JP2004031579A - 半導体製造システムの制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】SEMI E84規格のアクティブ装置を緊急停止させる。
【解決手段】半導体製造システムは、パッシブ装置である半導体製造装置100と、アクティブ装置であるAMHS300とを含む。半導体製造装置制御盤120は、ESボタン124からの入力に応答して、半導体製造装置100を停止させることなく、光I/Oを経由してAMHS300に出力されるES信号をオフにする回路を含む。AMHS300は、光I/Oを介して入力されるES信号がオフになると、AMHS300のビークル320およびハンド330を緊急停止させる回路を含む。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体製造システムは、パッシブ装置である半導体製造装置100と、アクティブ装置であるAMHS300とを含む。半導体製造装置制御盤120は、ESボタン124からの入力に応答して、半導体製造装置100を停止させることなく、光I/Oを経由してAMHS300に出力されるES信号をオフにする回路を含む。AMHS300は、光I/Oを介して入力されるES信号がオフになると、AMHS300のビークル320およびハンド330を緊急停止させる回路を含む。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造システムに関し、特に、半導体製造装置と搬送装置との間の規格化された通信I/Oを用いた制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程における装置開発や工場の立ち上げでの時間短縮、コスト削減および人件費の抑制を求めて、世界的な規格として、SEMI(Semiconductor Equipment and Material International)により策定される規格がある。このような規格の中の1つとして、300mmウェハのキャリア搬送パラレルI/Oを規定するSEMI E84規格、200mmウェハのキャリア搬送パラレルI/Oを規定するSEMI E23規格がある。このE84規格は、半導体製造装置のロードポートとAMHS(Automatic Material Handling System)との間で、300mmウェハのキャリアを受渡しするための規格である。
【0003】
このE84規格においては、ES(Emergency Stop)信号が「この信号がオフのとき、アクティブ装置(AMHS)の活動をすぐに止めることを要求する」、「パッシブ装置(半導体製造装置)がES信号をオフにするのは危険な状況、つまりESボタンが押される、移載インターロック異常などの状況が発生したとき」と規定されている。このES信号は、このような特定された用途にのみ用いられる。このほかにこのような信号は規定されていない。
【0004】
図12を参照して、SEMI E84規格に基づいてES信号によりAMHSを緊急停止させる、従来のシステムを説明する。図12に示すように、このシステムは、半導体製造装置100と、ハンド330でキャリア400を把持して半導体製造装置100にウェハを搬送するAMHS300と、非常停止ボタン128とを含む。通常、半導体製造装置100とAMHS300とは、別々のメーカで製造されて、半導体製造工場に据え付けられる。半導体製造装置100は、半導体製造装置100を制御するためのコントローラ(プログラマブルコントローラ、シーケンサなど)が実装され、AMHS300は、AMHS300を制御するためのコントローラ(プログラマブルコントローラ、シーケンサなど)が実装されている。このときに、SEMI E84規格に基づいて、半導体製造装置100のコントローラとAMHS300のコントローラとの間の通信が規定される。
【0005】
非常停止ボタン128は、半導体製造装置100で異常が発生したり、AMHS300を緊急に停止させたい場合に作業者により操作される。この非常停止ボタン128が押されると、それに応答して、半導体製造装置100のコントローラは、半導体製造装置100自体を非常停止させるとともに、ES信号をオフ(正常時にはオン)にする。ES信号がオフになったことを、AMHS300のコントローラが検知すると、AMHS300の動作を停止させる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体製造システムによると、AMHS300を緊急停止させるために、非常停止ボタン128を押してしまうと、AMHS300を緊急停止させることができるが、同時に半導体製造装置100に不具合が発生しているか否かに関わらず、半導体製造装置100の動作も緊急停止してしまう。この場合、半導体製造装置100に異常が発生していなくても、製造中のウェハに対する処理が中断して、製品として出荷できなくなり、その結果歩留まりが悪くなる。
【0007】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであって、SEMI E84規格、E23規格などの規格に基づいて設計された半導体製造システムにおいて、アクティブ装置を緊急停止させるための、半導体製造システムの制御装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
第1の発明に係る制御装置は、半導体製造装置と、キャリアに格納されたウェハを半導体製造装置に搬送する搬送装置とを含む半導体製造システムを制御する。半導体製造装置は、半導体製造装置を緊急停止させる回路を含む第1の制御回路を含む。搬送装置は、搬送装置を緊急停止させる回路を含む第2の制御回路を含む。第1の制御回路と第2の制御回路とは、オフであると第2の制御回路が搬送装置を緊急停止させるための信号を送信する信号線により接続される。この制御装置は、第1の制御回路に接続され、搬送装置を緊急停止させる緊急停止信号を受信するための受信手段と、緊急停止信号を受信したことに応答して、第1の制御回路への緊急停止指示の出力を禁止するとともに、信号線の信号をオフにするように制御するための制御手段とを含む。
【0009】
第1の発明によると、受信手段が搬送装置を緊急停止させる緊急停止信号を受信すると、制御手段は、第1の制御回路と第2の制御回路とを接続する信号線を介して第1の制御回路から第2の制御回路に送信される、搬送装置を緊急停止させるための信号をオフにする。これにより、第2の制御回路は、この信号がオフであることにより、搬送装置を緊急停止させる。このとき、第1の制御回路へ、半導体製造装置を緊急停止させる指示の出力が禁止される。これにより、搬送装置が搬送するキャリアが半導体製造装置と衝突するなどの異常が発生する場合に、搬送装置を緊急停止させるともに、半導体製造装置を緊急停止させなくともよくなる。その結果、SEMI E84規格、E23規格などの規格に基づいて設計された半導体製造システムにおいて、搬送装置であるアクティブ装置を緊急停止させるための、半導体製造システムの制御装置を提供することができる。
【0010】
第2の発明に係る制御装置は、第1の発明の構成に加えて、受信手段に接続され、人が緊急停止信号を入力するための入力手段をさらに含む。
【0011】
第2の発明によると、入力手段としてESボタンを実装すると、半導体製造システムの作業者がそのESボタンを押して、搬送装置を緊急停止させて、半導体製造装置を緊急停止させないようにできる。
【0012】
第3の発明に係る制御装置は、第1の発明の構成に加えて、半導体製造装置と搬送装置との干渉の発生を検知して、干渉の発生を検知したことに応答して、受信手段に緊急停止信号を出力するための検知手段をさらに含む。
【0013】
第3の発明によると、そのまま搬送装置がキャリアを半導体製造装置に搬送すると、干渉が発生して事故が発生することを、ビームセンサなどを用いて事前に検知して、搬送装置を緊急停止させることができる。
【0014】
第4の発明に係る制御装置は、第1〜3のいずれかの発明の構成に加えて、第1の制御回路に接続され、搬送装置の緊急停止を解除させる解除信号を受信するための解除信号受信手段と、解除信号を受信したことに応答して、信号線の信号をオンにするように制御するための解除制御手段とを含む。
【0015】
第4の発明によると、緊急停止させている状態において、緊急停止の必要がなくなると、解除信号が受信される。この解除信号が受信されると、第1の制御回路と第2の制御回路とを接続する信号線を介して第1の制御回路から第2の制御回路に送信される、搬送装置を緊急停止させるための信号がオンにされる。この信号がオンになると、搬送装置が緊急停止から復帰する。
【0016】
第5の発明に係る制御装置は、第4の発明の構成に加えて、受信手段に接続され、緊急停止信号を保持するための保持手段と、解除信号を受信したことに応答して、保持を解除するための保持解除手段とを含む。
【0017】
第5の発明によると、緊急停止させている状態においては、緊急停止信号が保持される。この保持は、緊急停止の必要がなくなり解除信号を受信するまで継続する。これにより、緊急停止信号を受信してから解除信号を受信するまでは緊急停止信号が一旦受信しなくなっても、緊急停止信号は保持されているので、緊急停止が解除されることがない。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがってそれらについての詳細な説明は繰返さない。
【0019】
<第1の実施の形態>
以下、本発明の第1の実施の形態に係る半導体製造システムについて説明する。図1を参照して、この半導体製造システムは、半導体製造装置100と、半導体製造装置100に、キャリア400に収納されたウェハを搬送するAMHS300とを含む。AMHS300により搬送されるキャリア400は、半導体製造装置100のウェハ出入口110近傍に設けられたロードボード200に載置される。
【0020】
半導体製造装置100は、端子台122を有する半導体製造装置制御盤120により制御される。半導体製造装置100には、半導体製造装置100を非常停止させるための非常停止ボタン128が設けられている。また、半導体製造装置制御盤120には、ESボタンボックス126に設けられたESボタン124が接続される。
【0021】
AMHS300は、レール310に懸架して走行するビークル320と、ビークル320に設けられたハンド330とからなる。キャリア400を把持したハンド330を有するビークル320がレール310に沿って走行する。ビークル320が走行して、ロードボード200の位置にビークル320が停止すると、ハンド330が下方に延びてキャリア400をロードボード200に載置する。ロードボード200に載置されたキャリア400からウェハが取出され、ウェハ出入口110から半導体製造装置100の内部に搬入される。AMHS300は、図示しない制御盤により制御される。
【0022】
半導体製造装置制御盤120と、AMHS300との接続について説明する。半導体製造装置制御盤120から光パラレルI/O接続用レセクタブル336および光パラレルI/O接続用コネクタ334を介して、光パラレルI/O332にES信号が送信される。光パラレルI/O332から、ビークル320に設けられたビークル側光パラレルI/O333へES信号が送信される。ES信号を受信したビークル320は、その制御装置により緊急停止する。このES信号は、常時オンの信号であり、半導体製造装置制御盤120から出力されたES信号がオフになると、ビークル側光パラレルI/O332にてES信号がオフにされたことを検知して、ビークル320が停止したり、ビークル320に設けられたハンド330の動作が緊急停止する。
【0023】
このES信号に対応するESボタン124は、ロードボード200の近傍等に設けられる。ESボタン124が押されることにより、半導体製造装置制御盤120がそれを検知して、光パラレルI/O接続用レセクタブル336、光パラレルI/O接続用コネクタ334、光パラレルI/O332およびビークル側光パラレルI/O333を介して、ビークル320にES信号が送信される。
【0024】
図2を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムにおける半導体製造装置100およびAMHS300で実行されるプログラムの制御構造について説明する。
【0025】
ステップ(以下、ステップをSと略す。)100にて、半導体製造装置100は、ESボタン124からの入力を検知したか否かを判断する。ESボタン124からの入力を検知すると(S100にてYES)、処理はS102へ移される。もしそうでないと(S100にてNO)、処理はS100へ戻され、ESボタン124からの入力を待つ。
【0026】
S102にて、半導体製造装置100は、ES信号リレー(内部リレー)を自己保持する。S104にて、半導体製造装置100は、ES信号出力をオフにする。
【0027】
S106にて、半導体製造装置100は、ESボタン解除の入力を検知したか否かを判断する。この判断は、ESボタン124とは別に設けられたES復帰ボタンが押されることなどにより行なわれる。または、ESボタン124を、プッシュロックターンリターン方式のラッチ機能を有するボタンを用いてもよい。このボタンは、一旦押すとロックがかかり、ボタンを回すことによりそのロックが解除される。ES復帰ボタンを押す代わりにボタンを回してロックを外されると、ESボタン解除の入力を検知したと判断される。ESボタン解除の入力を検知すると(S106にてYES)、処理はS108へ移される。もしそうでないと(S106にてNO)、処理はS106へ戻され、ESボタン解除の入力を検知するまで待つ。
【0028】
S108にて、半導体製造装置100は、ES信号リレー(内部リレー)の自己保持を解除する。S110にて、半導体製造装置100は、ES信号出力をオンにする。
【0029】
S200にて、AMHS300は、光パラレルI/O332を経由して、半導体製造装置100から送信されるES信号のオフを検知したか否かを判断する。ES信号のオフを検知すると(S200にてYES)、処理はS202へ移される。もしそうでないと(S200にてNO)、処理はS200へ戻され、半導体製造装置100から送信されるES信号がオフになるまで待つ。
【0030】
S202にて、AMHS300は、ビークル320を緊急停止させる。このとき、ビークル320とともにハンド330も緊急停止される。
【0031】
S204にて、AMHS300は、半導体製造装置100から送信されるES信号のオンを検知したか判断する。ES信号のオンを検知すると(S204にてYES)、処理はS206へ移される。もしそうでないと(S204にてNO)、処理はS204へ戻され、半導体製造装置100から光パラレルI/O332を経由して送信されるES信号のオンを検知するまで待つ。
【0032】
S206にて、AMHS300は、ビークル320を緊急停止から復帰させる。これにより、ビークル320およびハンド330が通常の状態に復帰し、動作を再開する。
【0033】
なお、図2に示したフローチャートの中で、緊急停止させる対象をビークル320およびハンド330に限定したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0034】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係る半導体製造システムの動作について説明する。半導体製造装置100の近傍に設けられたESボタン124が作業者により押されると(S102にてYES)、半導体製造装置100の内部リレーであるES信号リレーが自己保持される(S102)。半導体製造装置100からAMHS300に送信されるES信号の出力がオフにされる(S104)。このときの状態を図3に示す。すなわち、ESボタンが押下げられたタイミングで、ES信号リレーが自己保持される。それとともに、ES信号の出力がオンからオフ状態に変化する。
【0035】
ES信号は、光パラレルI/O332を経由してAMHS300に送信される。AMHS300は、ES信号のオフを検知すると(S200にてYES)、ビークル320およびハンド330を緊急停止させる(S202)。このとき、図3に示すように、ハンドリング装置であるAMHS300がES信号の出力の立下がりに対応して作動状態から非作動状態に移行する。
【0036】
半導体製造装置100の近傍における作業者が、ESボタン124を押した後、AMHS300の動作を再開したい場合には、ESボタン解除の入力を行なう(S106にてYES)。ES信号リレーの内部保持が解除され(S108)、ES信号出力がオフ状態からオン状態に変更される(S110)、ES信号出力がオンになると光パラレルI/O332を経由してAMHS300に送信され、AMHS300はES信号のオンを検知する(S204にてYES)。その後ビークル320およびハンド330が緊急停止状態から復帰する(S206)。このとき図3に示すように、ES復帰ボタンの立上がりで、内部リレーであるES信号リレーがオフになり、ES信号出力がオンになる。このES信号の出力がオンになるとビークル320およびハンド330の動作が非作動状態から作動状態に移行する。
【0037】
図3に示すように、ESボタンの立上がりによっては、半導体製造装置100の半導体製造装置制御盤120へは、緊急停止信号が送信されない。したがって、半導体製造装置100においては、ESボタン124が押されたことにより何ら影響を受けない。したがって、ESボタン124の状態とは関係なく、半導体製造装置100は、半導体ウェハの製造を継続して行なう。
【0038】
以上のようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、作業者がアクティブ装置であるAMHSを停止させたいときESボタンを押すと、ES復帰ボタンが押されるまで、ES信号リレーがオン状態となり、ES信号出力がオフ状態となる。ES信号出力がオフになると、SEMI E84規格で規定されているようにアクティブ装置であるAMHS300が緊急に停止する。これにより、アクティブ装置であるAMHSを緊急停止させるとともに、パッシブ装置である半導体製造装置の動作を継続して行なわせることができる。
【0039】
<第2の実施の形態>
以下、本発明の第2の実施の形態に係る半導体製造システムについて説明する。なお、本実施の形態に係る半導体製造システムにおいて、前述の第1の実施の形態に係る半導体製造システムと同一の構造については、ここでの詳細な説明は繰返さない。
【0040】
図4を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムは、前述の第1の実施の形態に係る半導体製造システムの構成に加えて、半導体製造装置100自体の異常を検知する、半導体製造装置異常検知センサ150と、ウェハ出入口110近傍に発生したウェハの出入動作に関する異常を検知するウェハ出入口異常検知センサ250と、ロードボード200近傍に設置され、ロードボード200自体の動作に関する異常を検知するロードボード異常検知センサ252とをさらに含む。半導体製造装置異常検知センサ150、ウェハ出入口異常検知センサ250およびロードボード異常検知センサ252は、いずれも半導体製造装置制御盤盤120に入力される。なお、これらのセンサから信号が入力される場合は、アクティブ装置であるAMHS300を緊急停止させたい場合であって、パッシブ装置である半導体製造装置100を緊急停止させたくない場合である。
【0041】
図5を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムの半導体製造装置100およびAMHS300で実行されるプログラムの制御構造について説明する。なお、図5に示すフローチャートの中で、前述の図2に示したフローチャートと同じ処理については同じステップ番号を付してある。それらについての処理も同じである。したがって、それらについての詳細な説明はここでは繰返さない。
【0042】
S120にて、半導体製造装置100は、異常検知センサの入力を検知したか否かを判断する。この判断は、半導体製造装置異常検知センサ150、ウェハ出入口異常検知センサ250およびロードボード異常検知センサ252のいずれかのセンサからの異常検知信号を入力したか否かにより行なわれる。異常検知センサの入力を検知すると(S120にてYES)、処理はS122へ移される。もしそうでないと(S120にてNO)、処理はS120へ戻され、異常検知センサの入力を検知するまで待つ。S122にて、半導体製造装置100は、異常検知リレー(内部リレー)を自己保持する。
【0043】
S124にて、半導体製造装置100は、異常復帰の入力を検知したか否かを判断する。異常復帰への入力を検知すると(124にてYES)、処理はS126へ移される。もしそうでないと(S124にてNO)、処理はS124へ戻され、異常復帰の入力を検知するまで待つ。S126にて、半導体製造装置100は、異常検知リレー(内部リレー)の自己保持を解除する。
【0044】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係る半導体製造システムの動作について説明する。
【0045】
AMHS300を停止させるべき異常が、半導体製造装置100に発生すると、半導体製造装置異常検知センサ150がそれを検知する。ウェハ出入口内部に設置されたウェハの出入動作の関する異常が発生すると、ウェハ出入口異常検知センサ250がそれを検知する。ロードボード400自体の動作に関する異常を検知すると、ロードボード異常検知センサ252が、それを検知する。いずれかの異常検知センサからの入力を検知すると(S120にてYES)、内部リレーである異常検知リレーが自己保持される(S122)。
【0046】
それと同時にES信号の出力がそれと同時にES信号の出力がオフになる(S104)。このときの状態を図6のタイミングチャートを用いて説明する。異常検知センサは、チャタリングなどによりオンとオフを繰返すが、異常検知センサの最初の立上がりに対応して、内部リレーである異常検知リレーが立上がって自己保持される。これとともに、ES信号の出力がオフにされる。AMHS300にはES信号のオフが検知され(S200にてYES)、ビークル320およびハンド330が緊急停止する(S202)。
【0047】
以上のようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、第1の実施の形態に係る半導体製造システムのESボタンに加えて、各種センサによりAMHSを緊急停止させなければならない状態を検知する。センサによる異常な状態が検知されると、光パラレルI/Oを経由してAMHSに送信されるES信号がオフにされる。ES信号がオフになると、AMHSはその動作を緊急停止させる。このようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、第1の実施の形態に係るESボタンに加えて、アクティブ装置であるAMHSを緊急停止させるためのセンサを配置し、そのセンサからの入力があるとES信号をオフにするようにした。これにより、作業者がESボタンを押すことに加えて、センサが異常を検知すると、ES信号をオフにすることにより、アクティブ装置であるAMHSを緊急停止させることができる。
【0048】
<第3の実施の形態>
以下、本発明の第3の実施の形態に係る半導体製造システムについて説明する。なお、本実施の形態に係る半導体製造システムの構造において、前述の第1の実施の形態に係る半導体製造システムおよび第2の実施の形態に係る半導体製造システムと同じ構成については同じ参照符号を付してある。これらの機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明はここでは繰返さない。
【0049】
図7を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムは、キャリア400が載置されるロードボード200に設けられた投光側ビームセンサ260と、受光側ビームセンサ270とを含む。投光側ビームセンサ260と受光側ビームセンサ270とは、ロードボード200上にキャリア400の障害物がある場合に投光側ビームセンサ260から投光された光が遮光されて、障害物を検知する。投光側ビームセンサ260および受光側ビームセンサ270の検知信号は、半導体製造装置制御盤120に入力される。なお、投光側ビームセンサ260および受光側ビームセンサ270はそれぞれN個の投光素子および受光素子から構成されるものとする。
【0050】
本実施の形態に係る半導体製造システムにおいて実行されるプログラムの制御構造は、前述の第2の実施の形態に係る半導体製造システムにおいて実行されるプログラムの制御構造(図5のフローチャート)と同じであるため、ここでの詳細な説明は繰返さない。
【0051】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係る半導体製造システムの動作について説明する。投光側ビームセンサ260および受光側ビームセンサ270のN個の中のいずれかの異常検知センサが遮光状態を検知すると、図8に示すように、内部リレーである異常検知リレーが自己保持される。このとき、図8に示すように、ビームセンサの中の、第2の異常検知センサが遮光状態になったことに対応して、異常検知リレーが自己保持される。異常検知リレーが自己保持されるとともに、ES信号の出力がオン状態からオフ状態にされる。ES信号がオフ状態にされるのに対応して、ビークル320およびハンド330が非作動状態に移行する。
【0052】
以上のようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、複数の異常検知センサを組合せたビームセンサにより、キャリアの干渉物となる障害物を検知し、アクティブ装置であるAMHSを緊急停止させることができる。
【0053】
<第4の実施の形態>
図9を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムにおけるESボタンの構造について説明する。図9に示すように、ESボタン124に加えてリセットボタン130と、自己保持回路132とを有する。前述の実施の形態においては、自己保持を、半導体製造装置制御盤120の内部リレーで実行していたが、本実施の形態に係る半導体製造システムにおいてESボタンの自己保持は、外部の自己保持回路132により実行される。
【0054】
<第5の実施の形態>
以下、本発明の第5の実施の形態に係るESボタンについて説明する。本実施の形態に係る半導体製造システムにおいては、キャリア400の置き場所が、ロードボード200に5箇所あるものと想定する。
【0055】
図10に示すように、多接点ボックス140は、半導体製造装置100に対して1つ設けられる。多接点ボックス140は、たとえばB接点が5つから構成され、1つのESボタン120が押されるとオフにされる。多接点ボックス140からの出力は、端子台122にそれぞれ接続されている。このようにすることにより、ロードボード200に設けられたキャリア400のそれぞれの載置場所に対応してESボタンを多数設ける必要がない。多接点ボックスでなくリレーを用いて信号を分割してもよい。
【0056】
<第6の実施の形態>
以下、本発明の第6の実施の形態に係る半導体製造システムにおける光パラレルI/O接続用コネクタ334について説明する。本実施の形態においては、端子台122を光パラレルI/O接続用コネクタ334に設けた。
【0057】
図11に示すように、光パラレルI/O接続用コネクタ334から出たケーブルは、光パラレルI/O332に接続される。コネクタ内部の接続部3342は、光パラレルI/O接続用レセクタブル336に接続される。コネクタ内部の接続ピン3343は、ES信号のピンである。光パラレルI/O接続用コネクタ334には、開口部3341が設けられて、その開口部3341からESコネクタ3344に接続される信号線がコネクタの外部に引き出されている。ESコネクタ3344は半導体製造装置制御盤120に接続される。上述した実施の形態においては、端子台122は、半導体製造装置制御盤120に取りつけていたが、取りつける場所は、これに限定されない。たとえば、半導体製造装置100の上部、外部あるいはロードポート200に取りつけてもよい。本実施の形態においては、光パラレルI/O接続用コネクタ334に、ESコネクタ3344を取りつけている。ただし、小型のコネクタに端子台を取付けることが困難であるので、ESコネクタ3344を取りつけるようにしている。
【0058】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る半導体製造システムの外観図である。
【図2】図1のシステムにおいて実行されるプログラムの制御構造を示すフローチャートである。
【図3】図1のシステムにおけるタイミングチャートである。
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る半導体製造システムの外観図である。
【図5】図4のシステムにおいて実行されるプログラムの制御構造を示すフローチャートである。
【図6】図4のシステムにおけるタイミングチャートである。
【図7】本発明の第3の実施の形態に係る半導体製造システムの外観図である。
【図8】図7のシステムにおけるタイミングチャートである。
【図9】本発明の第4の実施の形態に係るESボタンの外観図である。
【図10】本発明の第5の実施の形態に係るESボタンの断面図である。
【図11】本発明の第6の実施の形態に係る光パラレルI/O接続用コネクタの外観図である。
【図12】従来の半導体製造システムの外観図である。
【符号の説明】
100 半導体製造装置、110 ウェハ搬入搬出口、120 半導体製造装置制御盤、122 端子台、124 ESボタン、126 ESボタンボックス、128 非常停止ボタン、150 半導体製造装置異常検知センサ、200 ロードボード、250 ウェハ出入口異常検知センサ、252 ロードボード異常検知センサ、260 投光側ビームセンサ、270 受光側ビームセンサ、300 AMHS、310 レール、320 ビークル、330 ハンド、332光パラレルI/O、333 ビークル側光パラレルI/O、334 光パラレルI/O接続用コネクタ、336 光パラレルI/O接続用レセクタブル、400 キャリア。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造システムに関し、特に、半導体製造装置と搬送装置との間の規格化された通信I/Oを用いた制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程における装置開発や工場の立ち上げでの時間短縮、コスト削減および人件費の抑制を求めて、世界的な規格として、SEMI(Semiconductor Equipment and Material International)により策定される規格がある。このような規格の中の1つとして、300mmウェハのキャリア搬送パラレルI/Oを規定するSEMI E84規格、200mmウェハのキャリア搬送パラレルI/Oを規定するSEMI E23規格がある。このE84規格は、半導体製造装置のロードポートとAMHS(Automatic Material Handling System)との間で、300mmウェハのキャリアを受渡しするための規格である。
【0003】
このE84規格においては、ES(Emergency Stop)信号が「この信号がオフのとき、アクティブ装置(AMHS)の活動をすぐに止めることを要求する」、「パッシブ装置(半導体製造装置)がES信号をオフにするのは危険な状況、つまりESボタンが押される、移載インターロック異常などの状況が発生したとき」と規定されている。このES信号は、このような特定された用途にのみ用いられる。このほかにこのような信号は規定されていない。
【0004】
図12を参照して、SEMI E84規格に基づいてES信号によりAMHSを緊急停止させる、従来のシステムを説明する。図12に示すように、このシステムは、半導体製造装置100と、ハンド330でキャリア400を把持して半導体製造装置100にウェハを搬送するAMHS300と、非常停止ボタン128とを含む。通常、半導体製造装置100とAMHS300とは、別々のメーカで製造されて、半導体製造工場に据え付けられる。半導体製造装置100は、半導体製造装置100を制御するためのコントローラ(プログラマブルコントローラ、シーケンサなど)が実装され、AMHS300は、AMHS300を制御するためのコントローラ(プログラマブルコントローラ、シーケンサなど)が実装されている。このときに、SEMI E84規格に基づいて、半導体製造装置100のコントローラとAMHS300のコントローラとの間の通信が規定される。
【0005】
非常停止ボタン128は、半導体製造装置100で異常が発生したり、AMHS300を緊急に停止させたい場合に作業者により操作される。この非常停止ボタン128が押されると、それに応答して、半導体製造装置100のコントローラは、半導体製造装置100自体を非常停止させるとともに、ES信号をオフ(正常時にはオン)にする。ES信号がオフになったことを、AMHS300のコントローラが検知すると、AMHS300の動作を停止させる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体製造システムによると、AMHS300を緊急停止させるために、非常停止ボタン128を押してしまうと、AMHS300を緊急停止させることができるが、同時に半導体製造装置100に不具合が発生しているか否かに関わらず、半導体製造装置100の動作も緊急停止してしまう。この場合、半導体製造装置100に異常が発生していなくても、製造中のウェハに対する処理が中断して、製品として出荷できなくなり、その結果歩留まりが悪くなる。
【0007】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであって、SEMI E84規格、E23規格などの規格に基づいて設計された半導体製造システムにおいて、アクティブ装置を緊急停止させるための、半導体製造システムの制御装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
第1の発明に係る制御装置は、半導体製造装置と、キャリアに格納されたウェハを半導体製造装置に搬送する搬送装置とを含む半導体製造システムを制御する。半導体製造装置は、半導体製造装置を緊急停止させる回路を含む第1の制御回路を含む。搬送装置は、搬送装置を緊急停止させる回路を含む第2の制御回路を含む。第1の制御回路と第2の制御回路とは、オフであると第2の制御回路が搬送装置を緊急停止させるための信号を送信する信号線により接続される。この制御装置は、第1の制御回路に接続され、搬送装置を緊急停止させる緊急停止信号を受信するための受信手段と、緊急停止信号を受信したことに応答して、第1の制御回路への緊急停止指示の出力を禁止するとともに、信号線の信号をオフにするように制御するための制御手段とを含む。
【0009】
第1の発明によると、受信手段が搬送装置を緊急停止させる緊急停止信号を受信すると、制御手段は、第1の制御回路と第2の制御回路とを接続する信号線を介して第1の制御回路から第2の制御回路に送信される、搬送装置を緊急停止させるための信号をオフにする。これにより、第2の制御回路は、この信号がオフであることにより、搬送装置を緊急停止させる。このとき、第1の制御回路へ、半導体製造装置を緊急停止させる指示の出力が禁止される。これにより、搬送装置が搬送するキャリアが半導体製造装置と衝突するなどの異常が発生する場合に、搬送装置を緊急停止させるともに、半導体製造装置を緊急停止させなくともよくなる。その結果、SEMI E84規格、E23規格などの規格に基づいて設計された半導体製造システムにおいて、搬送装置であるアクティブ装置を緊急停止させるための、半導体製造システムの制御装置を提供することができる。
【0010】
第2の発明に係る制御装置は、第1の発明の構成に加えて、受信手段に接続され、人が緊急停止信号を入力するための入力手段をさらに含む。
【0011】
第2の発明によると、入力手段としてESボタンを実装すると、半導体製造システムの作業者がそのESボタンを押して、搬送装置を緊急停止させて、半導体製造装置を緊急停止させないようにできる。
【0012】
第3の発明に係る制御装置は、第1の発明の構成に加えて、半導体製造装置と搬送装置との干渉の発生を検知して、干渉の発生を検知したことに応答して、受信手段に緊急停止信号を出力するための検知手段をさらに含む。
【0013】
第3の発明によると、そのまま搬送装置がキャリアを半導体製造装置に搬送すると、干渉が発生して事故が発生することを、ビームセンサなどを用いて事前に検知して、搬送装置を緊急停止させることができる。
【0014】
第4の発明に係る制御装置は、第1〜3のいずれかの発明の構成に加えて、第1の制御回路に接続され、搬送装置の緊急停止を解除させる解除信号を受信するための解除信号受信手段と、解除信号を受信したことに応答して、信号線の信号をオンにするように制御するための解除制御手段とを含む。
【0015】
第4の発明によると、緊急停止させている状態において、緊急停止の必要がなくなると、解除信号が受信される。この解除信号が受信されると、第1の制御回路と第2の制御回路とを接続する信号線を介して第1の制御回路から第2の制御回路に送信される、搬送装置を緊急停止させるための信号がオンにされる。この信号がオンになると、搬送装置が緊急停止から復帰する。
【0016】
第5の発明に係る制御装置は、第4の発明の構成に加えて、受信手段に接続され、緊急停止信号を保持するための保持手段と、解除信号を受信したことに応答して、保持を解除するための保持解除手段とを含む。
【0017】
第5の発明によると、緊急停止させている状態においては、緊急停止信号が保持される。この保持は、緊急停止の必要がなくなり解除信号を受信するまで継続する。これにより、緊急停止信号を受信してから解除信号を受信するまでは緊急停止信号が一旦受信しなくなっても、緊急停止信号は保持されているので、緊急停止が解除されることがない。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがってそれらについての詳細な説明は繰返さない。
【0019】
<第1の実施の形態>
以下、本発明の第1の実施の形態に係る半導体製造システムについて説明する。図1を参照して、この半導体製造システムは、半導体製造装置100と、半導体製造装置100に、キャリア400に収納されたウェハを搬送するAMHS300とを含む。AMHS300により搬送されるキャリア400は、半導体製造装置100のウェハ出入口110近傍に設けられたロードボード200に載置される。
【0020】
半導体製造装置100は、端子台122を有する半導体製造装置制御盤120により制御される。半導体製造装置100には、半導体製造装置100を非常停止させるための非常停止ボタン128が設けられている。また、半導体製造装置制御盤120には、ESボタンボックス126に設けられたESボタン124が接続される。
【0021】
AMHS300は、レール310に懸架して走行するビークル320と、ビークル320に設けられたハンド330とからなる。キャリア400を把持したハンド330を有するビークル320がレール310に沿って走行する。ビークル320が走行して、ロードボード200の位置にビークル320が停止すると、ハンド330が下方に延びてキャリア400をロードボード200に載置する。ロードボード200に載置されたキャリア400からウェハが取出され、ウェハ出入口110から半導体製造装置100の内部に搬入される。AMHS300は、図示しない制御盤により制御される。
【0022】
半導体製造装置制御盤120と、AMHS300との接続について説明する。半導体製造装置制御盤120から光パラレルI/O接続用レセクタブル336および光パラレルI/O接続用コネクタ334を介して、光パラレルI/O332にES信号が送信される。光パラレルI/O332から、ビークル320に設けられたビークル側光パラレルI/O333へES信号が送信される。ES信号を受信したビークル320は、その制御装置により緊急停止する。このES信号は、常時オンの信号であり、半導体製造装置制御盤120から出力されたES信号がオフになると、ビークル側光パラレルI/O332にてES信号がオフにされたことを検知して、ビークル320が停止したり、ビークル320に設けられたハンド330の動作が緊急停止する。
【0023】
このES信号に対応するESボタン124は、ロードボード200の近傍等に設けられる。ESボタン124が押されることにより、半導体製造装置制御盤120がそれを検知して、光パラレルI/O接続用レセクタブル336、光パラレルI/O接続用コネクタ334、光パラレルI/O332およびビークル側光パラレルI/O333を介して、ビークル320にES信号が送信される。
【0024】
図2を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムにおける半導体製造装置100およびAMHS300で実行されるプログラムの制御構造について説明する。
【0025】
ステップ(以下、ステップをSと略す。)100にて、半導体製造装置100は、ESボタン124からの入力を検知したか否かを判断する。ESボタン124からの入力を検知すると(S100にてYES)、処理はS102へ移される。もしそうでないと(S100にてNO)、処理はS100へ戻され、ESボタン124からの入力を待つ。
【0026】
S102にて、半導体製造装置100は、ES信号リレー(内部リレー)を自己保持する。S104にて、半導体製造装置100は、ES信号出力をオフにする。
【0027】
S106にて、半導体製造装置100は、ESボタン解除の入力を検知したか否かを判断する。この判断は、ESボタン124とは別に設けられたES復帰ボタンが押されることなどにより行なわれる。または、ESボタン124を、プッシュロックターンリターン方式のラッチ機能を有するボタンを用いてもよい。このボタンは、一旦押すとロックがかかり、ボタンを回すことによりそのロックが解除される。ES復帰ボタンを押す代わりにボタンを回してロックを外されると、ESボタン解除の入力を検知したと判断される。ESボタン解除の入力を検知すると(S106にてYES)、処理はS108へ移される。もしそうでないと(S106にてNO)、処理はS106へ戻され、ESボタン解除の入力を検知するまで待つ。
【0028】
S108にて、半導体製造装置100は、ES信号リレー(内部リレー)の自己保持を解除する。S110にて、半導体製造装置100は、ES信号出力をオンにする。
【0029】
S200にて、AMHS300は、光パラレルI/O332を経由して、半導体製造装置100から送信されるES信号のオフを検知したか否かを判断する。ES信号のオフを検知すると(S200にてYES)、処理はS202へ移される。もしそうでないと(S200にてNO)、処理はS200へ戻され、半導体製造装置100から送信されるES信号がオフになるまで待つ。
【0030】
S202にて、AMHS300は、ビークル320を緊急停止させる。このとき、ビークル320とともにハンド330も緊急停止される。
【0031】
S204にて、AMHS300は、半導体製造装置100から送信されるES信号のオンを検知したか判断する。ES信号のオンを検知すると(S204にてYES)、処理はS206へ移される。もしそうでないと(S204にてNO)、処理はS204へ戻され、半導体製造装置100から光パラレルI/O332を経由して送信されるES信号のオンを検知するまで待つ。
【0032】
S206にて、AMHS300は、ビークル320を緊急停止から復帰させる。これにより、ビークル320およびハンド330が通常の状態に復帰し、動作を再開する。
【0033】
なお、図2に示したフローチャートの中で、緊急停止させる対象をビークル320およびハンド330に限定したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0034】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係る半導体製造システムの動作について説明する。半導体製造装置100の近傍に設けられたESボタン124が作業者により押されると(S102にてYES)、半導体製造装置100の内部リレーであるES信号リレーが自己保持される(S102)。半導体製造装置100からAMHS300に送信されるES信号の出力がオフにされる(S104)。このときの状態を図3に示す。すなわち、ESボタンが押下げられたタイミングで、ES信号リレーが自己保持される。それとともに、ES信号の出力がオンからオフ状態に変化する。
【0035】
ES信号は、光パラレルI/O332を経由してAMHS300に送信される。AMHS300は、ES信号のオフを検知すると(S200にてYES)、ビークル320およびハンド330を緊急停止させる(S202)。このとき、図3に示すように、ハンドリング装置であるAMHS300がES信号の出力の立下がりに対応して作動状態から非作動状態に移行する。
【0036】
半導体製造装置100の近傍における作業者が、ESボタン124を押した後、AMHS300の動作を再開したい場合には、ESボタン解除の入力を行なう(S106にてYES)。ES信号リレーの内部保持が解除され(S108)、ES信号出力がオフ状態からオン状態に変更される(S110)、ES信号出力がオンになると光パラレルI/O332を経由してAMHS300に送信され、AMHS300はES信号のオンを検知する(S204にてYES)。その後ビークル320およびハンド330が緊急停止状態から復帰する(S206)。このとき図3に示すように、ES復帰ボタンの立上がりで、内部リレーであるES信号リレーがオフになり、ES信号出力がオンになる。このES信号の出力がオンになるとビークル320およびハンド330の動作が非作動状態から作動状態に移行する。
【0037】
図3に示すように、ESボタンの立上がりによっては、半導体製造装置100の半導体製造装置制御盤120へは、緊急停止信号が送信されない。したがって、半導体製造装置100においては、ESボタン124が押されたことにより何ら影響を受けない。したがって、ESボタン124の状態とは関係なく、半導体製造装置100は、半導体ウェハの製造を継続して行なう。
【0038】
以上のようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、作業者がアクティブ装置であるAMHSを停止させたいときESボタンを押すと、ES復帰ボタンが押されるまで、ES信号リレーがオン状態となり、ES信号出力がオフ状態となる。ES信号出力がオフになると、SEMI E84規格で規定されているようにアクティブ装置であるAMHS300が緊急に停止する。これにより、アクティブ装置であるAMHSを緊急停止させるとともに、パッシブ装置である半導体製造装置の動作を継続して行なわせることができる。
【0039】
<第2の実施の形態>
以下、本発明の第2の実施の形態に係る半導体製造システムについて説明する。なお、本実施の形態に係る半導体製造システムにおいて、前述の第1の実施の形態に係る半導体製造システムと同一の構造については、ここでの詳細な説明は繰返さない。
【0040】
図4を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムは、前述の第1の実施の形態に係る半導体製造システムの構成に加えて、半導体製造装置100自体の異常を検知する、半導体製造装置異常検知センサ150と、ウェハ出入口110近傍に発生したウェハの出入動作に関する異常を検知するウェハ出入口異常検知センサ250と、ロードボード200近傍に設置され、ロードボード200自体の動作に関する異常を検知するロードボード異常検知センサ252とをさらに含む。半導体製造装置異常検知センサ150、ウェハ出入口異常検知センサ250およびロードボード異常検知センサ252は、いずれも半導体製造装置制御盤盤120に入力される。なお、これらのセンサから信号が入力される場合は、アクティブ装置であるAMHS300を緊急停止させたい場合であって、パッシブ装置である半導体製造装置100を緊急停止させたくない場合である。
【0041】
図5を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムの半導体製造装置100およびAMHS300で実行されるプログラムの制御構造について説明する。なお、図5に示すフローチャートの中で、前述の図2に示したフローチャートと同じ処理については同じステップ番号を付してある。それらについての処理も同じである。したがって、それらについての詳細な説明はここでは繰返さない。
【0042】
S120にて、半導体製造装置100は、異常検知センサの入力を検知したか否かを判断する。この判断は、半導体製造装置異常検知センサ150、ウェハ出入口異常検知センサ250およびロードボード異常検知センサ252のいずれかのセンサからの異常検知信号を入力したか否かにより行なわれる。異常検知センサの入力を検知すると(S120にてYES)、処理はS122へ移される。もしそうでないと(S120にてNO)、処理はS120へ戻され、異常検知センサの入力を検知するまで待つ。S122にて、半導体製造装置100は、異常検知リレー(内部リレー)を自己保持する。
【0043】
S124にて、半導体製造装置100は、異常復帰の入力を検知したか否かを判断する。異常復帰への入力を検知すると(124にてYES)、処理はS126へ移される。もしそうでないと(S124にてNO)、処理はS124へ戻され、異常復帰の入力を検知するまで待つ。S126にて、半導体製造装置100は、異常検知リレー(内部リレー)の自己保持を解除する。
【0044】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係る半導体製造システムの動作について説明する。
【0045】
AMHS300を停止させるべき異常が、半導体製造装置100に発生すると、半導体製造装置異常検知センサ150がそれを検知する。ウェハ出入口内部に設置されたウェハの出入動作の関する異常が発生すると、ウェハ出入口異常検知センサ250がそれを検知する。ロードボード400自体の動作に関する異常を検知すると、ロードボード異常検知センサ252が、それを検知する。いずれかの異常検知センサからの入力を検知すると(S120にてYES)、内部リレーである異常検知リレーが自己保持される(S122)。
【0046】
それと同時にES信号の出力がそれと同時にES信号の出力がオフになる(S104)。このときの状態を図6のタイミングチャートを用いて説明する。異常検知センサは、チャタリングなどによりオンとオフを繰返すが、異常検知センサの最初の立上がりに対応して、内部リレーである異常検知リレーが立上がって自己保持される。これとともに、ES信号の出力がオフにされる。AMHS300にはES信号のオフが検知され(S200にてYES)、ビークル320およびハンド330が緊急停止する(S202)。
【0047】
以上のようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、第1の実施の形態に係る半導体製造システムのESボタンに加えて、各種センサによりAMHSを緊急停止させなければならない状態を検知する。センサによる異常な状態が検知されると、光パラレルI/Oを経由してAMHSに送信されるES信号がオフにされる。ES信号がオフになると、AMHSはその動作を緊急停止させる。このようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、第1の実施の形態に係るESボタンに加えて、アクティブ装置であるAMHSを緊急停止させるためのセンサを配置し、そのセンサからの入力があるとES信号をオフにするようにした。これにより、作業者がESボタンを押すことに加えて、センサが異常を検知すると、ES信号をオフにすることにより、アクティブ装置であるAMHSを緊急停止させることができる。
【0048】
<第3の実施の形態>
以下、本発明の第3の実施の形態に係る半導体製造システムについて説明する。なお、本実施の形態に係る半導体製造システムの構造において、前述の第1の実施の形態に係る半導体製造システムおよび第2の実施の形態に係る半導体製造システムと同じ構成については同じ参照符号を付してある。これらの機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明はここでは繰返さない。
【0049】
図7を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムは、キャリア400が載置されるロードボード200に設けられた投光側ビームセンサ260と、受光側ビームセンサ270とを含む。投光側ビームセンサ260と受光側ビームセンサ270とは、ロードボード200上にキャリア400の障害物がある場合に投光側ビームセンサ260から投光された光が遮光されて、障害物を検知する。投光側ビームセンサ260および受光側ビームセンサ270の検知信号は、半導体製造装置制御盤120に入力される。なお、投光側ビームセンサ260および受光側ビームセンサ270はそれぞれN個の投光素子および受光素子から構成されるものとする。
【0050】
本実施の形態に係る半導体製造システムにおいて実行されるプログラムの制御構造は、前述の第2の実施の形態に係る半導体製造システムにおいて実行されるプログラムの制御構造(図5のフローチャート)と同じであるため、ここでの詳細な説明は繰返さない。
【0051】
以上のような構造およびフローチャートに基づく、本実施の形態に係る半導体製造システムの動作について説明する。投光側ビームセンサ260および受光側ビームセンサ270のN個の中のいずれかの異常検知センサが遮光状態を検知すると、図8に示すように、内部リレーである異常検知リレーが自己保持される。このとき、図8に示すように、ビームセンサの中の、第2の異常検知センサが遮光状態になったことに対応して、異常検知リレーが自己保持される。異常検知リレーが自己保持されるとともに、ES信号の出力がオン状態からオフ状態にされる。ES信号がオフ状態にされるのに対応して、ビークル320およびハンド330が非作動状態に移行する。
【0052】
以上のようにして、本実施の形態に係る半導体製造システムによると、複数の異常検知センサを組合せたビームセンサにより、キャリアの干渉物となる障害物を検知し、アクティブ装置であるAMHSを緊急停止させることができる。
【0053】
<第4の実施の形態>
図9を参照して、本実施の形態に係る半導体製造システムにおけるESボタンの構造について説明する。図9に示すように、ESボタン124に加えてリセットボタン130と、自己保持回路132とを有する。前述の実施の形態においては、自己保持を、半導体製造装置制御盤120の内部リレーで実行していたが、本実施の形態に係る半導体製造システムにおいてESボタンの自己保持は、外部の自己保持回路132により実行される。
【0054】
<第5の実施の形態>
以下、本発明の第5の実施の形態に係るESボタンについて説明する。本実施の形態に係る半導体製造システムにおいては、キャリア400の置き場所が、ロードボード200に5箇所あるものと想定する。
【0055】
図10に示すように、多接点ボックス140は、半導体製造装置100に対して1つ設けられる。多接点ボックス140は、たとえばB接点が5つから構成され、1つのESボタン120が押されるとオフにされる。多接点ボックス140からの出力は、端子台122にそれぞれ接続されている。このようにすることにより、ロードボード200に設けられたキャリア400のそれぞれの載置場所に対応してESボタンを多数設ける必要がない。多接点ボックスでなくリレーを用いて信号を分割してもよい。
【0056】
<第6の実施の形態>
以下、本発明の第6の実施の形態に係る半導体製造システムにおける光パラレルI/O接続用コネクタ334について説明する。本実施の形態においては、端子台122を光パラレルI/O接続用コネクタ334に設けた。
【0057】
図11に示すように、光パラレルI/O接続用コネクタ334から出たケーブルは、光パラレルI/O332に接続される。コネクタ内部の接続部3342は、光パラレルI/O接続用レセクタブル336に接続される。コネクタ内部の接続ピン3343は、ES信号のピンである。光パラレルI/O接続用コネクタ334には、開口部3341が設けられて、その開口部3341からESコネクタ3344に接続される信号線がコネクタの外部に引き出されている。ESコネクタ3344は半導体製造装置制御盤120に接続される。上述した実施の形態においては、端子台122は、半導体製造装置制御盤120に取りつけていたが、取りつける場所は、これに限定されない。たとえば、半導体製造装置100の上部、外部あるいはロードポート200に取りつけてもよい。本実施の形態においては、光パラレルI/O接続用コネクタ334に、ESコネクタ3344を取りつけている。ただし、小型のコネクタに端子台を取付けることが困難であるので、ESコネクタ3344を取りつけるようにしている。
【0058】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る半導体製造システムの外観図である。
【図2】図1のシステムにおいて実行されるプログラムの制御構造を示すフローチャートである。
【図3】図1のシステムにおけるタイミングチャートである。
【図4】本発明の第2の実施の形態に係る半導体製造システムの外観図である。
【図5】図4のシステムにおいて実行されるプログラムの制御構造を示すフローチャートである。
【図6】図4のシステムにおけるタイミングチャートである。
【図7】本発明の第3の実施の形態に係る半導体製造システムの外観図である。
【図8】図7のシステムにおけるタイミングチャートである。
【図9】本発明の第4の実施の形態に係るESボタンの外観図である。
【図10】本発明の第5の実施の形態に係るESボタンの断面図である。
【図11】本発明の第6の実施の形態に係る光パラレルI/O接続用コネクタの外観図である。
【図12】従来の半導体製造システムの外観図である。
【符号の説明】
100 半導体製造装置、110 ウェハ搬入搬出口、120 半導体製造装置制御盤、122 端子台、124 ESボタン、126 ESボタンボックス、128 非常停止ボタン、150 半導体製造装置異常検知センサ、200 ロードボード、250 ウェハ出入口異常検知センサ、252 ロードボード異常検知センサ、260 投光側ビームセンサ、270 受光側ビームセンサ、300 AMHS、310 レール、320 ビークル、330 ハンド、332光パラレルI/O、333 ビークル側光パラレルI/O、334 光パラレルI/O接続用コネクタ、336 光パラレルI/O接続用レセクタブル、400 キャリア。
Claims (5)
- 半導体製造装置と、キャリアに格納されたウェハを前記半導体製造装置に搬送する搬送装置とを含む半導体製造システムの制御装置であって、前記半導体製造装置は、前記半導体製造装置を緊急停止させる回路を含む第1の制御回路を含み、前記搬送装置は、前記搬送装置を緊急停止させる回路を含む第2の制御回路を含み、前記第1の制御回路と前記第2の制御回路とは、オフであると前記第2の制御回路が前記搬送装置を緊急停止させるための信号を送信する信号線により接続され、
前記制御装置は、
前記第1の制御回路に接続され、前記搬送装置を緊急停止させる緊急停止信号を受信するための受信手段と、
前記緊急停止信号を受信したことに応答して、前記第1の制御回路への緊急停止指示の出力を禁止するとともに、前記信号線の信号をオフにするように制御するための制御手段とを含む、制御装置。 - 前記受信手段に接続され、前記緊急停止信号を入力するための入力手段をさらに含む、請求項1に記載の制御装置。
- 前記制御装置は、前記半導体製造装置と前記搬送装置との干渉の発生を検知して、前記干渉の発生を検知したことに応答して、前記受信手段に前記緊急停止信号を出力するための検知手段をさらに含む、請求項1に記載の制御装置。
- 前記制御装置は、
前記第1の制御回路に接続され、前記搬送装置の緊急停止を解除させる解除信号を受信するための解除信号受信手段と、
前記解除信号を受信したことに応答して、前記信号線の信号をオンにするように制御するための解除制御手段とをさらに含む、請求項1〜3のいずれかに記載の制御装置。 - 前記制御装置は、
前記受信手段に接続され、前記緊急停止信号を保持するための保持手段と、
前記解除信号を受信したことに応答して、前記保持を解除するための保持解除手段とを含む、請求項4に記載の制御装置。
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