JP2004062149A

JP2004062149A - 透過型２次元光変調素子及びそれを用いた露光装置

Info

Publication number: JP2004062149A
Application number: JP2003129108A
Authority: JP
Inventors: Koichi Kimura; 木村　宏一; Hiroshi Sunakawa; 砂川　寛
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2002-06-07
Filing date: 2003-05-07
Publication date: 2004-02-26
Anticipated expiration: 2023-05-07
Also published as: JP4338434B2; US6953268B2; US20040042213A1

Abstract

【課題】光利用効率を向上させるとともに、投影露光における解像度を向上させることのできる透過型２次元光変調素子及びそれを用いた露光装置を得る。
【解決手段】光源１２からの面状光を２次元光変調素子に入射し、その透過率を画素毎に変え光変調する微小電気機械式の透過型２次元光変調素子２３において、少なくとも２次元光変調素子の入射側に画素毎に対応させたマイクロレンズアレイを設け、光源１２からの入射光をマイクロレンズアレイによって画素領域よりも面積の小さい領域に集光させて２次元光変調素子に導き、集光させた透過光像を投影する。
【選択図】　　　　図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面状光を入射してその透過率を変えて露光する透過型２次元光変調素子及びそれを用いた露光装置に関し、さらに詳しくは、オンデマンドで直接描画するシステムに最適であり、特に、画像形成装置やプロジェクター表示など２次元光変調素子による投影露光を応用したシステムに用いて好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、回路基板やディスプレイ素子などの電子回路パターン形成におけるフォトリソグラフィ工程時にフォトマスクを使用せず、オンデマンドでパターン画像を感光材に直接描画する露光装置が嘱望されている。以下、例を挙げて従来の技術を説明する。
【０００３】
図１９に示すように、Ｗ０９８／４７０４２（特表２００１−５２１６７２）では、照明光源４８２から出射された面状の光が透過型の２次元光変調素子４８４に照射される。２次元光変調素子４８４により、画像信号に応じて入射光の透過率を画素毎に制御し、その出射光を露光面４８６に投影露光する。前述の透過型の２次元光変調素子４８４としては、液晶素子、ＰＬＺＴ、電気機械式動作の光変調素子などが用いられる。なお、２次元光変調素子として反射型も可能であり、ＤＭＤ素子として知られる電気機械式動作の偏向ミラーアレイ素子も利用可能である。この場合、図示しないが照明光源から出射された略平行な光を反射型の２次元光変調素子に入射し、２次元光変調素子により、画像信号に応じて入射光の反射角度を画素毎に制御し、その出射光を露光面に投影露光する。なお、従来技術例（特表２００１−５２１６７２）の実施例では、投影露光系としてマイクロレンズアレイよりなる結像光学系が設けられている。
【０００４】
この露光装置の応用として回路基板やディスプレイ素子などの電子回路形成におけるフォトリソグラフィ用のマスクレス直接描画露光を考えた場合、実際的には２次元光変調素子の画素数は露光に必要な画素数に比ベて少ないため、露光光学系、又は被露光対象物を走査して必要な画素を露光する。
【０００５】
特表２００１−５２１６７２に開示された従来技術の特徴は、図２０、図２１に示される。図２０（ａ）は、通常の露光面における２次元光変調素子の配置方向を示すものであり、２次元光変調素子の列と走査方向を平行に配置したときの例である。この場合、走査方向に沿って露光走査を行うと、列方向の画素が重複し、走査方向に垂直な方向の解像度が、２次元光変調素子の行方向の画素ピッチで制限される。これに対し、図２０（ｂ）のように２次元光変調素子の列を走査方向に対し傾斜させて配置した場合、露光面での走査方向に垂直な方向の解像度が列方向の画素ピッチと傾斜角によって飛躍的増加する効果が得られる。但し、図２０（ｂ）に示すように、画素サイズが大きいと露光面における画素スポットの重なりにより、実質的な解像度は得られない。
【０００６】
上記の効果を生かすために、従来技術例では、図２１（ａ）に示すように２次元光変調素子の画素領域に対し画素領城の面積より小さな開口部を設けている。これにより、図２１（ｂ）のように２次元光変調素子の列を走査方向に対し傾斜させて配置した場合、露光面での走査方向に垂直な方向の解像度が実質的に増加する効果が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述の従来技術例では、２次元光変調素子の画素領域に開口部を設ける記述があっても、何ら具体的な構成は示されていない。以下、仮にこの構成が一般的に考えられるような構成であるとして、問題点を説明する。
【０００８】
例えば図２２は、単純に２次元光変調素子の画素領域に遮光部を形成して開口部を設けた場合の説明図である。透過型の２次元光変調素子の例として液晶素子を示している。詳細は省略するが、第１の透明基板５０４と第２の透明基板５１４とがスペーサ５０６を介して貼りあわされている。この基板間に液晶５０８が封入されている。通常はマトリクス状に配置された画素電極（図示せず）により画素領域が決められる。ここで前述の開口部５１０を設けているため、第１の透明基板５０４に遮光膜５１２を形成すると、開口部５１０以外の領城では入射光が遮光され、光利用効率を低下させる問題が発生する（第２の透明基板５１４に遮光膜５１２を形成しても同じ問題が発生する）。
【０００９】
そして、透過型の２次元光変調素子として、液晶素子が用いられた場合では、高速応答に不利が生じた。
また、２次元光変調素子として、ＰＬＺＴなどの電気光学結晶が用いられた場合では、２次元化や、低電圧駆動が困難になるとともに、光源光にも制約が生じ、ＵＶ光から赤外光までの幅広い光源光から任意のものを選択することができなかった。
さらに、２次元光変調素子として、反射型のＤＭＤ素子が用いられた場合では、光学系が複雑となり、製造コストの増大する不利があった。
【００１０】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、光利用効率を向上させるとともに、投影露光における解像度を向上させることのできる透過型２次元光変調素子及びそれを用いた露光装置を得ることにある。
また、その第２の目的は、高速応答が可能となり、２次元化が容易であるとともに、低電圧駆動が可能となり、しかも、光学系がシンプルで低コスト化が可能となる透過型２次元光変調素子及びそれを用いた露光装置を得ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、光源からの面状光を２次元光変調素子に入射し、その透過率を画素毎に変え光変調する微小電気機械式の透過型２次元光変調素子において、少なくとも前記２次元光変調素子の入射側に画素毎に対応させたマイクロレンズアレイを設け、前記光源からの入射光を該マイクロレンズアレイによって画素領域よりも面積の小さい領域に集光させて前記２次元光変調素子に導き、集光させた透過光像を投影することを特徴とする。
【００１２】
請求項１に記載の発明では、マイクロレンズアレイの集光効果により光利用効率が向上されるとともに、実質的な画素サイズを画素領域よりも小さくすることで、投影露光における解像度を向上させることができる。そして、微小電気機械式の２次元光変調素子が用いられることで、高速応答が可能となり、２次元化が容易になるとともに、低電圧駆動が可能となり、しかも、光学系がシンプルで低コスト化が可能となる。また、微小電気機械式の２次元光変調素子によれば、材料の選択によって、ＵＶ光から赤外光までの幅広い光源光に対応が可能となる。
【００１３】
請求項２に係る発明は、前記マイクロレンズアレイは、前記２次元光変調素子を支持する基板に一体的に設けられていることを特徴とする。
【００１４】
このように、マイクロレンズアレイを２次元光変調素子に同一基板上で一体的に設けることにより、マイクロレンズアレイと２次元光変調素子との位置合わせ調整が不要になるとともに、マイクロレンズアレイの光学的精度の許容度、及び、２次元光変調素子のパターン寸法精度の許容度が増え低コスト化が図れる。また、両者の相対的な位置精度が向上するため、入射光を効率良く光変調素子に集光させることができ、光利用効率を向上させることができる。さらに、両者の相対的な位置精度が向上し、光利用効率を低下させずに集光の面積をより縮小させることができ、露光面での解像度を上げることができる。
【００１５】
請求項３に係る発明は、前記マイクロレンズアレイは、前記２次元光変調素子を支持する基板と異なる基板に設けられ、それぞれの基板が貼り合わされて一体的に設けられたことを特徴とする。
【００１６】
このように、マイクロレンズアレイを２次元光変調素子に貼り合わせて一体的に設けることにより、マイクロレンズアレイと２次元光変調素子との位置合わせ調整が容易になるとともに、マイクロレンズアレイの光学的精度の許容度、及び、２次元光変調素子のパターン寸法精度の許容度が増え低コスト化が図れる。また、両者の相対的な位置精度が向上するため、入射光を効率良く光変調素子に集光させることができ、光利用効率を向上させることができる。さらに、両者の相対的な位置精度が向上し、光利用効率を低下させずに集光の面積をより縮小させることができ、露光面での解像度を上げることができる。これに加え、マイクロレンズアレイと２次元光変調素子とが異なる基板に形成され、それぞれを貼り合わせて一体化しているので、各基板が独立して作製可能となる。これにより、最後にマイクロレンズアレイを貼り合わせることができるので、プロセスが容易となり、歩留まりを向上させることができる。
【００１７】
請求項４に係る発明は、集光された光の大部分が透過する開口部を前記２次元光変調素子の画素毎に設け、該開口部以外の領域の少なくとも一部に遮光部を設けたことを特徴とする。
【００１８】
このように、開口部以外の領域の少なくとも一部に遮光部を設けることにより、マイクロレンズの精度に伴う不要光や、マイクロレンズによる回折、散乱光などの不要な光が露光面に到達することを防ぐことができる。
【００１９】
前記遮光部は入射光を反射させることが好ましい。これにより、光吸収による発熱を防止することができ性能、信頼性が向上する。特に高出力光源の露光を行う時に有効である。
【００２０】
請求項５に係る発明は、前記２次元光変調素子は、可動部を有し、該可動部の変位によって入射光が透過する開口面積を変化させて入射光の透過率を変え光変調することを特徴とする。
【００２１】
このように、２次元光変調素子に微小電気機械式の２次元光変調素子を用いることにより、高速、高解像度で光変調することができ、また、素子を構成する材料の選択によってはＵＶ光からＩＲ光まで広い波長範囲の光を変調することができる。特にオンデマンド直接描画式の露光装置に応用する場合、紫外線を高速で露光する必要があるが、２次元光変調素子に微小電気機械式の２次元光変調素子を用いることにより、それが可能となる。
【００２２】
例えば、前記微小電気機械式の２次元光変調素子は、少なくとも一箇所が支持された変位可能な可動部を有し、該可動部が静電気力により変位して入射光の透過率を変化させる。このように、可動部が静電気力により変位して入射光の透過率を変化させる光変調により、より高速、低電圧、低消費電力で光変調することができる。また、素子の作製も容易であることから低コスト化が図れる。
【００２３】
また、前記微小電気機械式の２次元光変調素子は、少なくとも一箇所が基板に支持された変位可能な可動部を有し、該可動部が該基板に対して略平行に変位して入射光の透過率を変化させてもよい。このように、可動部が基板に対して略平行に変位して入射光の透過率を変化させる光変調により、その変位量を大きくすることが可能であり、よりダイナミックに光変調することができる。
【００２４】
この場合、前記微小電気機械式の２次元光変調素子は機械式光シャッターにより入射光の透過率を変化させてもよい。このように、機械式光シャッターにより入射光の透過率を変化させると、遮光時の漏れ透過光をゼロまたは限りなく小さくできるため、光変調時のコントラストを非常に高くすることができる。
【００２５】
以上説明した前記２次元光変調素子が画素毎に能動素子を有するアクティブマトリクス型の素子であると、メモリー性の無い光変調方式であっても２次元の光変調素子を容易に駆動することが可能となる。また、アナログによる階調制御が容易となる。
【００２６】
前記２次元の光変調素子は画素毎に能動素子を有するアクティブマトリクス型の素子であり、該能動素子は前記遮光部の後方に配置されていてもよい。これにより、入射側から不要な光が能動素子に入射して能動素子が光電気的に誤動作するのを防止することができる。
【００２７】
さらに、前記投影光学系は拡大投影光学系であってもよい。これにより、露光面積を大きくすることが可能となり、全体の露光時間を短縮することができる。
【００２８】
また、マイクロレンズアレイは前記光源と前記２次元光変調素子との間に少なくとも２個設けられてもよい。これにより、各々を光学的に機能分離して使用することができ、実用的となる。例えば、複数個のマイクロレンズを用いることにより、同じ焦点距離を得るのに各々のレンズの曲率半径を大きくすることができ、マイクロレンズアレイを製造する上で低コスト化が図れる。
【００２９】
請求項６に係る発明は、前記２次元光変調素子は、可動部を有し、該可動部の変位によって少なくとも光の干渉、屈折、回折又は偏光のいずれかを含む光学効果により、入射光の透過率を変え光変調することを特徴とする。
【００３０】
微小電気機械式の２次元光変調素子は、少なくとも一箇所が基板に支持された変位可能な可動部を有し、該可動部が該基板に対して略垂直に変位して入射光の透過率を変化させてもよい。このように、可動部が基板に対して略垂直に変位して入射光の透過率を変化させる光変調により、より単純な構造で光変調が可能であり低コスト化が図れる。また、開口率を大きくすることが可能であり、変位量を小さくして、より高速に光変調させることが出来る。
【００３１】
この場合、前記微小電気機械式の２次元光変調素子は光干渉効果により入射光の透過率を変化させてもよい。光干渉効果により入射光の透過率を変化させる光変調により、特に入射光がレーザー光のように略平行で波長幅の狭い光を変調する場合は、より単純な構造で光変調が可能であり低コスト化が図れる。遮光時は入射光を高い反射率で反射させることが可能であり、光吸収による発熱を防止することができ性能、信頼性が向上する。特に高出力光源の露光を行う時に有効である。また、透過時は高い透過率を得ることが可能であり、光利用効率を高めるとともにコントラストを高めることが可能である。
【００３２】
また、前記光源からの面状光が略平行光であってもよい。これにより、光変調方式として、干渉効果、回折効果、屈折、反射など多くの光学原理を利用でき、その性能、特に光利用効率、コントラストを向上させることができる。
【００３３】
この場合、光源からの面状光を第１のマイクロレンズアレイにより集光し、第２のマイクロレンズアレイにより略平行な光に変換して前記２次元光変調素子に入射させてもよい。これにより、入射角依存性を有する光変調素子、例えば液晶素子や微小電気機械式の２次元光変調素子における干渉や回折などを利用した光変調素子に対して入射角依存性による性能低下を防ぐことができる。
【００３４】
請求項７に係る発明は、請求項１〜請求項６のいずれか１項記載の透過型２次元光変調素子を用いた露光装置であって、光源からの面状光を入射させて光変調する２次元光変調素子と、該光変調された透過光を投影露光する投影光学系とを備え、該投影光学系の投影光を被露光対象物に対して走査方向に相対移動させながら投影し、前記２次元光変調素子の列を前記走査方向に対して傾斜配置したことを特徴とする。
【００３５】
請求項７に記載の発明では、走査により投影露光する際、被露光対象物を移動させずに透過光を移動させてもよいし、透過光を移動させずに被露光対象物を移動させてもよい。すなわち、投影光と被露光対象物とが相対的に走査方向に移動する限り、良好な投影を行うことができる。
【００３６】
このように、２次元光変調素子の入射側に画素領域毎に対応させたマイクロレンズアレイを設け、該光源からの入射光を画素領域よりも面積が小さい領域に集光させて該光変調素子に導くことにより、２次元光変調素子の列を走査方向に対し傾斜させて配置した場合に露光面での走査方向に垂直な方向の解像度が列方向の画素ピッチと傾斜角によって実質的に増加する効果が得られるとともに、入射光の光利用効率を向上させる効果が得られる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、実施形態を挙げ、本発明の実施の形態について説明する。
【００３８】
［第１形態］
まず、第１形態について説明する。図１は第１形態の露光装置全体を示す図である。第１形態の露光装置２では、照明光源３から出射された面状の光がマイクロレンズアレイ（以下、「ＭＬＡ」とも称す。）４に入射し、ＭＬＡ４で集光された光が透過型２次元光変調素子５に照射される。ＭＬＡの各マイクロレンズは透過型２次元光変調素子５の画素に対応し、マイクロレンズの光軸と焦点面が光変調素子の画素の中心に合うように設計、調整される。
【００３９】
照明光源３からの入射光は、前述のＭＬＡ４により、画素領域よりも面積が小さい領域に集光され、透過型２次元光変調素子５に導かれる。透過型２次元光変調素子５により、画像信号に応じて入射光の透過率を画素毎に制御し、その出射光を投影光学系６により被露光対象物７の露光面２６に投影露光する。投影光は被露光対象物７に対して相対的に走査方向に移動しながら投影露光され、広い面積を高解像度で露光することができる。
【００４０】
このとき、図２のように、透過型２次元光変調素子５の列を走査方向に対し傾斜させて配置すると、露光面２６において走査方向に垂直な方向の解像度が列方向の画素ピッチと傾斜角によって実質的に増加する。特に、入射光はＭＬＡ４によって透過型２次元光変調素子５の画素領域面積より小さな面積に集光されて光変調されるので、図２に示す集光部面積は適宜に縮小され、投影される露光面２６における解像度を実質的に向上させることができる。
【００４１】
また、ＭＬＡ４によって集光させたので光利用効率を向上させることができる。
【００４２】
照明光源３は、レーザ、又は高圧水銀ランプ、キセノンランプ等のショートアークランプなどの光源と、好ましくは光源から出射された光を略平行な面状の光に変換する光学システムから構成され、透過型２次元光変調素子５に照射される。なお、さらに好ましくは前記面状の略平行な光は照射面内においてエネルギー的な分布を抑制して、より均一にさせる光学系を備えていても良い。
【００４３】
マイクロレンズのレンズ面形状は、球面、半球面など、特に形状は限定されず、凸曲面であっても凹曲面であってもよい。さらに、屈折率分布を有する平坦形状なマイクロレンズアレイであってもよく、フレネルレンズやバイナリーオプティクスなどによる回折型レンズがアレイされたものであってもよい。
【００４４】
ＭＬＡの材質としては、例えば、透明なガラスや樹脂である。量産性の観点では樹脂が優れており、寿命、信頼性の観点からはガラスが優れている。光学的な観点上、ガラスとしては石英ガラス、溶融シリカ、無アルカリガラス等が好ましく、樹脂としてはアクリル系、エポキシ系、ポリエステル系、ポリカーボネイト系、スチレン系、塩化ビニル系等が好ましい。なお、樹脂としては、光硬化型、熱可塑型などがあり、マイクロレンズの製法に応じて適宜選択することが好ましい。
【００４５】
ＭＬＡの製法としては、金型によるキャスト成形法、プレス成形法、射出成形法、印刷法、フォトリソグラフィ法などが実用的である。特に、微細で高精度に形成でき、しかも生産性が良い製法としては、樹脂系の材質でマイクロレンズアレイを形成する場合には光（紫外線など）硬化性樹脂による金型成形法や、ポジ型又はネガ型のレジスト材によるフォトリソグラフィ法が好ましく、ガラス系のマイクロレンズアレイを形成する場合にはＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によるレジスト転写法、等方性エッチング法、又は、イオン交換法が好ましい。
【００４６】
金型成形法でマイクロレンズアレイを形成する場合、例えば、熱可塑樹脂をマイクロレンズ形状の金型で加熱プレスする。より微細な成形を行うには、光硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を金型に充填して押圧し、その後、光又は熱によって樹脂を硬化させ、金型から樹脂を剥離させることが好適であり、これにより、微細な成形が可能になる。特に、微細で高い精度が要求される場合には、熱による膨張、収縮が少ない光硬化性樹脂を用いることが好ましい。
【００４７】
樹脂からなるマイクロレンズアレイをフォトリソグラフィ法で形成する場合、例えば、透明なフォトレジストに代表される光溶解樹脂又は光硬化性樹脂にパターンニングされた遮光マスクを適宜介して紫外線（又は司視光線）で露光し、それぞれ露光部又は未露光部の溶解現像を行うことにより形成される。これにより、樹脂材料と露光量分布とにより所望の形状のマイクロレンズを得ることが可能である。また、樹脂材料によっては、現像後に高湿ベーク処理を行い、熱軟化時の表面張力により所望の形状のマイクロレンズアレイを得ることが可能である（リフロー法）。
【００４８】
ガラスからなるマイクロレンズアレイをフォトリソグラフィ法で形成する場合、例えば、光変調素子を構成し上記光源からの入射光が透過可能な透明基板をエッチング加工することにより形成する。エッチング加工する際、マイクロレンズアレイに相当する形状に塗布膜を塗布しておくと、所望の形状に加工し易い。
【００４９】
［第２形態］
次に、第２形態について説明する。第２形態では、第１形態と同様の構成要素には同じ符号を付してその説明を省略する。図３に示すように、第２形態で説明する露光装置１０は、ＭＬＡと光変調素子とが一体化した透過型２次元光変調素子２３を備えた装置である。
【００５０】
これにより、ＭＬＡと２次元光交調素子の位置合わせ調整が不要になるとともに、ＭＬＡの光学的精度の許容度、及び、２次元光変調素子のパターン寸法精度の許容度が増え低コスト化が図れる。また、両者の相対的な位置精度が向上するため、入射光を効率良く光変調素子に集光させることができ、光利用効率を向上させることができる。さらに、両者の相対的な位置精度が向上するため、光利用効率を低下させずに集光の面積をより縮小させることができ、露光面２６での解像度を上げることができる。
【００５１】
［透過型２次元光変調素子の構成］
図４〜図６に示すように、透過型２次元光変調素子２３は、２次元光変調素子２４の光入射側に、マイクロレンズ２２が２次元的に配列されてなるＭＬＡ２０が一体的に形成されたものである。２次元光変調素子２４には、上述したように、電気機械式素子２５が２次元的に配列されている。
【００５２】
光入射側から見たマイクロレンズ２２の形状は、円形状（直径は５μｍ〜１００μｍの範囲内であることが多い）であっても四角形状であってもよく（図７、図８参照）、さらにはこれら以外の多角形状にすることも可能である。また、２次元光変調素子２４の各画素の形成位置を変更することにより、ＭＬＡのアレイ状態をストライプ状にすること、モザイク状にすること、ハニカム状にすることなども可能である（図９〜図１１参照）。
【００５３】
透過型２次元光変調素子２３は、このＭＬＡ２０が一体的に形成された透明ガラス基板３２と、ＭＬＡ２０の上側（光出射側）に形成されたベース絶縁膜３４と、を有する。ベ一ス絶縁膜３４の光出射側には一般的なＭＯＳＦＥＴ３８が形成されており、２次元光変調素子２４はいわゆるアクティブマトリックスである。
【００５４】
ＭＯＳＦＥＴ３８は、透明な第１絶縁膜（例えばＳｉＯ_２膜やＳｉＮｘ膜）４６によって覆われている。
【００５５】
第１絶縁膜４６の光出射側には導電性の金属膜４８が形成されており、２次元光変調素子２４を駆動する電極となる。この金属膜４８とＭＯＳＦＥＴ３８のドレイン４０とが接続プラグ４２によって電気接続されている。金属膜４８の光出射側は透明な第２絶縁膜５４によって覆われている。
【００５６】
金属膜４８の中央部には、画素ピッチ（１０μｍ〜３０μｍの範囲内であることが多い）よりも小さい寸法で開口部５８が形成されており、ＭＬＡ２０で集光された光はこの開口部５８を通過するようになっており、開口部５８はアパーチャとしての機能も兼ねている。
【００５７】
第２絶縁膜５４の光出射側には、所定の間隔ｄで隙間状の空間Ｓが形成されるように第３絶縁膜６４が設けられている。第２絶縁膜５４と第３絶縁膜６４との間隔ｄは、光入射側から照射するレーザ光の波長の１／４に設定されることが多い。
【００５８】
さらに、第３絶縁膜６４の光出射側には透明電極膜（例えばＩＴＯ膜）６６が形成されており、金属膜４８と透明電極膜６６との間に印加する電圧を調整することにより、透明電極膜６６と金属膜４８との間に生じる引き合う力が調整される。これにより、間隔ｄを調整できるようになっており、２次元光変調素子２４は、いわゆるエタロン構造を有する。
【００５９】
第２絶縁膜５４及び第３絶縁膜６４はハーフミラー層として機能しており、材質は高屈折率材料と低屈折率材料の多層膜からなるハーフミラーが一般的で、薄膜の絶縁膜、半導体、金属などから構成され、具体的には、ＴｉＯ_２／ＳＩＯ_２の誘電体多層膜が代表的であるが、２次元光変調素子２４の開口部５８を通過させる光の波長に応じて適宜材料を選択することが好ましい。
【００６０】
可視光及び赤外光を通過させる場合、屈折率が高い材料（屈折率が概ね１．８以上である材料）としては、例えば、ＴｉＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、ＮｄＯ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｂＯ_５などが好ましい。屈折率が比較的高い材料（屈折率が概ね１．６〜１．８の範囲内である材料）としては、例えば、ＭｇＯ、Ａ１_２Ｏ_３、ＣｅＦ_３、ＬａＦ_３、ＮｄＦ_３、などが好ましい。届折率が低い材料（屈折率が概ね１．５以下である材料）としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＮａＦ、ＬｉＦ、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、などが好ましい。
【００６１】
紫外光（３６０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光）を通過させる場合、屈折率が高い材料（屈折率が概ね１．８以上である材料）としては、例えば、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、ＮｄＯ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、などが好ましい。屈折率が比較的高い材料（屈折率が概ね１．６〜１．８の範囲内である材料）としては、例えば、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＬａＦ_３、ＮｄＦ_３、などが好ましい。屈折率が低い材料（屈折率が概ね１．５以下である材料）としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＡｌＦ_３、ＭｇＦ_２、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＮａＦ、ＬｉＦ、ＣａＦ_２、などが好ましい。
【００６２】
また、第３絶縁膜６４には、第２絶縁膜５４と当接している支え部６５が形成されており、金属膜４８と透明電極膜６６とに印加される電圧によって間隔ｄを変動させた際、透明電極膜６６によって押圧された第３絶縁膜６４が破損しないように、支え部６５の形状、寸法などが予め設定されている。
【００６３】
［透過型２次元光変調素子の製造方法］
ガラス基板３２上にベース絶縁膜３４、結晶シリコン層が設けられたＳＯＩ（Ｓｉ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を用い、最初に一般的なＭＯＳＦＥＴ形成工程を行い、透明ガラス基枚３２の光出射側にＭＯＳＦＥＴ３８を形成する。そして、第１絶縁膜４６を形成し、さらに接続プラグ４２及び金属膜４８を形成し、さらに開口部５８を形成する（図１４参照）。
【００６４】
そして、第２絶縁膜５４を形成し、さらに、間隔ｄに相当する膜厚のレジスト膜（図示せず）を塗布し、第３絶縁膜６４、及び、透明電極膜６６を順次形成する。
【００６５】
次に、ガラス基板３２の光入射側（ＭＯＳＦＥＴの反対面）にＭＬＡを形成する。図１２に示すように、透明ガラス基板３２の光入射側に、ＭＬＡ２０の形状に合わせたレジスト層６８を形成する。
【００６６】
そして、図１３に示すように、光入射側から反応性イオンエッチングを行う。この結果、レジスト層の厚みに応じて透明ガラス基板３２がエッチングされ、ＭＬＡ２０が形成される。
【００６７】
最後に、レジスト膜を有機溶剤によるエッチング又は酸素プラズマエッチングにより除去することによって、隙間状の空間Ｓが形成される（図５、図６参照）。
【００６８】
このように、ＭＬＡ２０が透明ガラス基抜３２に一体的に形成されており、ＭＬＡ２０と開口部５８との距離が大幅に縮まっている。従って、ＭＬＡ２０の寸法精度をさほど上げなくても、ＭＬＡ２０と透過したレーザ光を開口部５８から容易に出射させてＭＬＡ２０の機能を充分に発揮させることができるので、ＭＬＡ２０の製造が著しく容易になる。しかも、ＭＯＳＦＥＴ３８のように、光を遮断する部位が２次元光変調素子２４の内部に形成されていても、２次元光変調素子２４の光入射側から照肘されたレーザ光を全て光出射側に透過させることができる。
【００６９】
なお、ＭＬＡをＭＬＡ基板として予め製造し、これをＳＬＭ素子に貼り合わせてもよくＭＬＡを一体的に製造する方法はこの限りではない。
【００７０】
以下、露光装置１０の作用について説明する。
【００７１】
照明光源１２から所定波長のレーザ光を発すると、透過型２次元光変調素子２３に到達したレーザ光は、ＭＬＡ２０の各マイクロレンズ２２でそれぞれ集光され、開口部５８を通過する。
【００７２】
第１絶縁膜４６、第２絶縁膜５４を通過して第２絶縁膜５４から出射したレーザ光は、第３絶縁膜６４に到達する。その際、金属膜４８と透明電極膜６６とに印加する電圧を調整して間隔ｄを変動させることにより、レーザ光の透過、遮蔽（非透過）を高速で切り換えることができる。従って、２次元光変調素子２４を通過したレーザ光で走査面を走査させる際、走査光の透過、遮蔽を高速で切り換えることができ、高精度な露光画像を高速で得ることができる。
【００７３】
以上説明したように、第２形態では、電気機械式素子２５が２次元的に配列された２次元光変調素子２４と、２次元光変調素子２４に一体的に形成されたＭＬＡ２０と、で構成される透過型２次元光変調素子２３を露光装置１０が有している。
【００７４】
これにより、露光装置１０を組立てる際、ＭＬＡ２０の位置合わせを行わなくても済むので、露光装置１０の製造が著しく容易になる。また、露光装置１０の使用時にＭＬＡ２０の位置ずれが生じることがないので、露光装置１０の使用時に生じる不具合の頻度を大きく低減させることができる。さらに、ＭＬＡ２０を設けるスペースが著しく低減するので、露光装置の小型化に寄与する。
【００７５】
なお、本形態では露光装置１０がレーザ光を発する例を説明したが、レーザ光を発しない照明光学系（例えば放電ランプ）を用いた構成の露光装置であっても、本形態と同様の作用、効果を奏することは明らかである。
【００７６】
以上はアクティブマトリックス型の２次元光変調素子を説明したが、前述の静電気で駆動される微小電気機械式の２次元光変調素子の電圧−変位特性におけるヒステリシス特性を利用したメモリー性を付与することにより能動素子を用いないいわゆるパッシブマトリックスであっても、同様に、間隔ｄを調整して、レーザ光の透過、遮断を高速で切り換えることができる。
［第３形態］
次に、第３形態について説明する。図１５は第３形態の露光装置全体を示す構成図、図１６は第３形態の露光装置に組込まれた透過型２次元光変調素子の断面図、図１７は図１６に示した透過型２次元光変調素子の部分拡大側面断面図、図１８は図１７の部分拡大平面図である。第３形態では、第２形態と同様の構成要素には同じ符号を付してその説明を省略する。
【００７７】
図１５に示すように、第３形態で説明する露光装置２００には透過型２次元光変調素子２０１が組込まれており、この透過型２次元光変調素子２０１は、微小電気機械式の光変調素子２０５が２次元的に配列された２次元光変調素子２０３と、２次元光変調素子２０３に一体的に形成されたＭＬＡ２０と、で構成される。
【００７８】
図１６に示すように、第３形態で説明する露光装置は、画素を形成する複数の光変調素子２０５が２次元配列されることで２次元光変調素子２０３が構成され、かつマイクロレンズアレイ２０が、この光変調素子２０５を挟んで素子固定基板である透明ガラス基板３２の反対側に配設されている。そして、マイクロレンズアレイ２０が２次元光変調素子２０３の素子固定基板である透明ガラス基板３２と別体の透明基板２１５に形成され、それぞれの基板３２、２１５を貼り合わせて一体的に設けられている。
【００７９】
図１７に示すように、２次元光変調素子２０３の画素毎には、集光された光の大部分が透過する開口部５８と、この開口部５８以外の領域の少なくとも一部に設けられた駆動電極である金属膜４８とが設けられている。
【００８０】
この露光装置２００においても、光源１２からの面状光を２次元光変調素子２０３に入射させて、２次元光変調素子２０３で変調させた透過光を投影露光する投影光学系６を備えている。そして、この投影光学系６の投影光は被露光対象物に対して相対的に走査方向に移動しながら投影され、２次元光変調素子２０３の列をこの走査方向に対して傾斜配置させている。
【００８１】
また、２次元光変調素子２０３の入射側には、上記したように、画素毎に対応させたマイクロレンズアレイ２０が設けられ、光源１２からの入射光を画素領域よりも面積が小さい領域に集光させて、電気機械式素子である光変調素子２０５に導くようにしている。
【００８２】
透過型２次元光変調素子２０１は、２次元光変調素子２０３の光入射側に、マイクロレンズ２２が２次元的に配列されてなるＭＬＡ２０が一体的に形成されたものである。但し、本実施の形態では、マイクロレンズアレイ２０が、光変調素子２０５を挟んで透明ガラス基板３２の反対側に配設されているので、第２形態で説明した２次元光変調素子２４の場合と異なり、入射光がマイクロレンズ２２側から入り、光変調素子２０５を通過した後、素子固定基板である透明ガラス基板３２側へと透過することとなる。
【００８３】
透過型２次元光変調素子２０１は、透明ガラス基板３２と、ベース絶縁膜３４とを有する。ベ一ス絶縁膜３４の光入射側には一般的なＭＯＳＦＥＴ３８が形成されており、２次元光変調素子２０３はいわゆるアクティブマトリックスとしての構造を有している。
【００８４】
ＭＯＳＦＥＴ３８は、透明な第１絶縁膜４６によって覆われている。第１絶縁膜４６の光入射側には導電性の金属膜４８が形成されており、２次元光変調素子２０３を駆動する電極となる。この金属膜４８とＭＯＳＦＥＴ３８のドレイン４０とが接統プラグ４２によって電気接続されている。金属膜４８の光入射側は透明な第２絶縁膜５４によって覆われている。
【００８５】
金属膜４８の中央部には、画素ピッチ（１０μｍ〜３０μｍの範囲内であることが多い）よりも小さい寸法で開口部５８が形成されており、ＭＬＡ２０で集光された光はこの開口部５８を通過するようになっており、開口部５８はアパーチャとしての機能も兼ねている。
【００８６】
図１８に示すように、２次元光変調素子２０３は、第１絶縁膜４６を介して列配線ＶＬと行配線ＨＬが格子状にパターン形成され、画素回路領域ＫＲにＭＯＳＦＥＴ３８が形成されている。行配線ＨＬはＭＯＳＦＥＴ３８のゲートに接続され、列配線ＶＬはＭＯＳＦＥＴ３８のソース４４に接続されてアクティブ駆動型の２次元マトリクスを構成している。これら、列配線ＶＬ、行配線ＨＬに囲まれた個々の正方形領域は、開口部５８を中央に位置させた画素領域ＧＲとなる。
なお、画素回路は上記の例に限らず、例えばＣＭＯＳによるＳＲＡＭ回路などでもよい。また、画素領域ＧＲ内の画素回路領域ＫＲ、開口部５８の配置、大きさ、形状は上記に限られるものではない。
【００８７】
図１７に示すように、第２絶縁膜５４の光入射側には、所定の間隔ｄで隙間状の空間Ｓが形成されるように第３絶縁膜６４が設けられている。第２絶縁膜５４と第３絶縁膜６４との間隔ｄは、光入射側から照射するレーザ光の波長の１／４に設定されることが多い。
【００８８】
さらに、第３絶縁膜６４の光入射側には不透明な金属膜６７が開口部５８以外の領域に形成されており、金属膜４８と金属膜６７との間に印加する電圧を調整することにより、金属膜６７と金属膜４８との間に生じる引き合う力が調整される。これにより、間隔ｄを調整できるようになっており、２次元光変調素子２０３は、いわゆるエタロン構造を有する。
【００８９】
第２絶縁膜５４には一方のハーフミラー２０７が設けられ、第３絶縁膜６４には他方のハーフミラー２０９が設けられ、このハーフミラー２０７、２０９の間には上記の所定の間隔ｄで隙間状の空間Ｓが形成される。ハーフミラー２０７、２０９は、第２絶縁膜５４及び第３絶縁膜６４をハーフミラー層として機能させるものであってもよい。このハーフミラー２０７、２０９も、上記した第２絶縁膜５４及び第３絶縁膜６４と同様に高屈折率材料と低屈折率材料の多層膜からなる。第３絶縁膜６４、金属膜６７、ハーフミラー２０９は、可動薄膜２１１を構成している。
【００９０】
また、第３絶縁膜６４と第２絶縁膜５４との間には図示しない支え部（図６に示した支え部６５と略同様なもの）が形成されており、この支え部は金属膜４８と金属膜６７とに印加される電圧によって間隔ｄを変動させた際、又電圧の印加を解除した際に、可動薄膜２１１が第２絶縁膜５４に対して接近離反自在となるように支持している。
【００９１】
なお、本形態のマイクロレンズアレイ２０では、隣接するマイクロレンズ２２同士の間に、図１６に示す遮光膜２１６が設けられている。遮光膜２１６は、マイクロレンズ２２間を通る光の散乱、回折などによる不要光を遮光する。この他、画素回路領域ＫＲの後方（入射側）のみ遮光部２１６を設け、画素回路への光の入射による電気的な誤動作を防止する構成も可能である。その他、開口部５８を透過する有効な光以外の不要光を遮光するために好適な箇所に遮光膜２１６を設けることが可能である。また、遮光膜２１６は吸収体、反射体などの材料が可能であるが、反射体であることがより好ましい。遮光部２１６で入射光を反射させることにより、光吸収による発熱を防止することができ性能、信頼性が向上する。特に高出力光源の露光を行う時に有効となる。
【００９２】
［透過型２次元光変調素子の製造方法］
この２次元光変調素子２０３の製造方法は、第２形態の２次元光変調素子２４の場合と同様とすることができる。すなわち、ガラス基板３２上にベース絶縁膜３４、結晶シリコン層が設けられたＳＯＩを用い、透明ガラス基枚３２の光入射側にＭＯＳＦＥＴ３８を形成する。そして、第１絶縁膜４６を形成し、さらに接続プラグ４２及び金属膜４８を形成し、さらに開口部５８を形成する。
【００９３】
そして、第２絶縁膜５４を形成し、さらに、間隔ｄに相当する膜厚のレジスト膜を塗布し、第３絶縁膜６４、及び、金属膜６７を順次形成する。空間Ｓは、上記した光変調素子２４の場合と同様に、レジスト膜を有機溶剤によるエッチング又は酸素プラズマエッチングにより除去することによって形成される。
【００９４】
一方、ＭＬＡ２０は、上記の２次元光変調素子２４の場合と異なり、第２絶縁膜５４上に、少なくとも可動薄膜２１１の変位スペースが確保される空間２１３（図１６参照）を設けてマイクロレンズアレイ形成用のガラス基板２１５を配設する。ガラス基板２１５は、光出射側にＭＬＡ２０の形状に合わせたレジスト層を形成し、光入射側から反応性イオンエッチングを行う。この結果、レジスト層の厚みに応じて透明ガラス基板２１５がエッチングされ、ＭＬＡ２０が形成される。
【００９５】
このガラス基板２１５は、周壁２１７によって第２絶縁膜５４側に支持固定する。したがって、ガラス基板２１５と第２絶縁膜５４との間の空間２１３は、密閉空間となる。
【００９６】
以下、透過型２次元光変調素子２０１を備えた露光装置２００の作用について説明する。
照明光源１２から所定波長のレーザ光を発すると、透過型２次元光変調素子２０１に到達したレーザ光は、ＭＬＡ２０の各マイクロレンズ２２でそれぞれ集光され、開口部５８を通過する。
【００９７】
第３絶縁膜６４を通過してハーフミラー２０９から出射したレーザ光は、ハーフミラー２０７に到達する。その際、金属膜４８と金属膜６７とに印加する電圧を調整して間隔ｄを変動させることにより、レーザ光の透過、遮蔽（非透過）を高速で切り換えることができる。
【００９８】
光変調素子２０５は、可動薄膜２１１の変位により、ハーフミラー２０７、２０９間の距離を異ならせ、平行ミラー間で繰り返し反射させた合成波の強度を変化させることによって、光を透過又は反射させている。即ち、ファブリペロー干渉を利用した光変調を行っている。平行ミラー間で反射と透過が繰り返されるファブリペロー干渉においては、間隔ｄの略整数倍の波長のみが光変調素子２０５を透過する。
【００９９】
従って、２次元光変調素子２０３を通過したレーザ光で走査面を走査させる際、走査光の透過、遮蔽を高速で切り換えることができ、高精度な露光画像を高速で得ることができる。
【０１００】
以上説明したように、第３形態では、光変調素子２０５が２次元的に配列された２次元光変調素子２０３と、２次元光変調素子２０３に一体的に形成されたＭＬＡ２０とで構成される透過型２次元光変調素子２０１を露光装置２００が有している。
【０１０１】
これにより、露光装置２００の使用時にＭＬＡ２０の位置ずれが生じることがないので、露光装置２００の使用時に生じる不具合の頻度を大きく低減させることができる。また、ＭＬＡ２０を設けるスペースが著しく低減するので、露光装置２００の小型化に寄与する。
【０１０２】
そして、ＭＬＡ２０と２次元光交調素子２０３の相対的な位置精度が向上するため、入射光を効率良く光変調素子２０５に集光させることができ、光利用効率を向上させることができる。さらに、両者の相対的な位置精度が向上するため、光利用効率を低下させずに集光の面積をより縮小させることができ、露光面での解像度を上げることができる。
【０１０３】
これに加えて、２次元光変調素子２０３では、ＭＬＡ２０が周壁２１７によって第２絶縁膜５４側に支持固定されるので、ガラス基板２１５と第２絶縁膜５４との間の空間２１３が密閉空間となり、ＭＬＡ２０を、透過型２次元光変調素子２０１を密閉封止するための封止材料として兼用することができ、他部材を用いる場合に比べて、コンパクトに密閉封止構造を実現させることができる。
【０１０４】
また、ガラス基板２１５と第２絶縁膜５４との間の空間２１３が密閉空間となるので、この空間２１３に不活性ガスを封入することが可能となる。これにより、透過型２次元光変調素子２０１に対する防塵性能はもとより、酸化等による劣化も防止して、光変調素子２０５の動作信頼性、耐久性も向上させることができるようになる。
【０１０５】
以上、実施形態を挙げて本発明の実施の形態を説明したが、上記実施形態は一例であり、趣旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。また、本発明の権利範囲が上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。
【０１０６】
【発明の効果】
本発明は上記構成としたので、マイクロレンズアレイの集光効果により光利用効率が向上されるとともに、実質的な画素サイズを画素領域よりも小さくすることで、投影露光における解像度を向上させることができる。そして、微小電気機械式の２次元光変調素子が用いられることで、高速応答が可能となり、２次元化が容易になるとともに、低電圧駆動が可能となり、しかも、光学系がシンプルで低コスト化が可能となる。また、微小電気機械式の２次元光変調素子を用いるので、材料の選択によって、ＵＶ光から赤外光までの幅広い光源光に対応が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１形態の露光装置全体を示す構成図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、各画素の列方向が走査方向と平行であるように透過型２次元光変調素子を配置した場合（仮りに配置した状態を示す）での走査光の軌跡、及び、各画素の列方向が走査方向に対して傾くように配置した場合（第２形態での配置状態を示す）での走査光の軌跡を示す正面図である。
【図３】第２形態の露光装置全体の構成図である。
【図４】第２形態の露光装置に組込まれた透過型２次元光変調素子の部分拡大平面図である。
【図５】図４の矢視５−５から見た部分拡大側面断面図である。
【図６】図４の矢視６−６から見た部分拡大側面断面図である。
【図７】マイクロレンズアレイを光入射側から見た部分拡大図であって、マイクロレンズアレイの配列の一例を示す模式図である。
【図８】マイクロレンズアレイを光入射側から見た部分拡大図であって、マイクロレンズアレイの配列の一例を示す模式図である。
【図９】マイクロレンズアレイを光入射側から見た部分拡大図であって、マイクロレンズアレイの配列の一例を示す模式図である。
【図１０】マイクロレンズアレイを光入射側から見た部分拡大図であって、マイクロレンズアレイの配列の一例を示す模式図である。
【図１１】マイクロレンズアレイを光入射側から見た部分拡大図であって、マイクロレンズアレイの配列の一例を示す模式図である。
【図１２】第２形態の露光装置に組込む透過型２次元光変調素子の製造工程を示す部分拡大側面断面図である。
【図１３】第２形態の露光装置に組込む透過型２次元光変調素子の製造工程を示す部分拡大側面断面図である。
【図１４】第２形態の露光装置に組込む透過型２次元光変調素子の製造工程を示す部分拡大側面断面図である。
【図１５】第３形態の露光装置全体を示す構成図である。
【図１６】第３形態の露光装置に組込まれた透過型２次元光変調素子の断面図である。
【図１７】図１６に示した透過型２次元光変調素子の部分拡大側面断面図である。
【図１８】図１７の部分拡大平面図である。
【図１９】従来の露光装置全体の構成図である。
【図２０】図２０（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、従来例で、各画素の列方向が走査方向と平行であるように光変調素子を配置した場合での走査光の軌跡、及び、各画素の列方向が走査方向に対して傾くように配置した場合での走査光の軌跡を示す正面図である（解像度が低い例）。
【図２１】図２１（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、従来例で、各画素の列方向が走査方向と平行であるように光変調素子を配置した場合での走査光の軌跡、及び、各画素の列方向が走査方向に対して傾くように配置した場合での走査光の軌跡を示す正面図である（解像度が高い例）。
【図２２】従来の露光装置の光変調素子の構成を示す部分側面断面図である。
【符号の説明】
２、１０、１００、２００　露光装置
３、１２　照明光源（光源）
４、２０　マイクロレンズアレイ
５、２３、２０１　透過型２次元光変調素子
６　投影光学系
７　被露光対象物
２４、２０３　２次元光変調素子
３２　素子固定基板（基板）
４８　金属膜（遮光部）
５８　開口部
２１１　可動薄膜（可動部）
２１５　ガラス基板（異なる基板）
ＧＲ　画素領域

Claims

光源からの面状光を２次元光変調素子に入射し、その透過率を画素毎に変え光変調する微小電気機械式の透過型２次元光変調素子において、
少なくとも前記２次元光変調素子の入射側に画素毎に対応させたマイクロレンズアレイを設け、
前記光源からの入射光を該マイクロレンズアレイによって画素領域よりも面積の小さい領域に集光させて前記２次元光変調素子に導き、集光させた透過光像を投影することを特徴とする透過型２次元光変調素子。
前記マイクロレンズアレイは、前記２次元光変調素子を支持する基板に一体的に設けられていることを特徴とする請求項１記載の透過型２次元光変調素子。
前記マイクロレンズアレイは、前記２次元光変調素子を支持する基板と異なる基板に設けられ、それぞれの基板が貼り合わされて一体的に設けられたことを特徴とする請求項１記載の透過型２次元光変調素子。
集光された光の大部分が透過する開口部を前記２次元光変調素子の画素毎に設け、該開口部以外の領域の少なくとも一部に遮光部を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項記載の透過型２次元光変調素子。
前記２次元光変調素子は、可動部を有し、該可動部の変位によって入射光が透過する開口面積を変化させて入射光の透過率を変え光変調することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか項記載の透過型２次元光変調素子。
前記２次元光変調素子は、可動部を有し、該可動部の変位によって少なくとも光の干渉、屈折、回折又は偏光のいずれかを含む光学効果により、入射光の透過率を変え光変調することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか項記載の透過型２次元光変調素子。
請求項１〜請求項６のいずれか１項記載の透過型２次元光変調素子を用いた露光装置であって、
光源からの面状光を入射させて光変調する２次元光変調素子と、該光変調された透過光を投影露光する投影光学系とを備え、
該投影光学系の投影光を被露光対象物に対して走査方向に相対移動させながら投影し、
前記２次元光変調素子の列を前記走査方向に対して傾斜配置したことを特徴とする露光装置。