シリカ質焼結体層が、半導体基板に接して設けられている請求項１に記載の太陽電池。
溶融シリカ質焼結体層が、裏面集電電極を介して半導体基板の裏面電極側に設けられている請求項１に記載の太陽電池。
裏面集電電極が、Ａｌペースト焼成電極および／またはＡｇペースト焼成電極である請求項３に記載の太陽電池。
溶融シリカ質焼結体層が、少なくとも１つの開口部を有している請求項１〜４のいずれか１つに記載の太陽電池。
裏面電極が、溶融シリカ質焼結体層の少なくとも１つの開口部に設けられている請求項１〜５のいずれか１つに記載の太陽電池。
裏面電極が、Ａｇペースト焼成電極である請求項６に記載の太陽電池。
請求項１〜７のいずれか１つに記載の複数個の太陽電池をインターコネクタでアレイ状に電気接続した太陽電池ストリングを含む太陽電池モジュール。
インターコネクタが、溶融シリカ質焼結体層の開口部に設けられた裏面電極と接続されている請求項８に記載の太陽電池モジュール。
受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板および裏面電極を少なくとも具備する太陽電池の製造方法であって、半導体基板の裏面電極側にＡｌペーストおよび／またはＡｇペーストを塗布し、その上に溶融シリカ質焼結体層を貼り付けた後、Ａｌペーストおよび／またはＡｇペーストを焼成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
溶融シリカ質焼結体層が、少なくとも１つの開口部を有する焼結体であり、溶融シリカ質焼結体層を貼り付ける前に、半導体基板の裏面電極側における溶融シリカ質焼結体層の少なくとも１つの開口部に対応する部分にＡｇペーストを塗布し、かつその他の部分の少なくとも一部にＡｌペーストを塗布し、その上に溶融シリカ質焼結体層を貼り付けた後、ＡｌペーストおよびＡｇペーストを焼成する請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板および裏面電極を少なくとも具備する太陽電池の製造方法であって、半導体基板の裏面電極側にＡｌペーストを塗布・焼成して、高濃度不純物層と裏面集電電極を形成し、エッチングにより裏面集電電極を除去し、次いで水と混練した溶融シリカ粉末を主成分とする混合物を塗布・焼成し、溶融シリカ質焼結体層を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。