JP2004014587A - 窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ及び発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】単純な構造により高い生産性を実現する窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハと、これを用いた発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板1上にバッファ層2、n型GaNクラッド層3、アンドープInGaN井戸層とアンドープGaN障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層4、p型クラッド層5,6、及びp型InGaNコンタクト層7が順次積層されている。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板1上にバッファ層2、n型GaNクラッド層3、アンドープInGaN井戸層とアンドープGaN障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層4、p型クラッド層5,6、及びp型InGaNコンタクト層7が順次積層されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ及び発光素子に関し、特に単純な構造により高い生産性を実現する発光素子用エピタキシャルウエハ及びこれを用いた発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウムガリウム(InGaN)、窒化ガリウムアルミニウム(AlGaN)等のGaN系化合物半導体は、青色発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)用材料として、脚光を浴びている。さらにGaN系化合物半導体は、光素子以外にも良好な耐熱性や耐環境性の特徴を活かした電子デバイス用素子に使用する試みがなされている。
【0003】
ところが、窒化物系化合物半導体を用いて発光素子を作製すると、n型クラッド層から漏れた光がサファイア基板とn型クラッド層との間にあるコンタクト層内に導波してしまい、外部量子効率が低下する等の不都合を生じる。このため、多重量子井戸構造の活性層よりも屈折率が十分に小さいクラッド層により活性層を挟む構造、例えばサファイア基板の上に、InGaNの多重量子井戸をp型及びn型のGaN、AlGaN等の積層体で挟み込む構造がとられる。このような積層体として(In)GaN/(In)AlGaN/(In)GaN構造、(In)GaN/(In)AlGaN超格子構造等が用いられる。
【0004】
GaN/AlGaN超格子の場合、Al混晶比を大きくするに従いバンドギャップエネルギーが大きくなり、屈折率が小さくなることが知られている。そこでGaN、及びAl混晶比の高いAlGaNを薄膜にし、これを積層して多層構造とした超格子層を用いることによりn型クラッド層から基板側に光が漏れないようにすることができる。従来構造の窒化物系化合物半導体発光素子の一例を図4に示す。サファイア基板8上に低温成長バッファ層9、n−GaN層10、5周期のn−AlGaN/GaN超格子層11、n−GaN層12、アンドープInGaN/GaN多重量子井戸構造の活性層13、p型GaN層14、5周期のp−AlGaN/GaN超格子層15、p型GaN層16、及びp−InGaNコンタクト層17が順に形成されている。
【0005】
しかしながら、このような積層体構造を有機金属気相成長法(MOVPE)、分子線エピタキシャル成長法(MBE)等により成長させる場合には、各層によって大幅に成長条件が異なるため、エピタキシャルウエハの構造が複雑であるほど、成長に必要な時間全体に占める各層間の原料及び成長条件切り替えに要する時間の割合が増加し、生産性が低下する原因となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、単純な構造により高い生産性を実現する窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハと、これを用いた発光素子を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、(1)均一にドープされたn型GaNからなるn型クラッド層と、(2)アンドープのInGaN/GaN多重量子井戸構造からなる活性層と、(3)それぞれ均一にドープされたp型GaN、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)、p型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、及びp型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)積層構造のいずれかからなるp型クラッド層と、(4) p型InGaNからなるp型コンタクト層とを有する単純な構造のエピタキシャルウエハを用いて発光素子を作製することにより、エピタキシャルウエハの高い生産性と発光素子の高い特性を両立できることを発見し、本発明に想到した。
【0008】
すなわち、本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板上にバッファ層、n型GaNクラッド層、アンドープInGaN井戸層とアンドープGaN障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層、p型クラッド層、及びp型InGaNコンタクト層が順次積層されていることを特徴とする。
【0009】
p型クラッド層は、p型GaN、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)、p型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、及びp型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)積層構造のいずれかからなるのが好ましい。
【0010】
n型GaNクラッド層、p型クラッド層及びp型InGaNコンタクト層はそれぞれ均一にドープされているのが好ましい。またバッファ層は、バッファ層より後に形成された層の成長温度より低い温度で形成されているのが好ましい。さらに基板は窒化物半導体単結晶基板を用いることができる。
【0011】
以上の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは発光素子として用いるのに適している。
【0012】
【発明の実施の形態】
[1]エピタキシャルウエハ
図1は本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの層構造を示す断面図である。基板(サファイア基板)1の第一主面上にバッファ層(低温成長バッファ層)2が形成され、バッファ層2の上に均一ドープn型GaNクラッド層3が形成され、クラッド層3の上にアンドープInGaN/GaN多重量子井戸構造からなる活性層4が形成されている。活性層4の上にp型クラッド層として均一ドープp型GaN層5及び均一ドープp型AlxGa1−xN(0<x≦1)層6が積層して形成され、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)層6の上にp型InGaNコンタクト層7が形成されている。p型クラッド層6としては上記以外に、それぞれ均一にドープされたp型GaN層、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)層、p型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN層、及びp型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN層のいずれかを好ましく用いることができる。
【0013】
基板を形成する材料としてはサファイア(A面、R面及びC面を含む)の他、スピネル(MgAl2O4)、SiC(6H、4H及び3Cを含む)、ZnS、ZnO、GaAs、GaN等を使用することができる。GaNエピタキシャル層との格子定数差及び熱膨張係数差に起因する歪み等を解消し、デバイスの放熱特性を向上させる観点からは、GaN等の窒化物半導体からなる単結晶基板を用いるのが好ましい。
【0014】
バッファ層2は基板と窒化物系化合物半導体との格子定数差及び熱膨張係数差による歪みを緩和するために設ける。格子定数差及び熱膨張係数差を十分に吸収するため、バッファ層2を低温成長バッファ層とするのが好ましい。例えば、サファイア基板1上にGaNバッファ層を形成する場合には400〜600℃の低温域で行うのが好ましい。低温成長バッファ層を形成する材料としてはGaN、AlN、AlGaN、InGaN、SiC等を用いることができる。
【0015】
n型クラッド層3としては、n型GaNからなる窒化物系化合物半導体を用いる。GaNを用いることにより結晶性の高いn型クラッド層を得ることができ、これにより出力の高い発光素子を作製することができる。n型GaN層はキャリア濃度の高いn型クラッド層とするため、結晶成長中にSi、Ge、Se等のドナー不純物がドープされている。n型クラッド層3は均一な発光を得るためドナー不純物が均一にドープされているのが好ましい。
【0016】
活性層4はアンドープInGaNからなる井戸層と、アンドープGaNからなる障壁層を複数回交互に積層した多重量子井戸構造により形成する。活性層を多重量子井戸構造とすることにより出力の高い発光素子を得ることができる。多重量子井戸構造の井戸層は出力の高い発光を得るためインジウムとガリウムを含む窒化物系化合物半導体(例えばInGaN)又はGaNを用いるのが好ましく、特にInGaNを用いるのが好ましい。障壁層は井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物系化合物半導体により形成する。障壁層としてはGaN、AlN等を用いるのが好ましく、特にGaNを用いるのが好ましい。活性層4にn型及びp型の不純物を添加してもよいが、不純物を添加すると半値幅の広いバンド間発光となるため色再現領域が狭くなる。従って、活性層4はアンドープ(不純物無添加)とするのが好ましい。
【0017】
量子井戸構造の活性層は光の閉じ込めが不十分となりやすい。このため、ガリウムを含むp型窒化物系化合物半導体、アルミニウムとガリウムを含むp型窒化物系化合物半導体等を用いてp型クラッド層を形成する。これにより活性層中の光の閉じ込めをより完全なものとすることができる。特にp型GaN、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)及びp型GaNとp型AlxGa1−xN(0<x≦1)の積層体は活性層に対し屈折率差を大きくできるので好ましい。p型の窒化物系化合物半導体は結晶成長中にMg、Zn、C、Be、Ca、Ba等のアクセプタ不純物がドープされている。p型クラッド層は均一な発光を得るためアクセプタ不純物が均一にドープされているのが好ましい。本発明に用いるp型クラッド層は、それぞれ均一にドープされたp型GaN、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)、p型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN多層構造、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN多層構造、及びp型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)多層構造のいずれかからなるのが好ましい。
【0018】
p型コンタクト層7はp型InGaNにより構成される。p型InGaNはバンドギャップが小さく正孔濃度を高くできるため、良好なオーミック接触を得ることができる。アクセプタ不純物としてはMg、Zn、C、Be、Ca、Ba等を用いる。p型コンタクト層7は均一な発光を得るためアクセプタ不純物が均一にドープされているのが好ましい。
【0019】
[2]発光素子
図2は本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハを用いた発光素子の一実施例を示す断面図である。図2に示す発光素子は図1に示すエピタキシャルウエハをp型コンタクト層側からエッチング処理した後、p型電極25及びn型電極26を形成することにより作製される。エッチング処理によりn型クラッド層20の一部が露出し、露出した表面にn型電極26が形成されている。このようにn型クラッド層20はn型電極26を形成するためのコンタクト層を兼ねるため、n型電極26との良好なオーミック接触が要求される。そのため、n型クラッド層20を形成する窒化物系化合物半導体として結晶性の高いGaNを用いる。これにより発光素子の順方向電圧(Vf)をより低下させることができる。n型電極26としては、良好なオーミック特性を得る観点からTi、Al、Au等又はこれらの積層電極が好ましい。
【0020】
一方、p型コンタクト層の表面の一部にはp型電極が形成されている。p型電極としては、Ni/Au積層電極、Ni/Ti積層電極等が良好なオーミック特性を得ることができるため好ましい。
【0021】
窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは有機金属気相成長法(MOVPE)、ハライド気相成長法(HVPE)、分子線気相成長法(MBE)等の気相成長法を用いて作製することができる。なかでもMOVPE法は迅速に結晶性のよいエピタキシャルウエハを得ることができる。
【0022】
【実施例】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【0023】
実施例1
図1に示すエピタキシャルウエハをMOVPE法を用いた以下の工程により成長させた。
(1)基板1
MOVPE装置内にC面サファイア基板1をセットし、H2キャリアガスを供給しながらサファイア基板1の温度を室温から1100℃に上昇させた。次に基板温度1100℃でH2キャリアガスにより10分間基板クリーニングを行った。
【0024】
(2)低温成長バッファ層2
続いて基板温度を1100℃から530℃に下降させ、基板温度530℃でH2キャリアガスにアンモニア、トリメチルガリウム(TMG)及びトリメチルインジウム(TMI)を1分間供給してサファイア基板1上に低温成長バッファ層2を形成した。
【0025】
(3) n型GaN層3
次に、基板温度を530℃から1025℃に上昇させ、基板温度1025℃でH2キャリアガスにアンモニア及びトリメチルガリウム(TMG)及びシランを30分間供給してSiを均一にドープしたn型GaN層3を形成した。
【0026】
(4)活性層4
続いて基板温度を1025℃から700℃に下降させ、基板温度700℃でH2キャリアガスにアンモニア及びTMGを2分間供給してアンドープのGaNからなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させた。続いてH2キャリアガスにアンモニア、TMG及びTMI(トリメチルインジウム)を30秒間供給してアンドープIn0.2Ga0.8Nからなる井戸層を20オングストロームの膜厚で成長させた。この障壁層と井戸層をそれぞれ3回ずつ交互に積層し、最後に障壁層を積層して膜厚860オングストロームの活性層を成長させた。
【0027】
(5) p型クラッド層5、6
次に基板温度を700℃から1025℃に上昇させ、基板温度1025℃でアンモニア、TMG及びCp2Mgを2分間供給してMgを均一にドープしたp型GaN層5を成長させた。続いて基板温度を1025℃から1050℃に上昇させ、基板温度1050℃でTMG、TMA(トリメチルアルミニウム)、アンモニア及びCp2Mgを10分間供給してMgを均一にドープしたp型Al0.2Ga0.8N層6を成長させた。
【0028】
(6) p型コンタクト層7
次に基板温度を1050℃から700℃に下降させ、基板温度700℃でアンモニア、TMG、TMI及びCp2Mgを2分間供給してMgを均一にドープしたp型In0.1Ga0.9Nからなるp型コンタクト層7を成長させた。
【0029】
反応終了後基板温度を室温まで下降させ、窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハを作製した。エピタキシャルウエハの作製に要した時間は合計で約2時間であった。図3に各反応工程の基板温度変化の概略を示す。次に基板を反応容器から取り出し、アニーリング装置内で窒素雰囲気中、700℃でアニーリングを行い、p型クラッド層及びp型コンタクト層をさらに低抵抗化した。
【0030】
実施例2
実施例1で得られたエピタキシャルウエハを用いて図2に示す発光素子を作製した。まずエピタキシャルウエハの表面をRIE(Reactive Ion Etching)によりp型コンタクト層側から部分的に除去してn型クラッド層20(n型GaN層)の一部を露出させ、露出した表面にTi/Alからなるn型電極26を形成した。一方、p型In0.1Ga0.9Nからなるp型コンタクト層24の表面にNi/Auからなるp型電極25を形成した。作製した発光素子の発光出力を測定したところ、20 mA通電時の平均光出力は5.1 mWであった。
【0031】
実施例3
p型クラッド層として、p型Al0.15Ga0.85N/p型GaN積層構造及びp型GaN/p型Al0.15Ga0.85N/p型GaN積層構造の化合物半導体をそれぞれ用いた以外、実施例1と同様にしてそれぞれエピタキシャルウエハを作製した。得られた発光素子の発光出力を測定したところ、20 mA通電時の平均光出力はそれぞれ5.3 mW及び5.2 mWであった。
【0032】
実施例4
p型クラッド層として、それぞれp型Al0.2Ga0.8N及びp型GaNからなる単層の化合物半導体をそれぞれ用いた以外、実施例1と同様にしてエピタキシャルウエハを作製した。得られた発光素子の発光出力を測定したところ、20 mA通電時の平均光出力はそれぞれ4.8 mW及び4.7 mWであった。
【0033】
比較例1
図4に示す従来のエピタキシャルウエハをMOVPE法を用いた以下の工程により成長させた。
(1)基板8
MOVPE装置内にC面サファイア基板8をセットし、H2キャリアガス供給しながらサファイア基板1を室温から1100℃に上昇させた。次に基板温度1100℃でH2キャリアガスにより10分間基板クリーニングを行った。
【0034】
(2)低温成長バッファ層9
続いて基板温度を1100℃から530℃に下降させ、基板温度530℃でアンモニア、TMG及びTMIを1分間供給してサファイア基板1上に低温成長バッファ層9を形成した。
【0035】
(3) n型GaN層10
次に基板温度を530℃から1025℃に上昇させ、基板温度1025℃でH2キャリアガスにアンモニア、TMG及びシランを30分間供給してSiを均一にドープしたn型GaN層10を形成した。
【0036】
(4) n型超格子層11
次に基板温度を1025℃から1050℃に上昇させ、1050℃でTMA、TMG、アンモニア及びシランを2分間供給してSiをドープしたAl0.2Ga0.8N層を膜厚20オングストロームで成長させた。続いて基板温度を1025℃に下降させ、1025℃でTMG、アンモニア及びシランを2分間供給してSiをドープしたn型GaN層を膜厚20オングストロームで成長させた。これらの工程をそれぞれ5回ずつ交互に繰り返して膜厚200オングストロームのn型AlGaN/GaN超格子格子層11を成長させた。
【0037】
(5) n型GaN層12
引き続き1025℃でTMG、アンモニア及びシランを5分間供給してSiをドープしたn型GaN層12を膜厚50オングストロームで成長させた。
【0038】
(6)活性層13
次に基板温度を1025℃から700℃に下降させ、基板温度700℃でアンモニア及びTMGを2分間供給してアンドープのGaNからなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させた。続いてアンモニア、TMG及びTMIを30秒間供給してアンドープIn0.2Ga0.8Nからなる井戸層を20オングストロームの膜厚で成長させた。この障壁層と井戸層をそれぞれ3回交互に積層し、最後に障壁層を積層して膜厚860オングストロームの活性層13を成長させた。
【0039】
(7) p型GaN層14
次に基板温度を700℃から1025℃に上昇させ、基板温度1025℃でTMG、アンモニア及びCp2Mgを2分間供給してMgをドープしたp型GaN層14を膜厚2オングストロームで成長させた。
【0040】
(8) p型超格子層15
次に基板温度を1025℃から1050℃に上昇させ、1050℃でTMA、TMG、アンモニア及びCp2Mgを2分間供給してMgをドープしたAl0.2Ga0.8N層を膜厚20オングストロームで成長させた。続いて基板温度を1025℃に下降させ、1025℃でTMG、アンモニア及びCp2Mgを2分間供給してMgをドープしたp型GaN層を成長させた。これらの工程をそれぞれ5回ずつ交互に繰り返して膜厚200オングストロームのp型AlGaN/GaN超格子格子層15を成長させた。
【0041】
(9) p型GaN層16
引き続き基板温度1025℃でTMG、アンモニア及びCp2Mgを2分間供給してMgをドープしたp型GaN層16を膜厚20オングストロームで成長させた。
【0042】
(10) p型コンタクト層17
次に基板温度を1025℃から700℃に下降させ、基板温度700℃でアンモニア、TMG、TMI及びCp2Mgを2分間供給してMgを均一にドープしたp型In0.1Ga0.9Nコンタクト層17を成長させた。
【0043】
反応終了後基板温度を室温まで下降させ、窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハを作製した。エピタキシャルウエハの作製に要した時間は合計で約4時間であった。図5に各反応工程の基板温度変化の概略を示す。次に基板を反応容器から取り出し、アニーリング装置内で窒素雰囲気中、700℃でアニーリングを行い、p型クラッド層及びp型コンタクト層をさらに低抵抗化した。
【0044】
比較例2
比較例1で得られたエピタキシャルウエハを用いて発光素子を作製した。
実施例2と同様にしてn型GaN層の一部を露出させ、露出した表面にTi/Alからなるn型電極を形成し、一方p型コンタクト層の表面にNi/Auからなるp型電極を形成した。作製した発光素子の発光出力を測定したところ、20 mA通電時の平均光出力は5.2 mWであった。
【0045】
(評価)
実施例1でエピタキシャルウエハの成長に要した時間は、比較例1で要した時間の半分程度であり、本発明のエピタキシャルウエハの構造にすることにより約2倍の生産性の向上が実現された。また、実施例2、3及び4で得られた発光素子の発光出力は、従来構造である比較例2で得られた発光素子の発光出力の90%以上の出力が得られた。従って単純な構造を有する本発明の発光素子を用いた場合でも、複雑な構造を有する従来構造の発光素子と同等の性能を実現できることが分かる。
【0046】
【発明の効果】
上記の通り、単純な構造を有する本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハを用いた発光素子は、従来の複雑な構造を有するエピタキシャルウエハを用いた発光素子と同等の性能を有する。そのため、エピタキシャルウエハ製造に要する時間を短縮することができ、生産性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの層構造の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の発光素子の層構造の一例を示す断面図である。
【図3】本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの成長工程における所要時間と基板温度変化の概略を示すグラフである。
【図4】従来の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの層構造の一例を示す断面図である。
【図5】従来の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの成長工程における所要時間と基板温度変化の概略を示すグラフである。
【符号の説明】
1,8,18・・・基板
2,9,19・・・バッファ層
3,20・・・n型クラッド層
4,13,21・・・活性層
5,6,22,23・・・p型クラッド層
7,17,24・・・p型コンタクト層
11・・・n型AlGaN/n型GaN超格子
15・・・p型AlGaN/p型GaN超格子
10,12・・・n型GaN層
14,16・・・p型GaN層
25・・・p型電極
26・・・n型電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ及び発光素子に関し、特に単純な構造により高い生産性を実現する発光素子用エピタキシャルウエハ及びこれを用いた発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウムガリウム(InGaN)、窒化ガリウムアルミニウム(AlGaN)等のGaN系化合物半導体は、青色発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)用材料として、脚光を浴びている。さらにGaN系化合物半導体は、光素子以外にも良好な耐熱性や耐環境性の特徴を活かした電子デバイス用素子に使用する試みがなされている。
【0003】
ところが、窒化物系化合物半導体を用いて発光素子を作製すると、n型クラッド層から漏れた光がサファイア基板とn型クラッド層との間にあるコンタクト層内に導波してしまい、外部量子効率が低下する等の不都合を生じる。このため、多重量子井戸構造の活性層よりも屈折率が十分に小さいクラッド層により活性層を挟む構造、例えばサファイア基板の上に、InGaNの多重量子井戸をp型及びn型のGaN、AlGaN等の積層体で挟み込む構造がとられる。このような積層体として(In)GaN/(In)AlGaN/(In)GaN構造、(In)GaN/(In)AlGaN超格子構造等が用いられる。
【0004】
GaN/AlGaN超格子の場合、Al混晶比を大きくするに従いバンドギャップエネルギーが大きくなり、屈折率が小さくなることが知られている。そこでGaN、及びAl混晶比の高いAlGaNを薄膜にし、これを積層して多層構造とした超格子層を用いることによりn型クラッド層から基板側に光が漏れないようにすることができる。従来構造の窒化物系化合物半導体発光素子の一例を図4に示す。サファイア基板8上に低温成長バッファ層9、n−GaN層10、5周期のn−AlGaN/GaN超格子層11、n−GaN層12、アンドープInGaN/GaN多重量子井戸構造の活性層13、p型GaN層14、5周期のp−AlGaN/GaN超格子層15、p型GaN層16、及びp−InGaNコンタクト層17が順に形成されている。
【0005】
しかしながら、このような積層体構造を有機金属気相成長法(MOVPE)、分子線エピタキシャル成長法(MBE)等により成長させる場合には、各層によって大幅に成長条件が異なるため、エピタキシャルウエハの構造が複雑であるほど、成長に必要な時間全体に占める各層間の原料及び成長条件切り替えに要する時間の割合が増加し、生産性が低下する原因となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、単純な構造により高い生産性を実現する窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハと、これを用いた発光素子を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者は、(1)均一にドープされたn型GaNからなるn型クラッド層と、(2)アンドープのInGaN/GaN多重量子井戸構造からなる活性層と、(3)それぞれ均一にドープされたp型GaN、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)、p型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、及びp型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)積層構造のいずれかからなるp型クラッド層と、(4) p型InGaNからなるp型コンタクト層とを有する単純な構造のエピタキシャルウエハを用いて発光素子を作製することにより、エピタキシャルウエハの高い生産性と発光素子の高い特性を両立できることを発見し、本発明に想到した。
【0008】
すなわち、本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは、基板上にバッファ層、n型GaNクラッド層、アンドープInGaN井戸層とアンドープGaN障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層、p型クラッド層、及びp型InGaNコンタクト層が順次積層されていることを特徴とする。
【0009】
p型クラッド層は、p型GaN、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)、p型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、及びp型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)積層構造のいずれかからなるのが好ましい。
【0010】
n型GaNクラッド層、p型クラッド層及びp型InGaNコンタクト層はそれぞれ均一にドープされているのが好ましい。またバッファ層は、バッファ層より後に形成された層の成長温度より低い温度で形成されているのが好ましい。さらに基板は窒化物半導体単結晶基板を用いることができる。
【0011】
以上の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは発光素子として用いるのに適している。
【0012】
【発明の実施の形態】
[1]エピタキシャルウエハ
図1は本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの層構造を示す断面図である。基板(サファイア基板)1の第一主面上にバッファ層(低温成長バッファ層)2が形成され、バッファ層2の上に均一ドープn型GaNクラッド層3が形成され、クラッド層3の上にアンドープInGaN/GaN多重量子井戸構造からなる活性層4が形成されている。活性層4の上にp型クラッド層として均一ドープp型GaN層5及び均一ドープp型AlxGa1−xN(0<x≦1)層6が積層して形成され、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)層6の上にp型InGaNコンタクト層7が形成されている。p型クラッド層6としては上記以外に、それぞれ均一にドープされたp型GaN層、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)層、p型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN層、及びp型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN層のいずれかを好ましく用いることができる。
【0013】
基板を形成する材料としてはサファイア(A面、R面及びC面を含む)の他、スピネル(MgAl2O4)、SiC(6H、4H及び3Cを含む)、ZnS、ZnO、GaAs、GaN等を使用することができる。GaNエピタキシャル層との格子定数差及び熱膨張係数差に起因する歪み等を解消し、デバイスの放熱特性を向上させる観点からは、GaN等の窒化物半導体からなる単結晶基板を用いるのが好ましい。
【0014】
バッファ層2は基板と窒化物系化合物半導体との格子定数差及び熱膨張係数差による歪みを緩和するために設ける。格子定数差及び熱膨張係数差を十分に吸収するため、バッファ層2を低温成長バッファ層とするのが好ましい。例えば、サファイア基板1上にGaNバッファ層を形成する場合には400〜600℃の低温域で行うのが好ましい。低温成長バッファ層を形成する材料としてはGaN、AlN、AlGaN、InGaN、SiC等を用いることができる。
【0015】
n型クラッド層3としては、n型GaNからなる窒化物系化合物半導体を用いる。GaNを用いることにより結晶性の高いn型クラッド層を得ることができ、これにより出力の高い発光素子を作製することができる。n型GaN層はキャリア濃度の高いn型クラッド層とするため、結晶成長中にSi、Ge、Se等のドナー不純物がドープされている。n型クラッド層3は均一な発光を得るためドナー不純物が均一にドープされているのが好ましい。
【0016】
活性層4はアンドープInGaNからなる井戸層と、アンドープGaNからなる障壁層を複数回交互に積層した多重量子井戸構造により形成する。活性層を多重量子井戸構造とすることにより出力の高い発光素子を得ることができる。多重量子井戸構造の井戸層は出力の高い発光を得るためインジウムとガリウムを含む窒化物系化合物半導体(例えばInGaN)又はGaNを用いるのが好ましく、特にInGaNを用いるのが好ましい。障壁層は井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物系化合物半導体により形成する。障壁層としてはGaN、AlN等を用いるのが好ましく、特にGaNを用いるのが好ましい。活性層4にn型及びp型の不純物を添加してもよいが、不純物を添加すると半値幅の広いバンド間発光となるため色再現領域が狭くなる。従って、活性層4はアンドープ(不純物無添加)とするのが好ましい。
【0017】
量子井戸構造の活性層は光の閉じ込めが不十分となりやすい。このため、ガリウムを含むp型窒化物系化合物半導体、アルミニウムとガリウムを含むp型窒化物系化合物半導体等を用いてp型クラッド層を形成する。これにより活性層中の光の閉じ込めをより完全なものとすることができる。特にp型GaN、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)及びp型GaNとp型AlxGa1−xN(0<x≦1)の積層体は活性層に対し屈折率差を大きくできるので好ましい。p型の窒化物系化合物半導体は結晶成長中にMg、Zn、C、Be、Ca、Ba等のアクセプタ不純物がドープされている。p型クラッド層は均一な発光を得るためアクセプタ不純物が均一にドープされているのが好ましい。本発明に用いるp型クラッド層は、それぞれ均一にドープされたp型GaN、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)、p型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN多層構造、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN多層構造、及びp型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)多層構造のいずれかからなるのが好ましい。
【0018】
p型コンタクト層7はp型InGaNにより構成される。p型InGaNはバンドギャップが小さく正孔濃度を高くできるため、良好なオーミック接触を得ることができる。アクセプタ不純物としてはMg、Zn、C、Be、Ca、Ba等を用いる。p型コンタクト層7は均一な発光を得るためアクセプタ不純物が均一にドープされているのが好ましい。
【0019】
[2]発光素子
図2は本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハを用いた発光素子の一実施例を示す断面図である。図2に示す発光素子は図1に示すエピタキシャルウエハをp型コンタクト層側からエッチング処理した後、p型電極25及びn型電極26を形成することにより作製される。エッチング処理によりn型クラッド層20の一部が露出し、露出した表面にn型電極26が形成されている。このようにn型クラッド層20はn型電極26を形成するためのコンタクト層を兼ねるため、n型電極26との良好なオーミック接触が要求される。そのため、n型クラッド層20を形成する窒化物系化合物半導体として結晶性の高いGaNを用いる。これにより発光素子の順方向電圧(Vf)をより低下させることができる。n型電極26としては、良好なオーミック特性を得る観点からTi、Al、Au等又はこれらの積層電極が好ましい。
【0020】
一方、p型コンタクト層の表面の一部にはp型電極が形成されている。p型電極としては、Ni/Au積層電極、Ni/Ti積層電極等が良好なオーミック特性を得ることができるため好ましい。
【0021】
窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハは有機金属気相成長法(MOVPE)、ハライド気相成長法(HVPE)、分子線気相成長法(MBE)等の気相成長法を用いて作製することができる。なかでもMOVPE法は迅速に結晶性のよいエピタキシャルウエハを得ることができる。
【0022】
【実施例】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【0023】
実施例1
図1に示すエピタキシャルウエハをMOVPE法を用いた以下の工程により成長させた。
(1)基板1
MOVPE装置内にC面サファイア基板1をセットし、H2キャリアガスを供給しながらサファイア基板1の温度を室温から1100℃に上昇させた。次に基板温度1100℃でH2キャリアガスにより10分間基板クリーニングを行った。
【0024】
(2)低温成長バッファ層2
続いて基板温度を1100℃から530℃に下降させ、基板温度530℃でH2キャリアガスにアンモニア、トリメチルガリウム(TMG)及びトリメチルインジウム(TMI)を1分間供給してサファイア基板1上に低温成長バッファ層2を形成した。
【0025】
(3) n型GaN層3
次に、基板温度を530℃から1025℃に上昇させ、基板温度1025℃でH2キャリアガスにアンモニア及びトリメチルガリウム(TMG)及びシランを30分間供給してSiを均一にドープしたn型GaN層3を形成した。
【0026】
(4)活性層4
続いて基板温度を1025℃から700℃に下降させ、基板温度700℃でH2キャリアガスにアンモニア及びTMGを2分間供給してアンドープのGaNからなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させた。続いてH2キャリアガスにアンモニア、TMG及びTMI(トリメチルインジウム)を30秒間供給してアンドープIn0.2Ga0.8Nからなる井戸層を20オングストロームの膜厚で成長させた。この障壁層と井戸層をそれぞれ3回ずつ交互に積層し、最後に障壁層を積層して膜厚860オングストロームの活性層を成長させた。
【0027】
(5) p型クラッド層5、6
次に基板温度を700℃から1025℃に上昇させ、基板温度1025℃でアンモニア、TMG及びCp2Mgを2分間供給してMgを均一にドープしたp型GaN層5を成長させた。続いて基板温度を1025℃から1050℃に上昇させ、基板温度1050℃でTMG、TMA(トリメチルアルミニウム)、アンモニア及びCp2Mgを10分間供給してMgを均一にドープしたp型Al0.2Ga0.8N層6を成長させた。
【0028】
(6) p型コンタクト層7
次に基板温度を1050℃から700℃に下降させ、基板温度700℃でアンモニア、TMG、TMI及びCp2Mgを2分間供給してMgを均一にドープしたp型In0.1Ga0.9Nからなるp型コンタクト層7を成長させた。
【0029】
反応終了後基板温度を室温まで下降させ、窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハを作製した。エピタキシャルウエハの作製に要した時間は合計で約2時間であった。図3に各反応工程の基板温度変化の概略を示す。次に基板を反応容器から取り出し、アニーリング装置内で窒素雰囲気中、700℃でアニーリングを行い、p型クラッド層及びp型コンタクト層をさらに低抵抗化した。
【0030】
実施例2
実施例1で得られたエピタキシャルウエハを用いて図2に示す発光素子を作製した。まずエピタキシャルウエハの表面をRIE(Reactive Ion Etching)によりp型コンタクト層側から部分的に除去してn型クラッド層20(n型GaN層)の一部を露出させ、露出した表面にTi/Alからなるn型電極26を形成した。一方、p型In0.1Ga0.9Nからなるp型コンタクト層24の表面にNi/Auからなるp型電極25を形成した。作製した発光素子の発光出力を測定したところ、20 mA通電時の平均光出力は5.1 mWであった。
【0031】
実施例3
p型クラッド層として、p型Al0.15Ga0.85N/p型GaN積層構造及びp型GaN/p型Al0.15Ga0.85N/p型GaN積層構造の化合物半導体をそれぞれ用いた以外、実施例1と同様にしてそれぞれエピタキシャルウエハを作製した。得られた発光素子の発光出力を測定したところ、20 mA通電時の平均光出力はそれぞれ5.3 mW及び5.2 mWであった。
【0032】
実施例4
p型クラッド層として、それぞれp型Al0.2Ga0.8N及びp型GaNからなる単層の化合物半導体をそれぞれ用いた以外、実施例1と同様にしてエピタキシャルウエハを作製した。得られた発光素子の発光出力を測定したところ、20 mA通電時の平均光出力はそれぞれ4.8 mW及び4.7 mWであった。
【0033】
比較例1
図4に示す従来のエピタキシャルウエハをMOVPE法を用いた以下の工程により成長させた。
(1)基板8
MOVPE装置内にC面サファイア基板8をセットし、H2キャリアガス供給しながらサファイア基板1を室温から1100℃に上昇させた。次に基板温度1100℃でH2キャリアガスにより10分間基板クリーニングを行った。
【0034】
(2)低温成長バッファ層9
続いて基板温度を1100℃から530℃に下降させ、基板温度530℃でアンモニア、TMG及びTMIを1分間供給してサファイア基板1上に低温成長バッファ層9を形成した。
【0035】
(3) n型GaN層10
次に基板温度を530℃から1025℃に上昇させ、基板温度1025℃でH2キャリアガスにアンモニア、TMG及びシランを30分間供給してSiを均一にドープしたn型GaN層10を形成した。
【0036】
(4) n型超格子層11
次に基板温度を1025℃から1050℃に上昇させ、1050℃でTMA、TMG、アンモニア及びシランを2分間供給してSiをドープしたAl0.2Ga0.8N層を膜厚20オングストロームで成長させた。続いて基板温度を1025℃に下降させ、1025℃でTMG、アンモニア及びシランを2分間供給してSiをドープしたn型GaN層を膜厚20オングストロームで成長させた。これらの工程をそれぞれ5回ずつ交互に繰り返して膜厚200オングストロームのn型AlGaN/GaN超格子格子層11を成長させた。
【0037】
(5) n型GaN層12
引き続き1025℃でTMG、アンモニア及びシランを5分間供給してSiをドープしたn型GaN層12を膜厚50オングストロームで成長させた。
【0038】
(6)活性層13
次に基板温度を1025℃から700℃に下降させ、基板温度700℃でアンモニア及びTMGを2分間供給してアンドープのGaNからなる障壁層を200オングストロームの膜厚で成長させた。続いてアンモニア、TMG及びTMIを30秒間供給してアンドープIn0.2Ga0.8Nからなる井戸層を20オングストロームの膜厚で成長させた。この障壁層と井戸層をそれぞれ3回交互に積層し、最後に障壁層を積層して膜厚860オングストロームの活性層13を成長させた。
【0039】
(7) p型GaN層14
次に基板温度を700℃から1025℃に上昇させ、基板温度1025℃でTMG、アンモニア及びCp2Mgを2分間供給してMgをドープしたp型GaN層14を膜厚2オングストロームで成長させた。
【0040】
(8) p型超格子層15
次に基板温度を1025℃から1050℃に上昇させ、1050℃でTMA、TMG、アンモニア及びCp2Mgを2分間供給してMgをドープしたAl0.2Ga0.8N層を膜厚20オングストロームで成長させた。続いて基板温度を1025℃に下降させ、1025℃でTMG、アンモニア及びCp2Mgを2分間供給してMgをドープしたp型GaN層を成長させた。これらの工程をそれぞれ5回ずつ交互に繰り返して膜厚200オングストロームのp型AlGaN/GaN超格子格子層15を成長させた。
【0041】
(9) p型GaN層16
引き続き基板温度1025℃でTMG、アンモニア及びCp2Mgを2分間供給してMgをドープしたp型GaN層16を膜厚20オングストロームで成長させた。
【0042】
(10) p型コンタクト層17
次に基板温度を1025℃から700℃に下降させ、基板温度700℃でアンモニア、TMG、TMI及びCp2Mgを2分間供給してMgを均一にドープしたp型In0.1Ga0.9Nコンタクト層17を成長させた。
【0043】
反応終了後基板温度を室温まで下降させ、窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハを作製した。エピタキシャルウエハの作製に要した時間は合計で約4時間であった。図5に各反応工程の基板温度変化の概略を示す。次に基板を反応容器から取り出し、アニーリング装置内で窒素雰囲気中、700℃でアニーリングを行い、p型クラッド層及びp型コンタクト層をさらに低抵抗化した。
【0044】
比較例2
比較例1で得られたエピタキシャルウエハを用いて発光素子を作製した。
実施例2と同様にしてn型GaN層の一部を露出させ、露出した表面にTi/Alからなるn型電極を形成し、一方p型コンタクト層の表面にNi/Auからなるp型電極を形成した。作製した発光素子の発光出力を測定したところ、20 mA通電時の平均光出力は5.2 mWであった。
【0045】
(評価)
実施例1でエピタキシャルウエハの成長に要した時間は、比較例1で要した時間の半分程度であり、本発明のエピタキシャルウエハの構造にすることにより約2倍の生産性の向上が実現された。また、実施例2、3及び4で得られた発光素子の発光出力は、従来構造である比較例2で得られた発光素子の発光出力の90%以上の出力が得られた。従って単純な構造を有する本発明の発光素子を用いた場合でも、複雑な構造を有する従来構造の発光素子と同等の性能を実現できることが分かる。
【0046】
【発明の効果】
上記の通り、単純な構造を有する本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハを用いた発光素子は、従来の複雑な構造を有するエピタキシャルウエハを用いた発光素子と同等の性能を有する。そのため、エピタキシャルウエハ製造に要する時間を短縮することができ、生産性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの層構造の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の発光素子の層構造の一例を示す断面図である。
【図3】本発明の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの成長工程における所要時間と基板温度変化の概略を示すグラフである。
【図4】従来の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの層構造の一例を示す断面図である。
【図5】従来の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハの成長工程における所要時間と基板温度変化の概略を示すグラフである。
【符号の説明】
1,8,18・・・基板
2,9,19・・・バッファ層
3,20・・・n型クラッド層
4,13,21・・・活性層
5,6,22,23・・・p型クラッド層
7,17,24・・・p型コンタクト層
11・・・n型AlGaN/n型GaN超格子
15・・・p型AlGaN/p型GaN超格子
10,12・・・n型GaN層
14,16・・・p型GaN層
25・・・p型電極
26・・・n型電極
Claims (6)
- 基板上にバッファ層、n型GaNクラッド層、アンドープInGaN井戸層とアンドープGaN障壁層とからなる多重量子井戸構造の活性層、p型クラッド層、及びp型InGaNコンタクト層が順次積層されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ。
- 請求項1に記載の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、前記p型クラッド層は、p型GaN、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)、p型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、p型AlxGa1−xN(0<x≦1)/p型GaN積層構造、及びp型GaN/p型AlxGa1−xN(0<x≦1)積層構造のいずれかからなることを特徴とする窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ。
- 請求項1又は2に記載の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、前記n型GaNクラッド層、p型クラッド層及びp型InGaNコンタクト層はそれぞれ均一にドープされていることを特徴とする窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、前記バッファ層は、前記バッファ層より後に形成された層の成長温度より低い温度で形成されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、前記基板は窒化物半導体単結晶基板であることを特徴とする窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハを用いた発光素子。
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