JP2004059983A - 酸化物超電導導体の製造方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】均質な酸化物超電導導体薄膜を具備した、長尺物の酸化物超電導導体を得るための方法と装置を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体の製造方法は、基材に電流を流して基材を加熱しながらターゲットから発生した粒子を堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法とした。基材に電流を流すためには、基材を送出する装置と巻き取る装置の回転軸に電流接続端子を設け、回転軸にブラシを摺動させて電流を供給する装置を利用することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体の製造方法は、基材に電流を流して基材を加熱しながらターゲットから発生した粒子を堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法とした。基材に電流を流すためには、基材を送出する装置と巻き取る装置の回転軸に電流接続端子を設け、回転軸にブラシを摺動させて電流を供給する装置を利用することができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、酸化物超電導線材等の長尺の酸化物超電導導体をスパッタリング、レーザ蒸着等の物理蒸着法を用いて作製する方法の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、酸化物系の超電導体を製造する方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、レーザー蒸着法、MBE法(分子線エピタキシー法)、CVD法(化学気相成長法)、IVD法(イオン気相成長法)などの成膜法が知られているが、これらの各種の成膜法において、均質で超電導特性の良好な酸化物超電導薄膜を製造できる方法として、真空成膜プロセスを用い、ターゲットから発生させた粒子を対向基板上に堆積させるレーザー蒸着法が主として用いられている。
【0003】
図4に代表的なレーザー蒸着方式の酸化物超電導導体製造装置の一例を示した。図中40は処理容器を示し、この処理容器40の内部の蒸着処理室40aの底部側には長尺のテープ状の基材47が、その上方側にはターゲットホルダー44に固定されたターゲット45が各々設けられ、基材47とターゲット45の間にフィルター板43が設けられている。一方、処理容器40の外部に設けられたレーザー発振器51を備えていて、反射ミラー52,54と集光レンズ53を介してレーザービームを窓55を通してターゲット45に照射する。これによってターゲット45からターゲットの構成粒子が叩き出されるかえぐり出され、基材47上に粒子が順次堆積して酸化物超電導薄膜が形成される。前記ターゲット45は酸化物超電導体、あるいは酸化物超電導体と近似組成の複合酸化物からなるものである。
【0004】
このようなレーザー蒸着装置では、一般にガスレーザー発振器が使用される。ガスレーザーとしては励起状態の原子又は分子と、基底状態の原子又は分子が結合した2量体を使用したエキシマーレーザーが利用できる。ガスレーザーは簡単な装置で高出力のレーザー発振が容易に得られる利点がある。たとえば、エキシマーレーザーはKrF、XeClあるいはArF等の希ガス2量体の混合気体中の放電やイオン照射によって生じる励起状態のエキシマーの誘導放出によって、パルス発振することを利用したものである。エキシマーレーザーでは、たとえば波長;190〜250nm、パルス幅;数ns、尖頭出力;数MW以上で高い繰り返し周波数で得られ、平均出力も大きい利点を有するので、産業用に広く利用されている。
前記フィルター板43に形成した窓孔43aによって、ターゲット45から発生して放射状に広がりつつ飛来する粒子(プルーム)のうち、一区画の粒子のみを基材47上に堆積させることができるので、長さ方向に整った均一組成の酸化物超電導薄膜を有する、長尺の酸化物超電導導体薄膜が形成される。そしてこの薄膜を熱処理することで酸化物超電導薄膜を得ることができる。
【0005】
このようなレーザー蒸着装置では、レーザー蒸着する際に加熱ヒータ46を作動させて基材47を間接加熱して500〜800℃に熱する。この他にも酸化物超電導膜性膜における加熱方法としては、CVD法などで用いられるhot−wallタイプ(反応管全体を外部加熱する方式)や、接触加熱、ランプ加熱等が知られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、hot−wallタイプでは雰囲気全体を加熱するため両面成膜できる点では有利であるが、成膜時に管内が蒸着粒子により汚染されるために温度が安定し難い欠点がある。ランプ加熱でもランプヒーターの輻射熱放射窓が蒸着粒子により汚れるため、長時間安定した成膜が得られない欠点がある。さらに、接触加熱方式では、温度安定性は良いが片面成膜しかできない欠点がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するため、基材に電流を流して直接加熱する加熱方式を採用した。すなわち、本発明の酸化物超電導導体の製造方法は、蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体、または酸化物超電導体と同等の組成あるいは成膜中に逃避し易い成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体からなるターゲットから発生させた粒子を、ターゲットの近傍を移動中の基材上に連続的に堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法において、基材に電流を流して基材を加熱しながらターゲットから発生した粒子を堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法を採用した。
この方法を採用すれば、自己発熱による加熱のため長時間にわたって安定した温度制御が可能となる。また、非接触加熱のため両面に酸化物超電導導体を形成することが可能となる。
【0008】
本発明の酸化物超電導導体の製造方法では、前記基材としてはハステロイを使用するのが好ましい。ハステロイは比抵抗が比較的高いので基材がヒーター線の役割を果たし、基材を高温に加熱することが容易となる。
【0009】
上記のような製造方法を採用するための酸化物超電導導体の製造装置として、本発明の酸化物超電導導体の製造装置は、酸化物超電導体または複合酸化物の焼結体からなるターゲットと長尺の基材を配置した蒸着処理室を具備し、レーザービームを前記ターゲットに照射して長尺の基材上に連続して酸化物超電導体層を形成する酸化物超電導導体の製造装置であって、長尺の基材を移動させる送出装置と巻取り装置を具備し、該送出装置と巻取り装置を介して長尺の基材に電流を印加することが可能なように構成した酸化物超電導導体の製造装置を採用した。この装置によれば、基材に電流を通して直接加熱するので基材の温度管理が正確かつ容易となり、また、基材両面に付帯設備がないので両面同時に酸化物超電導導体を形成することが可能となる。
【0010】
本発明の酸化物超電導導体の製造装置では、前記送出装置と巻取り装置のボビンに電流接続端子を具備した装置を利用することができる。また、前記送出装置と巻取り装置のボビンの回転軸を、前記電流接続端子と電気的に接続したものとする。そして、前記送出装置と巻取り装置のボビンの回転軸は、絶縁物を介してモーターシャフトに連結しておく。
酸化物超電導導体の製造装置をこのように構成することにより、長尺の基材のうち超電導導体層を形成する部分のみを最適温度に制御することが容易となり、長尺の基材に連続して均質な酸化物超電導導体層を形成することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。
図1は、本発明で使用する酸化物超電導導体の製造装置の一例につき、その構成を説明する図である。図1に示す酸化物超電導導体の製造装置では、長尺の基材1が送出装置12から巻取り装置13へ移動する間に、基材1の両面からレーザー蒸着により酸化物超電導体層を形成している。図1に示す例では2基のレーザー発振器11,21を使用し、レーザービーム15,25をターゲット16,26に照射して、これによってターゲット16,26から叩き出されるかえぐり出されたプルーム17,27を基材1の表面に当て、ターゲット構成粒子を基材1上に順次堆積させて酸化物超電導薄層を形成する。
【0012】
前記ターゲット16,26は酸化物超電導体、あるいは酸化物超電導体と近似組成の複合酸化物からなるものである。
ターゲット材料としては、例えば、Y1Ba2Cu3O7−x、Sm1Ba2Cu3O7−x、Nd1Ba2Cu3O7−xなどで示される組成をもつレアアース系酸化物超電導材料のうちから選択された一種以上のものが用いられ、特に、Y1Ba2Cu3O7−xのY系酸化物超電導材料が好んで用いられる。
【0013】
送出装置12及び巻取り装置13のボビンに電流接続端子34,34を取り付け、導線19を介して電源18と電気的に接続してある。このような装置を使用して、送出装置12及び巻取り装置13から基材1に対して電流を印加し、基材1の抵抗を利用して基材1自身を自己加熱し、基材1を500℃〜800℃、好ましくは600℃〜700℃に加熱してレーザー蒸着する。
なお、基材1の送出装置12及び巻取り装置13並びにターゲット16,26は処理容器中に収容されるが、図では処理容器は省略してある。
【0014】
基材1はハステロイやステンレス等の高張力のテープ状の金属薄帯を使用する。基材として高張力の金属薄帯を使用すれば、磁場発生時において超電導導線に加わる強大な電磁力にも耐える強度を有する超電導導体を得ることができる。
特にハステロイを使用すれば比抵抗が約102 μΩ・cm程度と比較的高いので、基材自身がヒーター線の役割を果たし、基材を高温に加熱することが容易となるので好ましい。
【0015】
図2は、送出装置12又は巻取り装置13の構造の一例を示す斜視図である。送出装置12又は巻取り装置13は、2枚のリール31,32によってボビン36が挟持されており、ボビン36にテープ状の基材が巻き付けられ、長尺の基材が送出装置12から巻取り装置13へ順次移送されるようになっている。
送出装置12又は巻取り装置13の中心部には銅リング33が取り付けられており、銅リング33には銅板からなる電流接続端子34が接続されている。そして銅リング33及び電流接続端子34は、絶縁材35を介してボビン36に固定されている。
【0016】
電流接続端子34に電流を印加する方法には特に制限はないが、一例を図3に示す。図3は図2に示す送出装置12又は巻取り装置13のシャフトを通る断面図を示す。図3の例では、モーター(M)のシャフト23と送出装置又は巻取り装置の回転軸28とが絶縁体からなるカップリング22によって連結されている。図中24はカップリング22を固定するボルトである。また、回転軸28には2枚のリール31,32が嵌められており、リール31,32の間のボビン36にテープ状の基材1が巻き取られている。
そして回転軸28にはブラシ20が摺動可能に取り付けられており、導線19を通じて電流が印加される。
このような構造により、レーザー蒸着工程中わたって安定して基材1に制御された電流を印加することにより、基材の温度を最適に保ち、均質なレーザー蒸着粒子を形成して、高特性な超電導体とすることを可能にしている。
【0017】
【実施例】
以下実施例を用いて説明する。
基材として厚さ0.1mmのハステロイテープを使用し、基材の両面にIBAD法によりGd2Zr2O5中間層を形成した。次いで長さ10mのテープ状基材 の両端末の中間層を剥ぎ取ってハステロイ基材を露出させ、この基材を図1に示す構造の装置の送出装置に巻き付け、他端を巻取り装置に装填した。図1に示す構造の装置の電流接続端子34,34間に1〜50アンペア(A)の制御された交流電流を流し、基板温度を750℃に維持した。そして2基のレーザー発振器からレーザービームをYBCO(Y1Ba2Cu3O7−x)ターゲットに照射し、厚さ1μmのYBCO膜を形成した。熱処理後そのYBCO膜のIc(77K)を測定した結果、10mの全長にわたってIc=200A、Jc=1MA/cm2の均質な長尺超電導導体が得られていた。
【0018】
【発明の効果】
本発明によれば、基材の自己発熱により加熱されるので、基材温度を最適条件に制御するのが容易となり、長尺の基材全域にわたって均質で高Icの酸化物超電導体が形成できる。
本実施例ではテープ状基材の両面に酸化物超電導体を形成する例について説明したが、片面のみに酸化物超電導体を形成する場合にも適用できる。さらに、本実施例ではレーザー蒸着の例について説明したが、真空蒸着法、スパッタリング法、MBE法(分子線エピタキシー法)、CVD法(化学気相成長法)、IVD法(イオン気相成長法)などの成膜法にも適用できるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で使用する酸化物超電導導体の製造装置の一例の構成を説明する図である。
【図2】本発明で使用する酸化物超電導導体の製造装置の、送出装置12又は巻取り装置13の構造の一例を示す斜視図である。
【図3】図2に示す送出装置12又は巻取り装置13のシャフトを通る断面図を示す。
【図4】従来の酸化物超電導導体製造装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
1・・・・・基材、11,21・・・・・レーザー発振器、10・・・・・超電導導体製造装置、12・・・・・送出装置、13・・・・・巻取り装置、16,26・・・・・ターゲット、 20・・・・・ブラシ、22・・・・・カップリング、31,32・・・・・リール、33・・・・・銅リング、34・・・・・電流接続端子、35・・・・・絶縁材、36・・・・・ボビン、38・・・・・ターゲット、47・・・・・基材、51・・・・・レーザー発振器、52,54・・・・・反射ミラー、53・・・・・集光レンズ、46・・・・・加熱ヒーター
【発明の属する技術分野】
この発明は、酸化物超電導線材等の長尺の酸化物超電導導体をスパッタリング、レーザ蒸着等の物理蒸着法を用いて作製する方法の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、酸化物系の超電導体を製造する方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、レーザー蒸着法、MBE法(分子線エピタキシー法)、CVD法(化学気相成長法)、IVD法(イオン気相成長法)などの成膜法が知られているが、これらの各種の成膜法において、均質で超電導特性の良好な酸化物超電導薄膜を製造できる方法として、真空成膜プロセスを用い、ターゲットから発生させた粒子を対向基板上に堆積させるレーザー蒸着法が主として用いられている。
【0003】
図4に代表的なレーザー蒸着方式の酸化物超電導導体製造装置の一例を示した。図中40は処理容器を示し、この処理容器40の内部の蒸着処理室40aの底部側には長尺のテープ状の基材47が、その上方側にはターゲットホルダー44に固定されたターゲット45が各々設けられ、基材47とターゲット45の間にフィルター板43が設けられている。一方、処理容器40の外部に設けられたレーザー発振器51を備えていて、反射ミラー52,54と集光レンズ53を介してレーザービームを窓55を通してターゲット45に照射する。これによってターゲット45からターゲットの構成粒子が叩き出されるかえぐり出され、基材47上に粒子が順次堆積して酸化物超電導薄膜が形成される。前記ターゲット45は酸化物超電導体、あるいは酸化物超電導体と近似組成の複合酸化物からなるものである。
【0004】
このようなレーザー蒸着装置では、一般にガスレーザー発振器が使用される。ガスレーザーとしては励起状態の原子又は分子と、基底状態の原子又は分子が結合した2量体を使用したエキシマーレーザーが利用できる。ガスレーザーは簡単な装置で高出力のレーザー発振が容易に得られる利点がある。たとえば、エキシマーレーザーはKrF、XeClあるいはArF等の希ガス2量体の混合気体中の放電やイオン照射によって生じる励起状態のエキシマーの誘導放出によって、パルス発振することを利用したものである。エキシマーレーザーでは、たとえば波長;190〜250nm、パルス幅;数ns、尖頭出力;数MW以上で高い繰り返し周波数で得られ、平均出力も大きい利点を有するので、産業用に広く利用されている。
前記フィルター板43に形成した窓孔43aによって、ターゲット45から発生して放射状に広がりつつ飛来する粒子(プルーム)のうち、一区画の粒子のみを基材47上に堆積させることができるので、長さ方向に整った均一組成の酸化物超電導薄膜を有する、長尺の酸化物超電導導体薄膜が形成される。そしてこの薄膜を熱処理することで酸化物超電導薄膜を得ることができる。
【0005】
このようなレーザー蒸着装置では、レーザー蒸着する際に加熱ヒータ46を作動させて基材47を間接加熱して500〜800℃に熱する。この他にも酸化物超電導膜性膜における加熱方法としては、CVD法などで用いられるhot−wallタイプ(反応管全体を外部加熱する方式)や、接触加熱、ランプ加熱等が知られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、hot−wallタイプでは雰囲気全体を加熱するため両面成膜できる点では有利であるが、成膜時に管内が蒸着粒子により汚染されるために温度が安定し難い欠点がある。ランプ加熱でもランプヒーターの輻射熱放射窓が蒸着粒子により汚れるため、長時間安定した成膜が得られない欠点がある。さらに、接触加熱方式では、温度安定性は良いが片面成膜しかできない欠点がある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するため、基材に電流を流して直接加熱する加熱方式を採用した。すなわち、本発明の酸化物超電導導体の製造方法は、蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体、または酸化物超電導体と同等の組成あるいは成膜中に逃避し易い成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体からなるターゲットから発生させた粒子を、ターゲットの近傍を移動中の基材上に連続的に堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法において、基材に電流を流して基材を加熱しながらターゲットから発生した粒子を堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法を採用した。
この方法を採用すれば、自己発熱による加熱のため長時間にわたって安定した温度制御が可能となる。また、非接触加熱のため両面に酸化物超電導導体を形成することが可能となる。
【0008】
本発明の酸化物超電導導体の製造方法では、前記基材としてはハステロイを使用するのが好ましい。ハステロイは比抵抗が比較的高いので基材がヒーター線の役割を果たし、基材を高温に加熱することが容易となる。
【0009】
上記のような製造方法を採用するための酸化物超電導導体の製造装置として、本発明の酸化物超電導導体の製造装置は、酸化物超電導体または複合酸化物の焼結体からなるターゲットと長尺の基材を配置した蒸着処理室を具備し、レーザービームを前記ターゲットに照射して長尺の基材上に連続して酸化物超電導体層を形成する酸化物超電導導体の製造装置であって、長尺の基材を移動させる送出装置と巻取り装置を具備し、該送出装置と巻取り装置を介して長尺の基材に電流を印加することが可能なように構成した酸化物超電導導体の製造装置を採用した。この装置によれば、基材に電流を通して直接加熱するので基材の温度管理が正確かつ容易となり、また、基材両面に付帯設備がないので両面同時に酸化物超電導導体を形成することが可能となる。
【0010】
本発明の酸化物超電導導体の製造装置では、前記送出装置と巻取り装置のボビンに電流接続端子を具備した装置を利用することができる。また、前記送出装置と巻取り装置のボビンの回転軸を、前記電流接続端子と電気的に接続したものとする。そして、前記送出装置と巻取り装置のボビンの回転軸は、絶縁物を介してモーターシャフトに連結しておく。
酸化物超電導導体の製造装置をこのように構成することにより、長尺の基材のうち超電導導体層を形成する部分のみを最適温度に制御することが容易となり、長尺の基材に連続して均質な酸化物超電導導体層を形成することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。
図1は、本発明で使用する酸化物超電導導体の製造装置の一例につき、その構成を説明する図である。図1に示す酸化物超電導導体の製造装置では、長尺の基材1が送出装置12から巻取り装置13へ移動する間に、基材1の両面からレーザー蒸着により酸化物超電導体層を形成している。図1に示す例では2基のレーザー発振器11,21を使用し、レーザービーム15,25をターゲット16,26に照射して、これによってターゲット16,26から叩き出されるかえぐり出されたプルーム17,27を基材1の表面に当て、ターゲット構成粒子を基材1上に順次堆積させて酸化物超電導薄層を形成する。
【0012】
前記ターゲット16,26は酸化物超電導体、あるいは酸化物超電導体と近似組成の複合酸化物からなるものである。
ターゲット材料としては、例えば、Y1Ba2Cu3O7−x、Sm1Ba2Cu3O7−x、Nd1Ba2Cu3O7−xなどで示される組成をもつレアアース系酸化物超電導材料のうちから選択された一種以上のものが用いられ、特に、Y1Ba2Cu3O7−xのY系酸化物超電導材料が好んで用いられる。
【0013】
送出装置12及び巻取り装置13のボビンに電流接続端子34,34を取り付け、導線19を介して電源18と電気的に接続してある。このような装置を使用して、送出装置12及び巻取り装置13から基材1に対して電流を印加し、基材1の抵抗を利用して基材1自身を自己加熱し、基材1を500℃〜800℃、好ましくは600℃〜700℃に加熱してレーザー蒸着する。
なお、基材1の送出装置12及び巻取り装置13並びにターゲット16,26は処理容器中に収容されるが、図では処理容器は省略してある。
【0014】
基材1はハステロイやステンレス等の高張力のテープ状の金属薄帯を使用する。基材として高張力の金属薄帯を使用すれば、磁場発生時において超電導導線に加わる強大な電磁力にも耐える強度を有する超電導導体を得ることができる。
特にハステロイを使用すれば比抵抗が約102 μΩ・cm程度と比較的高いので、基材自身がヒーター線の役割を果たし、基材を高温に加熱することが容易となるので好ましい。
【0015】
図2は、送出装置12又は巻取り装置13の構造の一例を示す斜視図である。送出装置12又は巻取り装置13は、2枚のリール31,32によってボビン36が挟持されており、ボビン36にテープ状の基材が巻き付けられ、長尺の基材が送出装置12から巻取り装置13へ順次移送されるようになっている。
送出装置12又は巻取り装置13の中心部には銅リング33が取り付けられており、銅リング33には銅板からなる電流接続端子34が接続されている。そして銅リング33及び電流接続端子34は、絶縁材35を介してボビン36に固定されている。
【0016】
電流接続端子34に電流を印加する方法には特に制限はないが、一例を図3に示す。図3は図2に示す送出装置12又は巻取り装置13のシャフトを通る断面図を示す。図3の例では、モーター(M)のシャフト23と送出装置又は巻取り装置の回転軸28とが絶縁体からなるカップリング22によって連結されている。図中24はカップリング22を固定するボルトである。また、回転軸28には2枚のリール31,32が嵌められており、リール31,32の間のボビン36にテープ状の基材1が巻き取られている。
そして回転軸28にはブラシ20が摺動可能に取り付けられており、導線19を通じて電流が印加される。
このような構造により、レーザー蒸着工程中わたって安定して基材1に制御された電流を印加することにより、基材の温度を最適に保ち、均質なレーザー蒸着粒子を形成して、高特性な超電導体とすることを可能にしている。
【0017】
【実施例】
以下実施例を用いて説明する。
基材として厚さ0.1mmのハステロイテープを使用し、基材の両面にIBAD法によりGd2Zr2O5中間層を形成した。次いで長さ10mのテープ状基材 の両端末の中間層を剥ぎ取ってハステロイ基材を露出させ、この基材を図1に示す構造の装置の送出装置に巻き付け、他端を巻取り装置に装填した。図1に示す構造の装置の電流接続端子34,34間に1〜50アンペア(A)の制御された交流電流を流し、基板温度を750℃に維持した。そして2基のレーザー発振器からレーザービームをYBCO(Y1Ba2Cu3O7−x)ターゲットに照射し、厚さ1μmのYBCO膜を形成した。熱処理後そのYBCO膜のIc(77K)を測定した結果、10mの全長にわたってIc=200A、Jc=1MA/cm2の均質な長尺超電導導体が得られていた。
【0018】
【発明の効果】
本発明によれば、基材の自己発熱により加熱されるので、基材温度を最適条件に制御するのが容易となり、長尺の基材全域にわたって均質で高Icの酸化物超電導体が形成できる。
本実施例ではテープ状基材の両面に酸化物超電導体を形成する例について説明したが、片面のみに酸化物超電導体を形成する場合にも適用できる。さらに、本実施例ではレーザー蒸着の例について説明したが、真空蒸着法、スパッタリング法、MBE法(分子線エピタキシー法)、CVD法(化学気相成長法)、IVD法(イオン気相成長法)などの成膜法にも適用できるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で使用する酸化物超電導導体の製造装置の一例の構成を説明する図である。
【図2】本発明で使用する酸化物超電導導体の製造装置の、送出装置12又は巻取り装置13の構造の一例を示す斜視図である。
【図3】図2に示す送出装置12又は巻取り装置13のシャフトを通る断面図を示す。
【図4】従来の酸化物超電導導体製造装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
1・・・・・基材、11,21・・・・・レーザー発振器、10・・・・・超電導導体製造装置、12・・・・・送出装置、13・・・・・巻取り装置、16,26・・・・・ターゲット、 20・・・・・ブラシ、22・・・・・カップリング、31,32・・・・・リール、33・・・・・銅リング、34・・・・・電流接続端子、35・・・・・絶縁材、36・・・・・ボビン、38・・・・・ターゲット、47・・・・・基材、51・・・・・レーザー発振器、52,54・・・・・反射ミラー、53・・・・・集光レンズ、46・・・・・加熱ヒーター
Claims (6)
- 蒸着処理室内に設けた酸化物超電導体、または酸化物超電導体と同等の組成あるいは成膜中に逃避し易い成分を多く含有させた複合酸化物の焼結体からなるターゲットから発生させた粒子を、ターゲットの近傍を移動中の基材上に連続的に堆積させて酸化物超電導導体を製造する方法において、基材に電流を流して基材を加熱しながらターゲットから発生した粒子を堆積させることを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
- 前記基材がハステロイであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導導体の製造方法。
- 酸化物超電導体または複合酸化物の焼結体からなるターゲットと長尺の基材を配置した蒸着処理室を具備し、レーザービームを前記ターゲットに照射して長尺の基材上に連続して酸化物超電導体層を形成する酸化物超電導導体の製造装置であって、長尺の基材を移動させる送出装置と巻取り装置を具備し、該送出装置と巻取り装置を介して長尺の基材に電流を印加することが可能なように構成してなることを特徴とする酸化物超電導導体の製造装置。
- 前記送出装置と巻取り装置のボビンに電流接続端子を具備してなることを特徴とする請求項3に記載の酸化物超電導導体の製造装置。
- 前記送出装置と巻取り装置のボビンの回転軸が、前記電流接続端子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の酸化物超電導導体の製造装置。
- 前記送出装置及び巻取り装置のボビンの回転軸が、絶縁物を介してモーターシャフトに連結されていることを特徴とする請求項3に記載の酸化物超電導導体の製造装置。
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JP2002218930A JP2004059983A (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 酸化物超電導導体の製造方法及びその装置 |
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Cited By (2)
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JP2007189228A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | European High Temperature Superconductors Gmbh & Co Kg | 電流調整用の電気デバイス |
CN113421710A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-09-21 | 吕秀昌 | 一种用稀土材料填充的超导等离子体材料棒预处理装置 |
-
2002
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JP2007189228A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | European High Temperature Superconductors Gmbh & Co Kg | 電流調整用の電気デバイス |
CN113421710A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-09-21 | 吕秀昌 | 一种用稀土材料填充的超导等离子体材料棒预处理装置 |
CN113421710B (zh) * | 2021-05-21 | 2023-09-08 | 郭易之 | 一种用稀土材料填充的超导等离子体材料棒预处理装置 |
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