JP2004087630A - 発光ダイオードおよびledライト - Google Patents

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Abstract

【課題】制御されて外部放射される光の放射効率を向上させることができる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】リードフレーム5a,5bに実装された発光素子6を透光性材料である透明エポキシ樹脂8で封止し、この透明エポキシ樹脂8に、発光素子6の発光面と対向する位置に配置され、発光素子6から発光された光を側面放射面10へ反射する反射面9bを形成したLED2にあって、反射面9bを、発光素子6に対し、2π{1−cosθc(θc:前記透光性材料の臨界角)}以上の立体角を有し、側面放射面10を、反射面9bで反射された光と、発光素子6から発光された光とがθc以内で入射される形状を成すように形成した。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車のテールライトやブレーキライト、または工事用の警報ランプや標識など広範囲の分野における照明装置並びに表示装置として適用される発光ダイオードおよびLEDライトに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の発光ダイオード(LEDともいう)として、例えば、図21(a)、(b)に示すものがある。このLED200は、リードフレーム205a,205bと、リードフレーム205a上に搭載された発光素子(LEDチップ)206と、発光素子206を封止するエポキシ樹脂208より構成されている。
【0003】
発光素子206は、第1の電極(例えば、n電極)がリードフレーム205aに接続され、第2の電極(例えば、p電極)がボンディングワイヤ207によってリードフレーム205bに接続されている。
【0004】
発光素子206は、三次元座標軸X,Y,Zの原点に位置し、発光素子206の中心軸はZ軸と一致し、また、第2の電極が位置する光出射面は、X軸及びY軸によって形成されるX−Y面に平行である。エポキシ樹脂208は、Z軸と45°を成す逆円錐状の窪みによって形成された反射面210と、全体を円筒形にする光出射用の側面209を有する。
【0005】
以上の構成において、発光素子206から出射された光は反射面210によって反射され、X−Y面に平行な光aとして側面209により出射される。X−Y面に平行な光aは、略平行な光を含めて反射角が制御された制御光であり、例えば、これを一次光(設計通りの光)とし、この一次光を図示せぬ外部反射面によってZ軸と略平行になるように反射する二次光を形成し、この二次光を、例えば、テールライトの表示光として利用することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のLED200においては、光制御されて一次光として側面方向へ光放射できるものではなかった。即ち、反射面210が発光素子206の光出射面から離れて位置し、Z軸から離れるに従い一次関数的にZ軸方向高さが増す。このため、発光素子206に対して反射面210を大きな立体角とすることができない。例えば、LED200の外径が5mm、発光素子206が標準的な配光ものであり、その発光素子206上面から1.5mm上に逆円錐形状の光反射面210が形成されているとすると、Z軸から約35°の範囲(立体角:約1.1strad)の光、即ち全光量の20〜30%の光が反射面210へ至るに留まり、残りの光は発光素子206から直接側面209へ至って放射される。
【0007】
そして、反射面210で反射される光の一部は、aで示すように側面方向へ反射し、側面209から側面方向へ外部放射されるが、b,cのように側面209で大きく屈折し、側面方向ではない方向へ外部放射される光や、更にはdのように側面209で界面反射し、側面209から外部放射されず迷光となる光が多い。また、発光素子206から出射された光のうち、反射面210へ至らない光は、直接側面209へ至る。そして、eのように一部は側面209から側面方向へ外部放射されるが、gのように側面209で大きく屈折し、側面方向ではない方向へ外部放射される光や、更にはhやiのように側面209で界面反射し、側面209から外部放射されず、迷光となる光が多い。従って、従来のLED200は、光の側面方向への放射効率が低いという問題を有する。
【0008】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、制御されて外部放射される光の放射効率を向上させることができる発光ダイオードおよびLEDライトを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の発光ダイオードは、電源供給手段に実装された発光素子を透光性材料の封止部材で封止し、前記発光素子の発光面に対し放射光を受けて反射する反射面と、前記反射面からの反射光と前記発光素子からの直接光を放射する側面放射面とを前記封止部材に形成して構成された発光ダイオードにおいて、前記反射面は、前記発光素子に対し、2π{1−cosθc(θc:前記透光性材料の臨界角)}以上の立体角を有し、前記側面放射面は、前記反射面で反射された反射光の入射角及び前記発光素子から放射された直接光の入射角が前記θcより小なる角度を有して形成され、前記発光素子から発光された光を入射して外部へ放射することを特徴としている。このように反射面が、2π{1−cosθc}以上の立体角を有する場合、発光素子が発する光の半分以上の光を側面方向へ放射する制御を行うことができる。また、側面放射面へ入射する反射光や直接光の角度がθcより小さい角度を有する場合、入射光が側面放射面で反射せずに外部放射するため迷光が生じず、高効率の側面放射を行うことができる。
【0010】
また、前記反射面は、前記発光素子の中心軸(Z軸)に対し直交するX軸でなす平面においてZ=f(X)の一部の線分を前記発光素子の中心軸回りに回転させた形状であり、前記Z=f(X)は{df(X)/dX}<0であることを特徴としている。このようにZ=f(X)が{df(X)/dX}<0である場合は、反射面が同一径の場合に、発光素子に対して大きな立体角としても側面放射面への入射角を小さなものとすることができる。
【0011】
また、前記反射面は、前記発光素子又は、その周囲を焦点とする楕円、放物線、双曲線の何れか1つの一部を、前記発光素子の中心軸回りに回転させた形状を成すことを特徴としている。これは、{df(X)/dX}<0で示される曲線のうち、実際に使用されうる一般的な形状を意味する。
【0012】
また、前記反射面は、前記発光素子の直上に光取出面を有することを特徴としている。このように光取出面を有する場合、反射面中央部から光取り出しができる。反射面を発光素子に近接形成でき、反射面が同一径の場合、発光素子に対し大きな立体角が得られる。
【0013】
また、前記反射面は、径が10mm以下であることを特徴としている。この場合、小型化によりモールド形成性が向上する。Z軸方向から観察する際に非発光となる反射面の面積を小さくすることができる。
【0014】
また、前記側面放射面は、前記発光素子側に傾斜する勾配を有することを特徴としている。
【0015】
また、前記側面放射面は、前記発光素子を中心とする球面の一部を成すことを特徴としている。
【0016】
また、前記リードフレームは、熱伝導率が300W/m・k以上の導電性材料で形成され、前記封止手段の下面から引き出されていることを特徴としている。
【0017】
また、本発明のLEDライトは、電源供給手段に実装された発光素子を透光性材料の封止部材で封止し、前記発光素子の発光面に対し放射光を受けて反射する反射面と、前記反射面からの反射光と前記発光素子からの直接光を放射する側面放射面とを前記封止部材に形成して構成され、前記反射面が、前記発光素子に対し、2π{1−cosθc(θc:前記透光性材料の臨界角)}以上の立体角を有し、前記側面放射面が、前記反射面で反射された反射光の入射角及び前記発光素子から放射された直接光の入射角が前記θcより小なる角度を有して形成され、前記発光素子から発光された光を入射して外部へ放射する発光ダイオードと、前記発光ダイオードから放射される光を反射する反射鏡とを備えたことを特徴としている。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【0019】
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るLED(発光ダイオード)の構成を示す図であり、(a)は断面図、(b)は平面図である。
【0020】
図1に示すように、第1の実施の形態のLED2は、透明エポキシ樹脂8によって、光源である発光素子6を封止するとともに光学面が形成された一体構造となっているが、以降説明のため、発光素子6の中心軸をZ軸とし、このZ軸上の発光素子6の上面位置を原点とし、原点でZ軸にそれぞれ直交するX軸とY軸を設けた座標系としてある。但し、Z軸は中心軸Zとも称す。
【0021】
即ち、LED2は、X−Y平面上に絶縁のための間隙を介して配置した一対の銅合金によるリードフレーム5a,5bのうち、一方のリードフレーム5aの上記原点位置に発光素子6を銀ペーストを介して実装し、発光素子6の上面の電極とリードフレーム5bの先端部とを、金のワイヤ7でボンディングし、さらに、各リードフレーム5a,5bの一部分、発光素子6、ワイヤ7を、透明エポキシ樹脂8(屈折率1.55)によって封止すると共に光学面をモールド形成したものである。
【0022】
このLED2の主な特徴は、透明エポキシ樹脂8の形状にある。即ち、透明エポキシ樹脂8は、その上面の中心部分(発光素子6の直上部分)が平坦面9aとなっており、この平坦面9aに続いて反射面9bが形成され、これによって反射鏡9が構成されている。
【0023】
反射面9bは、原点を焦点としX軸を対称軸とする放物線の一部を、中心軸Zの周りに回転させた円状の反射形状を成している。なお、平坦面9aは、発光素子6で発光された光をZ軸方向へ放射する光学面であり、凹面又は凸面であってもよい。用途に応じては、平坦面9aが形成されていない構成とすることも可能である。
【0024】
また、反射面9bは、発光素子6に対し、2π{1−cosθc(θc:前記透光性材料の臨界角)}以上の立体角を有する。或いは、発光素子6の焦点と反射面9bのエッジ位置とを結ぶ斜めの直線L1と、Z軸との角度θ1が、(90°−θc)以上となっている。
【0025】
反射面9bの直径Wは、φ10mm以下が好ましい。この理由は、透明エポキシ樹脂8のサイズが大きいと光学的には有利な設計が可能となるが、この場合、樹脂硬化時の残留応力などで熱衝撃に対してクラックが生じやすくなるので、透明エポキシ樹脂8のサイズは小さい方がよいからである。
【0026】
更に、透明エポキシ樹脂8の側面放射面10は、原点を中心とする球面の一部を成している。その側面放射面10における反射面9bのエッジ位置と、発光素子6の焦点を水平方向へ延長したX軸とを垂直に結ぶ高さHは、発光素子6の焦点と反射面9bのエッジ位置とを結ぶ斜めの直線L1と、X軸との角度θ2が、臨界角θcよりも小さくなるような高さに設定されている。角度θ2は、(θc−5°)以下とするのが好ましい。これは、入射角がθcに至らなくとも、図21に示すように、θc近傍では界面反射が大きいという理由による。
【0027】
また、上記の(90°−θc)または2π{1−cosθc}は、発光素子6に対して大きな立体角を有するといった意味があるが、もう一方で、発光素子6が発し、直接、側面放射面10に達した光が界面反射し、迷光とならない範囲という意味がある。仮に、側面放射面10がテーパーなしの垂直面であるとしても、θ1が(90°−θc)以上であれば、θ2がθc以下となり、全反射による迷光は生じない。
【0028】
ここで、LED2のサイズは、その直径が10mm、反射面9bの直径Wが9mm、外端部のZ方向の高さHが1mm、Z軸に対する発光素子6の上面から反射面9b、外端部のなす角θ1が70°であるとする。
【0029】
また、発光素子6を実装したリードフレーム5aは、発光素子6の実装部分の近傍から実装面下方へ透明エポキシ樹脂8の外部へ引き出すことによって、そのリードフレーム5aが透明エポキシ樹脂8に埋まる部分をワイヤ7が露出しない範囲で極力少なくなるようにしてある。なお、他方のリードフレーム5bも同様に、細長い平板形状を成し、上記のリードフレーム5bの樹脂外部へ引き出す部分と平行に配置されている。
【0030】
Z軸に垂直な方向への放射、いわゆる側面放射のLED2は、広い範囲への光を放射し、且つ十分な放射強度が求められることから、発光素子6は、大電流タイプ(高出力タイプ)のものが用いられている。例えば、図2に示すように、N型GaP基板101の上に、N型AlInGaPクラッド層102、発光する層を有する層103、P型AlInGaPクラッド層104、P型GaPウインドウ層105が順次形成され、また、P型GaPウインドウ層105の上に、このウインドウ層105とオーミック接触するためのAuZnコンタクト106を介してAlボンディングパッド(正電極)107が形成され、さらに、N型GaP基板101の下にAu合金電極(負電極)108が形成された構造となっている。
【0031】
このような構造の発光素子6の負電極108をリードフレーム5aに実装し、前述のように正電極107とリードフレーム5bの先端とをワイヤ7でボンディングして、両電極107,108間に所定電圧を印加することによって、発光素子6が発光する。この発光は、各クラッド層102,104の各々で、キャリア(電子とホール)を発光する層を有する層103に閉じ込める作用が生じ、発光する層を有する層103で、キャリアが再結合されることによって行われる。
【0032】
また、発光素子6は大電流タイプのものであることから発熱量が多くなる。そこで、第1の実施の形態では、発光素子6が実装されるリードフレーム5a,5bに、熱伝導率の高い銅合金材料(300W/m・k以上)を用い、更に、図1に示したように、埋設部分を極力少なくすることによって、外部への放熱性を高め、発光素子6並びにリードフレーム5aに熱が極力蓄積されないことにより、発光素子6の温度上昇を抑え、温度に対して負の光出力依存があるLED2の光出力の低下を防止することができる。或いは、高めの通電電流設定によるLED2の高光出力化を図ることができる。例えば、100mAを越える大きな電流を流して、大光量の光を得ることが可能となる。
【0033】
次に、このような構成のLED2の発光動作を説明する。
【0034】
LED2のリードフレーム5a,5bに電圧を印加すると発光素子6が発光する。発光素子6からの出射光のうち、Z軸に沿って直上に向かった光は、平坦面9aから透明エポキシ樹脂8をそのまま通り抜けて直進し、外部放射される。また、発光素子6で発光された光のうち反射面9bへ至った光は、反射面9bへの入射角が大きいため全て全反射されて側面放射面10に向かう。ここで、反射面9bは、前述した反射形状を成すので、反射面9bで反射された光は、全てX−Y平面に略平行に放射される。そして、側面放射面10は、発光素子6を中心とする球面の一部を成しているため、その略平行に進む光は、側面放射面10で僅かに下方向へ屈折するものの、ほぼそのまま略平行に進んでZ軸周り360度の方向に略平面状に放射される。
【0035】
ここで、図22(a)〜(c)は、標準的な発光素子の光度分布、光束分布、光束積算の特性図であり、横軸は中心軸に対する角度、縦軸はそれぞれ光度比、光束比、光束比である。Z軸に対する外端部のなす角θ1は70°であるので、発光素子が発する光のうち約80%が反射面9bへ至って反射され、側面放射面10から略平面状に放射される。また残りの約20%も側面放射面10で屈折することなく、Z軸に対し、70°以上の方向へ放射される。
【0036】
このように、第1の実施の形態のLED2によれば、光源である発光素子6を透明エポキシ樹脂8で封止すると共に、光学面である平坦面9a、反射面9b、側面放射面10をモールド形成し、その反射面9bを、発光素子6位置の原点を焦点としX軸を対称軸とする放物線の一部を、中心軸Zの周りに回転させた形状の反射形状としたので、発光素子6が発した光を理想的な効率で側面放射することができる。
【0037】
また、透明エポキシ樹脂8の側面放射面10を、発光素子6を中心とする球面の一部を成す形状としたので、反射面9bで反射されて略平行に進む光は、側面放射面10をほぼそのまま略平行に進んでZ軸周り360度の方向に略平面状に外部放射され、さらに、発光素子6から側面放射面10に直接向かった光は側面放射面10で屈折することなくそのままの向きで外部放射される。従って、Z軸に対して小さな角度範囲に放射される光はなく、側面放射面10から一次光として制御されて側面方向へ外部放射される光の放射効率を、大幅に向上させることができる。
【0038】
また、透明エポキシ樹脂8の側面放射面10は、発光素子6を中心とする球面の一部を成しているので、側面放射面10がテーパー形状となっており、ポッティングモールド又はキャスティングモールド形成時における型抜きを、透明エポキシ樹脂8を破損することなく容易に行うことができる。逆テーパー形状や垂直形状では、型抜きを容易に行うことができず、透明エポキシ樹脂8を破損することもある。従って、現在一般に用いられている製造方法並びに樹脂材料で製造することができ、この際、量産性、特性安定性を向上させることができる。
【0039】
但し、側面放射面10は、球面形状でなく、円筒形状の中心側に僅かに傾斜(例えば約4°の勾配)した円錐面の一部を用いた形状としてもよい。この形状でも、型抜きを、透明エポキシ樹脂8を破損することなく容易に行うことができる。この他、型抜きが容易な形状であればよい。
【0040】
また、反射面9bの中央、つまり発光素子6の直上に平坦面9aを形成し、平坦面9aの周縁から反射面9bのように湾曲させることでLED2を、より薄くすることができる。直上平面を形成せずに湾曲させると、発光素子6とこの直上界面との距離を長くしなければならないので、その分、厚くなるが、この点を解消することができる。なお、平坦面9aに限らず凹面や凸面であってもよい。
【0041】
また、発光素子6の直上に平坦面9aを有するので、発光素子6の出射光のうち直上に向かう光(垂直光)を平坦面9aから外部へ放射することができる。従って、LED2の平坦面9aと側面放射面10で構成される照射面全面を照射することができる。
【0042】
また、反射面9bの直径Wを、φ10mm以下と小さくすることができるので、透明エポキシ樹脂8のサイズが大きい場合に生じる樹脂硬化時の残留応力が起因する熱衝撃によるクラックの発生を無くすことができる。
【0043】
また、LED2は、用途に応じては、平坦面9aが形成されていない構成とすることも可能である。この場合、Z軸方向へ光は放射されないが、発光素子6で発光された光を、上記同様に反射面9bで側面放射面10方向へ反射させることができる。
【0044】
また、反射面9bは、原点を焦点としX軸を対称軸とする放物線の一部を、中心軸Zの周りに回転させた円状の反射形状を成しているとしたが、中心軸Zに対し、放物線の対称軸が90°未満の傾きとなる放物線の一部を、中心軸Zの周りに回転させた円状の反射形状を成していてもよい。この反射面の形状では、反射光は斜め上方へも反射されることになる。この反射面を有するLEDの使用用途については、後述の第2の実施の形態の変形例で説明する。
【0045】
更に、反射面9bは、発光素子6又は、その周囲を焦点とする楕円、放物線、双曲線の何れか1つの一部を、発光素子6の中心軸Z周りに回転させた形状であってもよい。更には、図4にL2で示すように、放物線上の複数の点を直線で接続した線分の一部を、中心軸Z周りに回転させた形状であってもよい。また、中心軸Z周りに回転させた形状以外にも、中心軸Z方向から見て楕円形状となるもの、その他、発光素子6から発した光を有効に側面方向へ放射できるものであれば非軸対称形状であってもよい。
【0046】
リードフレーム5a,5bを銅合金材料(熱伝導率300W/m・k以上)と説明したが、他の熱伝導度の高い材料でも良く、300W/m・k以上でなくても良い。また、発光素子6を大電流タイプとしない場合は鉄合金などを用いても良い。
【0047】
この他、LED2の第1の変形例として、図5(a)の平面図並びに(b)の断面図に示すLED2aのように、一対のリードフレーム122a,122bの内、発光素子6が実装されるリードフレーム122aを、透明エポキシ樹脂8との境界でクラックが生じないように、発光素子6の熱を広範囲に伝導して分散させることが可能な広面積を有すると共に、その広面積部分の縁に繋がる細長い平板形状を形成し、この細長い平板形状を縁の部分で下方に折り曲げて透明エポキシ樹脂8の外部へ引き出し、樹脂8への埋設部分を極力少なくしてもよい。なお、図5の例では、広面積部分を、一対で円形状となるようにしたが、熱を分散できる広面積を有していれば、他どの様な形状であっても良い。
【0048】
このような構成のLED2aにおいては、発光素子6が実装されるリードフレーム122aの透明エポキシ樹脂8に封止された部分が、発光素子6の熱を広範囲に伝導して分散させる広面積となっているので、発光素子6が大電流タイプで発熱量が多いものでも、発光素子6から直接透明エポキシ樹脂8に伝導する熱、並びに発光素子6からリードフレーム122aを介して透明エポキシ樹脂8に伝導する熱を、広面積のリードフレーム122a全体に分散させることができる。
【0049】
更に、リードフレーム122aにおける発光素子6の実装面を、発光素子6から下方へ放射された光を反射する反射面とすることができるので、光学的に有利となる。
【0050】
次に、LED2の第2の変形例として、図6に示すLED2bのように、発光素子6を小形状の透明シリコン樹脂8sで封止した後に、透明エポキシ樹脂8で封止してもよい。この場合、発光素子6を、一旦小形状の透明シリコン樹脂8sで封止するので、残留応力をより緩和させることができ、寿命を長くさせることが可能となる。また、透明シリコン樹脂8sに、蛍光体を混入させても良く、透明シリコン樹脂8s以外の透光性材料を用いても良い。
【0051】
次に、LED2の第3の変形例として、図7に示すように、LED2cにおいて、一対のリードフレーム12b,12cを発光素子6の周辺のみ凹ませて反射面とする。但し、一対のリードフレーム12b,12cの平面形状は、図5に示したリードフレーム122a,122bと同様であるとする。
【0052】
これによって、LED2の基本形においては、発光素子6の直上方向にのみ光が放射されていたのに対して、LED2cにおいては、発光素子6の周囲からも上方に光が放射されるようになり、より全体が発光しているように見え、見栄えが向上するという効果が得られる。
【0053】
次に、LED2の第4の変形例として、図8に示すように、LED2dにおいて、一対のリードフレーム13a,13bにハーフエッチングやスタンピングパターンにより、図示するような鋸歯状のパターンを設けることによって、発光素子6から斜め下方に放射される光を反射して上方に光を放射するようにしても良い。但し、一対のリードフレーム13a,13bの平面形状は、図5に示したリードフレーム122a,122bと同様であるとする。
【0054】
このようにリードフレーム13a,13bに複数の同心円反射鏡を形成することにより、上記第3の変形例と同様に、より全体が発光しているように見せることができ、見栄え向上を図ることができる。なお、この場合には、透明エポキシ樹脂8とリードフレーム13a,13bとの接着面積が増し、接着形状を平面形状でなくすることによる剥離不良低減の効果もある。特に、発熱の大きい大電流タイプの場合に有効である。
【0055】
次に、LED2の第5の変形例として、図9に示すように、LED2eにおいて、透明エポキシ樹脂8による封止部分の側面形状を変更しても良い。基本例の側面放射面10は、発光素子6を中心とする球面形状の一部であり、発光素子6から出た光は側面放射面10に略垂直に入射してそのまま直進するようになっていた。この第5の変形例においては、側面14は発光素子6を一方の焦点とする楕円体表面の一部を成しており、発光素子6から出た光は側面14において直進方向に対してやや下方に屈折する。
【0056】
次に、LED2の第6の変形例として、図10に示すように、LED2fにおいて、反射面9bにおける側方への反射を、透明エポキシ樹脂8と空気の境界面における全反射によらず、上面9cにメッキ、蒸着等を施した金属反射膜15を付着させても良い。この場合には、発光素子6の真上を平坦にしてしまうと真上に放射される光は外部放射されなくなるので、上面9cの中心部分まで全て発光素子6を焦点とする放物線の一部をZ軸周りに回転させた形状とする必要がある。
【0057】
次に、LED2の第7の変形例として、図11に示すように、LED2gを、基本形の反射鏡9よりも直径を小さくして形成した概略円柱形状の反射鏡9dの外周に、別体の環状反射鏡9eを形成して、反射鏡9fを形成した。この反射鏡9fを形成する場合、例えば第1の樹脂封止用金型に、前述したように発光素子6が実装され、且つワイヤボンディングされた一対のリードフレーム5a,5b(またはリードフレーム122a,122b)をセットし、透明エポキシ樹脂8aを流し込んで硬化する。この硬化によって形成された反射鏡9dを第2の樹脂封止用金型にセットし、透明エポキシ樹脂8bを流し込んで硬化することによって環状反射鏡9eを形成する。なお、予め個々に作製した概略円柱形状の反射鏡9dに、環状反射鏡9eを嵌め込んで形成しても良い。
【0058】
このように形成された反射鏡9fの外形は、基本形9と同様である。従って、環状反射鏡9eの外側面は、基本形9と同様に発光素子6を中心とする球面の一部を成す形状となっている。また、概略円柱形状の反射鏡9dと環状反射鏡9eとの境界は、この例では図示するように垂直としたが、基本形9と同じく発光素子6を中心とする球面の一部を成す形状としても良い。
【0059】
このようなLED2gによれば、発光素子6、ボンディングワイヤ7および一対のリードフレーム5a,5bを封止する透明エポキシ樹脂を、第1と第2の透明エポキシ樹脂8a,8bに分離したので、各々の樹脂8a,8bの体積が基本形の透明エポキシ樹脂8よりも小さくなり、各々の残留応力を小さくすることができる。つまり、発光素子6並びに発光素子6からリードフレーム5aを介して各々の透明エポキシ樹脂8a,8bに熱が伝導しても、各々の残留応力は小さく個別のものなので、熱により触発される残留応力による熱膨張を小さくすることができる。従って、熱膨張によって、発光素子6並びにリードフレーム5aと透明エポキシ樹脂8aとの境界でクラックが生じるといったことを防止することができる。
【0060】
さらに、図7〜図10に示したLED2c〜2fに、第7の変形例で説明した透明エポキシ樹脂を分割して反射鏡を形成する構成を採用しても、同様にクラックの発生を防止することができる。
【0061】
(第2の実施の形態)
図12は、本発明の第2の実施の形態に係るLEDを用いたLEDライトの全体構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は(b)のP部分の拡大図である。
【0062】
図12に示すように、LEDライト1は、円盤形状の本体の中心に、図1に示したLED2を搭載し、このLED2の周囲に同心円の階段状の反射面3aが形成された反射鏡3で囲んだ構造を成している。以降、LED2の反射鏡9を第1の反射鏡9、上記の反射鏡3を第2の反射鏡3と称す。
【0063】
第2の反射鏡3は、透明アクリル樹脂で成形した後、上面にアルミ蒸着を施すことによって反射面3aを形成している。各反射面3aは、図12(c)に示すように、X−Y平面に対して約45度に傾斜している。
【0064】
次に、このような構成のLED2を用いた応用例であるLEDライト1の発光動作を、図12を参照して説明する。
【0065】
第1の実施の形態において図1を参照して説明したように、LED2からX−Y平面に略平行に放射された光は、第2の反射鏡3の略45度の傾斜を有する反射面3aで略Z軸方向へ反射され、外部へ放射される。
【0066】
このように、LED2と第2の反射鏡3との組合せによって、大面積で薄型の灯具であるLEDライト1とすることができる。更に、LED2に代え、第1〜第7の変形例のLED2a〜2gの何れかを用いても、同様な効果を奏すことが可能となる。
【0067】
また、LEDライト1において、LED2と第2の反射鏡3との関係は、図13の(a)及び(b)に比較例を示すように、LED2が第2の反射鏡3に対して小さい方が概して望ましい。これは、LED2が中央部のみが発光点oとして視認され、(a)に示す内径の小さい第2の反射鏡3は、ほぼ全体が発光して視認されるが、(b)に示す内径の大きい第2の反射鏡3は、中抜けした発光として視認されることになる。
【0068】
本LED2は、径を小さくすることができるので、(a)に示すような第2の反射鏡3との関係でLEDライト1を構成することができる。従って、ほぼ全体が発光して見えるようにすることが可能となる。
【0069】
但し、(b)に示す内径の大きい第2の反射鏡3を用いる場合は、図7に示したLED2c又は図8に示したLED2dを用いれば、ほぼ全体が発光して見えるようにすることが可能となる。
【0070】
この他、LEDライト1の第1の変形例として、図14に示すように、反射面9bに環状のレンズ9hを形成して、発光素子6で発光された光を平坦面9a以外に上方へ放射するLED2hを、(b)の構成に用いても良い。
【0071】
次に、LEDライト1の第2の変形例として、図15に示すLEDライト1aがある。このLEDライト1aに用いられているLED2iがLED2と異なる点は、反射面9bが発光素子6を焦点としない放物線の一部を中心軸Zの周りに回転させた円状の反射形状を成す。これによって、LED2では発光素子6から出射されて反射される光が、略平行光であったのに対し、LED2iでは拡がった光となる。この際にもLED2と同様、側面放射面10から一次光として制御されて外部放射されるので、この結果、図16に示す配光が得られる。なお、高さh1が図12(b)のhよりも高い第2の反射鏡3cを組み合わせて構成する必要がある。但し、LED2iにおいては、側面での全反射または大きな界面反射が生じない範囲で、発光素子6に対する反射面の大きさを小さくしてもかまわない。
【0072】
なお、図21に側面放射面10への入射角に対する透過度を示す。臨界角:θcである40°余りで全反射となり透過度は0%となるが、θc−5°以上でも全反射とはならないものの、界面反射影響が大きい。このため、側面放射面10への入射角はθc−5°がさらに望ましい。
【0073】
このようなLEDライト1aにおいては、LED2hから光が、効率よく水平方向並びに斜め上方へも放射され、この放射光が第2の反射鏡3cの反射面3aで反射されるので、LEDライト1aを奥行き感のある灯具とすることができる。この際にも、90°−θcとすることで、迷光ロスの無い有効な外部放射を考慮した。
【0074】
次に、LEDライト1の第3の変形例として、図17の(a)〜(d)に示すように、LEDライト1bの第2の反射鏡3aを、上記図1に示した基本例の第2の反射鏡3のように全体を略均一に光らせるのではなく、発光点を点在させることもできる。即ち、図17(a)に示すように、円形の第2の反射鏡3dを扇形に分割して、図17(b),(c),(d)に示すように、LED2(又はLED2b〜2fの何れか)から反射面23aまでの距離を何種類かに分ける。これによって、上方から見たときに反射光の放射される位置が円の中で散らばり、きらきらと光り美しく見えるという効果がある。なお、この第3の変形例においては、各扇形において、それぞれ一段の反射面23aでLED2からの光を全て反射しなければならないので、図17(b)〜(d)に示す各反射面23aの高さは、同図(b)に示すように基本例である円形階段形反射鏡3の全体の高さhと同じ高さにする必要がある。
【0075】
次に、LEDライト1の第4の変形例として、図18の(a)〜(c)に示すように、LEDライト1cの第2の反射鏡3eを、扇形に分割してそれぞれ長さを変えることによって、第2の反射鏡3eの形状を、多角形の1つとしての正方形に近づけることができる。即ち、図18(b),(c)に示すように、最も短い扇形においては、反射面26aから次の反射面26aまでの長さをLとすると、その扇形から45度ずれた最も長い扇形においては、反射面26aから次の反射面26aまでの長さを√2Lとする。これによって、図18(a)に示すように、概略正方形状の第2の反射鏡3eを形成することができる。
【0076】
例えば、基本形のLEDライト1の応用として、図19に示すように、図12に示した円形のLEDライト1を正方形またはその一部に切断して、断片11a,11b,11c,11d,11e,11fの6個を作製し、これらを図のように組み合わせて所定エリアをカバーする複数の発光素子を有する一体型のLEDライト11とすることができる。
【0077】
このように、複数の正方形のLEDライト11a,…を連結する場合でも、図18に示したLEDライト1cを用いれば、円形のLEDライト1cを正方形にカットする必要がないので、外部放射効率の低下がなく、より明るい連結型ライトとなる。また、概略円柱形状のLED2,2a〜2iの代わりに略正方形のLEDを光源として用いた場合、LEDの各側面から反射鏡26までの距離が全周に亘ってほぼ等しくなるという利点もある。
【0078】
このような利点を有するLEDライト1cを用いて、例えば図20に示すような自動車のテールライトやブレーキライト等に適用できる車両用の灯具110を形成すれば、より明るい灯具を形成することができる。灯具110は、内部が空洞となったカバー111の中に、矢印Y1で指示する方向の正面位置が各々異なる3段2列の階段状の台座112を形成し、この台座112の正面にLEDライト1bを固定し、カバー111の内壁111aと、台座112の上面112bおよび側面112cにアルミメッキを施して形成されている。
【0079】
即ち、カバー111の内面全てが光を効率よく反射するので、LEDライト1cから半球全ての方向に放射される光が効率よく反射され、より明るい灯具を形成することができる。また、LEDライト1cから放射された光は、カバー111の内壁111aの側面や、台座112の側面112cにも反射するので、矢印X1で指示する横方向からも出射される。従って、自動車のテールライトやブレーキライトに適用すれば、自動車の真後ろだけでなく、横方向からの光の視認性も向上させることができる。
【0080】
上記第1及び第2の実施の形態においては、発光素子等を封止する光透過性材料として透明エポキシ樹脂を主に用いているが、その他の光透過性材料でも構わない。また、第2の反射鏡としての、または第1の反射鏡と第2の反射鏡を兼ねる光学体として透明アクリル樹脂を用いているが、その他の透明合成樹脂を始めとして、他の材料を用いることもできる。さらに、LEDライトのその他の部分の構成、形状、数量、材質、大きさ、接続関係等についても、上記実施の形態に限定されるものではない。
【0081】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、リードフレームに実装された発光素子を透光性材料で封止し、この封止手段に発光素子の発光面と対向する位置に配置され、発光素子から発光された光を側面放射面へ反射する反射面を形成した発光ダイオードにあって、反射面は、発光素子に対し、2π{1−cosθc(θc:前記透光性材料の臨界角)}以上の立体角を有し、側面放射面は、反射面で反射された光と、発光素子から発光された光とがθc以内で入射される形状を成すようにした。
【0082】
従って、反射面で反射されて略平行に進む光は、側面放射面をほぼそのまま略平行に進んで発光素子の中心軸周り360度の方向に略平面状に外部放射され、さらに、発光素子から側面放射面に直接向かった光は側面放射面で屈折することなくそのままの向きで外部放射される。従って、中心軸に対して小さな角度範囲に放射される光はなく、側面放射面から一次光として制御されて外部放射される光の放射効率を、大幅に向上させることができる。
【0083】
また、LEDライトにおいても、上記の発光ダイオードを備え、この発光ダイオードから放射される光を反射する反射鏡を備えたので、発光ダイオードの側面放射面から一次光として制御されて外部放射される放射効率の高い光を、反射鏡で反射させるので、この反射による放射効率を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るLED(発光ダイオード)の構成を示す図であり、(a)は断面図、(b)は平面図である。
【図2】実施の形態1に係るLEDに用いられる発光素子の構成を示す断面図である。
【図3】リードフレームを水平方向に引き出した場合のLEDの断面図である。
【図4】実施の形態1に係るLEDの配光特性を示す図である。
【図5】実施の形態1に係るLEDの第1の変形例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)の断面図である。
【図6】実施の形態1に係るLEDの第2の変形例を示す断面図である。
【図7】実施の形態1に係るLEDの第3の変形例を示す断面図である。
【図8】実施の形態1に係るLEDの第4の変形例を示す断面図である。
【図9】実施の形態1に係るLEDの第5の変形例を示す説明図である。
【図10】実施の形態1に係るLEDの第6の変形例を示す部分拡大図である。
【図11】実施の形態1に係るLEDの第7の変形例を示す断面図である。
【図12】本発明の第2の実施の形態に係るLEDを用いたLEDライトの全体構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は(b)のP部分の拡大図である。
【図13】第2の実施の形態に係るLEDを用いたLEDライトにおいて、LEDと第2の反射鏡とのサイズの関係を示す図であり、(a)は小径のLEDを用いた様子を示し、(b)は大径のLEDを用いた様子を示す図である。
【図14】第2の実施の形態に係るLEDライトの第1の変形例に用いられるLEDのを示す断面図である。
【図15】第2の実施の形態に係るLEDライトの第2の変形例を示す断面図である。
【図16】上記第2の変形例のLEDライトに用いられるLEDの配光特性を示す図である。
【図17】第2の実施の形態に係るLEDライトの第3の変形例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のB−B断面図、(c)は(a)のC−C断面図、(d)は(a)のD−D断面図である。
【図18】第2の実施の形態に係るLEDライトの第4の変形例を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のE−E断面図、(c)は(a)のF−F断面図である。
【図19】第2の実施の形態に係るLEDライトの周囲を矩形にカットし、複数個を合わせて一定範囲をカバーするようにした構造を示す平面図である。
【図20】LEDライトの第3の変形例によるLEDライトを複数組み合わせて形成した車両用の灯具の構造を示す斜視図である。
【図21】LEDの入射角と透過率との関係図である。
【図22】標準的な発光素子(20mil及び14milの場合)の光度分布、光束分布、光束積算の特性図である。
【図23】従来のLEDの構成を示す図であり、(a)は断面図、(b)は平面図である。
【符号の説明】
1,1a,1b,1c LEDライト
2,2a〜2i,200 LED(発光ダイオード)
3,3a,3c,23,26 第2の反射鏡
5a,5b,12a,12b,13a,13b,120a,120b,122a,122b,205a,205b リードフレーム
6,206 発光素子
7,207 ボンディングワイヤ
8,8a,8b,208 透明エポキシ樹脂(光透過性材料)
8s 透明シリコン樹脂
9,9f,209 第1の反射鏡
9a 平坦面
9b,210 反射面
9c 上面
9d 概略円柱形状の反射鏡
9e 環状反射鏡
9h 環状レンズ
10 側面放射面
12b,12c,13a,13b 第3の反射鏡
15 金属面
101 N型GaP基板
102 N型AlInGaPクラッド層
103 発光する層を有する層
104 P型AlInGaPクラッド層
105 P型GaPウインドウ
106 AuZnコンタクト
107 Alボンディングパッド(正電極)
108 Au合金電極(負電極)
110 車両用の灯具
111 カバー
111a カバーの内壁
112 台座
112b 台座の上面
112c 台座の側面

Claims (9)

  1. 電源供給手段に実装された発光素子を透光性材料の封止部材で封止し、前記発光素子の発光面に対し放射光を受けて反射する反射面と、前記反射面からの反射光と前記発光素子からの直接光を放射する側面放射面とを前記封止部材に形成して構成された発光ダイオードにおいて、
    前記反射面は、前記発光素子に対し、2π{1−cosθc(θc:前記透光性材料の臨界角)}以上の立体角を有し、
    前記側面放射面は、前記反射面で反射された反射光の入射角及び前記発光素子から放射された直接光の入射角が前記θcより小なる角度を有して形成され、前記発光素子から発光された光を入射して外部へ放射する
    ことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 前記反射面は、前記発光素子の中心軸(Z軸)に対し直交するX軸でなす平面においてZ=f(X)の一部の線分を前記発光素子の中心軸回りに回転させた形状であり、前記Z=f(X)は{df(X)/dX}<0である
    ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
  3. 前記反射面は、前記発光素子又は、その周囲を焦点とする楕円、放物線、双曲線の何れか1つの一部を、前記発光素子の中心軸回りに回転させた形状を成す
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の発光ダイオード。
  4. 前記反射面は、前記発光素子の直上に光取出面を有する
    ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の発光ダイオード。
  5. 前記反射面は、径が10mm以下である
    ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の発光ダイオード。
  6. 前記側面放射面は、前記発光素子側に傾斜する勾配を有することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の発光ダイオード。
  7. 前記側面放射面は、前記発光素子を中心とする球面の一部を成す
    ことを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオード。
  8. 前記リードフレームは、熱伝導率が300W/m・k以上の導電性材料で形成され、前記封止手段の下面から引き出されている
    ことを特徴とする請求項1から請求項7に記載の発光ダイオード。
  9. 電源供給手段に実装された発光素子を透光性材料の封止部材で封止し、前記発光素子の発光面に対し放射光を受けて反射する反射面と、前記反射面からの反射光と前記発光素子からの直接光を放射する側面放射面とを前記封止部材に形成して構成され、前記反射面が、前記発光素子に対し、2π{1−cosθc(θc:前記透光性材料の臨界角)}以上の立体角を有し、前記側面放射面が、前記反射面で反射された反射光の入射角及び前記発光素子から放射された直接光の入射角が前記θcより小なる角度を有して形成され、前記発光素子から発光された光を入射して外部へ放射する発光ダイオードと、
    前記発光ダイオードから放射される光を反射する反射鏡と
    を備えたことを特徴とするLEDライト。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006099117A (ja) * 2004-09-24 2006-04-13 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 照明パッケージ
JP2006173624A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi Led光源
US7543965B2 (en) 2004-10-29 2009-06-09 Samsung Electronic Co., Ltd Side light-emitting device, backlight unit having the side light-emitting device, and liquid crystal display apparatus employing the backlight unit
US7566148B2 (en) 2004-11-24 2009-07-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Side light-emitting device, backlight unit having the side light-emitting device, and liquid crystal display apparatus employing the backlight unit
US7950831B2 (en) 2004-04-29 2011-05-31 Lg Display Co., Ltd. Recessed LED lamp unit
JP2014017060A (ja) * 2012-07-05 2014-01-30 Koito Mfg Co Ltd 車両用灯具
US8740418B2 (en) 2008-10-17 2014-06-03 Nittoh Kogaku K.K. Optical element and light emitting device
WO2017104547A1 (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 ソニー株式会社 発光ユニットおよび表示装置
JP2018148110A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7950831B2 (en) 2004-04-29 2011-05-31 Lg Display Co., Ltd. Recessed LED lamp unit
KR101085144B1 (ko) * 2004-04-29 2011-11-21 엘지디스플레이 주식회사 Led 램프 유닛
US8152338B2 (en) 2004-04-29 2012-04-10 Lg Display Co., Ltd. LED lamp unit
JP2006099117A (ja) * 2004-09-24 2006-04-13 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 照明パッケージ
US7543965B2 (en) 2004-10-29 2009-06-09 Samsung Electronic Co., Ltd Side light-emitting device, backlight unit having the side light-emitting device, and liquid crystal display apparatus employing the backlight unit
US7566148B2 (en) 2004-11-24 2009-07-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Side light-emitting device, backlight unit having the side light-emitting device, and liquid crystal display apparatus employing the backlight unit
JP2006173624A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi Led光源
US8740418B2 (en) 2008-10-17 2014-06-03 Nittoh Kogaku K.K. Optical element and light emitting device
JP2014017060A (ja) * 2012-07-05 2014-01-30 Koito Mfg Co Ltd 車両用灯具
WO2017104547A1 (ja) * 2015-12-18 2017-06-22 ソニー株式会社 発光ユニットおよび表示装置
US10565905B2 (en) 2015-12-18 2020-02-18 Sony Corporation Light-emission unit and display
JP2018148110A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法

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