JP2000351784A - 有機金属錯体およびその製造方法並びにそれを用いた有機金属化学成長法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱安定性に優れ、湿気に敏感でなく、室温で
液体として存在し、ステップカバレージに優れ、不純物
によって汚染されていない金属化合物膜を製造するため
のＭＯＣＶＤに比較的低温で適用できる無毒な有機金属
錯体を提供する。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表される有機金属錯
体が提供される： 【化１】 （式中、ＭはＴｉまたはＺｒであり；Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃お
よびＲ₄は各々独立にＨまたはＣ_1-4アルキルであり；ｍ
は２〜５の整数である）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子用薄膜
製造用前駆体として有用な有機金属錯体、その製造方法
およびそれを用いた有機金属化学成長法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、半導体素子が高集積化し、小型化
するにつれて、半導体素子の製造において薄膜形成に用
いられる先端材料および工程技術の開発が要求されてい
る。このような要求に応じて、ＤＲＡＭ（dynamic rand
om access memory）用キャパシターに用いられるバリウ
ムストロンチウムチタネート（ＢＳＴ）、強誘電体メモ
リ（ferroelectric random access memory、ＦＲＡＭ）
に応用される鉛ジルコネートチタネート（ＰＺＴ）、ス
トロンチウムビスマスチタネート（ＳＢＴ）、ビスマス
ランタンチタネート（ＢＬＴ）などの強誘電材料および
イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ＴｉＯ₂お
よびＺｒＯ₂などの金属酸化物が開発されている。この
ような材料の薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリン
グ、イオンビームスパッタリング、反応性共蒸着法（re
active co-evaporation）、有機金属分解法（ＭＯＤ，
Metal Organic Decomposition）、ＬＳＭＣＤ（Liquid
SourceMisted Chemical Decomposition）、レーザーア
ブレーション、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical V
apor Deposition）のような技術を用いて製造される。

【０００３】これらのうち、有機金属化学気相成長法
（ＭＯＣＶＤ）は、一つ以上の有機金属前駆体化合物を
気化した後、キャリアガスを用いて気化した前駆体を加
熱された半導体基板の表面に移動させて、化学反応によ
り前記基板の表面に薄膜を形成する工程である。ＭＯＣ
ＶＤは、比較的に低温で行うことが可能であること、原
料物質の導入量とキャリアガス量を調節して薄膜の組成
と成長速度を制御することができること、基板の表面を
損傷することなく均一性が高くステップカバレージに優
れた薄膜が得られることなどの利点を有している。した
がって、ＭＯＣＶＤはＤＲＡＭおよびＦＲＡＭのような
半導体素子の製造に広範囲に用いられている。

【０００４】一般的にＣＶＤ用前駆体は、高い蒸気圧、
高純度、高い成長速度、取り扱いの容易さ、無毒性、低
コストおよび適切な蒸着温度などの性質を有することが
要求される。しかし、ＣＶＤに用いられる従来の有機金
属化合物、たとえば、金属アルキル、金属アルコキシ
ド、β−ジケトネートは多くの問題点を有する。たとえ
ば、Ｐｂ（Ｃ₂Ｈ₅）₄のような金属アルキルは毒性およ
び爆発性があり、金属アルコキシドは湿気に敏感であ
り、比較的高価なβ−ジケトネートは蒸気圧が低く室温
で固体であるため取扱いにくいという問題がある（文献
［Anthony C. Jonesら、Journal of the European Cera
mic Society, 19(1999), 1431-1434］参照）。

【０００５】また、Ｔｉ（ＯⁱＰｒ）₄（ＯⁱＰｒ＝イソ
プロポキシド）は室温で不安定であるという短所があ
り、Ｔｉ（ＯⁱＰｒ）₂（ｔｍｈｄ）₂（ｔｍｈｄ＝tetra
methylheptanedionate、テトラメチルヘプタンジオネー
ト）の場合は、Ｔｉ薄膜の製造時に温度変化によってＴ
ｉ含有量が変化するという問題がある（イ・ジョンヒョ
ン、Electrochemical and Solid-State Letters, 2(10)
(1999), 507-509）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、熱安定性に優れ、湿気に敏感でなく、室温で液
体として存在し、ステップカバレージに優れ、不純物に
よって汚染されていない金属化合物膜を製造するための
ＭＯＣＶＤに比較的低温で適用できる無毒な有機金属錯
体を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の一態様によれ
ば、下記一般式（Ｉ）で表される有機金属錯体が提供さ
れる：

【０００８】

【化２】

【０００９】（式中、ＭはＴｉまたはＺｒであり；
Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃およびＲ₄は各々独立にＨまたはＣ_1-4ア
ルキルであり；ｍは２〜５の整数である）。

【００１０】本発明の他の態様によれば、下記一般式
（II）または（III）の金属化合物を下記一般式（IV）
のアミン化合物と１：４〜１：５のモル比で有機溶媒中
において混合する工程と、前記混合物を還流する工程を
含む請求項１記載の前記一般式（Ｉ）の有機金属錯体の
製造方法が提供される： Ｍ（ＮＲ₂）₄ （II） Ｍ（ＯＲ’）₄ （III） ＨＯ−（ＣＲ₃Ｒ₄）_m−ＮＲ₁Ｒ₂ （IV） （式中、ＲおよびＲ’は各々独立にＣ_1-4アルキルであ
り；Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、およびＲ₄は各々独立にＨまたはＣ
_1-4アルキルであり；ｍは２〜５の整数である）。

【００１１】本発明のさらに他の態様によれば、前記一
般式（Ｉ）の有機金属錯体を、任意選択的に他の有機金
属前駆体とともに、２０〜３００℃の温度で気化させる
工程と、生成した蒸気を３００〜６００℃の温度に加熱
した基板に接触させる工程を含むことを特徴とする基板
上に金属化合物薄膜を成長させる方法が提供される。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の一般式（Ｉ）の有機前駆体のうち特に好
ましいものは、それぞれ下記一般式（Ｖ）〜（VII）で
表される、チタンテトラ（ジメチルアミノプロポキシ
ド）（Ｔｉ（ｄｍａｐ）₄）、チタンテトラ（ジメチル
アミノエトキシド）（Ｔｉ（ｄｍａｅ）₄）およびジル
コニウムテトラ（ジメチルアミノエトキシド）（Ｚｒ
（ｄｍａｅ）₄）である。

【００１３】

【化３】

【００１４】本発明の一般式（Ｉ）の化合物は、チタン
またはジルコニウム化合物を一般式（IV）のアミン化合
物と反応させて製造することができる。

【００１５】本発明において用いられるチタンまたはジ
ルコニウム化合物は、一般式（II）または（III）の化
合物であり、好ましくは、チタンテトラ（ジエチルアミ
ン）、ジルコニウムテトラ（ジエチルアミン）、チタン
テトラアルコキシド、ジルコニウムテトラアルコキシド
である。本発明において用いられる代表的なアミン化合
物は、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルエタノールアミンなどである。

【００１６】本発明の化合物の製造に用いられる溶媒
は、たとえば、ヘキサン、トルエン、ペンタンなどであ
る。一般式（II）または（III）の金属化合物および一
般式（IV）のアミン化合物は、１：４〜１：５の範囲の
モル比で使用される。生成した混合物は１５〜２０時間
還流すると、目的とする一般式（Ｉ）の化合物が９０％
以上の高い収率で得られる。

【００１７】本発明の一般式（Ｉ）の有機金属化合物
は、室温で液体であり、低温で高い揮発性を有するた
め、半導体素子用の金属を含む薄膜を製造するためのＣ
ＶＤに前駆体として用いることができる。たとえば、本
発明は、通常のＭＯＣＶＤ法を用いて、金属酸化物たと
えばＴｉＯ₂，ＺｒＯ₂（Anthony C. Jonesら、Chemical
Vapor Deposition, 4(2)(1998), 46-49）およびイット
リウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）(C. Dubourdieuら、
Thin Solid Films, 339(1999), 165-173）からなる薄
膜、または強誘電材料のたとえばバリウムストロンチウ
ムチタネート（ＢＳＴ）（イ・ジョンヒョンら、Electr
ochemical and Solid-State Letters, 2(10)(1999), 50
7-509）、鉛ジルコネートチタネート（ＰＺＴ）(Anthon
y C. Jonesら、Journal of the European Ceramic Soci
ety, 19(1999), 1431-1434）、ストロンチウムビスマス
チタネート（ＳＢＴ）(C. Isobeら、Integrated Ferroe
lectrics, 14(1999), 95-103）、ビスマスランタンチタ
ネート（ＢＬＴ）からなる薄膜を製造するのに有用であ
る。

【００１８】本発明を実施するにあたり、本発明の有機
金属前駆体を用いて金属化合物薄膜を形成するためのＣ
ＶＤ工程は、２０〜３００℃で本発明の前駆体を気化さ
せ、生成した蒸気を減圧下、たとえば０．１〜１０ｔｏ
ｒｒで、３００〜６００℃、より好ましくは４００〜５
５０℃に加熱した基板の表面にキャリアガスとともに輸
送することによって行うことができる。

【００１９】前駆体は通常のバブリング送出（bubbling
delivery）または液体送出（liquid delivery）によっ
て気化される。バブリング送出は容器に入れた液状前駆
体にキャリアガスを通すことによってなされ、液体送出
は適量の液体前駆体を気化器に注入することによってな
される。液体送出工程の場合には、前駆体をテトラヒド
ロフラン（ＴＨＦ）、ｎ−ブチルアセテートなどの有機
溶媒で希釈してもよい。

【００２０】本発明に用いられる基板は、通常のシリコ
ン基板、およびＰｔ，Ｉｒ，ＩｒＯ ₂，Ｒｕ，ＲｕＯ，
ＳｒＲｕＯ₃などでコーティングされたシリコン基板を
含む。

【００２１】

【実施例】以下、本発明を下記実施例によってさらに詳
細に説明する。ただし、下記実施例は本発明を例示する
だけであり、本発明の範囲を限定しない。

【００２２】実施例１：Ｔｉ（ｄｍａｐ）₄の製造
（１） Ｔｉ（ＯⁱＰｒ）₄（チタンテトライソプロポキシド）
（１８．４５ｇ、６５ｍｍｏｌ）を無水ヘキサン１５０
ｍｌに加えた後、これにＮ，Ｎ−ジメチルプロパノール
アミン（ＤＰＭＡ）（３０．７６ｍｌ、２６０ｍｍｏ
ｌ）を徐々に加えた。混合物を２０時間還流した後、冷
却した。減圧下で溶媒を除去して、オレンジ色の液体を
得た。これを１５０℃で蒸留して、Ｔｉ（ｄｍａｐ）₄
を濃褐色液体として得た（収率＞９０％）。

【００２３】このようにして得られたＴｉ（ｄｍａｐ）
₄の熱重量分析（以下、ＴＧＡという）曲線を図１に示
す。

【００２４】¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ３００ＭＨ
ｚ）：δ４．６１（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ），２．４３
（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ），２．２０（ｓ，ＣＨ₃，２４
Ｈ），２．９０（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ）。

【００２５】実施例２：Ｔｉ（ｄｍａｐ）₄の製造
（２） Ｔｉ（ＮＥｔ₂）₄（チタンテトラジエチルアミン）（２
１．８７ｇ、６５ｍｍｏｌ）を無水ヘキサン１５０ｍｌ
に加えた後、これにＮ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミ
ン（ＤＰＭＡ）（３０．７６ｍｌ、２６０ｍｍｏｌ）を
徐々に加えた。混合物を２０時間還流した後、冷却し
た。減圧下で溶媒を除去してＴｉ（ｄｍａｐ）₄を濃褐
色の液体として得た（収率＞９０％）。

【００２６】¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ３００ＭＨ
ｚ）：δ４．６１（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ），２．４３
（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ），２．２０（ｓ，ＣＨ₃，２４
Ｈ），２．９０（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ）。

【００２７】実施例３：Ｔｉ（ｄｍａｅ）₄の製造 Ｔｉ（ＯⁱＰｒ）₄（１０ｇ、３５ｍｍｏｌ）を無水ヘキ
サン１５０ｍｌに加えた後、これにＮ，Ｎ−ジメチルエ
タノールアミン（ＤＭＥＡ）（１２．５ｇ、１４０ｍｍ
ｏｌ）を徐々に加えた。混合物を２０時間還流した後、
冷却した。溶媒を減圧下で除去してＴｉ（ｄｍａｅ）₄
を濃褐色の液体として得た（収率＞９０％）。

【００２８】¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ３００ＭＨ
ｚ）：δ４．３４（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ），２．５５
（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ），２．２８（ｓ，ＣＨ₃，２４
Ｈ）。

【００２９】実施例４：Ｚｒ（ｄｍａｅ）₄の製造 Ｔｉ（ＮＥｔ₂）₄（ジルコニウムテトラ（ジエチルアミ
ン））（２４．６８ｇ、６５ｍｍｏｌ）を無水トルエン
１５０ｍｌに加えた後、これにＮ，Ｎ−ジメチルエタノ
ールアミン（２６ｍｌ、２６０ｍｍｏｌ）を徐々に滴下
した。混合物を２０時間還流した後、冷却した。溶媒を
減圧下で除去してＺｒ（ｄｍａｅ）₄を無色の液体とし
て得た（収率＞９０％）。

【００３０】このようにして得られたＺｒ（ｄｍａｅ）
₄のＴＧＡ曲線を図２に示す。

【００３１】¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ３００ＭＨ
ｚ）：δ４．０９（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ），２．４８
（ｔ，ＣＨ₂，８Ｈ），２．１６（ｓ，ＣＨ₃，２４
Ｈ）。

【００３２】試験例１：熱安定性試験 図３（ａ）および図３（ｂ）は、それぞれ−２５℃およ
び６０℃で測定したＴｉ（ｄｍａｅ）₄のＮＭＲスペク
トルを示す。図３（ａ）および図３（ｂ）から分かるよ
うに、−２５℃で測定したＴｉ（ｄｍａｅ）₄のＮＭＲ
スペクトルは６０℃で測定したものと同じである。した
がって、本発明の有機金属錯体は６０℃で熱定に安定で
あることが分かる。

【００３３】試験例２：質量分析 図４〜図６はそれぞれＴｉ（ｄｍａｐ）₄、Ｔｉ（ｄｍ
ａｅ）₄およびＺｒ（ｄｍａｅ）₄の質量スペクトルを示
す。図４〜図６から分かるように、それぞれＴｉ（ｄｍ
ａｐ）₄、Ｔｉ（ｄｍａｅ）₄およびＺｒ（ｄｍａｅ）₄
の分子量に対応するピークである４５７、４０１および
４４４の後にはピークが観察されなかった。したがっ
て、本発明の化合物は単分子の形態で存在する。

【００３４】試験例３：気化温度 一般的に、半導体素子用薄膜のＣＶＤに用いられる有機
前駆体は、液体送出工程の場合、２００〜２６０℃で気
化することが要求される。図１および２から分かるよう
に、本発明の有機金属錯体であるＴｉ（ｄｍａｐ）₄お
よびＺｒ（ｄｍａｅ）₄は、２００〜２６０℃の温度領
域で気化する挙動を示しているため、薄膜製造用前駆体
として有効に用いることができる。

【００３５】反面、図７において破線で表されているよ
うに、下記一般式（VIII）のＺｒ（ＴＭＤＨ）₄（ジル
コニウムテトラキス−２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオン）は３５０℃以上の高温で気化
するためＣＶＤ用として適していない。さらに、他の従
来の前駆体である下記一般式（IX）のＺｒ（ＴＭＤＨ）
（ＯⁱＰｒ）₃（ジルコニウム−２，２，６，６−テトラ
メチル−３，５−ヘプタンジオン−トリイソポキシド）
は２５０℃で気化するが（図７、実線）、室温で固体で
あるため、ＭＯＣＶＤに用いる場合には取り扱いが難し
いという問題を有する。したがって、本発明の化合物は
従来の前駆体より優れたＭＯＣＶＤ用の前駆体として用
いられる。

【００３６】

【化４】

【００３７】試験例４：薄膜堆積 それぞれ実施例３および４で製造したＴｉ（ｄｍａｅ）
₄およびＺｒ（ｄｍａｅ）₄を用いてＭＯＣＶＤにより基
板上にＴｉＯ₂およびＺｒＯ₂薄膜を形成した。この際、
前記有機金属錯体の気化温度（気化器温度）は２５０
℃、Ａｒ／Ｏ₂は３００／３００（ｓｃｃｍ）、堆積時
間は２０分、前駆体の濃度は０．２Ｍ（ＴＨＦ中）であ
った。

【００３８】図８（Ｔｉ（ｄｍａｅ）₄）および図９
（Ｚｒ（ｄｍａｅ）₄）は、基板温度を変化させながら
測定した堆積層の成長速度を示す。

【００３９】図８から分かるように、Ｔｉ（ｄｍａｅ）
₄を用いて酸化チタン膜を製造する場合、基板温度が４
００℃で堆積速度が最大となるが、その後５００℃まで
の温度領域では蒸着速度がほぼ一定になる。したがっ
て、Ｔｉ（ｄｍａｅ）₄は酸化チタン薄膜を形成するた
めのＣＶＤ前駆体として有効に用いることができる。ま
た、図９から分かるように、Ｚｒ（ｄｍａｅ）₄を用い
て酸化ジルコニウム膜を製造する場合、約４２５℃で高
い堆積速度を示す。したがって、Ｚｒ（ｄｍａｅ）₄も
酸化ジルコニウム薄膜を形成するためのＣＶＤ前駆体と
して有効に用いることができる。

【００４０】試験例５：ＢＳＴ薄膜の堆積 前駆体として実施例３で製造したＴｉ（ｄｍａｅ）₄を
用いるＭＯＣＶＤによりＰｔ／ＴａＯｘ／ＳｉＯ₂／Ｓ
ｉ基板上にＢＳＴ薄膜を形成した。この際、Ｂａおよび
Ｓｒの出発物質としては、Ｂａ（ｔｈｄ）₂ＬおよびＳ
ｒ（ｔｈｄ）₂Ｌ（ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメ
チル−３，５−ヘプタンジオネート、Ｌ＝ＰＭＤＴ）を
用い、Ｂａ：Ｓｒ：Ｔｉのモル比を１：１：２になるよ
うに調節した。堆積は、気化器温度２７０℃、Ａｒ ２
００ｓｃｃｍ、Ｏ₂ ４００ｓｃｃｍ、Ｎ₂Ｏ ４００ｓ
ｃｃｍ、および基板温度は４００℃〜５００℃の条件下
で行った。

【００４１】図１０は、基板の温度による全金属中のＴ
ｉ分率およびＢＳＴ膜の成長速度の変化を示す。図１０
から分かるように、４２０〜４８０℃の温度範囲で高い
成長速度を示し、Ｔｉ含有量はこの温度範囲でおおよそ
一定である。

【００４２】したがって、本発明の化合物は、種々の半
導体素子用強誘電体複合薄膜のＣＶＤに用いることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１で製造したＴｉ（ｄｍａｐ）
₄のＴＧＡ曲線を示す図。

【図２】本発明の実施例４で製造したＺｒ（ｄｍａｅ）
₄のＴＧＡ曲線を示す図。

【図３】本発明の実施例３で製造したＴｉ（ｄｍａｅ）
₄のそれぞれ−２５℃と６０℃で測定したＮＭＲスペク
トルを示す図。

【図４】本発明の実施例１で製造したＴｉ（ｄｍａｐ）
₄の質量スペクトルを示す図。

【図５】本発明の実施例３で製造したＴｉ（ｄｍａｅ）
₄の質量スペクトルを示す図。

【図６】本発明の実施例４で製造したＺｒ（ｄｍａｅ）
₄の質量スペクトルを示す図。

【図７】従来の有機金属錯体のＴＧＡ曲線を示す図。

【図８】本発明の実施例３で製造したＴｉ（ｄｍａｅ）
₄を用いたＣＶＤ工程において、基板温度によるＴｉＯ₂
薄膜の堆積速度の変化を示す図。

【図９】本発明の実施例４で製造したＺｒ（ｄｍａｅ）
₄を用いたＣＶＤ工程において、基板温度によるＺｒＯ₂
薄膜の堆積速度の変化を示す図。

【図１０】本発明の実施例３で製造したＴｉ（ｄｍａ
ｅ）₄を用いたＣＶＤ工程において、基板温度によるＢ
ＳＴ蒸着速度およびＴｉ含有量の変化を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 正 賢 大韓民国、463−050京畿道城南市盆唐区ソ ヒョン洞 大宇アパートメント 619−908 (72)発明者 金 大 煥 大韓民国、790−390慶尚北道浦項市南区芝 谷洞756番地 ポステックアパートメント ３−905

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表される有機金属錯
   体： 【化１】 （式中、ＭはＴｉまたはＺｒであり；Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃お
   よびＲ₄は各々独立にＨまたはＣ_1-4アルキルであり；ｍ
   は２〜５の整数である）。
2. 【請求項２】 前記有機金属錯体が、チタンテトラ（ジ
   メチルアミノプロポキシド）、チタンテトラ（ジメチル
   アミノエトキシド）およびジルコニウムテトラ（ジメチ
   ルアミノエトキシド）からなる群から選ばれることを特
   徴とする請求項１記載の有機金属錯体。
3. 【請求項３】 下記一般式（II）または（III）の金属
   化合物を下記一般式（IV）のアミン化合物と１：４〜
   １：５のモル比で有機溶媒中において混合する工程と、
   前記混合物を還流する工程を含む請求項１記載の前記一
   般式（Ｉ）の有機金属錯体の製造方法： Ｍ（ＮＲ₂）₄ （II） Ｍ（ＯＲ’）₄ （III） ＨＯ−（ＣＲ₃Ｒ₄）_m−ＮＲ₁Ｒ₂ （IV） （式中、ＲおよびＲ’は各々独立にＣ_1-4アルキルであ
   り；Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、およびＲ₄は各々独立にＨまたはＣ
   _1-4アルキルであり；ｍは２〜５の整数である）。
4. 【請求項４】 前記金属化合物が、チタンテトラ（ジエ
   チルアミン）、ジルコニウムテトラ（ジエチルアミ
   ン）、チタンテトラアルコキシドおよびジルコニウムテ
   トラアルコキシドからなる群から選ばれることを特徴と
   する請求項３記載の方法。
5. 【請求項５】 前記アミン化合物が、Ｎ，Ｎ−ジメチル
   プロパノールアミンまたはＮ，Ｎ−ジメチルエタノール
   アミンであることを特徴とする請求項３記載の方法。
6. 【請求項６】 請求項１の前記一般式（Ｉ）の有機金属
   錯体を、任意選択的に他の有機金属前駆体とともに、２
   ０〜３００℃の温度で気化させる工程と、生成した蒸気
   を３００〜６００℃の温度に加熱した基板に接触させる
   工程を含むことを特徴とする基板上に金属酸化物薄膜を
   成長させる方法。
7. 【請求項７】 前記金属酸化物が、酸化ジルコニウムま
   たは酸化チタンであることを特徴とする請求項６記載の
   方法。
8. 【請求項８】 前記金属酸化物が、バリウムストロンチ
   ウムチタネート（ＢＳＴ）、鉛ジルコネートチタネート
   （ＰＺＴ）、ストロンチウムビスマスチタネート（ＳＢ
   Ｔ）、ビスマスランタンチタネート（ＢＬＴ）およびイ
   ットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）からなる群から
   選ばれることを特徴とする請求項６記載の方法。