JP2004014485A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 試料を載置する試料ステージと、
   該試料の第一の領域に対して二次元的な広がりを有する面状の電子ビームを照射する電子光学系と、
   前記試料を載置する試料ステージと、
   前記試料の第一の領域に照射された電子ビームの一部または全てが前記試料に入射せずに反射された電子を検出して画像を形成する画像検出手段と、
   該画像検出手段により得られた画像を基に欠陥検査を行なう画像処理手段と、
   前記試料ステージに対向して配置された電極とを備え、
   前記試料と電極との間に前記電子ビームが前記第一の領域を所望の電位に帯電させるような第一の電界と前記第一の領域には入射せずに反射されるような第二の電界とを形成する手段とを備えることを特徴とする欠陥検査装置。
2. 請求項１に記載の欠陥検査装置において、
   前記第一の電界と第二の電界を交互に発生させることを特徴とする欠陥検査装置。
3. 請求項１または２に記載の欠陥検査装置において、
   前記第一と第二の電界を周期的に変化させることを特徴とする欠陥検査装置。
4. 請求項１に記載の欠陥検査装置において、
   前記試料には負の電位が印加されることを特徴とする欠陥検査装置。
5. 請求項１に記載の欠陥検査装置において、
   前記電子光学系は前記電子ビームを放射する電子源と、該電子源から放射した電子ビームを集束するコンデンサレンズと、前記コンデンサレンズと前記試料との間に配置された対物レンズとを少なくとも有し、前記コンデンサレンズによって前記対物レンズの電子源側の焦点面近傍に前記電子ビームの焦点を配置して、前記面状の電子ビームを前記試料表面に対して進行方向を略平行にそろえ略垂直に入射させることを特徴とする欠陥検査装置。
6. 請求項１に記載の欠陥検査装置において、
   連続移動する前記試料ステージの位置を計測するステージ位置計測機構を備え、
   前記試料ステージの移動に伴う位置変動を該ステージ位置計測機構により測定し、
   前記測定結果を基に前記電子ビームを前記ステージの移動に追従させる手段を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
7. 請求項１に記載の欠陥検査装置において、
   前記電子ビームのエネルギ値は前記試料表面の少なくとも一部を正帯電させるために必要なエネルギ値であることを特徴とする欠陥検査装置。
8. 電子源からの電子ビームを２次元的な広がりを有する面状電子ビームとして試料表面の複数の照射領域に照射する第１の電子光学系と、前記試料に向けて照射した前記電子ビームを形成する電子の一部が前記試料に衝突して前記試料を帯電させるとともに残りの電子が前記試料の最表面付近で引き戻されるような電界を発生させるための手段と、前記複数の照射領域から引き戻された電子を結像させて前記複数の照射領域の全域あるいは一部の拡大像を形成するための第２の電子光学系と、前記照射領域の拡大像をそれぞれ電気的な画像信号に変換して検出する画像信号検出手段と、検出された前記試料表面の複数の照射領域の画像信号同士を比較して各照射領域におけるパターン欠陥を検出するための画像信号処理手段とを有し、前記試料に形成されたパターン欠陥を検出することを特徴とするパターン欠陥検査装置。
9. 請求項８に記載のパターン欠陥検査装置において、
   前記試料に衝突した電子で前記試料を一定時間照射して帯電させた後に、前記試料に衝突せずに前記試料の表面付近で引き戻された電子を結像せしめて画像を取り込むことを特徴とするパターン欠陥検査装置。
10. 請求項８に記載のパターン欠陥検査装置において、
    前記照射領域を画像取得領域より大きく取ることにより、前記試料に衝突した電子で前記試料を一定時間照射して帯電させた後に、前記試料に衝突せずに前記試料の表面付近で引き戻された電子を結像せしめて画像を取り込むことを特徴とするパターン欠陥検査装置。
11. 試料を載置する試料ステージと、
    該試料の第一の領域に電子ビームを照射する電子光学系と、
    前記試料の第一の領域に照射された電子ビームの一部または全てが試料に入射せずに反射されるような電圧を前記試料ステージまたは前記試料に印加する手段と、
    前記反射された電子を検出して画像を形成する画像検出手段と、
    該画像検出手段により得られた画像を基に欠陥検査を行なう画像処理手段とを備えることを特徴とする欠陥検査装置。