JP2002353478A - 太陽電池素子およびそれを用いた太陽電池モジュール - Google Patents
太陽電池素子およびそれを用いた太陽電池モジュールInfo
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板の裏面に形成するアルミニウム電
極と銀電極との重なり部分で割れが発生しても出力損失
を最小限に抑えることを目的とする。 【解決手段】 半導体基板の一主面側と他の主面側に異
なる導電領域を形成し、この一主面側に帯状の出力取出
用バスバー部と集電用フィンガー部とから成る表面電極
を形成し、他の主面側に帯状の出力取出用バスバー部と
この出力取出用バスバー部が形成された領域以外の略全
面に形成された集電部とから成る裏面電極を形成した太
陽電池素子において、前記他の主面側の帯状の出力取出
用のバスバー部をこの他の主面側の集電部の略中央部に
形成すると共に、この集電部の対向する両端部に形成し
た。
極と銀電極との重なり部分で割れが発生しても出力損失
を最小限に抑えることを目的とする。 【解決手段】 半導体基板の一主面側と他の主面側に異
なる導電領域を形成し、この一主面側に帯状の出力取出
用バスバー部と集電用フィンガー部とから成る表面電極
を形成し、他の主面側に帯状の出力取出用バスバー部と
この出力取出用バスバー部が形成された領域以外の略全
面に形成された集電部とから成る裏面電極を形成した太
陽電池素子において、前記他の主面側の帯状の出力取出
用のバスバー部をこの他の主面側の集電部の略中央部に
形成すると共に、この集電部の対向する両端部に形成し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板の表裏面
に出力取出用バスバー部が設けられた太陽電池素子とそ
れを用いた太陽電池モジュールに関する。
に出力取出用バスバー部が設けられた太陽電池素子とそ
れを用いた太陽電池モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】太陽電池
素子の一般的な構造を図４に示す。図４（ａ）は断面
図、図４（ｂ）は裏側から見た図である。図４（ａ）
（ｂ）において、１１は一導電型（例えばＰ型）を示す
半導体基板、１１ａは半導体基板１１の表面部分にリン
原子が高濃度に拡散され他の導電型を呈する領域、１２
は一主面側の反射防止膜、１３は半導体接合部である。
この反射防止膜１２は電極に相当する部分がエッチング
されもしくはその上から電極が形成される。１４は裏面
から出力を取り出すための銀電極、１５は裏面アルミニ
ウム電極であり、これがシリコン基板１１に焼き付けら
れた際には裏面で発生したキャリアが再結合することを
防ぐ裏面電界層としての効果があることも知られてい
る。裏面では銀を主成分とする電極１４とアルミニウム
を主成分とする電極１５が形成されるが、両者は電気的
伝導を保つために、互いの一部分が重なり合うことが必
要になる。１６は隣接する太陽電池同志を接続する配線
部材がハンダ付けされる表面電極の出力取出用バスバー
部であり、この出力取出用バスバー部１６と垂直に集電
用フィンガー電極１７が多数設けられている。表面電極
１６、１７及び裏面電極１４、１５の配置は、両者が半
導体基板１１を挟んで重なる位置に配置するようにす
る。
素子の一般的な構造を図４に示す。図４（ａ）は断面
図、図４（ｂ）は裏側から見た図である。図４（ａ）
（ｂ）において、１１は一導電型（例えばＰ型）を示す
半導体基板、１１ａは半導体基板１１の表面部分にリン
原子が高濃度に拡散され他の導電型を呈する領域、１２
は一主面側の反射防止膜、１３は半導体接合部である。
この反射防止膜１２は電極に相当する部分がエッチング
されもしくはその上から電極が形成される。１４は裏面
から出力を取り出すための銀電極、１５は裏面アルミニ
ウム電極であり、これがシリコン基板１１に焼き付けら
れた際には裏面で発生したキャリアが再結合することを
防ぐ裏面電界層としての効果があることも知られてい
る。裏面では銀を主成分とする電極１４とアルミニウム
を主成分とする電極１５が形成されるが、両者は電気的
伝導を保つために、互いの一部分が重なり合うことが必
要になる。１６は隣接する太陽電池同志を接続する配線
部材がハンダ付けされる表面電極の出力取出用バスバー
部であり、この出力取出用バスバー部１６と垂直に集電
用フィンガー電極１７が多数設けられている。表面電極
１６、１７及び裏面電極１４、１５の配置は、両者が半
導体基板１１を挟んで重なる位置に配置するようにす
る。
【０００３】このような太陽電池素子の出力取出用バス
バー部１４、１６には出力取出用銅箔等（不図示）を半
田付けするためにあらかじめ半田被覆されている。この
半田被覆は、ディップ法、噴流式等が採用される。とこ
ろで銀を主成分とする裏面電極の出力取出用バスバー部
１４とアルミニウムを主成分とする裏面電極の集電部１
５は、両者が重なり合う部分では基板材料のシリコン、
出力取出用バスバー部材料の銀、集電部用材料のアルミ
ニウムという熱膨張率の異なるものが集まるために、焼
成した後に応力の集中が起こり、太陽電池素子にクラッ
クが発生したり、割れたりするという問題があった。銀
から成る出力取出用バスバー部１４とアルミニウムから
成る集電部１５とが重なり合う部分で割れなどが発生し
た場合には、この部分の出力は取り出すことができず、
出力の損失を引き起こすという問題があった。
バー部１４、１６には出力取出用銅箔等（不図示）を半
田付けするためにあらかじめ半田被覆されている。この
半田被覆は、ディップ法、噴流式等が採用される。とこ
ろで銀を主成分とする裏面電極の出力取出用バスバー部
１４とアルミニウムを主成分とする裏面電極の集電部１
５は、両者が重なり合う部分では基板材料のシリコン、
出力取出用バスバー部材料の銀、集電部用材料のアルミ
ニウムという熱膨張率の異なるものが集まるために、焼
成した後に応力の集中が起こり、太陽電池素子にクラッ
クが発生したり、割れたりするという問題があった。銀
から成る出力取出用バスバー部１４とアルミニウムから
成る集電部１５とが重なり合う部分で割れなどが発生し
た場合には、この部分の出力は取り出すことができず、
出力の損失を引き起こすという問題があった。
【０００４】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、裏面電極の出力取出用バスバー部と集電部の重な
り部分で割れが発生しても出力損失を最小限に抑えるこ
とを目的とする。
あり、裏面電極の出力取出用バスバー部と集電部の重な
り部分で割れが発生しても出力損失を最小限に抑えるこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池素子では、半導体基板の一主
面側と他の主面側に異なる導電領域を形成し、この一主
面側に帯状の出力取出用バスバー部と集電用フィンガー
部とから成る表面電極を形成し、他の主面側に帯状の出
力取出用バスバー部とこの出力取出用バスバー部が形成
された領域以外の略全面に形成された集電部とから成る
裏面電極を形成した太陽電池素子において、前記他の主
面側の帯状の出力取出用のバスバー部をこの他の主面側
の集電部の略中央部に形成すると共に、この集電部の対
向する両端部に形成した。
に、本発明に係る太陽電池素子では、半導体基板の一主
面側と他の主面側に異なる導電領域を形成し、この一主
面側に帯状の出力取出用バスバー部と集電用フィンガー
部とから成る表面電極を形成し、他の主面側に帯状の出
力取出用バスバー部とこの出力取出用バスバー部が形成
された領域以外の略全面に形成された集電部とから成る
裏面電極を形成した太陽電池素子において、前記他の主
面側の帯状の出力取出用のバスバー部をこの他の主面側
の集電部の略中央部に形成すると共に、この集電部の対
向する両端部に形成した。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の構造を
示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は太陽電池素子
を裏面側から見た図である。図１（ａ）（ｂ）におい
て、１は一導電型（例えばＰ型）を示す半導体基板、１
ａは半導体基板１の表面部分にリン原子が高濃度に拡散
され他の導電型を呈する領域、２は一主面側の反射防止
膜、３は半導体接合部である。この反射防止膜２は電極
に相当する部分がエッチングされもしくはその上から電
極が形成される。４は裏面から出力を取り出すための銀
電極、５は裏面アルミニウム電極であり、一般にこれが
シリコン１に焼き付けられた際には裏面で発生したキャ
リアが再結合することを防ぐ裏面電界層としての効果が
あることも知られている。裏面では銀を主成分とする電
極４とアルミニウムを主成分とする電極５が形成される
が、両者は電気的伝導を保つために、互いの一部分が重
なり合うことが必要になる。６は隣接する太陽電池同志
を接続する配線部材がハンダ付けされる表面電極のバス
バー部、図示されていないが反射防止膜２の表面に沿っ
てバスバー部６と垂直にフィンガー電極７が設置されて
いる。表面電極６、７及び裏面電極４、５の配置は、両
者が半導体基板１を挟んで重なる位置に配置するように
する。
詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の構造を
示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は太陽電池素子
を裏面側から見た図である。図１（ａ）（ｂ）におい
て、１は一導電型（例えばＰ型）を示す半導体基板、１
ａは半導体基板１の表面部分にリン原子が高濃度に拡散
され他の導電型を呈する領域、２は一主面側の反射防止
膜、３は半導体接合部である。この反射防止膜２は電極
に相当する部分がエッチングされもしくはその上から電
極が形成される。４は裏面から出力を取り出すための銀
電極、５は裏面アルミニウム電極であり、一般にこれが
シリコン１に焼き付けられた際には裏面で発生したキャ
リアが再結合することを防ぐ裏面電界層としての効果が
あることも知られている。裏面では銀を主成分とする電
極４とアルミニウムを主成分とする電極５が形成される
が、両者は電気的伝導を保つために、互いの一部分が重
なり合うことが必要になる。６は隣接する太陽電池同志
を接続する配線部材がハンダ付けされる表面電極のバス
バー部、図示されていないが反射防止膜２の表面に沿っ
てバスバー部６と垂直にフィンガー電極７が設置されて
いる。表面電極６、７及び裏面電極４、５の配置は、両
者が半導体基板１を挟んで重なる位置に配置するように
する。
【０００７】図１（ｂ）に示すように、出力取出用の裏
面銀電極の配置パターンを半導体基板１の裏面側の中央
に一本４ｂと半導体基板の対向する両端に一本ずつ４
ａ、４ｃを配置する。アルミニウムの配置パターン５は
裏面銀電極４ｂの両端と裏面銀電極４ａ、４ｃの内側だ
けで重なればよい。
面銀電極の配置パターンを半導体基板１の裏面側の中央
に一本４ｂと半導体基板の対向する両端に一本ずつ４
ａ、４ｃを配置する。アルミニウムの配置パターン５は
裏面銀電極４ｂの両端と裏面銀電極４ａ、４ｃの内側だ
けで重なればよい。
【０００８】この結果、セル割れが発生する可能性があ
るのは中央の銀電極４ｂの両端とセル両端に配置した銀
電極４ａ、４ｃの内側であるが、同時に２箇所以上で割
れが発生しなければ、何れの位置で割れが発生しても出
力を取り出すことが可能となり、出力の損失を最低限に
抑える効果がある。
るのは中央の銀電極４ｂの両端とセル両端に配置した銀
電極４ａ、４ｃの内側であるが、同時に２箇所以上で割
れが発生しなければ、何れの位置で割れが発生しても出
力を取り出すことが可能となり、出力の損失を最低限に
抑える効果がある。
【０００９】つまり、図２に示すように、セルの割れが
発生しやすい個所は図の〜線で示した箇所である。
発生しやすい個所は図の〜線で示した箇所である。
【００１０】リード線(出力取り出し用の銅箔)は表電極
６(2本)と裏面電極４(3本)の合計5本であるが、セルの
割れが同時に２箇所以上割れるというのは、と、、
のいずれかが割れるとか、と、のいずれかが割
れるということである。が割れたとき出力は中央の銀
電極４ｂと他方端部の銀電極４ｃにより取り出すことが
できる。また、が割れたときには裏面銀電極４ｂは裏
面銀電極４ｃ側のセルと裏面銀電極４a側のセルの２つ
に分かれているが、一方は裏面銀電極４aのみでもう一
方は裏面銀電極４ｂと裏面銀電極４ｃで出力を取り出す
ことができる。
６(2本)と裏面電極４(3本)の合計5本であるが、セルの
割れが同時に２箇所以上割れるというのは、と、、
のいずれかが割れるとか、と、のいずれかが割
れるということである。が割れたとき出力は中央の銀
電極４ｂと他方端部の銀電極４ｃにより取り出すことが
できる。また、が割れたときには裏面銀電極４ｂは裏
面銀電極４ｃ側のセルと裏面銀電極４a側のセルの２つ
に分かれているが、一方は裏面銀電極４aのみでもう一
方は裏面銀電極４ｂと裏面銀電極４ｃで出力を取り出す
ことができる。
【００１１】がわれたときはが割れたときと同じで
ある。が割れたときにはが割れたときと同じであ
る。
ある。が割れたときにはが割れたときと同じであ
る。
【００１２】裏面の電極が２本の場合、例えば４ｃがな
いときは、で割れが発生すると、−にかけての出
力を取り出すことができなくなる。これは裏面電極が２
本の場合には、電極の配置をどのようにしても必ず起こ
る。
いときは、で割れが発生すると、−にかけての出
力を取り出すことができなくなる。これは裏面電極が２
本の場合には、電極の配置をどのようにしても必ず起こ
る。
【００１３】なお、図１では裏面電極の各々の出力取出
部を連続した一本のパターンで示したが、必ずしも連続
でなくてもよく、直線状に並んだドットパターンなどで
もよい。
部を連続した一本のパターンで示したが、必ずしも連続
でなくてもよく、直線状に並んだドットパターンなどで
もよい。
【００１４】次に、図３に基づいて、本発明の太陽電池
素子の製造方法を説明する。
素子の製造方法を説明する。
【００１５】まず、半導体基板１を用意する（図３
（ａ）参照）。この半導体基板１は、単結晶又は多結晶
シリコンなどから成る。この半導体基板１は、ボロン
（Ｂ）などの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、比抵抗１．５Ωｃｍ
程度の基板である。単結晶シリコンの場合は引き上げ法
などによって形成され、多結晶シリコンの場合は鋳造法
などによって形成される。多結晶シリコンは、大量生産
が可能で製造コスト面で単結晶シリコンよりも有利であ
る。引き上げ法や鋳造法によって形成されたインゴット
を３００μｍ程度の厚みにスライスして、１０ｃｍ×１
０ｃｍまたは１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大きさに切断し
てシリコン基板１とする。次に、この基板１の切断面を
清浄化するために表面をフッ酸やフッ硝酸などでごく微
量エッチングする。
（ａ）参照）。この半導体基板１は、単結晶又は多結晶
シリコンなどから成る。この半導体基板１は、ボロン
（Ｂ）などの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度含有し、比抵抗１．５Ωｃｍ
程度の基板である。単結晶シリコンの場合は引き上げ法
などによって形成され、多結晶シリコンの場合は鋳造法
などによって形成される。多結晶シリコンは、大量生産
が可能で製造コスト面で単結晶シリコンよりも有利であ
る。引き上げ法や鋳造法によって形成されたインゴット
を３００μｍ程度の厚みにスライスして、１０ｃｍ×１
０ｃｍまたは１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大きさに切断し
てシリコン基板１とする。次に、この基板１の切断面を
清浄化するために表面をフッ酸やフッ硝酸などでごく微
量エッチングする。
【００１６】次に、半導体基板１を拡散炉中に配置し
て、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）などの中で加熱する
ことによって、半導体基板１の表面部分にリン原子を拡
散させてシート抵抗が３０〜３００Ω／□の他の導電型
を呈する領域１ａを形成し、半導体接合部３を形成する
（図３（ｂ）参照）。
て、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）などの中で加熱する
ことによって、半導体基板１の表面部分にリン原子を拡
散させてシート抵抗が３０〜３００Ω／□の他の導電型
を呈する領域１ａを形成し、半導体接合部３を形成する
（図３（ｂ）参照）。
【００１７】次に、半導体基板１の一主面側の他の導電
型を呈する領域１ａのみを残して他の部分を除去した後
に、純水で洗浄する（図３（ｃ）参照）。この半導体基
板１の一主面側以外の他の導電型を呈する領域１ａの除
去は、半導体基板１の一主面側にレジスト膜を塗布し、
フッ酸と硝酸の混合液を用いてエッチング除去した後、
レジスト膜を除去することにより行なう。
型を呈する領域１ａのみを残して他の部分を除去した後
に、純水で洗浄する（図３（ｃ）参照）。この半導体基
板１の一主面側以外の他の導電型を呈する領域１ａの除
去は、半導体基板１の一主面側にレジスト膜を塗布し、
フッ酸と硝酸の混合液を用いてエッチング除去した後、
レジスト膜を除去することにより行なう。
【００１８】次に、半導体基板１の一主面側に反射防止
膜２を形成する（図３（ｄ）参照）。この反射防止膜２
は例えば窒化シリコン膜などから成り、例えばシラン
（ＳｉＨ4）とアンモニア（ＮＨ3）との混合ガスをグロ
ー放電分解でプラズマ化させて堆積させるプラズマＣＶ
Ｄ法などで形成される。この反射防止膜２は、半導体基
板１との屈折率差などを考慮して、屈折率が１．８〜
２．３程度になるように形成され、厚み５００〜１００
０Å程度の厚みに形成される。この窒化シリコン膜は形
成する際にパッシベーション効果があり、反射防止の機
能と併せて太陽電池の電気特性を向上させる効果があ
る。
膜２を形成する（図３（ｄ）参照）。この反射防止膜２
は例えば窒化シリコン膜などから成り、例えばシラン
（ＳｉＨ4）とアンモニア（ＮＨ3）との混合ガスをグロ
ー放電分解でプラズマ化させて堆積させるプラズマＣＶ
Ｄ法などで形成される。この反射防止膜２は、半導体基
板１との屈折率差などを考慮して、屈折率が１．８〜
２．３程度になるように形成され、厚み５００〜１００
０Å程度の厚みに形成される。この窒化シリコン膜は形
成する際にパッシベーション効果があり、反射防止の機
能と併せて太陽電池の電気特性を向上させる効果があ
る。
【００１９】次に、出力取出用バスバー部４を形成する
ための銀電極材料を塗布して乾燥した後（図３（ｅ）参
照）、裏面アルミニウム電極５を上記裏面銀電極材料の
一部を覆わないように塗布して乾燥させる（図３（ｆ）
参照）。なお、この裏面電極の銀材料とアルミニウム材
料を塗布する順番はこの逆でもよい。次に、表面電極材
料６および７を塗布して乾燥する（図３（ｇ）参照）。
ための銀電極材料を塗布して乾燥した後（図３（ｅ）参
照）、裏面アルミニウム電極５を上記裏面銀電極材料の
一部を覆わないように塗布して乾燥させる（図３（ｆ）
参照）。なお、この裏面電極の銀材料とアルミニウム材
料を塗布する順番はこの逆でもよい。次に、表面電極材
料６および７を塗布して乾燥する（図３（ｇ）参照）。
【００２０】この電極材料５はアルミニウムと有機ビヒ
クルとガラスフリットをアルミニウム１００重量部に対
してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添
加してペースト状にしたものを、電極材料４、６は、銀
と有機ビヒクルとガラスフリットを銀１００重量部に対
してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添
加してペースト状にしたものをスクリーン印刷法で印刷
する。これら電極材料４、５、６は乾燥後に同時に６０
０〜８００℃で１〜３０分程度焼成することにより焼き
付けられる。
クルとガラスフリットをアルミニウム１００重量部に対
してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添
加してペースト状にしたものを、電極材料４、６は、銀
と有機ビヒクルとガラスフリットを銀１００重量部に対
してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添
加してペースト状にしたものをスクリーン印刷法で印刷
する。これら電極材料４、５、６は乾燥後に同時に６０
０〜８００℃で１〜３０分程度焼成することにより焼き
付けられる。
【００２１】上述のような太陽電池を複数用意し、特定
の太陽電池の表面電極と隣接する太陽電池の裏面電極を
順次接続して、表面側にガラスなどの透光部材を配設す
るとともに、裏面側にポリエチレンのシートやアルミ箔
などを配設して全体をエチレンビニルアセテートなどの
透光性樹脂で接着して太陽電池モジュールを形成する。
裏面電極の裏面アルミニウム５と銀４の重なり部分で割
れが発生しても出力損失を最小限に抑える太陽電池を用
いて、太陽電池モジュールを作成する。
の太陽電池の表面電極と隣接する太陽電池の裏面電極を
順次接続して、表面側にガラスなどの透光部材を配設す
るとともに、裏面側にポリエチレンのシートやアルミ箔
などを配設して全体をエチレンビニルアセテートなどの
透光性樹脂で接着して太陽電池モジュールを形成する。
裏面電極の裏面アルミニウム５と銀４の重なり部分で割
れが発生しても出力損失を最小限に抑える太陽電池を用
いて、太陽電池モジュールを作成する。
【００２２】
【実施例】次に本発明の実施例を示す。半導体基板とし
て１５ｃｍ角で厚さ０．３ｍｍ、比抵抗１．５Ω・ｃｍ
のＰ型シリコン基板を準備した。そして熱拡散法でオキ
シ塩化リン（ＰＯＣｌ3）を拡散源として、深さ０．５
μｍのＮ型拡散層を形成した。
て１５ｃｍ角で厚さ０．３ｍｍ、比抵抗１．５Ω・ｃｍ
のＰ型シリコン基板を準備した。そして熱拡散法でオキ
シ塩化リン（ＰＯＣｌ3）を拡散源として、深さ０．５
μｍのＮ型拡散層を形成した。
【００２３】次に表面にプラズマＣＶＤ法で窒化シリコ
ンの反射防止膜を８００Åの厚さで形成し、不要部のＮ
型拡散層を除去した。
ンの反射防止膜を８００Åの厚さで形成し、不要部のＮ
型拡散層を除去した。
【００２４】裏面電極として出力取り出し用の銀を従来
のパターン（２本）と本発明に係るパターン（３本）で
塗布し、その後それぞれのパターンに応じたアルミニウ
ムのパターンを印刷して表面にも銀ペーストをスクリー
ン印刷して７５０度１５分で焼き付けた後、上記集電極
表面を半田被覆して太陽電池を製造した。セル割れが発
生した場合（１個所）の出力損失の比較を行った。その
結果を表１に示した。
のパターン（２本）と本発明に係るパターン（３本）で
塗布し、その後それぞれのパターンに応じたアルミニウ
ムのパターンを印刷して表面にも銀ペーストをスクリー
ン印刷して７５０度１５分で焼き付けた後、上記集電極
表面を半田被覆して太陽電池を製造した。セル割れが発
生した場合（１個所）の出力損失の比較を行った。その
結果を表１に示した。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１に示した通り、セル割れが発生した際
の出力損失は、従来パターンでは７３．８％であった
が、本発明によれば９４．５％に抑えることができた。
の出力損失は、従来パターンでは７３．８％であった
が、本発明によれば９４．５％に抑えることができた。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る太陽電池
素子によれば、半導体基板の他の主面側の帯状の出力取
出用のバスバー部をこの他の主面側の集電部の略中央部
に形成すると共に、この集電部の対向する両端部に形成
したことから、セル割れが発生する可能性があるのは中
央の銀電極の両端とセル両端に配置した銀電極の内側で
あるが、同時に２箇所以上での割れが発生しなければ、
何れの位置で割れが発生しても出力を取り出すことが可
能となり、出力の損失を最低限に抑える効果がある。
素子によれば、半導体基板の他の主面側の帯状の出力取
出用のバスバー部をこの他の主面側の集電部の略中央部
に形成すると共に、この集電部の対向する両端部に形成
したことから、セル割れが発生する可能性があるのは中
央の銀電極の両端とセル両端に配置した銀電極の内側で
あるが、同時に２箇所以上での割れが発生しなければ、
何れの位置で割れが発生しても出力を取り出すことが可
能となり、出力の損失を最低限に抑える効果がある。
【００２８】また、請求項２に係る太陽電池モジュール
によれば、上記太陽電池素子を複数用意して隣接する太
陽電池素子同志を接続線で接続して一主面側に透光性部
材を配設すると共に、他の主面側に裏面部材を配設して
一体化することから、出力損失を極力低減した太陽電池
モジュールとなる。
によれば、上記太陽電池素子を複数用意して隣接する太
陽電池素子同志を接続線で接続して一主面側に透光性部
材を配設すると共に、他の主面側に裏面部材を配設して
一体化することから、出力損失を極力低減した太陽電池
モジュールとなる。
【図１】本発明に係る太陽電池素子を示す図である。
【図２】本発明に係る太陽電池素子のセル割れと出力損
失との関係を示す図である。
失との関係を示す図である。
【図３】本発明に係る太陽電池素子の製造方法を示す図
である。
である。
【図４】従来の太陽電池素子を示す断面図である。
１：半導体基板、１ａ：他の導電型を呈する領域、２：
反射防止膜、３：半導体接合部、４：裏面電極の出力取
出用バスバー部、５：裏面電極の集電部、６：表面電極
の出力取出用バスバー部、７：表面電極の集電用フィン
ガー部
反射防止膜、３：半導体接合部、４：裏面電極の出力取
出用バスバー部、５：裏面電極の集電部、６：表面電極
の出力取出用バスバー部、７：表面電極の集電用フィン
ガー部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一主面側と他の主面側に異
なる導電領域を形成し、この一主面側に帯状の出力取出
用バスバー部と集電用フィンガー部とから成る表面電極
を形成し、他の主面側に帯状の出力取出用バスバー部と
この出力取出用バスバー部が形成された領域以外の略全
面に形成された集電部とから成る裏面電極を形成した太
陽電池素子において、前記他の主面側の帯状の出力取出
用のバスバー部をこの他の主面側の集電部の略中央部に
形成すると共に、この集電部の対向する両端部に形成し
たことを特徴とする太陽電池素子。 - 【請求項２】 前記太陽電池素子を複数用意して隣接す
る太陽電池素子同志を接続線で接続して一主面側に透光
性部材を配設すると共に、他の主面側に裏面部材を配設
して一体化した太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001161511A JP4658380B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 太陽電池素子およびそれを用いた太陽電池モジュール |
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| JP2001161511A JP4658380B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 太陽電池素子およびそれを用いた太陽電池モジュール |
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|---|---|
| JP2002353478A true JP2002353478A (ja) | 2002-12-06 |
| JP2002353478A5 JP2002353478A5 (ja) | 2008-03-06 |
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