JP2003501551A - 裏側のウエハエッチングを伴う回転−洗浄−乾燥方法 - Google Patents

裏側のウエハエッチングを伴う回転−洗浄−乾燥方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、基板表側（１２）から物質の溶解を実質的に防止しつつ、物質を化学的にエッチングすることによって基板の裏側（１４）から望ましくない堆積された物質（２２）を除去するものである。好ましくは、エッチングプロセスは回転−洗浄−乾燥プロセスに含まれる。基板の裏側の望ましくない物質が除去される間、表側を保護するために、基板に向けられた溶解流体の流速に較べて、表側に向けられた洗浄流体の流速を大きくする。また、本発明は、基板のエッジから望ましくない物質を除去する方法を含む。関連装置は、半導体ウエハ（３８）などを保持するための複数のクランプ（３７）を有する回転ペデスタル、洗浄およびエッチング流体をスプレイするための複数のノズル（４０、５０）を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の属する技術分野） 本発明は、基板または他のワークピース上に堆積された不所望物質のクリーニ
ングに関する。特に、本発明は、堆積ごに基板の裏側および／またはエッジから
堆積された金属を溶かす方法に関する。
【０００２】 （背景） サブクオータミクロンのマルチレベルメタライゼーションは、超大規模集積（
ＵＬＳＩ）の次世代の主要技術の一つである。この技術の中心にあるマルチレベ
ルの相互接続は、コンタクト、ビア、ライン及び他の形状を含む高アスペクト比
開口に形成された相互接続フィーチャの平坦化を必要とする。これらの相互接続
フィーチャの信頼性のある形成は、個々の基板やダイ上の密度及び品質を増加す
るために、ＵＬＳＩの成功、および継続した努力に非常に重要である。
【０００３】 回路の密度が増加するにしたがって、ビア、コンタクト及び他のフィーチャの
幅ばかりでなく、それらの間にある誘電体材料は、０．２５μｍ以下に減少する
。ここで、誘電体層の厚みは実質的に一定であり、フィーチャに対するアスペク
ト比、すなわち高さと幅の比は増加するという結果をもたらす。多くの伝統的な
堆積プロセスは、アスペクト比が４：１を超える場合、特にそれが１０：１に近
づく場合には、構造を充填するのが困難である。さらに、フィーチャの幅が減少
するに従って、デバイス電流は一定に保つか、或いは増加し、その結果フィーチ
ャにおいて増加した電流密度を生じる。
【０００４】 アルミニウム及びその合金は、半導体処理においてラインやプラグ及び他のフ
ィーチャを形成するために用いられる伝統的な金属である。しかし、回路密度が
増加するのに伴って、銅が半導体基板上のサブクオータμｍの高アスペクト比の
相互接続フィーチャを充填するための選択金属になりつつある。銅及びその合金
は、アルミニウムと比較して低い抵抗率及び高いマイグレーション抵抗を有して
いる。これらの特性は、集積化の高いレベル、及び増加した回路スピードで経験
される高い電流密度を維持するために重要である。また、銅は良好な熱伝導率を
有し、かつ非常に純粋な状態で利用できる。
【０００５】 半導体デバイスの製造に銅を使用することの望ましさに関わらず、非常に高い
アスペクト比、例えば、１０：１のアスペクト比、０．２５幅のビアのフィーチ
ャに銅を堆積するための製造方法の選択は限られている。銅のＣＶＤ堆積用の先
駆物質（原料）は開発されているが、この小さなフィーチャへの物理気相堆積（
ＰＶＤ）は、フィーチャに形成された空隙のために、満足のいかないものであっ
た。これらのプロセスの制限の結果として、エレクトロニック産業における回路
板の製造に以前から主に用いられていた電気めっきは、半導体デバイス上のフィ
ーチャ、例えばビアを充填するために用いられていた。従って、特に基板の高ア
スペクト比のフィーチャにおいて基板の製造に適している電気めっきプロセスを
改善するための努力が求められている。
【０００６】 図１は、基板上に堆積された一連の層を有する基板エッジを示す部分断面図で
ある。基板２は、前側１２にある第１の面取り８と裏側にある第２の面取り１０
とともに面取りされているエッジプロフィール６を有するシリコンベース４を有
している。このベースは、フィーチャ、例えば図示されているコンタクトへの接
続するドープされた領域１５を有し、半導体の回路の一部を形成する。誘電体層
１６は、このベース上に堆積され、開口を形成するためにエッチングされ、づづ
いて、Ｔｉ、Ｔｉｎ、Ｔａ、ＴａＮ及び他の既知の材料等を用いて、バリア層１
８の堆積を行う。バリア層は、隣接層のマイグレーション及び拡散を減少し、シ
リコン酸化物及びそれにづづく金属層への良好な接着を行なう。導電層、代表的
にはアルミニウムまたは銅は、例えば電気めっきによってバリア層上に堆積され
、開口を充填して層間に相互接続を形成する。
【０００７】 エッジ領域におけるバリア層の完全性は、物理気相堆積（ＰＶＤ）及び化学気
相堆積（ＣＶＤ）のような代表的なプロセスはエッジプロフィールの周りに均一
に堆積しないかもしれない点で、時々妥協される。したがって、導電性材料は下
にある層へ拡散し、半導体デバイスに悪影響を与えるかもしれない。さらに、幾
らかの裏側への堆積２２が第２の面１４上に生じ、層への望ましくない拡散の可
能性を高めるか可能性がある。銅は高い拡散能力を有し、デバイスに悪影響を与
えるために、この望ましくない堆積は、銅を用いて達成される性能ゲインに悪影
響を与える。したがって、好適な基板製造プロセスは、この銅または他の望まし
くない材料をそれが堆積されている裏側または他の面から除去することである。
【０００８】 図２は、基板２上の所望の堆積プロフィールを示す部分断面図である。これら
の層は、基板のエッジから離されて、エッジ排除ゾーン６ａを形成する。一般的
にはドライプロセスであるＰＶＤ及びＣＶＤ処理において、例えば、クランプリ
ング、シャドウリング、及びパージガスを用いて、エッジ排除ゾーンを画定する
能力は良く知られている。しかし、電気めっきは、下方へ向いている基板上での
ウエットプロセスであり、基板上への裏側堆積およびエッジ堆積を導き、制御す
るのが難しい。例えば、もし、層が図１におけるように堆積されたならば、エッ
ジ排除ゾーンを可能にするために、エッジからこれらの層を除去することは有利
である。エッジ排除ゾーン６ａは、約１ｍｍから約３ｍｍ、またはそれ以上であ
る。処理中に、基板から変位され、それによりその後基板を汚染するエッジ堆積
物の可能性は殆ど無く、かつ層をとおして望ましくない拡散の可能性がない。
【０００９】 望ましくない堆積を減少または除去する有利なプロセスは、好ましくは、電気
めっきプロセスにおいて現存するステージと組合せることである。電気めっきの
一部は材料を堆積した後に基板を洗浄するステップを含む。基板は図３に示され
ている回転−洗浄−乾燥チャンバへ運ばれる。回転−洗浄−乾燥チャンバ２３は
、チャンバ内に流体を保つカバー２３ａを有する。また、チャンバはチャンバの
頂部２３ｂとチャンバの底部２３ｃを有し、その頂部にカバー２３ａが取りつけ
てある。１つの商用システムでは、チャンバの頂部と底部は、チャンバリフト２
５によって分離しており、ロボット（図示せず）が基板２をチャンバへ挿入し、
ペデスタル２６上へ置くことを可能にする。ペデスタル２６は、真空源２８に最
終的に接続される、各々のペデスタルアーム２６ｂの真空ポート２６ａを有し、
そこで、ペデスタルアームは基板２をペデスタルに保持し、中央に位置させる。
ペデスタルまたはその部分は上昇及び下降して、ロボットにより運ばれた基板に
接触する。処理中、ペデスタル２６は基板２を保持する。ペデスタルアクチュエ
ータ２７は、ペデスタルを回転して、基板を洗浄及び／または乾燥を助けるよう
に旋回する。チャンバの頂部２３ｂは、一般に複数のスプレイノズル２９を有す
る。これらのノズルは洗浄流体体をスプレイして、基板の表面を叩き、洗浄する
。代表的な洗浄流体体は、脱イオン水、アルコール、またはそれらの組合せであ
る。戦場ご、ペデスタルは、おそらく異なるスピードで、基板を回転し続けて、
表面を効果的に乾燥する。
【００１０】 したがって、好ましくは、回転−洗浄−乾燥チャンバへ除去プロセスを一体化
することによって、基板上の望ましくない裏側とエッジの堆積を除去する装置及
び方法に対する必要性がある。
【００１１】 （発明の概要） 本発明は、物質を化学的に溶解することによって、基板の裏側から望ましくな
い堆積された物質を除去するが、この溶解及び除去プロセスの影響から基板の表
側を少なくとも部分的に保護する方法及び装置を提供する。好ましくは、溶解プ
ロセスは、回転、洗浄及び乾燥プロセスに含まれ、物質が基板の表側から除去さ
れるのを防ぐために、基板の裏側への溶液の流れに較べて、基板の表側ヘの洗浄
流体の大きな流れを用いる。
【００１２】 １つの実施の形態では、本発明は、少なくとも第１の面上に堆積された物質の
膜を有する基板を回転し、第１の面上の膜を洗浄し、第１の面上の膜を洗浄し、
実質的に第１の面上の膜の溶解を防ぎつつ、基板の第２の面上の膜の少なくとも
一部を溶解するステップを有する、基板を回転し、洗浄するのに適合したチャン
バにおいて、基板上に堆積された物質の膜を溶解する方法を提供する。他の実施
の形態では、本発明は、基板の表側の物質を実質的に溶解することなく、基板の
裏側に堆積された物質の少なくとも一部を溶解しつつ、基板の表側に堆積された
物質へ流体を向けるステップを有する、基板の表側及び基板の裏側の少なくとも
一部に堆積された物質を溶解する方法を提供する。
【００１３】 他の実施の形態では、本発明は、基板を回転し、洗浄するのに適合したチャン
バ、チャンバの少なくとも一部に配置された基板支持体、基板支持体を回転する
のに適合したアクチュエータ、チャンバ内の基板の第１の面に流体を流すように
向けられた第１の流体入口、チャンバ内の基板の第２の面に第２の流体を流すよ
うに向けられた第２の流体入口を有し、溶解流体（溶解用流体）は、基板の第１
の面上の物質を実質的に溶かすことなく基板の第２の面上に堆積された物質を溶
かすように、流体入口の少なくとも一方は、洗浄流体を流すのに適合しており、
かつ流体入口の少なくとも他方は、溶解するプロセスの少なくとも一部の間、第
１の流体の流れで溶解流体を流すのに適合していることを特徴とする基板の裏側
に堆積された物質を溶解するための装置を提供する。
【００１４】 （発明の実施の形態） 本発明の特徴、利点及び目的が達成され、詳細に理解されるために、上述の概
要に示された本発明の特定の記載は、図面に示された実施の形態を参照すること
によって得られる。
【００１５】 しかし、添付図面は、本発明の代表的な実施の形態のみを示しており、したが
って、本発明の範囲の範囲を制限するために考慮されるべきでない。
【００１６】 少なくとも１つの特徴において、本発明は、回転−洗浄−乾燥プロセス中に、
元の場所で基板表面の少なくとも一部から堆積された物質を除去するための特定
の方法及び装置を提供する。本発明は、基板の裏側へ溶解流体を向けることによ
って、基板の裏側の少なくとも一部から物質を除去する一方、堆積された物質を
有する基板の表側へ洗浄（リンス）流体（洗浄用流体）を向けるステップを有す
る。
【００１７】 図４は、洗浄および溶解流体の入口を備える、本発明の回転ー洗浄−乾燥チャ
ンバの概略斜視図である。図５は、図４の回転ー洗浄−乾燥チャンバの側断面図
であり、流体の入口間に垂直に設けられた処理位置にある基板を示す。図４及び
図５を参照すると、チャンバ３０は、チャンバボール３０ｄを一体に画定する規
定する底部３０ａ、側壁３０ｂおよび上部シールド３０ｃを有し、シールドは側
壁に取り付けてあり、チャンバ内に流体を保つようにする。代わりに、図３に示
される取り外し可能なカバーを使用することもできる。チャンバ内に配置された
ペデスタル３６は、ペデスタル支持体３２とペデスタルアクチュエータ３４を有
する。ペデスタル３６は基板３８（図５参照）を処理の間ペデスタルの上面に支
持支持する。ペデスタルアクチュエータ３４はペデスタルを回転して、基板を旋
回し、以下に記載されるようにペデスタルを上昇及び下降する。基板は複数のク
ランプ３７によってペデスタル上の正しい位置に保持されるのが好ましい。クラ
ンプは遠心力で回転し、基板エッジの排除ゾーンに基板を契合する。好適な実施
の形態では、クランプは、処理の間基板がペデスタルから持ちあがるときだけ基
板を契合する。真空路（図示せず）を他の保持素子と同様に用いることもできる
。ペデスタルは、複数のペデスタルアーム３６ａと３６ｂを有しており、第２の
ノズルを通る流体が実際と同じ基板の下面上の表面積を叩く。出口３９によって
、流体がチャンバから排除されるようにする。ここで用いられる用語“下方”、
“上方”、“底部”、“頂部”、“上へ”、“下へ”、“上部”、“下部”、及
び他の位置に関する用語は、図面における実施の形態について示されており、処
理装置の相対的向きに依存して変えられる。
【００１８】 第１の流体４７を通す第１の導管４６は弁４７ａに接続される。この導管は、
ホース、パイプ、チューブ、または他の流体を含む導管であれば良い。バルブ４
７ａは第１の流体４７の流れを制御し、ニードル、グローブ、バタフライ、また
は他の弁形式を含むいろいろな弁から選ぶことができ、また弁のコントローラ６
２で制御されることができるアクチュエータ、例えばソレノイドを有することも
できる。導管４６は基板の上方に配置される第１の流体入口４０に接続し、チャ
ンバへ取り付けるための取付け部４２及び導管４６へ取り付けるための接続部４
４を有する。第１の流体入口は単一の第１のノズル４８で示され、基板の上面へ
圧力のある第１の流体４７を噴出する。しかし、多数のノズルを用いることもで
き、多数の流体入口がチャンの内周の周りに配置される。好ましくは、基板の上
方に配置されたノズルは、基板上にしずくが落ちるノズルの危険性を少なくする
ために、基板の直径の外側にあるべきである。第１の流体入口は、図３に示され
るように、基板上法に配置されたカバーをとおして、いろいろな位置に取りつけ
ることができる。さらに、ノズルは、例えばボールとソケット接合のような、関
節式接合部材を用いていろいろな位置に接合することができる。
【００１９】 第１の導管及び上述の関連素子と同様、第２の導管５２は、制御バルブ４９ａ
と第２の流体入口５０へ第２のノズル５１で接続される。第２の流体入口５０は
基板の下方に示され、第２のノズル５１を介して基板の下へ第２の流体を向ける
ために上方へ角度が付けられている。第１の流体入口と同様に、第２の流体入口
も複数のノズル、複数の流体入口と取りつけ位置、及び関節接合部材を用いる複
数配向を有することができる。各々の流体入口は、いろいろな位置において、チ
ャンバへ伸ばすことができる。例えば、もし、流れが基板のエッジに沿ってチャ
ンバ周囲へ向かって後方へ向けられるある角度にある必要があるなら、ノズルは
内方へ放射状に延ばされ、ノズルからの放射はチャンバ周囲に向かって後方へ向
けられる。
【００２０】 コントローラ６２は、回転のサイクルだけでなく、２つの流体及びそれらの流
速、圧力、タイミング及びあらゆる関連する弁をそれぞれ制御する。コントロー
ラは、例えば、遠隔アクチュエータで制御される制御パネルまたは制御室、及び
配管において離れたところに配置されることができる。点線で示される他の実施
の形態は、導管４６ｂと共に制御弁４６ｃを有する第１の導管４６に接続された
補助流体入口４６ａを備え、溶解流体が基板を際は移行することなく流された後
基板の裏側へ洗浄流体を流すために用いるか、または第２の流体入口か介して流
れを洗浄流体に切り替えるために用いることができる。
【００２１】 １つの実施の形態において、基板は、チャンバボール内に配置面を上にして堆
積面を伴って取りつけられる。以下に説明されるように、この装置に対して、一
般に、第１の流体入口は洗浄流体、代表的には、脱イオン水またはアルコールを
流す。結果的に、基板の裏側は下に向かって取りつけられ、第２の流体入口をと
おして流れる流体は溶解流体、溶解されるべき物質に依存して、例えば塩酸、硫
酸、燐酸、フッ化水素酸または他の溶解流体または流体である。
【００２２】 動作中、ペデスタルは、図４に示される上昇位置にあり、ロボット（図示せず
）は、基板を表側を上にしてペデスタル上に配置する。ペデスタルは、基板を基
板が第１と第２の流体入口間に垂直に配置される処理位置へ降下する。一般に、
ペデスタルアクチュエータは、２００ｍｍの基板に対しては約２０から約２００
０の代表的な範囲を伴う、約５〜５０００ｒｐｍの間でペデスタルを回転する。
この回転のために、クランプの下側端３７ａは遠心力によってチャンバ側壁の周
りに向かって、ピボット３７ｂの周りの外方へ回転する。クランプの回転はクラ
ンプの上側端３７ｃを中心に対して内方および下側へ力を加え、基板３８をペデ
スタルの正しい位置、好ましくは基板エッジに沿って保持する。クランプは、基
板に接触しない位置で回転し、もし、基板が処理の間にペデスタルから著しく持
ちあがる場合のみ、基板をペデスタル上の正しい位置に保持しても良い。
【００２３】 基板を回転するペデスタルによって、洗浄流体が第１の流体入口４０を通して
基板の全面に送られる。第２の流体、例えば酸が第２の流体入口を通して裏面に
送られ、望ましくない堆積物を除去する。溶解流体は堆積された物質と化学的に
反応し、溶解し、その後全ての望ましくない堆積物がある基板の裏側及び他の領
域から物質を洗い流す。好適な実施の形態では、洗浄流体は溶解流体より大きな
速度で流れるように調節され、溶解流体から基板の表側を保護する第１及び第２
の流体入口は、基板のサイズ、それぞれの流速、スプレイパターン、および除去
されるべき堆積物の量と型に依存して、他のファクタ間で最適な性能になるよう
に配置される。ある例では、洗浄流体は、溶解流体が望ましくない堆積物を溶解
した後に、基板の裏側を洗浄するために、第２の流体入口へ流路を変えることが
できる。他の例では、基板の裏側で戦場液を流すために接続された補助の流体入
口を、裏側から全ての溶解流体の残りを洗浄するために用いることができる。基
板の表側および／または裏側を洗浄した後、流体の流れは止められるが、ペデス
タルは基板を回転しながら回転を続け、それによって、表面を効果的に乾燥する
。
【００２４】 流体は、一般に、所望の特定のノズルスプレイパターンに応じて変えられ、フ
ァン、ジェット、コニカルおよび他のパターンを有するスプレイパターンで送ら
れる。第１の流体が洗浄流体の場合、それぞれの流体入口を通して第１および第
２の流体のための１つのスプレイパタンは、２００ｍｍウエハに対して１平方イ
ンチ当たり約１０から約１５ポンドの圧力および１分間当たり約１から約３ガロ
ンの流速を有するファンパターンである。
【００２５】 また、本発明は、図２に示されたエッジ排除ゾーンを作るために、基板のエッ
ジに沿って望ましくない堆積物を除去するために用いられる。ノズルの向き及び
配置、流体の流速、基板の回転速度、および流体の化学的組成を調整することに
よって、望ましくない堆積物は、同様に基板のエッジおよび／またはエッジ排除
ゾーンから除去される。従って、表側の面上に堆積された物質の溶解を実質的に
防止するステップは、基板のエッジまたはエッジ排除ゾーンを必ずしも含くむ必
要はない。また、表側の面上に堆積された物質の溶解を防止するステップは、堆
積された物質のある表側が商業的価値を損なわないように、溶解を少なくとも妨
げるステップを含むことを意図している。
【００２６】 エッジ排除ゾーンの溶解プロセスを達成する一つの方法は、基板の裏側に溶解
流体を供給しつつ、ゆっくりした速度、例えば約１００から約１０００ｒｐｍで
ディスクを回転することである。溶解流体が基板のエッジ領域において、裏側か
ら表側まで重なるように、遠心力が基板のエッジに溶解流体を移動し、流体の表
面張力によりエッジの周りに流体の層を形成する。基板の回転速度と溶解流体の
流速は、表側への重なりの程度を決めるために用いられる。例えば、回転速度の
減少または流れの増加は、反対側、例えば表側への流体の重なりを少なくする。
さらに、表側へ供給される洗浄流体の流速および流れの角度は、基板のエッジお
よび／または表側への溶解流体の層をオフセットするために調整することができ
る。ある例では、エッジおよび／またはエッジ排除ゾーンの除去を得るために、
始めに、洗浄流体のない溶解流体を用いることができ、後に上述の本発明の洗浄
／溶解プロセスが続く。
【００２７】 図６は、図５に類似した本発明の他の実施の形態である。この実施の形態にお
いて、第１と第２の流体はの流れは導管の再取付けおよびシステムの再工事をす
ることなく、弁システムによって逆転可能である。第１の流体が流れる第１の導
管が制御弁４７ａに接続されており、図５に示された実施の形態と同様にコント
ローラ６２で制御される。導管４６は一連の弁５４、５６、５８および６０に接
続しており、基板上に配置された第１のノズル４８と共に第１の流体入口４０に
接続しており、チャンバに取り付ける取付け部分４２と導管４６に取り付ける接
続部分４４を有する。また、図５の実施の形態と同様に、第１の流体入口はチャ
ンバ周囲の周りの複数の位置に複数のノズルを有することができ、さらに接合部
材４４を有することができる。上述した第１の導管および関連素子と同様に、第
２の導管５２が制御弁４９ａ、一連の弁５４、５６、５８および６０に接続され
、さらに接合部材５３によって第２のノズル５１を有する第２の流体入口５０に
接続している。
【００２８】 符号５４、５６，５８および６０によって示される弁システムは、人工的にま
たは自動的に、例えばコントローラ６２によって作動される。これらの弁は、シ
ステムの遠隔操作を支援するためにソレノイド動作され得る。制御弁４７ａと４
９ａは、図４と図５に記載されている流れを調節するために用いられる。この装
置の他の利点は、いろいろな方法で流れをシーケンスすることができることであ
る。例えば、第２の導管を通って流れる溶解流体がそれぞれの弁を開閉し、溶解
流体が接触した基板表面を洗浄することによって、洗浄流体で清掃することがで
きる。さらに、上述した二重の流体の流れに代えて、単一の流体の流れが１つの
弁を除いて全ての弁を閉じることによって達成される。以下の表１は、本発明の
洗浄および／または溶解プロセスにおいて、異なる流れを達成するための可能な
変更例を示す。
【００２９】 表１
【００３０】 表１を参照すると、第１の弁位置シーケンスは、弁５４、５６、５８および６
０が閉のとき流れが生じないことを示している。この構成は、例えば基板がペデ
スタル上に置かれるか、またはペデスタルから除かれるときに適している。次の
行は、弁５４と５６を開け、弁５８と６０を閉じることによって、第１の流体４
７は第１の導管４６を通って第１の流体入口４０へ流れ、第２の流体４９は第２
の導管５２を通って第２の流体入口５０へ流れ、ることを示している。この状態
は、もし、裏側が下を向いているならば、第１の導管は第１の流体入り口を通っ
て洗浄流体を流し、第２の導管は第２の流体入口から溶解流体を流す場合に、図
２において説明した実施の形態に類似している。それぞれの導管から第１の流体
および第２の流体を再配管することなく、もし基板の裏側が上向きで、第１の導
管４６にまだ洗浄流体が含まれ、第２の導管５２にまだ溶解流体が含まれている
なら、弁の位置を切り替えることによって流れを調節することができる。溶解流
体が第１の流体入口４０を流れるようにし、洗浄流体が第２の流体入口５０を通
って流れるようにするために、弁５４と５６が閉じられ、弁５８と６０が開けら
れる。もし、うろセスが溶解流体プロセスごに裏側洗浄を含むなら、それに応じ
て弁が調節される。例えば、もし、裏側が下向きで、第１の導管が洗浄流体を含
み、第２の導管５２が溶解流体を含むならば、弁５４と５８が閉じられ、弁５６
と６０が開けられて、洗浄流体が第１の流体入口と第２の流体入口５０の両方を
通って流れるようになる。代わりに、第１の導管４６殻の洗浄流体は、弁５４、
５６および５８を閉じ、弁６０を開くことによって第１の流体入口４０を通って
流れることなく第２の流体入口５０だけを通って流れることができる。他の構成
も可能であり、そのあるものが表１に示されている。
【００３１】 さらに、好適な実施の形態は便利および処理効率のために回転−洗浄−乾燥の
サイクルを行なうことができる。他の実施の形態は、例えば乾燥サイクルを含ま
ないようにして、それを他のチャンバで行なうようにしてもよい。
【００３２】 他の実施の形態において、基板は、基板の裏側が上向きに取付けられる。この
実施の形態は、置かれるべき所望の表面が下向きである標準の電気めっきプロセ
スと一致している。上述したように、クランプ３７をエッジ排除ゾーンにおいて
基板に接触するために用いることができる。基板を反転することの利点は、効率
を向上するためにチャンバからチャンバへ基板を運ばないことである。図４およ
び図５における上述したプロセスおよび装置と同様であるけれども、しかし、第
１の流体入口を通って流れる第１の流体が溶解流体であり、第２の流体入口を通
って流れる第２の流体が洗浄流体であるように、第１と第２の流れを切り替える
ことによって、洗浄および溶解を行うことができる。この例では、基板の表側を
溶解流体から保護するために、第２の流体の流速は第１の流体の流速より大きい
ことが好ましい。また、いろいろな弁システム、例えば図６に示された弁システ
ムをこの実施の形態に含めることができる。
【００３３】 上記の説明は、本発明の好適な実施の形態について行なわれたが、本発明の他
の、および更なる実施の形態が本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考え
ることができる。本発明の範囲は請求項によって決められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 基板上に堆積された一連の層を有する基板の一部断面図である。
【図２】 基板上に堆積された材料の所望の形状を示す基板エッジの一部断面図である。
【図３】 代表的な回転−洗浄−乾燥チャンバの概略図である。
【図４】 洗浄及び溶解流体の入り口を内蔵する、本発明の回転−洗浄−乾燥チャンバの
概略斜視図である。
【図５】 図４の回転−洗浄−乾燥チャンバの側断面図である。
【図６】 流体入口を逆にする、図５の回転−洗浄−乾燥チャンバの他の実施の形態の概
略図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シンハ アショック ケイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94304 パロ アルト ハッバート ドラ イヴ 4176 (72)発明者 エデルスタイン セルジオ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95030 ロス ガトス エル アルティロ 117 (72)発明者 シュガーマン マイケル アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94117 サン フランシスコ ベルヴェデ ール ストリート 134 Ｆターム(参考） 4K057 WA01 WA02 WA20 WB06 WM04 WN01 5F043 BB27 DD12 DD13 EE03 EE07 EE08 EE33 EE35 GG10

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を回転し洗浄するのに適合したチャンバ内で基板上に堆
    積された物質の膜を溶解する方法であって、 ａ）少なくとも第１の面上に堆積された物質の膜を有する基板を回転するステ
    ップと、 ｂ）前記第１の面上の膜を洗浄するステップと、 ｃ）前記第１の面上の膜を洗浄しつつ、基板の第２の面上の全ての膜の少なく
    とも一部を溶解するステップと、 ｄ）前記第１の面上の膜の溶解を実質的に防止するステップと、 を有することを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記第１の面上の膜の溶解を実質的に防止するステップは、
    前記第１の面を上へ、かつ前記第２の面を下へ向けるステップと、前記第２の面
    に向けられた溶解流体の流速と比較して、大きな流速で前記第１の面上に洗浄流
    体を向けるステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記第１の面上の膜の溶解を実質的に防止するステップは、
    前記第１の面を下へ、かつ前記第２の面を上へ向けるステップと、前記第２の面
    に向けられた溶解流体の流速と比較して、大きな流速で前記第１の面上に洗浄流
    体を向けるステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記膜を洗浄するステップは、脱イオン水を向けるステップ
    を有し、かつ前記膜の少なくとも一部を溶解するステップは、酸の溶液を向ける
    ステップを有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記物質は、銅を含み、前記膜を溶解するステップは、塩酸
    で前記膜を溶解するステップを有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記溶解は、機械的スクラッビングと無関係に生じることを
    特徴とする請求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】 さらに、前記基板のエッジに堆積されたあらゆる膜の少なく
    とも一部を溶解するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 さらに、前記基板のエッジ排除ゾーンに堆積されたあらゆる
    膜の少なくとも一部を溶解するステップを有することを特徴とする請求項１に記
    載の方法。
  9. 【請求項９】 基板の表側上および前記基板の裏側の少なくとも一部に堆積
    された物質を溶解する方法であって、 ａ）前記基板の表側に堆積された物質へ流体を向けるステップと、一方、 ｂ）前記基板の表側上の物質を実質的に溶解することなく、前記基板の裏側に
    堆積されたあらゆる物質の少なくとも一部を溶解するステップと、 を有することを特徴とする方法。
  10. 【請求項１０】 さらに、基板上に金属を電気めっきするステップを有し、
    かつ前記物質へ流体を向けるステップは、前記基板を回転し、洗浄するのに適合
    したチャンバを用いるステップを有することを特徴とする請求項９に記載の方法
    。
  11. 【請求項１１】 さらに、前記基板を回転し、洗浄するのに適合したチャン
    バで基板を処理し、一方酸を用いて前記第２の面から堆積された物質の一部を元
    も場所で溶解するステップを有することを特徴とする請求項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記第１の面上の物質へ流体を向けるステップは、前記第
    １の面上の前記物質を洗浄するステップを含むことを特徴とする請求項９に記載
    の方法。
  13. 【請求項１３】 さらに、前記第２の面に向けられた溶解流体の流速と比較
    して、大きな流速で前記第１の面上へ洗浄流体を向けることによって、前記第１
    の基板上の膜の溶解を実質的に防ぐステップを有することを特徴とする請求項１
    ２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 さらに、前記基板上に堆積された材料を溶解するステップ
    を有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 さらに、前記基板のエッジ排除ゾーンにに堆積された材料
    を溶解するステップを有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 基板の裏側に堆積された物質を溶解するための装置であっ
    て、 ａ）前記基板を回転し、洗浄するのに適合したチャンバと、 ｂ）前記チャンバ内の少なくとも一部に配置された基板支持体と、 ｃ）前期基板支持体を回転するのに適合したアクチュエータと、 ｄ）前記基板を回転し、洗浄するのに適合したチャンバ内に基板の第１の面上
    に流体を流すように配向された第１の流体入口と、 ｅ）前記基板を回転し、洗浄するのに適合したチャンバ内で基板の第２の面上
    に第２の流体を流すように配向された第２の流体入口とを有し、溶解流体が前記
    基板の第１の面上の物質を実質的に溶解することなく、基板の第２の面上に堆積
    された材料を溶解するように、前記流体入口の少なくとも一方は、洗浄流体を流
    すのに適合され、前記流体入口の少なくとも他方は、溶解プロセスの少なくとも
    一部の間に前記第１の流体の流れと共に前記溶解流体を流すのに適合しているこ
    とを特徴とする装置。
  17. 【請求項１７】 さらに、前記第１の流体入口と第２の流体入口を制御する
    のに適合したコントローラを有し、前記第２の面へ溶解流体の流れと比較して、
    前記第１の面へより多くの洗浄流体を可能にすることを特徴とする請求項１６に
    記載の装置。
  18. 【請求項１８】 前記コントローラは、前記第１の流体入口が溶解流体を流
    し、かつ前記第２の流体入口が洗浄流体を流すように、前記第１と第２の流体入
    口を通してそれぞれの流体の流れを切り替えるのに適合されていることを特徴と
    する請求項１７に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 前記溶解流体は、前記基板のエッジから堆積された物質を
    溶解するように向けられていることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
  20. 【請求項２０】 前記溶解流体は、前記基板のエッジ排除ゾーンから堆積さ
    れた物質を溶解するように向けられていることを特徴とする請求項１６に記載の
    装置。
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US6632292B1 (en) * 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US20050020001A1 (en) * 1998-03-13 2005-01-27 Brian Aegerter Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US7192494B2 (en) * 1999-03-05 2007-03-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for annealing copper films
US6551488B1 (en) * 1999-04-08 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Segmenting of processing system into wet and dry areas
US6516815B1 (en) 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
EP1077474A3 (en) 1999-08-14 2004-05-12 Applied Materials, Inc. Backside etching in a scrubber
AU2005202064B2 (en) * 1999-09-30 2008-08-07 United States Postal Service Systems and methods for authenticating an electronic message
US6612014B1 (en) * 2000-07-12 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Dual post centrifugal wafer clip for spin rinse dry unit
US20050061676A1 (en) * 2001-03-12 2005-03-24 Wilson Gregory J. System for electrochemically processing a workpiece
US7189647B2 (en) 2001-04-05 2007-03-13 Novellus Systems, Inc. Sequential station tool for wet processing of semiconductor wafers
US20020170574A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Speedfam-Ipec Corporation Differential Cleaning for semiconductor wafers with copper circuitry
JP4803625B2 (ja) * 2001-09-04 2011-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US6824612B2 (en) * 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US6770565B2 (en) 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers
US6742279B2 (en) 2002-01-16 2004-06-01 Applied Materials Inc. Apparatus and method for rinsing substrates
JP4234930B2 (ja) * 2002-01-24 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US7138014B2 (en) * 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
US6652726B1 (en) * 2002-05-16 2003-11-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Method for reducing wafer edge defects in an electrodeposition process
JP4017463B2 (ja) * 2002-07-11 2007-12-05 株式会社荏原製作所 洗浄方法
US7311810B2 (en) * 2003-04-18 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Two position anneal chamber
US20040206373A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Spin rinse dry cell
JP4045214B2 (ja) * 2003-08-12 2008-02-13 株式会社 日立ディスプレイズ 表示素子の製造方法及び製造装置
US7319920B2 (en) * 2003-11-10 2008-01-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for self-calibration of a substrate handling robot
US20050252547A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for liquid chemical delivery
CN1707746A (zh) * 2004-06-10 2005-12-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于处理半导体器件的光掩模的方法
US7636234B2 (en) * 2004-08-09 2009-12-22 Lam Research Corporation Apparatus configurations for affecting movement of fluids within a microelectric topography processing chamber
US7611589B2 (en) * 2005-03-04 2009-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of spin-on wafer cleaning
US20090050601A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Unidym, Inc. Inert gas etching
US20090182454A1 (en) * 2008-01-14 2009-07-16 Bernardo Donoso Method and apparatus for self-calibration of a substrate handling robot
US20110097517A1 (en) * 2008-01-30 2011-04-28 Applied Materials, Inc. Dynamic vertical microwave deposition of dielectric layers
US7993733B2 (en) * 2008-02-20 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Index modified coating on polymer substrate
US20090238993A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Surface preheating treatment of plastics substrate
US8349156B2 (en) * 2008-05-14 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Microwave-assisted rotatable PVD
US20100078320A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Microwave plasma containment shield shaping
US20100078315A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Microstrip antenna assisted ipvd
TW201129713A (en) * 2009-07-09 2011-09-01 Applied Materials Inc Curved microwave plasma line source for coating of three-dimensional substrates
JP5815967B2 (ja) * 2011-03-31 2015-11-17 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び真空処理システム
JP5686261B2 (ja) 2011-07-29 2015-03-18 セメス株式会社ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， Ｌｔｄ 基板処理装置及び基板処理方法
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20150050752A1 (en) * 2013-08-14 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Methods for cleaning a wafer edge including a notch
CN105312268A (zh) * 2014-07-29 2016-02-10 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗装置
US9330988B1 (en) 2014-12-23 2016-05-03 International Business Machines Corporation Method of fine-tuning process controls during integrated circuit chip manufacturing based on substrate backside roughness
CN109449101A (zh) * 2018-10-24 2019-03-08 上海华力微电子有限公司 一种湿法刻蚀和清洗腔体及方法
US11371159B2 (en) * 2019-06-22 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Methods of reducing or eliminating deposits after electrochemical plating in an electroplating processor

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3727620A (en) 1970-03-18 1973-04-17 Fluoroware Of California Inc Rinsing and drying device
US3772105A (en) * 1970-07-24 1973-11-13 Shipley Co Continuous etching process
US3770598A (en) 1972-01-21 1973-11-06 Oxy Metal Finishing Corp Electrodeposition of copper from acid baths
US4027686A (en) 1973-01-02 1977-06-07 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water
SE444822B (sv) 1975-03-11 1986-05-12 Oxy Metal Industries Corp Bad och medel for elektrolytisk utfellning av koppar
JPS5271871A (en) 1975-12-11 1977-06-15 Nec Corp Washing apparatus
JPS5819350B2 (ja) 1976-04-08 1983-04-18 富士写真フイルム株式会社 スピンコ−テイング方法
US4315059A (en) 1980-07-18 1982-02-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Molten salt lithium cells
US4405416A (en) 1980-07-18 1983-09-20 Raistrick Ian D Molten salt lithium cells
US4336114A (en) 1981-03-26 1982-06-22 Hooker Chemicals & Plastics Corp. Electrodeposition of bright copper
US4376685A (en) 1981-06-24 1983-03-15 M&T Chemicals Inc. Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives
US4439244A (en) 1982-08-03 1984-03-27 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method of material removal having a fluid filled slot
US4489740A (en) 1982-12-27 1984-12-25 General Signal Corporation Disc cleaning machine
US4510176A (en) 1983-09-26 1985-04-09 At&T Bell Laboratories Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer
US4518678A (en) 1983-12-16 1985-05-21 Advanced Micro Devices, Inc. Selective removal of coating material on a coated substrate
US4519846A (en) 1984-03-08 1985-05-28 Seiichiro Aigo Process for washing and drying a semiconductor element
US4693805A (en) 1986-02-14 1987-09-15 Boe Limited Method and apparatus for sputtering a dielectric target or for reactive sputtering
US4732785A (en) * 1986-09-26 1988-03-22 Motorola, Inc. Edge bead removal process for spin on films
FR2623134B1 (fr) * 1987-11-13 1991-08-02 Salem Ali Procede technique de decoupe et d'ajourage de plaques metalliques en vue de leur reproduction et incrustation
US5235995A (en) 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
US5230743A (en) 1988-05-25 1993-07-27 Semitool, Inc. Method for single wafer processing in which a semiconductor wafer is contacted with a fluid
US5224504A (en) 1988-05-25 1993-07-06 Semitool, Inc. Single wafer processor
US5316974A (en) 1988-12-19 1994-05-31 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit copper metallization process using a lift-off seed layer and a thick-plated conductor layer
US5039381A (en) 1989-05-25 1991-08-13 Mullarkey Edward J Method of electroplating a precious metal on a semiconductor device, integrated circuit or the like
US5055425A (en) 1989-06-01 1991-10-08 Hewlett-Packard Company Stacked solid via formation in integrated circuit systems
US5162260A (en) 1989-06-01 1992-11-10 Hewlett-Packard Company Stacked solid via formation in integrated circuit systems
US5155336A (en) 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
JP2841618B2 (ja) * 1990-01-25 1998-12-24 日本電気株式会社 ウェットエッチング装置
US5222310A (en) 1990-05-18 1993-06-29 Semitool, Inc. Single wafer processor with a frame
US5259407A (en) 1990-06-15 1993-11-09 Matrix Inc. Surface treatment method and apparatus for a semiconductor wafer
US5252807A (en) 1990-07-02 1993-10-12 George Chizinsky Heated plate rapid thermal processor
US5368711A (en) 1990-08-01 1994-11-29 Poris; Jaime Selective metal electrodeposition process and apparatus
US5256274A (en) 1990-08-01 1993-10-26 Jaime Poris Selective metal electrodeposition process
CA2059841A1 (en) 1991-01-24 1992-07-25 Ichiro Hayashida Surface treating solutions and cleaning method
DE4109955A1 (de) 1991-03-26 1992-10-01 Siemens Ag Verfahren zum nasschemischen aetzen einer wolframrueckseitenbeschichtung auf einer halbleiterscheibe
JPH05160104A (ja) 1991-12-05 1993-06-25 Fujitsu Ltd 半導体ウェーハのウェット処理方法及びウェット処理装置
DE4202194C2 (de) * 1992-01-28 1996-09-19 Fairchild Convac Gmbh Geraete Verfahren und Vorrichtung zum partiellen Entfernen von dünnen Schichten von einem Substrat
JP3200468B2 (ja) 1992-05-21 2001-08-20 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用めっき装置
JP2654314B2 (ja) 1992-06-04 1997-09-17 東京応化工業株式会社 裏面洗浄装置
JPH0697136A (ja) * 1992-09-17 1994-04-08 Hitachi Ltd 基板洗浄方法およびその装置
US5328589A (en) 1992-12-23 1994-07-12 Enthone-Omi, Inc. Functional fluid additives for acid copper electroplating baths
US5718813A (en) 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
JP3247211B2 (ja) * 1993-08-02 2002-01-15 富士通株式会社 配線用銅膜表面の酸化銅除去方法
US5608943A (en) 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
US5625170A (en) 1994-01-18 1997-04-29 Nanometrics Incorporated Precision weighing to monitor the thickness and uniformity of deposited or etched thin film
US5651865A (en) 1994-06-17 1997-07-29 Eni Preferential sputtering of insulators from conductive targets
JPH0837143A (ja) 1994-07-25 1996-02-06 Fuji Xerox Co Ltd 半導体処理装置
US5705223A (en) 1994-07-26 1998-01-06 International Business Machine Corp. Method and apparatus for coating a semiconductor wafer
TW345681B (en) * 1996-12-13 1998-11-21 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd Method for removing covering layer on the peripheral edge portion of wafer
US6017437A (en) * 1997-08-22 2000-01-25 Cutek Research, Inc. Process chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate
US5897379A (en) * 1997-12-19 1999-04-27 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Low temperature system and method for CVD copper removal

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