JP2004087674A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004087674A JP2004087674A JP2002245202A JP2002245202A JP2004087674A JP 2004087674 A JP2004087674 A JP 2004087674A JP 2002245202 A JP2002245202 A JP 2002245202A JP 2002245202 A JP2002245202 A JP 2002245202A JP 2004087674 A JP2004087674 A JP 2004087674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- cell
- transport mechanism
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の基板処理装置によれば、フォトレジスト液による基板Wの塗布処理と、現像液による基板Wの現像処理とを切り替えて個別に行う共用セル11のその塗布,現像処理を、基板W群の一連の処理流れに応じて切り替え制御するので、基板W群の一連の処理流れが主として塗布処理である場合には共用セル11を塗布処理に切り替えて塗布処理量を増加させ、基板W群の一連の処理流れが主として現像処理である場合には共用セル11を現像処理に切り替えて現像処理量を増加させ、共用セル11を有効活用することができ、本基板処理装置の占有面積を増大させることなくスループットを向上させることができる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板(以下、単に基板と称する)に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【0003】
これを図19の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚(例えば25枚)の基板Wを収納したカセット(図示省略)を投入する投入部101と、処理済の基板Wを収納したカセットを払い出す払出部102と、投入部101・払出部102および後述する処理部104間で基板Wの投入および払い出しを行うインデクサ103と、複数個の処理部104と、複数個の処理部104間で基板Wを搬送する経路である基板搬送経路105と、処理部104および外部処理装置107間で基板Wの受け渡しを中継するインターフェイス106とから構成されている。
【0004】
外部処理装置107は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス106に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置である場合、この外部処理装置107は、基板Wの露光処理を行う露光装置となる。
【0005】
また、インデクサ103の搬送経路上を搬送する搬送機構108aと、基板搬送経路105上を搬送する搬送機構108bと、インターフェイス106の搬送経路上を搬送する搬送機構108cとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ103と基板搬送経路105との連結部には載置台109a、基板搬送経路105とインターフェイス106との連結部には載置台109bがそれぞれ配設されている。
【0006】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Wを収納したカセットを投入部101に投入して、投入されたカセットから1枚の基板を搬送機構108aが取り出して、搬送機構108bに基板Wを渡すために、載置台109aまで搬送する。搬送機構108bは、載置台109aに載置された基板Wを受け取った後、各処理部104内で所定の処理(例えば、レジスト塗布などの処理)をそれぞれ行うために、それらの処理部104に基板Wをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、搬送機構108bはそれらの処理部104から基板Wをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部104(例えば、熱処理)に基板Wを搬入する。
【0007】
このように露光までの一連の処理が終了すると、搬送機構108bは、処理部104で処理された基板Wを載置部109bまで搬送する。搬送機構108cに基板Wを渡すために、上述した載置台109bに基板Wを載置する。搬送機構108cは、載置台109bに載置された基板Wを受け取った後、外部処理装置107まで搬送する。外部処理装置107に搬入して、所定の処理(例えば、露光処理などの処理)が終了すると、搬送機構108cは外部処理装置107から基板Wを搬出して、載置部109bまで搬送する。後は、外部処理装置107までの処理とは逆の手順で基板Wの受け渡しおよび処理が行われる。そして、払出部102から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
近年、前述した外部処理装置107としての露光装置における基板露光処理のスループットが向上してきており、この露光装置に接続される基板処理装置の高スループット化が要求されてきている。そこで、従来の基板処理装置では、前述した処理部104等を平面的に増設配置することで、この基板処理装置の基板並行処理能力を高め、各処理にかかる時間を短縮させ、高スループット化を図っており、前述の露光装置に対応できるようにしている。しかしながら、処理部104等の平面的な増設配置によって、基板処理装置が複雑かつ大型になってしまい、基板処理装置の占有面積が増大してしまうという別異の問題が生じてしまう。また、基板処理装置の占有面積の増大を防止するために、処理部104を上下方向に多段に積層することが考えられるが、この場合には、基板処理装置の占有面積の増大を防止できても、基板処理装置が複雑かつ大型化するという問題は解決できないし、さらに、上段側の処理部104の操作性が悪くなることなどから、上段側の処理部104のメンテナンスなどにも時間がかかってしまい、結果として基板処理装置のスループットを思うように向上させることができない。
【0009】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、占有面積を増大させることなくスループットを向上させた基板処理装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、発明者が鋭意研究をした結果、次のような知見を得た。すなわち、従来の基板処理装置では、前述した各処理部104のように、塗布液でもって基板に塗布処理のみを施すための塗布処理部と、この塗布処理および露光処理を受けた基板に現像液でもって現像処理のみを施すための現像処理部とを備えているが、この基板処理装置での基板群の一連処理の開始期間には、主として基板が塗布処理部で塗布処理されているだけであり、塗布処理および露光処理を受けた基板が現像処理部に供給されてきていないことから、現像処理部が処理待ち状態になっていて現像処理を実行していない。また、この基板処理装置での基板群の一連処理の終了期間には、主として基板が現像処理部で現像処理されているだけであり、投入された複数枚の基板に対する塗布処理が全て終了して払い出されていることから、塗布処理部が処理待ち状態になっていて塗布処理を実行していない。このように、基板群の一連処理の開始および終了期間において、塗布処理部や現像処理部がかなりの処理待ち状態にあるという現象が存在することを解明した。そして、この塗布処理部や現像処理部の処理待ち状態を処理状態に替えていく、つまり、基板群の一連処理の開始期間には現像処理部を塗布処理部に切り替えて塗布処理を増加させ、基板群の一連処理の終了期間には塗布処理部を現像処理部に切り替えて現像処理を増加させることができれば、それらの使用効率が向上して基板処理装置の生産性が上がることになるし、結果として基板処理装置の高スループット化が図れ、なおかつ、占有面積を増大させることのない基板処理装置を得ることができるという因果関係があることを見出したのである。
【0011】
このような知見に基づく本発明は次のような構成を採る。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、第1処理液で基板に処理を施す第1処理と、第2処理液で基板に処理を施す第2処理とを切り替えて個別に行う共用処理手段と、基板群の一連の処理流れに応じて前記共用処理手段の第1,第2処理を切り替え制御する制御手段とを備えていることを特徴とするものである。
【0012】
(作用・効果)請求項1に記載の発明によれば、第1処理液で基板に処理を施す第1処理と、第2処理液で基板に処理を施す第2処理とを切り替えて個別に行う共用処理手段のその第1,第2処理を、基板群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、第1,第2処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用処理手段の第1,第2処理を切り替え制御するので、基板群の一連の処理流れが主として第1処理を行うことである場合には共用処理手段を第1処理に切り替えることで第1処理量を増加させることができ、基板群の一連の処理流れが主として第2処理を行うことである場合には共用処理手段を第2処理に切り替えることで第2処理量を増加させることができ、共用処理手段を有効活用することができる。その結果、本装置の占有面積を増大させることなく、本装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【0013】
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記第1処理は、塗布液で基板を処理する塗布処理であり、前記第2処理は、現像液で基板を処理する現像処理であることを特徴とするものである。
【0014】
(作用・効果)請求項2に記載の発明によれば、第1処理は、塗布液で基板を処理する塗布処理であり、第2処理は、現像液で基板を処理する現像処理であるので、塗布処理と現像処理とを切り替えて個別に行える共用処理手段を実現できる。
【0015】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、第1処理液で第1処理が施された基板を搬送するための第1処理用の基板搬送手段と、第2処理液で第2処理が施された基板を搬送するための第2処理用の基板搬送手段とを個別に備えていることを特徴とするものである。
【0016】
(作用・効果)請求項3に記載の発明によれば、第1処理液で第1処理が施された基板を搬送するための第1処理用の基板搬送手段と、第2処理液で第2処理が施された基板を搬送するための第2処理用の基板搬送手段とを個別に備えているので、本装置のスループットをさらに向上させることができる。
【0017】
また、請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の基板処理装置において、前記第1処理用の基板搬送手段と前記第2処理用の基板搬送手段との間で基板を受け渡すための基板受け渡し部を備えていることを特徴とするものである。
【0018】
(作用・効果)請求項4に記載の発明によれば、第1処理用の基板搬送手段と第2処理用の基板搬送手段との間で基板を受け渡すための基板受け渡し部を備えているので、第1処理用の基板搬送手段と第2処理用の基板搬送手段とが直接に基板を受け渡すことを防止できる。
【0019】
なお、本明細書は、次のような基板処理方法および基板処理ユニットに係る発明も開示している。
【0020】
(1)基板に一連の処理を施す基板処理方法において、
第1処理液で基板に処理を施す第1処理と、第2処理液で基板に処理を施す第2処理とを切り替えて個別に行う共用処理手段のその第1,第2処理を、基板群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する制御過程
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
【0021】
前記(1)に記載の基板処理方法によれば、第1処理液で基板に処理を施す第1処理と、第2処理液で基板に処理を施す第2処理とを切り替えて個別に行う共用処理手段のその第1,第2処理を、基板群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、第1,第2処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用処理手段の第1,第2処理を切り替え制御するので、基板群の一連の処理流れが主として第1処理を行うことである場合には共用処理手段を第1処理に切り替えることで第1処理量を増加させることができ、基板群の一連の処理流れが主として第2処理を行うことである場合には共用処理手段を第2処理に切り替えることで第2処理量を増加させることができ、共用処理手段を有効活用することができる。その結果、基板処理装置の占有面積を増大させることなく、基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【0022】
(2)基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理ユニットであって、
基板を所定の姿勢に支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された基板に第1処理液を供給する第1供給部と、
前記基板支持部に支持された基板に第2処理液を供給する第2供給部と
を備え、
前記第1,第2供給部は、基板群の一連の処理流れに応じて、それぞれの第1,第2処理液の供給が切り替え制御され、
第1処理液で基板に処理を施す第1処理と、第2処理液で基板に処理を施す第2処理とを切り替えて個別に行うことを特徴とする基板処理ユニット。
【0023】
前記(2)に記載の基板熱処理装置によれば、基板を所定の姿勢に支持する基板支持部と、この基板支持部に支持された基板に第1処理液を供給する第1供給部と、基板支持部に支持された基板に第2処理液を供給する第2供給部とを備え、第1,第2供給部は、基板群の一連の処理流れに応じて、それぞれの第1,第2処理液の供給が切り替え制御され、第1処理液で基板に処理を施す第1処理と、第2処理液で基板に処理を施す第2処理とを切り替えて個別に行うので、基板群の一連の処理流れが主として第1処理を行うことである場合には基板処理ユニットを第1処理に切り替えることで第1処理量を増加させることができ、基板群の一連の処理流れが主として第2処理を行うことである場合には基板処理ユニットを第2処理に切り替えることで第2処理量を増加させることができ、基板処理ユニットを有効活用することができる。その結果、基板処理装置の占有面積を増大させることなく、基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
<第1実施例>
本発明の第1実施例の基板処理装置について説明する。図1は本発明の第1実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図であり、図2はその基板処理装置の1階部分の概略構成を示す平面図であり、図3はその基板処理装置の2階部分の概略構成を示す平面図である。なお、本実施例では、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、およびレジスト塗布されて、さらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを例に採って、基板処理を説明する。
【0025】
本実施例に係る基板処理装置は、図1〜図3に示すように、カセット載置台1とインデクサ2と処理ブロック3とインターフェイス4とから構成されている。インターフェイス4は、本実施例に係る基板処理装置と別体の装置とを連結するように構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス4は、レジスト塗布および現像処理を行う基板処理装置と、基板の露光処理を行う露光装置STP(例えば、ステップ露光を行うステッパなど)とを連結するように構成されている。
【0026】
カセット載置台1は、図2に示すように、未処理の複数枚(例えば25枚)の基板Wを収納したカセット(図示省略)を投入する投入部5と、処理済の基板Wを収納したカセットを払い出す払出部6とを備えている。投入部5には、カセットを載置する投入用の載置台5a,5bが、払出部6には、カセットを載置する払出用の載置台6a,6bが、それぞれ配設されている。
【0027】
次に、インデクサ2の具体的構成について説明する。インデクサ2(以下、適宜『ID』と略記する)は、図2に示すように、ID用搬送経路7とID用搬送機構8とから構成されている。ID用搬送経路7は、図2に示すように、カセット載置台1の投入用の載置台5a,5b、払出用の載置台6a,6bに沿って形成されている。また、インデクサ2と処理ブロック3との間には、基板Wを受け渡すための載置台Pass1が設けられている。ID用搬送機構8は、ID用搬送経路7上を移動することで、カセット載置台1の投入部5および払出部6と、処理ブロック3の載置台Pass1との間で基板Wを搬送する。つまり、インデクサ2は、カセット載置台1と処理ブロック3との間で基板Wの投入と払い出しとを行う機能を備えている。
【0028】
次に、ID用搬送機構8の具体的構成について、図4を参照して説明する。図4(a)はID用搬送機構8の平面図であり、図4(b)はその右側面図である。ID用搬送機構8は、図4(a),(b)に示すように、ID用搬送経路7の長手方向(y方向)である矢印RAの方向にアーム基台8aを移動可能に構成するy軸移動機構8b、矢印RBの方向(z方向)にアーム基台8aを昇降移動可能に構成するz軸昇降機構8c、およびz軸周り(矢印RCの方向)にアーム基台8aを回転可能に構成する回転駆動機構8dを備えている。このアーム基台8aには基板Wを保持するアーム8eが備えられており、このアーム8eは、回転半径方向である矢印RDの方向に進退移動可能に構成されている。
【0029】
y軸移動機構8bは、図4(a)に示すように、螺軸8fと、この螺軸8fを軸心周りに回転させるモータ8gとを備えており、この螺軸8fには上述したz軸昇降機構8cが取り付けられている。モータ8gの回転によって、螺軸8fに取り付けられたz軸昇降機構8cが矢印RAの水平方向に移動される。
【0030】
z軸昇降機構8cは、図4(b)に示すように、y軸移動機構8bと同じく、螺軸8hと、この螺軸8hを軸心周りに回転させるモータ8iとを備えており、この螺軸8hには上述した回転駆動機構8dが取り付けられている。モータ8iの回転によって、螺軸8hに取り付けられた回転駆動機構8dが矢印RBの方向に移動される。
【0031】
回転駆動機構8dは、図4(b)に示すように、上述したアーム基台8a、このアーム基台8aを軸心周りに回転させるモータ8j、および、アーム基台8aとモータ8jとを支持する支持部材8kを備えている。モータ8jの回転によって、アーム基台8aがアーム8eとともに矢印RCの方向に回転される。
【0032】
このように構成されることで、アーム基台8aのアーム8eに保持された基板Wは、矢印RAの方向に移動し、矢印RBの方向に移動し、矢印RCの方向に回転し、矢印RD方向に進退移動可能となる。これにより基板Wは、カセット載置台1の投入部5および払出部6と、処理ブロック3(図2参照)の載置台Pass1との間で搬送される。
【0033】
図1〜図3に戻って、処理ブロック3の具体的構成について説明する。処理ブロック3は、図1〜図3に示すように、例えば、主として、1階部分と2階部分とからなる2段構成になっていて、その1階部分には後述するSCセル9,SDセル10,共用セル11が配設され、その2階部分には後述する熱処理部24が配設され、1階部分と2階部分との間とx方向とに自由に移動可能な後述するSC用搬送機構17およびSD用搬送機構20が配設されている。
【0034】
具体的には、処理ブロック3の1階側には、図1,図2に示すように、複数個(この第1実施例では、例えば2個)のSCセル9と、複数個(この第1実施例では、例えば4個)の共用セル11と、複数個(この第1実施例では、例えば2個)のSDセル10とが平面的に配設されている。
【0035】
SCセル9は、基板Wを回転させながらフォトレジスト膜を基板Wに塗布形成するスピンコータ(Spin Coater)(以下、『SC』と呼ぶ)を備えたものである。また、複数個のうちのいくつかのSCセル9を、基板W上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜(Bottom Ant−Reflection Coating)(以下、『BARC』と呼ぶ)を基板Wに塗布形成するBARCセルとして使用する場合もある。
【0036】
BARCセル内のBARCは、例えば、基板Wを回転させながらBARC処理を行うように構成されている。詳述すると、基板Wを保持して水平面内に回転させるスピンチャック,反射防止液を吐出するノズルなどから構成されている。このスピンチャックに保持されて回転している基板Wの中心に向けてノズルから反射防止液を吐出することで、基板Wの遠心力により反射防止膜が基板Wの中心から全面にわたって塗布形成される。
【0037】
SCセル9内のSCは、反射防止液の替わりにフォトレジスト液を吐出してフォトレジスト膜を塗布形成する以外には、BARCセル内のBARCと同様の構成をしているので、SCセル9内のSCの説明を省略する。なお、上述した反射防止液やフォトレジスト液が本発明に係る第1処理液に相当する。
【0038】
SDセル10は、露光処理後の基板Wに現像液を吐出してこの基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ(Spin Developer)(以下、『SD』と呼ぶ)を備えたものである。なお、上述した現像液が本発明に係る第2処理液に相当する。
【0039】
続いて、共用セル11について図5を用いて説明する。図5は、共用セル11の概略構成を示すブロック図である。共用セル11は、基板処理装置を構成するための単位ユニットである基板処理ユニットであって、図5に示すように、フォトレジスト液で基板Wに処理を施す塗布処理(本発明に係る第1処理に相当)と、現像液で基板Wに処理を施す現像処理(本発明に係る第2処理に相当)とを、制御部15からの指示にしたがって、切り替えて個別に行うものである。
【0040】
具体的には、共用セル11は、基板Wを水平姿勢で保持するスピンチャック11aを備えている。スピンチャック11aは、回転軸11bを介して電動モータ11cに連動連結して構成されるとともに、図示しない真空ラインに繋がっていて、基板Wを真空吸着して保持する。このスピンチャック11aは、電動モータ11cの回転駆動によって、基板Wを保持しながら回転中心P1周りに回転する。なお、上述したスピンチャック11aが本発明における基板支持部に相当する。
【0041】
スピンチャック11aの周囲には、スピンチャック11aに保持された基板Wの周囲を取り囲むように、飛散防止カップ12が配備されている。また、スピンチャック11aに水平姿勢で保持された基板Wにフォトレジスト液を塗布するための塗布液用ノズル13と、スピンチャック11aに水平姿勢で保持された基板Wに現像液を吐出するための現像液用ノズル14とを備えている。この飛散防止カップ12は、図示しない昇降機構によって昇降可能に構成されていて、基板Wが回転駆動される際に上昇して、基板W上に塗布されたフォトレジスト液や、基板W上に液盛りされた現像液などが周囲に飛散するのを防止する。このとき、飛散防止カップ12内に飛び散ったフォトレジスト液や現像液は、この飛散防止カップ12に設けられている図示しない廃液回収構造によって回収される。基板Wの回転駆動が終了すると、スピンチャック11aからの基板Wの搬出を許容するように、飛散防止カップ12は下降する。
【0042】
ここで、塗布液用ノズル13について説明する。塗布液用ノズル13は、支持アーム13bに片持ち支持されている。この支持アーム13bは、ノズル駆動機構13aに昇降可能に支持されていて、x方向にスライド移動自在になっている。ノズル駆動機構13aのスライド移動によって、塗布液用ノズル13をx方向に進退移動させることができる。
【0043】
図5に示すように、支持アーム13bの内部に一体に構成された送液管13cは、支持アーム13bに片持ち支持された塗布液用ノズル13に連通接続されている。さらに、この送液管13cは、支持アーム13bの基端部で、フォトレジスト液タンク13dに繋がれたフォトレジスト液供給ライン13eに連通接続されている。フォトレジスト液供給ライン13eの途中には、制御部15の指示によって、フォトレジスト液供給ライン13eの開閉を行う開閉バルブ13fが設けられている。フォトレジスト液供給ライン13eが繋がれているフォトレジスト液タンク13dには、その内部に貯留されたフォトレジスト液Q1を加圧する窒素加圧ライン13gが接続されている。ノズル駆動機構13a,開閉バルブ13fおよび窒素加圧ライン13gは、制御部15に制御されている。上述した塗布液用ノズル13などを含む塗布液供給機構が本発明に係る第1供給部に相当する。
【0044】
ここで、現像液用ノズル14について説明する。現像液用ノズル14は、支持アーム14bに片持ち支持されている。この支持アーム14bは、ノズル駆動機構14aに昇降可能に支持されていて、x方向にスライド移動自在になっている。ノズル駆動機構14aのスライド移動によって、現像液用ノズル14をx方向に進退移動させることができる。
【0045】
図5に示すように、支持アーム14bの内部に一体に構成された送液管14cは、支持アーム14bに片持ち支持された現像液用ノズル14に連通接続されている。さらに、この送液管14cは、支持アーム14bの基端部で、現像液タンク14dに繋がれた現像液供給ライン14eに連通接続されている。現像液供給ライン14eの途中には、制御部15の指示によって、現像液供給ライン14eの開閉を行う開閉バルブ14fが設けられている。現像液供給ライン14eが繋がれている現像液タンク14dには、その内部に貯留された現像液Q2を加圧する窒素加圧ライン14gが接続されている。ノズル駆動機構14a,開閉バルブ14fおよび窒素加圧ライン14gは、制御部15に制御されている。上述した現像液用ノズル14などを含む現像液供給機構が本発明に係る第2供給部に相当する。
【0046】
さらに、この共用セル11は、図5に示すように、基板Wの有無を検出する、つまり、スピンチャック11aに基板Wが保持されているかどうかを検出ための基板検出部11dを備えている。基板検出部11dとしては、基板Wの有無を検出できるものであればよく、接触式または非接触式で光学的方式,電磁的方式あるいは機械的方式によって基板Wの有無を検出する種々のセンサなどを採用すればよい。また、上述した基板検出部11dは、各共用セル11に設けられていて、2個のSCセル9および2個のSDセル10のそれぞれにも設けられている。
【0047】
4個の共用セル11,2個のSCセル9および2個のSDセル10のそれぞれの基板検出部11dの基板Wの有無に関する基板検出信号は、制御部15に出力される。制御部15は、各基板検出部11dからの前記基板検出信号に基づいて、4個の共用セル11,2個のSCセル9および2個のSDセル10内に基板Wがあるかどうかを個別に検出できるようになっている。
【0048】
制御部15は、基板W群の一連の処理流れに応じて、つまり、4個の共用セル11,2個のSCセル9および2個のSDセル10内の基板Wの有無の検出に基づいて、4個のうちの対応する共用セル11の塗布処理と現像処理とを切り替え制御する。すなわち、塗布処理と現像処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用セル11の塗布,現像処理を切り替え制御するので、基板W群の一連の処理流れが主として塗布処理を行うことである場合には共用セル11を塗布処理(SC)に切り替えることで塗布処理量を増加させ、基板W群の一連の処理流れが主として現像処理を行うことである場合には共用セル11を現像処理(SD)に切り替えることで現像処理量を増加させるように制御するのである。なお、上述した共用セル11が本発明に係る共用処理手段に相当し、上述した制御部15が本発明に係る制御手段に相当する。
【0049】
次に、図1,図3に示すように、処理ブロック3の2階部分に配設された熱処理部(以下、適宜に『BAKE』とも呼ぶ)24について説明する。熱処理部(BAKE)24は、基板Wを熱処理するためのものであり、図示は省略するが、基板Wを熱処理するためのホットプレート部(以下、『HP』と呼ぶ)と、基板Wを冷却処理するためのクールプレート部(以下、『CP』と呼ぶ)とが、例えば上下方向(z方向)に積み重ねるようにして配設されたものである。この第1実施例では、クールプレート部上にホットプレート部を積み重ねているものとする。また、この熱処理部(BAKE)24は、さらに、前記のホットプレート部とクールプレート部との間で基板を受け渡すためのローカル搬送機構(図示省略)を備えている。
【0050】
ここで、この熱処理部(BAKE)24のローカル搬送機構による基板Wの搬送動作について説明する。まず、SC用搬送機構17によって搬送されてきた基板Wが熱処理部(BAKE)24のクールプレート部に近い側の基板出入口から搬入されて、クールプレート面から上方に突き出た状態の3本の支持ピン上に基板Wが水平姿勢に載置される。水平姿勢に支持する3本の支持ピンをクールプレート用昇降機構によって下降させていき、クールプレート面上に基板Wを水平姿勢に載置する。なお、クールプレート面上には微小突起物が所定個数形成されていて、基板Wの裏面全体をクールプレート面に接触させるのではなく、基板Wの裏面を微小突起物で点支持している。クールプレートによる基板Wの冷却処理が終わると、3本の支持ピンを突き上げてクールプレート面から基板Wを離間させた状態にし、ローカル搬送機構でこの基板Wを保持して上昇させていき、ホットプレート部25の方に搬送する。
【0051】
ローカル搬送機構は、搬送してきた基板Wを、ホットプレート面から上方に突き出た状態の3本の支持ピン上に水平姿勢に載置する。基板Wを水平姿勢に支持する3本の支持ピンをホットプレート用昇降機構によって下降させていき、ホットプレート面上に基板Wを水平姿勢に載置する。なお、ホットプレート面上にも微小突起物が所定個数形成されていて、基板Wの裏面全体をホットプレート面に接触させるのではなく、基板Wの裏面を微小突起物で点支持している。ホットプレートによる基板Wの加熱処理が終わると、3本の支持ピンを突き上げてホットプレート面から基板Wを離間させた状態にし、ローカル搬送機構でこの基板Wを保持して下降させていき、クールプレート部の方に搬送する。クールプレートから上方に突き出た状態の3本の支持ピン上に基板Wが水平姿勢に載置されると、SC用搬送機構17がその基板を熱処理部(BAKE)24の外部に搬送する。
【0052】
また、図2に示すように、処理ブロック3の1階側には、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20との間で基板を受け渡すための基板受け渡し部としての載置台Pass2〜4をそれぞれ備えている。載置台Pass2は、制御部15の指示にしたがって、SCセル9と共用セル11との間の待機位置と、SC用搬送機構17およびSD用搬送機構20の移動経路上の使用位置との間を進退移動可能なように構成されている。これと同様に、載置台Pass3は、制御部15の指示にしたがって、X方向に隣接する共用セル11間の待機位置と、SC用搬送機構17およびSD用搬送機構20の移動経路上の使用位置との間を進退移動可能なように構成されている。これと同様に、載置台Pass4は、制御部15の指示にしたがって、共用セル11とSDセル10との間の待機位置と、SC用搬送機構17およびSD用搬送機構20の移動経路上の使用位置との間を進退移動可能なように構成されている。
【0053】
また、この処理ブロック3の1階部分には、図示は省略するが、露光処理前に基板Wの端縁(エッジ)部分を露光するエッジ露光処理(Edge Exposure Unit)をするためのEEセル(以下、『EE』と呼ぶ)や、露光処理後の基板Wを加熱する(Post Exposure Bake)ためのPEBセル(以下、『PEB−CP』と呼ぶ)が配設されている。なお、これらのEEやPEB−CP等への基板の受け渡しは、後述するSD用搬送機構20で行われる。
【0054】
次に、SC用搬送機構17の具体的構成について、図6を参照して説明する。図6(a)は、SC用搬送機構17の平面図であり、図6(b)はその側面図であり、図6(c)はその正面図である。SC用搬送機構17は、図6(a)〜(c)に示すように、矢印RHの方向に(z方向)にアーム基台17aを昇降移動可能に構成する筒状のz軸昇降機構17bと、そのz軸昇降機構17bをz軸周り(矢印RIの方向)に回転可能に構成するモータ17cと、z軸昇降機構17bおよびモータ17cをx方向に移動可能するための螺軸17hおよびモータ17iからなるx軸移動機構17jを備えている。このアーム基台17aには基板Wを保持するアーム17dが備えられており、このアーム17dは、回転半径方向である矢印RJ方向に進退移動可能に構成されている。
【0055】
筒状のz軸昇降機構17bは、図6(a)〜(c)に示すように、空洞になっており、この空洞部に上述したアーム基台17aが収容されている。また、アーム17dが進退移動する際に通過することができるように、z軸昇降機構17bに開口部17eが設けられている。さらに、z軸昇降機構17bは、図6(b)に示すように、螺軸17fと、この螺軸17fを軸心周りに回転させるモータ17gとを備えており、この螺軸17fにはアーム基台17aが取り付けられている。モータ17gの回転によって、螺軸17fに取り付けられたアーム基台17aが矢印RHの方向に移動される。
【0056】
z軸昇降機構17bの底部には、上述したモータ17cが取り付けられており、モータ17cの回転によって、z軸昇降機構17b自体が、z軸昇降機構17b内に収容されたアーム基台17aおよびアーム17dとともに矢印RIの方向に回転される。
【0057】
このように構成されることで、アーム基台17aのアーム17dに保持された基板Wは、x方向に移動し、矢印RIの方向に回転し、矢印RHの方向に移動し、矢印RJ方向に進退移動可能となる。これにより基板Wは、SC用搬送機構17によって、SCセル9と、SC用に切り替えた場合の共用セル11と、載置台Pass1と、基板Wを受け渡すための載置台Pass5との間で受け渡される。SC用搬送機構17は、塗布液などの処理液で処理された基板Wを搬送する。このように、SC用搬送機構17の場合には、筒状のz軸昇降機構17bが取り付けられており、そのz軸昇降機構17b自体が回転可能となっているので、水平面内の全ての方向に基板Wを受け渡すことができる。
【0058】
SD用搬送機構20は、現像液で処理された基板Wを搬送するものであり、SD用搬送機構20も前述したSC用搬送機構17と同様に構成されていて、このSD用搬送機構20によって基板WをSDセル10と、SD用に切り替えた場合の共用セル11と、載置台Pass1と、載置台Pass5との間で受け渡すことができる。
【0059】
上述したように処理ブロック3は、インデクサ2から払い出された基板Wを、BARCセル,SCセル9,SDセル10,熱処理部(BAKE)24等で所要の一連の処理を施してこのインデクサ2に再び戻すというものである。
【0060】
なお、上述したSC用搬送機構17が本発明に係る第1処理用の基板搬送手段に相当し、SD用搬送機構20が本発明に係る第2処理用の基板搬送手段に相当する。
【0061】
図1〜図3に戻って、インターフェイス4の具体的構成について説明する。図2に示すように、インターフェイス4(以下、適宜『IF』と略記する)は、IF用搬送経路28とIF用搬送機構29とから構成されている。IF用搬送経路28は、インデクサ2のID用搬送経路7と平行に形成されている。IF用搬送機構29は、IF用搬送経路28上を移動することで、第4の処理ユニット12と、図2中の二点鎖線で示した露光装置(ステッパ)STPとの間で基板Wを搬送する。この露光装置STPは、本実施例装置とは別体の装置で構成されるとともに、かつ本実施例装置に連設可能に構成されており、本実施例装置と露光装置STPとの間で基板Wの受け渡しを行わないときには、本実施例装置のインターフェイス4から露光装置STPを退避させてもよい。
【0062】
IF用搬送機構29の具体的構成については、図4に示したID用搬送機構8のz軸昇降機構8cの取り付け位置が相違する以外には、ID用搬送機構8と同様の構成であるので、その説明を省略する。
【0063】
続いて、この第1実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理について、図7,図8のフローチャートを参照して説明する。なお、各処理において複数枚の基板Wが並行して行われるが、1枚の基板Wのみに注目して説明する。
【0064】
(ステップS1)インデクサでの搬送
未処理の複数枚の基板Wを収納したカセット(図示省略)を、カセット載置台1の投入部5の載置台5aまたは5bに載置して投入する。投入されたカセットから1枚の基板Wを取り出すために、ID用搬送機構8のy軸移動機構8bは、z軸昇降機構8cごとアーム基台8aをID用搬送経路7上で矢印RAの方向に移動させて、z軸昇降機構8cはアーム基台8aを矢印RBの方向に下降させつつ、回転駆動機構8dはアーム基台8aを矢印RCの方向に回転させる。そして、アーム8eを矢印RDの方向に前進させて、前進されたアーム8eがカセット内の1枚の基板Wを保持する。その後、基板Wを保持した状態でアーム8eを矢印RDの方向に後退させる。
【0065】
(ステップS2)載置台Pass1での受け渡し
ID用搬送機構8は、処理ブロック3の載置台Pass1に基板Wを渡す。具体的に説明すると、ID用搬送機構8のy軸移動機構8bは、z軸昇降機構8cごとアーム基台8aをID用搬送経路7上で移動させて、z軸昇降機構8cおよび回転駆動機構8dは、アーム基台8aを上昇および回転させる。そして、アーム8eを前進させて、載置台Pass1の開口部を通して、基板Wを載置台Pass1に載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム8eを後退させる。
【0066】
(ステップS3)CP処理
載置台Pass1に載置された基板Wを受け取るために、SC用搬送機構17のx軸移動機構17j,z軸昇降機構17bおよびモータ17cはアーム基台17aを移動,昇降および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、載置台Pass1の開口部を通して、基板Wを載置台Pass1から搬出する。その後、基板Wを保持した状態でアーム17dを後退させる。
【0067】
そして、基板WをSCセル9上の熱処理部(BAKE)24内のCPで冷却処理(CP処理)するために、このアーム17dを上昇,回転および前進させて、CPの開口部を通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム17dを後退させる。そして、CPに載置された基板Wを冷却して常温に保つためにCP処理が行われる。
【0068】
(ステップS4)BARC処理
CP処理が終了すると、SC用搬送機構17は、CPに載置された基板Wを受け取るために、CPの開口部を通して、アーム17dを矢印RJの方向に前進させて基板Wを保持する。その後、基板Wを保持した状態でアーム17dを後退させる。そして、SCセル9や共用セル11のうちでBARCセルとしたBARCでBARC処理するために、SC用搬送機構17のx軸移動機構17j,z軸昇降機構17bおよびモータ17cは、アーム基台17aを移動,下降および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、基板WをBARCのスピンチャック(図示省略)に載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム17dを後退させる。
【0069】
BARCに載置された基板Wに対して、基板Wを回転させながら反射防止膜を塗布形成するBARC処理が行われる。
【0070】
(ステップS5)CPでの受け渡し
BARC処理が終了すると、BARCに載置された基板Wを受け取るために、SC用搬送機構17のアーム17dを前進させて、基板WをBARCから搬出する。そして、BARCセル上の熱処理部(BAKE)24のCP(クールプレート)に搬入するために、SC用搬送機構17のx軸移動機構17j,z軸昇降機構17bおよびモータ17cは、アーム基台17aを移動,上昇および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、熱処理部24のCPの開口部を通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム17dを後退させる。
【0071】
(ステップS6)CP処理
そして、熱処理部(BAKE)24のCP(クールプレート)で基板Wを冷却処理する。
【0072】
(ステップS7)HP処理
熱処理部(BAKE)24内のローカル搬送機構は、CP(クールプレート)に載置されたCP処理後の基板Wを保持し、基板Wを保持した状態でHP(ホットプレート)の方に移動し、基板WをHP上に載置し、基板Wの保持を解除して後退させる。そして、HPに載置された基板Wに対して、BARC処理後の基板Wを加熱するHP(ベーク)処理が行われる。
【0073】
(ステップS8)CP処理
前述のローカル搬送機構は、HP(ホットプレート)に載置されたHP処理後の基板Wを保持し、基板Wを保持した状態でCP(クールプレート)の方に移動し、基板WをCP上に載置し、基板Wの保持を解除して後退させる。そして、熱処理部24のCPで基板Wを冷却処理する。CP処理が終了すると、CPに載置された基板Wを受け取るために、SC用搬送機構17のアーム17dを前進させて、BARCセル上の熱処理部(BAKE)24のCPの開口部を通して、基板WをCPから搬出する。
【0074】
(ステップS9)SC処理
SCセル9内のSCで処理するために、SC用搬送機構17のx軸移動機構17j,z軸昇降機構17bおよびモータ17cは、アーム基台17aを移動,下降および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、基板WをSCのスピンチャック(図示省略)に載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム17dを後退させる。そして、SCに載置された基板Wに対して、基板Wを回転させながらレジスト塗布を行うSC処理が行われる。
【0075】
(ステップS10)CPでの受け渡し
SC処理が終了すると、SCに載置された基板Wを受け取るために、SC用搬送機構17のアーム17dを前進させて基板Wを保持し、基板WをSCから搬出する。そして、処理部ロック3の2階部分の熱処理部(BAKE)24のCPに搬入するために、SC用搬送機構17のx軸移動機構17j,z軸昇降機構17bおよびモータ17cは、アーム基台17aを移動,上昇および回転させる。そして、アーム17dを前進させて、熱処理部(BAKE)24のCPの開口部を通して、基板WをCPに載置する。その後、基板Wの保持を解除してアーム17dを後退させる。
【0076】
(ステップS11)CP処理
そして、熱処理部(BAKE)24のCP(クールプレート)で基板Wを冷却処理する。
【0077】
(ステップS12)HP処理
熱処理部(BAKE)24内のローカル搬送機構は、CP(クールプレート)に載置されたCP処理後の基板Wを保持し、基板Wを保持した状態でHP(ホットプレート)の方に移動し、基板WをHP上に載置し、基板Wの保持を解除して後退させる。そして、HPに載置された基板Wに対して、SC処理後の基板Wを加熱するHP(ベーク)処理が行われる。
【0078】
(ステップS13)CP処理
熱処理部(BAKE)24内のローカル搬送機構は、HP(ホットプレート)に載置されたHP処理後の基板Wを保持し、基板Wを保持した状態でCP(クールプレート)の方に移動し、基板WをCP上に載置し、基板Wの保持を解除して後退させる。そして、熱処理部24のCPで基板Wを冷却処理する。CP処理が終了すると、CPに載置された基板Wを受け取るために、SC用搬送機構17のアーム17dを前進させて、CPの開口部を通して、基板WをCPから搬出する。
【0079】
(ステップS14)載置台Pass2〜4での受け渡し
載置台Pass2〜4のうちでSC用搬送機構17の移動経路上の使用位置にあるものに基板Wを搬送するために、SC用搬送機構17のz軸昇降機構17bおよびx軸移動機構17jは、アーム基台17aを下降し、x方向に移動させる。そして、SC用搬送機構17のアーム17dを前進させて、前述の載置台Pass2〜4のうちの対応するものに基板Wを搬入する。
【0080】
(ステップS15)SD用搬送機構20による搬送
SD用搬送機構20は、前述の載置台Pass2〜4から基板Wを受け取り、処理ブロック3内のEEに基板Wを搬入する。
【0081】
(ステップS16)EE処理
EEに載置された基板Wに対して、露光処理前に基板Wの端縁(エッジ)部分を露光するEE(エッジ露光)処理が行われる。
【0082】
(ステップS17)載置台Pass5での受け渡し
EE処理が終了すると、SD用搬送機構20は、EEに載置された基板Wを受け取り、処理ブロック3とインターフェイス4との境界部分に位置する載置台Pass5に基板Wを載置する。
【0083】
(ステップS18)インターフェイスでの搬送
IF用搬送機構29は、載置台Pass5に載置された基板Wを受け取り、露光装置STPに搬入する。
【0084】
(ステップS19)露光処理
インターフェイス4に連結された露光装置STPは、IF用搬送機構29によって搬入された基板Wに対して、露光処理を行う。
【0085】
(ステップS20)インターフェイスでの搬送
露光処理が終了すると、露光装置STPから搬出するために、IF用搬送機構29は、露光装置STPから基板Wを取り出す。
【0086】
(ステップS21)載置台Pass5での受け渡し
IF用搬送機構29は、露光装置STPから取り出した基板Wを載置台Pass5に載置する。
【0087】
(ステップS22)CPでの受け渡し
処理ブロック3内のPEB−CPのCPに基板Wを搬送するために、SD用搬送機構20は、載置台Pass5に載置された基板Wを保持して取り出し、処理ブロック3内のPEB−CPのCPに搬入する。
【0088】
(ステップS23)CP処理
そして、PEB−CPのCP(クールプレート)で基板Wを冷却処理する。
【0089】
(ステップS24)PEB処理
PEB−CPの内のローカル搬送機構(図示省略)によって、PEB−CPの内部でCPからPEBに基板Wが搬送される。そして、PEBに載置された基板Wに対して、露光処理後の基板Wを加熱するPEB(Post Exposure Bake)処理が行われる。
【0090】
(ステップS25)CP処理
PEB処理が終了すると、PEB−CPの内のローカル搬送機構(図示省略)によって、PEB−CPの内部でPEBからCPに基板が搬送される。CPに載置された基板Wに対して、PEBで加熱された基板Wを冷却して常温に保つためにCP処理が行われる。
【0091】
(ステップS26)SD処理
PEB−CPでのCP処理が終了すると、SD用搬送機構20は、PEB−CPのCP内に載置された基板Wを受け取り、SDセル10に基板Wを搬入する。そして、SDセル10に載置された基板Wに対して、基板Wを回転させながら現像処理を行うSD(現像)処理が行われる。
【0092】
(ステップS27)CPでの受け渡し
SD処理が終了すると、SD用搬送機構20は、SDセル10に載置された基板Wを受け取り、処理ブロック3の2階部分の熱処理部(BAKE)24内のCPに基板Wを搬入する。
【0093】
(ステップS28)CP処理
そして、処理ブロック3の熱処理部(BAKE)24内のCP(クールプレート)で基板Wを冷却処理する。
【0094】
(ステップS29)HP処理
熱処理部(BAKE)24内のローカル搬送機構は、CP(クールプレート)に載置されたCP処理後の基板Wを保持し、基板Wを保持した状態でHP(ホットプレート)の方に移動し、基板WをHP上に載置し、基板Wの保持を解除して後退させる。そして、HPに載置された基板Wに対して、SD処理後の基板Wを加熱するHP(ベーク)処理が行われる。
【0095】
(ステップS30)CP処理
熱処理部(BAKE)24内のローカル搬送機構は、HP(ホットプレート)に載置されたHP処理後の基板Wを保持し、基板Wを保持した状態でCP(クールプレート)の方に移動し、基板WをCP上に載置し、基板Wの保持を解除して後退させる。そして、熱処理部24のCPで基板Wを冷却処理する。CP処理が終了すると、SD用搬送機構20は、CPに載置された基板Wを受け取り、基板WをCPから搬出する。
【0096】
(ステップS31)載置台Pass2〜4での受け渡し
CP処理が終了すると、SD用搬送機構20は、熱処理部(BAKE)24のCPから搬出した基板Wを、載置台Pass2〜4のうちでSD用搬送機構20の移動経路上の使用位置にあるものに載置する。
【0097】
(ステップS32)SC用搬送機構17による搬送
SC用搬送機構17は、前述の載置台Pass2〜4から基板Wを受け取り、処理ブロック3とインデクサ2との境界部分にある載置台Pass1に基板Wを搬入する。
【0098】
(ステップS33)インデクサでの搬送
ID用搬送機構8は、載置台Pass1に載置された基板Wを受け取り、カセット載置台1の払出部6の載置台6aまたは6bに載置されたカセットに基板を収納する。
【0099】
カセット内に所定枚数だけ処理済の基板Wが収納されると、カセットは、払出部6から払い出されて、一連の基板処理が終了する。このように、各基板Wは、前述したステップS1〜S33のような一連の処理を受けることになる。
【0100】
続いて、この第1実施例の基板処理装置の特徴部分である処理制御方法、つまり、共用セル11の制御方法について、図9,図10を参照して説明する。図9は第1実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。図10(a)〜(c)は第1実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【0101】
(ステップS41)共用セル11を全てSC用に変更
基板処理装置での基板W群の一連処理が開始されると、制御部15は、図10(a)に示すように、全て(4個)の共用セル11をSC用に変更するように全て(4個)の共用セル11を制御するとともに、載置台Pass4を2点鎖線で示す待機位置からSC用搬送機構17の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Pass4を制御する。具体的には、制御部15は、図5に示す現像液用ノズル14の開閉バルブ14fを閉じて現像液Q2を供給しないようにするとともに、塗布液用ノズル13の開閉バルブ13fを開き、窒素加圧ライン13gおよびノズル駆動機構13aを制御して、フォトレジスト液Q1を基板Wに供給できるようにすることで、共用セル11をSCセル9に切り替える。
【0102】
つまり、この第1実施例の基板処理装置は、図10(a)に示すように、基板W群の一連処理の開始期間において「6SC−2SD」として稼動することになる。なお、図10(a)に示すように載置台Pass4が使用位置にある場合は、この載置台Pass4を使用して、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20との間の基板Wの受け渡しが行われる。また、各基板Wは、前述したステップS1〜S33のような一連の処理を受けることになることから、処理ブロック3で露光前の各処理(SC処理,熱処理およびEE処理等)を受けた基板Wは、順次にインターフェイス4によって露光装置STPに搬出され、この露光装置STPで露光処理された基板Wがインターフェイス4によって再び処理ブロック3に供給される。この処理ブロック3で露光後の基板Wに現像処理を施すことになる。
【0103】
(ステップS42)各セルでの基板W検出
制御部15は、基板W群の一連処理中の所定タイミング毎に、4個の共用セル11,2個のSCセル9および2個のSDセル10のそれぞれの基板検出部11dからの基板Wの有無に関する基板検出信号に基づいて、各セルでの基板Wの有無の検出を行う。
【0104】
(ステップS43)SDセル10内の基板Wの有無検出
制御部15は、2個のSDセル10のそれぞれの基板検出部11dからの基板Wの有無に関する基板検出信号に基づいて、2個のうちのいずれかのSDセル10に基板Wが搬入されているかどうかを検出する。SDセル10に基板Wが搬入されていなければ、前記のステップS42に戻る。SDセル10に基板Wが搬入されていれば、次のステップS44に進む。
【0105】
(ステップS44)SCセル9内の基板Wの有無検出
制御部15は、2個のSCセル9およびSC用に切り替えられた4個の共用セル11、つまり、合計6個のSCセル9のそれぞれの基板検出部11dからの基板Wの有無に関する基板検出信号に基づいて、6個のうちのいずれかのSCセル9で基板Wが処理されているか、つまり、基板Wが搬入されているかどうかを検出する。SCセル9で基板Wが処理されていれば、次のステップS45に進む。SCセル9で基板Wが処理されていなければ、後述するステップS46に進む。
【0106】
(ステップS45)4個の共用セル11のうちの2個をSD用に変更
制御部15は、図10(b)に示すように、4個のうちの2個の共用セル11をSD用に変更するようにこの2個の共用セル11を制御するとともに、載置台Pass4をSC用搬送機構17の移動経路上の使用位置から2点鎖線で示す待機位置に戻すように載置台Pass4を制御し、なおかつ、載置台Pass3を2点鎖線で示す待機位置からSC用搬送機構17の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Pass3を制御する。具体的には、制御部15は、4個のうちの2個の共用セル11については、図5に示す塗布液用ノズル13の開閉バルブ13fを閉じて現像液Q1を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル14の開閉バルブ14fを開き、窒素加圧ライン14gおよびノズル駆動機構14aを制御して、現像液Q2を基板Wに供給できるようにすることで、共用セル11をSDセル10に切り替える。
【0107】
つまり、この第1実施例の基板処理装置は、図10(b)に示すように、基板W群の一連処理の期間におけるステップS45の時点から「4SC−4SD」として稼動することになる。なお、図10(b)に示すように載置台Pass3が使用位置にある場合は、この載置台Pass3を使用して、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20との間の基板Wの受け渡しが行われる。
【0108】
(ステップS46)共用セル11を全てSD用に変更
制御部15は、図10(c)に示すように、SC用としている2個の共用セル11をSD用に変更するようにこの2個の共用セル11を制御するとともに、載置台Pass3をSC用搬送機構17の移動経路上の使用位置から2点鎖線で示す待機位置に戻すように載置台Pass3を制御し、なおかつ、載置台Pass2を2点鎖線で示す待機位置からSC用搬送機構17の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Pass2を制御する。具体的には、制御部15は、SC用としている2個の共用セル11については、図5に示す塗布液用ノズル13の開閉バルブ13fを閉じて現像液Q1を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル14の開閉バルブ14fを開き、窒素加圧ライン14gおよびノズル駆動機構14aを制御して、現像液Q2を基板Wに供給できるようにすることで、SC用としていた2個の共用セル11をSDセル10に切り替える。
【0109】
つまり、この第1実施例の基板処理装置は、図10(c)に示すように、基板W群の一連処理の期間におけるステップS46の時点から「2SC−6SD」として稼動することになる。なお、図10(c)に示すように載置台Pass2が使用位置にある場合は、この載置台Pass2を使用して、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20との間の基板Wの受け渡しが行われる。上述したステップS42〜S46が本発明に係る制御過程に相当する。
【0110】
上述したように本第1実施例の基板処理装置によれば、フォトレジスト液で基板Wに処理を施す塗布処理と、現像液で基板Wに処理を施す現像処理とを切り替えて個別に行う共用セル11のその塗布,現像処理を、基板W群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、塗布,現像処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用セル11の塗布,現像処理を切り替え制御するので、基板W群の一連の処理流れが主として塗布処理を行うことである場合には共用セル11を塗布処理に切り替えることで塗布処理量を増加させることができ、基板W群の一連の処理流れが主として現像処理を行うことである場合には共用セル11を現像処理に切り替えることで現像処理量を増加させることができ、共用セル11を有効活用することができる。その結果、本基板処理装置の占有面積を増大させることなく、本基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【0111】
また、共用セル11は、塗布液用ノズル13と現像液用ノズル14とを備えているので、フォトレジスト液で基板Wを処理する塗布処理と、現像液で基板Wを処理する現像処理とを、切り替えて個別に行える構成を実現できる。
【0112】
また、フォトレジスト液で塗布処理が施された基板Wを搬送するためのSC用搬送機構17と、現像液で現像処理が施された基板Wを搬送するためのSD用搬送機構20とを個別に備えているので、本基板処理装置のスループットをさらに向上させることができる。
【0113】
また、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20との間で基板Wを受け渡すための載置台Pass2〜4を備えているので、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20とが直接に基板Wを受け渡すことを防止できる。
【0114】
また、SC用搬送機構17は塗布液で処理された基板Wを扱い、SD用搬送機構20は現像液で処理された基板Wを扱い、熱処理部24のローカル搬送機構は熱処理された基板Wを扱うように区別しているので、熱処理された基板Wを扱うことで昇温される熱処理部24のローカル搬送機構が、SCセル9やSDセル10に基板Wを直接に搬送することがないし、熱処理部24のローカル搬送機構から基板Wへの熱伝導によって温度変化した基板Wを、SCセル9やSDセル10に搬送することを防止でき、熱分離することができる。
【0115】
以下に、第1実施例の基板処理装置と従来の基板処理装置とを、それぞれの具体的な数値データに基づいて比較した結果について説明する。従来の基板処理装置は、4SC(2BARC+2レジスト)―4SDを有するものである。従来の基板処理装置では、標準レシピで1カセット(基板が25枚収納されたもの)のみを投入して処理する場合には、102W/H(基板枚数/時間)の処理が限界である。しかしながら、この第1実施例の基板処理装置では、150W/H(基板枚数/時間)の処理を行うことができ、従来例装置と比べて各段に高いスループットを実現できる。また、2カセット(基板を25枚収納したものが2個=合計50枚)の場合でも、130W/H(基板枚数/時間)の処理を行うことができる。その理由は、主として、基板Wの投入当初は、共用セル11をSCセル9に切り替えてSCセル9を増加させることでSC処理量を増加させることができ、全てのSCセル9から基板Wが払い出される、つまり、全てのSCセル9での基板WのSC処理が終了すると、共用セル11をSDセル10に切り替えてSDセル10を増加させることでSD処理量を増加させることができるからである。
【0116】
<第2実施例>
図11,図12を参照して第2実施例に係る基板処理装置について説明する。図11は本発明の第2実施例に係る基板処理装置の1階部分の概略構成を示す平面図であり、図12はその基板処理装置の2階部分の概略構成を示す平面図である。
【0117】
なお、上述した第1実施例では、図2,図3に示すように、処理ブロック3に4個の共用セル11および16個の熱処理部(BAKE)24を備えているが、本第2実施例では、図11,図12に示すように、処理ブロック3に2個の共用セル11および12個の熱処理部(BAKE)24を備えている点が、上述した第1実施例とは異なっている。なお、上述した第1実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【0118】
続いて、この第2実施例の基板処理装置の特徴部分である処理制御方法、つまり、共用セル11の制御方法について、図13,図14を参照して説明する。図13は第2実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。図14(a),(b)は第2実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【0119】
(ステップS51)共用セル11を全てSC用に変更
基板処理装置での基板W群の一連処理が開始されると、制御部15は、図14(a)に示すように、全て(2個)の共用セル11をSC用に変更するように全て(2個)の共用セル11を制御するとともに、載置台Pass3を2点鎖線で示す待機位置からSC用搬送機構17の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Pass3を制御する。具体的には、制御部15は、図5に示す現像液用ノズル14の開閉バルブ14fを閉じて現像液Q2を供給しないようにするとともに、塗布液用ノズル13の開閉バルブ13fを開き、窒素加圧ライン13gおよびノズル駆動機構13aを制御して、フォトレジスト液Q1を基板Wに供給できるようにすることで、共用セル11をSCセル9に切り替える。
【0120】
つまり、この第1実施例の基板処理装置は、図14(a)に示すように、基板W群の一連処理の開始期間において「4SC−2SD」として稼動することになる。なお、図14(a)に示すように載置台Pass3が使用位置にある場合は、この載置台Pass3を使用して、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20との間の基板Wの受け渡しが行われる。
【0121】
(ステップS52)各セルでの基板W検出
制御部15は、基板W群の一連処理中の所定タイミング毎に、2個の共用セル11,2個のSCセル9および2個のSDセル10のそれぞれの基板検出部11dからの基板Wの有無に関する基板検出信号に基づいて、各セルでの基板Wの有無の検出を行う。
【0122】
(ステップS53)SDセル10内の基板Wの有無検出
制御部15は、2個のSDセル10のそれぞれの基板検出部11dからの基板Wの有無に関する基板検出信号に基づいて、2個のうちのいずれかのSDセル10に基板Wが搬入されているかどうかを検出する。SDセル10に基板Wが搬入されていなければ、前記のステップS52に戻る。SDセル10に基板Wが搬入されていれば、次のステップS54に進む。
【0123】
(ステップS54)SCセル9内の基板Wの有無検出
制御部15は、2個のSCセル9およびSC用に切り替えられた2個の共用セル11、つまり、合計4個のSCセル9のそれぞれの基板検出部11dからの基板Wの有無に関する基板検出信号に基づいて、4個のうちのいずれかのSCセル9で基板Wが処理されているか、つまり、基板Wが搬入されているかどうかを検出する。SCセル9で基板Wが処理されていれば、次のステップS52に戻り。SCセル9で基板Wが処理されていなければ、後述するステップS55に進む。
【0124】
(ステップS55)共用セル11を全てSD用に変更
制御部15は、図14(b)に示すように、SC用としている2個の共用セル11をSD用に変更するようにこの2個の共用セル11を制御するとともに、載置台Pass3をSC用搬送機構17の移動経路上の使用位置から2点鎖線で示す待機位置に戻すように載置台Pass3を制御し、なおかつ、載置台Pass2を2点鎖線で示す待機位置からSC用搬送機構17の移動経路上の使用位置に移動させるように載置台Pass2を制御する。具体的には、制御部15は、SC用としている2個の共用セル11については、図5に示す塗布液用ノズル13の開閉バルブ13fを閉じて現像液Q1を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル14の開閉バルブ14fを開き、窒素加圧ライン14gおよびノズル駆動機構14aを制御して、現像液Q2を基板Wに供給できるようにすることで、SC用としていた2個の共用セル11をSDセル10に切り替える。
【0125】
つまり、この第1実施例の基板処理装置は、図14(b)に示すように、基板W群の一連処理の期間におけるステップS55の時点から「2SC−4SD」として稼動することになる。なお、図14(b)に示すように載置台Pass2が使用位置にある場合は、この載置台Pass2を使用して、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20との間の基板Wの受け渡しが行われる。上述したステップS52〜S55が本発明に係る制御過程に相当する。
【0126】
上述したように本第2実施例の基板処理装置によれば、上述した第1実施例と同様に、フォトレジスト液で基板Wに処理を施す塗布処理と、現像液で基板Wに処理を施す現像処理とを切り替えて個別に行う共用セル11のその塗布,現像処理を、基板W群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、塗布,現像処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用セル11の塗布,現像処理を切り替え制御するので、基板W群の一連の処理流れが主として塗布処理を行うことである場合には共用セル11を塗布処理に切り替えることで塗布処理量を増加させることができ、基板W群の一連の処理流れが主として現像処理を行うことである場合には共用セル11を現像処理に切り替えることで現像処理量を増加させることができ、共用セル11を有効活用することができる。その結果、本基板処理装置の占有面積を増大させることなく、本基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【0127】
<第3実施例>
図15,図16を参照して第3実施例に係る基板処理装置について説明する。図15は本発明の第3実施例に係る基板処理装置の1階部分の概略構成を示す平面図であり、図16はその基板処理装置の2階部分の概略構成を示す平面図である。
【0128】
なお、上述した第1実施例では、図2,図3に示すように、処理ブロック3に、2個のSCセル9,2個のSDセル10,4個の共用セル11および16個の熱処理部(BAKE)24並びにSC用搬送機構17およびSD用搬送機構20を備えているが、本第3実施例では、2個のSCセル9,2個のSDセル10並びにSC用搬送機構17およびSD用搬送機構20を設けず、図15,図16に示すように、処理ブロック3に、4個の共用セル11および12個の熱処理部(BAKE)24並びに搬送機構22を備えている点が、上述した第1実施例とは異なっている。搬送機構22は、上述した第1実施例のSC用搬送機構17と同様に構成されているので、ここではその図示と説明を省略する。なお、上述した第1実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【0129】
続いて、この第3実施例の基板処理装置の特徴部分である処理制御方法、つまり、共用セル11の制御方法について、図17,図18を参照して説明する。図17は第3実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。図18(a)〜(c)は第3実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【0130】
(ステップS61)共用セル11を全てSC用に変更
基板処理装置での基板W群の一連処理が開始されると、制御部15は、図18(a)に示すように、全て(4個)の共用セル11をSC用に変更するように全て(4個)の共用セル11を制御する。具体的には、制御部15は、図5に示す現像液用ノズル14の開閉バルブ14fを閉じて現像液Q2を供給しないようにするとともに、塗布液用ノズル13の開閉バルブ13fを開き、窒素加圧ライン13gおよびノズル駆動機構13aを制御して、フォトレジスト液Q1を基板Wに供給できるようにすることで、共用セル11をSCセル9に切り替える。
【0131】
つまり、この第1実施例の基板処理装置は、図18(a)に示すように、基板W群の一連処理の開始期間において「4SC」として稼動することになる。
【0132】
(ステップS62)各セルでの基板W検出
制御部15は、基板W群の一連処理中の所定タイミング毎に、4個の共用セル11のそれぞれの基板検出部11dからの基板Wの有無に関する基板検出信号およびインターフェイス4からの後述する基板搬入検出信号に基づいて、各共用セル11での基板Wの有無の検出を行う。
【0133】
(ステップS63)SDセル10に搬入する基板Wの有無検出
この第3実施例の基板処理装置では、制御部15は、インターフェイス4によってSDセル10に搬入する基板Wの有無をインターフェイス4からの基板搬入検出信号に基づいて検出できるようになっている。制御部15は、SDセル10に搬入する基板Wの有無を検出する。SDセル10に搬入する基板Wがなければ、前記のステップS62に戻る。SDセル10に搬入する基板Wがあれば、次のステップS64に進む。
【0134】
(ステップS44)SCセル9内の基板Wの有無検出
制御部15は、SC用に切り替えられた4個の共用セル11のそれぞれの基板検出部11dからの基板Wの有無に関する基板検出信号に基づいて、4個のうちのいずれかのSCセル9で基板Wが処理されているか、つまり、基板Wが搬入されているかどうかを検出する。SCセル9で基板Wが処理されていれば、次のステップS65に進む。SCセル9で基板Wが処理されていなければ、後述するステップS66に進む。
【0135】
(ステップS65)4個の共用セル11のうちの2個をSD用に変更
制御部15は、図18(b)に示すように、4個のうちの2個の共用セル11をSD用に変更するようにこの2個の共用セル11を制御する。具体的には、制御部15は、4個のうちの2個の共用セル11については、図5に示す塗布液用ノズル13の開閉バルブ13fを閉じて現像液Q1を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル14の開閉バルブ14fを開き、窒素加圧ライン14gおよびノズル駆動機構14aを制御して、現像液Q2を基板Wに供給できるようにすることで、共用セル11をSDセル10に切り替える。
【0136】
つまり、この第1実施例の基板処理装置は、図18(b)に示すように、基板W群の一連処理の期間におけるステップS65の時点から「2SC−2SD」として稼動することになる。
【0137】
(ステップS66)共用セル11を全てSD用に変更
制御部15は、図18(c)に示すように、SC用としている2個の共用セル11をSD用に変更するようにこの2個の共用セル11を制御する。具体的には、制御部15は、SC用としている2個の共用セル11については、図5に示す塗布液用ノズル13の開閉バルブ13fを閉じて現像液Q1を供給しないようにするとともに、現像液用ノズル14の開閉バルブ14fを開き、窒素加圧ライン14gおよびノズル駆動機構14aを制御して、現像液Q2を基板Wに供給できるようにすることで、SC用としていた2個の共用セル11をSDセル10に切り替える。
【0138】
つまり、この第1実施例の基板処理装置は、図18(c)に示すように、基板W群の一連処理の期間におけるステップS66の時点から「4SD」として稼動することになる。上述したステップS62〜S66が本発明に係る制御過程に相当する。
【0139】
上述したように本第3実施例の基板処理装置によれば、上述した第1実施例と同様に、フォトレジスト液で基板Wに処理を施す塗布処理と、現像液で基板Wに処理を施す現像処理とを切り替えて個別に行う共用セル11のその塗布,現像処理を、基板W群の一連の処理流れに応じて切り替え制御する、つまり、塗布,現像処理のどちらを優先させて行うかに応じて共用セル11の塗布,現像処理を切り替え制御するので、基板W群の一連の処理流れが主として塗布処理を行うことである場合には共用セル11を塗布処理に切り替えることで塗布処理量を増加させることができ、基板W群の一連の処理流れが主として現像処理を行うことである場合には共用セル11を現像処理に切り替えることで現像処理量を増加させることができ、共用セル11を有効活用することができる。その結果、本基板処理装置の占有面積を増大させることなく、本基板処理装置のスループットを向上させることができる。特に、少量多品種の基板処理の場合において、スループットの向上率が高く生産性に優れる。
【0140】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【0141】
(1)上述した各実施例では、図2,図11に示すように、共用セル11を2個あるいは4個設けているが、共用セル11をそれ以外の複数個あるいは単数個設けるようにしてもよい。
【0142】
(2)上述した第1,第2実施例では、図10,図14に示すように、載置台Pass2〜4を介して、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20との間での基板Wの受け渡しを行うようにしているが、熱処理部(BAKE)24のCP等を介して、SC用搬送機構17とSD用搬送機構20との間での基板Wの受け渡しを行うようにし、載置台Pass2〜4を設けない構造にしてもよい。
【0143】
(3)上述した各実施例では、熱処理部(BAKE)24は、基板Wを熱処理するためのホットプレート部と、基板Wを冷却処理するためのクールプレート部とを例えば上下方向(z方向)に積み重ねるようにして配設されたものとしているが、ホットプレート部とクールプレート部とを水平方向に配置し、ホットプレート部とクールプレート部との間の基板Wの搬送をローカル搬送機構で行うものとしてもよいし、ローカル搬送機構を備えずSC用搬送機構17またはSD用搬送機構20によってホットプレート部とクールプレート部との間の基板Wの搬送を行うものとしてもよい。
【0144】
(4)上述した各実施例では、共用セル11にスピンチャック11aを採用しているが、基板Wを水平姿勢で非回転で保持する等各種の基板保持機構を採用してもよい。
【0145】
(5)上述した各実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプのエッチング以外のエッチング処理(例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど)や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理(例えばソニック洗浄や化学洗浄など)、化学機械研磨(CMP)処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長(CVD)処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法で行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。
【0146】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、第1処理液で基板に処理を施す第1処理と、第2処理液で基板に処理を施す第2処理とを切り替えて個別に行う共用処理手段のその第1,第2処理を、基板群の一連の処理流れに応じて切り替え制御するので、基板群の一連の処理流れが主として第1処理を行うことである場合には共用処理手段を第1処理に切り替えることで第1処理量を増加させることができ、基板群の一連の処理流れが主として第2処理を行うことである場合には共用処理手段を第2処理に切り替えることで第2処理量を増加させることができ、共用処理手段を有効活用することができる。その結果、本装置の占有面積を増大させることなく、本装置のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図2】図1に示した基板処理装置の1階部分の概略構成を示す平面図である。
【図3】図1に示した基板処理装置の2階部分の概略構成を示す平面図である。
【図4】(a)はID用搬送機構の平面図であり、(b)はその右側面図である。
【図5】共用セルの概略構成を示すブロック図である。
【図6】(a)はSC用搬送機構の平面図であり、(b)はその側面図であり、(c)はその正面図である。
【図7】第1実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図8】第1実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図9】第1実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。
【図10】(a)〜(c)は第1実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【図11】本発明の第2実施例に係る基板処理装置の1階部分の概略構成を示す平面図である。
【図12】本発明の第2実施例に係る基板処理装置の2階部分の概略構成を示す平面図である。
【図13】第2実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。
【図14】(a),(b)は第2実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【図15】本発明の第3実施例に係る基板処理装置の1階部分の概略構成を示す平面図である。
【図16】本発明の第3実施例に係る基板処理装置の2階部分の概略構成を示す平面図である。
【図17】第3実施例の基板処理装置の処理制御手順を示すフローチャートである。
【図18】(a)〜(c)は第3実施例の基板処理装置の各状態を説明するための平面図である。
【図19】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
11 … 共用セル(共用処理手段)
15 … 制御部(制御手段)
17 … SC用搬送機構(第1処理用の基板搬送手段)
20 … SD用搬送機構(第2処理用の基板搬送手段)
Pass2〜4 … 載置台(基板受け渡し部)
W … 基板
Claims (4)
- 基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、
第1処理液で基板に処理を施す第1処理と、第2処理液で基板に処理を施す第2処理とを切り替えて個別に行う共用処理手段と、
基板群の一連の処理流れに応じて前記共用処理手段の第1,第2処理を切り替え制御する制御手段と
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記第1処理は、塗布液で基板を処理する塗布処理であり、
前記第2処理は、現像液で基板を処理する現像処理であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
第1処理液で第1処理が施された基板を搬送するための第1処理用の基板搬送手段と、第2処理液で第2処理が施された基板を搬送するための第2処理用の基板搬送手段とを個別に備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記第1処理用の基板搬送手段と前記第2処理用の基板搬送手段との間で基板を受け渡すための基板受け渡し部
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002245202A JP4297665B2 (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002245202A JP4297665B2 (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004087674A true JP2004087674A (ja) | 2004-03-18 |
JP4297665B2 JP4297665B2 (ja) | 2009-07-15 |
Family
ID=32053463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002245202A Expired - Fee Related JP4297665B2 (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4297665B2 (ja) |
-
2002
- 2002-08-26 JP JP2002245202A patent/JP4297665B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4297665B2 (ja) | 2009-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101176238B1 (ko) | 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체 | |
US7641404B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US7549811B2 (en) | Substrate treating apparatus | |
US8888387B2 (en) | Coating and developing apparatus and method | |
JP3571471B2 (ja) | 処理方法,塗布現像処理システム及び処理システム | |
US20070058147A1 (en) | Apparatus for and method of processing substrate subjected to exposure process | |
JP2009021275A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004087570A (ja) | 基板処理装置 | |
EP0843343B1 (en) | Processing system | |
JP5204589B2 (ja) | 基板処理ユニットおよび基板処理装置 | |
JP5199792B2 (ja) | 基板処理ユニット、基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2004087675A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5545693B2 (ja) | 現像処理装置 | |
KR101667432B1 (ko) | 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 | |
KR101769440B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
KR102288984B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2004015021A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4297665B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102121241B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2001077176A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004015019A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4259968B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US12035576B2 (en) | Substrate treating apparatus and substrate transporting method | |
JP2002208554A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004319768A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070614 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070625 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070803 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090205 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |