JP2003347854A - 電力増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電力増幅器で発生する低域側のＩＭ３と高域
側のＩＭ３のレベル差が大きい場合でも、大きな歪抑制
効果が得られるプリディストーション歪補償付き増幅器
を実現する。 【解決手段】 電力増幅回路１１７は、原信号を増幅す
る。包絡線検波器１１９は、原信号の包絡線成分と同じ
成分を有する包絡線信号を生成する。歪信号生成回路１
１２は、電力増幅回路１１７によって原信号が増幅され
る際に発生する歪成分をうち消すための歪信号を、原信
号に基づいて生成する。電力合成器１１６において、包
絡線信号が原信号に注入される。これによって、歪成分
の非対称性が解消される。電力増幅回路１１７におい
て、歪信号が原信号に注入される。これによって、歪成
分が抑制される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電力増幅器に関
し、より特定的には、信号を増幅する際に発生する歪を
補償することができるプリディストーション歪補償付き
電力増幅器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信機器の基地局における
送信装置においては、多数の信号チャンネルを一括して
増幅する必要から、高効率でかつ線形性の高い電力増幅
器が求められる。電力増幅器の線形性を高めるために
は、例えばプリディストーション方式などの歪補償回路
の採用が不可欠である。

【０００３】図１６は、従来の電力増幅器の構成を示す
ブロック図である。図１６に示す電力増幅器は、入力端
子６０１と、出力端子６０２と、電力分配器６０３と、
遅延器６０４と、歪発生回路６０５と、可変減衰器６０
６と、可変位相器６０７と、電力合成器６０８と、電力
増幅回路６０９と、方向性結合器６１０と、制御部６１
１とを備える。

【０００４】上記のように構成されたプリディストーシ
ョン歪補償付き増幅器において、入力端子６０１から入
力されたキャリア信号は、電力分配器６０３によって２
分配される。２分配された一方のキャリア信号に基づい
て、歪発生回路６０５は歪信号を発生させる。この歪信
号は、可変減衰器６０６および可変位相器６０７によっ
て振幅および位相が調整され、電力合成器６０８に入力
される。一方、電力合成器６０３によって２分配された
他方のキャリア信号は、遅延器６０４によって遅延され
た後、電力合成器６０８に入力される。電力合成器６０
８は、振幅および位相が調整された歪信号と遅延された
キャリア信号とを合成して電力増幅回路６０９へ出力す
る。電力合成器６０８から出力された信号は、電力増幅
回路６０９によって増幅され、出力端子６０２から外部
へ出力される。

【０００５】電力増幅回路６０９と出力端子６０２との
間には、方向性結合器６１０が設けられている。方向性
結合器６１０は、電力増幅回路６０９から出力される信
号を分岐し、制御部６１１へ出力する。制御部６１１
は、キャリア信号を増幅する際に電力増幅回路６０９に
おいて発生する相互変調歪（以下、単に「歪」と呼ぶ）
と、電力合成器６０８に入力される歪信号とが、同振幅
かつ逆位相となるように、可変減衰器６０６および可変
位相器６０７を制御する。

【０００６】以上のように、従来のプリディストーショ
ン歪補償付き電力増幅器では、キャリア信号を増幅する
際に電力増幅回路６０９において発生する歪信号と同振
幅かつ逆位相の歪信号を発生させる。さらに、電力増幅
回路６０９へ入力されるキャリア信号に当該歪信号を予
め付加しておく（すなわち、発生歪と同振幅かつ逆位相
の歪成分を増幅器の入力側に注入する）。これによっ
て、従来のプリディストーション歪補償付き増幅器は、
電力増幅回路６０９で発生する歪を低減している。以上
を実現する回路構成は、例えば、特開２０００−２６１
２５２号公報で開示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１６
に示される従来のプリディストーション歪補償付き増幅
器は、以下に示す課題を有していた。すなわち、電力増
幅回路６０９で発生する歪に成分（以下、「ＩＭ３成
分」と記載する）は、低周波側に発生する３次歪成分
（以下、「ＩＭ３Ｌ成分」と記載する）と、高周波側に
発生する３次歪成分（以下、「ＩＭ３Ｕ成分」と記載す
る）とがあるが、両者のレベル差が大きい場合、ＩＭ３
ＬおよびＩＭ３Ｕ成分の双方に対して大きな歪抑制量を
実現することができない。なぜなら、上記のように歪成
分（ＩＭ３Ｌ成分およびＩＭ３Ｕ成分）の非対称性が大
きい場合、歪発生回路６０５において発生させる歪信号
を、ＩＭ３ＬおよびＩＭ３Ｕ成分の双方と同振幅かつ逆
位相にすることは困難だからである。

【０００８】それ故に、本発明の目的は、電力増幅器で
発生するＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベル差が大
きい場合でも、大きな歪抑制効果を得ることができるプ
リディストーション歪補償付き増幅器を提供することで
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明は、周波数が異なる複数の信号を含んだ原信号を増
幅する電力増幅器であって、原信号を入力する信号入力
手段と、信号入力手段から入力された原信号を増幅する
増幅手段と、増幅手段によって増幅された信号を外部へ
出力する信号出力手段と、原信号の包絡線成分と同じ成
分を有する包絡線信号を生成する包絡線信号生成手段
と、増幅手段によって原信号が増幅される際に発生する
歪成分をうち消すための歪信号を、当該原信号に基づい
て生成する歪信号生成手段と、信号入力手段から信号出
力手段までの信号増幅経路に包絡線信号を注入し、歪成
分の非対称性を解消する第１の包絡線信号注入手段と、
信号増幅経路に歪信号を注入し、歪成分を抑制する歪信
号注入手段とを備えている。

【００１０】上記第１の発明によれば、包絡線信号によ
って電力増幅器において発生する歪成分の非対称性を解
消することができる。さらに、歪信号によって電力増幅
器において発生する歪成分の非対称性を解消することが
できる。すなわち、電力増幅器は、包絡線信号および歪
信号という２つの信号を用いることによって、歪成分に
おける非対称性の解消と歪成分の低減とを別個に行う。
従来の方法では、増幅手段において発生する歪成分の非
対称性に合致するように歪信号を生成することができな
いので、非対称性を有する歪成分を十分に抑制すること
ができなかった。しかし、上記第１の発明によれば、包
絡線信号によって歪成分の非対称性を解消することがで
きるので、従来の方法によって生成される歪信号を用い
ても、大きな歪抑制効果を得ることができる。

【００１１】第２の発明は、第１の発明に従属する発明
であって、包絡線信号のレベルを検出する包絡線信号検
出手段と、包絡線信号検出手段によって検出される包絡
線信号のレベルに基づいて、信号増幅経路に注入される
包絡線信号の振幅および位相を調整する第１の包絡線信
号調整手段とをさらに備えている。

【００１２】上記第２の発明によれば、包絡線信号自身
のレベルに応じて、信号増幅経路に注入すべき包絡線信
号の振幅および位相が調整される。ここで、包絡線信号
のレベルは原信号のレベルに応じて変化し、注入すべき
包絡線信号の振幅および位相は原信号のレベルに応じて
変化する。以上より、注入すべき包絡線信号の振幅およ
び位相を、包絡線信号自身のレベルに基づいて適切な値
に調整することによって、歪成分の非対称性をより正確
に解消することができる。従って、より大きな歪抑制効
果を得ることができる。

【００１３】第３の発明は、第２の発明に従属する発明
であって、第１の包絡線信号調整手段は、包絡線信号検
出手段によって検出される包絡線信号のレベルと、歪成
分中の低周波側成分と高周波側成分との間のレベル差を
最小にするときの包絡線信号の振幅および位相との対応
を示すテーブルを予め記憶しておき、当該テーブルを用
いて当該包絡線信号の振幅および位相を調整する。

【００１４】上記第３の発明によれば、予め用意された
テーブルを用いることによって、信号増幅経路に注入す
べき包絡線信号の振幅および位相を容易に決定すること
ができる。

【００１５】第４の発明は、第１の発明に従属する発明
であって、信号入力手段から歪信号注入手段までの歪信
号生成経路に包絡線信号を注入し、歪信号が有する周波
数成分であって歪成分に対応する周波数成分の非対称性
を解消する第２の包絡線信号注入手段をさらに備えてい
る。

【００１６】上記第４の発明によれば、歪信号の周波数
成分において生じている非対称性、すなわち、歪信号に
おける高周波側の周波数成分と低周波側の周波数成分と
の間で生じているレベル差を、包絡線信号によって解消
することができる。ここで、歪信号においても、増幅手
段において発生する歪成分における非対称性と比較して
大きくはないものの、非対称性が生じている。また、本
発明においては、歪成分の非対称性については包絡線信
号によって解消されている。従って、非対称性が解消さ
れた歪成分を抑制するための歪信号についても、非対称
性を有しないことが好ましい。以上より、歪信号につい
ても非対称性を解消することによって、歪抑制をより正
確に行うことができる。

【００１７】第５の発明は、第４の発明に従属する発明
であって、包絡線信号のレベルを検出する包絡線信号検
出手段と、包絡線信号検出手段によって検出される包絡
線信号のレベルに基づいて、歪信号生成経路に注入され
る包絡線信号の振幅および位相を調整する第２の包絡線
信号調整手段とをさらに備えている。

【００１８】上記第５の発明によれば、包絡線信号自身
のレベルに応じて、歪信号生成経路に注入すべき包絡線
信号の振幅および位相が調整される。ここで、包絡線信
号のレベルは原信号のレベルに応じて変化し、注入すべ
き包絡線信号の振幅および位相は原信号のレベルに応じ
て変化する。以上より、注入すべき包絡線信号の振幅お
よび位相を、包絡線信号自身のレベルに基づいて適切な
値に調整することによって、歪信号における非対称性を
より正確に解消することができる。従って、歪抑制をよ
り正確に行うことができる。

【００１９】第６の発明は、第５の発明に従属する発明
であって、第２の包絡線信号調整手段は、包絡線信号検
出手段によって検出される包絡線信号のレベルと、歪信
号における低周波側成分と高周波側成分との間のレベル
差を最小にするときの当該包絡線信号の振幅および位相
との対応を示すテーブルを予め記憶しておき、当該テー
ブルを用いて、当該包絡線信号の振幅および位相を調整
する。

【００２０】上記第６の発明によれば、予め用意された
テーブルを用いることによって、歪信号生成経路に注入
すべき包絡線信号の振幅および位相を容易に決定するこ
とができる。

【００２１】第７の発明は、第１の発明に従属する発明
であって、包絡線信号および歪信号の注入後における増
幅手段の出力信号の包絡線成分についてレベルを検出す
る包絡線成分検出手段と、包絡線成分検出手段によって
検出される出力信号の包絡線成分レベルに基づいて、当
該包絡線成分レベルが最小となるように、信号増幅経路
に注入される包絡線信号の振幅および位相を調整する第
３の包絡線信号調整手段とをさらに備えている。

【００２２】上記第７の発明によれば、増幅手段によっ
て増幅された信号における包絡線成分に基づいて、信号
増幅経路に注入される包絡線信号の振幅および位相が調
整される。包絡線信号および歪信号の注入後における信
号の包絡線成分に基づいて調整されるので、何らかの要
因によって包絡線信号の振幅および位相の適切な値が変
化した場合であっても、当該変化に応じて振幅および位
相を適切な値に調整することができる。また、テーブル
を用いる必要がないため、高価なメモリや記憶回路を用
いることなく電力増幅器を構成することができる。

【００２３】第８の発明は、第７の発明に従属する発明
であって、第３の包絡線信号調整手段は、包絡線信号の
振幅を任意の値に固定して、当該包絡線信号の位相を０
°から３６０°まで変化させた場合における、包絡線成
分レベルの変化幅が所定値以上となるか否かを判定する
レベル判定手段と、レベル判定手段によって変化幅が所
定値以上であると判定された場合、包絡線成分レベルが
最小となるように、当該包絡線信号の位相を決定する位
相決定手段と、位相決定手段によって決定された位相に
おいて、包絡線成分レベルが最小となるように、包絡線
信号の振幅を決定するレベル決定部とを含んでいる。

【００２４】上記第８の発明によれば、まず、包絡線成
分レベルの変化幅が所定値以上となる振幅の値が設定さ
れ、設定された振幅の値において最適な位相の値が決定
される。ここで、最適な位相を決定する上で、包絡線信
号の振幅によっては最適な位相の値が存在しない場合が
ある。また、最適な位相の値が存在するか否かは、包絡
線成分レベルの変化幅によって判定することができる。
従って、包絡線信号の振幅および位相を単に変化させ、
包絡線成分レベルが最小になる値を決定しようとした場
合、最適な位相の値がないような値に包絡線信号の振幅
が決定されてしまうおそれがある。これに対して、上記
のように、包絡線成分レベルの変化幅に基づいて最適な
位相の値が存在するか否かを判定した後、位相を決定す
ることによって、最適な位相および振幅を常に決定する
ことができる。

【００２５】第９の発明は、第１の発明に従属する発明
であって、包絡線信号および歪信号の注入後における増
幅手段の出力信号のレベルを検出する出力信号検出手段
と、出力信号検出手段によって検出される出力信号のレ
ベルに基づいて、当該出力信号に含まれる歪成分が最小
となるように、歪信号を調整する歪信号調整手段とをさ
らに備えている。

【００２６】上記第９の発明によれば、包絡線信号およ
び歪信号の注入後における信号の包絡線成分に基づいて
歪信号が調整されるので、何らかの要因によって歪信号
の振幅および位相の適切な値が変化した場合であって
も、当該変化に応じて振幅および位相を適切な値に調整
することができる。

【００２７】第１０の発明は、第１の発明に従属する発
明であって、包絡線信号生成手段は、原信号から包絡線
信号を生成する。

【００２８】上記第１０の発明によれば、増幅すべき原
信号から包絡線信号を生成するので、周波数が異なる複
数の信号を含んだ信号を増幅する電力増幅器であれば、
どのようなものであっても包絡線信号を生成し、本発明
を適用することができる。

【００２９】第１１の発明は、第１の発明に従属する発
明であって、ベースバンド信号から変調によって得られ
る変調信号を生成する変調手段をさらに備え、信号入力
手段は、変調信号を原信号として入力し、包絡線信号生
成手段は、ベースバンド信号から包絡線信号を生成す
る。

【００３０】上記第１１の発明によれば、ベースバンド
信号から包絡線信号が生成されるので、原信号から生成
する場合に比べて、あらゆる入力レベルに対して包絡線
信号を正確に生成することができる。従って、回路のダ
イナミックレンジを大きくすることができる。

【００３１】第１２の発明は、ベースバンド信号から変
調によって得られる一定の周波数帯域を持つ原信号を増
幅する電力増幅器であって、増幅の際に発生する歪成分
をうち消すための歪信号が原信号に含まれるように、ベ
ースバンド信号を修正するベースバンド信号修正手段
と、ベースバンド信号変換手段によって修正されたベー
スバンド信号から変調によって原信号を生成する変調手
段と、変調手段によって変調された原信号を入力する信
号入力手段と、信号入力手段から入力された原信号を増
幅する増幅手段と、増幅手段によって増幅された信号を
外部へ出力する信号出力手段と、原信号の包絡線成分と
同じ成分を有する包絡線信号を、ベースバンド信号に基
づいて生成する包絡線信号生成手段と、信号入力手段か
ら信号出力手段までの信号増幅経路に包絡線信号を注入
し、歪成分の非対称性を解消する包絡線信号注入手段と
を備えている。

【００３２】上記第１２の発明によれば、増幅手段にお
いて発生する歪成分を抑制するための歪補償を、ベース
バンド信号領域において行っている。かかる歪補償の方
法を行う場合においても、本発明を適用することができ
る。また、この場合、変調手段によって変調された後の
原信号については、歪成分に対応する周波数成分が低周
波側と高周波側で等しいレベルになる。従って、包絡線
信号によって歪成分の非対称性を解消することによっ
て、大きな歪抑制効果を得ることができる。

【００３３】第１３の発明は、周波数が異なる複数の信
号を含んだ原信号を増幅する電力増幅器であって、原信
号を入力する信号入力手段と、信号入力手段から入力さ
れた原信号を増幅する増幅手段と、増幅手段によって増
幅された信号を外部へ出力する信号出力手段と、原信号
の包絡線成分と同じ成分を有する包絡線信号を、当該原
信号に基づいて生成する包絡線信号生成手段と、増幅手
段によって原信号が増幅される際に発生する歪成分をう
ち消すための歪信号を、当該原信号に基づいて生成する
歪信号生成手段と、信号入力手段から信号出力手段まで
の信号増幅経路に歪信号を注入し、歪成分を抑制する歪
信号注入手段と、信号入力手段から歪信号注入手段まで
の歪信号生成経路に包絡線信号を注入し、当該歪信号に
含まれる周波数成分であって歪成分に対応する周波数成
分の非対称性を、当該歪成分における非対称性と一致さ
せる包絡線信号注入手段とを備えている。

【００３４】上記第１３の発明によれば、歪信号に含ま
れる周波数成分であって歪成分に対応する周波数成分に
おける低周波側の成分と高周波側の成分とのレベル差
を、歪成分における低周波側の成分と高周波側の成分と
のレベル差に等しくなるように、包絡線信号を用いて歪
信号を調整する。以上のように、歪成分のレベル差に応
じた歪信号を用いることによって、大きな歪抑制効果を
得ることができる。

【００３５】第１４の発明は、周波数が異なる複数の信
号を含んだ原信号を増幅する方法であって、原信号を増
幅する信号増幅ステップと、原信号の包絡線成分と同じ
成分を有する包絡線信号を生成する包絡線信号生成ステ
ップと、原信号を増幅する際に発生する歪成分をうち消
すための歪信号を、当該原信号に基づいて生成する歪信
号生成ステップと、原信号を入力する入力端から信号増
幅ステップにおいて増幅された信号を外部へ出力する出
力端までの信号増幅経路に包絡線信号を注入することに
よって歪成分の非対称性を解消するステップと、信号増
幅経路に歪信号を注入することによって歪成分を抑制す
るステップとを備えている。

【００３６】第１５の発明は、ベースバンド信号から変
調によって得られる一定の周波数帯域を持つ原信号を増
幅する方法であって、増幅の際に発生する歪成分をうち
消すための歪信号が原信号に含まれるように、ベースバ
ンド信号を修正するベースバンド信号修正ステップと、
ベースバンド信号変換ステップにおいて修正されたベー
スバンド信号から変調によって原信号を生成する変調ス
テップと、変調ステップにおいて変調された原信号を増
幅する信号増幅ステップと、原信号の包絡線成分と同じ
成分を有する包絡線信号を、ベースバンド信号に基づい
て生成する包絡線信号生成ステップと、原信号を入力す
る入力端から信号増幅ステップにおいて増幅された信号
を外部へ出力する出力端までの信号増幅経路に包絡線信
号を注入し、歪成分の非対称性を解消する包絡線信号注
入ステップとを備えている。

【００３７】第１６の発明は、周波数が異なる複数の信
号を含んだ原信号を増幅する方法であって、原信号を増
幅する信号増幅ステップと、原信号の包絡線成分と同じ
成分を有する包絡線信号を、当該原信号に基づいて生成
する包絡線信号生成ステップと、原信号を増幅する際に
発生する歪成分をうち消すための歪信号を、当該原信号
に基づいて生成する歪信号生成ステップと、原信号を入
力する入力端から信号増幅ステップにおいて増幅された
信号を外部へ出力する出力端までの信号増幅経路に歪信
号を注入し、歪成分を抑制する歪信号注入ステップと、
原信号を入力する入力端から歪信号が注入される歪信号
注入端までの歪信号生成経路に包絡線信号を注入し、当
該歪信号に含まれる周波数成分であって歪成分に対応す
る周波数成分の非対称性を、当該歪成分における非対称
性と一致させる包絡線信号注入ステップとを備えてい
る。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。なお全ての実施形態
および全ての図面において、同様の構成要素に対して
は、同一の符号を付与する。以下、第１〜第４の実施の
形態について説明する。

【００３９】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施形態に係る電力増幅器のブロック図である。図
１において、本電力増幅器は、入力端子１０１と、出力
端子１０２と、方向性結合器１０３、１１５および１１
８と、電力分配器１０４、１０６および１２０と、遅延
器１０５および１０７と、歪発生素子１０８と、可変減
衰器１０９、１１３、１２３および１２５と、可変位相
器１１０、１１４、１２４および１２６と、電力合成器
１１１および１１６と、電力増幅回路１１７と、包絡線
検波器１１９と、制御回路１２２、１２８および１２９
と、信号レベル検出器１２７および１２９とを備えてい
る。

【００４０】歪発生素子１０８および電力増幅回路１１
７は、例えば電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）等のト
ランジスタによって構成される。また、遅延器１０５お
よび１０７は、例えばセミリジッドケーブル等の同軸ケ
ーブルによって構成される。制御回路１２２、１２８お
よび１２９は、例えばＲＯＭ等のメモリ（記憶装置）に
よって構成される。

【００４１】歪信号生成回路１１２は、電力分配器１０
６と、遅延器１０７と、歪発生素子１０８と、可変減衰
器１０９と、可変位相器１１０と、電力合成器１１１と
によって構成される。歪信号生成回路１１２は、原信号
に基づいて、歪信号を生成する。ここで、原信号とは、
本電力増幅器で増幅すべきキャリア成分からなる信号で
あり、入力端子１０１から入力される。歪信号とは、原
信号が増幅される際に発生する歪成分をうち消すための
信号である。歪信号は、電力増幅回路１１７において発
生する歪成分のみを含んでいる。

【００４２】図１において、入力端子１０１は、方向性
結合器１０３に接続される。方向性結合器１０３の出力
の一端は、電力分配器１０４に接続される。電力分配器
１０４の出力の一端は、遅延器１０５を介して電力合成
器１１６の入力の一端に接続される。一方、電力分配器
１０４の出力の他端は、電力分配器１０６に接続され
る。電力分配器１０６の出力の一端は、遅延器１０７を
介して電力合成器１１１の入力の一端に接続される。一
方、電力分配器１０６の出力の他端は、歪発生素子１０
８、可変減衰器１０９および可変位相器１１０を介して
電力合成器１１１の入力の一端に接続される。電力合成
器１１１は、可変減衰器１１３、可変位相器１１４を介
して方向性結合器１１５に接続される。方向性結合器１
１５の出力の一端は、電力合成器１１６の入力の一端に
接続される。電力合成器１１６の出力は、電力増幅回路
１１７および方向性結合器１１８を介して出力端子１０
２に入力される。

【００４３】一方、方向性結合器１０３の出力の他端
は、包絡線検波器１１９に接続される。包絡線検波器１
１９の出力は、電力分配器１２０に入力される。電力分
配器１２０の第１の出力端子は、可変減衰器１２３およ
び可変位相器１２４を介して歪発生素子１０８の出力側
に接続される。電力分配器１２０の第２の出力端子は可
変減衰器１２５および可変位相器１２６を介して電力増
幅回路１１７の出力側に接続される。電力分配器１２０
の第３の出力端子は制御回路１２２を介して、可変減衰
器１２３および１２５ならびに可変位相器１２４および
１２６の制御端子に接続される。

【００４４】また、方向性結合器１１５の出力の他端
は、信号レベル検出器１２９に接続される。信号レベル
検出器１２９の出力は、制御回路１３０を介して可変減
衰器１０９および可変位相器１１０の制御端子に入力さ
れる。方向性結合器１１８の出力の他端は、信号レベル
検出器１２７に接続される。信号レベル検出器１２７の
出力は、制御回路１２８を介して可変減衰器１１３およ
び可変位相器１１４の制御端子に入力される。

【００４５】以下、本実施形態に係る電力増幅器の動作
を説明する。まず、本電力増幅器の動作の概要を説明す
る。図１に示す電力増幅回路１１７において原信号を発
生する際に発生する歪成分は、非対称性を有している。
すなわち、電力増幅回路１１７において原信号を増幅す
る際に発生する歪成分おいては、ＩＭ３Ｕ成分（原信号
の高周波側で発生する成分）とＩＭ３Ｌ成分（原信号の
低周波側で発生する成分）との間で、レベル差が生じて
いる。ここで、かかる非対称性は、原信号の包絡線成分
が要因となって生じるものである。そこで、本電力増幅
器は、原信号の包絡線信号を用いて、電力増幅回路１１
７において原信号を発生する際に発生する歪成分の非対
称性を解消する。包絡線信号とは、原信号の包絡線成分
と同じ成分を有する信号である。歪成分が非対称性を有
する要因である包絡線成分を包絡線信号を用いてうち消
すことによって、当該非対称性を解消することができ
る。さらに、本電力増幅器は、非対称性が解消された場
合における歪成分を歪信号を用いて抑制する。歪信号
は、歪信号生成回路１１２によって生成される信号であ
る。歪信号は、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベル
差が等しくなるように生成される。

【００４６】次に、本電力増幅器の動作の詳細を説明す
る。図２は、図１に示す回路の各端子における信号の周
波数スペクトラムを示す図である。なお、ここでは、原
信号として、周波数ｆ１およびｆ２の２つの正弦波（キ
ャリア）信号が入力端子１０１に入力された場合を考え
る。この端子を端子ａとし（図１参照）、そのスペクト
ラムを図２（ａ）に示す。入力された原信号は、方向性
結合器１０３によって２分配される。

【００４７】方向性結合器１０３によって２分配された
一方の出力信号は、電力分配器１０４によってさらに２
分配される。電力分配器１０４によって２分配された一
方の出力信号は、増幅器１１７において増幅される原信
号として用いられる。すなわち、この出力信号は、遅延
器１０５を介して電力合成器１１６の入力側の一端に入
力される。この端子を端子ｂとし、そのスペクトラムを
図２（ｂ）に示す。端子ｂにおけるスペクトラムは、端
子ａのものと同様、キャリア成分（ｆ１およびｆ２）の
みである。一方、電力分配器１０４によって２分配され
た他方の出力信号は、上述した歪信号を生成するために
用いられる。すなわち、この出力信号は、歪信号生成回
路１１２に入力される。歪信号生成回路１１２における
歪信号の生成動作については、後述する。

【００４８】一方、方向性結合器１０３によって２分配
された他方の出力信号は、上述した包絡線信号を生成す
るために用いられる。当該出力信号は、包絡線検波器１
１９で包絡線検波される。すなわち、包絡線検波器１１
９は、原信号の包絡線成分（２キャリアの差の周波数成
分）を出力する。ここで、原信号の包絡線成分として包
絡線検波器１１９から出力される信号が、上述した包絡
線信号である。包絡線信号は、原信号の包絡線成分を示
す信号である。

【００４９】包絡線検波器１１９によって生成された包
絡線信号は、電力分配器１２０で３分配される。ここ
で、電力分配器１２０で３分配された包絡線信号を、そ
れぞれ第１、第２および第３の包絡線信号と呼ぶ。第１
の包絡線信号は、可変減衰器１２３および可変位相器１
２４を経由して、歪発生素子１０８の出力側に注入され
る。また、第２の包絡線信号は、可変減衰器１２５およ
び可変位相器１２６を経由して、電力増幅回路１１７の
出力側に注入される。また、第３の包絡線信号は、信号
レベル検出器１２１に入力される。信号レベル検出器１
２１は、第３の包絡線信号の信号レベルを検出する。制
御回路１２２は、信号レベル検出器１２１によって検出
された信号レベルに基づいて、上記第１および第２の包
絡線信号の振幅および位相を制御する。制御回路１２２
の動作については後述する。

【００５０】以下、歪信号生成回路１１２における歪信
号の生成動作について説明する。なお、歪信号生成回路
１１２の構成は、歪発生素子１０８の出力側に包絡線信
号が注入される点を除いて、図１６に示す歪信号生成回
路の構成と同様である。歪信号生成回路１１２に入力さ
れた信号は、電力分配器１０６でさらに２分配される。
電力分配器１０６によって２分配された一方の出力信号
は遅延器１０７を通って電力合成器１１１の入力の一端
に入力される。この端子を端子ｃとし、そのスペクトラ
ムを図２（ｃ）に示す。端子ｃにおけるスペクトラム
は、端子ａのものと同様、キャリア成分（ｆ１およびｆ
２）のみである。一方、電力分配器１０６の他方の出力
信号は、歪発生素子１０８に入力される。歪発生素子１
０８は、入力された原信号に基づいて、ＩＭ３成分（歪
成分）を生成する。ここで、ＩＭ３成分の周波数をｆ３
（低周波側）およびｆ４（高周波側）とする。すなわ
ち、歪発生素子１０８の出力側からは、キャリア成分
（ｆ１およびｆ２）からなる原信号に加えて、歪成分
（ｆ３およびｆ４）からなる歪信号が出力される。

【００５１】ここで、歪発生素子１０８から出力される
信号には、上述した第１の包絡線信号が注入される。こ
れは、歪発生素子１０８から出力される信号に含まれる
ＩＭ３Ｌ成分（周波数ｆ３）とＩＭ３Ｕ成分（周波数ｆ
４）とのレベル差を等しくするためである。以下、詳細
を説明する。

【００５２】図３は、図１に示す歪発生素子１０８にお
ける入出力信号のスペクトラムの様子を示す図である。
図３（ａ）に示すように、包絡線信号を歪発生素子１０
８に注入しない場合、歪発生素子１０８において生成さ
れるＩＭ３成分について、ｆ３とｆ４との間で約３ｄＢ
の差が発生する。この要因は、歪発生素子１０８に入力
される原信号の包絡線成分である。ここで、歪発生素子
１０８に包絡線信号を注入することで、包絡線成分を要
因として生じるＩＭ３成分の非対称性を解消することが
できる。また、歪補償素子１０８に包絡線信号を注入す
ることによって、歪発生素子１０８において生成される
信号の歪特性、すなわちＩＭ３成分のレベル差が変化す
る。具体的には、注入される包絡線信号の振幅および位
相によって、歪発生素子１０８において生成される信号
の歪特性が変化する。従って、図３（ｂ）に示すよう
に、所定の振幅および位相を有する包絡線信号を歪発生
素子１０８に注入することによって、歪発生素子１０８
で発生するＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベルをほ
ぼ等しくすることができ、ＩＭ３成分の非対称性を解消
することができる。なお、所定の振幅および位相を有す
る包絡線信号は、歪発生素子１０８において生成される
信号の包絡線成分と同振幅および逆位相となる信号であ
る。本実施形態においては、制御回路１２２は、可変減
衰器１２３および可変位相器１２４を用いて、第１の包
絡線信号の振幅および位相を調整する。所定の振幅およ
び位相の調整方法の詳細については、後述する。

【００５３】歪発生素子１０８の出力信号は、上述のよ
うに包絡線信号を注入された後、可変減衰器１０９およ
び可変位相器１１０によって振幅および位相を調整され
る。振幅および位相を調整された信号は、電力合成器１
１１の入力側の一端に入力される。この端子を端子ｄと
し、そのスペクトラムを図２（ｄ）に示す。なお、端子
ｄにおけるスペクトラムは、キャリア成分（ｆ１および
ｆ２）と、ＩＭ３成分（ｆ３およびｆ４）とからなる。
電力合成器１１１は、端子ｃからの入力と、端子ｄから
の入力とを合成して出力する。

【００５４】ここで、上記可変減衰器１０９および可変
位相器１１０は、端子ｃにおける信号のキャリア成分
（ｆ１およびｆ２）と、端子ｄにおける信号のキャリア
成分とが同振幅かつ逆位相となるように、制御回路１３
０によって制御される。その結果、電力合成器１１１の
出力側においてはキャリア成分が抑制され、ＩＭ３成分
（ｆ３およびｆ４）のみが出力される。つまり、電力合
成器１１１から出力される信号は、歪信号のみである。
以上のように、歪信号生成回路１１２によって歪信号が
生成される。

【００５５】歪信号生成回路１１２から出力される歪信
号は、可変減衰器１１３および可変位相器１１４によっ
て振幅および位相を調整される。なお、可変減衰器１１
３および可変位相器１１４は、原信号を電力増幅回路１
１７によって増幅する際に発生するＩＭ３成分であって
包絡線信号により非対称性が解消されたＩＭ３成分と、
同振幅かつ逆位相となるように調整される。歪信号は、
振幅および位相を調整された後、方向性結合器１１５に
よって２分配される。方向性結合器１１５によって２分
配された一方の歪信号は、信号レベル検出器１２９に入
力される。信号レベル検出器１２９は、入力した歪信号
の信号レベルを検出する。制御回路１３０は、信号レベ
ル検出器１２９によって検出された信号レベルに応じた
制御電圧を発生し、可変減衰器１０９および可変位相器
１１０を制御する。具体的には、制御回路１３０は、信
号レベル検出器１２９によって検出された信号レベルが
できるだけ小さくなるように、可変減衰器１０９および
可変位相器１１０を用いて歪発生素子１０８からの出力
信号の振幅および位相を調整する。これによって、上述
したように、当該出力信号は、そのキャリア成分と端子
ｃにおける信号のキャリア成分とが同振幅かつ逆位相に
なるように調整されることとなる。

【００５６】一方、方向性結合器１１５によって２分配
された他方の歪信号は、電力合成器１１６に入力され
る。これによって、原信号に歪信号が注入されることに
なる。なお、この端子を端子ｅとし、そのスペクトラム
を図２（ｅ）に示す。図２（ｅ）のように、端子ｅにお
いて歪成分のみを有する歪信号が発生していることがわ
かる。なお、図２（ｅ）におけるスペクトラムについて
は、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベルがほぼ等し
くなっている。電力合成器１１６に入力された歪信号
は、端子ｃから入力される原信号と合成され、電力合成
器の端子ｆから出力される。端子ｆにおける信号のスペ
クトラムを図２（ｆ）に示す。図２（ｆ）のように、端
子ｆにおけるスペクトラムは、キャリア成分（ｆ１およ
びｆ２）と、歪成分（ｆ３およびｆ４）とからなる。

【００５７】電力合成器１１６によって合成された信号
は、電力増幅回路１１７に入力される。ここで、上記可
変減衰器１１３および可変位相器１１４は、原信号を電
力増幅回路１１７によって増幅する際に発生するＩＭ３
成分であって包絡線信号により非対称性が解消されたＩ
Ｍ３成分と、同振幅かつ逆位相となるように調整され
る。その結果、電力増幅回路１１７の出力側において
は、包絡線成分以外の要因によって発生するＩＭ３成分
が抑制される。このように、原信号に歪信号を合成した
信号を電力増幅回路１１７に入力することによって、包
絡線信号以外の要因によって発生するＩＭ３成分を抑制
することができる。ただし、この段階では、包絡線成分
を要因として生じるＩＭ３成分の非対称性については解
消されていない。

【００５８】また、電力増幅回路１１７から出力される
信号には、前述の第２の包絡線信号が注入される。これ
は、電力増幅回路１１７において信号を増幅する際に発
生するＩＭ３成分について、包絡線成分が要因となって
生じる非対称性を解消するためである。以下、詳細を説
明する。

【００５９】図４は、図１に示す電力増幅回路１１７に
おける入出力信号のスペクトラムの様子を示す図であ
る。図４（ａ）に示すように、包絡線信号を電力増幅回
路１１７に注入しない場合、電力増幅回路１１７におい
て生成されるＩＭ３成分について、ｆ３とｆ４との間で
約１０ｄＢの差が発生する。この要因は、電力増幅回路
１１７に入力される原信号の包絡線成分である。ここ
で、電力増幅回路１１７に包絡線信号を注入することに
よって、包絡線成分を要因として生じるＩＭ３成分の非
対称性を解消することができる。また、電力増幅回路１
１７に包絡線信号を注入することによって、電力増幅回
路１１７において生成される信号の歪特性、すなわちＩ
Ｍ３成分のレベル差が変化する。具体的には、包絡線信
号の振幅および位相によって、電力増幅回路１１７にお
いて生成される信号の歪特性が変化する。以上より、図
４（ｂ）に示すように、所定の振幅および位相を有する
包絡線信号を電力増幅回路１１７に注入することによっ
て、包絡線成分を要因として発生する成分を抑制するこ
とができ、電力増幅回路１１７で発生するＩＭ３成分
（ｆ３およびｆ４）のレベルをほぼ等しくすることがで
きる。なお、所定の振幅および位相を有する包絡線信号
とは、電力増幅回路１１７において生成される信号の包
絡線成分と同振幅かつ逆位相となる信号である。本実施
形態においては、制御回路１２２は、可変減衰器１２５
および可変位相器１２６を用いて、第２の包絡線信号の
振幅および位相を調整する。所定の振幅および位相の調
整方法の詳細については、後述する。

【００６０】本実施形態においては、上述のように、電
力増幅回路１１７に入力される信号には、キャリア成分
を有する原信号に加え、ＩＭ３成分を有する歪信号が含
まれている（図２（ｆ）参照）。従って、当該歪信号に
よって、電力増幅回路１１７において信号を増幅する際
に生じるＩＭ３成分の内、包絡線成分以外の要因によっ
て発生する成分（図４（ｂ）のｆ３およびｆ４）が抑制
される。さらに、図４（ｂ）に示すように、包絡線信号
によって、ＩＭ３成分について、包絡線成分を要因とし
て発生する非対称性が解消される。以上のように、歪信
号および包絡線信号によって、電力増幅回路１１７にお
いて発生するＩＭ３成分について大きな歪抑制効果を得
ることができる。なお、電力増幅回路１１７の出力信号
に包絡線信号が注入された後の端子を端子ｇとし、その
スペクトラムを図２（ｇ）に示す。

【００６１】電力増幅回路１１７の出力信号は、第２の
包絡線信号を注入された後、方向性結合器１１８で２分
配される。方向性結合器１１８によって２分配された一
方の出力信号は出力端子１０２から外部に出力される。
方向性結合器１１８によって２分配された他方の出力信
号は、信号レベル検出器１２７に入力される。信号レベ
ル検出器１２７は、入力した信号のレベルを検出する。
制御回路１２８は、信号レベル検出器１２７によって検
出された信号レベルに応じた制御電圧を発生し、可変減
衰器１１３および可変位相器１１４を制御する。これ
は、電力増幅回路１１７の動作点が何らかの理由によっ
て変化した場合、その変化に応じて注入する歪信号を調
整するためである。具体的には、制御回路１２８は、信
号レベル検出器１２７によって検出される信号のレベル
に基づいて、当該信号に含まれるＩＭ３成分が最小とな
るように、歪信号を調整する。本実施形態においては、
制御回路１２８は、信号レベル検出器１２７によって検
出される信号レベルと、可変減衰器１１３の減衰量およ
び可変位相器１１４の位相量の最適値とを対応付けたテ
ーブルを格納しておく。つまり、制御回路１２８は、電
力増幅回路１１７の動作点が変化したことを、信号レベ
ル検出器１２７によって検出される信号レベルによって
検知し、当該信号レベルに応じた振幅および位相となる
ように歪信号を調整する。なお、上記テーブルは、予め
実験やシミュレーションに基づいて作成しておく。以上
によって、電力増幅回路１１７の動作点（出力電力レベ
ル）が変化した場合でも、その変化に応じて、電力増幅
回路１１７に入力する歪信号の振幅および位相を最適に
なるように制御することができる。

【００６２】次に、制御回路１２２における制御方法の
詳細について説明する。まず、第１の包絡線信号に関す
る制御、すなわち、可変減衰器１２３および可変位相器
１２４の制御について説明する。前述のように、制御回
路１２２は、信号レベル検出器１２１によって検出され
た信号レベル（第３の包絡線信号の信号レベル）に基づ
いて、可変減衰器１２３および可変位相器１２４を制御
する。具体的には、制御回路１２２は、包絡線信号の信
号レベルの値と、可変減衰器１２３の減衰量および可変
位相器１２４の位相量について設定すべき値とを対応付
けたテーブルを格納しており、当該テーブルに基づい
て、可変減衰器１２３の減衰量および可変位相器１２４
の位相量を決定する。当該テーブルは、レベル検出器１
２１によって検出される第１の包絡線信号のレベルと、
歪補償素子１０８から出力された信号におけるＩＭ３成
分中の低周波側成分と高周波側成分との間のレベル差を
最小にするときの当該第１の包絡線信号の振幅および位
相との対応を示す。ここで、上記テーブルは、予め実験
やシミュレーションに基づいて作成される。以下、上記
テーブルの作成方法を詳細に説明する。

【００６３】図５は、図１に示す歪発生素子１０８にお
いて発生する歪と、歪発生素子１０８に注入される包絡
線信号の位相（注入位相）との関係を示す図である。ま
た、図６は、図１に示す歪発生素子１０８において発生
する歪と、歪発生素子１０８に注入される包絡線信号の
レベル（注入レベル）との関係を示す図である。図５に
示すように、歪発生素子１０８において発生する歪と注
入位相との関係は、ＩＭ３Ｌ成分（周波数ｆ３）とＩＭ
３Ｕ成分（周波数ｆ４）とで異なる特性を有する。ここ
で、ＩＭ３Ｌ成分の特性とＩＭ３Ｕ成分の特性との交点
（点Ａ）の値をとるように注入位相を調整することで、
ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベルを等しくするこ
とができる。また、注入レベルを調整する場合も上記と
同様、ＩＭ３Ｌ成分の特性とＩＭ３Ｕ成分の特性との交
点（点Ｂ）の値をとるように注入レベルを調整すること
で、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベルを等しくす
ることができる。

【００６４】図７は、図１に示す歪発生素子１０８にお
いて発生する歪と、歪発生素子１０８に入力される信号
の入力レベルとの関係を示す図である。歪発生素子１０
８に入力される信号の入力レベルが変化すると、図５お
よび図６に示すグラフの特性が変化する。そのため、図
７に示すように、歪発生素子１０８に入力される信号の
入力レベルが変化すれば、歪発生素子１０８において発
生する歪量も変化する。従って、歪発生素子１０８に入
力される信号の入力レベルが変化した場合、図５および
図６に示す交点ＡおよびＢの位置も変化する。つまり、
歪発生素子１０８に入力される信号の入力レベルが変化
した場合、設定すべき注入レベルおよび注入位相の値も
変化する。また、制御回路１２２は、入力レベルの変化
を包絡線信号のレベルによって検知する。以上より、本
実施形態においては、制御回路１２２は、包絡線信号の
レベルと設定すべき注入レベルおよび注入位相の値とを
対応付けたテーブルを用いて、注入レベルおよび注入位
相を決定する。なお、当該テーブルは、予め実験やシミ
ュレーションに基づいて作成しておく。

【００６５】次に、第２の包絡線信号に関する制御、す
なわち、可変減衰器１２５および可変位相器１２６の制
御について説明する。第２の包絡線信号に関する制御に
おいても、図５、図６および図７に示す関係と同様の関
係がある。従って、第２の包絡線信号に関する制御にお
いても、第１の包絡線信号に関する制御の場合と同様、
制御回路１２２は、包絡線信号のレベルと設定すべき注
入レベルおよび注入位相の値とを対応付けたテーブルを
用いて、注入レベルおよび注入位相を決定する。当該テ
ーブルは、レベル検出器１２１によって検出される第２
の包絡線信号のレベルと、電力増幅回路１１７から出力
された信号における歪成分中の低周波側成分と高周波側
成分との間のレベル差を最小にするときの当該第２の包
絡線信号の振幅および位相との対応を示す。この場合、
当該テーブルは、予め実験やシミュレーションに基づい
て作成しておく。

【００６６】（第２の実施の形態）以下、本発明の第２
の実施形態について説明する。図８は、本発明の第２の
実施形態に係る電力増幅器のブロック図である。前述の
ように、図８において第１の実施形態と同じ構成要素に
は図１と同一の符号を付与している。また、かかる構成
要素の動作は、第１の実施形態と同様であるので、以下
には第１の実施形態と異なる箇所だけを説明する。

【００６７】第１の実施形態と第２の実施形態との相違
点は、第２の実施形態では、方向性結合器１１８の出力
を、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）１４２およびレベル検
出器１４３を介して、制御回路１４４に入力する構成を
とっている点である。すなわち、第１の実施の形態で
は、方向性結合器１１８の出力の一方を信号レベル検出
器１２７に直接入力していた。これに対して、第２の実
施形態では、方向性結合器１１８の出力の一方を電力分
配器１４１に入力し、電力分配器１４１の出力の一方を
信号レベル検出器１２７に入力している。また、電力分
配器１４１の他方の出力は、低域通過フィルタ１４２お
よび信号レベル検出器１４３を介して制御回路１４４に
入力される。さらに、制御回路１４４からの出力は、可
変減衰器１２５および可変位相器１２６の制御端子に入
力される構成となっている。なお、信号レベル検出器１
２７および制御回路１３０の動作は、第１の実施の形態
と同様であるので説明を省略する。以下、電力分配器１
４１から低域通過フィルタ１４２へ入力された後の動作
を詳細に説明する。

【００６８】低域通過フィルタ１４２は、電力分配器１
４１から出力された信号の内、低周波領域の成分、すな
わち、包絡線成分を抽出する。これによって、電力増幅
回路１１７で発生する低周波領域の歪成分（包絡線成
分）のみを取り出すことができる。レベル検出器１４３
は、低域通過フィルタ１４２によって抽出された包絡線
成分の信号レベルを検出する。検出された信号レベル
は、制御回路１４４に入力される。制御回路１４４は、
レベル検出器１４３によって検出された信号レベルに応
じて制御電圧を発生し、当該制御電圧によって可変減衰
器１２５および可変位相器１２６を制御する。具体的に
は、制御回路１４４は、信号レベル検出器１４３で検出
される信号レベルが最小となるように、可変減衰器１２
５の減衰量および可変位相器１２６の位相量を調整す
る。以下、制御回路１４４における減衰量および位相量
の決定処理を説明する。

【００６９】まず、制御回路１４４において減衰量およ
び位相量の初期値を決定する処理を説明する。図９は、
図８に示す制御回路１４４における減衰量および位相量
の初期値決定処理の流れを示すフローチャートである。
図９に示す処理は、制御回路１４４が信号レベル検出器
１４３から信号レベルを示す情報を最初に入力したこと
により開始される。まず、制御回路１４４は、電力増幅
回路１１７に注入される包絡線信号のレベル（注入レベ
ル）および位相（注入位相）を、予め定められた値に設
定する（ステップＳ１）。ここで、予め定められた値
は、任意の値であってよい。

【００７０】ステップＳ１の次に、制御回路１４４は、
注入位相を０°から３６０°まで変化させ、そのときの
包絡線成分のレベル変化を読み取る（ステップＳ２）。
具体的には、制御回路１４４は、可変位相器１２５の位
相値を０°から３６０°まで変化させ、その際に信号レ
ベル検出器１４３から入力される信号レベルを記憶して
おく。次に、制御回路１４４は、ステップＳ２における
注入位相の変化に伴って、包絡線成分の信号レベルが所
定値以上変化したか否かを判定する（ステップＳ３）。
具体的には、制御回路１４４は、ステップＳ２において
記憶しておいた信号レベルの内、最大値と最小値との差
を算出する。算出された値が予め定められた所定値以上
であれば、包絡線成分の信号レベルが所定値以上変化し
たと判定される。逆に、算出された値が予め定められた
所定値未満であれば、包絡線成分の信号レベルが所定値
以上変化しなかったと判定される。ここで、所定値は、
予め定められている。当該所定値をどのような値に設定
すべきかについては後述する。以上のステップＳ２およ
びＳ３の処理によって、注入レベルが適切な値であるか
否かを判定することができる。以下、詳細を説明する。

【００７１】図１０は、図８に示す電力増幅回路１１７
において発生する包絡線成分のレベルと、電力増幅回路
１１７に注入される包絡線信号の位相（注入位相）との
関係を示す図である。また、図１１は、図８に示す電力
増幅回路１１７において発生するＩＭ３成分のレベル
と、電力増幅回路１１７に注入される注入位相との関係
を示す図である。上述のステップＳ２では、図１０に示
す特性における包絡線成分レベルの最小値および最大値
を読み取り、ステップＳ３では、包絡線成分レベルの変
化幅、すなわち、最大値と最小値との差が所定値以上で
あるか否かを判定する。ここで、図１０に示す包絡線成
分レベルの変化幅を検出することによって、図１１に示
すＩＭ３成分レベルの変化幅を算出することができる。
また、図１０および図１１に示す特性は、包絡線信号の
注入レベルによって変化する。すなわち、包絡線信号の
注入レベルを上げると、包絡線成分レベルおよびＩＭ３
成分レベルの変化幅が大きくなる。また、包絡線信号の
注入レベルを下げると、包絡線成分レベルおよびＩＭ３
成分レベルの変化幅が小さくなる。

【００７２】ここで、図１１に示す特性においては、Ｉ
Ｍ３成分レベルの変化幅が小さい場合、ＩＭ３Ｌ成分
（周波数ｆ３）の特性を示す曲線と、ＩＭ３Ｕ成分（周
波数ｆ４）の特性を示す曲線との交点がなくなってしま
う。図１２は、ＩＭ３成分レベルの変化幅が小さい場合
における、図１１の特性を示す図である。図１１に示す
特性は、ＩＭ３成分レベルの変化幅が小さくなると、図
１２のように交点がなくなってしまう。図１２の場合、
注入位相をどのように動かしても、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ
３Ｕ成分とのレベル差が等しくなることがない。つま
り、ＩＭ３成分レベルの変化幅が小さい場合、制御回路
１４４は、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベル差が
等しくなるような適切な値に注入位相を決定することが
できない。従って、この場合、制御回路１４４は、ＩＭ
３成分レベルの変化幅が小さすぎる、すなわち、注入レ
ベルが小さすぎると判定すべきである。上述のように、
ＩＭ３成分レベルの変化幅は、包絡線成分レベルの変化
幅から得ることができるので、制御回路１４４は、注入
レベルが小さすぎることを、包絡線成分レベルの変化幅
によって判定する。以上より、制御回路１４４は、包絡
線成分レベルの変化幅が所定値以下である場合、注入レ
ベルが低すぎると判定する。ここで、所定値は、ＩＭ３
Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分との特性が交点をもつような、包
絡線成分レベルの変化幅に設定される。当該所定値は、
予め実験等によって算出される。

【００７３】図９の説明に戻り、ステップ３の判定結果
が否定の場合、制御回路１４４は、注入レベルを上げる
（ステップＳ４）。具体的には、制御回路１４４は、注
入レベルを例えば１ｄＢ上げるように可変減衰器１２５
を制御する。ステップＳ４の後、制御回路１４４は、ス
テップＳ２の処理を行い、注入レベルが適切な値と判定
されるまで、ステップＳ２からＳ４までの一連の処理を
繰り返す。

【００７４】一方、ステップ３の判定結果が肯定の場
合、制御回路１４４は、包絡線信号の注入位相を決定す
る（ステップＳ５）。ここで、図１０および図１１にお
いて、包絡線成分のレベルが最小となる場合における注
入位相の値θは、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベ
ルが等しくなる場合の注入位相の値と等しくなる。これ
は、電力増幅回路１１７に入力される信号の包絡線成分
が、電力増幅回路１１７において発生するＩＭ３Ｌ成分
とＩＭ３Ｕ成分とのレベル差を生じさせる要因となるた
めである。従って、制御回路１４４は、包絡線成分レベ
ルが最小となる値（図１０の場合はθ）に注入位相を決
定することによって、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分との
レベルが等しくすることができる。

【００７５】注入位相の決定後、制御回路１４４は、包
絡線信号の注入レベルを決定する（ステップＳ６）。具
体的には、制御回路１４４は、可変減衰器１２５を用い
て注入レベルのみを変化させ、その際に信号レベル検出
器１４３から入力される信号レベルを検出する。そし
て、検出される信号レベルが最小となる場合の値に注入
レベルを決定する。最後に、制御回路１４４は、微調整
を行い（ステップＳ７）、処理を終了する。微調整を行
う理由は、ステップＳ６において注入レベルを変化させ
たことによって、注入位相の最適な値が変化している可
能性があるためである。このように、ステップＳ５およ
びステップＳ６において決定された値の周辺で注入位相
および注入レベルを再度変化させることによって、より
正確な最適値を算出することができる。以上ステップＳ
１〜Ｓ７の処理によって、制御回路１４４は、可変減衰
器１２５の減衰量および可変位相器１２６の位相量の初
期値を決定する。

【００７６】初期値決定後においては、制御回路１４４
は、電力増幅回路１１７の出力電力の変動に応じて、可
変減衰器１２５および可変位相器１２６を制御する。具
体的には、電力増幅器の１１７の出力電力が変動したこ
とを検知した場合、制御回路１４４は、まず注入レベ
ル、すなわち、可変減衰器１２５の減衰量を変動させ
る。レベル検出器１４３によって検出される信号レベル
が変動に応じて変化するので、制御回路１４４は、当該
信号レベルが最小となる値に注入レベルを決定する。次
に、制御回路１４４は、注入位相、すなわち、可変位相
器１２６の位相量を変動させて、レベル検出器１４３に
よって検出される信号レベルが最小となる値に注入位相
を決定する。

【００７７】以上のように、本実施形態においては、電
力増幅回路１１７の出力端子に注入する包絡線信号の振
幅および位相を、電力増幅回路１１７の出力信号に基づ
いて調整する。これによって、本実施形態に係る電力増
幅器では、電力増幅回路１１７の出力端子に注入する包
絡線信号をリアルタイムで制御することができる。ま
た、本電力増幅器は、可変減衰器１２５および可変位相
器１２６を入力レベルに応じて制御するためのテーブル
を必要としない。その結果、制御速度が速くなり、高価
なメモリや大規模な記憶回路を省略することができる。

【００７８】なお、上記第２の実施形態においては、図
９に示すフローチャートの処理に従って、注入レベルお
よび注入位相の初期値が決定された。ここで、他の実施
形態においては、予め作成したテーブルを用いて初期値
を決定してもよい。具体的には、電力増幅回路１１７に
おいて発生する包絡線成分を各入力レベルごとに予め測
定しておき、測定結果に基づいて入力レベルと可変減衰
器１２５の減衰量および可変位相器１２６の位相量との
対応を示すテーブルを作成しておく。作成したテーブル
を制御回路１４４に記憶させておき、初期値決定の際に
は当該テーブルを用いる。以上の方法で、初期値を決定
してもよい。

【００７９】（第３の実施の形態）以下、本発明の第３
の実施形態について説明する。図１３は、本発明の第３
の実施形態に係る電力増幅器のブロック図である。前述
のように、図１３において第１の実施形態と同じ構成要
素には図１と同一の符号を付与している。また、かかる
構成要素の動作は、第１の実施形態と同様であるので、
以下には第１の実施形態と異なる箇所だけを説明する。

【００８０】第１の実施形態と第３の実施形態との相違
点は、第３の実施形態では、包絡線信号をベースバンド
信号から生成している点である。すなわち、第１の実施
形態では、入力端子１０１から入力された高周波の信号
に基づいて、包絡線検波器１１９によって包絡線信号を
生成していた。これに対して、第３の実施形態では、原
信号の包絡線成分をベースバンド信号から直接生成する
構成にしたものである。

【００８１】ベースバンド信号生成部１５１は、ベース
バンド信号であるＩ信号およびＱ信号（ＩＱ信号）を生
成して出力する。出力されたＩＱ信号は２分配され、一
方が変調部１５２に、他方が包絡線生成回路１５３に入
力される。変調部１５２に入力されたＩＱ信号は直交変
調され、変調信号に変換される。本実施形態における変
調部１５２の出力端子は、第１および第２の実施形態に
おける方向性結合器１０３の一方の出力端子に相当す
る。従って、本実施形態においては、上記変調信号が原
信号となり、電力増幅回路１１７によって増幅される。
一方、包絡線生成回路１５３に入力されたＩＱ信号は、
変調部１５２の出力信号である原信号の包絡線成分を示
す包絡線信号に変換される。本実施形態における包絡線
生成回路１５３の出力端子は、第１、第２の実施の形態
における包絡線検波器１１９の出力端子に相当する。変
調部１５２の出力、および、包絡線生成回路１５３の出
力以降の動作は、第１の実施形態と同様である。

【００８２】以上のように、本実施形態では、変調信号
（原信号）に変調される前のベースバンド信号から包絡
線信号を生成する。この場合、原信号から生成する場合
に比べて、あらゆる入力レベルに対して包絡線信号を正
確に生成することができる。その結果、回路のダイナミ
ックレンジを大きくすることができる。

【００８３】なお、本実施形態では第１の実施形態と同
様、入力信号から生成される包絡線信号を用いて可変減
衰器１２５および可変位相器１２６の制御を行った。こ
こで、他の実施形態においては、第２の実施形態のよう
に、方向性結合器１１８から出力される信号の包絡線成
分を用いて、可変減衰器１２５および可変位相器１２６
を制御することも可能である。この場合、第２の実施形
態と同様の効果が得られる。

【００８４】（第４の実施の形態）以下、本発明の第４
の実施形態について説明する。図１４は、本発明の第４
の実施形態に係る電力増幅器のブロック図である。前述
のように、図１４において第１または第３の実施形態と
同じ構成要素には図１または図１３と同一の符号を付与
している。また、かかる構成要素の動作は、第１または
第３の実施形態と同様であるので、以下には第１または
第３の実施形態と異なる箇所だけを説明する。

【００８５】第４の実施形態と第１から第３の実施形態
との相違点は、ベースバンド信号領域で歪抑制を行う点
である。すなわち、第１から第３の実施形態において
は、歪信号生成回路１１２を用いて歪信号を生成し、当
該歪信号を電力増幅回路１１７に入力される信号に注入
することによって高周波信号領域において歪抑制を行っ
た。これに対して、本実施形態においては、方向性結合
器１１８からの出力を復調してＩＱ信号を生成し、当該
ＩＱ信号をベースバンド信号修正回路１６１に注入する
ことによってベースバンド信号領域で歪抑制を行う。な
お、電力増幅回路１１７において発生するＩＭ３成分の
内、包絡線成分に起因する成分を抑制するために包絡線
信号を用いる点については、他の実施形態と同様であ
る。

【００８６】本実施形態に係る電力増幅器においては、
ベースバンド信号生成部１５１から出力されたＩＱ信号
は２分配され、一方がベースバンド信号修正回路１６１
に、他方が包絡線生成回路１５３に入力される。包絡線
生成回路１５３に入力されたＩＱ信号は、変調部１５２
から出力される信号の包絡線成分を示す包絡線信号に変
換される。以降の動作は、第１の実施形態と同様であ
る。

【００８７】一方、ベースバンド信号修正回路１６１に
入力されたＩＱ信号は、変調部１５２において原信号に
変換される際に歪を発生するように修正される。つま
り、ベースバンド信号修正回路１６１は、電力増幅回路
１１７における増幅の際に発生する歪成分をうち消すた
めの歪信号が原信号に含まれるように、入力したＩＱ信
号を修正する。ここで、ベースバンド信号修正回路１６
１によって修正されたＩＱ信号を、歪んだＩＱ信号と呼
ぶ。変調部１５２は、歪んだＩＱ信号を直交変調し、変
調信号である原信号を出力する。図１５は、図１４に示
す変調部１５２の入出力関係を示す図である。図１５の
ように、変調部１５２に歪んだＩＱ信号を入力した場
合、出力される原信号のスペクトルにはＩＭ３成分（ｆ
３およびｆ４）が含まれている。ここで、図１５に示す
ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベル差は、必ず等し
くなる。また、変調部１５２において発生する歪成分
は、当該歪成分を含まない信号が電力増幅回路１１７に
よって増幅された際に発生する歪成分と、同振幅かつ逆
位相になるように生成される。このように、変調部１５
２から出力される信号は、第１の実施形態における電力
合成器１１６から出力される信号と同様である。すなわ
ち、変調部１５２から出力される信号は、ベースバンド
信号生成部１５１で生成されるベースバンド信号から得
られる原信号と、第１の実施形態における歪信号とを合
成した信号である。ベースバンド信号修正回路１６１
は、上記原信号と歪信号とを合成した信号が変調部１５
２で発生するように、ＩＱ信号を変換するものである。

【００８８】変調部１５２によって変調された原信号
は、電力増幅回路１１７によって増幅される。電力増幅
回路１１７からの出力信号には、包絡線信号が注入され
る。これによって、出力信号に含まれるＩＭ３成分のレ
ベル差が抑制される。包絡線信号が注入された後の当該
出力信号の一部は、方向性結合器１１８によって抽出さ
れ、復調部１６２に入力される。復調部１６２は、電力
増幅回路１１７の出力をＩＱ信号に復調する。ベースバ
ンド信号修正回路１６１は、復調されたＩＱ信号と、ベ
ースバンド信号生成部から入力されたＩＱ信号とを比較
し、比較の結果によって出力すべきＩＱ信号を変更す
る。

【００８９】以上のように、電力増幅回路１１７で発生
するＩＭ３成分の内、包絡線成分に起因する成分以外の
成分をベースバンド領域で抑制することも可能である。
なお、この場合、変調部１５２から出力される信号のＩ
Ｍ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベル差は必ず等しくな
る。従って、第１から第３の実施形態のように、歪発生
素子１０８に包絡線信号を注入する構成は不要である。
第４の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様
の効果を得ることができる。

【００９０】なお、本実施形態では第１の実施形態と同
様、入力信号から生成される包絡線信号を用いて可変減
衰器１２５および可変位相器１２６の制御を行った。こ
こで、他の実施形態においては、第２の実施形態のよう
に、方向性結合器１１８から出力される信号の包絡線成
分を用いて、可変減衰器１２５および可変位相器１２６
を制御することも可能である。この場合、第２の実施形
態と同様の効果が得られる。

【００９１】以上のように、上記第１から第４の実施形
態によれば、電力増幅回路１１７に包絡線信号を注入す
ることによって、原信号の包絡線成分が要因となって発
生するＩＭ３成分を抑制する。従って、電力増幅回路１
１７において発生するＩＭ３成分における、ＩＭ３Ｌ成
分とＩＭ３Ｕ成分との間のレベル差をなくすことができ
る。このように、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分との間の
レベル差をなくした上で、歪信号を用いて歪補償を行う
ことによって、ＩＭ３Ｌ成分およびＩＭ３Ｕ成分の双方
に対して大きな歪抑制量を実現することができる。

【００９２】さらに、第１から第３の実施形態において
は、歪発生素子１０８に包絡線信号を注入することによ
って、歪信号におけるＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分との
レベルを等しくしている。これによって、歪発生素子１
０８から出力される信号における、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ
３Ｕ成分との間のレベル差をなくすことができる。それ
ゆえ、歪信号生成回路１１２において、ＩＭ３Ｌ成分と
ＩＭ３Ｕ成分との間のレベル差がほとんどない歪信号を
生成することができ、歪信号についてＩＭ３成分の非対
称性を解消することができる。上述のように、本実施形
態においては、電力増幅回路１１７に包絡線信号を注入
することによって、原信号の包絡線成分が要因となって
発生するＩＭ３成分を抑制している。従って、歪信号を
注入することによって抑制すべきＩＭ３成分について
は、ＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分との間のレベル差がほ
とんどないものと考えられる。以上より、歪信号のＩＭ
３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分との間のレベル差を等しくする
ことによって、より大きな歪抑制効果を得ることができ
る。

【００９３】なお、上記第１から第３の実施形態では、
歪発生素子１０８および電力増幅回路１１７の両方に包
絡線信号を注入したが、歪発生素子１０８で発生するＩ
Ｍ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベル差が小さい場合、
電力増幅回路１１７のみに包絡線信号を注入する構成と
してもよい。

【００９４】また、歪発生素子１０８のみに包絡線信号
を注入する構成としてもよい。図５に示すように、注入
レベルおよび注入位相を制御することによって、歪発生
素子１０８から出力される信号のＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３
Ｕ成分とのレベル差を自由に調整することが可能であ
る。従って、包絡線信号を注入することによって、歪信
号に含まれる周波数成分であって電力増幅回路１１７に
おいて発生する歪成分に対応する周波数成分の非対称性
を、当該歪成分における非対称性と一致させることが可
能である。すなわち、電力増幅回路１１７において発生
するＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベル差と等しい
レベル差を有するように、歪発生素子１０８の出力信号
を調整することが可能である。具体的には、歪発生素子
１０８において、電力増幅回路１１７において発生する
ＩＭ３Ｕ成分およびＩＭ３Ｌ成分のそれぞれと、同振幅
かつ逆位相の成分を含む信号を生成することによって、
電力増幅回路１１７において発生するＩＭ３Ｕ成分およ
びＩＭ３Ｌ成分のそれぞれを抑制することが可能であ
る。上記第１から第３の実施形態においては、歪発生素
子１０８から出力される信号のＩＭ３成分の非対称性を
解消するために、歪発生素子１０８に包絡線信号を注入
したが、上記のように、歪発生素子１０８から出力され
る信号のＩＭ３成分の非対称性を、電力増幅回路１１７
から出力される信号のＩＭ３成分の非対称性と一致させ
るために、歪発生素子１０８に包絡線信号を注入しても
よい。

【００９５】なお、上記第１から第４の実施形態では、
包絡線信号を歪発生素子１０８と電力増幅回路１１７と
の出力端子に注入した。ここで、上記実施形態において
電力増幅器１１７の出力端子に注入されている包絡線信
号は、原信号を入力してから電力増幅器１１７によって
増幅された信号を外部へ出力するまでの信号増幅経路に
注入するものであれば、どこに注入されてもよい。例え
ば、他の実施形態においては、包絡線信号を電力増幅器
１１７の入力端子、あるいは入力側または出力側の電源
供給端子に注入することも可能である。なお、電力分配
器１０４および遅延器１０５は、注入箇所より前に構成
される必要があり、方向性結合器１１８は、注入箇所よ
り後に構成される必要がある。また、上記実施形態にお
いて歪発生素子１０８の出力端子に注入されている包絡
線信号は、原信号を入力してから歪発生素子１０８によ
って生成された信号を電力増幅器１１７へ注入するまで
の歪信号生成経路に注入するものであれば、どこに注入
されてもよい。例えば、他の実施形態においては、包絡
線信号を歪補償素子１０８の入力端子、あるいは入力側
または出力側の電源供給端子に注入することも可能であ
る。なお、電力分配器１０６は、注入箇所より前に構成
される必要があり、方向性結合器１１５は、注入箇所よ
り後に構成される必要がある。上記の場合も本実施形態
の場合と同様の効果が得られる。なお、歪発生素子１０
８へ包絡線信号を注入する端子と、電力増幅回路１１７
へ包絡線信号を注入する端子とは同一である必要はな
い。

【００９６】また、上記第１から第３の実施形態では、
方向性結合器１１５の出力信号のみが信号レベル検出器
１２９に入力される構成であった。ここで、他の実施形
態においては、方向性結合器１１５の出力信号に加え、
方向性結合器１１８の出力信号を信号レベル検出器１２
９に入力することも可能である。その場合も本実施形態
の場合と同様の効果が得られる。

【００９７】また、上記第１から第３の実施形態におい
ては、信号レベル検出器１２７において信号全体のレベ
ルを検出した。さらに、制御回路１２８において、予め
作成されたテーブルを用いて、可変減衰器１１３の減衰
量および可変位相器１１４の位相量を決定した。ここ
で、他の実施形態においては、信号レベル検出器１２７
において信号のＩＭ３成分のレベルを検出し、制御回路
１２８においてＩＭ３成分のレベルができるだけ小さく
なるように可変減衰器１１３および可変位相器１１４を
制御するようにしてもよい。例えば、制御回路１２８
は、可変減衰器１１３の減衰量を増加方向に変化させ、
信号レベル検出器１２７によって検出されるＩＭ３成分
のレベルが大きくなれば、当該減衰量を減少方向に変化
させる。逆に、信号レベル検出器１２７によって検出さ
れるＩＭ３成分のレベルが小さくなれば、当該減衰量を
増加方向に変化させる。以上の処理を繰り返すことによ
って、制御回路１２８は、ＩＭ３成分のレベルができる
だけ小さくなるように制御することができる。なお、上
記した制御方法は、制御回路１３０においても用いるこ
とができる。

【００９８】なお、上記第１から第４の実施形態では、
歪発生素子１０８および電力増幅回路１１７にＦＥＴを
用いたが、両者にバイポーラトランジスタを用いること
も可能である。また歪発生素子１０８はダイオードを用
いて構成することも可能である。以上の場合でも本実施
形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、
遅延器１０４および１０６にセミリジッドケーブル等の
同軸ケーブルを用いたが、これらを例えばマイクロスト
リップ線路等、他の伝送線路を用いて構成することも可
能である。また、遅延器１０４および１０６として、遅
延フィルタを用いることも可能である。また、本実施形
態で用いたような、伝播遅延時間が固定された遅延器に
限らず、例えば可変遅延フィルタのように遅延時間を変
化させることができる遅延器を用いることも可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る電力増幅器のブ
ロック図である。

【図２】図１に示す回路の各端子における信号の周波数
スペクトラムを示す図である。

【図３】図１に示す歪発生素子１０８における入出力信
号のスペクトラムの様子を示す図である。

【図４】図１に示す電力増幅回路１１７における入出力
信号のスペクトラムの様子を示す図である。

【図５】図１に示す歪発生素子１０８において発生する
歪と、歪発生素子１０８に注入される包絡線信号の位相
（注入位相）との関係を示す図である。

【図６】図１に示す歪発生素子１０８において発生する
歪と、歪発生素子１０８に注入される包絡線信号のレベ
ル（注入レベル）との関係を示す図である。

【図７】図１に示す歪発生素子１０８において発生する
歪と、歪発生素子１０８に入力される信号の入力レベル
との関係を示す図である。

【図８】本発明の第２の実施形態に係る電力増幅器のブ
ロック図である。

【図９】図８に示す制御回路１４４における減衰量およ
び位相量の初期値決定処理の流れを示すフローチャート
である。

【図１０】図８に示す電力増幅回路１１７において発生
する包絡線成分のレベルと、電力増幅回路１１７に注入
される包絡線信号の位相（注入位相）との関係を示す図
である。

【図１１】図８に示す電力増幅回路１１７において発生
するＩＭ３成分のレベルと、電力増幅回路１１７に注入
される注入位相との関係を示す図である。

【図１２】ＩＭ３成分レベルの変化幅が小さい場合にお
ける、図１１の特性を示す図である。

【図１３】本発明の第３の実施形態に係る電力増幅器の
ブロック図である。

【図１４】本発明の第４の実施形態に係る電力増幅器の
ブロック図である。

【図１５】図１４に示す変調部１５２の入出力関係を示
す図である。

【図１６】従来の電力増幅器の構成を示すブロック図で
ある。

【符号の説明】

１０１ 入力端子 １０２ 出力端子 １０３、１１５、１１８ 方向性結合器 １０４、１０６、１２０、１４１ 電力分配器 １０５、１０７ 遅延器 １０８ 歪発生素子 １０９、１１３、１２３、１２５ 可変減衰器 １１０、１１４、１２４、１２６ 可変位相器 １１１、１１６ 電力合成器 １１２ 歪信号生成回路 １１７ 電力増幅回路 １１９ 包絡線検波器 １２２、１２８、１２９、１４４ 制御回路 １２７、１２９、１４３ 信号レベル検出器 １４２ 低域通過フィルタ（ＬＰＦ） １５１ ベースバンド信号生成部 １５２ 変調部 １５３ 包絡線生成回路 １６１ ベースバンド信号修正回路 １６２ 復調部

【手続補正書】

【提出日】平成１４年８月８日（２００２．８．８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００４

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００４】上記のように構成されたプリディストーシ
ョン歪補償付き増幅器において、入力端子６０１から入
力されたキャリア信号は、電力分配器６０３によって２
分配される。２分配された一方のキャリア信号に基づい
て、歪発生回路６０５は歪信号を発生させる。この歪信
号は、可変減衰器６０６および可変位相器６０７によっ
て振幅および位相が調整され、電力合成器６０８に入力
される。一方、電力分配器６０３によって２分配された
他方のキャリア信号は、遅延器６０４によって遅延され
た後、電力合成器６０８に入力される。電力合成器６０
８は、振幅および位相が調整された歪信号と遅延された
キャリア信号とを合成して電力増幅回路６０９へ出力す
る。電力合成器６０８から出力された信号は、電力増幅
回路６０９によって増幅され、出力端子６０２から外部
へ出力される。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３９】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施形態に係る電力増幅器のブロック図である。図
１において、本電力増幅器は、入力端子１０１と、出力
端子１０２と、方向性結合器１０３、１１５および１１
８と、電力分配器１０４、１０６および１２０と、遅延
器１０５および１０７と、歪発生素子１０８と、可変減
衰器１０９、１１３、１２３および１２５と、可変位相
器１１０、１１４、１２４および１２６と、電力合成器
１１１および１１６と、電力増幅回路１１７と、包絡線
検波器１１９と、制御回路１２２、１２８および１３０
と、信号レベル検出器１２７および１２９とを備えてい
る。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４０】歪発生素子１０８および電力増幅回路１１
７は、例えば電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）等のト
ランジスタによって構成される。また、遅延器１０５お
よび１０７は、例えばセミリジッドケーブル等の同軸ケ
ーブルによって構成される。制御回路１２２、１２８お
よび１３０は、例えばＲＯＭ等のメモリ（記憶装置）に
よって構成される。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４７】方向性結合器１０３によって２分配された
一方の出力信号は、電力分配器１０４によってさらに２
分配される。電力分配器１０４によって２分配された一
方の出力信号は、電力増幅回路１１７において増幅され
る原信号として用いられる。すなわち、この出力信号
は、遅延器１０５を介して電力合成器１１６の入力側の
一端に入力される。この端子を端子ｂとし、そのスペク
トラムを図２（ｂ）に示す。端子ｂにおけるスペクトラ
ムは、端子ａのものと同様、キャリア成分（ｆ１および
ｆ２）のみである。一方、電力分配器１０４によって２
分配された他方の出力信号は、上述した歪信号を生成す
るために用いられる。すなわち、この出力信号は、歪信
号生成回路１１２に入力される。歪信号生成回路１１２
における歪信号の生成動作については、後述する。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５２】図３は、図１に示す歪発生素子１０８にお
ける入出力信号のスペクトラムの様子を示す図である。
図３（ａ）に示すように、包絡線信号を歪発生素子１０
８に注入しない場合、歪発生素子１０８において生成さ
れるＩＭ３成分について、ｆ３とｆ４との間で約３ｄＢ
の差が発生する。この要因は、歪発生素子１０８に入力
される原信号の包絡線成分である。ここで、歪発生素子
１０８に包絡線信号を注入することで、包絡線成分を要
因として生じるＩＭ３成分の非対称性を解消することが
できる。また、歪発生素子１０８に包絡線信号を注入す
ることによって、歪発生素子１０８において生成される
信号の歪特性、すなわちＩＭ３成分のレベル差が変化す
る。具体的には、注入される包絡線信号の振幅および位
相によって、歪発生素子１０８において生成される信号
の歪特性が変化する。従って、図３（ｂ）に示すよう
に、所定の振幅および位相を有する包絡線信号を歪発生
素子１０８に注入することによって、歪発生素子１０８
で発生するＩＭ３Ｌ成分とＩＭ３Ｕ成分とのレベルをほ
ぼ等しくすることができ、ＩＭ３成分の非対称性を解消
することができる。なお、所定の振幅および位相を有す
る包絡線信号は、歪発生素子１０８において生成される
信号の包絡線成分と同振幅および逆位相となる信号であ
る。本実施形態においては、制御回路１２２は、可変減
衰器１２３および可変位相器１２４を用いて、第１の包
絡線信号の振幅および位相を調整する。所定の振幅およ
び位相の調整方法の詳細については、後述する。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６２】次に、制御回路１２２における制御方法の
詳細について説明する。まず、第１の包絡線信号に関す
る制御、すなわち、可変減衰器１２３および可変位相器
１２４の制御について説明する。前述のように、制御回
路１２２は、信号レベル検出器１２１によって検出され
た信号レベル（第３の包絡線信号の信号レベル）に基づ
いて、可変減衰器１２３および可変位相器１２４を制御
する。具体的には、制御回路１２２は、包絡線信号の信
号レベルの値と、可変減衰器１２３の減衰量および可変
位相器１２４の位相量について設定すべき値とを対応付
けたテーブルを格納しており、当該テーブルに基づい
て、可変減衰器１２３の減衰量および可変位相器１２４
の位相量を決定する。当該テーブルは、信号レベル検出
器１２１によって検出される第１の包絡線信号のレベル
と、歪発生素子１０８から出力された信号におけるＩＭ
３成分中の低周波側成分と高周波側成分との間のレベル
差を最小にするときの当該第１の包絡線信号の振幅およ
び位相との対応を示す。ここで、上記テーブルは、予め
実験やシミュレーションに基づいて作成される。以下、
上記テーブルの作成方法を詳細に説明する。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６５】次に、第２の包絡線信号に関する制御、す
なわち、可変減衰器１２５および可変位相器１２６の制
御について説明する。第２の包絡線信号に関する制御に
おいても、図５、図６および図７に示す関係と同様の関
係がある。従って、第２の包絡線信号に関する制御にお
いても、第１の包絡線信号に関する制御の場合と同様、
制御回路１２２は、包絡線信号のレベルと設定すべき注
入レベルおよび注入位相の値とを対応付けたテーブルを
用いて、注入レベルおよび注入位相を決定する。当該テ
ーブルは、信号レベル検出器１２１によって検出される
第２の包絡線信号のレベルと、電力増幅回路１１７から
出力された信号における歪成分中の低周波側成分と高周
波側成分との間のレベル差を最小にするときの当該第２
の包絡線信号の振幅および位相との対応を示す。この場
合、当該テーブルは、予め実験やシミュレーションに基
づいて作成しておく。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６７】第１の実施形態と第２の実施形態との相違
点は、第２の実施形態では、方向性結合器１１８の出力
を、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）１４２および信号レベ
ル検出器１４３を介して、制御回路１４４に入力する構
成をとっている点である。すなわち、第１の実施の形態
では、方向性結合器１１８の出力の一方を信号レベル検
出器１２７に直接入力していた。これに対して、第２の
実施形態では、方向性結合器１１８の出力の一方を電力
分配器１４１に入力し、電力分配器１４１の出力の一方
を信号レベル検出器１２７に入力している。また、電力
分配器１４１の他方の出力は、低域通過フィルタ１４２
および信号レベル検出器１４３を介して制御回路１４４
に入力される。さらに、制御回路１４４からの出力は、
可変減衰器１２５および可変位相器１２６の制御端子に
入力される構成となっている。なお、信号レベル検出器
１２７および制御回路１３０の動作は、第１の実施の形
態と同様であるので説明を省略する。以下、電力分配器
１４１から低域通過フィルタ１４２へ入力された後の動
作を詳細に説明する。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６８】低域通過フィルタ１４２は、電力分配器１
４１から出力された信号の内、低周波領域の成分、すな
わち、包絡線成分を抽出する。これによって、電力増幅
回路１１７で発生する低周波領域の歪成分（包絡線成
分）のみを取り出すことができる。信号レベル検出器１
４３は、低域通過フィルタ１４２によって抽出された包
絡線成分の信号レベルを検出する。検出された信号レベ
ルは、制御回路１４４に入力される。制御回路１４４
は、信号レベル検出器１４３によって検出された信号レ
ベルに応じて制御電圧を発生し、当該制御電圧によって
可変減衰器１２５および可変位相器１２６を制御する。
具体的には、制御回路１４４は、信号レベル検出器１４
３で検出される信号レベルが最小となるように、可変減
衰器１２５の減衰量および可変位相器１２６の位相量を
調整する。以下、制御回路１４４における減衰量および
位相量の決定処理を説明する。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７０】ステップＳ１の次に、制御回路１４４は、
注入位相を０°から３６０°まで変化させ、そのときの
包絡線成分のレベル変化を読み取る（ステップＳ２）。
具体的には、制御回路１４４は、可変位相器１２６の位
相値を０°から３６０°まで変化させ、その際に信号レ
ベル検出器１４３から入力される信号レベルを記憶して
おく。次に、制御回路１４４は、ステップＳ２における
注入位相の変化に伴って、包絡線成分の信号レベルが所
定値以上変化したか否かを判定する（ステップＳ３）。
具体的には、制御回路１４４は、ステップＳ２において
記憶しておいた信号レベルの内、最大値と最小値との差
を算出する。算出された値が予め定められた所定値以上
であれば、包絡線成分の信号レベルが所定値以上変化し
たと判定される。逆に、算出された値が予め定められた
所定値未満であれば、包絡線成分の信号レベルが所定値
以上変化しなかったと判定される。ここで、所定値は、
予め定められている。当該所定値をどのような値に設定
すべきかについては後述する。以上のステップＳ２およ
びＳ３の処理によって、注入レベルが適切な値であるか
否かを判定することができる。以下、詳細を説明する。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７６】初期値決定後においては、制御回路１４４
は、電力増幅回路１１７の出力電力の変動に応じて、可
変減衰器１２５および可変位相器１２６を制御する。具
体的には、電力増幅器の１１７の出力電力が変動したこ
とを検知した場合、制御回路１４４は、まず注入レベ
ル、すなわち、可変減衰器１２５の減衰量を変動させ
る。信号レベル検出器１４３によって検出される信号レ
ベルが変動に応じて変化するので、制御回路１４４は、
当該信号レベルが最小となる値に注入レベルを決定す
る。次に、制御回路１４４は、注入位相、すなわち、可
変位相器１２６の位相量を変動させて、信号レベル検出
器１４３によって検出される信号レベルが最小となる値
に注入位相を決定する。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９５】なお、上記第１から第４の実施形態では、
包絡線信号を歪発生素子１０８と電力増幅回路１１７と
の出力端子に注入した。ここで、上記実施形態において
電力増幅回路１１７の出力端子に注入されている包絡線
信号は、原信号を入力してから電力増幅回路１１７によ
って増幅された信号を外部へ出力するまでの信号増幅経
路に注入するものであれば、どこに注入されてもよい。
例えば、他の実施形態においては、包絡線信号を電力増
幅回路１１７の入力端子、あるいは入力側または出力側
の電源供給端子に注入することも可能である。なお、電
力分配器１０４および遅延器１０５は、注入箇所より前
に構成される必要があり、方向性結合器１１８は、注入
箇所より後に構成される必要がある。また、上記実施形
態において歪発生素子１０８の出力端子に注入されてい
る包絡線信号は、原信号を入力してから歪発生素子１０
８によって生成された信号を電力増幅回路１１７へ注入
するまでの歪信号生成経路に注入するものであれば、ど
こに注入されてもよい。例えば、他の実施形態において
は、包絡線信号を歪発生素子１０８の入力端子、あるい
は入力側または出力側の電源供給端子に注入することも
可能である。なお、電力分配器１０６は、注入箇所より
前に構成される必要があり、方向性結合器１１５は、注
入箇所より後に構成される必要がある。上記の場合も本
実施形態の場合と同様の効果が得られる。なお、歪発生
素子１０８へ包絡線信号を注入する端子と、電力増幅回
路１１７へ包絡線信号を注入する端子とは同一である必
要はない。

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９８】なお、上記第１から第４の実施形態では、
歪発生素子１０８および電力増幅回路１１７にＦＥＴを
用いたが、両者にバイポーラトランジスタを用いること
も可能である。また歪発生素子１０８はダイオードを用
いて構成することも可能である。以上の場合でも本実施
形態と同様の効果が得られる。また、本実施形態では、
遅延器１０５および１０７にセミリジッドケーブル等の
同軸ケーブルを用いたが、これらを例えばマイクロスト
リップ線路等、他の伝送線路を用いて構成することも可
能である。また、遅延器１０５および１０７として、遅
延フィルタを用いることも可能である。また、本実施形
態で用いたような、伝播遅延時間が固定された遅延器に
限らず、例えば可変遅延フィルタのように遅延時間を変
化させることができる遅延器を用いることも可能であ
る。

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】符号の説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【符号の説明】 １０１ 入力端子 １０２ 出力端子 １０３、１１５、１１８ 方向性結合器 １０４、１０６、１２０、１４１ 電力分配器 １０５、１０７ 遅延器 １０８ 歪発生素子 １０９、１１３、１２３、１２５ 可変減衰器 １１０、１１４、１２４、１２６ 可変位相器 １１１、１１６ 電力合成器 １１２ 歪信号生成回路 １１７ 電力増幅回路 １１９ 包絡線検波器 １２２、１２８、１３０、１４４ 制御回路１２１、 １２７、１２９、１４３ 信号レベル検出器 １４２ 低域通過フィルタ（ＬＰＦ） １５１ ベースバンド信号生成部 １５２ 変調部 １５３ 包絡線生成回路 １６１ ベースバンド信号修正回路 １６２ 復調部

【手続補正１５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【手続補正１６】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図８

【補正方法】変更

【補正内容】

【図８】

【手続補正１７】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１３】

【手続補正１８】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１４】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 誠司 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目３番１ 号 松下通信工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J090 AA04 AA41 CA27 FA07 GN03 GN04 GN07 HA26 HN03 HN08 HN14 HN17 HN23 KA15 KA16 KA42 KA55 MA14 MA20 SA14 TA01 TA02 TA03 TA07 5J500 AA04 AA41 AC27 AF07 AH26 AK15 AK16 AK42 AK55 AM14 AM20 AS14 AT01 AT02 AT03 AT07 NH03 NH08 NH14 NH17 NH23

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 周波数が異なる複数の信号を含んだ原信
   号を増幅する電力増幅器であって、 前記原信号を入力する信号入力手段と、 前記信号入力手段から入力された原信号を増幅する増幅
   手段と、 前記増幅手段によって増幅された信号を外部へ出力する
   信号出力手段と、 前記原信号の包絡線成分と同じ成分を有する包絡線信号
   を生成する包絡線信号生成手段と、 前記増幅手段によって前記原信号が増幅される際に発生
   する歪成分をうち消すための歪信号を、当該原信号に基
   づいて生成する歪信号生成手段と、 前記信号入力手段から前記信号出力手段までの信号増幅
   経路に前記包絡線信号を注入し、前記歪成分の非対称性
   を解消する第１の包絡線信号注入手段と、 前記信号増幅経路に前記歪信号を注入し、前記歪成分を
   抑制する歪信号注入手段とを備える、電力増幅器。
2. 【請求項２】 前記包絡線信号のレベルを検出する包絡
   線信号検出手段と、 前記包絡線信号検出手段によって検出される包絡線信号
   のレベルに基づいて、前記信号増幅経路に注入される前
   記包絡線信号の振幅および位相を調整する第１の包絡線
   信号調整手段とをさらに備える、請求項１に記載の電力
   増幅器。
3. 【請求項３】 前記第１の包絡線信号調整手段は、前記
   包絡線信号検出手段によって検出される包絡線信号のレ
   ベルと、前記歪成分中の低周波側成分と高周波側成分と
   の間のレベル差を最小にするときの前記包絡線信号の振
   幅および位相との対応を示すテーブルを予め記憶してお
   き、当該テーブルを用いて当該包絡線信号の振幅および
   位相を調整する、請求項２に記載の電力増幅器。
4. 【請求項４】 前記信号入力手段から前記歪信号注入手
   段までの歪信号生成経路に前記包絡線信号を注入し、前
   記歪信号が有する周波数成分であって前記歪成分に対応
   する周波数成分の非対称性を解消する第２の包絡線信号
   注入手段をさらに備える、請求項１に記載の電力増幅
   器。
5. 【請求項５】 前記包絡線信号のレベルを検出する包絡
   線信号検出手段と、 前記包絡線信号検出手段によって検出される包絡線信号
   のレベルに基づいて、前記歪信号生成経路に注入される
   前記包絡線信号の振幅および位相を調整する第２の包絡
   線信号調整手段とをさらに備える、請求項４に記載の電
   力増幅器。
6. 【請求項６】 前記第２の包絡線信号調整手段は、前記
   包絡線信号検出手段によって検出される包絡線信号のレ
   ベルと、前記歪信号における低周波側成分と高周波側成
   分との間のレベル差を最小にするときの当該包絡線信号
   の振幅および位相との対応を示すテーブルを予め記憶し
   ておき、当該テーブルを用いて、当該包絡線信号の振幅
   および位相を調整する、請求項５に記載の電力増幅器。
7. 【請求項７】 前記包絡線信号および前記歪信号の注入
   後における前記増幅手段の出力信号の包絡線成分につい
   てレベルを検出する包絡線成分検出手段と、 前記包絡線成分検出手段によって検出される前記出力信
   号の包絡線成分レベルに基づいて、当該包絡線成分レベ
   ルが最小となるように、前記信号増幅経路に注入される
   前記包絡線信号の振幅および位相を調整する第３の包絡
   線信号調整手段とをさらに備える、請求項１に記載の電
   力増幅器。
8. 【請求項８】 前記第３の包絡線信号調整手段は、 前記包絡線信号の振幅を任意の値に固定して、当該包絡
   線信号の位相を０°から３６０°まで変化させた場合に
   おける、前記包絡線成分レベルの変化幅が所定値以上と
   なるか否かを判定するレベル判定手段と、 前記レベル判定手段によって前記変化幅が所定値以上で
   あると判定された場合、前記包絡線成分レベルが最小と
   なるように、当該包絡線信号の位相を決定する位相決定
   手段と、 前記位相決定手段によって決定された位相において、前
   記包絡線成分レベルが最小となるように、前記包絡線信
   号の振幅を決定するレベル決定部とを含む、請求項７に
   記載の電力増幅器。
9. 【請求項９】 前記包絡線信号および前記歪信号の注入
   後における前記増幅手段の出力信号のレベルを検出する
   出力信号検出手段と、 前記出力信号検出手段によって検出される前記出力信号
   のレベルに基づいて、当該出力信号に含まれる歪成分が
   最小となるように、前記歪信号を調整する歪信号調整手
   段とをさらに備える、請求項１に記載の電力増幅器。
10. 【請求項１０】 前記包絡線信号生成手段は、前記原信
    号から前記包絡線信号を生成することを特徴とする、請
    求項１に記載の電力増幅器。
11. 【請求項１１】 ベースバンド信号から変調によって得
    られる変調信号を生成する変調手段をさらに備え、 前記信号入力手段は、前記変調信号を原信号として入力
    し、 前記包絡線信号生成手段は、前記ベースバンド信号から
    前記包絡線信号を生成することを特徴とする、請求項１
    に記載の電力増幅器。
12. 【請求項１２】 ベースバンド信号から変調によって得
    られる一定の周波数帯域を持つ原信号を増幅する電力増
    幅器であって、 増幅の際に発生する歪成分をうち消すための歪信号が前
    記原信号に含まれるように、前記ベースバンド信号を修
    正するベースバンド信号修正手段と、 前記ベースバンド信号変換手段によって修正されたベー
    スバンド信号から変調によって前記原信号を生成する変
    調手段と、 前記変調手段によって変調された原信号を入力する信号
    入力手段と、 前記信号入力手段から入力された原信号を増幅する増幅
    手段と、 前記増幅手段によって増幅された信号を外部へ出力する
    信号出力手段と、 前記原信号の包絡線成分と同じ成分を有する包絡線信号
    を、前記ベースバンド信号に基づいて生成する包絡線信
    号生成手段と、 前記信号入力手段から前記信号出力手段までの信号増幅
    経路に前記包絡線信号を注入し、前記歪成分の非対称性
    を解消する包絡線信号注入手段とを備える、電力増幅
    器。
13. 【請求項１３】 周波数が異なる複数の信号を含んだ原
    信号を増幅する電力増幅器であって、 前記原信号を入力する信号入力手段と、 前記信号入力手段から入力された原信号を増幅する増幅
    手段と、 前記増幅手段によって増幅された信号を外部へ出力する
    信号出力手段と、 前記原信号の包絡線成分と同じ成分を有する包絡線信号
    を、当該原信号に基づいて生成する包絡線信号生成手段
    と、 前記増幅手段によって前記原信号が増幅される際に発生
    する歪成分をうち消すための歪信号を、当該原信号に基
    づいて生成する歪信号生成手段と、 前記信号入力手段から前記信号出力手段までの信号増幅
    経路に前記歪信号を注入し、前記歪成分を抑制する歪信
    号注入手段と、 前記信号入力手段から前記歪信号注入手段までの歪信号
    生成経路に前記包絡線信号を注入し、当該歪信号に含ま
    れる周波数成分であって前記歪成分に対応する周波数成
    分の非対称性を、当該歪成分における非対称性と一致さ
    せる包絡線信号注入手段とを備える、電力増幅器。
14. 【請求項１４】 周波数が異なる複数の信号を含んだ原
    信号を増幅する方法であって、 前記原信号を増幅する信号増幅ステップと、 前記原信号の包絡線成分と同じ成分を有する包絡線信号
    を生成する包絡線信号生成ステップと、 前記原信号を増幅する際に発生する歪成分をうち消すた
    めの歪信号を、当該原信号に基づいて生成する歪信号生
    成ステップと、 前記原信号を入力する入力端から前記信号増幅ステップ
    において増幅された信号を外部へ出力する出力端までの
    信号増幅経路に前記包絡線信号を注入することによって
    前記歪成分の非対称性を解消するステップと、 前記信号増幅経路に前記歪信号を注入することによって
    前記歪成分を抑制するステップとを備える、電力増幅方
    法。
15. 【請求項１５】 ベースバンド信号から変調によって得
    られる一定の周波数帯域を持つ原信号を増幅する方法で
    あって、 増幅の際に発生する歪成分をうち消すための歪信号が前
    記原信号に含まれるように、前記ベースバンド信号を修
    正するベースバンド信号修正ステップと、 前記ベースバンド信号変換ステップにおいて修正された
    ベースバンド信号から変調によって前記原信号を生成す
    る変調ステップと、 前記変調ステップにおいて変調された原信号を増幅する
    信号増幅ステップと、 前記原信号の包絡線成分と同じ成分を有する包絡線信号
    を、前記ベースバンド信号に基づいて生成する包絡線信
    号生成ステップと、 前記原信号を入力する入力端から前記信号増幅ステップ
    において増幅された信号を外部へ出力する出力端までの
    信号増幅経路に前記包絡線信号を注入し、前記歪成分の
    非対称性を解消する包絡線信号注入ステップとを備え
    る、電力増幅方法。
16. 【請求項１６】 周波数が異なる複数の信号を含んだ原
    信号を増幅する方法であって、 前記原信号を増幅する信号増幅ステップと、 前記原信号の包絡線成分と同じ成分を有する包絡線信号
    を、当該原信号に基づいて生成する包絡線信号生成ステ
    ップと、 前記原信号を増幅する際に発生する歪成分をうち消すた
    めの歪信号を、当該原信号に基づいて生成する歪信号生
    成ステップと、 前記原信号を入力する入力端から前記信号増幅ステップ
    において増幅された信号を外部へ出力する出力端までの
    信号増幅経路に前記歪信号を注入し、前記歪成分を抑制
    する歪信号注入ステップと、 前記原信号を入力する入力端から前記歪信号が注入され
    る歪信号注入端までの歪信号生成経路に前記包絡線信号
    を注入し、当該歪信号に含まれる周波数成分であって前
    記歪成分に対応する周波数成分の非対称性を、当該歪成
    分における非対称性と一致させる包絡線信号注入ステッ
    プとを備える、電力増幅方法。