JP2003521365A

JP2003521365A - 一体型加熱ゲッター精製器システム

Info

Publication number: JP2003521365A
Application number: JP2001502945A
Authority: JP
Inventors: チャールズエイチアプレガース
Original assignee: サエスピュアガスインク
Priority date: 1999-06-10
Filing date: 2000-06-08
Publication date: 2003-07-15
Anticipated expiration: 2020-06-08
Also published as: TW510822B; CN1355720A; CN1201849C; MY125949A; EP1198281A1; KR100483039B1; DE60045921D1; EP1198281A4; US6299670B1; KR20020026450A; EP1198281B1; WO2000076627A1; JP5039262B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の加熱ゲッターシステムより小さなパッケージ加熱ゲッター精製器システムの優れた性能を利用して種々のガスを精製する方法および装置を提供すること。【解決手段】内側ケーシング、外側ケーシング及びヒーター効率を上げ精製ガスを冷却する一体型再生式熱交換機とを備える装置。粒子フィルターはガスの流れから粒子を取り除く。種々のモジュラー型ガススティック基体の設計に対するインターフェースは、一体型加熱ゲッター精製器システムの入口と出口をもつ。入口ガスは一体型熱交換機によって予備加熱され、２００〜４００℃の操業温度に加熱される。加熱されたゲッターは、種々の不純物をガスから除去し、ガスは一体型熱交換器で冷却され、第２のより冷えたゲッターに曝され、残留不純物が除去され、好ましくは、使用されるために放出される前にフィルターによって残留粒子が除去される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】

本発明はガス精製に関し、より詳しくは、ゲッターに基づく、ガスから不純物
を除去する方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術・発明が解決しようとする課題】

超高純度（ＵＨＰ）ガスは、半導体デバイスの製造、研究室での研究、質量分
析装置、その他の産業や用途に好ましく用いられる。ＵＨＰガスは少なくとも９
９．９９９９９９９容積％の純ガスであると通常は定義される。

【０００３】ＵＨＰガスの製造方法はいくつかある。採用される方法は、普通、所望のガス
流速によって決められる。ＵＨＰガスの低流速は、最も一般的にはシングルラボ
ラトリテストスティション等のシングルポイント用途（ＰＯＵ）や化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）半導体加工ツールなどのシングルプロセスツールにおいて利用される。Ｐ
ＯＵの適用や他の似た低流速適用の好ましい方法として、これらの方法でスケー
ルの小さい製造が可能という理由から、低温反応性精製プロセス、加熱ゲッター
精製器プロセスがある。

【０００４】低温反応性精製プロセスは、普通、反応性金属、金属合金あるいは高分子樹脂
が精製材として利用される。低温反応性精製プロセスは、特定の反応性精製材を
精製すべき不純物を含むガスに暴露する。普通この方法は、特別に調整された精
製材を “活性化”し、次いで不純物を含むガスを加圧下、強制的に前記精製材
中に通すことが求められる。精製材は不純物を含むガス中の不純物と化学的ある
いは物理的に結合し、精製されたガスがケーシングから流出する。

【０００５】図１は、精製材として多孔性還元ニッケル触媒ペレットを利用した、従来の低
温反応性精製方法１０を示すフローチャートである。まず、操作１４で不純物を
含むガス、例えば微量の酸素の不純物を含むアルゴン、を加圧下、多孔性ニッケ
ルペレット中に通す。微量の酸素不純物はニッケル金属と反応し、酸化ニッケル
を形成する。他の不純物も又該ニッケルと反応できる。次いで、精製されたガス
は操作１６で、意図された目的（例えば、半導体製造工程）に使用される。前記
ニッケルがプロセス１０で実質的に酸化されてしまうと、酸素及び他の不純物は
もはや有効にガスから除去されない。

【０００６】低温反応性精製材は、不純物と反応しても該精製材が不純物を含むガスから不
純物をもはや除去できず、求められる性能レベルを達成しなくなる点で、“精製
キャパシティ”に達したと言われる。上記したニッケルを例にすれば、ニッケル
が不純物を含むガスからもはや微量の酸素を除去することができず、得られるガ
スは少なくとも９９．９９９９９９％の純度を得られなくなった時、該ニッケル
は精製キャパシティに達した。あるひとつの不純物に対して低温反応性精製材が
精製キャパシティに達した時、該精製材は取り替える必要があり、もし可能なら
再活性化される。

【０００７】不純物の“総キャパシティ”は、不純物によって、精製材の実質的に全てが消
費され、言い換えれば、反応し、精製材が如何なる不純物とも反応できなくなる
のに必要とされる不純物の量である。

【０００８】一定の不純物の総キャパシティは、普通、精製キャパシティより非常に大きい
。不純物の精製キャパシティを増加するには、普通大きな容積を持つ精製材を利
用する。

【０００９】低温反応性精製材方法は、普通工場で“活性化”され、コントロールやモニタ
リングシステムを必要としない現場で操作されるというように、操作が非常に単
純であるという利点がある。低温反応性精製材方法は、非常に限定された数のタ
イプの不純物しか除去できなく、それから該限定された数のタイプの不純物の小
さなキャパシティしか持たないという不都合がある。低温反応性精製方法の精製
器は、オーバーヒートし、もし不純物濃度があまり大きいものを一度に曝すと火
災さえ起こすことが知られている。

【００１０】加熱ゲッター精製材、以下ゲッターという、は普通、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ
及びＶと、他の材料との合金あるいは混合物である。加熱ゲッタープロセスは、
精製すべき不純物を含むガスを適切な温度に保たれているゲッター材に暴露する
方法である。

【００１１】図２は、従来の加熱ゲッタープロセス３０を示す。操作３１で、不純物を含む
ガスを精製器の第１端部の入口に流す。次いで操作３２で、不純物を含むガスは
操作温度まで予備加熱される。次に操作３４で、加熱ゲッターが、不純物ガス中
に含まれる不純物、ＣＯ₂、Ｈ₂Ｏ、ＣＨ₄、ＣＯ、Ｏ₂、Ｎ₂、その他の不純物と
化学的に結合する。操作３６において、精製されたガスは熱交換器プロセスで室
温近くにまで冷却される。室温近くで、ゲッターは大きなＨ₂キャパシティをも
つ。任意の操作３８は、余剰のＨ₂や他の不純物を、室温近くの大量のゲッター
を利用して、実質的に除去する。操作３９で、精製されたガスは、精製器の第２
端部にある出口から流出する。精製ガスは、次いで、操作４０で、意図された目
的（例えば、半導体製造工程）に使用される。

【００１２】もはや不純物を除去できず、求められる性能レベルを達成しなくなった時、ゲ
ッターは精製キャパシティに達した。ゲッター材が或るひとつの不純物に対して
精製キャパシティに達した時、該ゲッターは取り替えられなければならない。

【００１３】不純物の総キャパシティは、不純物によって、ゲッターの実質的に全てが消費
される、言い換えれば、反応するのに必要とされる不純物の量である。或るひと
つの不純物の総キャパシティは、普通、該不純物の精製キャパシティより非常に
大きい。不純物の精製キャパシティを増加するには、普通大きな容積を持つゲッ
ターを利用するか、ゲッターを高温に加熱する。

【００１４】加熱ゲッタープロセスは、或るひとつの不純物について精製材と同じ量で５０
倍の量の不純物を取り除き、低温反応性精製材プロセスより優れている。又、低
温反応性精製材プロセスでは普通１つか２つのタイプの不純物しか除去しないが
、加熱ゲッタープロセスは、数種のタイプの不純物を除去する。これは、これら
のシステムの全体の操作と維持費を削減する。

【００１５】加熱ゲッタープロセスの欠点としては以下のものがある。精製材である合金の
コストが増加する。熱源が要求され、該熱源をコントロールする方法も要求され
る。精製後、精製ガスを冷却することが要求される。作業員は普通３００℃以上
で操作しているのでそれに触れるとやけどするという、加熱ゲッター精製器のま
わりの作業員に対し危険性がある。加熱ゲッター精製器は、もし操作温度で加熱
ゲッターに不純物濃度があまり大きいものを一度に曝すと、火事を起こすことも
知られている。熱源、コントロールシステム、ガス冷却システムを必要とするの
で、加熱ゲッター精製器は、普通、中型、大型用途のために建設される。

【００１６】たいていのＰＯＵの用途は、精製に加えて、スモールスケールコントロールと
モニタリングを必要とする。これらのコントロール、モニタリング及び精製との
アセンブリは“ガススティック”として知られている。図３は、典型的な従来の
ガススティック５０の概略ダイアグラムである。ガススティック５０は、ガス圧
を調節する圧力調節装置５２、吸い込みガス流量を調節する入口弁５４、ガスを
精製する加熱ゲッター精製器５６、できたものを分離する精製出口分離バルブ５
８、ガス流速を調節あるいはモニターする質量流量調節装置あるいは質量流量計
６０、ガスの逆流量を調節するチャックバルブ６２、システム圧力をモニターす
る圧力変換器あるいは圧力ゲージ６４、及びガス流から粒子を除去する出口フィ
ルター６６を備える。

【００１７】ガススティックは普通２つのシーリング方法あるいはこれらの組み合わせを利
用して組み立てられる。押しつぶし可能なシールをもつ突き合わされた金属と金
属とのシーリング面６８が、普通、交換式のコンポーネント用に利用される。溶
接結合部７０が、普通は交換可能でないコンポーネント用に普通利用される。両
組み立て方法とも高価で、正しく利用するのが難しい。

【００１８】精製、コントロール及び計器による計測の必要性が大きくなるにつれ、ガスス
ティックはより複雑になる。より複雑なガススティックはより大きく、普通のＰ
ＯＵにおける限定された空間で使用するのがより難しくなる。近年、ガススティ
ックは、上記した以前からの機能及び部品に加えて、ガス混合、ガス抜き、ガス
源選択を含むように発展している。

【００１９】ガススティックのサイズの大型化及び複雑さはモジュラー型ガススティックの
開発を余儀なくした。モジュラー型ガススティック明細書の一例として「ガス分
配コンポーネントのサーフェースマウントインターフェースの明細書」、ＳＥＭ
Ｉ、ドラフトドキュメント＃２７８７、１９９８があり、その内容は本明細書に
含まれる。

【００２０】サーフェースマウントインターフェース（ＳＭＩ）の明細書では、ガススティ
ックタイプコンポーネントにモジュラー型インターフェース手段を定義する。図
４Ａはモジュラー型ガススティックの基体８０の一例を示し、図４Ｂはモジュラ
ー型ガススティックコンポーネントのベース１００を示す。モジュラー型ガスス
ティックの基体８０は、例えば、コンポーネントステイション８４からコンポー
ネントステイション９４へのガス流用機械加工された通路８２を含む。コンポー
ネント部８４、９４、９５、９６、９７、９８及び９９はそれぞれ、吸気ポート
８６と排気ポート８８とを含み、それぞれ、それぞれのモジュラー型ガススティ
ックコンポーネントのベース１００の吸気ポート１０２と排気ポート１０４とに
対応している。バルブ、質量流量計及び質量変換器のような複数のコンポーネン
トタイプは、モジュラー型ガススティックベース１００といっしょに製造されて
もよい。各モジュラー型ガススティックコンポーネントのベース１００は共有モ
ジュラー型ガススティック基体８０にシールしている。モジュラー型ガススティ
ック基体８０はひとつあるいは複数のガス通路８２の設計が利用されてもよい。

【００２１】図５は、モジュラー型ガススティック基体８０に設置されているいくつかの典
型的なコンポーネント、即ち、第１コンポーネント１０６、第２コンポーネント
１０８及び第３コンポーネント１１０を示す。ガスは、モジュラー型ガススティ
ック基体８０の入口９０に流れ込み、モジュラー型ガススティック基体８０の通
路８２を通って第一コンポーネントステーション８４へ、次いで基体８０上の吸
気ポート８６を通って第１部品１０６の入口１０２、第１部品１０６から出口１
０４、基体８０の排気ポート８８を通る。ガスは第１コンポーネント１０６から
モジュラー型ガススティック基体８０の通路８２へ流れ、第２コンポーネント１
０８へ流れる。流れはコンポーネントステーションからコンポーネント部へと、
モジュラー型ガススティック基体８０の出口９２に達するまで続く。

【００２２】モジュラー型ガススティックは、伝統的なガススティックに優る２つの重要な
長所を提供する。先ず、モジュラー型ガススティックの組み立て及びメンテナン
スは、速くでき、シンプルで、簡単である。第２に、モジュラー型ガススティッ
クはサイズが非常に小型である。モジュラー型ガススティックは、全てのコンポ
ーネントで下記する徹底したサイズ、形の限定により小型になる。例えば、ＳＭ
Ｉはバルブ以外のコンポーネントのサイズを特定し、精製器のようなＭＦＣ／Ｍ
ＦＭは、基体を幅３８．１５ｍｍ、深さ３８．１５ｍｍ、高さ１８０ｍｍのケー
シングに留めるべきである。

【００２３】低温反応性精製プロセスの、シンプルな室温操作は、モジュラー型ガススティ
ック用途で利用され、効を奏する。しかしながら、加熱ゲッタープロセスはモジ
ュラー型ガススティックとともに使用されることはなかった。これは、ひとつに
は、普通４０℃以下であることが求められるガススティック基体の温度限界のた
めである。多くの加熱ゲッター精製器は、ゲッター材を２００℃と４００℃との
間に加熱する。これは、モジュラー型ガススティックの実行とは共存できない。
さらに、加熱ゲッター精製は一般的に、モジュラー型ガススティックシステム関
連のものより、より大きくなく、よりコンパクトなスケールでないものとして考
えられる。

【００２４】

【課題を解決するための手段】

本発明では、今までの加熱ゲッタープロセスより小さなパッケージで加熱ゲッ
タープロセスを利用した、種々のガスを精製する方法と装置とを提供する。より
小さなパッケージ（“ファクターを形作る”）は、又、一体型蓄熱式熱交換器を
含み、これは同時にヒーター効率を増し、精製ガスを冷却する。冷却されたガス
は第２のより冷えたゲッターに暴露され、残っている不純物が除去され、好まし
くは放出前にフィルターを通して微粒子が除去される。本発明の好ましい実施態
様としては、さらに、種々のモジュラー型ガススティック基体設計用のインター
フェース手段を備える。

【００２５】不純物を含むガスから複数の不純物を除去してガスを精製する方法は、蓄熱式
熱交換器で不純物を含むガスを加熱し、次いでヒーターで操作温度まで加熱する
ことを含む。不純物を含む加熱されたガスは、次いで、加熱されたゲッター材に
暴露され、それから蓄熱式熱交換器で冷却される。得られたガスは冷却され、次
いでより冷えたゲッターに暴露され、残っている不純物が除去される。精製ガス
はＵＨＰパーフォーマンスパーティクルフィルターでろ過される。

【００２６】ガスの精製装置は、外側ケーシングと内側ケーシングとを備える。第１端部は
内側及び外側ケーシングの両方に接続し、第２端は前記外側ケーシングと接続し
ている。環状空間は、前記外側ケーシングと前記内側ケーシングとの間にあり、
内側空間が前記内側ケーシングによって規定される。

【００２７】第１端部は入口と出口とを備える。該入口は環状空間に接し、前記出口は内側
空間に接している。加熱されたゲッターの多くは内側空間に配置される。又、偏
向手段、第２の量のゲッター、及びフィルターも前記内側空間に配置されている
のが好ましい。前記偏向手段は、前記加熱されたゲッターを第２の量のより冷え
たゲッターから分離し、前記フィルターは、前記外側空間から前記内側空間の内
容物を分離する。

【００２８】本発明は、小さく、コンパクトな形状因子で、優れた加熱ゲッター精製性能を
提供する。効率的な設計によって熱交換が内へ流れるガスと外へ流れるガスとの
間で行われ、精製器のエネルギー消費が削減され、精製ガスが冷却される。これ
らの因子は、加熱ゲッター精製器を、モジュラー型ガススティックシステムや他
のコンパクトな感熱的用途とともに使用することを可能にする。

【００２９】本発明のこれら及び他の利点は下記の詳細な説明及び種々の図面によって、こ
れを読んだ当業者に明らかになるであろう。

【００３０】

【発明の実施の形態】

図１から図５までは従来技術として説明した。

【００３１】図６は、本発明の一実施態様である一体型加熱ゲッター精製器システム２００
を示す。一体型加熱ゲッター精製器システム２００は外側ケーシング２０２を備
える。該外側ケーシング２０２は、円筒でも、例えば、長方形、正方形、三角形
、如何なる多角形等、如何なる断面形状をしていてもよい。他の形状であっても
利用できる。前記外側ケーシング２０２は、第一の実施態様では、３１６Ｌ又は
３０４Ｌの低炭素ステンレス鋼（ＳＳＴ）で造られるのが好ましい。他のグレー
ドの鋼や他の金属など他の材料も又利用することができる。要求される設計圧力
は、１５０ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）以上である。外側ケーシング２０２の
壁は、予定される設計圧力に耐えるため、少なくとも０．０１６インチとされる
べきである。又、外側ケーシング２０２の壁はできるだけ厚いほうがよい。外側
ケーシング２０２の壁は、加熱ゲッター精製器組立品の構造強さを提供し、又い
くらか断熱も提供する。この実施態様では、外側ケーシング２０２は、好ましく
は直径が標準で１．５インチのＳＳＴチューブから造られるのが好ましい。この
ようなチュービングは、普通、０．０６５インチの厚さをもつ。上で列挙した要
因では、０．０６５インチ壁が、最も簡単な選択として普通選ばれるが、他の厚
さも利用することができる。

【００３２】表面処理は普通、粗さ平均（Ｒａ）で表され、粗さ平均は、或るサンプリング
長さで取った側面高さ偏差であって、図の中心線から測定される絶対値の算術平
均である。外側ケーシング２０２の壁の表面処理は、実質的に全て油で加工され
、フィルムは取り除かれるのが好ましい。外側ケーシング２０２は、普通、清浄
及び化粧目的で電解研磨され、１０μｉｎＲａとされる。電解研磨は外側ケーシ
ング２０２には必要とされるものではない。

【００３３】一体型加熱ゲッター精製器システム２００の第一実施態様は、内側ケーシング
２０４も備える。内側ケーシング２０４は、外側ケーシング２０２に対応した如
何なる断面形状であってもよい。内側ケーシング２０４は、外側ケーシングとの
共働下に環状空間２０６が形成されるように、該外側ケーシングの中に配設され
る。内側ケーシング２０４は、内側空間２０８も有する。前記内側ケーシング２
０４は、第一の実施態様では、３１６Ｌ又は３０４Ｌの低炭素ＳＳＴで造られて
いるのが好ましい。他のグレードの鋼や他の金属など他の材料も利用することが
できる。

【００３４】第一実施態様における内側ケーシング２０４は、よりすばやく熱が内側空間２
０８から内側ケーシング２０４の壁を通って環状空間２０６に伝わるように、略
０．０１０インチの厚さであることが好ましい。内側ケーシング２０４の壁の厚
さはこれより厚くても薄くてもよい。内側ケーシング２０４の壁の厚さは下記す
る熱伝達関係によって決定される。Ｗａｔｔ＝ＫＡΔＴ／Ｌ（式中、Ｗａｔｔは、ワットで表される、材料を通って伝わる熱、、Ｋは、内側ケーシング２０４の熱伝達定数、Ａは、熱に曝される面積で、この場合は内側ケーシング２０４の壁の面積、 ΔＴは、Ｔ１−Ｔ２、Ｔ１は、より高い温度、内側ケーシング２０４の壁の内側面、Ｔ２は、より低い温度、内側ケーシング２０４の壁の外側面、Ｌは、内側ケーシング２０４の壁の厚さを示す。）

【００３５】ＫとＡは一定で非常に高いΔＴが求められ、内側ケーシング２０４の壁を通っ
て伝わる熱はＬが減少するにつれ増加する。下記でさらに説明するように、内側
ケーシング２０４の壁の厚さは、熱ができるだけ速く効率的に伝わるように、最
適化される。

【００３６】内側ケーシング２０４の壁の表面処理は、実質的に全て油で加工され、フィル
ムは取り除かれるようにしなければならない。内側ケーシング２０４は粒子及び
精製性能の目的で電解研磨され、５〜１０μｉｎＲａとされるのが好ましい。

【００３７】図６に示されている一体型加熱ゲッター精製器システム２００は、さらに第１
端部２１０を備える。該第１端部２１０は、３１６Ｌか３０４ＬＳＳＴから造ら
れているのが好ましい。他のグレードの鋼や他の金属など他の材料も又利用する
ことができる。第１端部２１０は、内側ケーシング２０４と外側ケーシング２０
２に溶接されていてもよい。そのような溶接は、普通、電子アーク溶接機を使い
、フィラー材は使わない、片が互いに融解してくっついているヘトゲナス溶接で
ある。他の溶接方法を適用してもよい。第１端部２１０は、電解研磨され、１０
μｉｎＲａあるいはそれ以上の表面処理がなされる。電解研磨以外の方法も利用
されるが、出口２１２及び内側空間２０８に曝される第１端部２１０の表面は、
１０μｉｎＲａあるいはそれ以上の表面処理がなされるべきである。この表面処
理の必要性は、精製材の下流でのＵＨＰ性能を保つために求められる。第１端部
２１０は、又、入口２１４が環状空間２０６に連通するように入口２１４通路を
備える。

【００３８】第１端部２１０は、モジュラー型ガススティック基体と連通するモジュラー型
ガススティックインターフェース手段２１６を形成する。市場にはモジュラー型
ガススティック基体のいくつかの設計がある。第１端部２１０は、形が特定のガ
ススティック基体と連通するように複数の形に設計されることができる。それぞ
れの形において、出口２１２及び入口２１４は、所望の特定モジュラー型ガスス
ティック基体によって求められる如何なる配置、向きをしていてもよい。

【００３９】図６で示される一体型加熱ゲッター精製機システムは、さらに第２端部２１８
を備える。第一実施態様では、第２端部２１８は３１６Ｌか３０４ＬＳＳＴから
造られているのが好ましい。他のグレードの鋼や他の金属など他の材料も又利用
することができる。第２端部２１８は、外側ケーシング２０２と溶接されていて
もよいが、内側ケーシング２０４と接していない。又、第２端部分２１８は、溶
接あるいは他の方法で内側ケーシング２０４と接していてもよい。好ましい実施
態様では、ガスの流れのために、第２端部２１８と内側ケーシング２０４との間
に、小さな隙間を設ける。第２端部２１８を内側ケーシング２０４と接触させる
場合は、環状空間２０６から内側空間２０８へのガスの流れ用のアクセス手段を
設けなければならない。溶接は、普通、電子アーク溶接機を使い、フィラー材は
使わない、片が互いに融解してくっついているヘトゲナス溶接である。他の溶接
方法を適用してもよい。第２端部２１８の表面処理は、実質的に全て油で加工さ
れるべきで、フィルムは取り除かれる。普通、第２端部２１８は、粒子及び精製
性能のため、１０μｉｎＲａに電解研磨される。電解研磨は第２端部２１８には
必要とされず、他のクリーニング法を利用してもよい。

【００４０】第２端部２１８は、又ヒーター２２０用の場所を提供する。ヒーター２２０用
の設備は普通、溝あるいは穴が第２端部２１８に設けられている“ウェル”であ
る。ウェルは第２端部２１８を完全に貫通していない。この実施態様のヒーター
２２０は、円柱状の形をし、耐性のある電気ヒーターで、ミズリー州、セントル
イスにあるワットローインク等から入手可能である。他のタイプのヒーター、例
えば、コイルヒーター、バンドタイプヒーター、ブラケットタイプヒーター２２
１あるいは他のタイプのヒーターを第２端部２１８の外側や内側あたりに利用す
ることもできる。ヒーター２２０は又、一体型温度センサーや熱電対を備えても
よい。熱電対は下記する外部コントローラーによって利用することができる。ヒ
ーター２２０は又、内部温度調節スイッチを備えることができる。該内部温度調
節スイッチはヒーター２２０の内部温度を調節する。

【００４１】内部空間２０８は精製材２２２を含む。好ましい実施態様における精製材は、
ゲッター材２２２である。モレキュールシーブ、ゼオライト、ニッケルその他の
精製材を利用してもよい。これらの精製材は、イタリア、ライナーテのＳＡＥＳ
ゲッターズＳ．ｐ．Ａ．、オハイオ州のエンゲルハードオブバーウォード、
カリフォルニア州、サクラメンテのＵＯＰ等から入手可能である。

【００４２】ゲッター２２２は、普通、多孔質金属ペレットや金属粉末の形状である。ペレ
ットの形状は、普通、直径が２〜３ｍｍで長さが３〜５ｍｍの円柱状である。ペ
レットは又、他の形やサイズであってもよい。粉末形状は、普通、粒径０．０１
０’’である。

【００４３】ゲッター２２２は普通、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、これらの合金、及び他
の材料との混合物である。好ましい実施態様のゲッター２２２は、イタリア、ラ
イナーテのＳＡＥＳゲッターズＳ．ｐ．Ａ．で製造される、ペレット形状のＳＴ
７０７^TM、ＳＴ１９８^TM、ＳＴ１０１^TMである。ＳＴ７０７^TMは、ヘリウム／希
ガスファミリーや他のガスの精製に用いるのが最も効果的である。ＳＴ１９８^TM は窒素やこれに似た他のガスの精製用に最も効果的である。他のガスは、他のタ
イプの精製材を利用して精製されてもよい。好ましい実施態様では、加熱された
ゲッターの温度は普通、２００℃と４００℃との間である。これより低い温度も
高い温度も利用してよい。ゲッター２２２の操作温度は、特定のゲッターのタイ
プ、ガスのタイプ、不純物荷重、ガス流速及び他の変数に依存する。

【００４４】ゲッター２２２は圧縮スクリーン２２４によって内部空間２０８に押しこまれ
る。圧縮クスクリーン２２４は、内部空間２０８内の第２端部分２１８近くに設
置される。圧縮スクリーン２２４は、ゲッター２２２が内部空間内で実質的に動
いたり沈降したりしないように、ゲッター２２２上に一定の圧力を加える。もし
ゲッター２２２が動いたり、沈降したりすれば、ガスの流れは該ゲッターを迂回
する可能性があり、そうするとガスを完全に精製しない。圧縮スクリーン２２４
は、一体型加熱ゲッター精製システム２００を水平あるいは直角方向に利用でき
るようにする。圧縮スクリーン２２４は３１６Ｌか３０４ＬＳＳＴから造られて
いるのが好ましい。他のグレードの鋼や他の金属など他の材料も又利用すること
ができる。

【００４５】偏向手段２２６も内部空間２０８に配設される。偏向手段２２６はいくつかの
目的を持つ。先ず、偏向手段２２６と第２端２１８との間にある加熱されたゲッ
ター２４５を、偏向手段２２６と第１端部２１０との間にある冷ゲッター２４６
から分離、隔離する。偏向手段２２６の第２の目的は、熱をガスの流れから内部
ケーシング２０４の壁へ伝えるように、ガスの流れを加熱されたゲッター２４５
から内部ケーシング２０４の壁へ導くことである。偏向手段２２６は又、一体型
加熱ゲッター精製システム中の最大ガス流速を抑えるように運転することができ
る。

【００４６】内部空間２０８内の偏向手段２２６の長さ方向の特定の位置は、偏向手段２２
６の構造、精製材のタイプ、ガスのタイプと不純物の荷重、操作温度、他の要因
をはじめとする特定の適用変数によって異なる。偏向手段２２６の両端にある加
熱されたゲッター２４５と冷ゲッター２４６の量は、偏向手段２２６の長さ方向
の位置によって決まる。

【００４７】偏向手段２２６のひとつの目的は、加熱されたゲッターゾーンから冷えている
ゲッターゾーンへの熱伝達を抑えることである。この目的のひとつの例として、
下記の関係が挙げられる。

【００４８】Ｗａｔｔ＝ＫＡΔＴ／Ｌ（式中、Ｗａｔｔは、偏向手段２２６の中を伝わるワットで表される熱、Ｋは、材の熱伝達定数、Ａは、熱に曝される面積、この場合は、加熱されたゲッター２４５に曝される偏
向手段２２６の端面の面積、 ΔＴは、Ｔ１−Ｔ２、Ｔ１は、加熱されたゲッター２４５の温度、Ｔ２は、冷ゲッターの温度、Ｌは、偏向手段の厚さを示す。）

【００４９】Ｋは、下記で詳細に説明する偏向手段２２６の材料のタイプと形によって決ま
る定数である。ΔＴは、プロセスによって決まる定数である。例えば、もし加熱
されたゲッター２４５が連続して４００℃で、冷ゲッター２４６が連続して２０
℃であれば、ΔＴは、定数３８０℃である。ＫとΔＴは定数なので、できるだけ
実用的にＡは減らしＬは増やさなければならない。

【００５０】Ａは偏向手段２２６の形によって決まる。Ａが減るに従って、伝わる熱は減る
。

【００５１】Ｌは内部空間２０８の物理的なスペースと必要とされる精製材２２２の量によ
って制限される。Ｌが厚くなるに従って、偏向手段２２６の中を通って伝わる熱
は減る。

【００５２】偏向手段２２６の他の目的は、効率的な一体型コンパクト熱交換器の一部とし
てである。熱交換は、偏向手段２２６が、ガスの流れから内部ケーシング２０４
の壁へ熱が伝わるように、熱いガスの流れを加熱されたゲッター２４５から内部
ケーシング２０４の壁へ導く時起こる。偏向手段２２６の外形寸法は、内部ケー
シング２０４の内側寸法より僅かに小さい。偏向手段２２６のまわりのガスの流
れは、内側ケーシング２０４の壁のすぐ近くで起こる。加熱されたゲッター２４
５から流れる加熱されたガスは、熱エネルギーを、より冷えた内部ケーシング２
０４の壁に伝える。加熱されたゲッター２４５から流れる加熱されたガスから内
部ケーシング２０４の壁へ伝わるエネルギーは、さらに環状空間２０６を通って
流れるより冷たい入口ガスへ伝わる。

【００５３】図７Ａから７Ｄは偏向手段２２６の種々の態様を示す。図７Ａは中実の形態の偏
向手段２２６Ａを示す。中実形態の偏向手段２２６Ａは簡単な構造で、従って多
分高価ではない。偏向手段２２６Ａは中実なので、偏向手段２２６Ａの材の有効
面積は偏向手段２２６Ａの端面の面積である。偏向手段２２６Ａは中実なので、
偏向手段２２６Ａの材の熱伝達定数（Ｋ）が熱伝達を決定する。

【００５４】図７Ｂは、端がキャップされている中空の偏向手段２２６Ｂを示す。偏向手段
２２６Ｂの材料の熱伝達定数（Ｋ）に加えて、偏向手段２２６Ｂ内の空間の熱伝
達定数（Ｋ）が実質的に熱伝達性能を決定する。偏向手段２２６Ｂの材の有効面
積は、リング形状面積２２７Ｂのみに減らす。中空形態偏向手段２２６Ｂは、コ
ストを削減し耐久性を増すステンレス鋼のようなより高い熱伝達定数をもつ材料
から造ることができる。

【００５５】図７Ｃは、バケット形態の偏向手段２２６Ｃである。バケット形態の偏向手段
２２６Ｃはゲッター材で充填されていてもよい付加空間を提供する。付加ゲッタ
ー材は、不純物に対して付加的なキャパシティーを提供する。バケット形態は、
又、偏向手段２２６Ｃの有効面積を、リング部位の熱伝達（Ｋ）が偏向手段２２
６Ｃの材料によって決まり、充填部位の熱伝達（Ｋ）がバケット形態を充填して
いる精製材２２２によって決まる充填リング形態２２７Ｃに減らす。

【００５６】図７Ｄは、支持スクリーン２３６をもつ部分的に充填されたバケット形態の偏
向手段２２６Ｄである。部分的充填バケット形態の偏向手段２２６Ｄは、中空の
偏向手段２２６Ｂの長所とバケット形態の偏向手段２２６Ｃの付加的なキャパシ
ティーとを併せ持つ。部分バケット形態も、偏向手段２２６Ｄの有効面積を、リ
ング部位の熱伝達（Ｋ）が偏向手段２２６Ｄの材料によって決まり、充填部分の
熱伝達（Ｋ）がバケット形態を充填している精製材２２２で一部決まり、バケッ
ト形態内にある中空空間によって一部決まる充填リング形態２２７Ｄに減らす。

【００５７】好ましい態様においては、偏向手段２２６は、３１６Ｌか３０４ＬＳＳＴから
造られ、図７Ｂで示されるように端部キャップを有するものとされる。偏向手段
２２６は、種々の高温用途の同じようなタイプの製品を造るジェネラルエレクト
リックや他の製造会社によって造られたものでもよい。あるいは、セラミック、
ガラス、シリコン化合物、他の低熱伝達タイプの材料が利用されてもよい。

【００５８】偏向手段２２６は、他の多くの形態に造られてもよいし、特定の用途の要求に
あわせるように造られてもよい。

【００５９】図７Ｅは外延２３８をもつ偏向手段２２６Ｅを示す。偏向手段２２６Ｅは、上
記した偏向手段２２６の前に述べたものの中の如何なる形態をとっていてもよい
。説明を明瞭にするために、図７Ａで示されているものと同様の中実形態の偏向
手段を示す。偏向手段２２６は、熱伝達用のガスの流れを内部ケーシング２０４
の壁に正確に導くために、内部空間２０４の中に正確に設置される。偏向手段２
２６Ｅ上に描かれている外延２３８は、内部ケーシング２０４内の偏向手段２２
６Ｅの配置を決定する。外延２３８は内部ケーシング２０４の壁に形成されてい
てもよい。外延２３８は、小さなブロック、丸みを帯びた“バンプ”や他の形態
など多くの形態をとってもよい。外延は、偏向手段２２６Ｅを内側ケーシング２
０４の中心にくるように、偏向手段２２６Ｅの外周のまわりに、均等に、間隔を
置いて配置するのが好ましい。

【００６０】外延２３８は偏向手段２２６Ｅのまわりの “完全なへり”の形であってもよ
い。もし外延２３８が完全なへりの設計であれば、偏向手段２２６Ｅの中を通る
付加通路２４０がガスの流れのために必要とされ、他の偏向手段２２６よりも、
より冷たいゲッター２４６のより優れた利用を提供しうる、より冷たいゲッター
２４６の中心に向かうガスの流れを導くという長所を提供する。

【００６１】図６の粒子フィルター２４４について述べる。フィルター２４４は内側空間２
０８中に配設され、ゲッター材２２２を加熱ゲッター精製システム２００の出口
２１２から切り離す。フィルター２４４は、精製器から流れるガスから粒子を除
去する。フィルター２４４はテフロン（登録商標）、焼結金属、他の市販のフィ
ルター媒体などの様々な材料から造られる。この例のフィルター２４４は焼結さ
れたステンレス鋼である。焼結ステンレス鋼は、普通、製造者によって、ろ過５
年の定格性能が保証されている。フィルター媒体の他のタイプは、普通、そんな
に長くは保証されない。コネチカット州、ファーミングトンのポールフィルター
ズ、同じくファーミングトンのモットフィルターズ、その他が適切なフィルター
を提供する。

【００６２】多くのフィルター２４４の性能の設計が利用される。好ましい実施態様として
、フィルター２４４は１０ミクロン及びそれより大きい粒子を実質的に全て除去
するように見積もられる。より正確なろ過で、０．００３ミクロンを超えるの粒
子の実質的に全てを除去するように利用されてもよい。

【００６３】図８Ａは、“トップハット”スタイルフィルター２４４Ａの詳細を示す。図８
Ｂは、“ディスク“スタイルフィルター２４４Ｂを示す。図示しない他のフィル
タースタイルを利用してもよい。フィルター２４４Ａ、２４４Ｂは、適当な位置
で、中実端や“ハットブリム”のまわりを溶接されているのが好ましい。フィル
ター２４４は、図８に示すように、第１端部２１０上に取り付けられてもよいし
、第１端部２１０から離れた内側ケーシング中に取りつけられてもよい。

【００６４】一体型加熱ゲッター精製器システム２００は、温度調節システムでモニターし
て、加熱されたゲッター２４５の温度をコントロールするのが好ましい。加熱さ
れたゲッター２４５は、最大の性能を発揮するため、所望の温度、あるいはその
近くの温度にすべきである。温度を調節する方法はいくつかある。

【００６５】温度を調節する第１の実施形態として、モジュラー型ガススティックでも利用
される外部コントローラーを利用して行う。モジュラー型ガススティックは、バ
ルブ、質量流量コントローラー、他の動的機器のようなガススティックを調節、
操作するコントローラーを必要とする。熱電対は加熱されたゲッター２４５の温
度をモニターし、コントローラーにフィードバックソースを提供する。熱電対は
ヒーター２２０に一体化されたりあるいは、加熱ゲッター精製器システムの中あ
るいは表面上のどこかに取りつけられてもよい。

【００６６】ヒーター２２０の温度を調節する別の方法として、自己温度制限ヒーター２２
０を利用して行う。ヒーター２２０のようなヒーターは一体型温度スイッチをも
つ。一体型温度スイッチあるいは等価電気回路は、ヒーター２２０が設定された
温度に達した時、ヒーター２２０への電流が止まる。

【００６７】ヒーター２２０の温度を調節する他の方法として、該ヒーターの電圧及び電流
ソースを正確に調整する外部コントローラーを利用して行う。ヒーター２２０の
温度が上昇するに従って、抵抗ヒーターの抵抗は増す。ヒーター２２０の抵抗が
設定した抵抗に達した時、電流がコントローラーによって遮断される。

【００６８】ヒーター２２０の温度を調節する他の方法として、正確に規定された電圧及び
電流ソースを必要とする平衡法がある。ヒーター２２０には、連続的に電気が供
給される。精製器を通るガスの流れが、ヒーター２２０と加熱されたゲッター２
４５を連続的に冷却する。ヒーター２２０の電力は、ガスの流れの連続加熱及び
冷却が温度平衡の状態を実現するように見積もる。例えば、もし計算とテストで
、温度平衡の状態は１００ワットの熱で実現するとわかれば、１００ワットのヒ
ーターが利用され、ヒーターへの電流と電圧を正確に調整して、ヒーターが比較
的一定な１００ワットを産出するようにする。

【００６９】図９は、本発明の一体型加熱ゲッター精製法を示すフローチャート３００であ
る。操作３０２でガスは、一体型加熱ゲッター精製器システム２００の入口２１
４へ流れ、ヒーター２２０に向かって環状空間２０６の中に流れ込む。

【００７０】次いでガスの流れは、操作３０４で予備加熱される。ガスは、ヒーター２２０
に向けて、内側ケーシング２０４の壁の加熱されたエリアを通り抜けて流れる。

【００７１】次いで、操作３０６で、ガスは、ヒーター２２０を通りぬけて流れ、適正操作
温度に加熱される。ヒーター２２０は、ガスの流れと加熱されたゲッター２４５
とを適正操作温度に加熱する。この例においては、加熱精製材温度は普通、２０
０℃と４００℃との間である。これより低い温度、高い温度を利用してもよい。
ゲッター２４５の加熱操作温度は、該特定の加熱されるゲッター２４５のタイプ
、ガスのタイプ、不純物の荷重、ガスの流速及び他の変数によって決まる。

【００７２】次いで、操作３０８で、ＣＯ₂、Ｈ₂Ｏ、ＣＨ₄、ＣＯ、Ｏ₂及びＮ₂のような不
純物が、加熱されたガスの流れから実質的に除去される。不純物は、加熱された
ゲッター２４５で吸着される。

【００７３】加熱されたゲッター２４５から、ガスの流れが、操作温度から所望の出口温度
に冷却される。ガスの流れは、操作３１０で、偏向手段２２６のまわりを流れる
ことによって冷却される。偏向手段２２６は、ガスの流れを、加熱されたガスが
その熱の一部を内側ケーシング２０４に対し放出する内側ケーシング２０４の壁
に向かって導く。加熱された内側ケーシングの壁は、前記操作３０４で説明した
ように、環状空間２０６内を流れるガスを予備加熱する。

【００７４】次の操作３１２で、冷却されたガスは、偏向手段２２６とフィルター２４４と
の間の内側空間に配設されている、加熱されていない第２空間、より冷たいゲッ
ター２４６へ流れる。該より冷たいゲッター２４６は、残存しているＨ₂をガス
の流れから実質的に除去する。

【００７５】次の操作３１４で、精製されたガスがフィルター２４４へ流れる。フィルター
２４４は、実質的にガスの流れから粒子を除去する。フィルター２４４は０．０
０３ミクロンの粒子を除去するように見積もられる。精製されたガスは、次いで
、操作３１６で意図された目的にために使われる。

【００７６】一体型加熱ゲッター精製器システムは、モジュラー型ガススティックシステム
のようなモジュラー型インターフェースタイプ用途とともに使用されることが意
図される。他の用途として、下記例示に限定されるものではないが、単独で、最
終用途の設備に直接取りつけられたり、半導体プロセスツール、ガス混合マニフ
ォールド、ガス分配マニフォールド等が挙げられる。他の適用は、モジュラー型
インターフェース、コンパクトフォームファクター、高精製性能を要求する。

【００７７】モジュラー型ガススティック及び前記の他の適用は、集積回路デバイスの製造
において、半導体の加工の一部分である。一体型加熱ゲッター精製器システムを
利用する他の産業として、医療産業、化学分析、化学加工及び製造、食品加工及
びテスト、医薬品製造、石油化学製品製造及び販売、その他がある。

【００７８】本明細書では本発明の実施態様がほんの少ししか書かれていないが、本発明は
、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の多くの形も含むと考えるべ
きである。従って、ここでの例示及び実施態様は説明であって限定ではない。本
発明はここで述べた詳細の如何なるにも限定されず、本発明の付加される権利の
範囲内で修正されてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の低温反応性精製材プロセスを示すプロセスフローチャートで
ある。

【図２】従来の加熱ゲッター精製プロセスを示すプロセスフローチャートで
ある。

【図３】典型的な従来のガススティックの概略図である。

【図４Ａ】従来のモジュラー型ガススティック基体を示す。

【図４Ｂ】従来のモジュラー型ガススティックインターフェース手段を示す
。

【図５】従来の多数のコンポーネントが取りつけられたモジュラー型ガスス
ティックインターフェースシステムを示す。

【図６】本発明の加熱ゲッター精製器システムの断面図である。

【図７】図６の偏向手段２２６の代わりになる種々の偏向手段の設計を示す
。

【図８】図６で示した実施態様用の２つのフィルターのタイプを示す。

【図９】本発明に従った加熱ゲッター精製器プロセスのプロセスフローチャ
ートを示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4D006 GA44 KB12 MA21 MB15 MC02 PA01 PB20 4D020 AA10 BA03 BB01 CA01 CC21 CD02 DA01 DB06 4G066 AA02B CA27 CA35 CA37 CA38 CA43 CA51 DA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１端部と第２端部とをもつ外側ケーシングと、内側空間を有する内側ケーシングであって、前記外側ケーシングとの間に環状
空間が形成されるように該外側ケーシング内に配設される内側ケーシングと、前記内側ケーシングの前記内側空間内に配設される精製材と、前記外側ケーシングの第１端部近傍に設けられた入口及び出口とを備え、前記入口は前記環状空間に連通され、前記出口は前記内側空間に連通されており
、不純物を含むガスが、前記入口を経て前記ガス精製器に入り、前記環状空間を
通って前記内側空間に流れ、前記内側空間内に配設されている前記ガス精製材を
通り、次いで前記出口を経て前記ガス精製器から出て行き、前記ガス精製材は前
記不純物を含むガス中に存在する少なくともいくつかの不純物をトラップするこ
とが可能であるガス精製器。
【請求項２】さらに、前記ガス精製器を加熱するヒーターを備え、前記ヒー
ターは、前記第２端部と該第２端部近くの外側ケーシングの一部とを含む精製器
の第２端部領域の少なくとも一部と接触している請求項１記載のガス精製器。
【請求項３】さらに、前記精製材の少なくともいくらかと接触しているヒー
ターを備える請求項２記載のガス精製器。
【請求項４】さらに、前記外側ケーシングの前記第１端部と前記ヒーターと
の間にある前記内側空間内に配置されている偏向手段を備える請求項２記載のガ
ス精製器。
【請求項５】前記偏向手段がセラミック材を含む請求項４記載のガス精製器
。
【請求項６】前記精製材が、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ及びこれらの合金
からなる群から選ばれる金属で構成されるゲッター材である請求項１記載のガス
精製器。
【請求項７】さらに、前記精製材の少なくともいくらかと接触しているヒー
ターを備える請求項６記載のガス精製器。
【請求項８】さらに、前記外側ケーシングの前記第１端部と前記ヒーターと
の間にある前記内側空間内に配設される偏向手段を備える請求項７記載のガス精
製器。
【請求項９】前記偏向手段がセラミック材を含む請求項８記載のガス精製器
。
【請求項１０】さらに、前記出口近縁にあり、前記内側空間に配設されるフ
ィルターを備える請求項６記載のガス精製器。
【請求項１１】前記フィルターが、焼結ステンレス鋼を含む請求項１０記載
のガス精製器。
【請求項１２】前記フィルターが、前記出口のガスの流れから０．００３ミ
クロンの粒子を実質的に除去しうる請求項１０記載のガス精製器。
【請求項１３】さらに、前記第１端部にモジュラー型ガススティックインタ
ーフェース手段を備える請求項６記載のガス精製器。
【請求項１４】さらに、前記出口近傍にあり、前記内側空間に配設されてい
るフィルターを備える請求項１記載のガス精製器。
【請求項１５】前記フィルターが、焼結ステンレス鋼を含む請求項１４記載
のガス精製器。
【請求項１６】前記フィルターが、前記出口のガス流れから０．００３ミク
ロンの粒子を実質的に除去しうる請求項１４記載のガス精製器。
【請求項１７】さらに、前記第１端部にモジュラー型ガススティックインタ
ーフェース手段を備える請求項１記載のガス精製器。
【請求項１８】さらに、モジュラー型ガススティックがモジュラー型ガスス
ティック基体に連通している請求項１７記載のガス精製器。
【請求項１９】ガスを精製ユニットの第１端部に設けられた入口へ流し込み
、該ガスを加熱し、該ガスを精製材に接触させ、及び該ガスを前記精製ユニットの前記第１端部に設けられた出口から流すことを含む
ガスの精製方法。
【請求項２０】さらに、前記ガスが精製材に接触する前に該ガスを予備加熱
することを含む請求項１９記載の方法。
【請求項２１】前記精製材が、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ及びこれらの合
金からなる群から選ばれる金属で構成されるゲッター材である請求項１９記載の
方法。
【請求項２２】さらに、前記ガスが精製材と接触する前に該ガスを予備加熱
することを含む請求項２１記載の方法。
【請求項２３】さらに、前記ガスが前記出口から流れる前に該ガスを冷却す
ることを含む請求項２２記載の方法。
【請求項２４】さらに、前記ガスが前記出口から流れる前に冷却された該ガ
スをろ過することを含む請求項２３記載の方法。
【請求項２５】第１端部と第２端部とをもつ細長い外側ケーシングと、内側空間を有する細長い内側ケーシングであって、前記外側ケーシングとの間
に環状空間が形成されるように該外側ケーシング内に配設される内側ケーシング
と、第２端部と該第２端部近傍の外側ケーシングの或る部分とを含む熱交換器の第
２端領域の少なくとも一部と接触する、熱交換器を加熱するヒーターと、前記外側ケーシングの前記第１端部と前記第２端部との間の前記内側空間内に
配設されている偏向手段と、前記外側ケーシングの第１端部近傍に設けられた入口及び出口とを備え、前記入口は前記環状空間に連通され、前記出口は前記内側空間に連通されており
、ガスが、前記入口を経て前記熱交換器に入り、前記環状空間を通って前記第２
端領域を通過し前記内側空間、該内側空間内に配置されている前記偏向手段のま
わりに流れ込み、次いで前記出口を経て前記熱交換器から出て行き、前記第２端
領域は前記ガスを加熱することが可能で、前記偏向手段は前記内側ケーシングの
壁に向けて前記加熱ガスを導くことが可能で、前記内側ケーシングの壁は前記ガ
ス中に存在する少なくともいくらかの熱を前記環状空間中の前記ガス流れに伝え
ることが可能である熱交換器。
【請求項２６】ガスを熱交換ユニットの第１端部に配設された入口に流し、
該ガスを第１加熱表面の第１サイドに接触させ、該ガスを第２加熱表面の第１サイドに接触させ、該ガスを第１加熱表面の第２サイドと接触するように流れの進路を変更し、及び
前記ガスを前記熱交換機の前記第１端部に設けられた出口から流すことによって
、前記加熱されたガスが熱量を前記第１加熱表面の前記第２サイドに伝達するガ
スの予備加熱方法。