JP2004031795A - Chip type composite part and method of manufacturing the same - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip type composite part where it can be judged whether a resistor layer is formed on its front surface or rear surface, wherein a thermistor and a resistor are formed on the surfaces of a base respectively and connected together in series into the chip type composite part, and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: An internal electrode A2 is formed near the one end of the one surface of an alumina base 1 provided with a viahole 5 at its center, a thermistor layer 3 is formed thereon, and an internal electrode B4 is formed as spreading over the thermistor layer 3 and the center viahole 5. An internal electrode C6 is formed as spreading over the center viahole 5 on the other surface of the alumina base 1 and extending toward the other end of the base 1, a resistor layer 7 is formed so as to cover the internal electrode C6, an internal electrode D8 is formed as spreading over the resistor layer 7 and extending to the other end of the alumina base 1, both the surfaces of the alumina base 1 are covered with protective coats A9 and B10 which are different from each other in color except their ends so as to detect that the resistor layer 7 is formed on the front surface or the rear surface of the alumina base 1, and lastly terminal electrodes A11 and B12 are provided on the ends of the alumina base 1. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁材料で構成した基体の両表面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一定電圧を印加する回路にて、例えばＮＴＣサーミスタを使用した場合、サーミスタを動作状態とするとサーミスタの電流が流れ、どうしても温度上昇が起きる。温度上昇が起きると、サーミスタの特性からサーミスタの抵抗値が減少するため消費電力が増加し、サーミスタ自体の自己発熱により周囲の温度検知を正確に行うことが出来なくなる。
【０００３】
即ち、消費電力（Ｗ）＝｛電圧（Ｖ）｝^２／抵抗値（Ｒ）であり、温度上昇に伴って抵抗値が減少すればサーミスタに印加される電力が増加してしまう。このためますます温度上昇が進むという悪循環を引き起こしてしまう。
【０００４】
従来はこのようなサーミスタに供給される電力の増加を抑えるために直列に抵抗素子を接続して、温度上昇によるサーミスタの抵抗値減少に伴う印加電力の上昇（サーミスタの自己発熟量の上昇）を直列に接続された抵抗に電圧を分圧することにより防ぎ、温度の誤検知を防ぐ方法が取られていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は抵抗素子とサーミスタをそれぞれ個別に用意し、例えば基板上に実装することにより直列接続を実現していた。このため、どうしてもサーミスタと抵抗素子それぞれの実装スペースが必要であり、小型化には限界があった。
【０００６】
小型化のためにひとつのチップにサーミスタと抵抗素子とを搭載するものもあったが、例えば、特開２０００−１２４００８号に記載のように、従来の積層技術ではサーミスタと抵抗素子を並列に接続することが出来るに過ぎなかった。このため、サーミスタと抵抗を直列に接続した複合チップの実現が待たれていた。
【０００７】
さらに、サーミスタと抵抗を直列に接続した複合チップが実現した場合であっても、複合チップの電力消費により発生する発熱効果によりサーミスタの検出結果に誤差の出ることも考えられ、できるだけ発熱効果の影響を減らすことが望ましい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した課題を解決することを目的としてなされたもので、サーミスタと抵抗を１チップで直列に接続した複合チップその製造方法を提供することにより、少ない占有面積でサーミスタ自体の自己発熱があっても周囲の温度検知を正確に行うことが出来るようにすることを目的とする。さらに、実装時に抵抗より発生される熱の影響を最小に抑えることができる複合チップを提供することを目的とする。係る目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として例えば以下の構成を備える。
【０００９】
即ち、絶縁材料で構成した基体の一方端部に配設された第１の外部接続端子と、前記第１の外部接続端子に接続され前記基体の一方面に形成されたサーミスタ素子と、前記基体の他方端部に接続された第２の外部接続端子と、前記第２の外部接続端子に接続され前記基体の他方面に形成された抵抗素子と、前記基体中央部近傍で前記基体を貫通し前記サーミスタ素子と抵抗素子を接続する内部接続電極と、前記基体の一方面の表面を覆うように第１の態様で形成された第１のコート層と、前記基体の他方面の表面を覆うように第２の態様で形成された第２のコート層とを備え、前記コート層の形態の相違により前記基体の一方面と他方面を識別可能に構成したことを特徴とする。
【００１０】
または、絶縁材料で構成した基体の両面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品であって、前記基体の一方面上の一方端部側に形成されたサーミスタ層と、前記基体の他方面上の他方端部側に形成された抵抗体層と、前記基体の一方端部端面から前記サーミスタ層の一方面に形成される第１の電極と、前記基体の他方端部面から前記抵抗体層の一方面に形成される第２の電極と、前記サーミスタ層の他方面から前記基体中央部に形成された第３の電極と、前記抵抗体層の他方面から前記基体中央部に形成された第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極とを互いに接続する前記基体を貫通して形成されたビアホールと、少なくとも前記基体の一方面の前記サーミスタ層及び前記内部電極表面に第１の態様で形成される第１のコート層と、少なくとも前記基体の他方面の前記抵抗体層及び前記内部電極表面に第２の態様で形成される第２のコート層とを備え、前記第１の電極からサーミスタ層、第３の電極、ビアホール、第４の電極、抵抗体層、第２の電極が直列に接続されると共に、前記サーミスタ層形成面と抵抗体層形成面を識別可能であることを特徴とする。
【００１１】
そして例えば、さらに、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ接続された外部接続電極を形成することを特徴とする。
【００１２】
また例えば、前記第１のコート層と第２のコート層は、互いに異なる色に着色されて異なる態様となっていることを特徴とする。
【００１３】
又は、絶縁材料で構成した基体の一方面にサーミスタ素子を形成するサーミスタ素子形成工程と、前記基体の一方端部に前記サーミスタ素子と接続される第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、絶縁材料で構成した基体の他方面に抵抗素子を形成する抵抗素子形成工程と、前記基体の他方端部に前記抵抗素子と接続される第２の外部接続端子を形成する第２の外部接続端子形成工程と、前記基体中央部近傍で前記基体を貫通し前記サーミスタ素子と抵抗素子を接続する内部接続電極を形成する内部接続電極形成工程と、前記基体の一方面の表面を覆うように第１の態様で第１のコート層を形成する第１のコート層形成工程と、前記基体の他方面の表面を覆うように第２の態様で第２のコート層を形成する第２のコート層形成工程とを有し、前記コート層の形態の相違により前記基体の一方面と他方面を識別可能に構成したことを特徴とするチップ型複合部品の製造方法とする。
【００１４】
または、絶縁材料で構成した基体の両面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、前記基体の一方面上の一方端部側にサーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、前記基体の他方面上の他方端部側に抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程と、前記基体の一方端部端面から前記サーミスタ層の一方面に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記基体の他方端部面から前記抵抗体層の一方面に第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、前記サーミスタ層の他方面から前記基体中央部に第３の電極を形成する第３の電極形成工程と、前記抵抗体層の他方面から前記基体中央部に第４の電極を形成する第４の電極形成工程と、前記第３の電極と前記第４の電極とを互いに接続する前記基体を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、少なくとも前記基体の一方面の前記サーミスタ層及び前記内部電極表面に第１の態様で第１のコート層を形成する第１のコート層形成工程と、少なくとも前記基体の他方面の前記抵抗体層及び前記内部電極表面に第２の態様で第２のコート層を形成する第２のコート層形成工程とを有し、前記第１の電極からサーミスタ層、第３の電極、ビアホール、第４の電極、抵抗体層、第２の電極が直列に接続されると共に、前記サーミスタ層形成面と抵抗体層形成面を識別可能であることを特徴とするチップ型複合部品の製造方法とする。
【００１５】
そして例えば、さらに、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ接続された外部接続電極を形成する外部電極形成工程を有する複合チップ型部品の製造方法であることを特徴とする。
【００１６】
また例えば、前記第１のコート層と第２のコート層は、互いに異なる色に着色することにより異なる態様とするチップ型複合部品の製造方法とすることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る一発明の実施の形態例を詳細に説明する。
〔第１の実施の形態例〕
図１は本発明に係る一発明の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図、図２は本実施の形態例の複合チップ基体の一方面における構造を説明するための図、図３は本実施の形態例の複合チップ基体の他方面の構造を説明するための図であり、図１のＡ−Ａが基体の一方面、Ｂ−Ｂが基体の他方面である。なお、図１は図２のＣ−Ｃ面の断面を示している。
【００１８】
本実施の形態例では、アルミナ基体の両表面にサーミスタと抵抗体とを接続し、中間部をビアホールで接続した場合を複合チップの例として説明する。
【００１９】
図において、１は電気絶縁性を有するアルミナ基体であり、アルミナ基体１はアルミナ焼結体により形成されている。本実施の形態例では、複合チップ完成時にほぼ実装面積１．２８ｍｍ^２（１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍサイズの複合チップ）程度に成形する。
【００２０】
２はアルミナ基体１の一方面（図１のＡ−Ａ面）の一方端部端面より中央部にかけて形成された内部電極Ａ、３は内部電極Ａ２の端部を除く全面を覆いアルミナ基体１の中央部にかけて形成されたサーミスタ層である。本実施の形態例のサーミスタ層３はほぼ正方形状に成形している。
【００２１】
４はサーミスタ層３の上面からアルミナ基体１の中央部の配設されているビアホール５にかけて形成された内部電極Ｂ、５はアルミナ基体１のほぼ中央部を貫通して配設されたビアホールであり、導電ペーストがホール内に充填され、内部電極Ｂ４と内部電極Ｃ６とを電気的に接続している。
【００２２】
ビアホール５内への導電材料の充填は、内部電極Ｂ４又は内部電極Ｃ６を形成時に同時に行ってもよく、またスルーホール形状でホール内周のみに導電材料を形成したものであってもよい。本実施の形態例では例えばビアホール５として孔径を１０μｍ〜２００μｍ程度に形成することができる。
【００２３】
６はアルミナ基体１の他方面（図１のＢ−Ｂ面）の抵抗体層上面からアルミナ基体中央ビアホールにかけて延出する内部電極Ｃ、７は内部電極Ｄ８の他方端部を除く全面を覆いアルミナ基体１の中央部にかけて形成された抵抗体層であり、本実施の形態例では抵抗体層７をほぼ正方形状に成形している。
【００２４】
８はアルミナ基体１の他方側端部端面から中央部にかけて形成された内部電極Ｄである。９はアルミナ基体１の一方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面をコートするコート層である保護コートＡ、１０はアルミナ基体１の他方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面をコートするコート層である保護コートＢである。
【００２５】
本実施の形態例においては、以下に示す方法で製造された複合チップのどちらの面にサーミスタ層、あるいは抵抗体層が形成されているかを容易に判別可能とするために、保護コートＡ９と保護コートＢ１０の態様を変えることとしている。
【００２６】
保護コートＡ９、保護コートＢ１０は、ガラスまたは耐熱性の樹脂のなかから任意に選択してスクリーン印刷などにより形成することができ、例えば、ホウ珪酸ガラスを用いたペースト又はエポキシ、ポリイミド系の樹脂を用いることができる。
【００２７】
そこで、本実施の形態例では、態様を替える一方法として、例えば、保護コート材料であるガラスまたは耐熱性の樹脂材料中に保護コートＡ１と保護コートＢ１０とで異なる耐熱性着色剤を混入させる。
【００２８】
用いる色の組み合わせとしては、例えば、緑と赤、黒と黄色、黒と赤など識別し易い色の組み合わせとすることが望ましい。なお、色を異ならせるのではなく、明度を異ならせてもよく、暖色系と寒色系、或いは彩度の大きく異なるものなど、保護コートＡ９と保護コート１０の態様が異なり、容易に識別できるものであれば任意の組み合わせを採用できることはもちろんである。
【００２９】
さらに、一部の形状を異なるものとして識別してもよく、コート層の一部の色を変えて識別可能に構成してもよい。
【００３０】
このようにしてアルミナ基体１上にサーミスタ層３と抵抗体層７を内部電極及びビアホール５により直列に接続した後、アルミナ基体１の両端部を除いて保護コートＡ９、Ｂ１０により表面をコートすることにより経年変化などから防ぐことができる。
【００３１】
のみならず、複合チップの完成状態でいずれの面に抵抗体層（あるいはサーミスタ層）が形成されているかを容易に判別できるため、例えば、実装基板への実装時に、抵抗体層形成面を基板表面に密着させることにより、抵抗体層より発生する熱が基板に有効に拡散し、複合チップ部品の発熱に伴う温度上昇を低く抑えることができ、サーミスタ層の特性を安定したものとできる。
【００３２】
１１及び１２はアルミナ基体１の両端部に形成された端子電極Ａ１１と端子電極Ｂ１２である。端子電極Ａ１１は内部電極Ａ２に接続され、端子電極Ｂ１２は内部電極Ｄ８に接続されている。この結果、図３に示す接続状態となり、サーミスタと抵抗とが直列に接続された１チップ複合部品が実現する。
【００３３】
なお、本実施の形態例で用いるアルミナ基体１は、例えば９６％Ａｌ_２Ｏ_３のアルミナ基板を用い、基板の厚さはチップサイズに合わせて適当な厚さのものを選択することが望ましい。
【００３４】
内部電極Ａ２、Ｂ４、Ｃ６、Ｄ８は、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ，Ｐｔ、Ａｕなどの任意の貴金属をスパッタリング、スクリーン印刷などにより形成できる。例えば、Ａｇ−Ｐｄ−ガラスのメタルグレーズをスクリーン印刷などにより形成することができる。なお、内部電極をＡｕ又はＡｇで形成してもよい。
【００３５】
同じくサーミスタ層３は任意の特性を持つサーミスタペーストをスクリーン印刷などにより形成する。本実施の形態例で用いるサーミスタペーストは、Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｃｕの中より特性に応じて３から４種類選択した複合酸化物を用いる。サーミスタ層３の焼成温度は８５０度Ｃ〜１３００度Ｃとすることができるが、望ましくは１０００度Ｃ以下とする。
【００３６】
焼成温度を低く設定した場合、例えば１０００度Ｃ以下であるような場合には、低温での焼結性を良くして、内部電極Ａ２やアルミナ基体１への密着性の増大を図るため、サーミスタペースト内にガラス材料を添加する。
【００３７】
具体的には、例えば以下の方法で製造する。
【００３８】
▲１▼サーミスタ成分比がＭｎ：３０〜６０ｍｏｌ％、Ｎｉ：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｃｏ：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｆｅ：１０〜３０ｍｏｌ％になる割合の各種金属の酸化物を原料として、溶媒には水又はアルコールを用いて湿式ボールミルにより混合してスラリーを製造する。出発原料として用いる金属酸化物としては、Ｍｎ_３Ｏ_４，ＮｉＯ，Ｃｏ_３０_４，Ｆｅ_２０_３等とすることが望ましい。
【００３９】
▲２▼混合したスラリーを乾燥工程において乾燥させて水分又はアルコールを除去した後、８００度Ｃ〜１０００度Ｃにて仮焼成を行い、原料粉末を作る。
【００４０】
▲３▼仮焼成を行った粉末を湿式ボールミルにより粉砕する。このとき溶媒は水又はアルコールを用いる。
【００４１】
▲４▼得られたスラリーを乾燥工程において乾燥させ、水分又はアルコール成分を除去した後、エチルセルロース、α一テルピネオールを加え３本ロールミルを用いてサーミスタペーストを作成する。
【００４２】
▲５▼ガラスをサーミスタペースト内に加える場合はホウ珪酸ガラス粉末をサーミスタペースト内に添加して３本ロールミルによりペースト化する。
【００４３】
以上のようにしてサーミスタペーストを製造し、このサーミスタペーストをスクリーン印刷でアルミナ基体１に形成することにより、小型でありながら性能のよいサーミスタが製造できる。
【００４４】
また、本実施の形態例の抵抗体層７は、任意の特性を持つ抵抗体ペーストをスクリーン印刷で形成するほか、抵抗体材料をスパッタリングなどにより形成してもよい。ここで用いる抵抗体材料はＲｕＯ_２、ＳｎＯ_２などを用いることができ、抵抗値により任意のものを選択可能である。
【００４５】
抵抗体層７をスクリーン印刷により形成する場合は、抵抗体の粉末をペースト化して用いる。この場合の抵抗体層７の焼成温度は６００度Ｃ〜１０００度Ｃとすることが望ましい。サーミスタ層３と焼成温度を同じとする場合は、サーミスタ層３と抵抗体層７（内部電極Ｂ４、Ｃ６を含む。）を同時焼成により形成してもよい。
【００４６】
端子電極Ａ１１、Ｂ１２は、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ｎｉ／Ｃｒ，Ｃｕなどの任意の導電材料をディッピング又はスパッタリングなどにより形成し、その上にニッケル、半田又はＳｎを電界めっきなどにより形成して半田付け制を確保する。
【００４７】
このようにして製造した複合チップのサーミスタ特性及び抵抗素子の抵抗値特性は、サーミスタ層、抵抗層又は内部電極のレーザートリミングまたは、内部電極・構造（電間距離）により調整が可能である。
【００４８】
次に、以上に構成を説明した複合チップの製造方法を図４乃至図１４を参照して説明する。図４乃至図１４は本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図であり、各製造工程を模式的に表している。
【００４９】
図４は絶縁基板であるアルミナ基体上に内部電極Ａを形成する工程を示し、図５はその上にサーミスタ層を形成する工程を示し、図６は内部電極Ｂを形成する工程を示し、図７はアルミナ基体上に内部電極Ｄを形成する工程を示し、図８は抵抗体層を形成する工程を示し、図９は内部電極Ｃを形成する工程を示し、図１０はアルミナ基体の一方面に保護コートＡを形成する工程を示し、図１１はアルミナ基体の他方面に保護コートＢを形成する工程を示し、図１２は短冊状の列状集合部品形状に切断する工程を示し、図１３はさらに端子電極を形成する工程を示し、図１４は短冊状の集合部品を各個別の複合チップ部品に切断する工程を示している。
【００５０】
まず、図４に示すように、ビアホール１０５が配設された所定大きさのアルミナ焼結体の絶縁基板（以下の説明は１２個の複合チップを製造する場合の例を説明する。）１０１の一方面上に内部電極Ａ１０２を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。
【００５１】
続いて図５に示すように、各内部電極Ａ１０２毎に端部を除く延長部の上面にかけて先の製造方法で製造したサーミスタペースト（例えば、サーミスタ特性を有する粒径数μｍ程度の複合金属酸化物（ＣＯ_２Ｏ_３＋ＮｉＯ＋Ｍｎ_２Ｏ_３）とガラスフリットと有機質ビヒクルとの塗料）を印刷する。
【００５２】
次に、図６に示すように、各サーミスタ層１０３毎にサーミスタ層１０３上面よりアルミナ基板１０１のビアホール位置を完全に覆うように内部電極Ｂ１０４を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。そして、例えば約８５０度Ｃで焼成することにより一方面上に各サーミスタ層１０３を形成する。
【００５３】
ここでアルミナ基体１０１の一方面への形成が終了したため、アルミナ基体１０１を裏返し、以後アルミナ基体１０１の他方面に対する処理を行う。まず図７に示すように、アルミナ基体１０２の他方面上に所定間隔で内部電極Ｄ１０８を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。
【００５４】
続いて図８に示すように各内部電極Ｄ１０７上からビアホール１０５方向にかけて抵抗体ペーストを印刷して各抵抗体層１０７を形成する。
【００５５】
次に、図９に示すように、各抵抗体層１０７上部からアルミナ基板１０１のビアホール位置を完全に覆うように内部電極Ｃ１０６を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。同時にビアホールを電極グレーズで充填する。その後例えば約８５０度Ｃで焼成することにより他方面上に各抵抗体層１０５等を形成する。
【００５６】
なお、サーミスタ層１０３と抵抗体層１０７を同じ温度で焼成する場合には、一方面上へのサーミスタ層１０３などの形成後に焼成するのではなく、最後に一括して焼成してもよい。
【００５７】
なお、ここで、抵抗値或いはサーミスタ特性を調整する必要があるときは、内部電極Ｄ１０８をレーザ光により抵抗体層１０５上で切断し、切溝位置によって抵抗値を調整する。切断の方法はレーザ光による他、サンドブラスト法で調整してもよく、或いは内部電極Ｄ１０８を予めくし形に形成しておき、くし形の連続部を適当位置で切断して調整してもよい。
【００５８】
次に、図１０に示すように、アルミナ基体１０１の一方面（サーミスタ層１０３形成面）の各内部電極Ａ１０２と各内部電極Ｄ１０８の両端部間部分を被覆するように、例えば耐熱性エポキシ樹脂を印刷してコート層を形成する。本実施の形態例では、例えば保護コートＡ１０９は淡い色、例えば黄色に着色した樹脂を用いる。その後、例えば約１３０度Ｃで樹脂を硬化させ保護コートＡ１０９を形成する。
【００５９】
次にアルミナ基体１０１を裏返し、図１１に示すように他方面（抵抗体層１０７形成面）の各内部電極Ａ１０２と各内部電極Ｄ１０８の両端部間部分を被覆するように、例えば耐熱性エポキシ樹脂を印刷形成し、コート層を形成する。本実施の形態例では、例えば保護コートＡ１０９は濃い色、例えば黒に着色した樹脂を用いる。その後、例えば約１３０度Ｃで樹脂を硬化させ保護コートＢ１１０を形成する。
【００６０】
なお、保護コートＡ１０９、Ｂ１１０を個別に焼成せずに両面にそれぞれ耐熱性エポキシ樹脂を印刷形成し、一度の焼成で両面に保護コートを形成してもよい。これにより工程を減らすことができる。
【００６１】
そして図１２に示すように、各複合チップ片の長さ方向を幅方向として破線で示す部分（あらかじめ分割溝を形成していてもよい。）から絶縁基板１０１を分割して短冊様分割体１２０を得る。
【００６２】
次に、図１３に示すように、短冊様分割体１２０の幅方向の両側に連続した端子電極１１１、１１２を形成し、一方の端子電極を内部電極Ａ１０２に、他方の端子電極を内部電極Ｄ１０８とをそれぞれ接続する。端子電極１１１、１１１２の形成は、Ｎｉ−Ｃｒの真空蒸着による方法、Ａｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズの塗布、焼成による方法、Ａｇを分散させてエポキシ樹脂塗料の塗布、硬化などの方法によって形成される。
【００６３】
最後に図１４に示すように短冊様分割体１２０を各複合チップごとに、例えば図１４の破線位置（あらかじめ分割溝を形成していてもよい。）で切断して個別の複合チップを完成させる。
【００６４】
以上説明したように本実施の形態例によれば、サーミスタ素子と抵抗素子を同一の小型チップに直列に形成することができ、サーミスタ素子の発熱による抵抗値の減少があっても、その影響を最小限に抑えることができる。
【００６５】
さらに、サーミスタ層の反対側の面に抵抗体層が形成されているため、サーミスタ層が抵抗体の自己発熱の影響を受けずらくできる。
【００６６】
また本実施の形態例によれば、複合チップ部品の表面をコートする保護コート層をサーミスタ層形成面と抵抗体層形成面で異なる態様としたため、容易に抵抗体層形成面を特定でき、基板実装時に容易に抵抗体層形成面を実装基板の表面側とでき、これにより抵抗体層より発生する熱を効率よく実装基板に拡散でき、自己発熱の影響を低く抑えることができる。
【００６７】
さらに、基板への実装後であっても、いずれの層の形成面が実装基板側かを容易に確認できる。
【００６８】
〔第２の実施の形態例〕
以上の説明においては、アルミナ基体１の一方面上に内部電極Ａ２の上にサーミスタ層３、その上に内部電極Ｂ４を形成し、アルミナ基体１の他方面上においても一方面上と同様の工程で内部電極Ｄ８、抵抗体層７、内部電極Ｃ６を形成する例について説明した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えばアルミナ基体１の他方面上において、内部電極Ｃ６、抵抗体層７、内部電極Ｄ８の順に各層を形成してもよい。このように形成した本発明に係る第２の実施の形態例を以下に説明する。
【００６９】
以下の説明は、上述した第１の実施の形態例と異なる部分のみ説明を行う。
【００７０】
第２の実施の形態例においては、アルミナ基体１の一方面への内部電極Ａ２、サーミスタ層３、内部電極Ｂ４の形成は上述した第１の実施の形態例をまったく同様である。
【００７１】
アルミナ基体１０２の他方面上においては、まずアルミナ基板１０１のビアホール位置を完全に覆うように内部電極Ｃ１０６を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。
【００７２】
続いて各内部電極Ｃ１０６上からアルミナ基板１０１上にかけて抵抗体ペーストを印刷して各抵抗体層１０７を形成する。次に、各抵抗体層１０７毎に抵抗体層１０７上面よりアルミナ基板１０１上に内部電極Ｄ１０８を例えばＡｇ−Ｐｄ−ガラスメタルグレーズにより印刷する。そして、例えば約８５０度Ｃで焼成することにより他方面上に各抵抗体層１０５を形成する。
【００７３】
以上の説明した第２の実施の形態例においても、第１の実施の形態例とまったく同様の作用効果を得られる。
【００７４】
〔第３の実施の形態例〕
以上に説明した第１の実施の形態例では、まず内部電極Ａ２と内部電極Ｄ８をアルミナ基体１上に印刷してその上にサーミスタ層３、抵抗体層７を形成し、その上に内部電極Ｂ４、Ｃ６を形成する例を説明した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えば最初に内部電極Ｂ及びＣを形成してもよい。最初に内部電極Ｂ及びＣを形成する本発明に係る第３の実施の形態例を以下に説明する。
【００７５】
第３の実施の形態例では、まず、アルミナ基体の中央部のビアホール部分から一方端部にかけてほぼ正方形状の内部電極Ｂ４を印刷などにより形成する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。
【００７６】
続いてこの内部電極Ｂ４の少なくとも中央部を除く一方端部を覆うように第１の実施の形態例と上面積がほぼ同様形状にサーミスタペーストを印刷し、サーミスタ層３を形成する。
【００７７】
次にサーミスタ層３の上部からアルミナ基体１の一方端部にかけて内部電極Ａ２を形成する。そして例えば約８５０度Ｃで焼成することにより一方面のサーミスタ層などの形成が終了する。
【００７８】
なお、サーミスタ層３と抵抗体層７を同じ温度で焼成する場合には、一方面上へのサーミスタ層３などの形成後に焼成するのではなく、他方面への抵抗体層などの形成が終了した後に最後に一括して焼成してもよい。
【００７９】
そして、アルミナ基体１の一方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＡ９でコートすると共に、アルミナ基体１の他方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＢ１０でコートして経年変化などから防ぐ。
【００８０】
そして最後にアルミナ基体１の両端部に端子電極Ａ１１と端子電極Ｂ１２を形成する。端子電極Ａ１１は内部電極Ａ２に接続され、端子電極Ｂ１２は内部電極Ｄ８に接続されている。この結果、サーミスタと抵抗とが直列に接続された１チップ複合部品が実現する。
【００８１】
以上説明したように第３の実施の形態例によれば、第１の実施の形態例と同様の工程で複合チップが提供できる。
【００８２】
〔第４の実施の形態例〕
以上に説明した各実施の形態例では、サーミスタ層と抵抗体層の上面に電極を形成する例を説明した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えば最初に内部電極Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを形成してもよい。最初にすべての内部電極を形成する本発明に係る第４の実施の形態例を以下に説明する。
【００８３】
第４の実施の形態例では、まず、アルミナ基体１の一方面の一方端部より中央部にかけてと中央部ビアホールを含む部分に列状に所定間隔で内部電極Ａ２、Ｂ４を印刷などにより形成する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。
【００８４】
続いてこの内部電極Ａ２と内部電極Ｂ４をまたいで第１の実施の形態例と上面積がほぼ同様形状にサーミスタペーストを印刷し、例えば約８５０度Ｃで焼成することによりサーミスタ層３を形成する。
【００８５】
次にアルミナ基体１を裏返して他方面への抵抗体層などの形成処理を行う。まず、アルミナ基体１の他方面の他方端部より中央部にかけてと中央部ビアホールを含む部分に列状に所定間隔で内部電極Ｃ６、Ｄ８を印刷などにより形成する。それと同時にビアホールを電極グレーズで充填する。
【００８６】
次に内部電極Ｃ６と内部電極Ｄ８をまたいで第１の実施の形態例と上面積がほぼ同様形状に抵抗体ペーストを印刷し、例えば約８５０度Ｃで焼成する。
【００８７】
なお、サーミスタ層３と抵抗体層８を同じ温度で焼成する場合には、サーミスタペーストと抵抗体ペーストを連続して、又は同時に印刷し、その後に一括して焼成してもよい。
【００８８】
そして、アルミナ基体１の一方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＡ９でコートすると共に、アルミナ基体１の他方表面の両端部（端子電極形成部）を除く全面を保護コートＢ１０でコートして経年変化などから防ぐ。
【００８９】
そして最後にアルミナ基体１の両端部に端子電極Ａ１１と端子電極Ｂ１２を形成する。端子電極Ａ１１は内部電極Ａ２に接続され、端子電極Ｂ１２は内部電極Ｄ８に接続されている。この結果、サーミスタと抵抗とが直列に接続された１チップ複合部品が実現する。
【００９０】
以上説明したように第４の実施の形態例によれば、第１の実施の形態例と同様の工程で複合チップが提供できる。これに加えて、内部電極を列状に形成するため、一度の工程で２つの内部電極を形成でき、製造工程を減らすことができる。さらに、内部電極上に形成するサーミスタ層３と抵抗体層７も、内部電極の厚さがさほど厚くないため、同じく形成が容易であり、形成すべき位置精度にも余裕があり、容易に小型チップを提供できる。
【００９１】
上記各実施の形態例では、サーミスタ層の反対側の面に抵抗体層が形成されており、いずれの側にサーミスタ層（又は抵抗体層）が形成されているかを容易に判別できるため、サーミスタ層が抵抗体の自己発熱の影響を受けずらくできるのみならず、基板への実装時に、抵抗体層を基板側にして実装すれば抵抗体より発せられた熱が実装基板に拡散し易く、サーミスタへの熱の影響をさらに軽減できる。
【００９２】
このため、複合チップを実装する際のチップの実装向きを容易に識別でき、実装基板の配線パターン位置に間違いなく位置決めでき、実装結果の確認も容易に行える。
【００９３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ひとつのチップの両面にサーミスタ素子と抵抗素子を直列接続して形成でき、少ない占有面積で発熱などで特性が変化することの少ない高精度のサーミスタ特性を有する複合チップ部品を提供できる。さらに、複合チップ部品の表面をコートするコート層をサーミスタ層形成面と抵抗体層形成面で異なる態様としたため、容易に抵抗体層形成面を特定でき、基板実装時に容易に抵抗体層形成面を実装基板の表面側とでき、これにより抵抗体層より発生する熱を効率よく実装基板に拡散でき、自己発熱の影響を低く抑えることができる。
【００９４】
さらに、基板への実装後であっても、いずれの層の形成面が実装基板側かを容易に確認できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る一発明の実施の形態例の複合チップの構成を説明するための断面図である。
【図２】本実施の形態例の複合チップ基体の一方面における構造を説明するための図である。
【図３】本実施の形態例の複合チップ基体の他方面の構造を説明するための図である。
【図４】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図５】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図６】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図７】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図８】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図９】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１０】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１１】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１２】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１３】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【図１４】本実施の形態例の複合チップの製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
１、１０１　　アルミナ基体
２、１０２　　内部電極Ａ
３、１０３　　サーミスタ層
４、１０４　　内部電極Ｂ
５、１０５　　ビアホール
６、１０６　　内部電極Ｃ
７、１０７　　抵抗体層
８、１０８　　内部電極Ｄ
９、１０９　　保護コートＡ
１０、１１０　　保護コートＢ
１１、１１１　　端子電極Ａ
１２、１１２　　端子電極Ｂ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a chip-type composite component in which a thermistor and a resistance element are formed on both surfaces of a base made of an insulating material, and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
In a circuit for applying a constant voltage, for example, when an NTC thermistor is used, when the thermistor is activated, a current of the thermistor flows and a temperature rise inevitably occurs. When the temperature rises, the resistance value of the thermistor decreases due to the characteristics of the thermistor, so that the power consumption increases, and the self-heating of the thermistor itself makes it impossible to accurately detect the ambient temperature.
[0003]
That is, power consumption (W) = {voltage (V)} ² / resistance value (R), and if the resistance value decreases as the temperature rises, the power applied to the thermistor increases. This causes a vicious cycle in which the temperature rises more and more.
[0004]
Conventionally, in order to suppress an increase in power supplied to the thermistor, a resistance element is connected in series to increase the applied power due to a decrease in the resistance value of the thermistor due to a rise in temperature (increase in the amount of self-ripening of the thermistor) Has been taken by dividing the voltage into resistors connected in series to prevent erroneous temperature detection.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, conventionally, a resistance element and a thermistor are individually prepared and mounted on a substrate, for example, to realize a serial connection. For this reason, a mounting space for each of the thermistor and the resistance element is absolutely necessary, and there is a limit to miniaturization.
[0006]
In some cases, a thermistor and a resistor are mounted on a single chip for miniaturization. However, for example, as described in JP-A-2000-124008, a thermistor and a resistor are connected in parallel in a conventional lamination technology. I could only do it. Therefore, realization of a composite chip in which a thermistor and a resistor are connected in series has been awaited.
[0007]
Furthermore, even if a composite chip in which a thermistor and a resistor are connected in series is realized, the heating effect generated by the power consumption of the composite chip may cause an error in the thermistor detection result. It is desirable to reduce
[0008]
[Means for Solving the Problems]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. By providing a method of manufacturing a composite chip in which a thermistor and a resistor are connected in series by one chip, the self-heating of the thermistor itself can be achieved with a small occupation area. It is an object of the present invention to enable accurate detection of the ambient temperature even if there is any. It is another object of the present invention to provide a composite chip capable of minimizing the influence of heat generated from a resistor during mounting. For example, the following configuration is provided as a means for achieving the object and solving the above-described problem.
[0009]
A first external connection terminal provided at one end of a base made of an insulating material; a thermistor element connected to the first external connection terminal and formed on one surface of the base; A second external connection terminal connected to the other end of the base, a resistance element connected to the second external connection terminal and formed on the other surface of the base, and penetrating the base near the center of the base. An internal connection electrode for connecting the thermistor element and the resistance element, a first coat layer formed in a first mode so as to cover one surface of the base, and a surface of the other surface of the base. And a second coat layer formed in the second aspect, wherein one side and the other side of the base are distinguishable by a difference in form of the coat layer.
[0010]
Alternatively, a chip-type composite component in which a thermistor and a resistance element are formed on both surfaces of a base made of an insulating material, wherein the thermistor layer formed on one end of one side of the base; A resistor layer formed on the other end side on the other surface of the first substrate, a first electrode formed on one surface of the thermistor layer from one end surface of the base, and a second electrode formed on the other end surface of the base. A second electrode formed on one side of the resistor layer, a third electrode formed on the center of the base from the other side of the thermistor layer, and a center of the base on the other side of the resistor layer; A fourth electrode formed on the substrate; a via hole formed through the base connecting the third electrode and the fourth electrode to each other; and a thermistor layer on at least one surface of the base and the via hole formed on the base. Formed on the surface of the internal electrode in the first mode A first coat layer, and a second coat layer formed in a second aspect on at least the resistor layer and the internal electrode surface on the other surface of the base; and a first thermistor layer from the first electrode; A third electrode, a via hole, a fourth electrode, a resistor layer, and a second electrode are connected in series, and the surface on which the thermistor layer is formed and the surface on which the resistor layer is formed can be distinguished.
[0011]
Then, for example, an external connection electrode connected to the first electrode and the second electrode is further formed.
[0012]
Further, for example, the first coat layer and the second coat layer are colored in different colors from each other to have different modes.
[0013]
Alternatively, a thermistor element forming step of forming a thermistor element on one surface of a base made of an insulating material, and a first external part forming a first external connection terminal connected to the thermistor element at one end of the base Forming a connection terminal, forming a resistance element on the other surface of the base made of an insulating material, and forming a second external connection terminal connected to the resistance element on the other end of the base. A second external connection terminal forming step, an internal connection electrode forming step of penetrating the base near the center of the base and forming an internal connection electrode connecting the thermistor element and the resistance element, and a surface of one surface of the base A first coat layer forming step of forming the first coat layer in the first mode so as to cover the surface, and forming a second coat layer in the second mode so as to cover the surface of the other surface of the base. Second coat And a forming step, a method of manufacturing a chip-type composite part, characterized in that the identifiable configure one side and the other surface of the substrate due to the difference in the form of the coating layer.
[0014]
Alternatively, a method of manufacturing a chip-type composite component in which a thermistor and a resistance element are formed on both surfaces of a base made of an insulating material, the thermistor forming a thermistor layer on one end of one side of the base A layer forming step, a resistor layer forming step of forming a resistor layer on the other end side on the other surface of the base, and a first electrode on one surface of the thermistor layer from one end of the base. A first electrode forming step of forming; a second electrode forming step of forming a second electrode on one surface of the resistor layer from the other end face of the base; and a base forming the second base from the other surface of the thermistor layer. A third electrode forming step of forming a third electrode in the center, a fourth electrode forming step of forming a fourth electrode in the center of the substrate from the other surface of the resistor layer, The base connecting the electrode and the fourth electrode to each other; A via hole forming step of forming a through hole passing therethrough; a first coat layer forming step of forming a first coat layer in a first aspect on at least the thermistor layer and the internal electrode surface on one surface of the base; A second coat layer forming step of forming a second coat layer on the surface of the resistor layer and the internal electrode on the other surface of the base in a second mode, wherein the thermistor layer is formed from the first electrode. A chip, wherein a third electrode, a via hole, a fourth electrode, a resistor layer, and a second electrode are connected in series, and the thermistor layer forming surface and the resistor layer forming surface can be distinguished. It is a method of manufacturing a mold composite part.
[0015]
And, for example, the present invention is a method for manufacturing a composite chip component, further comprising an external electrode forming step of forming external connection electrodes connected to the first electrode and the second electrode, respectively.
[0016]
Further, for example, the method is characterized in that the first coat layer and the second coat layer are colored in different colors from each other so as to have a different mode of manufacturing a chip-type composite component.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[First Embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a configuration of a composite chip according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining a structure on one surface of a composite chip substrate of the embodiment. FIG. 3 is a view for explaining the structure of the other surface of the composite chip substrate according to the present embodiment, where AA in FIG. 1 is one surface of the substrate and BB is the other surface of the substrate. FIG. 1 shows a cross section taken along the plane CC of FIG.
[0018]
In the present embodiment, a case where a thermistor and a resistor are connected to both surfaces of an alumina substrate and an intermediate portion is connected by a via hole will be described as an example of a composite chip.
[0019]
In the figure, reference numeral 1 denotes an alumina substrate having electrical insulation, and the alumina substrate 1 is formed of an alumina sintered body. In the present embodiment, when the composite chip is completed, it is formed into a mounting area of about 1.28 mm ² (a composite chip having a size of 1.6 mm × 0.8 mm × 0.8 mm).
[0020]
Reference numeral 2 denotes an internal electrode A formed from one end of one surface of the alumina substrate 1 (the surface AA in FIG. 1) to the center, and 3 covers the entire surface except the end of the internal electrode A2. It is a thermistor layer formed over the center. The thermistor layer 3 of the present embodiment is formed in a substantially square shape.
[0021]
Reference numeral 4 denotes an internal electrode formed from the upper surface of the thermistor layer 3 to a via hole 5 provided in the center of the alumina substrate 1. Reference numerals 5 and 5 denote via holes provided through substantially the center of the alumina substrate 1. The conductive paste is filled in the holes, and electrically connects the internal electrodes B4 and C6.
[0022]
The filling of the via hole 5 with the conductive material may be performed simultaneously with the formation of the internal electrode B4 or the internal electrode C6, or may be a through hole shape in which the conductive material is formed only on the inner periphery of the hole. In this embodiment, for example, the via hole 5 can be formed to have a hole diameter of about 10 μm to 200 μm.
[0023]
Reference numeral 6 denotes an internal electrode C extending from the upper surface of the resistor layer on the other surface (the surface BB in FIG. 1) of the alumina substrate 1 to the central via hole of the alumina substrate, and 7 covers the entire surface except the other end of the internal electrode D8. This is a resistor layer formed over the center of the base 1. In the present embodiment, the resistor layer 7 is formed in a substantially square shape.
[0024]
Reference numeral 8 denotes an internal electrode D formed from the other end of the alumina base 1 to the center. Reference numeral 9 denotes a protective coat which coats the entire surface of the alumina substrate 1 except for both ends (terminal electrode forming portions) except for both ends (terminal electrode forming portions). The protective coat B is a coat layer that coats the entire surface.
[0025]
In the present embodiment, the protective coat A9 and the protective coat A9 are provided so that it is possible to easily determine which side of the composite chip manufactured by the following method has the thermistor layer or the resistor layer formed thereon. The mode of the coat B10 is to be changed.
[0026]
The protective coat A9 and the protective coat B10 can be arbitrarily selected from glass or a heat-resistant resin and can be formed by screen printing or the like. For example, a paste using borosilicate glass, an epoxy resin, or a polyimide resin is used. Can be used.
[0027]
Therefore, in the present embodiment, as one method of changing the mode, for example, different heat-resistant colorants are mixed between the protective coat A1 and the protective coat B10 in glass or a heat-resistant resin material as the protective coat material.
[0028]
As a combination of colors to be used, for example, a combination of easily distinguishable colors such as green and red, black and yellow, and black and red is desirable. The colors may be different from each other, but the brightness may be different. The protection coat A9 and the protection coat 10 are different in form, such as a warm color system and a cool color system, or a color having a greatly different saturation, and can be easily identified. Of course, any combination can be adopted.
[0029]
Further, a part of the shape may be identified as being different, or a part of the coat layer may be changed in color to be identifiable.
[0030]
After the thermistor layer 3 and the resistor layer 7 are connected in series on the alumina substrate 1 by the internal electrodes and the via holes 5 in this manner, the surfaces are coated with the protective coats A9 and B10 except for both ends of the alumina substrate 1. Can prevent from secular change.
[0031]
In addition, since it is possible to easily determine on which surface the resistor layer (or thermistor layer) is formed in the completed state of the composite chip, for example, when mounting on a mounting board, By bringing the composite chip component into close contact with the surface, the heat generated from the resistor layer is effectively diffused into the substrate, and the temperature rise accompanying the heat generation of the composite chip component can be suppressed low, and the characteristics of the thermistor layer can be stabilized.
[0032]
Reference numerals 11 and 12 denote terminal electrodes A11 and B12 formed at both ends of the alumina substrate 1, respectively. The terminal electrode A11 is connected to the internal electrode A2, and the terminal electrode B12 is connected to the internal electrode D8. As a result, the connection state shown in FIG. 3 is obtained, and a one-chip composite component in which the thermistor and the resistor are connected in series is realized.
[0033]
The alumina substrate 1 used in the present embodiment is, for example, a 96% Al ₂ O ₃ alumina substrate, and it is desirable to select an appropriate substrate thickness according to the chip size.
[0034]
The internal electrodes A2, B4, C6, and D8 can be formed by sputtering, screen printing, or the like of any noble metal such as Ag, Ag / Pd, Pt, and Au. For example, a metal glaze of Ag-Pd-glass can be formed by screen printing or the like. Note that the internal electrodes may be formed of Au or Ag.
[0035]
Similarly, the thermistor layer 3 is formed by screen printing or the like with a thermistor paste having arbitrary characteristics. As the thermistor paste used in the present embodiment, three to four types of composite oxides selected from Mn, Ni, Co, Fe, Al, and Cu according to characteristics are used. The firing temperature of the thermistor layer 3 can be set to 850 ° C. to 1300 ° C., but is preferably set to 1000 ° C. or less.
[0036]
When the firing temperature is set low, for example, when the temperature is 1000 ° C. or lower, the thermistor is used to improve the sinterability at a low temperature and increase the adhesion to the internal electrode A2 and the alumina substrate 1. Add the glass material into the paste.
[0037]
Specifically, for example, it is manufactured by the following method.
[0038]
(1) Oxides of various metals having a thermistor component ratio of Mn: 30 to 60 mol%, Ni: 10 to 30 mol%, Co: 10 to 30 mol%, and Fe: 10 to 30 mol% are used as raw materials. A slurry is produced by mixing with water or alcohol by a wet ball mill. The metal oxide used as a starting _{material, Mn 3 O 4, NiO,} Co 3 0 4, it is desirable that the _Fe 2 _{0 3} and the like.
[0039]
{Circle over (2)} The mixed slurry is dried in a drying step to remove water or alcohol, and then pre-baked at 800 ° C. to 1000 ° C. to produce a raw material powder.
[0040]
{Circle around (3)} The powder that has been preliminarily calcined is ground by a wet ball mill. At this time, water or alcohol is used as the solvent.
[0041]
{Circle around (4)} The obtained slurry is dried in a drying step to remove water or alcohol components, and then ethyl cellulose and α-terpineol are added, and a thermistor paste is prepared using a three-roll mill.
[0042]
{Circle around (5)} When glass is added to the thermistor paste, borosilicate glass powder is added to the thermistor paste and made into a paste by a three-roll mill.
[0043]
By manufacturing the thermistor paste as described above and forming the thermistor paste on the alumina substrate 1 by screen printing, a small-sized, high-performance thermistor can be manufactured.
[0044]
Further, the resistor layer 7 of the present embodiment may be formed by screen printing a resistor paste having arbitrary characteristics, or by forming a resistor material by sputtering or the like. As the resistor material used here, RuO ₂ , SnO _2, or the like can be used, and an arbitrary material can be selected according to the resistance value.
[0045]
When the resistor layer 7 is formed by screen printing, the resistor powder is used as a paste. In this case, the firing temperature of the resistor layer 7 is desirably set to 600 ° C. to 1000 ° C. When the firing temperature is the same as that of the thermistor layer 3, the thermistor layer 3 and the resistor layer 7 (including the internal electrodes B4 and C6) may be formed by simultaneous firing.
[0046]
The terminal electrodes A11 and B12 are formed by forming any conductive material such as Ag, Ag / Pd, Ni / Cr, and Cu by dipping or sputtering, and forming nickel, solder, or Sn thereon by electroplating or the like. Make sure you have a system.
[0047]
The thermistor characteristics and the resistance value characteristics of the resistance element of the composite chip manufactured as described above can be adjusted by laser trimming of the thermistor layer, the resistance layer or the internal electrode, or the internal electrode / structure (electric distance).
[0048]
Next, a method of manufacturing the composite chip having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. 4 to 14 are views for explaining a method of manufacturing the composite chip according to the present embodiment, and schematically show each manufacturing process.
[0049]
4 shows a step of forming an internal electrode A on an alumina substrate as an insulating substrate, FIG. 5 shows a step of forming a thermistor layer thereon, and FIG. 6 shows a step of forming an internal electrode B. 7 shows a step of forming an internal electrode D on an alumina substrate, FIG. 8 shows a step of forming a resistor layer, FIG. 9 shows a step of forming an internal electrode C, and FIG. FIG. 11 shows a step of forming a protective coat B on the other surface of the alumina substrate, FIG. 12 shows a step of cutting into a strip-shaped aggregated component, and FIG. FIG. 14 shows a step of further forming a terminal electrode, and FIG. 14 shows a step of cutting the strip-shaped collective component into individual composite chip components.
[0050]
First, as shown in FIG. 4, an insulating substrate 101 of alumina sintered body having a predetermined size in which a via hole 105 is provided (the following description describes an example of manufacturing 12 composite chips). The internal electrode A102 is printed on one surface by, for example, Ag-Pd-glass metal glaze.
[0051]
Subsequently, as shown in FIG. 5, a thermistor paste (for example, a composite metal oxide having a thermistor characteristic and having a particle size of about several μm and having a thermistor characteristic) is applied to the upper surface of the extension except for the end for each internal electrode A102. (CO ₂ O ₃ + NiO + Mn ₂ O ₃ ), glass frit and organic vehicle).
[0052]
Next, as shown in FIG. 6, for each thermistor layer 103, the internal electrode B104 is printed by, for example, Ag-Pd-glass metal glaze so as to completely cover the via hole position of the alumina substrate 101 from the upper surface of the thermistor layer 103. At the same time, the via holes are filled with an electrode glaze. Then, each thermistor layer 103 is formed on one surface by firing at, for example, about 850 ° C.
[0053]
Here, since the formation on one side of the alumina base 101 is completed, the alumina base 101 is turned over, and thereafter, the processing on the other side of the alumina base 101 is performed. First, as shown in FIG. 7, the internal electrodes D108 are printed on the other surface of the alumina base 102 at predetermined intervals by, for example, Ag-Pd-glass metal glaze.
[0054]
Subsequently, as shown in FIG. 8, a resistor paste is printed from above each internal electrode D107 toward the via hole 105 to form each resistor layer 107.
[0055]
Next, as shown in FIG. 9, the internal electrode C106 is printed by, for example, Ag-Pd-glass metal glaze so as to completely cover the via hole position of the alumina substrate 101 from above each resistor layer 107. At the same time, the via holes are filled with electrode glaze. Thereafter, by firing at, for example, about 850 ° C., each resistor layer 105 and the like are formed on the other surface.
[0056]
In the case where the thermistor layer 103 and the resistor layer 107 are fired at the same temperature, firing may be performed at once instead of firing after forming the thermistor layer 103 on one surface.
[0057]
Here, when it is necessary to adjust the resistance value or the thermistor characteristic, the internal electrode D108 is cut on the resistor layer 105 by a laser beam, and the resistance value is adjusted according to the position of the kerf. The cutting method may be adjusted by a sand blast method in addition to the laser beam, or the internal electrode D108 may be formed in a comb shape in advance, and the comb-shaped continuous portion may be cut at an appropriate position.
[0058]
Next, as shown in FIG. 10, for example, a heat-resistant epoxy resin is coated on one surface (the surface on which the thermistor layer 103 is formed) of the alumina substrate 101 so as to cover a portion between both ends of each internal electrode A102 and each internal electrode D108. Printing is performed to form a coat layer. In the present embodiment, for example, the protective coat A109 uses a resin colored in a pale color, for example, yellow. Thereafter, the resin is cured at, for example, about 130 ° C. to form the protective coat A109.
[0059]
Next, as shown in FIG. 11, the alumina substrate 101 is turned over, for example, a heat-resistant epoxy resin so as to cover a portion between both ends of the internal electrodes A102 and the internal electrodes D108 on the other surface (the surface on which the resistor layer 107 is formed). Is formed by printing to form a coat layer. In the present embodiment, for example, the protective coat A109 uses a resin colored dark, for example, black. Thereafter, the resin is cured at, for example, about 130 ° C. to form the protective coat B110.
[0060]
The protective coats A109 and B110 may be formed by printing heat-resistant epoxy resins on both sides without individually firing, and the protective coats may be formed on both sides by a single firing. This can reduce the number of steps.
[0061]
Then, as shown in FIG. 12, the insulating substrate 101 is divided from a portion indicated by a broken line (a division groove may be formed in advance) with the length direction of each composite chip piece as the width direction, and the strip-like divided body 120 is formed. Get.
[0062]
Next, as shown in FIG. 13, continuous terminal electrodes 111 and 112 are formed on both sides in the width direction of the strip-like divided body 120, and one terminal electrode is used as the internal electrode A102, and the other terminal electrode is used as the internal electrode D108. And are connected respectively. The terminal electrodes 111 and 1112 are formed by a method of vacuum deposition of Ni-Cr, a method of applying and firing Ag-Pd-glass metal glaze, and a method of dispersing Ag and applying and curing an epoxy resin paint. You.
[0063]
Finally, as shown in FIG. 14, the strip-like divided body 120 is cut for each composite chip, for example, at the broken line position in FIG. 14 (division grooves may be formed in advance) to complete individual composite chips. .
[0064]
As described above, according to the present embodiment, the thermistor element and the resistance element can be formed in series on the same small chip, and even if the resistance value decreases due to the heat generation of the thermistor element, the effect is not affected. Can be minimized.
[0065]
Furthermore, since the resistor layer is formed on the surface opposite to the thermistor layer, the thermistor layer can be less affected by the self-heating of the resistor.
[0066]
Further, according to the present embodiment, since the protective coating layer for coating the surface of the composite chip component has different modes on the thermistor layer forming surface and the resistor layer forming surface, the resistor layer forming surface can be easily specified, The surface on which the resistor layer is formed can be easily set to the surface side of the mounting substrate during mounting, whereby heat generated from the resistor layer can be efficiently diffused to the mounting substrate, and the effect of self-heating can be suppressed to a low level.
[0067]
Furthermore, even after mounting on the board, it is possible to easily confirm which layer is formed on the mounting board side.
[0068]
[Second Embodiment]
In the above description, the thermistor layer 3 is formed on the internal electrode A2 on one surface of the alumina substrate 1, and the internal electrode B4 is formed thereon, and the same process is performed on the other surface of the alumina substrate 1 as on one surface. The example in which the internal electrode D8, the resistor layer 7, and the internal electrode C6 are formed has been described. However, the present invention is not limited to the above example. For example, on the other surface of the alumina substrate 1, each layer may be formed in the order of the internal electrode C6, the resistor layer 7, and the internal electrode D8. A second embodiment of the present invention thus formed will be described below.
[0069]
In the following description, only portions different from the first embodiment will be described.
[0070]
In the second embodiment, the formation of the internal electrode A2, the thermistor layer 3, and the internal electrode B4 on one surface of the alumina base 1 is exactly the same as that of the first embodiment.
[0071]
On the other surface of the alumina substrate 102, first, the internal electrode C106 is printed by, for example, Ag-Pd-glass metal glaze so as to completely cover the via hole position of the alumina substrate 101. At the same time, the via holes are filled with an electrode glaze.
[0072]
Subsequently, a resistor paste is printed from above each internal electrode C106 to above the alumina substrate 101 to form each resistor layer 107. Next, an internal electrode D108 is printed on the alumina substrate 101 from the upper surface of the resistor layer 107 for each resistor layer 107 by, for example, Ag-Pd-glass metal glaze. Then, each resistor layer 105 is formed on the other surface by firing at, for example, about 850 ° C.
[0073]
In the second embodiment described above, the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained.
[0074]
[Third Embodiment]
In the first embodiment described above, first, the internal electrode A2 and the internal electrode D8 are printed on the alumina substrate 1, the thermistor layer 3 and the resistor layer 7 are formed thereon, and the internal electrode The example of forming B4 and C6 has been described. However, the present invention is not limited to the above example. For example, the internal electrodes B and C may be formed first. First, a third embodiment according to the present invention for forming the internal electrodes B and C will be described below.
[0075]
In the third embodiment, first, a substantially square internal electrode B4 is formed by printing or the like from the center via hole portion to one end of the alumina base. At the same time, the via holes are filled with an electrode glaze.
[0076]
Subsequently, the thermistor paste is printed so as to cover at least one end of the internal electrode B4 except for the central portion, and the upper area is substantially the same as that of the first embodiment, thereby forming the thermistor layer 3.
[0077]
Next, an internal electrode A2 is formed from the upper part of the thermistor layer 3 to one end of the alumina substrate 1. Then, for example, by firing at about 850 ° C., the formation of the thermistor layer on one side is completed.
[0078]
When the thermistor layer 3 and the resistor layer 7 are fired at the same temperature, the formation of the resistor layer and the like on the other surface is completed instead of firing after the formation of the thermistor layer 3 and the like on one surface. After that, firing may be performed at once.
[0079]
Then, the entire surface of the alumina substrate 1 except for both ends (terminal electrode forming portions) is coated with a protective coat A9, and the entire surface of the other surface of the alumina substrate 1 except for both ends (terminal electrode forming portions) is protected. Coat with B10 to prevent aging.
[0080]
Finally, terminal electrodes A11 and B12 are formed on both ends of the alumina substrate 1. The terminal electrode A11 is connected to the internal electrode A2, and the terminal electrode B12 is connected to the internal electrode D8. As a result, a one-chip composite component in which a thermistor and a resistor are connected in series is realized.
[0081]
As described above, according to the third embodiment, a composite chip can be provided in the same steps as in the first embodiment.
[0082]
[Fourth Embodiment]
In each of the embodiments described above, the example in which the electrodes are formed on the upper surfaces of the thermistor layer and the resistor layer has been described. However, the present invention is not limited to the above example. For example, the internal electrodes A, B, C, and D may be formed first. First, a fourth embodiment according to the present invention in which all internal electrodes are formed will be described below.
[0083]
In the fourth embodiment, first, the internal electrodes A2 and B4 are formed by printing or the like at predetermined intervals in a row from one end to the center of one surface of the alumina base 1 and to a portion including the center via hole. . At the same time, the via holes are filled with an electrode glaze.
[0084]
Subsequently, a thermistor paste is printed over the internal electrode A2 and the internal electrode B4 so that the upper area is substantially the same as that of the first embodiment, and the thermistor layer 3 is formed by firing at, for example, about 850 ° C. .
[0085]
Next, the alumina substrate 1 is turned upside down, and a process of forming a resistor layer and the like on the other surface is performed. First, the internal electrodes C6 and D8 are formed by printing or the like at predetermined intervals in a row from the other end of the other surface of the alumina substrate 1 to the center and to a portion including the center via hole. At the same time, the via holes are filled with an electrode glaze.
[0086]
Next, a resistor paste is printed over the internal electrode C6 and the internal electrode D8 so as to have substantially the same shape as that of the first embodiment, and is baked at about 850 ° C., for example.
[0087]
When the thermistor layer 3 and the resistor layer 8 are fired at the same temperature, the thermistor paste and the resistor paste may be printed continuously or simultaneously, and then fired collectively.
[0088]
Then, the entire surface of the alumina substrate 1 except for both ends (terminal electrode forming portions) is coated with a protective coat A9, and the entire surface of the other surface of the alumina substrate 1 except for both ends (terminal electrode forming portions) is protected. Coat with B10 to prevent aging.
[0089]
Finally, terminal electrodes A11 and B12 are formed on both ends of the alumina substrate 1. The terminal electrode A11 is connected to the internal electrode A2, and the terminal electrode B12 is connected to the internal electrode D8. As a result, a one-chip composite component in which a thermistor and a resistor are connected in series is realized.
[0090]
As described above, according to the fourth embodiment, a composite chip can be provided in the same steps as in the first embodiment. In addition, since the internal electrodes are formed in a row, two internal electrodes can be formed in one step, and the number of manufacturing steps can be reduced. Further, the thermistor layer 3 and the resistor layer 7 formed on the internal electrode are also easy to form since the thickness of the internal electrode is not so large, the positional accuracy to be formed has a margin, and the size is easily reduced. Can provide chips.
[0091]
In each of the above embodiments, the resistor layer is formed on the surface opposite to the thermistor layer, and it is easy to determine which side the thermistor layer (or resistor layer) is formed on. Not only can the layer be less affected by the self-heating of the resistor, but also, when mounted on the board, if the resistor layer is mounted on the board side, the heat generated from the resistor will easily diffuse to the mounting board, The effect of heat on the thermistor can be further reduced.
[0092]
For this reason, the mounting direction of the chip when mounting the composite chip can be easily identified, it can be definitely positioned at the wiring pattern position of the mounting board, and the mounting result can be easily confirmed.
[0093]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a thermistor element and a resistive element can be formed in series on both surfaces of one chip, and a high-precision thermistor characteristic with a small occupied area and little change in characteristics due to heat generation can be obtained. And a composite chip component having the same. Further, since the coating layer for coating the surface of the composite chip component is different between the thermistor layer forming surface and the resistor layer forming surface, the resistor layer forming surface can be easily specified, and the resistor layer forming surface can be easily formed at the time of mounting the substrate. Can be located on the front side of the mounting substrate, whereby heat generated from the resistor layer can be efficiently diffused to the mounting substrate, and the effect of self-heating can be suppressed to a low level.
[0094]
Furthermore, even after mounting on the board, it is possible to easily confirm which layer is formed on the mounting board side.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a composite chip according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram for explaining a structure on one surface of a composite chip substrate according to the present embodiment.
FIG. 3 is a diagram for explaining the structure of the other surface of the composite chip substrate of the present embodiment.
FIG. 4 is a diagram for explaining a method of manufacturing the composite chip according to the embodiment.
FIG. 5 is a diagram for explaining a method of manufacturing the composite chip according to the embodiment.
FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing the composite chip according to the embodiment.
FIG. 7 is a diagram for explaining a method of manufacturing the composite chip according to the embodiment.
FIG. 8 is a diagram illustrating a method for manufacturing a composite chip according to the present embodiment.
FIG. 9 is a diagram illustrating a method for manufacturing a composite chip according to the present embodiment.
FIG. 10 is a diagram for explaining the method of manufacturing the composite chip according to the embodiment.
FIG. 11 is a diagram illustrating a method for manufacturing a composite chip according to the present embodiment.
FIG. 12 is a diagram illustrating a method for manufacturing a composite chip according to the present embodiment.
FIG. 13 is a view illustrating a method for manufacturing the composite chip according to the embodiment.
FIG. 14 is a diagram illustrating a method for manufacturing a composite chip according to the present embodiment.
[Explanation of symbols]
1, 101 Alumina substrate 2, 102 Internal electrode A
3, 103 Thermistor layer 4, 104 Internal electrode B
5, 105 Via hole 6, 106 Internal electrode C
7, 107 resistor layer 8, 108 internal electrode D
9,109 Protective coat A
10,110 Protective coat B
11, 111 Terminal electrode A
12, 112 Terminal electrode B

Claims (8)

絶縁材料で構成した基体の一方端部に配設された第１の外部接続端子と、
前記第１の外部接続端子に接続され前記基体の一方面に形成されたサーミスタ素子と、
前記基体の他方端部に接続された第２の外部接続端子と、
前記第２の外部接続端子に接続され前記基体の他方面に形成された抵抗素子と、
前記基体中央部近傍で前記基体を貫通し前記サーミスタ素子と抵抗素子を接続する内部接続電極と、
前記基体の一方面の表面を覆うように第１の態様で形成された第１のコート層と、
前記基体の他方面の表面を覆うように第２の態様で形成された第２のコート層とを備え、
前記コート層の形態の相違により前記基体の一方面と他方面を識別可能に構成したことを特徴とするチップ型複合部品。A first external connection terminal provided at one end of a base made of an insulating material;
A thermistor element connected to the first external connection terminal and formed on one surface of the base;
A second external connection terminal connected to the other end of the base,
A resistance element connected to the second external connection terminal and formed on the other surface of the base;
An internal connection electrode that penetrates the base near the center of the base and connects the thermistor element and the resistance element.
A first coat layer formed in a first mode so as to cover one surface of the base;
A second coat layer formed in a second mode so as to cover the surface of the other surface of the base,
A chip-type composite component wherein one side and the other side of the base are configured to be identifiable by a difference in form of the coat layer. 絶縁材料で構成した基体の両面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品であって、
前記基体の一方面上の一方端部側に形成されたサーミスタ層と、
前記基体の他方面上の他方端部側に形成された抵抗体層と、
前記基体の一方端部端面から前記サーミスタ層の一方面に形成される第１の電極と、
前記基体の他方端部面から前記抵抗体層の一方面に形成される第２の電極と、
前記サーミスタ層の他方面から前記基体中央部に形成された第３の電極と、
前記抵抗体層の他方面から前記基体中央部に形成された第４の電極と、
前記第３の電極と前記第４の電極とを互いに接続する前記基体を貫通して形成されたビアホールと、
少なくとも前記基体の一方面の前記サーミスタ層及び前記内部電極表面に第１の態様で形成される第１のコート層と、
少なくとも前記基体の他方面の前記抵抗体層及び前記内部電極表面に第２の態様で形成される第２のコート層とを備え、
前記第１の電極からサーミスタ層、第３の電極、ビアホール、第４の電極、抵抗体層、第２の電極が直列に接続されると共に、前記サーミスタ層形成面と抵抗体層形成面を識別可能であることを特徴とするチップ型複合部品。A chip-type composite component in which a thermistor and a resistance element are formed on both surfaces of a base made of an insulating material,
A thermistor layer formed on one end side on one surface of the base,
A resistor layer formed on the other end side of the other surface of the base,
A first electrode formed on one surface of the thermistor layer from one end surface of the base;
A second electrode formed on one surface of the resistor layer from the other end surface of the base;
A third electrode formed at the center of the base from the other surface of the thermistor layer;
A fourth electrode formed at the center of the base from the other surface of the resistor layer;
A via hole formed through the base connecting the third electrode and the fourth electrode to each other;
A first coat layer formed in a first embodiment on at least the thermistor layer and the internal electrode surface on one surface of the base;
A second coat layer formed in a second mode on at least the resistor layer on the other surface of the base and the internal electrode surface,
A thermistor layer, a third electrode, a via hole, a fourth electrode, a resistor layer, and a second electrode are connected in series from the first electrode, and the thermistor layer forming surface and the resistor layer forming surface are identified. A chip-type composite component characterized in that it is possible. さらに、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ接続された外部接続電極を形成することを特徴とする請求項２記載の複合チップ型部品。3. The composite chip-type component according to claim 2, further comprising an external connection electrode connected to each of said first electrode and said second electrode. 前記第１のコート層と第２のコート層は、互いに異なる色に着色されて異なる態様となっていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の複合チップ部品。The composite chip component according to any one of claims 1 to 3, wherein the first coat layer and the second coat layer are colored in different colors to have different modes. 絶縁材料で構成した基体の一方面にサーミスタ素子を形成するサーミスタ素子形成工程と、
前記基体の一方端部に前記サーミスタ素子と接続される第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、
絶縁材料で構成した基体の他方面に抵抗素子を形成する抵抗素子形成工程と、
前記基体の他方端部に前記抵抗素子と接続される第２の外部接続端子を形成する第２の外部接続端子形成工程と、
前記基体中央部近傍で前記基体を貫通し前記サーミスタ素子と抵抗素子を接続する内部接続電極を形成する内部接続電極形成工程と、
前記基体の一方面の表面を覆うように第１の態様で第１のコート層を形成する第１のコート層形成工程と、
前記基体の他方面の表面を覆うように第２の態様で第２のコート層を形成する第２のコート層形成工程とを有し、
前記コート層の形態の相違により前記基体の一方面と他方面を識別可能に構成したことを特徴とするチップ型複合部品の製造方法。A thermistor element forming step of forming a thermistor element on one surface of a base made of an insulating material,
A first external connection terminal forming step of forming a first external connection terminal connected to the thermistor element at one end of the base;
A resistance element forming step of forming a resistance element on the other surface of the base made of an insulating material;
A second external connection terminal forming step of forming a second external connection terminal connected to the resistance element at the other end of the base;
An internal connection electrode forming step of forming an internal connection electrode that penetrates the base near the center of the base and connects the thermistor element and the resistance element.
A first coat layer forming step of forming a first coat layer in a first mode so as to cover one surface of the base;
A second coat layer forming step of forming a second coat layer in a second mode so as to cover the other surface of the base,
A method for manufacturing a chip-type composite component, wherein one surface and the other surface of the base are configured to be distinguishable by a difference in form of the coat layer. 絶縁材料で構成した基体の両面上にサーミスタと抵抗素子を形成してなるチップ型複合部品の製造方法であって、
前記基体の一方面上の一方端部側にサーミスタ層を形成するサーミスタ層形成工程と、
前記基体の他方面上の他方端部側に抵抗体層を形成する抵抗体層形成工程と、
前記基体の一方端部端面から前記サーミスタ層の一方面に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記基体の他方端部面から前記抵抗体層の一方面に第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、
前記サーミスタ層の他方面から前記基体中央部に第３の電極を形成する第３の電極形成工程と、
前記抵抗体層の他方面から前記基体中央部に第４の電極を形成する第４の電極形成工程と、
前記第３の電極と前記第４の電極とを互いに接続する前記基体を貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
少なくとも前記基体の一方面の前記サーミスタ層及び前記内部電極表面に第１の態様で第１のコート層を形成する第１のコート層形成工程と、
少なくとも前記基体の他方面の前記抵抗体層及び前記内部電極表面に第２の態様で第２のコート層を形成する第２のコート層形成工程とを有し、
前記第１の電極からサーミスタ層、第３の電極、ビアホール、第４の電極、抵抗体層、第２の電極が直列に接続されると共に、前記サーミスタ層形成面と抵抗体層形成面を識別可能であることを特徴とするチップ型複合部品の製造方法。A method of manufacturing a chip-type composite component formed by forming a thermistor and a resistance element on both surfaces of a base made of an insulating material,
A thermistor layer forming step of forming a thermistor layer on one end side on one surface of the base,
A resistor layer forming step of forming a resistor layer on the other end side on the other surface of the base,
A first electrode forming step of forming a first electrode from one end surface of the base to one surface of the thermistor layer;
A second electrode forming step of forming a second electrode on one surface of the resistor layer from the other end surface of the base;
A third electrode forming step of forming a third electrode from the other surface of the thermistor layer to the center of the base;
A fourth electrode forming step of forming a fourth electrode from the other surface of the resistor layer to the center of the base;
A via-hole forming step of forming a via-hole penetrating the base connecting the third electrode and the fourth electrode to each other;
A first coat layer forming step of forming a first coat layer in a first mode on at least the thermistor layer and the internal electrode surface on one surface of the base;
A second coat layer forming step of forming a second coat layer in a second aspect on at least the resistor layer and the internal electrode surface on the other surface of the base,
A thermistor layer, a third electrode, a via hole, a fourth electrode, a resistor layer, and a second electrode are connected in series from the first electrode, and the thermistor layer forming surface and the resistor layer forming surface are identified. A method for producing a chip-type composite component, which is capable of being performed. さらに、前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ接続された外部接続電極を形成する外部電極形成工程を有することを特徴とする請求項６記載の複合チップ型部品の製造方法。7. The method according to claim 6, further comprising an external electrode forming step of forming external connection electrodes connected to the first electrode and the second electrode, respectively. 前記第１のコート層と第２のコート層は、互いに異なる色に着色することにより異なる態様とすることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の複合チップ部品の製造方法。The method for manufacturing a composite chip component according to claim 5, wherein the first coat layer and the second coat layer have different aspects by being colored in different colors from each other. .

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