JP2004062051A - 表面凹凸形成方法、それにより得られる光学フィルム及び拡散反射板並びに拡散反射板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡便にかつ安価に樹脂表面凹凸形状を形成できる方法及びそれを用いた転写原型、転写原型を形成する転写原型、転写ベースフィルム、転写フィルム、拡散反射板、光学フィルムを提供する。
【解決手段】少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程またはパターンを直接描画する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層が、（ａ）エポキシ基またはオキセタニル基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマー、（ｂ）活性エネルギー線の照射によりカチオン重合性触媒を形成する潜在性カチオン重合性触媒を含むと好ましい。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を使用する表面凹凸形成方法、それを用いた光学フィルム、拡散反射板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂表面に凹凸形状を形成する場合、従来の技術では、パターン形成されたマスクを介して感光性樹脂層に紫外線を照射し、樹脂層の露光部分又は未露光部分を現像液で除去する方法が用いられてきた。
【０００３】
しかし、従来の方法では、所望の凹凸形状を得るために、感光性樹脂の膜厚、感光性樹脂の受光感度、マスクの開口比、露光量、現像液濃度、現像液温度あるいは現像時間の調整が必要であるため、製造プロセス上の変動因子が多く、同一の条件で同一の凹凸形状を得ることは困難であり、比較的高価でもある。また、従来の方法では樹脂層の露光部分または未露光部分を現像処理により除去するために、正弦波状の断面凹凸形状を得ることが困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、エッチング操作を行うことなく簡便にかつ安価に樹脂表面凹凸形状を形成できる方法及びそれを用いた光学フィルム、拡散反射板を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、［１］少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法であり、
［２］少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、活性エネルギー線によりパターンを直接描画する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法であり、
［３］感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層が、（ａ）エポキシ基またはオキセタニル基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマー、（ｂ）活性エネルギー線の照射によりカチオン重合性触媒を形成する潜在性カチオン重合性触媒を含む上記［１］または上記［２］に記載の表面凹凸形成方法であり、
［４］パターンが、活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線透過部からなる規則的あるいは不規則的な繰り返しパターンを有し、活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線遮断部、又は活性エネルギー線透過部と活性エネルギー線透過部との距離が、１〜５０μｍである上記［１］〜［３］のいずれかに記載の表面凹凸形成方法であり、
［５］後加熱が、５０〜２５０℃の加熱である上記［１］〜［４］のいずれかに記載の表面凹凸形成方法であり、
［６］活性エネルギー線が紫外光線である上記［１］ないし［５］のいずれかに記載の表面凹凸形成方法であり、
［７］上記［１］〜［６］のいずれかに記載の凹凸形成方法を用いて形成される光学フィルムであり、
［８］上記［７］に記載の光学フィルムに反射膜または半透過反射膜を設けた拡散反射板であり、
［９］上記［１］〜［６］のいずれかに記載の表面凹凸形成方法を用いて作製した表面凹凸面を型とする転写原型であり、
［１０］上記［９］の転写原型を用いて作製した表面凹凸面を型とする転写原型であり、
［１１］ベースフィルム上に形成した下塗り層からなる被転写層に、上記［９］または上記［１０］に記載の転写原型を押当てることで表面凹凸形状が転写された転写ベースフィルムであり、
［１２］上記［１１］に記載の転写ベースフィルムを仮支持体として用い、仮支持体の転写原型を転写した面に薄膜層を形成し、薄膜層の仮支持体に形成されていない面が被転写基板への接着面を構成する転写フィルムであり、
［１３］上記［１２］に記載の転写フィルムにおいて、仮支持体と薄膜層の間に反射膜あるいは半透過反射膜が形成された転写フィルムであり、
［１４］上記［１２］に記載の転写フィルムを被転写基板に薄膜層が面するように押し当てる工程と、前記仮支持体を剥がす工程と、薄膜層の転写された表面に反射膜あるいは半透過反射膜を形成する工程により拡散反射板を作製する拡散反射板の製造方法であり、
［１５］上記［１１］に記載の転写ベースフィルムを基板上に形成された薄膜層に、転写された面が面するように押し当てる工程と、前記転写ベースフィルムを剥がす工程と、表面に反射膜あるいは半透過反射膜を形成する工程を含む拡散反射板の製造方法であり、
［１６］上記［１３］に記載の転写フィルムを被転写基板に薄膜層が面するように押し当てる工程と、前記仮支持体を剥がす工程を含む拡散反射板の製造方法であり、
［１７］上記［１４］ないし上記［１６］のいずれかに記載の拡散反射板の製造方法により得られた拡散反射板であり、
［１８］上記［１１］に記載の転写ベースフィルムの転写原型を転写した面に反射膜あるいは半透過反射膜を設けた拡散反射板であり、
［１９］上記［８］、［１７］、［１８］のいずれかに記載の拡散反射板を反射型液晶ディスプレイに用いたことを特徴とする反射型液晶ディスプレイ用拡散反射板である。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明における少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層は、（ａ）エポキシ基またはオキセタニル基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーと（ｂ）活性エネルギー線の照射によりカチオン重合性触媒を形成する潜在性カチオン重合性触媒を含むと好ましく、（ａ）エポキシ基またはオキセタニル基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーとしては、具体的には、フェノールエーテル系エポキシド（ビスフェノールＡ型エポキシド、ビスフェノールＦ型エポキシド、ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポキシド、フェノールノボラック型エポキシド、クレゾールノボラック型エポキシド、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシド等）、エーテル系エポキシド（ポリオール、ポリエーテルポリオール等とエピクロルヒドリンとの縮合物、ジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等）、エステルエポキシド（グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等とエチレン性不飽和単量体（メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリロニトリル等）との共重合体等）、グリシジルアミン系エポキシド（アニリン、ジアミノジフェニルメタン、アミノフェノール類、キシリレンジアミン、ハロゲン化アニリン、ビスアミノメチルシクロヘキサン等のアミン類とエピクロルヒドリンとの縮合物等）、脂肪族又は脂環式エポキシドなどが挙げられる。脂環式エポキシドは例えばダイセル化学工業株式会社製のセロキサイド等が使用できる。
【０００７】
オキセタニル基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーは、上記エポキシドのエポキシ基をオキセタニル基に置き換えたものを使用でき、これらは単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用される。
【０００８】
１個のオキセタニル基（オキセタン環）を有する化合物としては、下記一般式（１）で示される化合物等が挙げられる。
【０００９】
【化１】

【００１０】
一般式（１）において、Ｒ^１は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のフルオロアルキル基、アリル基、アリール基、フリル基又はチエニル基である。
Ｒ^２は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数１〜６のアルキル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基或いは３−ブテニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基、フェニル基、ベンジル基、フルオロベンジル基、メトキシベンジル基或いはフェノキシエチル基等の芳香環を有する基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基或いはブチルカルボニル基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基或いはブトキシカルボニル基等の炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、又はエチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基或いはペンチルカルバモイル基等の炭素数２〜６のＮ−アルキルカルバモイル基等である。
【００１１】
つぎに、２個のオキセタニル基（オキセタン環）を有する化合物としては、下記一般式（２）で示される化合物等が挙げられる。
【００１２】
【化２】

【００１３】
一般式（２）において、Ｒ^１は、前記一般式（１）におけるものと同様の基である。
Ｒ^３は、例えば、エチレン基、プロピレン基或いはブチレン基等の線状或いは分枝状アルキレン基、ポリ（エチレンオキシ）基或いはポリ（プロピレンオキシ）基等の線状或いは分枝状ポリ（アルキレンオキシ）基、プロペニレン基、メチルプロペニレン基或いはブテニレン基等の線状或いは分枝状不飽和炭化水素基、カルボニル基、カルボニル基を含むアルキレン基、カルボキシル基を含むアルキレン基又はカルバモイル基を含むアルキレン基等である。
【００１４】
また、Ｒ^３は、下記一般式（３）〜（１４）で示される基から選択される多価基でもある。
【００１５】
【化３】

【００１６】
一般式（３）において、Ｒ^４は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基或いはブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基、塩素原子或いは臭素原子等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、低級アルキルカルボキシル基、カルボキシル基、又はカルバモイル基である。
【００１７】
【化４】

【００１８】
一般式（４）において、Ｒ^５は、酸素原子、硫黄原子、メチレン基、
【化５】
ＮＨ、ＳＯ、ＳＯ_２　、Ｃ（ＣＦ_３　）_２　又はＣ（ＣＨ_３）_２
である。
【００１９】
【化６】

【００２０】
一般式（５）において、Ｒ^６は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数１〜４個のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基或いはブトキシ基等の炭素数１〜４個のアルコキシ基、塩素原子或いは臭素原子等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、低級アルキルカルボキシル基、カルボキシル基、又はカルバモイル基である。
【００２１】
【化７】

【００２２】
一般式（６）において、Ｒ^７は、酸素原子、硫黄原子、メチレン基、
【化８】
ＮＨ、ＳＯ、ＳＯ_２　、Ｃ（ＣＦ_３　）_２　又はＣ（ＣＨ_３）_２　、Ｃ（Ｃ_６Ｈ_５）（ＣＨ_３）、Ｃ（Ｃ_６Ｈ_５）_２
である。
【００２３】
【化９】

【００２４】
一般式（７）及び一般式（８）において、Ｒ^８は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基或いはブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基、塩素原子或いは臭素原子等のハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、低級アルキルカルボキシル基、カルボキシル基又はカルバモイル基である。さらにＲ^８は、ナフタレン環に２〜４ヶ置換していてもよい。
【００２５】
【化１０】

ただし一般式（１３）、（１４）で、ｎは０〜１０であり、異なる数値の化合物の混合物でも良い。
【００２６】
２個のオキセタニル基（オキセタン環）を有する化合物において、上記した化合物以外の好ましい例としては、下記一般式（１５）で示される化合物がある。なお、一般式（１５）において、Ｒ^１は、前記一般式（１）におけるものと同様の基である。
【００２７】
【化１１】

【００２８】
３〜４個のオキセタニル基（オキセタン環）を有する化合物としては、下記一般式（１６）で示される化合物等が挙げられる。
【００２９】
【化１２】

【００３０】
一般式（１６）において、Ｒ^１は、前記一般式（１）におけるものと同様の基であり、ｍは３又は４である。
Ｒ^９は、例えば、下記一般式（１７）式（１８）及び式（１９）で示される基等の炭素数１〜１２の分枝状アルキレン基、下記一般式（２０）で示される基等の分枝状ポリ（アルキレンオキシ）基が挙げられる。
【００３１】
【化１３】

（一般式（１７）において、Ｒ^１０はメチル基、エチル基又はプロピル基等の低級アルキル基である）
【００３２】
【化１４】

【００３３】
【化１５】

【００３４】
【化１６】

（一般式（２０）において、ｎは１〜１０の整数である）
【００３５】
また、これら以外にも、分子量１，０００〜５，０００程度の比較的高分子量の１〜４個のオキセタニル基（オキセタン環）を有する化合物も挙げられる。なお、本発明では２種類以上のオキセタン化合物を組み合わせて使用することができる。
【００３６】
また、本発明における、（ｂ）活性エネルギー線の照射によりカチオン重合性触媒を形成する潜在性カチオン重合性触媒は、（ａ）エポキシ基またはオキセタニル基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーに配合して、室温に放置する限りにおいては長期間に渡って安定であるが、活性エネルギー線の作用で、直ちにカチオン重合性触媒を形成し、（ａ）エポキシ基またはオキセタニル基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーの重合反応を開始、促進せしめることができる。
【００３７】
このような潜在性カチオン重合性触媒として具体的には、以下に示すような各種オニウム塩を挙げることができる。例えば、下記一般式（２２）で示される第四級アンモニウム塩、下記一般式（２３）で示されるホスホニウム塩および下記一般式（２４）、（２５）または（２６）で示されるスルホニウム塩などがある。
【化１７】

【００３８】
（ただし、一般式（２２）中、Ｒ^１　〜Ｒ^４　は、それぞれ、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜１２のアルケニル基、アリール基、アルカリール基、炭素原子数１〜２０のアルカノール基もしくは炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよく、また置換基を有しても有さなくてもよい。また、Ｒ^１　〜Ｒ^４　のうち２個は互いに結合して、Ｎ、Ｐ、ＯまたはＳをヘテロ原子とする複素環を形成してもよい。さらに、Ｘは、ＢＦ_４　、ＰＦ_６　、ＡｓＦ_６　、ＳｂＦ_６　、ＳｂＣｌ_６　、（Ｃ_６　Ｆ_５　）_４　Ｂ、ＳｂＦ_５　（ＯＨ）、ＨＳＯ_４　、ｐ−ＣＨ_３　Ｃ_６　Ｈ_４　ＳＯ_３　、ＨＣＯ_３　、Ｈ_２　ＰＯ_４、ＣＨ_３　ＣＯＯおよびハロゲン原子からなる群より選ばれる対イオン、すなわち、１価の陰イオンを表わす。）
【００３９】
【化１８】

【００４０】
（ただし、一般式（２３）中、Ｒ^１　〜Ｒ^４　およびＸは、それぞれ、前記一般式（２２）におけるＲ^１　〜Ｒ^４　およびＸと同じである。）
【００４１】
【化１９】

【００４２】
（ただし、一般式（２４）中、Ｒ^１　〜Ｒ^３　およびＸは、それぞれ、前記一般式（２２）におけるＲ^１　〜Ｒ^３　およびＸと同じであり、Ｒ^１　〜Ｒ^３　のうち２個は互いに結合して、Ｎ、Ｐ、ＯまたはＳをヘテロ原子とする複素環を形成してもよい。）
【００４３】
【化２０】

【００４４】
（ただし、一般式（２５）中、Ｒ^１　、Ｒ^２　およびＸは、それぞれ、前記一般式（２２）におけるＲ^１　、Ｒ^２　およびＸと同じであり、Ｒ^１　およびＲ^２　は互いに結合して、Ｎ、Ｐ、ＯまたはＳをヘテロ原子とする複素環を形成してもよい。また、Ａｒは、置換基を有しても有さなくてもよいアリール基を表わす。）
【００４５】
【化２１】

【００４６】
（ただし、一般式（２６）中、Ｒ^１　〜Ｒ^４　およびＸは、それぞれ、前記一般式（２２）におけるＲ^１　〜Ｒ^４　およびＸと同じである。また、Ａｒは、上記一般式（２５）におけるＡｒと同じである。）
【００４７】
ここで、前記一般式（２２）〜（２６）において、Ｒ^１、Ｒ^２　、Ｒ^３　またはＲ^４としての前記炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、置換基を有しても、有さなくてもよい直鎖または分岐を有するアルキル基が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基およびエイコシル基などが挙げられる。また、前記Ｒ^１、Ｒ^２　、Ｒ^３　またはＲ^４　としての炭素原子数３〜１２のアルケニル基としては、置換基を有しても、有さなくてもよい直鎖または分岐を有するアルケニル基が含まれ、例えば、ｎ−プロペニル基、ｎ−ブテニル基、ｓｅｃ−ブテニル基、ｔｅｒｔ−ブテニル基、ｎ−ペンテニル基、ｓｅｃ−ペンテニル基、ヘキセニル基、ｎ−ヘプテニル基、ｓｅｃ−ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基およびウンセニル基などが挙げられる。
【００４８】
前記Ｒ^１　、Ｒ^２　、Ｒ^３　またはＲ^４　としてのアリール基としては、例えば、置換または非置換のフェニル基、ナフチル基またはアントラセン基が含まれ、特に、フェニル基が好ましい。前記Ｒ^１　、Ｒ^２　、Ｒ^３　またはＲ^４　としてアルカリール基としては、前述の炭素原子数１〜２０のアルキル基およびアリール基で構成されるものが挙げられる。また、前記Ｒ^１　、Ｒ^２　、Ｒ^３　またはＲ^４　としての炭素原子数１〜２０のアルカノール基としては、置換基を有しても、有さなくてもよい直鎖または分岐を有するアルカノール基が含まれ、例えば、エタノール基、ｎ−プロパノール基、イソプロパノール基、ｎ−ブタノール基、ｓｅｃ−ブタノール基、ｔｅｒｔ−ブタノール基、ｎ−ペンタノール基、ｓｅｃ−ペンタノール基、１−ヘキサノール基、１−ヘプタノール基、１−オクタノール基、１−ノナノール基、１−デカノール基、１−ウンデカノール基、１−ドデカノール基、１−トリデカノール基、１−テトラデカノール基、１−ペンタデカノール基、１−ヘキサデカノール基、１−ヘプタデカノール基、１−オクタデカノール基、１−ノナデカノール基および１−エイコサノール基などが挙げられる。さらにまた、前記Ｒ^１　、Ｒ^２　、Ｒ^３　またはＲ^４　としての炭素原子数５〜１０のシクロアルキル基としては、置換基を有しても、有さなくてもよい分岐を有することのあるシクロアルキル基が含まれ、例えば、シクロペンチル基、２−メチルシクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロヘプチル基などが挙げられる。一方、前記一般式（２５）および（２６）において、Ａｒとしての置換基を有しても有さなくてもよいアリール基としては、置換または非置換のフェニル基またはナフチル基が挙げられる。
【００４９】
なお、前記一般式（２２）〜（２６）において、前記置換基としては、例えば、フッ素原子などのハロゲン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基およびｎ−オクチル基などの炭素原子数１〜８のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロヘプチル基などの炭素原子数５〜７のシクロアルキル基、またはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基およびオクチルオキシ基などの炭素原子数１〜８のアルコキシ基が挙げられる。
【００５０】
前記一般式（２２）で示される第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラブチルアンモニウムハイドロゲンサルフェート、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラエチルアンモニウムｐ−トルエンスルホネート、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルアニリニウム六フッ化アンチモン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルアニリニウム四フッ化ホウ素、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルピリジニウム六フッ化アンチモン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−ベンジルトリフルオロメタンスルホン酸、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（４−メトキシベンジル）ピリジニウム六フッ化アンチモン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−（４−メトキシベンジル）トルイジニウム六フッ化アンチモンなどを挙げることができる。前記一般式（２３）で示されるホスホニウム塩の具体例としては、例えば、エチルトリフェニルホスホニウム六フッ化アンチモン、テトラブチルホスホニウム六フッ化アンチモンなどを挙げることができる。
【００５１】
そして、前記一般式（２４）、（２５）または（２６）で示されるスルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウム四フッ化ホウ素、トリフェニルスルホニウム六フッ化アンチモン、トリフェニルスルホニウム六フッ化砒素、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウム六フッ化砒素、ジフェニル（４−フェニルチオフェニル）スルホニウム六フッ化砒素、アデカオプトンＳＰ−１５０（旭電化工業株式会社製、対イオン：ＰＦ_６　）、アデカオプトンＳＰ−１７０（旭電化工業株式会社製、対イオン：ＳｂＦ_６　）、アデカオプトンＣＰ−６６（旭電化工業株式会社製、対イオン：ＳｂＦ_６　）、アデカオプトンＣＰ−７７（旭電化工業株式会社製、対イオン：ＳｂＦ_６　）、サンエイドＳＩ−６０Ｌ（三新化学工業株式会社製、対イオン：ＳｂＦ_６）、サンエイドＳＩ−８０Ｌ（三新化学工業株式会社製、対イオン：ＳｂＦ_６　）、サンエイドＳＩ−１００Ｌ（三新化学工業株式会社製、対イオン：ＳｂＦ_６　）、サンエイドＳＩ−１５０（三新化学工業株式会社製、対イオン：ＳｂＦ_６　）、ＣＹＲＡＣＵＲＥ　ＵＶＩ−６９７４（ユニオン・カーバイド社製、対イオン：ＳｂＦ_６　）、ＣＹＲＡＣＵＲＥ　ＵＶＩ−６９９０（ユニオン・カーバイド社製、対イオン：ＰＦ_６　）、ＵＶＩ−５０８（ゼネラル・エレクトリック社製）、ＵＶＩ−５０９（ゼネラル・エレクトリック社製）、ＦＣ−５０８（ミネソタ・マイニング・アンド・マニファクチュアリング社製）、ＦＣ−５０９（ミネソタ・マイニング・アンド・マニファクチュアリング社製）、ＣＤ−１０１０（サートマー社製）、ＣＤ−１０１１（サートマー社製）およびＣＩシリーズ（日本曹達株式会社製、対イオン：ＰＦ_６　、ＳｂＦ_６　）などを挙げることができる。
【００５２】
さらに、前記潜在性カチオン重合触媒として、下記一般式（２７）で示されるジアゾニウム塩や下記一般式（２８）で示されるヨードニウム塩も使用することができる。
【００５３】
【化２２】

【００５４】
（ただし、一般式（２７）中、ＡｒおよびＸは、それぞれ、前記一般式（２５）におけるＡｒおよび前記一般式（２２）におけるＸと同じである。）
【００５５】
【化２３】

【００５６】
（ただし、一般式（２８）中、Ｘは、上記一般式（２２）におけるＸと同じであり、Ｒ^５　およびＲ^６　は、互いに同一でも異なっていてもよく、また置換基を有しても有さなくてもよいアリール基である。）
【００５７】
ここで、前記一般式（２７）および（２８）において、Ａｒとしての置換基を有しても有さなくてもよいアリール基、および、Ｘとしての１価の陰イオンの具体例としては前述の通りである。また、Ｒ^５　およびＲ^６　としての置換基を有しても有さなくてもよいアリール基としては、例えば、置換または非置換のフェニル基、ナフチル基またはアントラセン基が挙げられ、特に、フェニル基が好ましい。置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基およびｎ−オクチル基などの炭素原子数１〜８のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロヘプチル基などの炭素原子数５〜７のシクロアルキル基、またはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基およびオクチルオキシ基などの炭素原子数１〜８のアルコキシ基が挙げられる。
【００５８】
前記一般式（２７）で示されるジアゾニウム塩の具体例としては、アメリカン・キャン社製のＡＭＥＲＩＣＵＲＥ（対イオン：ＢＦ_４　）および旭電化工業株式会社製のＵＬＴＲＡＳＥＴ（対イオン：ＢＦ_４　、ＰＦ_６　）などを挙げることができる。また、前記一般式（２８）で示されるヨードニウム塩の具体例としては、ジフェニルヨードニウム六フッ化砒素、ジ−４−クロロフェニルヨードニウム六フッ化砒素、ジ−４−ブロムフェニルヨードニウム六フッ化砒素、フェニル（４−メトキシフェニル）ヨードニウム六フッ化砒素、ゼネラル・エレクトリック社製のＵＶＥシリーズ、ミネソタ・マイニング・アンド・マニファクチュアリング社製のＦＣシリーズ、東芝シリコーン社製のＵＶ−９３１０Ｃ（対イオン：ＳｂＦ_６　）およびローヌプーラン社製のＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４（対イオン：（Ｃ_６　Ｆ_５　）_４　Ｂ）などを挙げることができる。
【００５９】
潜在性カチオン重合性触媒は、（ａ）エポキシ基またはオキセタニル基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマー１００重合部に対して、０．０１〜２０重量部が好ましく、０．１〜１０重量部がより好ましい。潜在性カチオン重合性触媒の使用量が０．０１重量部未満では硬化性が不充分な傾向があり、２０重量部を超えると使用前の保存安定性が低下する傾向がある。
【００６０】
感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層には、必要に応じプラスチック添加剤として、分子量１００００以下の低融点物質を添加してもよい。例えば「プラスチックス配合剤」（遠藤　昭定、須藤　眞編、大成社発行、平成８年１１月３０日発行）記載の可塑剤や、感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層に加熱による流動性やガラス基材との密着性を与えるシラン化合物等が挙げられる。本成分の使用量は、ネガ型組成物中の固形分総量の１〜７０重量％とすることが好ましい。
【００６１】
以上の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を必要に応じ適当な溶剤に溶解ないし分散させ、混合する。混合物の溶解成分は、透明で均一な溶液となるまで十分に混合し、必要によっては常法により濾過され、塗液とする。溶剤は、好ましくは５０〜２５０℃の範囲に沸点を有するものである。そのような溶剤の例として、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ニトロベンゼン等が挙げられる。
【００６２】
感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層の塗布方法としては、ロールコータ塗布、スピンコータ塗布、スプレー塗布、ディップコータ塗布、カーテンフローコータ塗布、ワイヤバーコータ塗布、グラビアコータ塗布、エアナイフコータ塗布等がある。またはベースフィルム等に上記の方法で感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を塗布し、基板に転写する。塗布した感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層の厚みは、０．１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜１００μｍがより好ましく、１〜５０μｍが特に好ましい。塗布する基材としては、ガラス板、クロムやＩＴＯなどの無機化合物を成膜したガラス板、シリコン基板、ポリカーボネート系樹脂フィルム、メタアクリル樹脂シート、ポリエチレンテレフタートフィルム、フッ素系樹脂フィルム、ポリイミドフィルムなどを用いることができる。
【００６３】
塗布した感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層は、４０〜１５０℃で１〜３０分間プリベークする。プリベークした感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層は、パターン形成されたマスクを介して、あるいは、直接描画法で活性エネルギー線を照射される。マスクまたは直接描画パターンは、活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線透過部からなる規則的あるいは不規則的な繰り返しパターンを有し、活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線遮断部、又は活性エネルギー線透過部と活性エネルギー線透過部との距離が、１〜５０μｍが好ましく、５〜２０μｍがより好ましい。パターン形状は、特に限定されないが、例として、円形、楕円形、円輪形、多角形、曲線、直線、あるいは各形の集合形などがある。また、活性エネルギー線量は、０．０１〜１Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、０．０１〜０．５Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。
【００６４】
本発明の活性エネルギー線を発生させるものとして、カーボンアーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、蛍光ランプ、タングステンランプ等が挙げられる。
【００６５】
パターン形成されたマスクを介して、あるいは、直接描画法で活性エネルギー線を照射された感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層の膜厚は、活性エネルギー線を照射されていない部分の膜厚に比べ最終的に増加する。活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程の後、後加熱を行うことが必須であり、活性エネルギー線を照射された部分と照射されない部分との膜厚差を顕著にする。さらに必要に応じ、感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層の凹凸形状保持が必要な箇所すべてを一括して熱硬化や活性エネルギー線照射して、形状を固定する。
【００６６】
本発明の後加熱は、５０℃〜２５０℃で５分〜９０分で行うのが好ましく、１５０℃〜２５０℃で５分〜９０分で行うのがさらに好ましく、２００℃〜２５０℃で３０分〜６０分で行うのが特に好ましい。５０℃未満では表面凹凸形状が発生せず、２５０℃を超える温度では、感エネルギー性ネガ型樹脂組成物が熱分解を起こす傾向がある。また、５分より短い時間では表面凹凸形状が発生せず、９０分を超える時間では、発生した表面凹凸形状が変化しない傾向がある。
本発明では、上記のネガ型樹脂組成物層を形成する工程、活性エネルギー線を照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程により表面に凹凸が形成されたものを得ることができ、その一例を図２に示した。また、ライン状のパターンが形成されたマスクを用いた時に得られる表面凹凸形状をレーザー顕微鏡で測定することで取得された断面の凹凸段差を図３に示した。
【００６７】
本発明では、上記のネガ型樹脂組成物層を形成する工程、活性エネルギー線を照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程により表面に凹凸が形成されたものを得ることができる。この形成された表面凹凸を型として用い、転写原型とすることができる。この場合、元の表面凹凸面と反対の形状となり、その転写原型を用いて転写した表面形状は、元の表面形状を反映し同じ形状のものになる。また、本発明の表面凹凸形成方法で得られたものを転写原型とし、さらに、その転写原型の表面凹凸面を型とする転写原型とすることもできる。この場合、２度転写しているので、最初の表面凹凸と同じ凹凸形状をした転写原型となる。
本発明では、凹凸形成方法を用いて形成したものを光学フィルムとすることができる。また、この光学フィルムに反射膜または半透過反射膜を設けて拡散反射板とすることができる。
この反射膜としては、反射したい波長領域によって材料を適切に選択すれば良く、例えば反射型ＬＣＤ表示装置では、可視光波長領域である３００ｎｍから８００ｎｍにおいて反射率の高い金属、例えばアルミニウムや金、銀等を真空蒸着法またはスパッタリング法等によって形成する。また反射増加膜（光学概論２、辻内順平、朝倉書店、１９７６年発行）を上記の方法で積層してもよい。屈折率差を利用して反射させる場合、金属単体だけでなく、ＩＴＯや五酸化タンタル、酸化チタン等の膜とシリコンやアルミニウム等の酸化膜や窒化膜、酸窒化膜を真空蒸着法またはスパッタリング法等によって積層形成する。反射膜の厚みは、０．０１〜５０μｍが好ましい。また反射膜は、必要な部分だけフォトリソグラフィー法、マスク蒸着法等によりパターン形成してもよい。
【００６８】
本発明では、ベースフィルム上に形成した下塗り層からなる被転写層に、上記の転写原型を押当てることで表面凹凸形状が転写された転写ベースフィルムとすることができる。そして、この転写ベースフィルムを仮支持体として用い、仮支持体の転写原型を転写した面に薄膜層を形成し、薄膜層の仮支持体に形成されていない面が被転写基板への接着面を構成する転写フィルムとすることができる。本発明で用いるベースフィルムとしては、化学的、熱的に安定であり、シートまたは板状に成形できるものを用いることができる。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のポリハロゲン化ビニル類、セルロースアセテート、ニトロセルロース、セロハン等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエステル、あるいはアルミニウム、銅等の金属類等である。これらの中で特に好ましいのは寸法安定性に優れた２軸延伸ポリエチレンテレフタレートである。
【００６９】
本発明で用いる薄膜層としては、仮支持体上に塗布しフィルム状に巻き取ることが可能な樹脂組成物を用いる。また、この中に必要に応じて、染料、有機顔料、無機顔料、粉体及びその複合物を単独または混合して用いてもよい。薄膜層には光硬化性樹脂組成物を用いることができる。薄膜層の軟化温度は特に制限されないが、２００℃以下であることが望ましい。また加熱による流動性を得るために分子量１００００以下の低融点物質を添加することができる。
【００７０】
そのようなものの中で、基板に対する密着性が良好で、ベースフィルムからの剥離性がよいものを用いるのが好ましい。たとえば光硬化性樹脂組成物に含まれる有機重合体としては、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のポリハロゲン化ビニル類、セルロースアセテート、ニトロセルロース、セロハン等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエステル等を用いることができる。ＴＦＴ液晶表示装置に用いる場合は基板に形成されたＴＦＴとのコンタクトホールを形成するためにその部分の薄膜層を除けるように、アルカリ等で現像可能な感光性樹脂を用いることもできる。また耐熱性、耐溶剤性、形状安定性を向上させるために、熱によって硬化可能な樹脂組成物を用いることもできる。さらに、カップリング剤、接着性付与剤を添加することで基板との密着を向上させることもできる。接着を向上させる目的で基板または薄膜層の接着面に接着性付与剤を塗布することもできる。
【００７１】
薄膜層の加熱による流動性を得るために分子量１００００以下の低融点物質を添加する。例えば「プラスチックス配合剤」（遠藤　昭定、須藤　眞編、大成社発行、平成８年１１月３０日発行）記載の可塑剤や、エチレン性二重結合を分子内に少なくとも１つ以上有するモノマーを添加する。本成分の使用量は、感光性組成物中の固形分総量の１〜７０重量％とすることが好ましい。
【００７２】
例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ヘキサメチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、レゾルシノールジアクリレート、ｐ，ｐ’−ジヒドロキシジフェニルジアクリレート、スピログリコールジアクリレート、シクロヘキサンジメチロールジアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレングリコール化ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、及び上記のアクリレートに対応するメタクリレート化合物、メチレンビスアクリルアミド、ウレタン系ジアクリレート等の多官能モノマーが挙げられる。また、ＥＣＨ変性フタル酸ジアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリブロモフェニルアクリレート、エチレンオキサイド変性トリブロモフェノールアクリレート，エチレンオキサイド変性テトラブロモビスフェノールジメタクリレートなどの２５℃で固体または粘度が１００Ｐａ・ｓ（１０万ｃｓｐ）以上であるモノマー及びオリゴマーを用いてもよい。さらに「感光材料リストブック」（フォトポリマー懇話会編、ぶんしん出版発行、１９９６年３月３１日発行）記載のものから選ばれるのが好ましい。
【００７３】
また、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、アルキルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、モノ（２−メタクリロイルオキシエチル）アシッドホスフェート、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級化物等の単官能モノマーが挙げられる。これらの成分は単独または２種以上を混合して用いることもできる。
【００７４】
光硬化性樹脂組成物の光開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、ベンジル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノ−１−プロパン、ｔ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２，３−ジクロロアントラキノン、３−クロル−２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、１，２−ベンゾアントラキノン、１，４−ジメチルアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等が挙げられる。これらの光開始剤は単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。本成分の使用量は、感光性組成物中の固形分総量の０．０１〜２５重量％とすることが好ましく、１〜２０重量％であることがより好ましい。
【００７５】
ベースフィルム上に形成する下塗り層としては、凹凸形成後は薄膜層よりも硬いものが好ましい。例えばポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン、エチレンと酢酸ビニル、エチレンとアクリル酸エステル、エチレンとビニルアルコールのようなエチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合体、塩化ビニルとビニルアルコールの共重合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、スチレンと（メタ）アクリル酸エステルのようなスチレン共重合体、ポリビニルトルエン、ビニルトルエンと（メタ）アクリル酸エステルのようなビニルトルエン共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸ブチルと酢酸ビニルのような（メタ）アクリル酸エステルの共重合体、合成ゴム、セルロース誘導体等から選ばれた、少なくとも１種類以上の有機高分子を用いることができる。凹凸形成後硬化させるために必要に応じて光開始剤やエチレン性二重結合を有するモノマー等を添加することができる。ネガ型、ポジ型の感光タイプであっても問題はない。
【００７６】
薄膜層や下塗り層の塗布方法としては、ロールコータ塗布、スピンコータ塗布、スプレー塗布、ディップコータ塗布、カーテンフローコータ塗布、ワイヤバーコータ塗布、グラビアコータ塗布、エアナイフコータ塗布等がある。仮支持体上等に上記の方法で薄膜層または下塗り層組成物を塗布する。
【００７７】
薄膜層の基板に転写される面の保護フィルムであるカバーフィルムとしては、化学的および熱的に安定で、薄膜層との剥離が容易であるものが望ましい。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリビニルアルコール等の薄いシート状のもので表面の平滑性が高いものが好ましい。剥離性を付与するために表面に離型処理をしたものも含まれる。
【００７８】
図６に示したような転写原型をベースフィルムと下塗り層からなる被転写フィルムに押し当てることにより形状が転写された転写ベースフィルムを仮支持体として用い、仮支持体の転写原型を転写した面に薄膜層を積層し（図６では薄膜層の保護のためカバーフィルムを積層している）、薄膜層の仮支持体に積層されていない面が被転写基板への接着面を構成する転写フィルム上の薄膜層を基板に転写する方法としては、図７に示したようにカバーフィルムを剥がし、ガラス基板上に加熱圧着すること等が挙げられる。さらに密着性を必要とする場合には基板を必要な薬液等で洗浄したり、基板に接着付与剤を塗布したり、基板に紫外線等を照射する等の方法を用いてもよい。薄膜層を転写する装置としては基板を加熱、加圧可能なゴムロールとベースフィルムとの間に挟み、ロールを回転させて、薄膜層を基板に押し当てながら基板を送りだすロールラミネータを用いることが好ましい。
このようにして基板表面に形成した薄膜層の膜厚は、０．１μｍ〜５０μｍの範囲が好ましい。このとき凹凸形状の最大高低差より薄膜層の膜厚が厚い方が凹凸形状を再現しやすい。膜厚が等しいあるいは薄いと原型凸部で薄膜層を突き破ってしまい、不必要な平面部が発生し反射効率の良好な拡散反射板を得にくくなる。
【００７９】
光を拡散し得る形状を保持するためには、薄膜層を露光し、感光、硬化させる。露光機としては、カーボンアーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、蛍光ランプ、タングステンランプ等が挙げられる。
露光は仮支持体を剥がす前、または剥がした後に行う。
露光後、温風加熱炉、または赤外線加熱炉、ホットプレート等で加熱を行う場合がある。
【００８０】
以上では図５に示す様な反射型液晶ディスプレイで説明したが、本発明の拡散反射板は外部光線を拡散反射させることが必要な表示デバイスに用いることが出来る。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
【００８１】
【実施例】
（実施例１）
エポキシ基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーとしてダイセル化学工業株式会社製のセロキサイド３５ｇ、カチオン重合性触媒を形成する潜在性カチオン重合性触媒として三新化学工業株式会社製サンエイドＳＩ−１００Ｌ（ＩＶ）２ｇおよびエチルメチルケトンを混合し、感エネルギー性ネガ型樹脂組成物の塗液を得た。これを図１に示すように、厚さ２０μｍのポリイミドフィルム上にロールコート法で塗布し、ホットプレート上８０℃で１分間加熱し、膜厚５μｍの感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を得た。この上に紫外線透過部と紫外線遮光部の境界線が不規則的な曲線でパターニングされたマスクを置き、マスク面垂直上方より０．２Ｊ／ｃｍ^２の紫外線を照射した後、２００℃で６０分間の加熱により硬化し、図２に示す表面凹凸形状を有する光学フィルムを得た。断面凹凸形状の段差は０．２２μｍであった。
【００８２】
（実施例２）
実施例１に記載の凹凸表面上に、真空蒸着法で、アルミニウム薄膜を０．１μｍの膜厚になるよう積層した反射層を形成し、拡散反射板を得た（図１）。
【００８３】
図４には本実施例による拡散反射板の真正面への反射強度（標準白色板に対する相対強度）の入射角度依存性を示す。−１５°〜１５°の入射角度範囲において、反射強度３を超える優れた拡散反射板を簡便に得ることができた。
【００８４】
（比較例１）
実施例１に記載の感エネルギー性ネガ型樹脂組成物の塗液を厚さ２０μｍのポリイミドフィルム上にロールコート法で塗布し、ホットプレート上８０℃で１分間加熱し、膜厚５μｍの感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を得た。この上に紫外線透過部と紫外線遮光部の境界線が不規則的な曲線でパターニングされたマスクを置き、マスク面垂直上方より０．２Ｊ／ｃｍ^２の紫外線を照射した後、室温（２５℃）で１時間放置したところ、感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層の表面に表面凹凸段差が観測されなかった。
【００８５】
【発明の効果】
本発明により、エッチング操作を行うことなく簡便にかつ安価に樹脂表面凹凸形状を形成できる方法及びそれを用いた光学フィルム、拡散反射板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の拡散反射板の製造の例を示す断面図。
【図２】実施例１の転写原型の表面凹凸形状の顕微鏡写真。
【図３】ライン状のパターンが形成されたマスクを用いた時に得られる表面凹凸形状をレーザー顕微鏡で測定することで取得された断面の凹凸段差を示す図。
【図４】実施例２の拡散反射板の反射光量の出射角依存性を示す図。
【図５】反射型液晶ディスプレイの一例を示す断面図。
【図６】本発明の転写フィルムの一例を示す断面図。
【図７】本発明の拡散反射板の製造例を示す断面図。
【符号の説明】
１．感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層
２．ポリイミドフィルム
３．反射膜
４．フォトマスク
５．カラーフィルタ
６．ブラックマトリクス
７．透明電極
８．平坦化膜
９．配向膜
１０．液晶層
１１．スペーサ
１２．位相差フィルム
１３．偏光板
１４．カバーフィルム
１５．薄膜層
１６．下塗り層
１７．ベースフィルム
１８．熱圧着ゴムロール
１９．ガラス基板
２０．反射膜

Claims (19)

1. 少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。
2. 少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、活性エネルギー線によりパターンを直接描画する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。
3. 感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層が、
   （ａ）エポキシ基またはオキセタニル基を少なくとも一つ以上有する一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマー、
   （ｂ）活性エネルギー線の照射によりカチオン重合性触媒を形成する潜在性カチオン重合性触媒を含む請求項１または請求項２に記載の表面凹凸形成方法。
4. パターンが、活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線透過部からなる規則的あるいは不規則的な繰り返しパターンを有し、活性エネルギー線遮断部と活性エネルギー線遮断部又は活性エネルギー線透過部と活性エネルギー線透過部との距離が、１〜５０μｍである請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の表面凹凸形成方法。
5. 後加熱が、５０〜２５０℃の加熱である請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の表面凹凸形成方法。
6. 活性エネルギー線が紫外光線である請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の表面凹凸形成方法。
7. 請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の表面凹凸形成方法を用いて形成される光学フィルム。
8. 請求項７に記載の光学フィルムに反射膜または半透過反射膜を設けた拡散反射板。
9. 請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の表面凹凸形成方法を用いて作製した表面凹凸面を型とする転写原型。
10. 請求項９の転写原型を用いて作製した表面凹凸面を型とする転写原型。
11. ベースフィルム上に形成した下塗り層からなる被転写層に、請求項９または請求項１０に記載の転写原型を押当てることで表面凹凸形状が転写された転写ベースフィルム。
12. 請求項１１に記載の転写ベースフィルムを仮支持体として用い、仮支持体の転写原型を転写した面に薄膜層を形成し、薄膜層の仮支持体に形成されていない面が被転写基板への接着面を構成する転写フィルム。
13. 請求項１２に記載の転写フィルムにおいて、仮支持体と薄膜層の間に反射膜あるいは半透過反射膜が形成された転写フィルム。
14. 請求項１２に記載の転写フィルムを被転写基板に薄膜層が面するように押し当てる工程と、前記仮支持体を剥がす工程と、薄膜層の転写された表面に反射膜あるいは半透過反射膜を形成する工程により拡散反射板を作製する拡散反射板の製造方法。
15. 請求項１１に記載の転写ベースフィルムを基板上に形成された薄膜層に、転写された面が面するように押し当てる工程と、前記転写ベースフィルムを剥がす工程と、表面に反射膜あるいは半透過反射膜を形成する工程を含む拡散反射板の製造方法。
16. 請求項１３に記載の転写フィルムを被転写基板に薄膜層が面するように押し当てる工程と、前記仮支持体を剥がす工程を含む拡散反射板の製造方法。
17. 請求項１４ないし請求項１６のいずれかに記載の拡散反射板の製造方法により得られた拡散反射板。
18. 請求項１１に記載の転写ベースフィルムの転写原型を転写した面に反射膜あるいは半透過反射膜を設けた拡散反射板。
19. 請求項８、１７、１８のいずれかに記載の拡散反射板を反射型液晶ディスプレイに用いたことを特徴とする反射型液晶ディスプレイ用拡散反射板。

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