JP2004062962A - 磁気記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、2枚の強磁性体を絶縁体を介して積層してなる強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置において、強磁性トンネル接合素子を加熱することによって同強磁性トンネル接合素子での記憶データを抹消するための加熱抹消手段を具備することにした。加熱抹消手段は、強磁性トンネル接合素子を構成する強磁性体をキュリー温度以上に加熱すること、或いは、強磁性トンネル接合素子のトンネル障壁層を耐熱限界温度以上に加熱することにした。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記憶装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、不揮発性の記憶装置としては、記憶セルとしての強磁性体をディスクの表面に配設したフロッピー(登録商標)ディスクやハードディスクなどといった磁気記憶装置が広く使用されている。また、近年においては、高速に書込みが可能で、書込み回数に制限がない不揮発性の記憶装置として、強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置が注目されている。
【0003】
かかる強磁性トンネル接合素子は、2枚の薄膜状の強磁性体を薄膜状の絶縁体を介して積層して構成している。ここで、一方の強磁性体は、常に一定の方向に向けて磁化されていることから固定磁化層と呼ばれる。また、もう一方の強磁性体は、強磁性トンネル接合素子での記憶状態に応じて磁化方向を固定磁化層の磁化方向と同一方向(平行方向)又は反対方向(反平行方向)に反転させることから自由磁化層と呼ばれる。さらに、絶縁体は、固定磁化層と自由磁化層との間に電圧を印加すると電子が絶縁体をトンネルすることからトンネル障壁層と呼ばれる。
【0004】
そして、強磁性トンネル接合素子は、自由磁化層を固定磁化層の磁化方向と同一方向に磁化した場合と反対方向に磁化した場合とのいずれかの磁化方向の状態を固定磁化層の磁力の作用によって安定に保持する構造となっており、これら2つの異なる磁化方向の状態を「0」又は「1」といったデータに対応させることによって2つの異なるデータを記憶可能としたものである。
【0005】
したがって、強磁性トンネル接合素子は、外部から自由磁化層を固定磁化層の磁化方向と同一方向又は反対方向に磁化させることによって、2つの異なる記憶データを書込むことができるようになっている。
【0006】
また、強磁性トンネル接合素子は、自由磁化層を固定磁化層の磁化方向と同一方向に磁化した場合と反対方向に磁化した場合とでトンネル障壁層でのトンネルコンダクタンスが異なることから、かかるトンネル障壁層でのトンネルコンダクタンスの大小を判別することによって、自由磁化層での磁化方向を判別し、これにより、強磁性トンネル接合素子での記憶状態を読出すことができるようになっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来の磁気記憶装置は、不揮発性の記憶装置であるがために、磁気記憶装置を廃棄した後でも記憶データを保持しており、第三者が記憶データを容易に読出すことができてしまい、記憶データが外部に漏洩してしまうおそれがあった。
【0008】
このような記憶データの漏洩を防止するためには、磁気記憶装置を廃棄する前に磁気記憶装置の全ての記憶領域に無意味なデータを書込み、第三者に記憶データを読出されても不都合が生じないようにしておくことが考えられる。
【0009】
しかしながら、予め無意味なデータを作成し、磁気記憶装置の全ての記憶領域に無意味なデータを書込む作業は、多大な時間と労力を要していた。
【0010】
しかも、一般的に磁気記憶装置はコンピュータに接続され制御されているため、コンピュータが行う制御に精通していないと、磁気記憶装置に無意味なデータを書込んでも、記憶領域の一部に有効なデータが残存しているおそれがあり、記憶データの漏洩を確実に防止することは困難であった。
【0011】
【課題を解決するための手段】
そこで、請求項1に係る本発明では、記憶セルを所定の方向に磁化することによって記憶データを記憶する磁気記憶装置において、記憶セルを加熱することによって同記憶セルでの記憶データを抹消する加熱抹消手段を具備することにした。
【0012】
また、請求項2に係る本発明では、前記加熱抹消手段は、記憶セルを構成する強磁性体をキュリー温度以上に加熱することにした。
【0013】
また、請求項3に係る本発明では、前記加熱抹消手段は、記憶セルを耐熱限界温度以上に加熱することにした。
【0014】
また、請求項4に係る本発明では、記憶セルから記憶データを読出す方法が適正か否かを判別する判別手段を具備し、同判別手段によって読出し方法が不適正であると判別した場合には、前記加熱抹消手段を作動させるべく構成することにした。
【0015】
また、請求項5に係る本発明では、2枚の強磁性体を絶縁体を介して積層してなる強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置において、強磁性トンネル接合素子を加熱することによって同強磁性トンネル接合素子での記憶データを抹消するための加熱抹消手段を具備することにした。
【0016】
また、請求項6に係る本発明では、前記加熱抹消手段は、強磁性トンネル接合素子を構成する強磁性体をキュリー温度以上に加熱することにした。
【0017】
また、請求項7に係る本発明では、前記加熱抹消手段は、強磁性トンネル接合素子のトンネル障壁層を耐熱限界温度以上に加熱することにした。
【0018】
また、請求項8に係る本発明では、前記加熱抹消手段と強磁性トンネル接合素子とを積層することにした。
【0019】
また、請求項9に係る本発明では、強磁性トンネル接合素子から記憶データを読出す方法が適正か否かを判別する判別手段を具備し、同判別手段によって読出し方法が不適正であると判別した場合には、前記加熱抹消手段を作動させるべく構成することにした。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明に係る磁気記憶装置は、強磁性体を具備する記憶セルを所定の方向に磁化することによって記憶データを記憶するものである。
【0021】
このような磁気記憶装置の代表例としては、フロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスクなどの記憶セルとしての強磁性体をディスクの表面に形成したものが挙げられ、また、近年においては強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置も実用化されつつある。
【0022】
かかる強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置は、半導体基板上に記憶セルとしての複数の強磁性トンネル接合素子を前後及び左右に所定の間隔を開けて形成するとともに、各強磁性トンネル接合素子の上部に固定磁化層の磁化方向と直交する方向に向けて伸延するビット線を配線し、強磁性トンネル接合素子の下部に固定磁化層の磁化方向に向けて伸延する書込み用ワード線と読出し用ワード線とを配線したものである。
【0023】
そして、ビット線と書込み用ワード線とにそれぞれ書込電流を通電することによって、ビット線と直交するビット線磁力と書込み用ワード線に直交するワード線磁力とを発生させ、これらのビット線磁力とワード線磁力とを合成した書込み磁力を強磁性トンネル接合素子の自由磁化層に作用させ、自由磁化層を固定磁化層の磁化方向と同一方向又は反対方向に向けて磁化することによって、強磁性トンネル接合素子に記憶データの書込みを行うものである。
【0024】
一方、ビット線と読出し用ワード線との間に所定の電圧を印加した時に強磁性トンネル接合素子を流れる電流の大きさからトンネル障壁層での抵抗値を検出し、かかる抵抗値に基づいて自由磁化層の磁化方向を判定することによって、強磁性トンネル接合素子に書込んだ記憶データの読出しを行うものである。
【0025】
このように、強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置は、強磁性トンネル接合素子に書込み磁力を作用させることによって強磁性トンネル接合素子に記憶データの書込みを行うとともに、強磁性トンネル接合素子の抵抗値を検出することによって強磁性トンネル接合素子に書込まれた記憶データの読出しを行うように構成したものである。
【0026】
しかも、本発明では、磁気記憶装置に強磁性トンネル接合素子を加熱することによって同強磁性トンネル接合素子での記憶データを抹消するための加熱抹消手段を設けたものである。
【0027】
そして、加熱抹消手段を作動させることによって磁気記憶装置に記憶されていた記憶データを確実に抹消することができ、不揮発性の磁気記憶装置を廃棄しても外部に記憶データが漏洩してしまうのを未然に防止することができるものである。
【0028】
特に、加熱抹消手段で強磁性トンネル接合素子の磁化層をキュリー温度以上に加熱することにした場合には、磁化層を常磁性化することができ、磁気記憶装置に記憶されていた記憶データを容易かつ確実に抹消することができるものである。
【0029】
また、加熱抹消手段で強磁性トンネル接合素子のトンネル障壁層を耐熱限界温度以上に加熱することにした場合には、トンネル障壁層を物理的に破壊することができ、磁気記憶装置に記憶されていた記憶データを容易かつ確実に抹消することができるものである。
【0030】
また、強磁性トンネル接合素子から記憶データを読出す方法が予め設定しておいた読出し方法と一致するか否かによって読出し方法が適正か否かを判別する判別手段を具備し、同判別手段によって読出し方法が不適正であると判別したときには、前記加熱抹消手段を作動させるようにした場合には、第三者が不正に磁気記憶装置を入手できたとしても、記憶データが読み出されるのを未然に防ぐことができ、これにより、外部に記憶データが漏洩してしまうのを未然に防止することができるものである。
【0031】
以下に、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、記憶セルとして強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置を例にとり説明しているが、本発明は、かかる強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置に限られず、フロッピー(登録商標)ディスクやハードディスクなどといった記憶セルを所定の方向に磁化することによって記憶データを記憶するあらゆる磁気記憶装置にも適用できるものである。
【0032】
本発明に係る磁気記憶装置1は、例えば「0」又は「1」といった2つの異なる記憶データを記憶するための記憶セルとして強磁性トンネル接合素子2を用いたものである。
【0033】
まず、強磁性トンネル接合素子2の構造について説明すると、図1に示すように、強磁性トンネル接合素子2は、薄膜状の固定磁化層3と薄膜状の自由磁化層4とをトンネル障壁層5を介して積層したものである。
【0034】
ここで、固定磁化層3は、強磁性体(例えば、CoFe)からなり、常に一定の方向に向けて磁化されている。また、自由磁化層4は、強磁性体(例えば、NiFe)からなり、固定磁化層3の磁化方向と同一方向(平行方向)又は反対方向(反平行方向)に向けて磁化されている。さらに、トンネル障壁層5は、絶縁体(例えば、Al2O3)からなる。
【0035】
次に、強磁性トンネル接合素子2を用いた磁気記憶装置1の構成について説明すると、磁気記憶装置1は、図2及び図4に示すように、半導体基板上に複数の強磁性トンネル接合素子2を前後及び左右に所定の間隔を開けて形成するとともに、各強磁性トンネル接合素子2の上部に固定磁化層3の磁化方向と直交する方向に向けて伸延するビット線6を配線し、強磁性トンネル接合素子2の下部に固定磁化層3の磁化方向に向けて伸延する書込み用ワード線7と読出し用ワード線8とを配線しており、各強磁性トンネル接合素子2の上部には、同強磁性トンネル接合素子2を加熱することによって同強磁性トンネル接合素子2での記憶データを抹消するための加熱抹消手段9を積層している。
【0036】
各強磁性トンネル接合素子2は、等価回路で示すと図3に示す構成となっており、ビット線6と読出し用ワード線8との間にゲートトランジスタ11と可変抵抗12とが直列接続され、同可変抵抗12がビット線6と書込み用ワード線7との交差部に配置された構成となっている。ここで、強磁性トンネル接合素子2は、自由磁化層4での磁化方向によってトンネル障壁層5での抵抗値が変化することから、等価回路上では可変抵抗12で表される。
【0037】
また、各強磁性トンネル接合素子2には、図3に示すように、加熱抹消手段9を構成するヒータ(抵抗体)21を配設している。
【0038】
そして、各強磁性トンネル接合素子2へのデータの書込みは、書込み用ワード線7に通電することにより同書込み用ワード線7に直交するワード線磁力13を発生させるとともに、ビット線6に通電することにより同ビット線6に直交するビット線磁力14を発生させ、これらのワード線磁力13とビット線磁力14との合成である書込み磁力15を自由磁化層4に作用させることによって行う(図1参照)。
【0039】
一方、各強磁性トンネル接合素子2からのデータの読出しは、読出し用ワード線8に通電することによりゲートトランジスタ11をON状態とすることによってトンネル障壁層5からビット線6へと電流を流し、かかる電流値から読出し抵抗検出回路10でトンネル障壁層5の抵抗値を検出し、その抵抗値が予め設定した参照値よりも高いか低いかにより記憶されていたデータを判定することによって行う。
【0040】
かかる強磁性トンネル接合素子2は、図2に示すように、半導体基板上に格子状に複数個が配列されており、複数個の強磁性トンネル接合素子2のうちの1個の強磁性トンネル接合素子2に対して上述したデータの書込みや読出しを行うようにしている。
【0041】
すなわち、磁気記憶装置1では、行方向の強磁性トンネル接合素子2を選択するための行アドレスデコーダ16と列方向の強磁性トンネル接合素子2を選択するための列アドレスデコーダ17とによって1個の強磁性トンネル接合素子2を選択するようにしており、これらの行アドレスデコーダ16と列アドレスデコーダ17を制御回路18に行アドレス信号線19と列アドレス信号線20を介して接続し、制御回路18からの行アドレス信号と列アドレス信号に基づいて行アドレスデコーダ16と列アドレスデコーダ17とが制御される。
【0042】
制御回路18には、8ビットの外部制御信号線26が接続されている。また、制御回路18は、行アドレスデコーダ16に読出し抵抗検出回路10を介して接続している。図中、25は読出しデータ入力線、27はセンス線である。
【0043】
また、加熱抹消手段9は、図4に示すように、各強磁性トンネル接合素子2の上部に矩形板状のヒータ(抵抗体)21を絶縁体を介して積層するとともに、全てのヒータ21を接続線22を介して直列接続し、さらには、制御回路18に接続している。なお、加熱抹消手段9は、全てのヒータ21を直列接続して、全てのヒータ21を同時に加熱するように構成した場合に限られず、制御回路18に各ヒータ21を並列接続して、各ヒータ21を個別に加熱するように構成してもよい。
【0044】
このように、加熱抹消手段9と強磁性トンネル接合素子2とを積層することによって、加熱抹消手段9を内蔵した磁気記憶装置1を安価かつ容易に製造することができるとともに、磁気記憶装置1の小型化を図ることができる。
【0045】
そして、加熱抹消手段9は、制御回路18からヒータ21に通電すると、ヒータ21によって各強磁性トンネル接合素子2を加熱し、各強磁性トンネル接合素子2での記憶データを抹消するようにしている。
【0046】
各強磁性トンネル接合素子2を加熱する温度は、各強磁性トンネル接合素子2の固定磁化層3又は自由磁化層4のキュリー温度(約300℃〜500℃)以上でもよく、或いは強磁性トンネル接合素子2のトンネル障壁層5の耐熱限界温度(約400℃〜600℃)以上でもよい。ここで、トンネル障壁層5の耐熱限界温度とは、トンネル障壁層5が物理的に破壊される温度をいう。
【0047】
すなわち、加熱抹消手段9によって各強磁性トンネル接合素子2の固定磁化層3又は自由磁化層4をキュリー温度以上に加熱した場合には、強磁性体である固定磁化層3又は自由磁化層4が常磁性体に転移(常磁性化)して、自由磁化層4の磁化方向を安定的に保持することができなくなり、自由磁化層4での磁化状態を不安定なものとすることができ、これにより、磁気記憶装置1に記憶されていた記憶データを容易かつ確実に抹消することができる。
【0048】
この場合には、自由磁化層4での磁化状態を一時的に不安定なものとして記憶データを抹消しているだけで、固定磁化層3又は自由磁化層4が物理的に破壊されるわけではないので、各強磁性トンネル接合素子2の固定磁化層3又は自由磁化層4をキュリー温度以下に冷却してやれば、固定磁化層3又は自由磁化層4が常磁性体から強磁性体に再び転移し、したがって、各強磁性トンネル接合素子2を再度利用することができる。
【0049】
また、加熱抹消手段9によって各強磁性トンネル接合素子2のトンネル障壁層5を耐熱限界温度以上に加熱すると、トンネル障壁層5を物理的に破壊することができ、磁気記憶装置1に記憶されていた記憶データを容易かつ確実に抹消することができる。
【0050】
なお、トンネル障壁層5として金属酸化膜を用いた場合には、磁性体金属である固定磁化層3又は自由磁化層4によって還元される温度以上にトンネル障壁層5を加熱すればよい。
【0051】
そして、上記構成の磁気記憶装置1は、次のようにして各強磁性トンネル接合素子2での記憶データを読出すようにしている(図5参照)。
【0052】
まず、外部制御信号線26から制御回路18に行アドレス信号を入力する(ステップS1)。
【0053】
次に、外部制御信号線26から制御回路18に列アドレス信号を入力する(ステップS2)。
【0054】
次に、外部制御信号線26から制御回路18にパスワードを入力する(ステップS3)。
【0055】
次に、制御回路18は、入力されたパスワードが予め設定されているパスワードと一致するか否かを判断する(ステップS4)。
【0056】
そして、制御回路18は、入力されたパスワードと予め設定されているパスワードとが一致する場合には、適正な読み出し方法で記憶データの読出しが行われたものと判断し、所定の行アドレス、列アドレスの強磁性トンネル接合素子2に記憶されている記憶データを読出す(ステップS5)。
【0057】
一方、制御回路18は、入力されたパスワードと予め設定されているパスワードとが一致しない場合には、不適正な読み出し方法で記憶データの読出しが行われたものと判断し、ヒータ21に通電することによって加熱抹消手段9を作動させ、強磁性トンネル接合素子2での記憶データを抹消する(ステップS6)。
【0058】
このように、制御回路18は、強磁性トンネル接合素子2から記憶データを読出す方法が適正か否かを判別し、読出し方法が適正の場合には記憶データを読み出す一方、読出し方法が不適正の場合には記憶データを抹消するようにしている。すなわち、制御回路18は、強磁性トンネル接合素子2から記憶データを読出す方法が適正か否かを判別する判別手段として機能している。
【0059】
したがって、第三者が不正に磁気記憶装置1を入手できたとしても、適正な記憶データの読出し方法が分からなければ記憶データを読み出すことができず、これにより、外部に記憶データが漏洩してしまうのを未然に防止することができる。
【0060】
なお、適正読出しを判別する判別手段は、記憶データの読出し時に磁気記憶装置1の所定の端子に所定の電圧を印加したか否かで判別するようにしてもよい。
【0061】
【発明の効果】
本発明は、以上に説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【0062】
すなわち、請求項1に係る本発明では、記憶セルを所定の方向に磁化することによって記憶データを記憶する磁気記憶装置において、記憶セルを加熱することによって同記憶セルでの記憶データを抹消する加熱抹消手段を具備しているため、かかる加熱抹消手段を作動させることによって磁気記憶装置に記憶されていた記憶データを確実に抹消することができ、不揮発性の磁気記憶装置を廃棄しても外部に記憶データが漏洩してしまうのを未然に防止することができる。
【0063】
また、請求項2に係る本発明では、加熱抹消手段で記憶セルを構成する強磁性体をキュリー温度以上に加熱することにしているため、磁化層を常磁性化することができ、磁気記憶装置に記憶されていた記憶データを容易かつ確実に抹消することができる。
【0064】
また、請求項3に係る本発明では、加熱抹消手段で記憶セルを耐熱限界温度以上に加熱することにしているため、記憶セルを物理的に破壊することができ、磁気記憶装置に記憶されていた記憶データを容易かつ確実に抹消することができる。
【0065】
また、請求項4に係る本発明では、記憶セルから記憶データを読出す方法が適正か否かを判別する適正読出し判別手段を具備し、同適正読出し判別手段によって読出し方法が不適正であると判別した場合には、前記加熱抹消手段を作動させるように構成しているため、第三者が不正に磁気記憶装置を入手できたとしても、記憶データが読み出されるのを未然に防ぐことができ、これにより、外部に記憶データが漏洩してしまうのを未然に防止することができる。
【0066】
また、請求項5に係る本発明では、固定磁化層と自由磁化層とをトンネル障壁層を介して積層した強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置において、強磁性トンネル接合素子を加熱することによって同強磁性トンネル接合素子での記憶データを抹消するための加熱抹消手段を具備しているため、かかる加熱抹消手段を作動させることによって磁気記憶装置に記憶されていた記憶データを確実に抹消することができ、不揮発性の磁気記憶装置を廃棄しても外部に記憶データが漏洩してしまうのを未然に防止することができる。
【0067】
また、請求項6に係る本発明では、加熱抹消手段で強磁性トンネル接合素子の磁化層をキュリー温度以上に加熱することにしているため、磁化層を常磁性化することができ、磁気記憶装置に記憶されていた記憶データを容易かつ確実に抹消することができる。
【0068】
また、請求項7に係る本発明では、加熱抹消手段で強磁性トンネル接合素子のトンネル障壁層を耐熱限界温度以上に加熱することにしているため、トンネル障壁層を物理的に破壊することができ、磁気記憶装置に記憶されていた記憶データを容易かつ確実に抹消することができる。
【0069】
また、請求項8に係る本発明では、加熱抹消手段と強磁性トンネル接合素子とを積層しているため、加熱抹消手段を内蔵した磁気記憶装置を安価かつ容易に製造することができるとともに、磁気記憶装置の小型化を図ることができる。
【0070】
また、請求項9に係る本発明では、強磁性トンネル接合素子から記憶データを読出す方法が適正か否かを判別する適正読出し判別手段を具備し、同適正読出し判別手段によって読出し方法が不適正であると判別した場合には、前記加熱抹消手段を作動させるようにしているため、第三者が不正に磁気記憶装置を入手できたとしても、記憶データが読み出されるのを未然に防ぐことができ、これにより、外部に記憶データが漏洩してしまうのを未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】強磁性トンネル接合素子を示す説明図。
【図2】強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置を示す説明図。
【図3】強磁性トンネル接合素子の等価回路を示す回路図。
【図4】強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置を示す模式図。
【図5】読出し方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
1 磁気記憶装置
2 強磁性トンネル接合素子
3 固定磁化層
4 自由磁化層
5 トンネル障壁層
6 ビット線
7 書込み用ワード線
8 読出し用ワード線
9 加熱抹消手段
10 抵抗検出回路
13 ワード線磁力
14 ビット線磁力
15 書込み磁力
16 行アドレスデコーダ
17 列アドレスデコーダ
18 制御回路
21 ヒータ21
Claims (9)
- 記憶セルを所定の方向に磁化することによって記憶データを記憶する磁気記憶装置において、
記憶セルを加熱することによって同記憶セルでの記憶データを抹消する加熱抹消手段を前記記憶セルごとに個別に設けたことを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記加熱抹消手段は、記憶セルを構成する強磁性体をキュリー温度以上に加熱することを特徴とする請求項1記載の磁気記憶装置。
- 前記加熱抹消手段は、記憶セルを耐熱限界温度以上に加熱することを特徴とする請求項1記載の磁気記憶装置。
- 記憶セルから記憶データを読出す方法が適正か否かを判別する判別手段を具備し、同判別手段によって読出し方法が不適正であると判別した場合には、前記加熱抹消手段を作動させるべく構成したことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の磁気記憶装置。
- 2枚の強磁性体を絶縁体を介して積層してなる強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置において、
強磁性トンネル接合素子を加熱することによって同強磁性トンネル接合素子での記憶データを抹消するための加熱抹消手段を強磁性トンネル接合素子ごとに個別に設けたことを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記加熱抹消手段は、強磁性トンネル接合素子を構成する強磁性体をキュリー温度以上に加熱することを特徴とする請求項5記載の磁気記憶装置。
- 前記加熱抹消手段は、強磁性トンネル接合素子のトンネル障壁層を耐熱限界温度以上に加熱することを特徴とする請求項5記載の磁気記憶装置。
- 前記強磁性トンネル接合素子に加熱抹消手段を個別に積層したことを特徴とする請求項5〜請求項7のいずれかに記載の磁気記憶装置。
- 強磁性トンネル接合素子から記憶データを読出す方法が適正か否かを判別する判別手段を具備し、同判別手段によって読出し方法が不適正であると判別した場合には、前記加熱抹消手段を作動させるべく構成したことを特徴とする請求項5〜請求項8のいずれかに記載の磁気記憶装置。
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JPS61114598A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | 松下電器産業株式会社 | 複合部品 |
JPS63100695A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-05-02 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリカセツト装置 |
JP3023788U (ja) * | 1995-10-13 | 1996-04-30 | 榮治 岡田 | 暗証番号、記憶破壊装置を持つ情報記憶媒体及び読み書き装置 |
JPH11274597A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子 |
JP2000285668A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-13 | Univ Nagoya | 磁気メモリデバイス |
JP2002245774A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-08-30 | Hewlett Packard Co <Hp> | 熱を利用した切替えを実行する情報記憶装置 |
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